JP4432489B2 - 静電気対策部品の製造方法 - Google Patents
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Description
以下、実施の形態1を用いて、本発明の特に請求項1〜4に記載の発明について説明する。
作製した。
以下、実施の形態2を用いて本発明の特に請求項5に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態3を用いて本発明の特に請求項6に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態4を用いて本発明の特に請求項7に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態5を用いて、本発明の特に請求項8に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態6を用いて、本発明の特に請求項9,10に記載の発明について説明する。
以下、実施の形態7を用いて、本発明の特に請求項11に記載の発明について説明する。
を埋め込んだ。一方、セラミックグリーンシートの表面には銀を主成分とする導体ペーストを用いて所定の電極パターンをスクリーン印刷法等によって形成した。これらのセラミックグリーンシートを精度良く積層した後、セラミックグリーンシートの積層体の上下両主面に拘束用グリーンシートとしてアルミナなどを用いた拘束用グリーンシートを積層して一体化した積層体を作製した。
12 バリスタ層
13 導体層
14 導体層
15 端子電極
16 端子電極
17 接着剤層
18 バリスタグリーンシート
19 バリスタグリーンシート
20 絶縁体層
21 スリット
Claims (10)
- 少なくとも、バリスタ粒子と樹脂バインダ、可塑剤、溶剤とを混合しスラリーを作製する工程と、このスラリーをフィルム上に塗布・乾燥してバリスタグリーンシートを作製する工程と、導体層を形成する工程と、セラミック基板の少なくとも片面に樹脂を主成分とする接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層の上にバリスタグリーンシートを貼り付ける工程と、バリスタ粒子が実質的に焼結する温度で焼成する工程とを有する静電気対策部品の製造方法であって、前記接着剤層中に酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガンおよび酸化アンチモンから選ばれる少なくとも1種類以上の無機成分を含有させ、かつ、この無機成分を接着剤層の主成分である樹脂100重量%に対して5〜20重量%とした静電気対策部品の製造方法。
- 少なくとも、バリスタ粒子と樹脂バインダ、可塑剤、溶剤とを混合しスラリーを作製する工程と、このスラリーをフィルム上に塗布・乾燥してバリスタグリーンシートを作製する工程と、導体層を形成する工程と、セラミック基板の少なくとも片面に樹脂を主成分とする接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層の上にバリスタグリーンシートを貼り付ける工程と、バリスタ粒子が実質的に焼結する温度で焼成する工程とを有する静電気対策部品の製造方法であって、前記接着剤層中に酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガンおよび酸化アンチモンから選ばれる少なくとも1種類以上の無機成分を含有させ、かつ、前記セラミック基板に貼り付けるバリスタグリーンシートの空隙率を5〜20%とした静電気対策部品の製造方法。
- 少なくとも、バリスタ粒子と樹脂バインダ、可塑剤、溶剤とを混合しスラリーを作製する工程と、このスラリーをフィルム上に塗布・乾燥してバリスタグリーンシートを作製する工程と、導体層を形成する工程と、セラミック基板の少なくとも片面に樹脂を主成分とする接着剤層を形成する工程と、前記接着剤層の上にバリスタグリーンシートを貼り付ける工程と、バリスタ粒子が実質的に焼結する温度で焼成する工程とを有する静電気対策部品の製造方法であって、前記接着剤層中に酸化亜鉛、酸化ビスマス、酸化コバルト、酸化マンガンおよび酸化アンチモンから選ばれる少なくとも1種類以上の無機成分を含有させ、かつ、前記セラミック基板に0.1〜0.5mmφの貫通孔を形成した静電気対策部品の製造方法。
- バリスタグリーンシートの下部と上部に導体層を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- バリスタグリーンシートの内層部と表層部に導体層を形成する請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- バリスタ粒子に酸化亜鉛を主成分とするバリスタ材料を用いる請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- セラミック基板に分割のためのスリットを形成したセラミック基板を用いる請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- 焼成後に少なくともセラミック基板の片面を絶縁体層で覆う工程を有する請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- 焼成前に少なくともセラミック基板の片面を無機材料からなる絶縁体層で覆う工程を有する請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
- セラミック基板をセラミックスとガラスの混合物からなる低温焼成セラミック材料で構成し、前記セラミック基板の内部には銀または銅を主成分とする配線層を形成したセラミック基板を用いる請求項1〜3のいずれかに記載の静電気対策部品の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003429446A JP4432489B2 (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 静電気対策部品の製造方法 |
US11/003,976 US7189297B2 (en) | 2003-12-25 | 2004-12-06 | Method of manufacturing ESD protection component |
EP04029477A EP1548759A3 (en) | 2003-12-25 | 2004-12-13 | Method of manufacturing an electrostatic discharge protection component |
CNB2004100114460A CN100550218C (zh) | 2003-12-25 | 2004-12-24 | 静电防护部件的制造方法 |
KR1020040111994A KR101050665B1 (ko) | 2003-12-25 | 2004-12-24 | 정전기 대책 부품의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003429446A JP4432489B2 (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 静電気対策部品の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005191205A JP2005191205A (ja) | 2005-07-14 |
JP4432489B2 true JP4432489B2 (ja) | 2010-03-17 |
Family
ID=34545009
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003429446A Expired - Fee Related JP4432489B2 (ja) | 2003-12-25 | 2003-12-25 | 静電気対策部品の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7189297B2 (ja) |
EP (1) | EP1548759A3 (ja) |
JP (1) | JP4432489B2 (ja) |
KR (1) | KR101050665B1 (ja) |
CN (1) | CN100550218C (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006269876A (ja) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電気対策部品 |
JP4720825B2 (ja) * | 2005-04-01 | 2011-07-13 | パナソニック株式会社 | バリスタ |
WO2007105865A1 (en) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Joinset Co., Ltd | Ceramic component element and ceramic component and method for the same |
JP4760584B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2011-08-31 | 株式会社デンソー | 温度センサおよびその製造方法 |
JP4847282B2 (ja) * | 2006-11-08 | 2011-12-28 | オリンパス株式会社 | カプセル型内視鏡 |
JP5034723B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-09-26 | Tdk株式会社 | サージ吸収素子及び発光装置 |
KR101457207B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2014-11-03 | 서울바이오시스 주식회사 | 정전기 방전 보호소자가 구비된 발광 다이오드 |
KR101171317B1 (ko) | 2010-11-16 | 2012-08-10 | (주)탑나노시스 | 대전 방지된 세라믹 기판 및 세라믹 기판 상의 대전방지 처리 방법 |
CN102184913B (zh) * | 2011-04-25 | 2012-11-07 | 苏州晶讯科技股份有限公司 | 一种防静电器件 |
CN102426890B (zh) * | 2011-08-04 | 2013-01-23 | 吴浩 | 一种静电抑制器及该静电抑制器的制备方法 |
JP5543567B2 (ja) * | 2012-10-22 | 2014-07-09 | 誠 雫石 | 半導体素子の製造方法 |
CN103035623B (zh) * | 2012-12-03 | 2015-04-22 | Aem科技(苏州)股份有限公司 | 静电保护器及制作方法 |
JP6355492B2 (ja) * | 2013-10-03 | 2018-07-11 | アルパッド株式会社 | 複合樹脂及び電子デバイス |
DE102013224899A1 (de) * | 2013-12-04 | 2015-06-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Varistorpaste, optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen einer Varistorpaste und Verfahren zum Herstellen eines Varistorelements |
CN104589769B (zh) * | 2015-02-03 | 2016-04-13 | 纳诺电子化学(苏州)有限公司 | 保护lcd面板用防静电层压式支撑垫的制作方法 |
CN107664868B (zh) * | 2017-10-23 | 2020-12-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种彩膜基板及其制备方法和显示面板 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP2005203479A (ja) * | 2004-01-14 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 静電気対策部品 |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003429446A patent/JP4432489B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-06 US US11/003,976 patent/US7189297B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-13 EP EP04029477A patent/EP1548759A3/en not_active Withdrawn
- 2004-12-24 KR KR1020040111994A patent/KR101050665B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 2004-12-24 CN CNB2004100114460A patent/CN100550218C/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1637959A (zh) | 2005-07-13 |
KR101050665B1 (ko) | 2011-07-19 |
US7189297B2 (en) | 2007-03-13 |
JP2005191205A (ja) | 2005-07-14 |
EP1548759A2 (en) | 2005-06-29 |
KR20050065418A (ko) | 2005-06-29 |
US20050141166A1 (en) | 2005-06-30 |
CN100550218C (zh) | 2009-10-14 |
EP1548759A3 (en) | 2007-10-10 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060912 |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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A977 | Report on retrieval |
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RD01 | Notification of change of attorney |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130108 Year of fee payment: 3 |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |