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JP4474810B2 - 金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペースト、積層セラミック電子部品 - Google Patents

金属粉末の製造方法、金属粉末、導電性ペースト、積層セラミック電子部品 Download PDF

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JP4474810B2
JP4474810B2 JP2001206061A JP2001206061A JP4474810B2 JP 4474810 B2 JP4474810 B2 JP 4474810B2 JP 2001206061 A JP2001206061 A JP 2001206061A JP 2001206061 A JP2001206061 A JP 2001206061A JP 4474810 B2 JP4474810 B2 JP 4474810B2
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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、特に積層セラミック電子部品の内部導体用ペーストの導電粉末として用いられる、金属粉末の製造方法およびその方法によって得られた金属粉末に関する。また、この金属粉末を用いた導電性ペースト、この導電性ペーストを用いた積層セラミック電子部品に関する。
【0002】
【従来の技術】
積層セラミックコンデンサのような積層セラミック電子部品の内部導体を形成するため、導電性ペーストが用いられる。導電性ペーストには、通常、導電成分となる金属粉末が含まれている。そして現在、金属粉末としては、ニッケルや銅の粉末が多く用いられるようになっている。
【0003】
このような積層セラミック電子部品の製造に関して、セラミック層の薄層化による小型化が進んでいる。これにともなって、内部導体を形成するための導電性ペーストに含まれる金属粉末としては、例えば150nm以下といった、より粒径が小さく、粒径が均一で粗粒の少ない、さらに粉末同士の凝集が少なく分散性に優れたものが求められいる。
【0004】
そして、粒径の小さい金属粉末を得る方法として、特開2000−87121号公報には、1価アルコール、または1価アルコールと水を含む溶液中で、ニッケルなどの金属塩を、苛性アルカリ存在下でヒドラジンまたはヒドラジン水和物によって還元する製造方法が開示されている。この製造方法により、粒径が100nm以下のニッケルなどの金属粉末が得られている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上述の金属粉末の製造方法の場合、粉末粒子同士のネッキングにより、局所的に複数のNi粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子が生じる。この粗大粒子により、例えば積層セラミックコンデンサの誘電体層厚みを5μm以下と薄層化した場合、誘電体層間で電気的にショートし、積層セラミックコンデンサの歩留りを低下させるという問題が生じる。この問題に対しては、あらかじめ、使用するニッケルなどの金属粉末を分級処理し粗粒を除去した後でペースト化する方法や、導電性ペースト作製時に金属粉末の分散度合いをより強める手法を採用する方法などで対応している。しかしながら、このような方法では、金属粉末や導電性ペーストの歩留りが著しく低下してしまい、コストアップになるという新たな問題が生じている。
【0006】
そこで、本発明の目的は、上述の問題点を解決し、セラミック層を薄層化した積層セラミック電子部品の内部導体として好適な、粒径が細かく均一であって分散性に優れた金属粉末の製造方法、およびその方法によって得られた金属粉末を提供することにある。また、この金属粉末を用いた導電性ペースト、この導電性ペーストを用いた積層セラミック電子部品を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明の金属粉末の製造方法は、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒であって、該溶媒中における前記多価アルコールの前記1価アルコールに対する容量比が1.00未満である溶媒を準備する工程と、該溶媒と、苛性アルカリと、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と、金属塩とを混合して、前記溶媒中において、前記苛性アルカリと前記ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と前記金属塩との各々の少なくとも一部を溶解させるとともに、前記ヒドラジンまたはヒドラジン水和物によって前記金属塩を還元し、前記金属塩から金属粉末を析出させる工程と、を備えることを特徴とする。
【0008】
そして、前記溶媒と、苛性アルカリと、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と、金属塩とを混合する工程は、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒中に苛性アルカリとヒドラジンまたはヒドラジン水和物とを溶解させた、還元剤溶液を用意する工程と、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒中に金属塩を溶解させた、金属塩溶液を用意する工程と、前記還元剤溶液と前記金属塩溶液とを混合する工程とを備えることを特徴とする。
【0009】
また、前記還元剤溶液と前記金属塩溶液とを混合する工程は、前記還元剤溶液に前記金属塩溶液を滴下する工程であることを特徴とする。
【0010】
また、前記還元剤溶液中の苛性アルカリの濃度および/または種類を変えることにより、析出する金属粉末の粒径を制御することを特徴とする。
【0011】
また、前記溶媒は、炭素数4以下の1価アルコールと、前記1価アルコールに対する容量比で1.00未満の多価アルコールと、水との混合液であることを特徴とする。
【0012】
また、前記炭素数4以下の1価アルコールと多価アルコールとの混合溶媒と、水との混合比率を変えることにより、析出する金属粉末の粒径を制御することを特徴とする。
【0013】
また、前記金属塩に含まれる金属元素は、CuおよびNiのうちの少なくとも1種であることを特徴とする。
【0014】
また、前記金属塩は、塩化物、硫酸塩および硝酸塩のうちの少なくとも1種であることを特徴とする。
【0015】
また、前記炭素数4以下のアルコールは、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノールおよびt−ブタノールのうちの少なくとも1種であることを特徴とする。
【0016】
また、前記多価アルコールは、2価アルコール、3価アルコールおよびグリコールエーテル類のうちの少なくとも1種であることを特徴とする。
【0017】
さらに、前記苛性アルカリは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウムおよびアンモニアのうちの少なくとも1種であることを特徴とする。
【0018】
また、本発明の金属粉末は、上述の製造方法によって得られたことを特徴とする。
【0019】
そして、金属粉末の平均粒径が150nm以下であることを特徴とする。
【0020】
また、本発明の導電性ペーストは、上述の金属粉末を含有することを特徴とする。
【0021】
また、本発明の積層セラミック電子部品は、複数の積層されたセラミック層と、該セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体とを備え、該内部導体が上述の導電性ペーストの焼結体であることを特徴とする。
【0022】
上述した本発明の金属粉末の製造方法において、還元剤であるヒドラジンまたはヒドラジン水和物(以下、両者を含めて単に「ヒドラジン」と言うこともある。)は、これによって還元された金属中に不純物をほとんど析出させない特徴を有している。
【0023】
また、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物が金属を還元する際には、水酸化物イオンの供給が必要であり、このような水酸化物イオンの供給は、苛性アルカリによって行なわれる。そして、強アルカリであるほど、還元反応速度を高めることができ、得られる金属粉末の粒径を小さくすることができる。したがって、アルカリの強度を変えることにより、すなわち、還元剤溶液中の苛性アルカリ濃度や苛性アルカリの種類を変えることにより、析出する金属粉末の粒径の制御を行なうことができる。なお、アルコールのみからなる溶媒を用いる場合には、苛性アルカリが存在しないと、ヒドラジンの還元反応は進行しない。
【0024】
本発明の金属粉末の製造方法において、ヒドラジンや金属塩を溶解するための溶媒として、水単独ではなく、多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒が用いられる。この場合、多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールを含む溶媒としては、多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールのみが用いられても、多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールと水との混合液が用いられてもよい。
【0025】
このように、溶媒を、水のみではなく、炭素数4以下の1価アルコールを含む溶媒とすることにより、単に水のみを溶媒として用いる場合に比べて、金属イオンの溶解度を低くでき、そのため、金属の析出速度を速くすることができ、析出する金属粉末の粒径を小さくすることができる。したがって、混合溶媒中の炭素数4以下の1価アルコール濃度を変えることにより、析出する金属粉末の粒径を制御することもできる。
【0026】
また、本発明の金属粉末の製造方法においては、溶媒として、多価アルコールを含む溶媒を用いることにより、局所的に複数の金属粒子がネッキングにより凝集して、見かけ上の粗大粒子となるのを防止することができる。
【0027】
すなわち、上述のとおり、炭素数4以下の1価アルコールは、金属の析出速度を速くすることができ、析出する金属粉末の粒径を小さくすることができる重要な溶媒である。
【0028】
しかしながら、金属の析出速度が速いために、溶媒中において局所的に還元反応速度の違いが発生し、溶媒中に溶解した金属塩の一部が先に還元されると予想される。この先に還元され生成した金属粉末は、後から還元され生成する金属と互いにネッキングし、局所的に複数の金属粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子となると考えられる。先に生成した金属粉末が、後から生成する金属粉末と互いにネッキングする理由については、生成したばかりの金属粉末表面は非常に活性が高く、この表面にも新たな金属が析出し、この新たに析出した金属の膜により、個々の金属粒子がネッキングするものと推測している。
【0029】
ここで、上述の溶媒中に、多価アルコールを添加することによって、複数の金属粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子の局所的な生成を防止することができる。一般に多価アルコールは、水や炭素数4以下の1価アルコールと比較し高い粘度を持っている。したがって、溶媒中に多価アルコールを添加することによって溶媒の粘度が上昇し、個々の金属粒子がネッキングするために必要な、金属粒子同士の接近、接触に要する時間を延ばす作用を示しているものと推定される。
【0030】
この多価アルコール添加による粘度上昇効果は、多価アルコールの添加量が、1価アルコールに対する容量%で1〜2%といった少量の場合には、溶媒そのものの大幅な粘度上昇という面では期待できない。しかしながら、この多価アルコールは、金属塩がヒドラジンまたはヒドラジン水和物によって還元される過程で生成する中間生成物の粘度も著しく増加させることができるため、上述のような粉末粒子同士のネッキングにより、局所的に複数の金属粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子の生成を防止することができる。なぜ少量の多価アルコール添加によって、還元反応における中間生成物の粘度が著しく上昇するのかは明らかでないが、それら中間生成物に対する多価アルコールの何らかの相互作用の存在が示唆される。
【0031】
ここで、多価アルコールを選定した理由は、多価アルコールは、水および1価アルコールとの相溶性が高いことと、アルカリ溶液中で安定なことがあげられる。同様な目的で、ケトン類、エステル類も使用できるが、高アルカリ下の安定性が悪く、その変性に対して注意が必要である。OH基を持たないエーテル類や、炭化水素類はアルカリ中では比較的安定である。しかしながら、炭化水素類は、一般に水との相溶性が悪く、溶媒として水との混合溶媒を用いた場合には相分離してしまうし、反応溶液粘度の上昇もあまり期待できない。OH基を持たないか、またはOH基を1つ持つエーテル類は水との相溶性は良好でり、本発明目的に対して使用可能な溶剤である。しかしながら、この種の溶媒は、一般に引火性が高く、還元反応時、溶媒を加熱するときに格別の注意を払う必要がある。
【0032】
上述した水を含有する溶媒に含まれる、多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとの量は、合計で10容量%以上、100容量%未満であることが好ましい。10容量%未満であると、水を溶媒とする従来と比較してより微細な金属粉末が得られるという、本発明の効果が実質的に得られなくなるからである。
【0033】
また、溶媒中における多価アルコールの1価アルコールに対する容量比は、1.00未満、すなわち1価アルコールに対して等量未満が望ましい。多価アルコールの1価アルコールに対する容量比が1.00以上になると、還元反応に対する多価アルコールの影響が1価アルコールのそれを上回り、生成する金属粉末の粒径が粗大化してしまう可能性があるからである。
【0034】
また、還元剤溶液に含まれる苛性アルカリの濃度は、還元される金属塩の2倍モルの濃度から20モル/リットル以下の範囲であることが好ましい。還元される金属塩の2倍モルの濃度未満であると、還元反応が完結せず、他方、20モル/リットルを超えると、苛性アルカリが溶媒に溶解しなくなるためである。
【0035】
また、還元剤溶液に含まれるヒドラジンまたはヒドラジン水和物の量は、化学量論的に金属塩を還元するのに必要な量から20モル/リットル以下の範囲であることが好ましい。化学量論的に金属塩を還元するのに必要な量未満であると、還元反応が完結せず、他方、20モル/リットルを超えると、ヒドラジンは常温で液体であるので、溶媒にアルコールを用いた効果が薄れるからである。
【0036】
さらに、金属塩溶液に含まれる金属塩の濃度は、10モル/リットル以下であることが好ましい。10モル/リットルを超えると、溶媒に溶解しなくなるからである。
【0037】
【発明の実施の形態】
本発明の好ましい一実施形態に従って金属粉末を製造しようとするとき、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒であって、この溶媒中における多価アルコールの1価アルコールに対する容量比が1.00未満である溶媒中に、苛性アルカリとヒドラジンまたはヒドラジン水和物とを溶解させることによって得られる、還元剤溶液がまず用意される。
【0038】
ここで、多価アルコールとしては、2価アルコール、3価アルコールおよびグリコールエーテル類のうちの少なくとも1種が用いられる。2価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、α−ブチレングリコール、β−ブチレングリコール、テトラメチレングリコール、ψ−ブチレングリコール、ペンタメチレングリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコールなどが使用できるが、これらに限定されるものではない。3価アルコールとしては、グリセリン、ヘキサグリセロール、ヘキサントリオールなどが使用できるが、これらに限定されるものではない。グリコールエーテル類としては、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジヘキシレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールなどが使用できるが、これらに限定されるものではない。
【0039】
また、炭素数4以下の1価アルコールとしては、好ましくは、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、t−ブタノールのうちの少なくとも1種が用いられる。ここに挙げた1価アルコールは、水と自由に相溶するもので、本発明に用いる反応溶媒としては好適なものである。
【0040】
これら以外の炭素数4以下の1価アルコール、および炭素数5以上の1価アルコールも混合可能であるが、それらは、一般に水に対する溶解度が低い。したがって、相分離を引き起こさない濃度、温度を調整するなと、特別な注意が必要となる。
【0041】
また、苛性アルカリとしては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウムおよびアンモニアのうちの少なくとも1種が用いられる。
【0042】
より特定的な好ましい実施形態では、エタノールに対して、ジエチレングリコール1〜40容量%が混合された溶媒に、生成した金属粉末が所望の粒径になるように水が混合された混合液が溶媒として用いられ、苛性アルカリとして、水酸化ナトリウムが単独で用いられる。そして、還元剤溶液を得るため、前記溶媒中に、水酸化ナトリウムを0.5〜20モル/リットルのモル濃度で溶解させるとともに、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物を、金属塩を還元するために化学量論的に必要な量から当該必要な量の15倍までの範囲で溶解させる。
【0043】
他方、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒であって、この溶媒中における多価アルコールの1価アルコールに対する容量比が1.00未満である溶媒中に、金属塩を溶解させることによって得られる、金属塩溶液が用意される。
【0044】
ここで、多価アルコールおよび炭素数4以下の1価アルコールとしては、上述した還元剤溶液の場合と同様のものを用いることができる。メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、t−ブタノールなどの1価アルコールは、水との相溶性が高いうえに、金属塩を溶解する能力が高いため、金属粉末の生産性を高めることができる。
【0045】
また、金属塩としては、得ようとする金属粉末の種類に応じて、例えば金属元素としてNiおよびCuのうちの少なくとも1種を含む金属塩が用いられる。そして、金属塩としては、塩化物、硫酸塩、硝酸塩などが用いられる。金属塩は、アルコールまたはアルコールと水との混合液からなる溶媒に良好に溶解し得るものであることが好ましい。
【0046】
より特定的な好ましい実施形態では、エタノールに対して、ジエチレングリコール1〜40容量%が混合された溶剤に、生成した金属粉末が所望の粒径になるように水が混合された溶剤が溶媒として用いられ、金属塩として例えば塩化ニッケルなどの塩化物が用いられる。そして、金属塩溶液を得るため、前記溶媒中に、塩化物を1.0×10-2〜6.0モル/リットルのモル濃度で溶解させる。
【0047】
次いで、このようにして得られた還元剤溶液と金属塩溶液とが混合される。このとき、還元剤溶液と金属塩溶液との温度は、20℃〜80℃の範囲に制御されることが好ましい。また、混合は、攪拌している還元剤溶液に金属塩溶液を滴下するようにすることが好ましい。
【0048】
このようにして還元剤溶液と金属塩溶液とを混合することによって、金属塩溶液に含まれる金属塩が、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物によって還元される。これによって、還元剤溶液と金属塩溶液との混合液中に、粒径が15nm〜150nmの範囲と細かく粒径が均一で、かつ粉末粒子同士のネッキングにより、局所的に複数のNi粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子のない金属粉末の沈殿が生成する。また、このとき、還元剤としてヒドラジンを用いているので、還元剤による不純物が金属粉末に混入することは実質的にない。
【0049】
次いで、沈殿した金属粉末は、反応溶液より回収された後、洗浄され、乾燥される。これによって、所望の金属粉末を得ることができる。
【0050】
また、得られた金属粉末を、適宜の有機ビヒクル中に分散させることによって、本発明の導電性ペーストを得ることができる。この導電性ペーストに含まれる金属粉末は、還元剤による不純物の混入が実質的にないので、導電成分として優れているばかりでなく、粒径が150nm以下と小さい。したがって、この金属粉末を含む導電性ペーストは、薄層の積層セラミック電子部品の内部導体用として、より具体的には内部導体間のセラミック層の厚みが5μm以下の積層セラミック電子部品の内部導体用として好適に用いることができる。
【0051】
本発明の積層セラミック電子部品は、複数の積層されたセラミック層と、このセラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体とを備え、この内部導体が上述の導電性ペーストの焼結体からなるものである。
【0052】
図1は、本発明の積層セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサを図解的に示す断面図である。積層セラミックコンデンサ1は、複数の積層されたセラミック層2と、セラミック層2間の特定の界面に沿って形成された内部電極3とをもって構成される、積層体4を備えている。内部電極3は、セラミック層2を介して互いに対向するものの間に静電容量を形成するように配置されている。
【0053】
積層体4の両端部には、端子電極となる外部電極5が形成されている。外部電極5は、特定の内部電極3と電気的に接続され、一方の外部電極5に電気的に接続される内部電極3と他方の外部電極5に電気的に接続される内部電極3とは、積層方法に関して交互に配置されている。
【0054】
このような積層セラミックコンデンサ1において、内部電極3すなわち内部導体が本発明の導電性ペーストの焼結体からなる。
【0055】
この、内部電極3の材質としては、ニッケルまたは銅を主成分とするものが、コスト面より好ましい。さらに、外部電極5は、たとえば、B23−Li2O−SiO2−BaO系ガラスフリットを含有するAgペーストを塗布し、これを還元性雰囲気中において焼き付けることによって形成することができる。
【0056】
なお、上述した実施形態では、還元剤溶液と金属塩溶液とをそれぞれ用意し、ヒドラジンによる金属塩の還元反応を生じさせるため、これら還元剤溶液と金属塩溶液とを混合することを行なったが、これに限られるものではない。
【0057】
たとえば、苛性アルカリを溶解する溶液と、ヒドラジンを溶解する溶液と、金属塩を溶解する溶液とをそれぞれ用意し、還元反応を起こさせるため、これら3つの溶液を混合してもよい。または、溶液としては上述の還元剤溶液のみを用意し、ここに、直接、金属塩を添加しても、あるいは、上述の金属塩溶液のみを用意し、ここに、直接、苛性アルカリおよびヒドラジンを添加してもよい。
【0058】
このように種々の変形例が考えられるが、要するに、金属塩をヒドラジンによって還元することによって、金属塩に含まれる金属からなる金属粉末を析出させる、という所望の還元反応を起こさせるため、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒中に、苛性アルカリとヒドラジンまたはヒドラジン水和物と金属塩とを、各々の少なくとも一部が溶解させる工程を備えておればよいことになる。
【0059】
【実施例】
(実施例1)
まず、水酸化ナトリウム100gと、20%の水を含む抱水ヒドラジン400gを、3000mlビーカーを用いて、表1に示す組成の混合アルコール溶媒1000mlに溶解して還元剤溶液を作製した。一方、塩化ニッケル・六水和物90gを、2000mlビーカーを用いて、同じく表1に示す組成の混合アルコール溶媒1000mlに溶解して金属塩溶液を作製した。
【0060】
【表1】
Figure 0004474810
【0061】
次に、上記双方の溶液の温度を70℃にしながら、還元剤溶液に金属塩溶液を添加して混合し、還元反応によりニッケル粉末を析出させた。なお、反応中は、直径30mmの3枚羽を用いて、100rpmの速度で攪拌を続けた。金属塩溶液を添加後、20分で反応が終了したため、この反応溶液からニッケル粉末を分離・回収し純水で洗浄した後、アセトンで洗浄しオーブン中で乾燥させた。
【0062】
このようにして得られたニッケル粉末を5万倍の走査型電子顕微鏡で観察し、無作為に抽出した粒子100個の粒径を測定した。そして、平均粒径と標準偏差σを求め、粒径ばらつきの指標であるCV値{(σ/平均粒径)×100%}を算出した。また、無作為に抽出した、5万倍の走査型電子顕微鏡の5視野を観察し、5つ以上の粒子がネッキックした凝集物の個数をカウントした。
【0063】
次に、これら各ニッケル粉末50重量部に対して、エチルセルロース系バインダ10重量部をテルピネオール90重量部に溶解して作製した有機ビヒクル50重量部を加えて、3本ロールミルにより分散混合処理を行なうことによって、ニッケルペーストを調製した。なお、このときのロールパス回数は1回とした。このニッケルペーストを、BaTiO3を主成分とする、耐還元性セラミックグリーンシートに印刷し、複数枚積層後焼成して、積層セラミックコンデンサを作製した。焼成後の内部電極間のセラミック層の厚みは3.5μmであり、内部電極の層数は60層であった。
【0064】
得られた積層セラミックコンデンサ100個について、絶縁抵抗計で絶縁抵抗を測定し、ショート不良率を算出した。以上、得られた平均粒径、CV値、凝集粒子数およびショート不良率を表2に示す。表2において、*印を付したものは本発明の範囲外のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものである。
【0065】
なお、表2の試料番号中の(a)などの脇文字は、溶媒組成を示す。具体的に、例えば1(a)とは、還元剤溶液および金属塩溶液とも、表1に示す組成aの混合アルコール溶媒を用いたことを示す。
【0066】
【表2】
Figure 0004474810
【0067】
表2に示すとおり、1価アルコールに対して多価アルコールを1.00容量比未満添加した試料1〜5の場合には、ニッケル粉末の平均粒径は100nm以下と小さく、凝集粒子数も5個以下と少なかった。これに対して、多価アルコールを添加しなかった試料7の場合には、ニッケル粉末中に30ヶ以上の凝集粒子が認められた。このニッケル粉末中の粗大粒子により、このニッケル粉末を内部電極用ペーストとして積層コンデンサを作製した場合、ショート不良率が20%を超えてしまった。また、多価アルコールを1.00容量比以上添加した試料6については、凝集粒子こそ3個と少なかったが、平均粒径は150nmを超えて大きく、CV値も大きく粒径のばらついた粉末となってしまった。
【0068】
(実施例2)
まず、水酸化ナトリウム100gと、20%の水を含む抱水ヒドラジン400gを、3000mlビーカーを用いて、水と表1の混合アルコール溶媒を50:50の容積比で混合した溶媒1000mlに溶解して還元剤溶液を作製した。一方、塩化ニッケル・六水和物90gを、2000mlビーカーを用いて、同じく水と表1の混合アルコール溶媒を50:50の容積比で混合した溶媒1000mlに溶解して金属塩溶液を作製した。
【0069】
次に、上記双方の溶液の温度を60℃にしながら、還元剤溶液に金属塩溶液を添加して混合し、還元反応によりニッケル粉末を析出させた。なお、反応中は、直径30mmの3枚羽を用いて、100rpmの速度で攪拌を続けた。金属塩溶液を添加後、20分で反応が終了したため、この反応溶液からニッケル粉末を分離・回収し純水で洗浄した後、アセトンで洗浄しオーブン中で乾燥させた。
【0070】
このようにして得られたニッケル粉末について、実施例1と同様にして、平均粒径、CV値、凝集粒子数を求めた。
【0071】
次に、実施例1と同様にして、積層セラミックコンデンサを作製した。焼成後の内部電極間のセラミック層の厚みは4μmであり、内部電極の層数は60層であった。その後、得られた積層セラミックコンデンサ100個について、実施例1と同様にして、絶縁抵抗を測定し、ショート不良率を算出した。以上、得られた平均粒径、CV値、凝集粒子数およびショート不良率を表3に示す。表3において、*印を付したものは本発明の範囲外のものであり、それ以外は本発明の範囲内のものである。
【0072】
なお、表3の試料番号中の(a)などの脇文字は、混合アルコール溶媒の組成を示す。具体的に、例えば8(a)とは、還元剤溶液および金属塩溶液とも、表1に示す組成aの混合アルコール溶媒を用いたことを示す。
【0073】
【表3】
Figure 0004474810
【0074】
表3に示すとおり、溶媒として水とアルコールとの混合液を用いる場合、1価アルコールに対して多価アルコールを1.00容量比未満添加した試料8〜12の場合には、ニッケル粉末の粒径は150nm以下と小さく、凝集粒子数も2個以下と少なかった。これに対して、多価アルコールを添加しなかった試料14の場合には、ニッケル粉末中に20ヶ以上の凝集粒子が認められた。このニッケル粉末を内部電極用ペーストとして積層コンデンサを作製した場合、ショート不良率が20%近くになってしまった。また、多価アルコールを1.00容量比以上添加した試料13については、凝集粒子こそ2ヶと少なかったが、平均粒径は150μmを超えて200nmと大きく、CV値も大きく粒径のばらついた粉末となってしまった。
【0075】
以上、上記実施例においては、金属粉末がニッケル粉末である場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。ニッケル粉末以外、銅粉末を初めとする種々の金属粉末の場合にも同様の効果を得ることができる。
【0076】
【発明の効果】
以上の説明で明らかなように、本発明の金属粉末の製造方法によれば、粒径が細かく均一で、かつ粉末粒子同士のネッキングにより局所的に複数の金属粒子が凝集した見かけ上の粗大粒子の少ない、分散性に優れた金属粉末を得ることができる。
【0077】
そして、この金属粉末を用いて導電性ペーストを作製することにより、この導電性ペーストを内部導体用材料として積層セラミック電子部品を作製したとき、内部導体間のセラミック相が薄い場合においても、ショート不良の発生を抑えることのできる積層セラミック電子部品を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の積層セラミック電子部品の一例を示す積層セラミックコンデンサの内部構造を図解的に示す断面図である。
【符号の説明】
1 積層セラミックコンデンサ
2 誘電体セラミック層
3 内部電極
4 積層体
5 外部電極

Claims (15)

  1. 少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒であって、該溶媒中における前記多価アルコールの前記1価アルコールに対する容量比が1.00未満である溶媒を準備する工程と、
    該溶媒と、苛性アルカリと、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と、金属塩とを混合して、前記溶媒中において、前記苛性アルカリと前記ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と前記金属塩との各々の少なくとも一部を溶解させるとともに、前記ヒドラジンまたはヒドラジン水和物によって前記金属塩を還元し、前記金属塩から金属粉末を析出させる工程と、
    を備えることを特徴とする、金属粉末の製造方法。
  2. 前記溶媒と、苛性アルカリと、ヒドラジンまたはヒドラジン水和物と、金属塩とを混合する工程は、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒中に苛性アルカリとヒドラジンまたはヒドラジン水和物とを溶解させた、還元剤溶液を用意する工程と、少なくとも多価アルコールと炭素数4以下の1価アルコールとを含む溶媒中に金属塩を溶解させた、金属塩溶液を用意する工程と、前記還元剤溶液と前記金属塩溶液とを混合する工程とを備えることを特徴とする、請求項1に記載の金属粉末の製造方法。
  3. 前記還元剤溶液と前記金属塩溶液とを混合する工程は、前記還元剤溶液に前記金属塩溶液を滴下する工程であることを特徴とする、請求項2に記載の金属粉末の製造方法。
  4. 前記還元剤溶液中の苛性アルカリの濃度および/または種類を変えることにより、析出する金属粉末の粒径を制御することを特徴とする、請求項2または3に記載の金属粉末の製造方法。
  5. 前記溶媒は、炭素数4以下の1価アルコールと、前記1価アルコールに対する容量比で1.00未満の多価アルコールと、水との混合液であることを特徴とする、請求項1〜4のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  6. 前記炭素数4以下の1価アルコールと多価アルコールとの混合溶媒と、水との混合比率を変えることにより、析出する金属粉末の粒径を制御することを特徴とする、請求項5に記載の金属粉末の製造方法。
  7. 前記金属塩に含まれる金属元素は、CuおよびNiのうちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜6のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  8. 前記金属塩は、塩化物、硫酸塩および硝酸塩のうちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜7のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  9. 前記炭素数4以下のアルコールは、メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノールおよびt−ブタノールのうちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜8のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  10. 前記多価アルコールは、2価アルコール、3価アルコールおよびグリコールエーテル類のうちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜9のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  11. 前記苛性アルカリは、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウムおよびアンモニアのうちの少なくとも1種であることを特徴とする、請求項1〜10のいずれかに記載の金属粉末の製造方法。
  12. 請求項1〜11のいずれかに記載の製造方法によって得られたことを特徴とする、金属粉末。
  13. 平均粒径が150nm以下であることを特徴とする、請求項12に記載の金属粉末。
  14. 請求項12または13に記載の金属粉末を含有することを特徴とする、導電性ペースト。
  15. 複数の積層されたセラミック層と、該セラミック層間の特定の界面に沿って形成された内部導体とを備え、該内部導体が前記請求項14に記載の導電性ペーストの焼結体であることを特徴とする、積層セラミック電子部品。
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