JP4480056B2 - 半導体基板の昇降温制御方法とその装置 - Google Patents
半導体基板の昇降温制御方法とその装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4480056B2 JP4480056B2 JP34618699A JP34618699A JP4480056B2 JP 4480056 B2 JP4480056 B2 JP 4480056B2 JP 34618699 A JP34618699 A JP 34618699A JP 34618699 A JP34618699 A JP 34618699A JP 4480056 B2 JP4480056 B2 JP 4480056B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- semiconductor substrate
- processing furnace
- temperature control
- control program
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理等を施す際の半導体基板の昇降温制御方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板は、材質、厚み及び物性により、その昇降温特性、すなわち昇降温時における温度昇降率と面内温度分布幅が異なっている。
特に、シリコンウエーハは、その中のボロン、リン及びアンチモン等のドーパント濃度の違いのみでもその昇降温特性が異なる。
従来、酸化、拡散、ＣＶＤ処理等に伴う半導体基板の昇降温制御は、実際に使用する温度に設定された処理炉内に半導体基板を導入し、半導体基板の温度を測定することにより各半導体基板の昇降温特性を把握し、しかる後に、その収集したデータに基づいて昇降温時の温度制御プログラムをそれぞれ作成し、特定の昇降温特性の半導体に適合する特定の温度制御プログラムのみを備えた処理炉を用いて行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体基板の昇降温制御方法では、ある昇降温特性の半導体基板に対して適した特定の温度制御プログラムに基づいて半導体基板の昇降温制御が行われるので、この特定の温度制御プログラムに基づいて異なった昇降温特性の半導体基板を誤って処理炉に導入して昇降温した場合、半導体基板に熱的ストレスを与えることとなり、その結果、半導体基板の割れ、それによる処理炉の構成部材の破壊及び処理装置の運転停止等の不具合が生じ、生産効率の低下及び生産コストの増加を引き起こすおそれがある。
そこで、本発明は、昇降温特性の異なった半導体基板を処理炉に導入して昇降温したとしても、半導体基板の割れ等が生じない半導体基板の昇降温制御方法とその装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第１の半導体基板の昇降温制御方法は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御するに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入してから所要時間経過までにおける半導体基板の複数箇所の温度を測定し、その測定値から温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定し、この昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御するに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入する前又は後に半導体基板の赤外線吸収係数を測定し、この測定値によって半導体基板の温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定し、その昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする。
前記半導体基板導入時の処理炉の温度は、室温と半導体基板の最高加熱温度のほぼ中間であることが好ましい。
【０００５】
一方、第１の半導体基板の昇降温制御装置は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、各基板用温度計の測定値を入力し、所要時間内の温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする。
又、第２の半導体基板の昇降温制御装置は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉の上部に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、処理炉の側方に配置され、多数の半導体基板を多段に積載したカセットと、カセットから半導体基板を移載して処理炉内の上部に導入する移載装置と、カセットから取り出された位置から昇降ピンに移載されるまでの半導体基板の移動経路に設けられ、半導体基板の赤外線吸収係数を測定する赤外線吸収係数測定器と、赤外線吸収係数測定器の測定値を入力し、半導体基板の所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする。
前記温度計は、赤外線放射温度計であることが好ましい。
【０００６】
第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置においては、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された１種又は複数種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温される。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法とその装置においては、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入前又は後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された各種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
図中１はシリコンウエーハ等の半導体基板Ｗに酸化処理や拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種の処理を施すための処理炉で、その内部空間は、雰囲気ガスや処理ガス等を給排すべく通常気密に設けられている。
処理炉１内の下部には、円板状のヒーター２が水平に配置されていると共に、半導体基板Ｗを水平に保持するホルダー３がヒーター２の上方に近接配置されており、ホルダー３は、ヒーター２及び処理炉１の底壁を挿通した回転軸４に支持されて回転可能に設けられている。
【０００８】
又、処理炉１には、図示しない移載装置により、その内部空間の上部における導入位置Ｐ1 に導入される半導体基板Ｗを水平に支持し、かつ、ホルダー３に載置すべくホルダー３、ヒーター２及び処理炉１の底壁を挿通して昇降する少なくとも３本の昇降ピン５が設けられている。
更に、処理炉１には、半導体基板Ｗの表面の複数箇所の温度を測定する複数の基板用赤外線放射温度計６が上部に設けられている一方、半導体基板Ｗの裏面の温度を測定する基板用赤外線放射温度計７が下部に設けられている。
【０００９】
８は各基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力し、所要時間内における半導体基板Ｗの温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段であり、９は昇降温特性の異なる各種の半導体基板Ｗに対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から、上記昇降温特性判定手段８の判定の信号を入力して判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段である。
【００１０】
上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、先ず、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所定時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する１種又は複数種の温度制御プログラムを予め作成し、それらの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段９にストアしておく。
次に、処理炉１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつヒーター２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の温度、例えば５２０℃とする。
次いで、図２に示すように、移載装置により処理炉１内に導入した半導体基板Ｗを昇降ピン５によって導入位置Ｐ1 （図１において実線で示す）に支持して所要時間、例えば１０秒間予備加熱する一方、この間に複数の基板用赤外線放射温度計６，７により半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定すると共に、それらの測定値の信号を昇降温特性判定手段８に入力し、温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定した後、判定の信号を所要時間経過時における半導体基板Ｗの温度の測定値の信号と共にヒーター出力制御手段９へ出力する。
【００１１】
そして、ヒーター出力制御手段９において、所要時間経過時における半導体基板Ｗが所定温度、例えば６４０℃以上となっていた場合、昇降ピン５の下降によって半導体基板Ｗをホルダー３上の加熱位置Ｐ2 （図１において、二点鎖線で示す）に移動した後、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
一方、所要時間経過時における半導体基板Ｗが所要温度、例えば６４０℃未満となっていた場合、半導体基板Ｗを導入位置Ｐ1 に更に所要時間、例えば１５秒間保持して予備加熱を継続した後、昇降ピン５の下降によって半導体基板Ｗをホルダー３上の加熱位置Ｐ2 に移動し、しかる後に、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００１２】
又、上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、半導体基板Ｗを導入位置Ｐ1 に所要時間位置させて昇降温特性を判定する場合に限らず、先ず、前述した場合と同様に、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所要時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する各種の温度制御プログラムを予め作成し、それらの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段９にストアしておいた後、処理炉１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつ、ヒーター２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の一定の温度、例えば５５０℃に保持しておく。
次に、図３に示すように、移載装置により処理炉１内に導入した半導体基板Ｗを昇降ピン５によって支持し、導入位置Ｐ1 から加熱位置Ｐ2 へ移動し、かつ、この位置で所要時間、例えば５秒間経過するまでの間に、複数の基板用赤外線放射温度計６，７により半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定すると共に、それらの測定値の信号を昇降温特性判定手段８に入力し、温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定した後、判定の信号を所要時間経過時における半導体基板Ｗの温度の測定値の信号と共にヒーター出力制御手段９へ出力する。
【００１３】
そして、ヒーター出力制御手段９において、所要時間経過時における半導体基板Ｗが一定の炉内温度、例えば５５０℃に達していた場合、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
一方、所要時間経過時における半導体基板Ｗが一定の炉内温度、例えば５５０℃に達していなかった場合、加熱位置Ｐ2 に更に所要時間、例えば３０秒間保持した後、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００１４】
なお、上述した実施の形態においては、処理炉１の下部にも基板用赤外線放射温度計７を設ける場合について説明したが、これに限らず、上部の複数の基板用赤外線放射温度計６のみとしてもよい。
【００１５】
図４は本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
図中１１は第１の実施の形態のものと同様に、シリコンウエーハ等の半導体基板Ｗに酸化処理や拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種の処理を施すための処理炉で、その内部空間は、雰囲気ガス等を給排すべく通常気密に設けられている。
処理炉１１内の下部には、円板状のヒーター１２が水平に配置されていると共に、半導体基板Ｗを水平に保持するホルダー１３がヒーター１２の上方に近接配置されており、ホルダー１３は、ヒーター１２及び処理炉１１の底壁を挿通した回転軸１４に支持されて回転可能に設けられている。
【００１６】
又、処理炉１１には、後述する移載装置によりその内部空間の上部に導入される半導体基板Ｗを水平に支持し、かつ、ホルダー１３に載置すべくホルダー１３、ヒーター１２及び処理炉１１の底壁を挿通して昇降する少なくとも３本の昇降ピン１５が設けられている。
更に、処理炉１１には、半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定する複数の赤外線放射温度計１６が上部に設けられている。
【００１７】
一方、処理室１１の側方には、カセットチャンバー１７が設けられており、このカセットチャンバー１７には、多数の半導体基板Ｗを多段に積載したカセット１８が収容されている。
そして、カセットチャンバー１７と処理炉１１とは、搬送チャンバー１９で連結されており、この搬送チャンバー１９内には、カセット１８から半導体基板Ｗを移載して処理炉１１内の上部に導入する移載装置２０が設けられている。
又、搬送チャンバー１９における処理炉１１の近傍には、半導体基板Ｗの赤外線吸収係数を測定する赤外線吸収係数測定器２１が設けられており、この赤外線吸収係数測定器２１は、移載装置２０による半導体基板Ｗの移動経路を挟んで対向して設けられた赤外線放射器２１ａと、半導体基板Ｗを透過した赤外線を検出する赤外線検出器２１ｂとからなる。
【００１８】
２２は赤外線吸収係数測定器２１の測定値を入力し、半導体基板Ｗの温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段であり、その判定の信号を後述するヒーター出力制御手段に出力する。
ここで、赤外線吸収係数と半導体基板Ｗの抵抗率（抵抗率は、ドーパント濃度に反比例する。）とには、図５に示すように、抵抗率が小さくなる程赤外線吸収係数が大きくなる関係がある。
一方、赤外線吸収係数の大きい半導体基板Ｗ1 （例えばボロンヘビードープシリコンウエーハ（抵抗率：〜０．０１５Ω・ｃｍ）及び裏面酸化膜付きボロンヘビードープシリコンウエーハ（抵抗率：〜０．０１５Ω・ｃｍ））と赤外線吸収係数の小さい半導体基板Ｗ2 （例えばボロンライトドープシリコンウエーハ（抵抗率：〜１０Ω・ｃｍ））とを所定温度、例えば５５０℃に保持された処理炉に導入し、赤外線放射温度計により半導体基板Ｗの温度を測定すると、図６に示すように、前者では、赤外線が吸収され温度上昇が速やかに起こって保持温度で一定となり、かつ、面内温度分布幅も小さいが、後者では、赤外線が吸収され難く温度上昇が緩やかで、見かけ上一旦保持温度以上に上昇した後保持温度で一定なり、かつ見かけ上の面内温度分布幅が大きくなり（半導体基板を透過した赤外線が赤外線放射温度計により検出されるため）、両者の昇降温特性は、赤外線吸収係数と相関することが分かる。
したがって、半導体基板Ｗの赤外線吸収係数から所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性の判定が可能となる。
【００１９】
２３は昇降温特性の異なる各種の半導体基板Ｗに対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から上記昇降温特性判定手段２２の判定の信号を入力して判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーター１２の出力を基板用赤外線放射温度計１６の測定値の信号を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段である。
【００２０】
上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、先ず、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所定時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する各種の温度制御プログラムを予め作成し、そららの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段２３にストアしておく。
次に、処理炉１１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつ、ヒーター１２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の温度、例えば６００℃に保持しておく。
次いで、移載装置２０により半導体基板Ｗをカセット１８から移載し、図７に示すように、処理炉１１内へ導入する途中で赤外線吸収係数測定器２１により半導体基板Ｗの赤外線吸収係数を測定して測定値の信号を昇降温特性判定手段２２に出力した後、半導体基板Ｗを処理室１１内へ導入し、昇降ピン１５に支持させると共に、その下降によってホルダー１３に半導体基板Ｗを載置する。
【００２１】
一方、昇降温特性判定手段２２では、赤外線吸収係数測定器２１からの測定値の信号を入力し、赤外線検出の有無あるいは赤外線吸収係数の大小によって半導体基板Ｗの所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定した後、判定の信号をヒーター出力制御手段２３へ出力する。
そして、ヒーター出力制御手段２３において、昇降温特性判定手段２２から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター１２の出力を基板用赤外線放射温度計１６の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００２２】
なお、上述した実施の形態においては、赤外線吸収係数測定器２１を搬送チャンバー１９における処理炉１１の近傍に設ける場合について説明したが、これに限らず、搬送チャンバー１９のどこに設けてもよく、又、処理炉１１に設けた複数の赤外線放射温度計１６とヒーター１２を赤外線吸収係数測定器として用いるようにしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置によれば、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された１種又は複数の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温されるので、昇降温特性の異なった半導体基板を処理炉に導入して昇降温したとしても、従来のように半導体基板の割れ等が生じることがなく、ひいては生産効率の向上及び生産コストの低減を図ることができる。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法とその装置によれば、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入前又は後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された各種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温されるので、第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置による効果と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】図１の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【図３】図１の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の他の例示を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
【図５】半導体基板の抵抗率と赤外線吸収係数の関係を示す説明図である。
【図６】赤外線吸収係数の大きい半導体基板と小さい半導体基板を昇温した場合の時間経過に伴う温度及び面内温度分布幅を示す説明図である。
【図７】図４の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１ 処理炉
２ ヒーター
３ ホルダー
５ 昇降ピン
６ 基板用赤外線放射温度計
７ 基板用赤外線放射温度計
８ 昇降温特性判定手段
９ ヒーター出力制御手段
１１ 処理炉
１２ ヒーター
１３ ホルダー
１５ 昇降ピン
１６ 赤外線放射温度計
１８ カセット
２０ 移載装置
２１ 赤外線吸収係数測定器
２２ 昇降温特性判定手段
２３ ヒーター出力制御手段
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコンウエーハ等の半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理等を施す際の半導体基板の昇降温制御方法とその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体基板は、材質、厚み及び物性により、その昇降温特性、すなわち昇降温時における温度昇降率と面内温度分布幅が異なっている。
特に、シリコンウエーハは、その中のボロン、リン及びアンチモン等のドーパント濃度の違いのみでもその昇降温特性が異なる。
従来、酸化、拡散、ＣＶＤ処理等に伴う半導体基板の昇降温制御は、実際に使用する温度に設定された処理炉内に半導体基板を導入し、半導体基板の温度を測定することにより各半導体基板の昇降温特性を把握し、しかる後に、その収集したデータに基づいて昇降温時の温度制御プログラムをそれぞれ作成し、特定の昇降温特性の半導体に適合する特定の温度制御プログラムのみを備えた処理炉を用いて行われている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、従来の半導体基板の昇降温制御方法では、ある昇降温特性の半導体基板に対して適した特定の温度制御プログラムに基づいて半導体基板の昇降温制御が行われるので、この特定の温度制御プログラムに基づいて異なった昇降温特性の半導体基板を誤って処理炉に導入して昇降温した場合、半導体基板に熱的ストレスを与えることとなり、その結果、半導体基板の割れ、それによる処理炉の構成部材の破壊及び処理装置の運転停止等の不具合が生じ、生産効率の低下及び生産コストの増加を引き起こすおそれがある。
そこで、本発明は、昇降温特性の異なった半導体基板を処理炉に導入して昇降温したとしても、半導体基板の割れ等が生じない半導体基板の昇降温制御方法とその装置を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するため、本発明の第１の半導体基板の昇降温制御方法は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御するに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入してから所要時間経過までにおける半導体基板の複数箇所の温度を測定し、その測定値から温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定し、この昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御するに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入する前又は後に半導体基板の赤外線吸収係数を測定し、この測定値によって半導体基板の温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定し、その昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする。
前記半導体基板導入時の処理炉の温度は、室温と半導体基板の最高加熱温度のほぼ中間であることが好ましい。
【０００５】
一方、第１の半導体基板の昇降温制御装置は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、各基板用温度計の測定値を入力し、所要時間内の温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする。
又、第２の半導体基板の昇降温制御装置は、半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉の上部に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、処理炉の側方に配置され、多数の半導体基板を多段に積載したカセットと、カセットから半導体基板を移載して処理炉内の上部に導入する移載装置と、カセットから取り出された位置から昇降ピンに移載されるまでの半導体基板の移動経路に設けられ、半導体基板の赤外線吸収係数を測定する赤外線吸収係数測定器と、赤外線吸収係数測定器の測定値を入力し、半導体基板の所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする。
前記温度計は、赤外線放射温度計であることが好ましい。
【０００６】
第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置においては、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された１種又は複数種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温される。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法とその装置においては、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入前又は後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された各種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温される。
【０００７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
図１は本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
図中１はシリコンウエーハ等の半導体基板Ｗに酸化処理や拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種の処理を施すための処理炉で、その内部空間は、雰囲気ガスや処理ガス等を給排すべく通常気密に設けられている。
処理炉１内の下部には、円板状のヒーター２が水平に配置されていると共に、半導体基板Ｗを水平に保持するホルダー３がヒーター２の上方に近接配置されており、ホルダー３は、ヒーター２及び処理炉１の底壁を挿通した回転軸４に支持されて回転可能に設けられている。
【０００８】
又、処理炉１には、図示しない移載装置により、その内部空間の上部における導入位置Ｐ1 に導入される半導体基板Ｗを水平に支持し、かつ、ホルダー３に載置すべくホルダー３、ヒーター２及び処理炉１の底壁を挿通して昇降する少なくとも３本の昇降ピン５が設けられている。
更に、処理炉１には、半導体基板Ｗの表面の複数箇所の温度を測定する複数の基板用赤外線放射温度計６が上部に設けられている一方、半導体基板Ｗの裏面の温度を測定する基板用赤外線放射温度計７が下部に設けられている。
【０００９】
８は各基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力し、所要時間内における半導体基板Ｗの温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段であり、９は昇降温特性の異なる各種の半導体基板Ｗに対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から、上記昇降温特性判定手段８の判定の信号を入力して判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段である。
【００１０】
上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、先ず、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所定時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する１種又は複数種の温度制御プログラムを予め作成し、それらの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段９にストアしておく。
次に、処理炉１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつヒーター２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の温度、例えば５２０℃とする。
次いで、図２に示すように、移載装置により処理炉１内に導入した半導体基板Ｗを昇降ピン５によって導入位置Ｐ1 （図１において実線で示す）に支持して所要時間、例えば１０秒間予備加熱する一方、この間に複数の基板用赤外線放射温度計６，７により半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定すると共に、それらの測定値の信号を昇降温特性判定手段８に入力し、温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定した後、判定の信号を所要時間経過時における半導体基板Ｗの温度の測定値の信号と共にヒーター出力制御手段９へ出力する。
【００１１】
そして、ヒーター出力制御手段９において、所要時間経過時における半導体基板Ｗが所定温度、例えば６４０℃以上となっていた場合、昇降ピン５の下降によって半導体基板Ｗをホルダー３上の加熱位置Ｐ2 （図１において、二点鎖線で示す）に移動した後、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
一方、所要時間経過時における半導体基板Ｗが所要温度、例えば６４０℃未満となっていた場合、半導体基板Ｗを導入位置Ｐ1 に更に所要時間、例えば１５秒間保持して予備加熱を継続した後、昇降ピン５の下降によって半導体基板Ｗをホルダー３上の加熱位置Ｐ2 に移動し、しかる後に、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００１２】
又、上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、半導体基板Ｗを導入位置Ｐ1 に所要時間位置させて昇降温特性を判定する場合に限らず、先ず、前述した場合と同様に、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所要時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する各種の温度制御プログラムを予め作成し、それらの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段９にストアしておいた後、処理炉１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつ、ヒーター２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の一定の温度、例えば５５０℃に保持しておく。
次に、図３に示すように、移載装置により処理炉１内に導入した半導体基板Ｗを昇降ピン５によって支持し、導入位置Ｐ1 から加熱位置Ｐ2 へ移動し、かつ、この位置で所要時間、例えば５秒間経過するまでの間に、複数の基板用赤外線放射温度計６，７により半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定すると共に、それらの測定値の信号を昇降温特性判定手段８に入力し、温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定した後、判定の信号を所要時間経過時における半導体基板Ｗの温度の測定値の信号と共にヒーター出力制御手段９へ出力する。
【００１３】
そして、ヒーター出力制御手段９において、所要時間経過時における半導体基板Ｗが一定の炉内温度、例えば５５０℃に達していた場合、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
一方、所要時間経過時における半導体基板Ｗが一定の炉内温度、例えば５５０℃に達していなかった場合、加熱位置Ｐ2 に更に所要時間、例えば３０秒間保持した後、昇降温特性判定手段８から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター２の出力を基板用赤外線放射温度計６，７の測定値の信号を入力しつつ半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００１４】
なお、上述した実施の形態においては、処理炉１の下部にも基板用赤外線放射温度計７を設ける場合について説明したが、これに限らず、上部の複数の基板用赤外線放射温度計６のみとしてもよい。
【００１５】
図４は本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
図中１１は第１の実施の形態のものと同様に、シリコンウエーハ等の半導体基板Ｗに酸化処理や拡散処理、ＣＶＤ処理等の各種の処理を施すための処理炉で、その内部空間は、雰囲気ガス等を給排すべく通常気密に設けられている。
処理炉１１内の下部には、円板状のヒーター１２が水平に配置されていると共に、半導体基板Ｗを水平に保持するホルダー１３がヒーター１２の上方に近接配置されており、ホルダー１３は、ヒーター１２及び処理炉１１の底壁を挿通した回転軸１４に支持されて回転可能に設けられている。
【００１６】
又、処理炉１１には、後述する移載装置によりその内部空間の上部に導入される半導体基板Ｗを水平に支持し、かつ、ホルダー１３に載置すべくホルダー１３、ヒーター１２及び処理炉１１の底壁を挿通して昇降する少なくとも３本の昇降ピン１５が設けられている。
更に、処理炉１１には、半導体基板Ｗの複数箇所の温度を測定する複数の赤外線放射温度計１６が上部に設けられている。
【００１７】
一方、処理室１１の側方には、カセットチャンバー１７が設けられており、このカセットチャンバー１７には、多数の半導体基板Ｗを多段に積載したカセット１８が収容されている。
そして、カセットチャンバー１７と処理炉１１とは、搬送チャンバー１９で連結されており、この搬送チャンバー１９内には、カセット１８から半導体基板Ｗを移載して処理炉１１内の上部に導入する移載装置２０が設けられている。
又、搬送チャンバー１９における処理炉１１の近傍には、半導体基板Ｗの赤外線吸収係数を測定する赤外線吸収係数測定器２１が設けられており、この赤外線吸収係数測定器２１は、移載装置２０による半導体基板Ｗの移動経路を挟んで対向して設けられた赤外線放射器２１ａと、半導体基板Ｗを透過した赤外線を検出する赤外線検出器２１ｂとからなる。
【００１８】
２２は赤外線吸収係数測定器２１の測定値を入力し、半導体基板Ｗの温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段であり、その判定の信号を後述するヒーター出力制御手段に出力する。
ここで、赤外線吸収係数と半導体基板Ｗの抵抗率（抵抗率は、ドーパント濃度に反比例する。）とには、図５に示すように、抵抗率が小さくなる程赤外線吸収係数が大きくなる関係がある。
一方、赤外線吸収係数の大きい半導体基板Ｗ1 （例えばボロンヘビードープシリコンウエーハ（抵抗率：〜０．０１５Ω・ｃｍ）及び裏面酸化膜付きボロンヘビードープシリコンウエーハ（抵抗率：〜０．０１５Ω・ｃｍ））と赤外線吸収係数の小さい半導体基板Ｗ2 （例えばボロンライトドープシリコンウエーハ（抵抗率：〜１０Ω・ｃｍ））とを所定温度、例えば５５０℃に保持された処理炉に導入し、赤外線放射温度計により半導体基板Ｗの温度を測定すると、図６に示すように、前者では、赤外線が吸収され温度上昇が速やかに起こって保持温度で一定となり、かつ、面内温度分布幅も小さいが、後者では、赤外線が吸収され難く温度上昇が緩やかで、見かけ上一旦保持温度以上に上昇した後保持温度で一定なり、かつ見かけ上の面内温度分布幅が大きくなり（半導体基板を透過した赤外線が赤外線放射温度計により検出されるため）、両者の昇降温特性は、赤外線吸収係数と相関することが分かる。
したがって、半導体基板Ｗの赤外線吸収係数から所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性の判定が可能となる。
【００１９】
２３は昇降温特性の異なる各種の半導体基板Ｗに対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から上記昇降温特性判定手段２２の判定の信号を入力して判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーター１２の出力を基板用赤外線放射温度計１６の測定値の信号を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段である。
【００２０】
上記構成の半導体基板の昇降温制御装置により各種の半導体基板Ｗを昇降温制御するには、先ず、各種の半導体基板Ｗの昇降温特性（所定時間内における温度上昇率と面内温度分布幅）を測定すると共に、それぞれの昇降温特性に適合する各種の温度制御プログラムを予め作成し、そららの温度制御プログラムをヒーター出力制御手段２３にストアしておく。
次に、処理炉１１内を適当な雰囲気ガスに置換し、かつ、ヒーター１２により室温と半導体基板Ｗの最高加熱温度とのほぼ中間の温度、例えば６００℃に保持しておく。
次いで、移載装置２０により半導体基板Ｗをカセット１８から移載し、図７に示すように、処理炉１１内へ導入する途中で赤外線吸収係数測定器２１により半導体基板Ｗの赤外線吸収係数を測定して測定値の信号を昇降温特性判定手段２２に出力した後、半導体基板Ｗを処理室１１内へ導入し、昇降ピン１５に支持させると共に、その下降によってホルダー１３に半導体基板Ｗを載置する。
【００２１】
一方、昇降温特性判定手段２２では、赤外線吸収係数測定器２１からの測定値の信号を入力し、赤外線検出の有無あるいは赤外線吸収係数の大小によって半導体基板Ｗの所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定した後、判定の信号をヒーター出力制御手段２３へ出力する。
そして、ヒーター出力制御手段２３において、昇降温特性判定手段２２から入力した昇降温特性に適合する温度制御プログラムを予めストアされている温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいてヒーター１２の出力を基板用赤外線放射温度計１６の測定値の信号を入力しつつ制御して半導体基板Ｗを昇降温制御する。
【００２２】
なお、上述した実施の形態においては、赤外線吸収係数測定器２１を搬送チャンバー１９における処理炉１１の近傍に設ける場合について説明したが、これに限らず、搬送チャンバー１９のどこに設けてもよく、又、処理炉１１に設けた複数の赤外線放射温度計１６とヒーター１２を赤外線吸収係数測定器として用いるようにしてもよい。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置によれば、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された１種又は複数の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温されるので、昇降温特性の異なった半導体基板を処理炉に導入して昇降温したとしても、従来のように半導体基板の割れ等が生じることがなく、ひいては生産効率の向上及び生産コストの低減を図ることができる。
又、第２の半導体基板の昇降温制御方法とその装置によれば、半導体基板の昇降温特性が処理炉への導入前又は後に判定され、この判定された昇降温特性に適合する温度制御プログラムが予め作成された各種の温度制御プログラムの中から選択され、それに基づいてヒーターの出力を制御して昇降温されるので、第１の半導体基板の昇降温制御方法とその装置による効果と同様の効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第１の実施の形態を示す概略構成図である。
【図２】図１の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【図３】図１の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の他の例示を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係る半導体基板の昇降温制御装置の第２の実施の形態を示す概略構成図である。
【図５】半導体基板の抵抗率と赤外線吸収係数の関係を示す説明図である。
【図６】赤外線吸収係数の大きい半導体基板と小さい半導体基板を昇温した場合の時間経過に伴う温度及び面内温度分布幅を示す説明図である。
【図７】図４の装置による半導体基板の昇降温制御方法の実施の形態の一例を示すフローチャートである。
【符号の説明】
１ 処理炉
２ ヒーター
３ ホルダー
５ 昇降ピン
６ 基板用赤外線放射温度計
７ 基板用赤外線放射温度計
８ 昇降温特性判定手段
９ ヒーター出力制御手段
１１ 処理炉
１２ ヒーター
１３ ホルダー
１５ 昇降ピン
１６ 赤外線放射温度計
１８ カセット
２０ 移載装置
２１ 赤外線吸収係数測定器
２２ 昇降温特性判定手段
２３ ヒーター出力制御手段
Claims (6)
- 半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御するに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入してから所要時間経過までにおける半導体基板の複数箇所の温度を測定し、その測定値から温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定し、この昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする半導体基板の昇降温制御方法。
- 半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御にするに際し、半導体基板を所要温度の処理炉に導入する前又は後に半導体基板の赤外線吸収係数を測定し、この測定値によって半導体基板の所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定し、その昇降温特性に適合する温度制御プログラムを昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムの中から自動的に選択し、この選択した温度制御プログラムに基づいて半導体基板を昇降温制御することを特徴とする半導体基板の昇降温制御方法。
- 前記半導体基板導入時の処理炉の温度が、室温と半導体基板の最高加熱温度とのほぼ中間であることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体基板の昇降温制御方法。
- 半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、各基板用温度計の測定値を入力し、所要時間内における半導体基板の温度上昇率と面内温度分布幅を演算してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した１種又は複数種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする半導体基板の昇降温制御装置。
- 半導体基板を酸化、拡散、ＣＶＤ処理に伴って昇降温制御する装置であって、半導体基板に酸化、拡散、ＣＶＤ処理を施す処理炉と、処理炉内の下部に配置された円板状の水平なヒーターと、ヒーターの上方に回転可能に配置され、半導体基板を水平に保持するホルダーと、処理炉内の上部に導入される半導体基板を水平に支持し、ホルダーに載置すべく昇降する少なくとも３本の昇降ピンと、処理炉の上部に設けられ、半導体基板の温度を測定する複数の基板用温度計と、処理炉の側方に配置され、多数の半導体基板を多段に積載したカセットと、カセットから半導体基板を移載して処理炉内の上部に導入する移載装置と、カセットから取り出された位置から昇降ピンに移載されるまでの半導体基板の移動経路に設けられ、半導体基板の赤外線吸収係数を測定する赤外線吸収係数測定器と、赤外線吸収係数測定器の測定値を入力し、半導体基板の所要時間における温度上昇率と面内温度分布幅を推定してその昇降温特性を判定する昇降温特性判定手段と、昇降温特性の異なる各種の半導体基板に対応させて予め作成した各種の温度制御プログラムをストアする一方、これらの温度制御プログラムの中から昇降温特性判定手段によって判定された昇降温特性と適合する温度制御プログラムを選択し、この選択された温度制御プログラムに基づいてヒーターの出力を基板用温度計の測定値を入力しつつ制御するヒーター出力制御手段とを備えることを特徴とする半導体基板の昇降温制御装置。
- 前記温度計が、赤外線放射温度計であることを特徴とする請求項４又は５記載の半導体基板の昇降温制御装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34618699A JP4480056B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 半導体基板の昇降温制御方法とその装置 |
| KR1020000073217A KR100676404B1 (ko) | 1999-12-06 | 2000-12-05 | 반도체 기판의 온도 승강 제어 방법과 그 장치 |
| US09/729,669 US6461428B2 (en) | 1999-12-06 | 2000-12-05 | Method and apparatus for controlling rise and fall of temperature in semiconductor substrates |
| TW089125967A TW487971B (en) | 1999-12-06 | 2000-12-06 | Method and apparatus for controlling rise and fall of temperature in semiconductor substrates |
| KR1020060084219A KR100780301B1 (ko) | 1999-12-06 | 2006-09-01 | 기상 박막 성장 장치의 서셉터 및 그 서셉터를 이용한 기상 박막 성장 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34618699A JP4480056B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 半導体基板の昇降温制御方法とその装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001168051A JP2001168051A (ja) | 2001-06-22 |
| JP4480056B2 true JP4480056B2 (ja) | 2010-06-16 |
Family
ID=18381698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34618699A Expired - Fee Related JP4480056B2 (ja) | 1999-12-06 | 1999-12-06 | 半導体基板の昇降温制御方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4480056B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4522527B2 (ja) * | 2000-03-06 | 2010-08-11 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体製造装置における基板搭載方法 |
| JP4330949B2 (ja) * | 2003-07-01 | 2009-09-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマｃｖｄ成膜方法 |
| US11024522B2 (en) * | 2018-05-24 | 2021-06-01 | Applied Materials, Inc. | Virtual sensor for spatially resolved wafer temperature control |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06158314A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および方法 |
| JPH08162463A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 熱処理方法およびその処理装置 |
| JPH1038702A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板温度計測方法および基板温度制御方法、並びに、これを利用した基板処理装置 |
-
1999
- 1999-12-06 JP JP34618699A patent/JP4480056B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06158314A (ja) * | 1992-11-24 | 1994-06-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および方法 |
| JPH08162463A (ja) * | 1994-12-09 | 1996-06-21 | Hitachi Ltd | 熱処理方法およびその処理装置 |
| JPH1038702A (ja) * | 1996-07-18 | 1998-02-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板温度計測方法および基板温度制御方法、並びに、これを利用した基板処理装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001168051A (ja) | 2001-06-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100956535B1 (ko) | 온도제어방법, 열처리장치 및 반도체장치의 제조방법 | |
| KR100780301B1 (ko) | 기상 박막 성장 장치의 서셉터 및 그 서셉터를 이용한 기상 박막 성장 장치 | |
| JPH06310448A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4426024B2 (ja) | 熱処理装置の温度校正方法 | |
| JP3688264B2 (ja) | 熱処理方法及び熱処理装置 | |
| JP3474261B2 (ja) | 熱処理方法 | |
| JP4480056B2 (ja) | 半導体基板の昇降温制御方法とその装置 | |
| US20110117512A1 (en) | Manufacturing method for semiconductor device and manufacturing apparatus for semiconductor device | |
| JP4558031B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| JP2000208524A (ja) | 温度モニタ用半導体ウエハの温度測定方法 | |
| WO2022196063A1 (ja) | 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム | |
| JP3256204B2 (ja) | 基板用熱処理炉 | |
| JP3114063B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH05267200A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JPH07283158A (ja) | 熱処理装置およびその温度制御方法 | |
| JP3130908B2 (ja) | 基板用熱処理炉の温度測定方法 | |
| JP2002134491A (ja) | 熱処理装置 | |
| JP4783029B2 (ja) | 熱処理装置及び基板の製造方法 | |
| JP2640269B2 (ja) | 処理方法及び処理装置 | |
| JP2002198320A (ja) | 加熱処理装置、加熱処理方法および半導体装置の製造方法 | |
| JP4391734B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3156110B2 (ja) | 熱処理炉の温度制御方法 | |
| JP2634595B2 (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2000068224A (ja) | 基板熱処理装置 | |
| JP3388627B2 (ja) | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041026 |
|
| RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20041116 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20041116 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060310 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20060605 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20070711 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091001 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091228 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100217 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100312 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100312 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130326 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140326 Year of fee payment: 4 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |