JP2008035026A - Piezoelectric device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、圧電デバイスに関するものである。 The present invention relates to a piezoelectric device.
従来から、圧電デバイスは、水晶振動子に代表される圧電振動子および発振回路を備え、パーソナルコンピュータまたは移動体通信機器など様々な電子機器のクロック周波数源として用いられている。 Conventionally, a piezoelectric device includes a piezoelectric vibrator represented by a crystal vibrator and an oscillation circuit, and is used as a clock frequency source for various electronic devices such as a personal computer or a mobile communication device.
近年、圧電デバイスの小型化を図った構造として、ICチップなどの電子部品を搭載した配線基板の上方に圧電振動子を配置し、配線基板と圧電振動子とを接続する接続部の導通と固定との役割をはんだにより果した圧電デバイスの構造が知られている(特許文献1参照)。 In recent years, piezoelectric devices have been designed to reduce the size of piezoelectric devices. A piezoelectric vibrator is placed above a wiring board on which electronic components such as IC chips are mounted, and the connection and connection between the wiring board and the piezoelectric vibrator are connected and fixed. A structure of a piezoelectric device that plays the role of solder with solder is known (see Patent Document 1).
しかしながら、配線基板と圧電振動子とがはんだにより接続された圧電デバイスの構造においては、リフロー実装の高温条件において、配線基板と圧電振動子とを接続させる接続部のはんだが再溶融してしまうことにより、はんだの劣化または断線などが発生するという問題がある。 However, in the structure of a piezoelectric device in which the wiring board and the piezoelectric vibrator are connected by solder, the solder at the connecting portion that connects the wiring board and the piezoelectric vibrator is remelted at high temperature conditions for reflow mounting. Therefore, there is a problem that solder deterioration or disconnection occurs.
本発明は、このような従来の問題点に着目してなされたもので、その目的は、配線基板と圧電振動子との接続の信頼性が向上した小型かつ薄型の圧電デバイスを提供することにある。 The present invention has been made paying attention to such conventional problems, and an object of the present invention is to provide a small and thin piezoelectric device in which the connection reliability between the wiring board and the piezoelectric vibrator is improved. is there.
上記課題を解決するために、本発明の実施形態では、容器の内部に圧電素子が気密封止され、該容器の底面に該圧電素子と接続される振動子接続端子が形成された圧電振動子と、前記圧電振動子の下方に配置され、一方の面に外部接続端子が形成され、他方の面が前記圧電振動子の容器の底面に固定された配線基板と、前記配線基板の一方の面に配置されたICチップとを有する圧電デバイスであって、前記配線基板の一方の面に形成され、前記ICチップに接続されたIC接続端子と、前記IC接続端子に接続され、前記配線基板の一方の面に形成された内部接続端子とを備え、前記圧電振動子の振動子接続端子と前記配線基板の内部接続端子とが金属ワイヤにより接続され、該金属ワイヤおよび前記ICチップを覆うように樹脂部が形成されていることを要旨とする。 In order to solve the above-described problem, in an embodiment of the present invention, a piezoelectric element in which a piezoelectric element is hermetically sealed inside a container, and a vibrator connection terminal connected to the piezoelectric element is formed on the bottom surface of the container. A wiring board disposed below the piezoelectric vibrator, having an external connection terminal formed on one surface and the other surface fixed to the bottom surface of the container of the piezoelectric vibrator, and one surface of the wiring board A piezoelectric device having an IC chip arranged on the wiring board, formed on one surface of the wiring board, connected to the IC chip, connected to the IC connection terminal, and connected to the IC board. An internal connection terminal formed on one surface, the vibrator connection terminal of the piezoelectric vibrator and the internal connection terminal of the wiring board are connected by a metal wire so as to cover the metal wire and the IC chip Resin part is formed Is that the gist of that.
これによれば、前記配線基板の他方の面が前記圧電振動子の容器の底面に固定され、前記振動子接続端子と前記内部接続端子とが金属ワイヤにより接続され、樹脂部により覆われている。このため、リフロー実装の高温条件においても、圧電振動子の振動子接続端子と配線基板の内部接続端子とを接続している金属ワイヤが溶融することなく、接続の信頼性が向上した圧電デバイスを提供することが可能となる。 According to this, the other surface of the wiring board is fixed to the bottom surface of the container of the piezoelectric vibrator, and the vibrator connection terminal and the internal connection terminal are connected by the metal wire and covered with the resin portion. . For this reason, a piezoelectric device with improved connection reliability can be obtained without melting the metal wire connecting the transducer connection terminal of the piezoelectric vibrator and the internal connection terminal of the wiring board even under high temperature conditions of reflow mounting. It becomes possible to provide.
本発明の実施形態では、前記内部接続端子が前記配線基板の一方の面の窪んだ窪面に形成されていることを要旨とする。 In an embodiment of the present invention, the gist is that the internal connection terminal is formed on a concave surface of one surface of the wiring board.
これによれば、前記内部接続端子が前記配線基板の一方の面の窪んだ窪面に形成されている。このため、前記振動子接続端子と前記内部接続端子とを接続している金属ワイヤが、実装用の外部接続端子が形成される圧電デバイスの外周面からはみ出すことなく、実装での短絡または金属ワイヤの損傷などを防ぐことが可能となる。 According to this, the said internal connection terminal is formed in the hollow surface which the one surface of the said wiring board depressed. For this reason, the metal wire connecting the vibrator connection terminal and the internal connection terminal does not protrude from the outer peripheral surface of the piezoelectric device on which the external connection terminal for mounting is formed. It becomes possible to prevent damage to the device.
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。
(第一実施形態)
DESCRIPTION OF EXEMPLARY EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the invention will be described with reference to the drawings.
(First embodiment)
以下の実施形態では、圧電デバイスとして水晶発振器の例を挙げて説明する。
図1は、第一実施形態の水晶発振器の構成を示し、(a)は、概略側面図であり、(b)は、(a)の概略底面図である。
In the following embodiments, an example of a crystal oscillator will be described as a piezoelectric device.
FIG. 1 shows the configuration of the crystal oscillator of the first embodiment, (a) is a schematic side view, and (b) is a schematic bottom view of (a).
水晶発振器10は、圧電素子としての水晶振動子2と、水晶振動子2を発振させる機能などを有するICチップ3と、配線基板4と、絶縁性を有するエポキシ樹脂などから成る樹脂部5とを備えている。
The
水晶振動子2は、圧電素子として水晶から成る水晶振動片1と、セラミックまたはガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から成る容器12と、金属またはガラスなどから成る蓋体11とを備えている。
The
容器12内には、金(Au)などから成るマウント電極部14が形成されている。そして、容器12底面には、Auなどから成る振動子接続端子6が形成されている。ここで、マウント電極部14は、振動子接続端子6に接続されている。
A
水晶振動片1は、容器12内のマウント電極部14に、導電性接着剤15により固定され、水晶振動片1に設けられた励振電極(図示せず)とマウント電極部14とが接続されている。
蓋体11は、容器12上面に配置され、ロウ材などの合金またはガラスなどにより容器12に固定され、水晶振動片1が気密封止されている。これにより、水晶振動片1は容器12内部に気密封止され、水晶振動子2底面に形成された振動子接続端子6と接続可能な構成となり、水晶振動子2を形成している。
The crystal vibrating piece 1 is fixed to the
The
配線基板4は、セラミックまたはガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から成る基板4a,4bを積層することにより形成されている。
基板4aは、たとえば4つに分割された形状を成している。ここで、積層された基板4aから基板4b下面の一部が顕出し、配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50が顕出される。なお、基板4aは、4つに分割されるとしたが、積層された基板4aから基板4b下面の一部が顕出し、配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50が顕出する形状であれば何れの形状でもよい。そして、配線基板4の一方の面である基板4a下面には、Auなどから成る外部接続端子9が複数形成されている。
配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50である基板4b下面には、Auなどから成る内部接続端子8およびIC接続端子16が複数形成されている。そして、IC接続端子16は、内部接続端子8および外部接続端子9に接続されている。
配線基板4の他方の面である基板4b上面は、接着剤19により水晶振動子2の容器12底面に固定されている。このようにして、配線基板4が水晶振動子2に固定されている。このとき、配線基板4から水晶振動子2の容器12底面の一部および振動子接続端子6が顕出している。
The wiring substrate 4 is formed by laminating
The
A plurality of
The upper surface of the
ICチップ3は、ICチップ3の回路素子が形成される主面3Aと表裏の関係にある裏面3Bを基板4b上面に向けて配置し、接着剤により基板4b下面に固定されている。そして、主面3Aには、Auまたはアルミニウム(Al)などから成る回路接続端子13が複数形成され、AuまたはAlなどから成る金属ワイヤ17により基板4b下面のIC接続端子16に接続されている。なお、金属ワイヤ17の接続順序は、まず回路接続端子13にAuなどから成る導電性バンプを形成し、IC接続端子16に金属ワイヤ17を接続し、次に回路接続端子13に金属ワイヤ17を接続することが好ましい。これにより、金属ワイヤ17のループ高さを低くすることができる。
The
配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50である基板4b下面に形成された内部接続端子8と、水晶振動子2の振動子接続端子6とは、AuまたはAlなどから成る金属ワイヤ7により接続されている。これにより、ICチップ3は容器12に気密封止された水晶振動片1と接続可能な構成となっている。なお、金属ワイヤ7の接続順序は、まず振動子接続端子6に金属ワイヤ7を接続し、次に内部接続端子8に金属ワイヤ7を接続することが好ましい。これにより、金属ワイヤ7のループ高さを低くすることができる。
The
樹脂部5は、絶縁性を有するエポキシ樹脂などからなり、金属ワイヤ7,17とICチップ3とを覆い、窪面50を塞ぐように形成されている。
The
本実施形態の水晶発振器10の製造方法について説明する。
まず、配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50にICチップ3の裏面3Bを向けて配置し、接着剤により配線基板4にICチップ3を固定する。次に、基板4b下面に形成されているIC接続端子16と、ICチップ3の主面3Aに形成されている回路接続端子13とを、金属ワイヤ17により接続する。
そして、基板4b上面に水晶振動子2の容器12底面を向けて配置し、接着剤19により配線基板4は水晶振動子2に固定する。その後、配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50に形成された内部接続端子8と、水晶振動子2の振動子接続端子6とを、金属ワイヤ7により接続する。
最後に、金属ワイヤ7,17とICチップ3とを覆い、窪面50を塞ぐように樹脂部5を形成する。
A method for manufacturing the
First, the
Then, the bottom surface of the
Finally, the
以上、本実施形態の水晶発振器10は、配線基板4の他方の面が圧電振動子2の容器12の底面に固定され、振動子接続端子6と内部接続端子8とが金属ワイヤ7により接続され、樹脂部5により覆われている。このため、リフロー実装の高温条件においても、圧電振動子2の振動子接続端子6と配線基板4の内部接続端子8とを接続している金属ワイヤが溶融することなく、接続の信頼性が向上した水晶発振器10を提供することが可能となる。
そして、内部接続端子8が配線基板4の一方の面に窪んだ窪面50に形成されている。このため、振動子接続端子6と内部接続端子8とを接続している金属ワイヤ7が、実装用の外部接続端子9が形成される水晶発振器10外面からはみ出すことなく、実装での短絡または金属ワイヤ7の損傷などを防ぐことが可能となる。
(第二実施形態)
As described above, in the
The
(Second embodiment)
図2は、第二実施形態の水晶発振器の構成を示し、(a)は、概略側面図であり、(b)は、(a)の概略底面図である。
第二実施形態の水晶発振器は、前記第一実施形態における金属ワイヤによるICチップの接続方法をフリップチップ実装としたことに特徴を有している。
なお、本実施形態の水晶発振器に用いる圧電素子としての水晶振動子は、第一実施形態と同様の構成とし、同一の符号を付与して説明を省略する。
2A and 2B show the configuration of the crystal oscillator according to the second embodiment, in which FIG. 2A is a schematic side view, and FIG. 2B is a schematic bottom view of FIG.
The crystal oscillator of the second embodiment is characterized in that the connection method of the IC chip by the metal wire in the first embodiment is flip chip mounting.
Note that a crystal resonator as a piezoelectric element used in the crystal oscillator of the present embodiment has the same configuration as that of the first embodiment, and is given the same reference numerals and description thereof is omitted.
水晶発振器20は、圧電素子としての水晶振動子2と、水晶振動子2を発振させる機能などを有するICチップ3と、配線基板24と、絶縁性を有するエポキシ樹脂などから成る樹脂部5とを備えている。
The
配線基板24は、セラミックまたはガラスエポキシ樹脂などの絶縁材料から成る基板24a,24bを積層することにより形成されている。
基板24aは、たとえば4つに分割された形状を成している。ここで、積層された基板24aから基板24b下面の一部が顕出し、配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51が顕出される。なお、基板24aは、4つに分割されるとしたが、積層された基板24aから基板24b下面の一部が顕出し、配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51が顕出する形状であれば何れの形状でもよい。そして、配線基板24の一方の面である基板24a下面には、Auなどから成る外部接続端子9が複数形成されている。
配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51としての基板24b下面には、Auなどから成る内部接続端子8およびIC接続端子16が複数形成されている。そして、IC接続端子16は、内部接続端子8および外部接続端子9に接続されている。
配線基板24の他方の面である基板24b上面は、接着剤19により水晶振動子2の容器12底面に固定されている。このようにして、配線基板24が水晶振動子2に固定されている。このとき、配線基板24から水晶振動子2の容器12底面の一部および振動子接続端子6が顕出している。
The
The
A plurality of
The upper surface of the
ICチップ3は、ICチップ3の回路素子が形成される主面3Aに形成された回路接続端子13にAuなどから成る導電性バンプを備え、主面3Aを基板24b下面に向けて配置し、配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51にフリップチップ実装されている。ICチップ3は、導電性バンプにより基板24b下面のIC接続端子16に接続されている。
配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51に形成された内部接続端子8と、水晶振動子2の振動子接続端子6とは、AuまたはAlなどから成る金属ワイヤ7により接続されている。これにより、ICチップ3は水晶振動子2に気密封止された水晶振動片1と接続可能な構成となっている。なお、金属ワイヤ7の接続順序は、まず振動子接続端子6に金属ワイヤ7を接続し、次に内部接続端子8に金属ワイヤ7を接続することが好ましい。これにより、金属ワイヤ7のループ高さを低くすることができる。
The
The
樹脂部5は、絶縁性を有するエポキシ樹脂などからなり、金属ワイヤ7とICチップ3とを覆い、窪面51を塞ぐように形成されている。そして、樹脂部5により、ICチップ3は水晶振動子2に固定されている。
The
本実施形態の水晶発振器20の製造方法について説明する。
まず、ICチップ3の主面3Aに形成されている回路接続端子13に導電性バンプを備え、主面3Aを配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51に向けて配置し、基板24b下面にフリップチップ実装する。これにより、ICチップ3の回路接続端子13は、基板24b下面のIC接続端子16に接続される。
その後は、第一実施形態と同様にして、接着剤19により配線基板24と水晶振動子2とを固定する。次に、配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51に形成された内部接続端子8と、水晶振動子2の振動子接続端子6とを、金属ワイヤ7により接続する。
最後に、金属ワイヤ7とICチップ3とを覆い、配線基板24と水晶振動子2との間を塞ぐように樹脂部5を形成する。
A method for manufacturing the
First, the
Thereafter, as in the first embodiment, the
Finally, the
以上、本実施形態の水晶発振器20は、配線基板24の他方の面が圧電振動子2の容器12の底面に固定され、振動子接続端子6と内部接続端子8とが金属ワイヤ7により接続され、樹脂部5により覆われている。このため、リフロー実装の高温条件においても、圧電振動子2の振動子接続端子6と配線基板24の内部接続端子8とを接続している金属ワイヤが溶融することなく、接続の信頼性が向上した水晶発振器20を提供することが可能となる。
そして、内部接続端子8が配線基板24の一方の面に窪んだ窪面51に形成されている。このため、振動子接続端子6と内部接続端子8とを接続している金属ワイヤ7が、実装用の外部接続端子9が形成される水晶発振器20外面からはみ出すことなく、実装での短絡または金属ワイヤ7の損傷などを防ぐことが可能となる。
As described above, in the
The
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
例えば、前述の実施形態では、圧電素子の材料は単結晶から成る水晶としたが、タンタル酸リチウム(LiTaO3)、ニオブ酸リチウム(LiNbO3)などを用いても良い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications, improvements, and the like within the scope that can achieve the object of the present invention are included in the present invention.
For example, in the above-described embodiment, the piezoelectric element is made of single crystal quartz, but lithium tantalate (LiTaO 3 ), lithium niobate (LiNbO 3 ), or the like may be used.
本発明の圧電デバイスは、前述の水晶発振器などの圧電発振器だけに限らず、弾性表面波フィルタまたは圧電振動ジャイロセンサなどにも用いることができる。 The piezoelectric device of the present invention is not limited to the piezoelectric oscillator such as the above-described crystal oscillator but can be used for a surface acoustic wave filter or a piezoelectric vibration gyro sensor.
1…圧電素子としての水晶振動片、2…圧電振動子としての圧電振動子、3…ICチップ、4…配線基板、5…樹脂部、6…振動子接続端子、7…金属ワイヤ、8…内部接続端子、9…外部接続端子、10…圧電デバイスとしての水晶発振器、11…蓋体、12…容器、13…回路接続端子、16…IC接続端子、19…接着剤、20…水晶発振器、50,51…窪面。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Crystal oscillation piece as a piezoelectric element, 2 ... Piezoelectric vibrator as a piezoelectric vibrator, 3 ... IC chip, 4 ... Wiring board, 5 ... Resin part, 6 ... Vibrator connection terminal, 7 ... Metal wire, 8 ... Internal connection terminal, 9 ... External connection terminal, 10 ... Crystal oscillator as piezoelectric device, 11 ... Cover body, 12 ... Container, 13 ... Circuit connection terminal, 16 ... IC connection terminal, 19 ... Adhesive, 20 ... Crystal oscillator, 50, 51 ... concave surface.
Claims (2)
前記圧電振動子の下方に配置され、一方の面に外部接続端子が形成され、他方の面が前記圧電振動子の容器の底面に固定された配線基板と、
前記配線基板の一方の面に配置されたICチップとを有する圧電デバイスであって、
前記配線基板の一方の面に形成され、前記ICチップに接続されたIC接続端子と、
前記IC接続端子に接続され、前記配線基板の一方の面に形成された内部接続端子とを備え、
前記圧電振動子の振動子接続端子と前記配線基板の内部接続端子とが金属ワイヤにより接続され、該金属ワイヤおよび前記ICチップを覆うように樹脂部が形成されていることを特徴とする圧電デバイス。 A piezoelectric vibrator in which a piezoelectric element is hermetically sealed inside the container, and a vibrator connection terminal connected to the piezoelectric element is formed on a bottom surface of the container;
A wiring board disposed below the piezoelectric vibrator, having an external connection terminal formed on one surface and the other surface fixed to the bottom surface of the container of the piezoelectric vibrator;
A piezoelectric device having an IC chip disposed on one surface of the wiring board,
An IC connection terminal formed on one surface of the wiring board and connected to the IC chip;
An internal connection terminal connected to the IC connection terminal and formed on one surface of the wiring board;
A piezoelectric device characterized in that a vibrator connection terminal of the piezoelectric vibrator and an internal connection terminal of the wiring board are connected by a metal wire, and a resin portion is formed so as to cover the metal wire and the IC chip. .
The piezoelectric device characterized in that the internal connection terminal is formed on a concave surface of one surface of the wiring board.
Priority Applications (1)
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JP2006204263A JP2008035026A (en) | 2006-07-27 | 2006-07-27 | Piezoelectric device |
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Cited By (1)
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CN116086546A (en) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 中北大学 | Device and method for real-time in-situ simultaneous measurement of temperature and mechanical parameters |
-
2006
- 2006-07-27 JP JP2006204263A patent/JP2008035026A/en not_active Withdrawn
Cited By (2)
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CN116086546A (en) * | 2023-03-07 | 2023-05-09 | 中北大学 | Device and method for real-time in-situ simultaneous measurement of temperature and mechanical parameters |
CN116086546B (en) * | 2023-03-07 | 2023-06-30 | 中北大学 | Device and method for real-time in-situ simultaneous measurement of temperature and mechanical parameters |
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