JP4754930B2

JP4754930B2 - 電子材料用Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金

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Publication number: JP4754930B2
Application number: JP2005300249A
Authority: JP
Inventors: 尚彦江良; 一彦深町; 寛桑垣
Original assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Current assignee: JX Nippon Mining and Metals Corp
Priority date: 2005-10-14
Filing date: 2005-10-14
Publication date: 2011-08-24
Anticipated expiration: 2025-10-14
Also published as: TW200837203A; JP2007107062A; TWI350855B

Description

本発明は析出硬化型銅合金に関し、とりわけ各種電子機器部品に用いるのに好適なＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金に関する。

リードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ等の各種電子機器部品に使用される電子材料用銅合金には、基本特性として高強度及び高導電性（又は熱伝導性）を両立させることが要求される。近年、電子部品の高集積化及び小型化・薄肉化が急速に進み、これに対応して電子機器部品に使用される銅合金に対する要求レベルはますます高度化している。

高強度及び高導電性の観点から、近年、電子材料用銅合金として従来のりん青銅、黄銅等に代表される固溶強化型銅合金に替わり、析出硬化型の銅合金の使用量が増加している。析出硬化型銅合金では、溶体化処理された過飽和固溶体を時効処理することにより、微細な析出物が均一に分散して、合金の強度が高くなると同時に、銅中の固溶元素量が減少し電気伝導性が向上する。このため、強度、ばね性などの機械的性質に優れ、しかも電気伝導性、熱伝導性が良好な材料が得られる。

析出硬化型銅合金のうち、コルソン系合金と一般に呼ばれるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金は比較的高い導電性、強度、応力緩和特性及び曲げ加工性を兼備する代表的な銅合金であり、業界において現在活発に開発が行われている合金の一つである。この銅合金では、銅マトリックス中に微細なＮｉ−Ｓｉ系金属間化合物粒子を析出させることによって強度と導電率の向上が図れる。

Ｎｉ−Ｓｉ系金属間化合物粒子の析出物は化学量論組成で一般に構成されており、例えば、特開２００１−２０７２２９号公報では合金中のＮｉとＳｉの質量比を金属間化合物であるＮｉ₂Ｓｉの質量組成比（Ｎｉの原子量×２：Ｓｉの原子量×１）に近づけることにより、すなわちＮｉとＳｉの重量濃度比をＮｉ／Ｓｉ＝３〜７とすることにより良好な電気伝導性が得られることが記載されている。

また、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金には合金元素としてＣｒが添加されることがある。特許第２８６２９４２号公報には、Ｎｉ：１．５〜４．０質量％、Ｓｉ：０．３５〜１．０質量％、随意的に、Ｚｒ、Ｃｒ、Ｓｎの群から選ばれる少なくとも１種の金属：０．０５〜１．０質量％、残部がＣｕおよび不可避的不純物から成るコルソン合金を加熱（又は冷却）する際に、４００〜８００℃の温度域では、前記コルソン合金の引張熱歪が１×１０^-4以下となるように前記コルソン合金を加熱（又は冷却）することを特徴とするコルソン合金の熱処理方法が記載されている。この方法によれば、熱処理時の鋳塊割れを防止することができるとされている。

特許第３０４９１３７号公報には、Ｎｉ：２〜５質量％、Ｓｉ：０．５〜１．５質量％、Ｚｎ：０．１〜２質量％、Ｍｎ：０．０１〜０．１質量％、Ｃｒ：０．００１〜０．１質量％、Ａｌ：０．００１〜０．１５質量％、Ｃｏ：０．０５〜２質量％を含有し、不純物成分のＳの含有量を１５ｐｐｍ以下に規制し、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなることを特徴とする曲げ加工性が優れた高力銅合金が記載されている。この発明によれば、Ｃｒは鋳塊の粒界を強化して、熱間加工性を高める元素であるとされている。また、０．１質量％を超えてＣｒが含有されると溶湯が酸化し、鋳造性が劣化するとされている。その他、該銅合金はクリプトル炉において大気中で木炭被覆下で溶解して鋳造することが記載されている。

特開２００１−２０７２２９号公報特許第２８６２９４２号公報特許第３０４９１３７号公報

特開２００１−２０７２２９号公報に記載のようにＮｉとＳｉの重量濃度比をＮｉ／Ｓｉ＝３〜７に制御すれば特性改善が図れるが、比較的高い導電率を維持した状態で高強度を維持させることは困難であった。ＮｉとＳｉの重量濃度を増加させると高強度が得られるが、導電率が低下する。更には熱間加工性も損ない、歩留が低下するため経済的でない。このように、Ｎｉ−Ｓｉの添加量を調整して成分制御を厳密に行っても飛躍的な特性改善は難しい。

特許第２８６２９４２号公報にはＣｒ添加の効果について記載も示唆もない。また、該文献に記載の方法では鋳塊が大型化すると昇降温のコントロールが困難となる。従って、温度制御による以外の方法によって、特に合金元素の固有の作用に基づいたＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金特性の改善によって鋳塊割れを防止できればより望ましい。

特許第３０４９１３７号公報にはＣｒは熱間加工性を高めるとの記載はあるが、その他の作用については記載がない。また、Ｃｒ添加による特性向上効果を発揮させるための濃度条件については記載があるが、その他の条件については記載がない。

そこで、本発明の課題の一つは、飛躍的に特性の向上したコルソン系合金を提供することである。より詳細には、Ｃｒ添加の効果をより良く発揮させることによって飛躍的に特性の向上したコルソン系合金を提供することである。

本発明者は上記課題を解決するために鋭意研究を行った結果、Ｃｒは一定の条件下においてコルソン系合金の強度及び導電率の向上に対して顕著な影響を与えることを見出した。特に、本発明者はＣｒと炭素の関係に着目するに至り、コルソン系合金中の含有炭素量を制御することでその効果をより良く引き出すことができることを見出した。

本発明は斯かる知見を基礎として完成したものであり、一側面において、Ｎｉ：２．５〜４．５質量％、Ｓｉ：０．５０〜１．２質量％、Ｃｒ：０．００３０〜０．２質量％を含有し（但し、ＮｉとＳｉの重量比が３≦Ｎｉ／Ｓｉ≦７である。）、残部Ｃｕおよび不可避的不純物から構成される銅合金であって、炭素の量が５０質量ｐｐｍ以下である電子材料用銅合金である。

また、本発明に係る電子材料用銅合金は一実施態様において、更にＭｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇから選択される１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下含有することができる。

また、本発明に係る電子材料用銅合金は別の一実施態様において、更にＺｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｏ及びＦｅから選択される１種又は２種以上を総量で２．０質量％以下含有することができる。

また、本発明は更に別の一側面において、上記銅合金を用いた伸銅品である。

また、本発明は更に別の一側面において、上記銅合金を用いた電子機器部品である。

本発明によれば、合金元素であるＣｒ添加の効果がより良く発揮されるため、強度及び導電率が顕著に向上した電子材料用コルソン系銅合金が得られる。

Ｎｉ及びＳｉの添加量
Ｎｉ及びＳｉは、適当な熱処理を施すことにより金属間化合物としてニッケルシリサイド（Ｎｉ₂Ｓｉ等）を形成し、導電率を劣化させずに高強度化が図れる。ＳｉとＮｉの重量比は上述したように量論組成に近い３≦Ｎｉ／Ｓｉ≦７が好ましく、３．５≦Ｎｉ／Ｓｉ≦５．０がより好ましい。

しかしながら、Ｎｉ／Ｓｉが上記範囲の比を有していてもＳｉ添加量が０．５質量％未満では所望の強度が得られず、１．２質量％を超えると高強度化は図れるが導電率が著しく低下し、更には偏析部で液相を生成して熱間加工性が低下するので好ましくない。そこで、Ｓｉ：０．５〜１．２質量％とすればよく、好ましくは０．５〜０．８質量％である。

Ｎｉ添加量はＳｉ添加量に応じて上記の好ましい比を満足するように設定すればよく、Ｓｉ添加量とバランスをとるためにＮｉ：２．５〜４．５質量％とすればよく、好ましくはＮｉ：３．２〜４．２質量％、より好ましくはＮｉ：３．５〜４．０質量％である。

Ｃｒの添加量
通常のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金においてはＮｉ−Ｓｉ濃度を上昇させると、析出粒子の総数が増加するので、析出強化による強度上昇が図れる。一方、添加濃度上昇に伴い、析出に寄与しない固溶量も増すので、導電率は低下し、結局時効析出のピーク強度は上昇するが、ピーク強度となる導電率は低下する。しかしながら、上記のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金にＣｒを０．００３〜０．２質量％、好ましくは０．０１〜０．１質量％添加すると最終特性において、同じＮｉ−Ｓｉ濃度を有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金と比べて強度を損なわずに導電率を上昇でき、更に熱間加工性が改善されて歩留が高くなる。

Ｃｒは溶解鋳造時の冷却過程において結晶粒界に優先析出するため粒界を強化でき、熱間加工時の割れが発生しにくくなり、歩留低下を抑制できる。更にＣｒは、適当な熱処理を施すことにより銅母相中でＳｉとの化合物であるクロムシリサイド（Ｃｒ₃Ｓｉ等）を容易に析出することができるため、溶体化処理、冷延、時効処理を組み合わせて合金特性を作り込む工程でＮｉ₂Ｓｉ等として析出しなかった固溶Ｓｉ成分をＣｒ₃Ｓｉ等として析出させることができる。このため、固溶Ｓｉによる導電率の低下を抑制し、強度を損なわずに導電率の上昇を図ることができる。
すなわち、溶解鋳造時に粒界析出したＣｒは溶体化処理などで再固溶するが、続く時効析出時に珪化物を生成する。通常のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金では添加したＳｉ量のうち、時効析出に寄与しなかったＳｉは母相に固溶したまま導電率の上昇を抑制するが、珪化物形成元素であるＣｒを添加して、珪化物をさらに析出させることにより、従来のＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金に比べて、固溶Ｓｉ量を低減でき、強度を損なわずに導電率を上昇できる。

但し、０．００３質量％未満ではその効果が小さく、０．２質量％を超えると熱間圧延中に強化に寄与しない粗大な介在物となりやすい。さらに最終特性においてＣｒ−Ｓｉ系析出物の加工硬化能は小さく、Ｃｒの過剰な添加は、強化に寄与しないＣｒ−Ｓｉ化合物を増加させ、加工性及びめっき性が損なわれるため好ましくない。

含有炭素量
Ｎｉ−Ｓｉ系合金を溶解鋳造する場合には活性金属であるＳｉの酸化を抑制するため、還元性雰囲気での溶解鋳造を実施するのが通常である。大気で溶解鋳造する場合には、溶湯を被覆するため木炭やカーボンフラックス等、炭素成分を多く含んだ部材を使用する場合が多い。そのため、鋳造された合金には不純物としてＣが比較的多く含まれることになる。

しかしながら、Ｃｒは銅溶湯中での炭化物形成能が高く、炭化物が生成すると凝固時に粒界析出するＣｒ量が低下して粒界強化作用が弱まり、歩留改善効果を損なう。一旦生成したＣｒ系炭化物は、溶体化処理で固溶させることは困難であり、時効析出に寄与するＣｒ量が低減するばかりでなく、曲げ加工性やめっき性を損なうため、最終特性を大きく損なう。

本発明者は極微量含まれるＣがＣｒ添加によるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の特性向上効果に大きく影響を与えるため、溶解鋳造時の炭素量を厳密に制御しておく必要性を見出した。また、含有炭素量が５０質量ｐｐｍ以下であれば熱間加工性を損なうことも、導電率上昇に寄与するＣｒ₃Ｓｉ等を損なうこともほとんどないことも分かった。

含有炭素量を上記範囲に制御する方法には、例えば油分付着原料の低減、原料溶解後の攪拌、木炭被覆量の調整、活性金属の酸化を防ぐために溶解中の溶湯表面を木炭被覆するのではなく、アルゴン等の不活性ガスによって覆うこと、更には真空溶解法等の方法が挙げられる。これによって合金中の炭素の含有量を５０質量ｐｐｍ以下とすることができ、４０質量ｐｐｍ以下、３０質量ｐｐｍ以下、更には２５質量ｐｐｍ以下とすることもできる。本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の含有炭素量は例えば１０〜３０質量ｐｐｍである。

この点につき、上述した特許第３０４９１３７号にはＣｒが炭化物や酸化物などを形成して、粒界析出に寄与するＣｒ濃度が激減した場合の効果について沈黙している。

Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇ
本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金にＭｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇから選択される１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下添加することで強度、導電率を大きく損なわずに応力緩和特性等を改善できる。その添加量は、０．０１質量％未満では効果が不足し、０．５質量％を超えると鋳造性、熱間加工性などの製造性、製品の導電率を損なうので０．０１〜０．５質量％添加するのが好ましい。

その他の添加元素
Ｚｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｂｅ、Ｂ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｏ及びＦｅは所定量を添加することで様々な効果を示すが、相互に補完し、強度、導電率だけでなく曲げ加工性、めっき性や鋳塊組織の微細化による熱間加工性の改善のような製造性をも改善する効果もあるので本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金にこれらの１種又は２種以上を求められる特性に応じて総量を２．０質量％以下として適宜添加することができる。その添加量は、これらの元素の総量が０．００１質量％未満だと所望の効果が得られず、２．０質量％を超えると導電率の低下や製造性の劣化が顕著になるので総量で０．００１〜２．０質量％とするのが好ましく、０．０１〜１.０質量％とするのがより好ましい。
なお、本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の特性に悪影響を与えない範囲で本明細書に具体的に記載されていない元素が添加されてもよい。

次に本発明の製造方法に関して説明する。本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は、含有炭素量を制御することを除いて、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金の慣例の製造方法により製造可能であり、当業者であれば組成や求められる特性に応じて最適な製法を選択することができるため特別の説明を要しないと考えられるが、以下に例示目的のための一般的な製造方法を説明する。

まず大気溶解炉を用い、電気銅、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｃｒ等の原料を溶解し、所望の組成の溶湯を得る。そして、この溶湯をインゴットに鋳造する。このとき投入原料中の油分調整、木炭被覆量の調整、還元雰囲気ガス導入の制御法、溶湯攪拌等によって含有炭素量を制御する。その後、熱間圧延を行い、冷間圧延と熱処理を繰り返して、所望の厚み及び特性を有する条や箔に仕上げる。熱処理には溶体化処理と時効処理がある。溶体化処理では、７００〜１０００℃の高温で加熱して、Ｎｉ−Ｓｉ系化合物やＣｒ−Ｓｉ系化合物をＣｕ母地中に固溶させ、同時にＣｕ母地を再結晶させる。溶体化処理を、熱間圧延で兼ねることもある。時効処理では、３５０〜５５０℃の温度範囲で１時間以上加熱し、溶体化処理で固溶させたＮｉ及びＳｉの化合物とＣｒ及びＳｉの化合物を微細粒子として析出させる。この時効処理で強度と導電率が上昇する。より高い強度を得るために、時効前及び／又は時効後に冷間圧延を行なうことがある。また、時効後に冷間圧延を行なう場合には、冷間圧延後に歪取焼鈍（低温焼鈍）を行なうことがある。

本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金は一実施形態において、０．２％耐力が７８０ＭＰａ以上でかつ導電率が４５％ＩＡＣＳ以上とすることができ、更には０．２％耐力が８６０ＭＰａ以上でかつ導電率が４３％ＩＡＣＳ以上とすることができ、更には０．２％耐力が８９０ＭＰａ以上でかつ導電率が４０％ＩＡＣＳ以上とすることもできる。

本発明に係るＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金は種々の伸銅品、例えば板、条、管、棒及び線に加工することができ、更に、本発明によるＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系銅合金は、高い強度及び高い電気伝導性（又は熱伝導性）を両立させることが要求されるリードフレーム、コネクタ、ピン、端子、リレー、スイッチ、二次電池用箔材等の電子機器部品に使用することができる。

以下に本発明の具体例を示すが、これら実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。

本発明の実施例に用いる銅合金は、表１に示すようにＮｉ、Ｓｉ及びＣｒの含有量をいくつか変化させた銅合金に適宜Ｍｇ、Ｍｎ、Ｓｎ、Ａｇ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｂ及びＣｏを添加した組成を有する。また、比較例に用いる銅合金は、それぞれ本発明の範囲外のパラメータをもつＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金である。

表１に記載の各種成分組成の銅合金を、高周波溶解炉で１３００℃で溶製し、厚さ３０ｍｍのインゴットに鋳造した。この際、投入原料中の油分調整、木炭被覆量の調整、還元雰囲気ガス導入の制御法、溶湯攪拌等によって炭素量を制御した。次いで、このインゴットを１０００℃で加熱後、板厚１０ｍｍまで熱間圧延し、速やかに冷却を行った。表面のスケール除去のため厚さ８ｍｍまで面削を施した後、冷間圧延により厚さ０．２ｍｍの板とした。次にＮｉおよびＣｒの添加量に応じて８５０〜１０００℃で溶体化処理を１２０秒行い、これを直ちに水冷した。その後０．１ｍｍまで冷間圧延して、最後に添加量に応じて４００〜５５０℃で各１〜１２時間かけて不活性雰囲気中で時効処理を施して、試料を製造した。

このようにして得られた各合金につき強度及び導電率の特性評価を行った。強度については圧延平行方向での引っ張り試験を行って０．２％耐力（ＹＳ；ＭＰａ）を測定し、導電率（ＥＣ；％ＩＡＣＳ）についてはＷブリッジによる体積抵抗率測定により求めた。
曲げ加工性の評価は、Ｗ字型の金型を用いて試料板厚と曲げ半径の比が１となる条件で９０°曲げ加工を行なった。評価は曲げ加工部表面を光学顕微鏡で観察し、クラックが観察されない場合を実用上問題ないと判断して○とし、クラックが認められた場合を×とした。

炭素の含有量は金属試料を高周波燃焼させ、金属試料中の炭素をＬＥＣＯ社製ＣＳ-４００を用いて高周波融解−赤外線吸収法により定量分析して測定した。

Ｎｉ：２．７質量％、Ｓｉ：０．６質量％を含有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金
実施例１〜７及び比較例１、３、５及び９はＮｉ：２．７質量％、Ｓｉ：０．６質量％を含有する点で共通する。
実施例１から３まで順にＣｒの含有量を増加させていくとＥＣの減少ができるだけ抑制されながらＹＳが向上していくのが分かる。
実施例４〜７では、更にＭｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇを添加することで更にＹＳの向上が図れることが分かる。

しかしながら、比較例１はＣｒを含まないため固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下し、熱間圧延時に軽微な割れを生じた。
比較例３はＣｒを含むが規定量よりも少ないためその効果が不十分であり、やはり固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下し、熱間圧延時に軽微な割れを生じた。
比較例５は比較例３と同様にＣｒ含有量が少なく、更にＣ含有量も規定量よりも多い。そのため、熱間圧延時に評価不可能となるほどの割れを生じた。
比較例９はＣｒ含有量が規定量よりも多いために粗大Ｃｒ粒子が生成し、熱間圧延時に軽微な割れを生じると共に曲げ加工性も悪かった。

Ｎｉ：４．０質量％、Ｓｉ：０．９質量％を含有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金
実施例８〜１６及び比較例２、４、６〜８及び１０〜１３はＮｉ：４．０質量％、Ｓｉ：０．９質量％を含有する点で共通する。
実施例８から１１まで順にＣｒの含有量を増加させていくとＥＣの減少ができるだけ抑制されながらＹＳが向上していくのが分かる。また、実施例１〜７よりもＮｉ及びＳｉの含有量が高いためにＹＳが高く、それに応じてＥＣが低い。
実施例１２〜１５では、更にＭｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇを添加することで更にＹＳの向上が図れることが分かる。
実施例１６では、その他の添加元素としてＴｉ及びＦｅを加えたが、この場合もＹＳの向上が図れることが分かる。

しかしながら、比較例２はＣｒを含まないため固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下し、熱間圧延時に軽微な割れを生じた。
比較例４はＣｒを含むが規定量よりも少ないためその効果が不十分であり、やはり固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下し、熱間圧延時に軽微な割れを生じた。
比較例６は比較例４と同様にＣｒ含有量が少なく、更にはＣ含有量も規定量よりも多い。そのため、熱間圧延時に評価不可能となるほどの割れを生じた。
比較例７及び８はＣ含有量が規定量よりも多いためにＣｒの炭化物が生成する一方で、クロムシリサイドの生成が減少して固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下し、熱間圧延時に軽微な割れを生じた。更には曲げ加工性も悪かった。
比較例１０はＣｒ含有量が規定量よりも多いために粗大Ｃｒ粒子が生成し、熱間圧延時に軽微な割れを生じると共に曲げ加工性が悪かった。
比較例１１は比較例１０と同様にＣｒ含有量が多く、更にＣ含有量も規定量よりも多かった。Ｃ含有量が規定量よりも多いためにＣｒの炭化物が生成する一方で、クロムシリサイドの生成が減少して固溶Ｓｉが多くなってＥＣが低下した。更には曲げ加工性も悪かった。
比較例１２及び１３はＭｇ及びＭｎを規定量を超えて添加した場合の例である。Ｍｇを過剰に添加した比較例１２では鋳肌の劣化によって熱間圧延時に割れを生じたため評価不可能となった。Ｍｎを過剰に添加した比較例１３では熱間圧延時に軽微な割れを生じると共にＥＣ及び曲げ加工性が悪かった。

Ｎｉ：４．５質量％、Ｓｉ：１．０質量％を含有するＣｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系合金
実施例１７〜２０はＮｉ：４．５質量％、Ｓｉ：１．０質量％を含有する。
実施例１〜１６よりもＮｉ及びＳｉの含有量が高いためにＹＳが高く、それに応じてＥＣが低い。

含有炭素量の影響
図１は、Ｎｉ、Ｓｉ及びＣｒを規定範囲内で同様の含有量としつつ、炭素量を規定範囲とした場合（実施例９及び１０）と、炭素量が規定範囲外の場合（比較例７及び８）とについてＹＳを横軸に、ＥＣを縦軸にしてプロットした図である。炭素の含有量が２５質量ｐｐｍ程度異なるだけでもＹＳ及びＥＣに顕著な差が生じたことが分かる。

含有炭素量の影響を示す図である。

Claims

Ｎｉ：３．２〜４．５質量％、Ｓｉ：０．５０〜１．２質量％、Ｃｒ：０．００３０〜０．２質量％を含有し（但し、ＮｉとＳｉの重量比が３≦Ｎｉ／Ｓｉ≦７である。）、残部Ｃｕおよび不可避的不純物から構成される銅合金であって、炭素の量が５０質量ｐｐｍ以下である電子材料用銅合金。
更にＭｇ、Ｍｎ、Ｓｎ及びＡｇから選択される１種又は２種以上を総量で０．５質量％以下含有する請求項１に記載の電子材料用銅合金。
更にＴｉ、Ｆｅ、Ｂ及びＣｏから選択される１種又は２種以上を含有し、ただし、Ｔｉを含有する場合は０．０３質量％以下とし、Ｆｅを含有する場合は０．０３質量％以下とし、Ｂを含有する場合は０．００５質量％以下とし、Ｃｏを含有する場合は０．１質量％以下とする請求項１又は２に記載の電子材料用銅合金。
請求項１〜３の何れか一項に記載の銅合金を用いた伸銅品。
請求項１〜３の何れか一項に記載の銅合金を用いた電子機器部品。