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JP4463442B2 - Printed wiring board materials - Google Patents

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JP4463442B2
JP4463442B2 JP2001173354A JP2001173354A JP4463442B2 JP 4463442 B2 JP4463442 B2 JP 4463442B2 JP 2001173354 A JP2001173354 A JP 2001173354A JP 2001173354 A JP2001173354 A JP 2001173354A JP 4463442 B2 JP4463442 B2 JP 4463442B2
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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はプリント配線板材料、特に電子部品や半導体(LSI、IC)の実装やパッケージ材料、あるいは、液晶ディスプレイ(LCD)、半導体や半導体パッケージの検査基板に用いる配線間ピッチが100μm以下であるプリント配線板に用いることができる材料に関する。
【0002】
【従来の技術】
プリント配線板の用途の拡大はとどまることを知らず、従来の単なる電子部品の接続用配線とそれらの支持体としての機能のみではなく、ICをマザーボードに実装するためのCSP(Chip Size Package)やBGA(Ball Grid Array)等の半導体パッケージ用途としてICの配線の一部として用いる半導体基板用途に用いられるようになり、配線ルールの微細化が進行している。とりわけ、フレキシブル配線板材料では、新たな用途としてLCDや半導体の検査用プローブに使用されるに至り、配線ピッチ50μm以下が実用的に用いられ、さらには、配線ピッチ30μm以下の配線加工についても実用化検討が進められている。
【0003】
従来、フレキシブルプリント配線板用途としては銅箔上にポリイミド前駆体を塗工した後にイミド化を行うことにより作製されるいわゆるキャスト材やポリイミド基材にエポキシ系の接着剤を介して銅箔を貼り付けた材料が広く用いられてきた。
しかしながら、キャスト材等では銅箔の最小厚みが12μmと厚いため、配線ピッチが50μmピッチ以下の微細可能パターンの加工には困難が生ずるという問題が発生してきた。銅箔9μmのキャスト材も開発されているが、いまだ基材のハンドリング面なども含めて実用化に至っていない。
【0004】
このような背景から、従来、価格上の制約や耐熱性の面から敬遠されてきた、スパッタ法等によりポリイミド基材上に1μm以下の銅薄膜を形成、あるいは銅薄膜に電解銅メッキを施すことにより10μm以下の銅厚に加工した、いわゆる、スパッタ材が注目を集めている。
とりわけ、スパッタ法等によりポリイミド基材上に1μm以下の銅薄膜を形成したものは、セミアディティブ工法により微細配線加工が可能な材料として注目を集めている。すなわち、例えば、銅薄膜上にドライフィルムレジストや液状パターンレジストを積層した後に露光、現像し、パターンレジストを形成し、さらに、銅薄膜を給電層として用いてニッケルや銅などの金属を電解メッキし、その後レジストを剥離した後にソフトエッチングを行い銅薄膜を除去することにより、電気回路パターンや部品を作製する方法に用いる材料として、注目を集めている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、基板上に1μm以下の銅薄膜を形成したのみの材料では、防錆処理を行うことが困難であり、銅薄膜上に発生する錆び、すなわち銅が酸化することによりしばしば歩留まりの低下が発生することが新たな問題として発生してきた。
【0006】
例えば、銅が酸化すると、銅薄膜上へのパターンレジスト(フォトレジスト)の密着性が低下し、パターンめっき工程(めっきによる回路形成工程)で銅めっきがパターンレジストの下部にも施されてしまうことでショートが発生しやすくなる。また、仮にパターンレジストが酸化した銅に密着した場合においても、酸化物により生じた凹凸によりガラスマスクや露光フィルム(回路パターン焼付け用のパターンマスク)がわずかに浮いてしまい、その結果マスクでの遮光部にも光が回り込みショートを発生させやすくなる。またあるいは、露光工程後の現像工程やパターンめっき工程での薬液処理で酸化銅が溶解してしまうことでパターンレジストが銅薄膜から剥離し、その結果パターンめっき工程でショートが発生しやすくなるとの問題がある。
【0007】
このような銅が酸化することによる問題に対しては、特に、銅厚が厚いものについては防錆処理を施すことで解決を図ることが可能である。
すなわち、9μm以上の厚さの銅箔を用いるキャスト品や、スパッタ法などにより1μm以下の銅薄膜を形成した後に電解銅めっきを施して銅の厚みを例えば3μm以上に厚膜化したスパッタ品等のような、銅の厚みが比較的厚いプリント配線板材料では、銅の表面をベンゾトリアゾールで代表されるような有機系の薬品や不動態化皮膜を作り易い金属で被覆するなどの防錆処理を行い、パターンレジストを銅箔の上に積層する直前に過硫酸アンモニウム等のいわゆるソフトエッチング液により表面処理された銅表面を、例えば、3μm以下の厚さでエッチングし、酸化銅や防錆処理剤を除去すると共に銅の表面を粗化処理してパターンレジストの密着性を向上させることができる。
【0008】
しかしながら、1μm以下の銅薄膜を形成したのみの材料にこれらの防錆処理を適用した場合には、銅箔のエッチング厚の制御が非常に困難となり、残存する銅箔の厚さのバラツキが大きくなることで、表面抵抗にバラツキが生じ、パターンメッキ時のメッキ厚のバラツキを生じることにより歩留まりが低下したり、最悪の場合には銅薄膜が完全に除去されたりすることがある。
【0009】
このように、1μm以下の銅薄膜を基材表面に形成したのみのプリント配線板材料では、銅箔表面に防錆処理を施し銅の酸化を防止することが困難であり、セミアディティブ工法での微細配線パターンや微細な部品を作製する際の歩留まり向上の大きな障害となっている。
本発明は、ポリマー基材上に形成した金属薄膜の厚さが1μm以下であっても、当該金属薄膜の酸化を、歩留まりの低下を招くことなく防止し、優れた生産性でプリント配線板を製造可能とするプリント配線板材料を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明のプリント配線板材料は、ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる酸化防止層を有することを特徴とする。
前記酸化防止層の厚さは0.1〜5nmであることが好ましく、前記第一の金属層は銅あるいは銅を主体とする金属であることが好ましく、前記酸化防止層は、錫、インジウム、および亜鉛よりなる群から選ばれる1つ以上の金属あるいはそれらの金属の酸化物からなることが好ましく、前記第一の金属層の厚さは50nm〜1μmであることが好ましく、前記ポリマー基材はポリイミドであることが好ましい。
【0011】
このようにすることで、第一の金属層を有効に酸化から防止するだけでなく、前記プリント配線板材料によりプリント配線板を作成する際のエッチング工程において、酸化防止層を容易にエッチングすることができるため、プリント配線板の生産性を低下させることがない。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、発明の実施の形態を詳細に説明する。
本発明に係るプリント配線板材料は、ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止層を有する。
【0013】
図1は、ポリマー基材の一方の面、すなわちポリマー基材100の表面に第一の金属層102が形成され、さらに第一の金属層102の上に酸化防止層104が形成された例を示す断面図である。図2は、ポリマー基材の両方の面、すなわちポリマー基材100の上下面それぞれに第一の金属層102が形成され、それぞれの第一の金属層102の表面に酸化防止層104が形成された例を示す断面図である。
【0014】
ポリマー基材
前記ポリマー基材の材料としては特に限定されるものではなく、プリント配線板やフレキシブルプリント配線板として用いることが可能なものならば好適に用いることができる。
例えば、ポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミド、エポキシ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルイミド、ポリエチレンナフタレート、ポリエチレンサルファー、ポリアミド、芳香族ポリアミド等を用いることができる。
【0015】
これらの中でも特に好ましくは、本プリント配線材料の加工中あるいは加工後の使用環境においては、耐熱性が要求項目の一つであることが多いという観点からポリイミド、あるいは充填材入りのポリイミドである。具体的商品名としては例えば、「カプトンスーパーV」、「カプトンV」、「カプトンE」、「カプトンEN」、「カプトンH」、(以上、東レデュポン株式会社製)、「ユーピレックスS」、「ユーピレックスSGA」(以上、宇部興産株式会社製)、「アピカルAH」、「アピカルNPI」、「アピカルHP」(以上、鐘淵化学工業株式会社製)等が挙げられ、市場において容易に入手可能であり本発明に好適に利用可能である。
【0016】
さらに、酸無水物とアミンとを直接、イミド化して形成されるポリイミドも効果的に用いることができる。
このような酸無水物としては、例えば、ピロメリット酸無水物、ビフタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、オキシジフタル酸無水物、ハイドロフランジフタル酸無水物等が挙げられる。
【0017】
一方、アミンとしては、例えば、メトキシジアミノベンゼン、4,4’ーオキシジアニリン、3,4’オキシジアニリン、3,3’オキシジアニリン、ビスジアニリノメタン、3,3’ージアミノゼンゾフェノン、p,p−アミノフェノキシベンゼン、p,m−アミノフェノキシベンゼン、m,p−アミノフェノキシベンゼン、m,m−アミノフェノキシベンゼン、クロル−m−アミノフェノキシベンゼン、p−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、m−ピリジンアミノフェノキシベンゼン、p−アミノフェノキシビフェニル、m−アミノフェノキシビフェニル、p−ビスアミノフェノキシベンジスルホン、m−ビスアミノフェノキシベンジスルフォン、p−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、m−ビスアミノフェノキシベンジルケトン、p−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、m−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、m−ビスアミノフェノキシベンジルヘキサフルオロプロパン、p−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、o−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、m−ビスアミノフェノキシベンジルプロパン、p−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、m−ジアミノフェノキシベンジルチオエーテル、インダンジアミン、スピロビジアミン、ジケトンジアミン等が挙げられる。
【0018】
このようなポリマー基材の厚みは特に限定するものではなく、プリント配線版の使用目的に応じて適宜選択可能である。例えば、フレキシブルプリント配線版用途に用いることの多いポリイミドフィルム基材では、12.5〜150μmの厚みのものが好ましく、さらには12.5〜100μmのものが好ましく、特には12.5〜75μmの厚みのものが好ましく、市場において容易に入手可能である。
【0019】
第一の金属層
前記第一の金属層とは、50nmから1μmの厚さの単体の金属あるいは合金の膜である。
第一の金属層に用いる金属の種類は特に限定されるものではないが、当該金属膜には、プリント配線板の配線やアディティブ工法における電解メッキ時の給電層(導電体層)として用いられるので導電性に優れること、塩化第二銅、塩化第二鉄等の酸性のエッチング液、アンモニア系等のアルカリ性のエッチング液、あるいはその他のエッチング液や過硫酸アンモニウムなどのソフトエッチング液に容易に溶解可能であること等が求められる。
【0020】
このような金属としては例えば、銅、アルミニウム、モリブデン、コバルト、ニッケル等の単体の金属およびこれらを少なくとも1種類以上を含む合金が好ましい。なかでも、銅や銅を主体とする金属は導電性に優れると共に展延性に富むため、特に好ましい金属である。ここで、本発明において、銅を主体とする金属とは、銅を50重量%以上含有する金属のことであり、すなわち、銅合金または銅である。
【0021】
第一の金属層の形成方法は特に限定されるものではなく、湿式プロセスである無電解メッキ法、電解メッキ法、乾式プロセスである蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法、化学気相輸送法(CVD法)など、また、これらの組み合わせなどを適宜選択して使用できる。
これらの中でも第一の金属層とポリマー基材との接着性や成膜の容易性を考慮すると、スパッタリング法が好ましい。また、スパッタリング法にも、DCスパッタ、RFスパッタ、DCマグネトロンスパッタ、RFマグネトロンスパッタ、ECRスパッタ、レーザービームスパッタ等各種の手法が有るが、特に限定されるものではなく必要に応じて適宜用いることができる。とりわけ、DCマグネトロンスパッタ法は、低コストであり、かつ第一の金属層を容易に形成できるため好ましい。
【0022】
この場合、マグネトロンスパッタによる第一の金属層の成膜条件は、スパッタガスをアルゴンガスとして、圧力は10-2〜1Pa、好ましくは7×10-2〜7×10-1Pa、さらに好ましくは10-1〜4×10-1Paであり、スパッタ電力密度は、1〜100Wcm-2、好ましくは1〜50Wcm-2、さらに好ましくは1〜20Wcm-2である。
【0023】
スパッタに用いるターゲットとしては、純度99.9%以上、好ましくは99.99%以上の銅あるいは銅を主体とする金属を用いることができる。純度99.999%以上のターゲットを用いることは、コストの著しい増加を招くので好ましいことではない。マグネトロンスパッタにより第一の金属層を成膜する際の膜厚の制御は、予め成膜速度を求めておくことにより成膜時間の管理により行うことができる。
【0024】
このような方法により形成した第一の金属層の厚さは、50nm以上、好ましくは100nm以上、さらに好ましくは200nm以上である。第一の金属層は、アディティブ工法で微細パターンを形成するときの、電解メッキを行うための給電層や無電解メッキ時の下地層として用いるので、このような範囲内であれば電気伝導性を確保することやピンホールを発生することがない。
【0025】
また、第一の金属層に用いる金属の純度は、単体の金属で第一の金属層を形成する場合は第一の金属層全体に対する単体の金属が占める割合として、合金で第一の金属層を形成する場合は第一の金属層全体に対する合金が占める割合として99.9%以上、好ましくは99.99%以上であり、この範囲であれば充分に電気伝導性を確保することができる。
【0026】
一方で、プリント配線板上に微細パターンを形成するためには、第一の金属層はある程度薄いことが必要であり、また、好ましく用いられるスパッタ法により第一の金属層を形成する場合のコスト上の制約も考慮すると、第一の金属層の厚さは1μm以下、好ましくは500nm以下であることが望ましい。
さらに、ポリマー基材と第一の金属層の接着強度や耐熱性を向上させる目的で、ポリマー基材と第一の金属層の間に接着層を設けることや、ポリマー基材表面をプラズマや紫外線に曝したりアルカリ性のエッチング液に浸漬して表面改質したりすることや、シランカップリング材や別種のポリマーを用いてポリマー基材表面を修飾すること等の公知の技術を用いることが好ましい。
【0027】
上記接着層として使用できる物質としては、具体的には例えば、チタン、バナジウム、コバルト、ニッケル、亜鉛、タングステン、モリブデン、ジルコニウム、タンタル、錫、インジウム等の金属、あるいはこれらの群から選ばれる一つ以上の金属を含む合金、モネル、ニクロム、インコネル等の耐熱性の合金が挙げられる。さらには、前記金属の酸化物、窒化物、炭化物、燐化合物、さらにはインジウム錫酸化物(ITO)、ジンククロメート等の前記金属の複合酸化物等も上記接着層として用いることができる。
【0028】
このような接着層の厚さは5〜50nm、好ましくは5〜20nmであることが望ましく、この範囲であれば、ポリマー基材と第一の金属層との接着強度や耐熱性を改善させる効果がある。
酸化防止層
前記酸化防止層に用いる金属あるいはそれらの酸化物に用いる金属は、第一の金属層よりも卑な金属である。ここである金属に対して卑な金属とは、水溶液系における標準電極電位がより低い金属のことである。
【0029】
例えば、本発明において、第一の金属層に用いる金属が、好ましくは銅や銅を主体とする金属であることを考慮すると、インジウム、錫、亜鉛やこれらの酸化物はエッチング工程において容易に溶解させることができる金属であるとともに第一の金属層の酸化防止効果も高く、好ましい物質である。これらの金属を用いると、一種の電気化学的作用により第一の金属層の酸化を防止できると考えられる。
【0030】
このような酸化防止層の成膜方法は特に限定されるものではなく、成膜される物質の特性に基づき適宜選択可能である。例えば無電解めっき等の湿式法や、蒸着法やイオンプレーティング法、イオンクラスタービーム法、スパッタリング法等の乾式法が挙げられる。
これらの中でも、インジウム、錫、亜鉛等の低融点の金属を酸化防止層として用いる場合には、金属を加熱融解して発生する金属蒸気を用いる蒸着法が好ましい。また、インジウム、錫、亜鉛などの金属の酸化物を用いる場合には、酸化物を容易に成膜可能なスパッタ法が好ましく、スパッタ法の中でもDCマグネトロンスパッタ法が最も効率良く低コストで成膜可能であるため好ましい。酸化錫、酸化インジウム、ITOは導電性の物質であり、また、酸化亜鉛は酸化アルミニウムや酸化珪素を数重量%添加することにより高い導電性を示す物質であり、DCマグネトロンスパッタにより容易に成膜可能な物質である。また、これらの酸化物は市場において容易に入手可能でもある。
【0031】
このような酸化防止層の厚さは0.1〜5nm、好ましくは0.5〜2nmであり、この範囲であれば、第一の金属層の酸化防止効果がある。
なお、このような薄い膜厚では金属や金属酸化物は完全に層状に成膜されないことが考えられ、すなわち島状(海島構造)にとなることが考えられるが、本発明の効果を何ら妨げるものではない。このように島状に成長するなど完全に層状に金属あるいは金属酸化物が形成されない場合には、成膜速度から予想される換算膜厚や水晶振動子式膜厚計などで測定される成膜された物質の重量と密度から計算される膜厚が上記範囲内であればよい。
【0032】
なお、ポリマー基材への第一の金属層および酸化防止層の形成は、プリント配線基板の用途により、図1に示したようにポリマー基材の片面でもよいし、図2に示したようにポリマー基材の両面でもよい。
ポリマー基材の両面に金属層を形成する場合、片面ずつ第一の金属層および酸化防止層を形成してもよく、あるいは両面に第一の金属層を形成した後に酸化防止層をそれぞれの第一の金属層の上に成膜してもよい。各金属層の成膜順番は、各層に用いる材料の特性に適した手法による成膜装置、例えば、蒸着装置、イオンプレーティング装置、スパッタ装置、また、各装置の構成、例えば、両面を同時に成膜可能なスパッタ装置、蒸着装置あるいはイオンプレーティング装置であるか、スパッタと蒸着をロールツーロール式で連続に実施可能である装置か、第一の金属層はスパッタ装置、酸化防止層は蒸着装置等、2台の装置を用いて、本発明のプリント配線材料を作製するのか、等を適宜勘案して、最も効率的に本発明に記載のプリント配線板材料を製造可能なように適宜選択することができる。
【0033】
このような配線板材料を用いてプリント配線板を作成することにより、配線間ピッチが100μm以下、好ましくは50μm以下というファインパターン加工で、第一の金属層の厚さが1μm以下であっても、歩留まりの低下を招くことなく第一の金属層の酸化を防止し、生産性を向上させることができる。
【0034】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらに何ら限定されるものではない。
【0035】
【実施例1】
ポリマー基材として50μm厚のポリイミドフィルム、「アピカルNPI」(鐘淵化学工業株式会社製)を用い、これを8cm四方に切り出し、スパッタ装置の基板ホルダーに設置し、10-3Pa以下の圧力まで真空引きを行った。酸素流量100SCCM、圧力 1.3Pa、RF電力100W、処理時間3分の条件でポリイミドフィルムのプラズマ処理を行った。
【0036】
ついで、銅ターゲット(純度99.99%)を用いて、アルゴン流量40SCCM、圧力0.26Pa、DC180Wの条件で15分成膜を行い第一の金属層である銅を250nmの厚さに成膜した。
さらに、スパッタ装置から試料を取り出し電子ビーム加熱式の蒸着装置内に設置し、10-3Pa以下の圧力をまで真空引きを行った後、蒸着源に亜鉛を用いて酸化防止層として亜鉛を1nmの厚さで銅の上に成膜した。なお、亜鉛の膜厚は、水晶振動子式の膜厚計に連動して開閉可能なシャッターにより制御した。
【0037】
このようにして作製された試料を温度25℃、湿度50%のクラス10000のクリーンルーム中に30日間放置し、目視にて外観検査を行った。
評価は、銅の酸化を示す変色部位の発生の有無により行ったが、本試料には変色部位は特に発生しなかった。
【0038】
【実施例2】
酸化防止層としてインジウムを1nmの厚さで形成したこと以外は実施例1と同様にして試料を作製し評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【0039】
【実施例3】
酸化防止層として錫を1nmの厚さで形成したこと以外は実施例1と同様にして試料を作成し評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった
【0040】
【実施例4】
実施例1で酸化防止層として蒸着法により亜鉛を形成した代わりに、スパッタリング法により酸化亜鉛を1nmの厚さで形成し試料を作成した。
すなわち、酸化亜鉛ターゲット(酸化アルミニウム3重量%添加)を用いて、アルゴン流量40SCCM、圧力0.26Pa、DC180Wの条件で10秒成膜を行い酸化防止層である酸化亜鉛を1nmの厚さで成膜した。
【0041】
得られた試料を実施例1と同様にして評価したところ、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【0042】
【実施例5】
スパッタリングターゲットとして酸化インジウムを用いて、酸化防止層として酸化インジウムを1nmの厚さで形成したこと以外は実施例4と同様にして試料を作製し、実施例1と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【0043】
【実施例6】
スパッタリングターゲットとして酸化錫を用いて、酸化防止層として酸化錫を1nmの厚さで形成したこと以外は実施例4と同様にして試料を作製し、実施例1と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色部位は発生しなかった。
【0044】
【実施例7】
スパッタリングターゲットとしてITO(酸化錫20重量%)を用いて、酸化防止層としてITOを1nmの厚さで形成したこと以外は実施例4と同様にして試料を作製し、実施例1と同様に評価を行ったが、銅の酸化を示す変色は認められなかった。
【0045】
【比較例1】
酸化防止層を銅の上に形成しなかったこと以外は実施例1と同様にして試料を作製し評価を行ったところ、銅の酸化を示す変色部位が発生した。
【0046】
【発明の効果】
本発明によれば、少なくとも、ポリマー基材の片面に第一の金属層を形成した後に第一の金属よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止層を0.1nmから5nmの厚みに形成することで、第一の金属層の酸化を防止することが可能となり、第一の金属層上に形成するパターンレジストの密着性の低下を防止できる。また、第一の金属層の厚さが1μm以下であっても、パターンメッキ時のメッキ厚のバラツキを防止することができ、優れた生産性でプリント配線板を生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【図2】図2は、本発明のプリント配線板材料の一例を示す断面図である。
【符号の説明】
100 ポリマー基材
102 第一の金属層
104 酸化防止層
[0001]
[Industrial application fields]
The present invention is a printed wiring board material, particularly a printed circuit board having a pitch between wirings of 100 μm or less used for mounting of electronic components and semiconductors (LSIs, ICs) and packaging materials, or liquid crystal displays (LCDs), semiconductors and semiconductor packages. The present invention relates to a material that can be used for a wiring board.
[0002]
[Prior art]
The expansion of the use of printed wiring boards is not limited, and it is not only the conventional wiring for connecting electronic components and their functions as a support, but also CSP (Chip Size Package) and BGA for mounting ICs on the motherboard. (Ball Grid Array) and other semiconductor packages have been used for semiconductor substrates used as part of IC wiring, and the miniaturization of wiring rules has been progressing. In particular, flexible wiring board materials are used for LCD and semiconductor inspection probes as a new application, and wiring pitches of 50 μm or less are practically used. Furthermore, wiring processing of wiring pitches of 30 μm or less is also practical. Consideration is being made.
[0003]
Conventionally, as a flexible printed wiring board application, a copper foil is pasted on an epoxy-based adhesive on a so-called cast material or polyimide base material prepared by imidizing after coating a polyimide precursor on a copper foil. The attached material has been widely used.
However, in the case of a cast material or the like, the minimum thickness of the copper foil is as thick as 12 μm, so that there has been a problem that it becomes difficult to process a fine pattern with a wiring pitch of 50 μm or less. A cast material of 9 μm copper foil has also been developed, but has not yet been put into practical use, including the handling surface of the base material.
[0004]
Against this background, a copper thin film of 1 μm or less is formed on a polyimide substrate by sputtering or the like, which has conventionally been avoided from price constraints and heat resistance, or electrolytic copper plating is applied to the copper thin film So-called sputtered materials processed to have a copper thickness of 10 μm or less are attracting attention.
In particular, a material in which a copper thin film having a thickness of 1 μm or less is formed on a polyimide base material by a sputtering method or the like is attracting attention as a material capable of fine wiring processing by a semi-additive method. That is, for example, after laminating a dry film resist or liquid pattern resist on a copper thin film, exposure and development are performed to form a pattern resist, and further, a metal such as nickel or copper is electroplated using the copper thin film as a power feeding layer. Then, after peeling off the resist, soft etching is performed to remove the copper thin film, thereby attracting attention as a material used in a method for producing an electric circuit pattern or a part.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, it is difficult to carry out the rust prevention treatment with a material in which a copper thin film having a thickness of 1 μm or less is formed on a substrate, and rust generated on the copper thin film, that is, the yield is often lowered due to oxidation of copper. It has occurred as a new problem.
[0006]
For example, when copper is oxidized, the adhesion of the pattern resist (photoresist) onto the copper thin film is reduced, and copper plating is also applied to the lower part of the pattern resist in the pattern plating process (circuit formation process by plating). It becomes easy to generate a short circuit. Even if the pattern resist is in close contact with oxidized copper, the glass mask or exposure film (pattern mask for circuit pattern printing) slightly floats due to the unevenness caused by the oxide, resulting in light shielding by the mask. Light also circulates in the area, making it easy to cause a short circuit. Alternatively, the copper oxide is dissolved by the chemical treatment in the development process and pattern plating process after the exposure process, and the pattern resist is peeled off from the copper thin film. As a result, a short circuit is likely to occur in the pattern plating process. There is.
[0007]
Such a problem caused by oxidation of copper can be solved by applying a rust preventive treatment especially for a copper thicker one.
That is, a cast product using a copper foil having a thickness of 9 μm or more, a sputter product in which a copper thin film having a thickness of 1 μm or less is formed by a sputtering method or the like, and electrolytic copper plating is applied to increase the copper thickness to, for example, 3 μm or more. In the case of printed wiring board materials with relatively thick copper, such as rust prevention treatment such as coating the surface of copper with organic chemicals such as benzotriazole and metals that can easily form passivation films The copper surface that has been surface-treated with a so-called soft etching solution such as ammonium persulfate immediately before laminating the pattern resist on the copper foil is etched to a thickness of, for example, 3 μm or less, and copper oxide or a rust preventive agent The surface of copper can be roughened and the adhesion of the pattern resist can be improved.
[0008]
However, when these rust prevention treatments are applied to a material that only forms a copper thin film of 1 μm or less, it becomes very difficult to control the etching thickness of the copper foil, and the variation in the thickness of the remaining copper foil is large. As a result, variations in surface resistance occur, and variations in plating thickness during pattern plating may result in a decrease in yield, or in the worst case, a copper thin film may be completely removed.
[0009]
In this way, with a printed wiring board material in which a copper thin film of 1 μm or less is only formed on the substrate surface, it is difficult to prevent copper oxidation by subjecting the copper foil surface to rust prevention treatment. This is a major obstacle to improving the yield when manufacturing fine wiring patterns and fine parts.
Even if the thickness of the metal thin film formed on the polymer substrate is 1 μm or less, the present invention prevents the oxidation of the metal thin film without causing a decrease in yield, and enables the printed wiring board to be manufactured with excellent productivity. It is an object to provide a printed wiring board material that can be manufactured.
[0010]
[Means for Solving the Problems]
The printed wiring board material of the present invention has a first metal layer on at least one surface of a polymer substrate, and a base metal or a metal of these metals on the surface of the first metal layer. It has the antioxidant layer which consists of these oxides.
The thickness of the antioxidant layer is preferably 0.1 to 5 nm, the first metal layer is preferably copper or copper-based metal, and the antioxidant layer is made of tin, indium, And one or more metals selected from the group consisting of zinc and oxides of those metals, the thickness of the first metal layer is preferably 50 nm to 1 μm, A polyimide is preferred.
[0011]
In this way, not only the first metal layer is effectively prevented from being oxidized, but also the antioxidant layer is easily etched in the etching process when the printed wiring board is made from the printed wiring board material. Therefore, the productivity of the printed wiring board is not lowered.
[0012]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.
The printed wiring board material according to the present invention has a first metal layer on at least one surface of a polymer base material, and a metal that is baser than the first metal layer on the surface of the first metal layer or a material thereof. It has an antioxidant layer made of an oxide.
[0013]
FIG. 1 shows an example in which a first metal layer 102 is formed on one surface of a polymer substrate, that is, the surface of the polymer substrate 100, and an antioxidant layer 104 is further formed on the first metal layer 102. It is sectional drawing shown. FIG. 2 shows that the first metal layer 102 is formed on both surfaces of the polymer substrate, that is, the upper and lower surfaces of the polymer substrate 100, and the antioxidant layer 104 is formed on the surface of each first metal layer 102. It is sectional drawing which shows the example.
[0014]
Polymer substrate The material of the polymer substrate is not particularly limited, and any material that can be used as a printed wiring board or a flexible printed wiring board can be preferably used.
For example, polyimide, filled polyimide, epoxy resin, polyethylene terephthalate, polyetherimide, polyethylene naphthalate, polyethylene sulfur, polyamide, aromatic polyamide, or the like can be used.
[0015]
Of these, polyimide or filled polyimide is particularly preferred from the viewpoint that heat resistance is often one of the required items in the working environment during or after processing of the printed wiring material. Specific product names include, for example, “Kapton Super V”, “Kapton V”, “Kapton E”, “Kapton EN”, “Kapton H” (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd.), “Upilex S”, “ Iupilex SGA (above Ube Industries, Ltd.), Apical AH, Apical NPI, Apical HP (above Kaneka Chemical Co., Ltd.), etc. Yes, it can be suitably used in the present invention.
[0016]
Furthermore, a polyimide formed by directly imidizing an acid anhydride and an amine can also be used effectively.
Examples of such acid anhydrides include pyromellitic acid anhydride, biphthalic acid anhydride, benzophenone tetracarboxylic acid anhydride, oxydiphthalic acid anhydride, hydrofurandiphthalic acid anhydride, and the like.
[0017]
On the other hand, examples of the amine include methoxydiaminobenzene, 4,4′-oxydianiline, 3,4′oxydianiline, 3,3′oxydianiline, bisdianilinomethane, and 3,3′-diaminozenzo. Phenone, p, p-aminophenoxybenzene, p, m-aminophenoxybenzene, m, p-aminophenoxybenzene, m, m-aminophenoxybenzene, chloro-m-aminophenoxybenzene, p-pyridineaminophenoxybenzene, m -Pyridineaminophenoxybenzene, p-aminophenoxybiphenyl, m-aminophenoxybiphenyl, p-bisaminophenoxybenzidisulfone, m-bisaminophenoxybenzodisulfone, p-bisaminophenoxybenzylketone, m-bisaminophenoxybenzylketone, p- Bisaminophenoxybenzylhexafluoropropane, m-bisaminophenoxybenzylhexafluoropropane, m-bisaminophenoxybenzylhexafluoropropane, p-bisaminophenoxybenzylpropane, o-bisaminophenoxybenzylpropane, m-bisaminophenoxybenzyl Examples include propane, p-diaminophenoxybenzylthioether, m-diaminophenoxybenzylthioether, indanediamine, spirobidiamine, and diketonediamine.
[0018]
The thickness of such a polymer base material is not particularly limited, and can be appropriately selected depending on the purpose of use of the printed wiring board. For example, in the polyimide film base material often used for flexible printed wiring plate applications, those having a thickness of 12.5 to 150 μm are preferable, those having a thickness of 12.5 to 100 μm are more preferable, and those having a thickness of 12.5 to 75 μm are particularly preferable. Thick ones are preferred and are readily available on the market.
[0019]
First metal layer The first metal layer is a single metal or alloy film having a thickness of 50 nm to 1 μm.
The type of metal used for the first metal layer is not particularly limited, but the metal film is used as a power supply layer (conductor layer) for wiring of a printed wiring board or electrolytic plating in an additive method. Excellent conductivity, easily soluble in acidic etchants such as cupric chloride and ferric chloride, alkaline etchants such as ammonia, and other etchants and soft etchants such as ammonium persulfate Something is required.
[0020]
As such a metal, for example, a single metal such as copper, aluminum, molybdenum, cobalt, nickel, and an alloy containing at least one of these metals are preferable. Among these, copper and metals mainly composed of copper are particularly preferable metals because they are excellent in electrical conductivity and rich in spreadability. Here, in this invention, the metal which has copper as a main component is a metal which contains copper 50weight% or more, ie, a copper alloy or copper.
[0021]
The method for forming the first metal layer is not particularly limited, and is a wet process such as electroless plating, electrolytic plating, dry process such as vapor deposition, ion plating, sputtering, and chemical vapor transport. (CVD method) or a combination of these can be appropriately selected and used.
Among these, the sputtering method is preferable in consideration of the adhesion between the first metal layer and the polymer substrate and the ease of film formation. The sputtering method includes various methods such as DC sputtering, RF sputtering, DC magnetron sputtering, RF magnetron sputtering, ECR sputtering, and laser beam sputtering. However, the sputtering method is not particularly limited and may be appropriately used as necessary. it can. In particular, the DC magnetron sputtering method is preferable because it is low in cost and can easily form the first metal layer.
[0022]
In this case, the film forming conditions of the first metal layer by magnetron sputtering are as follows: the sputtering gas is argon gas, and the pressure is 10 −2 to 1 Pa, preferably 7 × 10 −2 to 7 × 10 −1 Pa, more preferably 10 −1 to 4 × 10 −1 Pa, and the sputtering power density is 1 to 100 Wcm −2 , preferably 1 to 50 Wcm −2 , and more preferably 1 to 20 Wcm −2 .
[0023]
As a target used for sputtering, copper having a purity of 99.9% or more, preferably 99.99% or more, or a metal mainly composed of copper can be used. Use of a target having a purity of 99.999% or more is not preferable because it causes a significant increase in cost. The film thickness when the first metal layer is formed by magnetron sputtering can be controlled by managing the film formation time by obtaining the film formation speed in advance.
[0024]
The thickness of the first metal layer formed by such a method is 50 nm or more, preferably 100 nm or more, more preferably 200 nm or more. The first metal layer is used as a power supply layer for electrolytic plating when forming a fine pattern by the additive method, and as a base layer for electroless plating. There is no need to secure or pinholes.
[0025]
In addition, the purity of the metal used for the first metal layer is the ratio of the single metal to the entire first metal layer when the first metal layer is formed of a single metal. In the case of forming, the ratio of the alloy to the entire first metal layer is 99.9% or more, preferably 99.99% or more. Within this range, sufficient electrical conductivity can be ensured.
[0026]
On the other hand, in order to form a fine pattern on a printed wiring board, the first metal layer needs to be thin to some extent, and the cost for forming the first metal layer by a sputtering method that is preferably used. Considering the above constraints, the thickness of the first metal layer is desirably 1 μm or less, preferably 500 nm or less.
Furthermore, in order to improve the adhesive strength and heat resistance between the polymer substrate and the first metal layer, an adhesive layer is provided between the polymer substrate and the first metal layer, or the surface of the polymer substrate is treated with plasma or ultraviolet light. It is preferable to use a known technique such as exposure to water or immersion in an alkaline etching solution to modify the surface, or modification of the polymer substrate surface with a silane coupling material or another type of polymer.
[0027]
Specific examples of the material that can be used as the adhesive layer include one selected from metals such as titanium, vanadium, cobalt, nickel, zinc, tungsten, molybdenum, zirconium, tantalum, tin, and indium, or a group thereof. Examples include alloys containing the above metals, heat resistant alloys such as Monel, Nichrome, and Inconel. Furthermore, the metal oxides such as oxides, nitrides, carbides, phosphorus compounds, and metal oxides such as indium tin oxide (ITO) and zinc chromate can also be used as the adhesive layer.
[0028]
The thickness of such an adhesive layer is desirably 5 to 50 nm, preferably 5 to 20 nm, and if within this range, the effect of improving the adhesive strength and heat resistance between the polymer substrate and the first metal layer There is.
Antioxidant layer The metal used in the antioxidant layer or the metal used in those oxides is a base metal than the first metal layer. A base metal with respect to the metal here is a metal having a lower standard electrode potential in an aqueous solution system.
[0029]
For example, in the present invention, considering that the metal used for the first metal layer is preferably copper or a metal mainly composed of copper, indium, tin, zinc and their oxides are easily dissolved in the etching process. It is a preferable material because it is a metal that can be produced and has a high antioxidant effect on the first metal layer. When these metals are used, it is considered that the oxidation of the first metal layer can be prevented by a kind of electrochemical action.
[0030]
The method for forming such an antioxidant layer is not particularly limited, and can be appropriately selected based on the characteristics of the material to be formed. Examples thereof include wet methods such as electroless plating, and dry methods such as vapor deposition, ion plating, ion cluster beam, and sputtering.
Among these, when a low melting point metal such as indium, tin, or zinc is used as the antioxidant layer, a vapor deposition method using metal vapor generated by heating and melting the metal is preferable. In addition, when an oxide of a metal such as indium, tin, or zinc is used, a sputtering method capable of easily forming the oxide is preferable. Among the sputtering methods, the DC magnetron sputtering method is most efficiently and inexpensively formed. This is preferable because it is possible. Tin oxide, indium oxide, and ITO are conductive materials, and zinc oxide is a material that exhibits high conductivity by adding several percent by weight of aluminum oxide or silicon oxide, and can be easily formed by DC magnetron sputtering. It is a possible substance. These oxides are also readily available on the market.
[0031]
The thickness of such an antioxidant layer is 0.1 to 5 nm, preferably 0.5 to 2 nm. Within this range, the first metal layer has an antioxidant effect.
It should be noted that with such a thin film thickness, the metal or metal oxide may not be formed into a complete layer, that is, an island shape (sea-island structure) may be considered, but the effect of the present invention is hindered at all. It is not a thing. When the metal or metal oxide does not form completely in layers, such as growing in an island shape, the film thickness is measured by the equivalent film thickness expected from the film formation speed or by a quartz oscillator film thickness meter. The film thickness calculated from the weight and density of the formed material may be within the above range.
[0032]
The formation of the first metal layer and the antioxidant layer on the polymer substrate may be performed on one side of the polymer substrate as shown in FIG. 1 or as shown in FIG. 2, depending on the use of the printed wiring board. It may be on both sides of the polymer substrate.
When forming a metal layer on both sides of the polymer substrate, the first metal layer and the antioxidant layer may be formed on each side, or after forming the first metal layer on both sides, A film may be formed on one metal layer. The deposition order of each metal layer is the same as the film deposition apparatus, such as a vapor deposition apparatus, an ion plating apparatus, a sputtering apparatus, and the structure of each apparatus, for example, both sides, at the same time. Whether it is a film-forming sputtering device, vapor deposition device or ion plating device, or a device capable of continuously performing sputtering and vapor deposition in a roll-to-roll manner, the first metal layer is a sputtering device, and the antioxidant layer is a vapor deposition device. In order to produce the printed wiring board material according to the present invention in the most efficient manner, considering whether the printed wiring material of the present invention is to be produced using two devices, etc. be able to.
[0033]
By producing a printed wiring board using such a wiring board material, even if the thickness of the first metal layer is 1 μm or less by fine pattern processing with a pitch between wirings of 100 μm or less, preferably 50 μm or less. Thus, oxidation of the first metal layer can be prevented and productivity can be improved without causing a decrease in yield.
[0034]
【Example】
EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.
[0035]
[Example 1]
Using a 50 μm-thick polyimide film, “Apical NPI” (manufactured by Kaneka Chemical Co., Ltd.) as a polymer substrate, cut it into an 8 cm square, and place it on a substrate holder of a sputtering apparatus, up to a pressure of 10 −3 Pa or less. A vacuum was drawn. The polyimide film was plasma treated under the conditions of an oxygen flow rate of 100 SCCM, a pressure of 1.3 Pa, an RF power of 100 W, and a treatment time of 3 minutes.
[0036]
Next, using a copper target (purity 99.99%), a film was formed for 15 minutes under the conditions of an argon flow rate of 40 SCCM, a pressure of 0.26 Pa, and DC of 180 W to form a first metal layer of copper to a thickness of 250 nm. did.
Further, a sample is taken out from the sputtering apparatus and placed in an electron beam heating type vapor deposition apparatus. After evacuating to a pressure of 10 −3 Pa or less, zinc is used as a vapor deposition source, and 1 nm of zinc is used as an antioxidant layer. The film was formed on copper with a thickness of. The film thickness of zinc was controlled by a shutter that can be opened and closed in conjunction with a crystal oscillator type film thickness meter.
[0037]
The sample thus prepared was left in a class 10000 clean room at a temperature of 25 ° C. and a humidity of 50% for 30 days, and visually inspected.
The evaluation was performed based on whether or not a discoloration site indicating copper oxidation was generated, but no particular discoloration site was generated in this sample.
[0038]
[Example 2]
A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that indium was formed to a thickness of 1 nm as the antioxidant layer, but no discoloration site indicating copper oxidation occurred.
[0039]
[Example 3]
A sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that tin was formed to a thickness of 1 nm as an antioxidant layer, but no discoloration site indicating copper oxidation was generated.
[Example 4]
Instead of forming zinc as an antioxidant layer in Example 1 by vapor deposition, a sample was prepared by forming zinc oxide with a thickness of 1 nm by sputtering.
That is, using a zinc oxide target (added with 3% by weight of aluminum oxide), a film was formed for 10 seconds under the conditions of an argon flow rate of 40 SCCM, a pressure of 0.26 Pa, and DC of 180 W, and the zinc oxide as an antioxidant layer was formed to a thickness of 1 nm. Filmed.
[0041]
When the obtained sample was evaluated in the same manner as in Example 1, no discoloration site indicating copper oxidation occurred.
[0042]
[Example 5]
A sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that indium oxide was used as a sputtering target and indium oxide was formed as an anti-oxidation layer with a thickness of 1 nm, and evaluation was performed in the same manner as in Example 1. There was no discoloration site indicating copper oxidation.
[0043]
[Example 6]
A sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that tin oxide was used as a sputtering target and tin oxide was formed as an anti-oxidation layer with a thickness of 1 nm, and evaluation was performed in the same manner as in Example 1. There was no discoloration site indicating copper oxidation.
[0044]
[Example 7]
A sample was prepared in the same manner as in Example 4 except that ITO (20% by weight of tin oxide) was used as a sputtering target and ITO was formed as an anti-oxidation layer with a thickness of 1 nm. Evaluation was made in the same manner as in Example 1. However, no discoloration indicating copper oxidation was observed.
[0045]
[Comparative Example 1]
When a sample was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the antioxidant layer was not formed on copper, a discolored portion showing copper oxidation was generated.
[0046]
【The invention's effect】
According to the present invention, at least after forming the first metal layer on one surface of the polymer substrate, the antioxidant layer made of a base metal or an oxide thereof than the first metal has a thickness of 0.1 nm to 5 nm. By forming the first metal layer, it is possible to prevent oxidation of the first metal layer, and it is possible to prevent a decrease in the adhesion of the pattern resist formed on the first metal layer. Further, even if the thickness of the first metal layer is 1 μm or less, it is possible to prevent variations in plating thickness during pattern plating, and it is possible to produce a printed wiring board with excellent productivity.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a cross-sectional view showing an example of a printed wiring board material of the present invention.
FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of a printed wiring board material of the present invention.
[Explanation of symbols]
100 Polymer substrate 102 First metal layer 104 Antioxidation layer

Claims (4)

ポリマー基材の少なくとも片面に第一の金属層を有し、該第一の金属層の表面に、該第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの金属の酸化物からなる酸化防止層を有し、
前記酸化防止層の厚さが0.1〜5nmであり、
前記酸化防止層が、錫、インジウム、および亜鉛よりなる群から選ばれる1つ以上の金属あるいはそれらの金属の酸化物からなることを特徴とするプリント配線板材料。
A polymer substrate has a first metal layer on at least one surface, and an antioxidant layer made of a base metal or an oxide of these metals on the surface of the first metal layer. Have
The antioxidant layer has a thickness of 0.1 to 5 nm;
The oxidation layer, tin, indium, and one or more metals or printed wiring board material, wherein Rukoto such oxides of those metals selected from the group consisting of zinc.
前記第一の金属層が銅あるいは銅を主体とする金属であることを特徴とする請求項1に記載のプリント配線板材料。The printed wiring board material according to claim 1, wherein the first metal layer is copper or a metal mainly composed of copper. 前記第一の金属層の厚さが50nm〜1μmであることを特徴とする請求項1または2に記載のプリント配線板材料。The printed wiring board material according to claim 1 or 2 , wherein the first metal layer has a thickness of 50 nm to 1 µm. 前記ポリマー基材がポリイミドであることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載のプリント配線板材料。Printed circuit board material according to any one of claims 1 to 3, wherein the polymer substrate is a polyimide.
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