JP4123321B2 - 配線基板の接合方法 - Google Patents
配線基板の接合方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4123321B2 JP4123321B2 JP30629999A JP30629999A JP4123321B2 JP 4123321 B2 JP4123321 B2 JP 4123321B2 JP 30629999 A JP30629999 A JP 30629999A JP 30629999 A JP30629999 A JP 30629999A JP 4123321 B2 JP4123321 B2 JP 4123321B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wiring pattern
- adhesive material
- wiring
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73201—Location after the connecting process on the same surface
- H01L2224/73203—Bump and layer connectors
- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
- H01L2924/15311—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA
Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその接合方法、実装部品の実装及び接合方法、電子部品、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来、フェースダウンボンディングを適用して実装された半導体チップと基板との間には、接合部を固定するとともに湿気から守るために、樹脂を充填していた。しかしながら、隙間が狭いために樹脂が回り込みにくいので、気泡が残ることがあり、接合部の信頼性を保てないことがあった。
【０００３】
あるいは、例えば特開平７−９９２１８号公報に記載されるように、接着材料を硬化させながら半導体チップを基板にフェースダウンボンディングする方法が知られている。しかしながら、この方法によれば、半導体チップのバンプと、基板に形成された配線パターンとの電気的な接合が不十分なうちに、接着材料が硬化することが考えられる。したがって、接合部の信頼性のさらなる向上が求められる。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、導電部材同士の接合部の信頼性が高い配線基板及びその接合方法、実装部品の実装及び接合方法、電子部品、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板の接合方法は、第１の配線パターンが形成された第１の基板と、第２の配線パターンが形成された第２の基板と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記第１及び第２の基板を前記接着材料を介して密着させ、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と、前記第２の配線パターンの少なくとも一部と、を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の基板を固定する第３工程と、
を含む。
【０００６】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、第１及び第２の配線パターンを接合した後に、接着材料の接着能を発現させて第１及び第２の基板を固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、第１及び第２の配線パターンが接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して第１及び第２の基板を密着させてから、第１及び第２の配線パターンの電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【０００７】
（２）この配線基板の接合方法において、
前記第１の配線パターンは、前記第１の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２工程で、前記第１の基板の前記第１の配線パターンが形成された面と、前記第２の基板の前記第２の配線パターンが形成された面と、を対面させて、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と、前記第２の配線パターンの少なくとも一部と、を接合してもよい。
【０００８】
（３）この配線基板の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方を介して、前記第１及び第２の配線パターンに超音波振動を印加して、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【０００９】
（４）この配線基板の接合方法において、
前記第１の基板には、第１の貫通穴が形成されてなり、前記第１の配線パターンは、前記第１の貫通穴を通って形成されてなり、
前記第２の基板には、第２の貫通穴が形成されてなり、前記第２の配線パターンは、前記第２の貫通穴を通って形成されていてもよい。
【００１０】
（５）この配線基板の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の貫通穴にツールを通して、前記第１及び第２の配線パターンに超音波振動を印加し、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【００１１】
（６）この配線基板の接合方法において、
前記第１の基板には、貫通穴が形成されてなり、
前記第１の配線パターンは、前記第１の基板の一方の面に形成され、かつ、前記貫通穴を通って形成されてなり、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２工程で、前記第１の基板の前記第１の配線パターンが形成された面とは反対の面と、前記第２の基板の前記第２の配線パターンが形成された面と、を対面させ、前記貫通穴にツールを通して前記第１の配線パターンの一部を前記第２の配線パターンに押圧し、前記ツールによって前記第１の配線パターンに超音波振動を印加し、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【００１２】
（７）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板には貫通穴が形成されてなり、
前記貫通穴を介して、前記第１及び第２の配線パターンが接続するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１３】
本発明によれば、片面基板である第１及び第２の基板を使用して、両面基板の機能を果たす配線基板を製造することができる。
【００１４】
（８）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の配線パターンの一方は、前記貫通穴内に形成される屈曲部を有してなり、
前記屈曲部が、前記第１及び第２の配線パターンの他方を押圧するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１５】
（９）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の基板には、それぞれ前記貫通穴が形成されてなり、
前記第１及び第２の配線パターンは、前記貫通穴内に形成される屈曲部を有し、
前記第１の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、前記第２の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、が積層するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１６】
（１０）この配線基板の接合方法において、
前記屈曲部をツールによって形成してもよい。
【００１７】
（１１）この配線基板の接合方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００１８】
（１２）この配線基板の接合方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００１９】
（１３）本発明に係る実装部品の実装方法は、実装部品の電極が形成された面と、基板の配線パターンが形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記接着材料を介して前記実装部品を前記基板に密着させ、前記電極と前記配線パターンとを接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記実装部品と前記基板とを固定する第３工程と、
を含む。
【００２０】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、電極と配線パターンとを接合した後に、接着材料の接着能を発現させて、実装部品と基板とを固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、電極と配線パターンとが接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して実装部品と基板とを密着させてから、電極と配線パターンとの電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【００２１】
（１４）この実装部品の実装方法において、
前記第２工程で、前記実装部品及び前記基板のうち少なくとも一方に超音波振動を印加し、前記実装部品と前記基板とを接合してもよい。
【００２２】
（１５）この実装部品の実装方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００２３】
（１６）この実装部品の実装方法において、
前記実装部品は、半導体チップであってもよい。
【００２４】
（１７）この実装部品の実装方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００２５】
（１８）本発明に係る実装部品の接合方法は、第１の実装部品の第１の電極が形成された面と、第２の実装部品の第２の電極が形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記接着材料を介して前記第１及び第２の実装部品を密着させ、前記第１及び第２の電極を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の実装部品を固定する第３工程と、
を含む。
【００２６】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、第１及び第２の電極を接合した後に、接着材料の接着能を発現させて、第１及び第２の実装部品を固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、第１及び第２の電極が接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して第１及び第２の実装部品を密着させてから、第１及び第２の電極の電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【００２７】
（１９）この実装部品の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の実装部品のうち少なくとも一方に超音波振動を印加し、前記第１の実装部品と前記第２の実装部品とを接合してもよい。
【００２８】
（２０）この実装部品の接合方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００２９】
（２１）この実装部品の接合方法において、
前記第１及び第２の実装部品うちの少なくとも一方は、半導体チップであってもよい。
【００３０】
（２２）この実装部品の接合方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００３１】
（２３）本発明に係る配線基板は、上記方法によって、前記第１及び第２の基板が固定されてなる。
【００３２】
（２４）本発明に係る電子部品は、上記方法によって、前記実装部品が前記基板に実装されてなり、前記基板がインターポーザとなっている。
【００３３】
例えば、実装部品が半導体チップであれば、電子部品は半導体装置である。
【００３４】
（２５）本発明に係る電子部品は、上記方法によって、前記第１及び第２の実装部品が接合されてなる。
【００３５】
例えば、第１及び第２の実装部品のうち少なくとも一方が半導体チップであれば、電子部品は半導体装置である。
【００３６】
（２６）本発明に係る回路基板には、上記電子部品が搭載されている。
【００３７】
（２７）本発明に係る回路基板は、上記方法によって、前記実装部品が前記基板に実装されてなる。
【００３８】
（２８）本発明に係る電子機器は、上記電子部品を備える。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００４０】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【００４１】
本実施の形態で接合されるのは、図１（Ａ）に示す第１の基板１０と、第２の基板２０と、である。第１及び第２の基板１０、２０は、異なる材料から形成されてもよいが、同じ材料で形成されていてもよい。材料として、有機系又は無機系のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成された第１又は第２の基板１０、２０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）や、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された第１又は第２の基板１０、２０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられている。また、第１及び第２の基板１０、２０は、異なる厚みであってもよいし、同じ厚みであってもよい。第１及び第２の基板１０、２０の平面的な大きさ及び形状も、特に限定されない。これらの基板は、多層基板やビルドアップ基板であってもよい。
【００４２】
第１の基板１０の一方の面には、第１の配線パターン１２が形成されている。第１の配線パターン１２は、銅などの導電材料で形成することができる。第１の配線パターン１２が接着材料（図示せず）を介して基板１０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよい。この構成は、例えば、銅箔などの導電箔を基板１０に貼り付けて、これをエッチングして形成することができる。あるいは、第１の配線パターン１２を、接着材料なしで第１の基板１０に形成して２層基板を構成してもよい。この構成は、スパッタリング等によって配線パターン１２を形成して得られる。第１の配線パターン１２は、ハンダ、スズ、金、ニッケルなどでメッキされていることが好ましい。第１及び第２の配線パターン１２、２２の表面間で共晶が作られるような金属メッキが施されていると、後述する金属接合が達成されやすく、好ましい。また、第１の配線パターン１２には、他の導電部材例えば第２の基板２０の第２の配線パターン２２との接合部にバンプが形成されていてもよい。
【００４３】
第２の基板２０の一方の面には、第２の配線パターン２２が形成されており、その詳細については、第１の基板１０及び第１の配線パターン１２について上述した内容を適用してもよい。
【００４４】
また、安定した接合を行うために、第１及び第２の基板１０、２０の少なくとも一方の接合部において、第１又は第２の配線パターン１２、２２に、面積の広いランドを形成してもよい。
【００４５】
（第１工程）
図１（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。接着材料３０は、液状又はゲル状の接着剤であってもよいし、シート状の接着シートであってもよい。接着材料３０は、熱、光、電子線、放射線等のエネルギーによって接着能を発現するものであり、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、光熱硬化性樹脂等を含んでも良い。接着材料３０は、接着能を発現すると硬化することが一般的である。
【００４６】
さらに、接着材料３０中には、被接続体（ここでは第１及び第２の配線パターン１２、２２）同士の電気的な接続性能を向上させるために、導電性物質を含んでいてもよい。電気的に接続異方性を示すように（接続したい部分のみが電気的に接続され、その他の部分間は絶縁性が保たれるように）、導電性物質の濃度は調整されていることが好ましい。導電性物質は、例えば、ロウ材、ハンダ等の粒子で構成され、それらが接着材料３０中に分散している。こうすることで、被接続体（第１及び第２の配線パターン１２、２２）同士の接合時に、その粒子が接合のロウとして働き、接合性をさらに著しく向上することができる。
【００４７】
本実施の形態では、第１及び第２の基板１０、２０を、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面の少なくとも一部同士を対面させて接合する。したがって、第１及び第２の基板１０、２０の、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面のうち、少なくとも一方に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、接着される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。そうすれば、接着材料３０で接合部の周囲を機械的に保護することができる。また、接着材料３０は、第１又は第２の配線パターン１２、２２上にも設けてもよいし、これらを避けて設けてもよい。
【００４８】
（第２工程）
図１（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１及び第２の配線パターン１２、２２の少なくとも一部同士を、例えば対面させて接触させる。
【００４９】
続いて、第１及び第２の配線パターン１２、２２の、接触した部分に金属接合を形成する。例えば、第１及び第２の配線パターン１２、２２に、熱のみ、超音波振動のみ、あるいは超音波振動及び熱などを印加して両者を接合する。接合されると、振動や熱によって第１及び第２の配線パターン１２、２２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。
【００５０】
こうして、第１及び第２の配線パターン１２、２２を接合するが、この第２工程は、上述した接着材料３０が硬化することを避けて行う。すなわち、接着材料３０を硬化させるエネルギーを与えないようにして第２工程を行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程は熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。もちろん、硬化が激しく進まない範囲で、熱や光を弱く加え、接着材料３０の流動性を上げ、接合性を向上させてもよい。
【００５１】
図１（Ｂ）に示す例では、ツール３２、３４で超音波振動を第１及び第２の配線パターン１２、２２に印加する。詳しくは、ツール３２、３４で、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面とは反対側の面から、第１及び第２の基板１０、２０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、第１及び第２の基板１０、２０の間に介在する接着材料３０が押し出されて、両者が接触する。そして、ツール３２、３４のうち少なくとも一方によって、第１及び第２の基板１０、２０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。こうして、第１及び第２の配線パターン１２、２２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００５２】
なお、接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、熱のみ、あるいは超音波及び熱を加えて第２工程を行ってもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００５３】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図１（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、エネルギー３６として熱を接着材料３０に与える。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、エネルギー３６として光を接着材料３０に与える。こうして、第１及び第２の基板１０、２０を固定することができる。なお、接着材料３０の接着能が発現すると、一般的には接着材料３０は３次元硬化する（キュアされる）。
【００５４】
以上の工程によって、図１（Ｃ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０が接合されてなる配線基板が得られる。配線基板は、第１及び第２の配線パターン１２、２２が接合されることで電気的に接続されてなる。配線基板は、例えば半導体装置などの電子部品において、半導体チップなどの実装部品のインターポーザなどとして使用することができる。
【００５５】
本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、第１及び第２の配線パターン１２、２２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、第１及び第２の基板１０、２０を密着させるので空気の巻き込みなどによる気泡が形成され難い。
【００５６】
なお、本発明は、上述した第１の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本実施の形態では、基板の片面に配線パターンを形成した基板同士を重ね合わせる例について述べたが、ビルドアップ基板を含む多層基板同士を接合したり、多層基板と片面基板とを接合してもよい。さらに、第１又は第２の基板１０、２０の配線パターン１２、２２の少なくとも一部は、他方の基板の配線パターン間をまたぐジャンパーリードのように形成されていても良い。こうすることで、基板に多層の配線パターンが必要になっても、片面基板で疑似的な多層構造を安価に構成することができる。
【００５７】
以下、本発明のその他の実施の形態を説明する。以下の実施の形態でも、上述した第１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００５８】
（第２の実施の形態）
図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の基板４０、５０が使用される。第１及び第２の基板４０、５０には、第１及び第２の配線パターン４２、５２が形成されている。第１及び第２の配線パターン４２、５２には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００５９】
第１及び第２の基板４０、５０には、少なくとも１つの（１つ又複数の）第１及び第２の貫通穴４４、５４が形成されている点を除き、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。第１及び第２の貫通穴４４、５４は、第１及び第２の基板４０、５０の接合される領域に形成されている。また、第１及び第２の貫通穴４４、５４の内側を通って、第１及び第２の配線パターン４２、５２が形成されている。
【００６０】
詳しくは、第１又は第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口を塞いで形成されていてもよい。例えば、第１及び第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口よりも大きいランド部を有し、このランド部が第１又は第２の貫通穴４４、５４を塞いでいてもよい。あるいは、第１又は第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の直径又は幅よりも小さい幅の接続部を有し、この接続部が第１又は第２の貫通穴４４、５４を通っていてもよい。この場合、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口の一部が塞がれないようになる。第１又は第２貫通穴４４、５４は、線状のスリットとなっていてもよい。
【００６１】
（第１工程）
図２（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板４０、５０の少なくとも一方の、接合される領域に接着材料３０を設ける。上述したように、接合される領域には、第１及び第２の貫通穴４４、５４が形成されている。第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口が塞がれている場合には、接着材料３０が、第１又は第２の貫通穴４４、５４の中に入らないので好ましい。その他の構成及び工程は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００６２】
（第２工程）
図２（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板４０、５０を、接着材料３０を介して密着させる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。続いて、第１及び第２の配線パターン４２、５２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００６３】
図２（Ｂ）に示す例では、ツール３２、３４を、第１及び第２の貫通穴４４、５４に通して、第１及び第２の配線パターン４２、５２に超音波振動を印加する。すなわち、第１及び第２の基板４０、５０を介することなく、第１及び第２の配線パターン４２、５２に、直接熱や超音波振動を印加する。そのため、接合エネルギーを第１及び第２の配線パターン４２、５２に伝達でき、接合の信頼性を向上させることができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。こうして、第１及び第２の配線パターン４２、５２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００６４】
（第３工程）
次に、図２（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させる。その詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６５】
本実施の形態でも、接着材料３０の空気の巻き込みなどによる気泡の形成をなくし、電気的な接続も含めた接合の信頼性を向上させることができる。
【００６６】
（第３の実施の形態）
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の基板６０、７０が使用される。第１及び第２の基板６０、７０には、第１及び第２の配線パターン６２、７２が形成されている。第１及び第２の配線パターン６２、７２には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６７】
第１の基板６０には、少なくとも１つの（１つ又複数の）貫通穴６４が形成されている点を除き、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。貫通穴６４は、第２の実施の形態で説明した第１及び第２の貫通穴４４、５４の内容を適用することができる。
【００６８】
（第１工程）
図３（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板６０、７０のうち少なくとも一方の、接合される領域に、接着材料３０を設ける。本実施の形態では、第１の基板６０の、第１の配線パターン６２が形成された面とは反対側の面の少なくとも一部か、あるいは第２の基板７０の第２の配線パターン７２が形成された面の少なくとも一部か、あるいはその両方に、接着材料３０を設ける。第１の基板６０の貫通穴６４が、接合される領域に形成されているので、貫通穴６４に接着材料３０が入り込まないように、第１の配線パターン６２が貫通穴６４を塞いでいることが好ましい。。その他の詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６９】
（第２工程）
図３（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板６０、７０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１の基板６０の第１の配線パターン６２が形成された面とは反対の面の少なくとも一部と、第２の基板７０の第２の配線パターン７２が形成された面の少なくとも一部と、を対面させる。
【００７０】
続いて、第１及び第２の配線パターン６２、７２を接触させる。例えば、第１の基板６０の貫通穴６４の上で、第１の配線パターン６２の一部を、ツール３２によって貫通穴６４内の方向に押圧する。そして、第１の基板６０の貫通穴６４にツール３２を通して、第１の配線パターン６２の一部を第２の配線パターン７２に接触させる。
【００７１】
そして、第１及び第２の配線パターン６２、７２の、接触した部分に金属接合を形成する。例えば、ツール３２を第１の配線パターン６２に当てて、ツール３４を第２の基板７０に当てて、ツール３２、３４の少なくとも一方から熱や超音波振動等を印加して金属接合を形成する。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００７２】
なお、予め第１工程か、それ以前の工程で貫通穴内部へ配線パターンを押圧し、もぐり込ませ、配線パターン形成面とは逆の面に配線パターンが露出しているようにしておいてもよい。
【００７３】
（第３工程）
図３（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させる。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、第１及び第２の基板６０、７０を接合することができる。本実施の形態に係る接合方法にて第１及び第２の基板６０、７０が接合されてなる配線基板は、第１及び第２の配線パターン６２、７２が同じ方向を向いている点で、第１及び第２の実施の形態で説明した配線基板と異なる。第１及び第２の実施の形態で説明した配線基板は、第１及び第２の配線パターン１２、２２（４２、５２）が対面している。
【００７４】
本実施の形態でも、接着材料３０の空気の巻き込みなどによる気泡の形成をなくし、電気的な接続も含めた接合の信頼性を向上させることができる。
【００７５】
（第４の実施の形態）
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る実装部品の実装方法を示す図である。本実施の形態で接合されるのは、図４（Ａ）に示す実装部品８０と、基板９０と、である。
【００７６】
実装部品８０は表面実装部品であってもよい。実装部品８０の代表的な例として半導体チップが挙げられる。半導体チップは、ベアチップ（フリップチップ）である。あるいは、実装部品８０は、パッケージ部品であってもよい。実装部品８０は、半導体チップ以外のチップ部品であってもよい。チップ部品は、能動部品であっても受動部品であってもよく、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズ等が挙げられる。
【００７７】
実装部品８０は、複数の電極８２を有する。電極８２は、バンプであることが好ましい。詳しくは、実装部品８０の基板９０への実装面には、内部回路と電気的に接続されるパッドが形成されており、そのパッドにさらにバンプが形成されていることが多い。バンプは、金又はハンダで形成されることが多い。バンプが形成されないときにはパッドのみが電極８２であり、バンプが形成されるときにはバンプが電極８２である。
【００７８】
基板９０には、配線パターン９２が形成されている。配線パターン９２には、上述した電極８２との接合部にバンプが形成されていてもよい。基板９０及び配線パターン９２には、第１の実施の形態で説明した第１又は第２の基板１０、２０並びに第１及び第２の配線パターン１２、２２と同じ構成を適用してもよい。基板９０は、半導体チップ等の実装部品８０が搭載されるインターポーザとされてもよい。
【００７９】
以下に説明する実施の形態又は第５、６、７の実施の形態では、基板の配線パターン形成面と実装部品が重なる形で配置されているが、基板の配線パターン形成面とは逆の面から、基板に形成された孔、スリット等を通して、実装部品が配線パターンと電気的に接合され、接着材料を挟んで固定されているようにしてもよい。
【００８０】
電極８２と配線パターン９２との接合と、実装部品接着の工程とを分離し、空気の巻き込みなどによる気泡を低減し、実装部品の実装信頼性を向上しようとするのが、本実施の形態の目的とするところである。
【００８１】
（第１工程）
図４（Ａ）に示すように、実装部品８０及び基板９０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。詳しくは、実装部品８０の電極８２が形成された面と、基板９０の配線パターン９２が形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、実装部品８０及び基板９０の接合される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。こうすることで、実装部品８０の周囲に接着材料３０のフィレットを作り出すことができ、特に耐湿性などの実装信頼性を向上することができる。また、接着材料３０は、配線パターン９２上にも設けてもよいし、これを避けて設けてもよい。こうすることで、配線パターン９２が露出しなくなり、配線パターン９２の絶縁信頼性を保持することができる。接着材料３０は、第１の実施の形態で使用したものを用いればよいが、実装部品８０と基板９０との熱膨張差で発生する応力を緩和するように可撓性を有する樹脂であることが望ましい。さらに、この樹脂中に導電性物質が混入されたほうが好ましいことは前述した通りである。これらは、以下の実施の形態で述べる実装部品の実装方法でも共通である。
【００８２】
基板９０は、第１の実施の形態で説明したものを用いることができる。配線パターン９２の表面には、金、スズ、ハンダ等のメッキが施されていることが多く、バンプの金属との間で共晶が作られる金属がメッキされていると、後述する金属接合がより達成されやすく、好ましい。
【００８３】
（第２工程）
図４（Ｂ）に示すように、実装部品８０及び基板９０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、実装部品８０の電極８２と、基板９０に形成された配線パターン９２とを、例えば対面させて接触させる。続いて、電極８２及び配線パターン９２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００８４】
図４（Ｂ）に示す例では、ツール９４、９６で超音波振動を、実装部品８０及び基板９０を介して、電極８２及び配線パターン９２に印加する。詳しくは、ツール９４、９６で、実装部品８０及び基板９０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、実装部品８０及び基板９０の間に介在する接着材料３０が押し出されて、電極８２及び配線パターン９２が接触する。そして、ツール９４、９６のうち少なくとも一方によって、実装部品８０及び基板９０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。超音波振動によって電極８２及び配線パターン９２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。こうして、電極８２及び配線パターン９２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００８５】
この第２工程でも、第１の実施の形態と同様に接着材料３０が硬化することを避けて行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程では熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、第２工程で、熱のみ、あるいは超音波振動とともに熱を加えてもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００８６】
また、基板９０を、ツール９６の代わりにテーブル又は台に載せて、ツール９４から、電極８２及び配線パターン９２に対して超音波振動を印加してもよい。また、その両方を併用してもよい。
【００８７】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図４（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。その詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００８８】
以上の工程によって、図４（Ｃ）に示すように、実装部品８０が基板９０に実装される。すなわち、上述した方法で実装部品８０が基板９０に実装されてなる回路基板が得られる。
【００８９】
本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、電極８２及び配線パターン９２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、実装部品８０及び基板９０を密着させるので気泡が形成され難い。
【００９０】
（第５の実施の形態）
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る実装部品の接合方法を示す図である。本実施の形態で接合されるのは、図５（Ａ）に示す第１及び第２の実装部品１００、１１０である。これらはもちろん、半導体チップ同士であってもよい。
【００９１】
第１及び第２の実装部品１００、１１０には、第４の実施の形態で説明した実装部品８０の内容を適用することができる。第１及び第２の実装部品１００、１１０は、それぞれ複数の第１及び第２の電極１０２、１１２を有する。第１又は第２の電極１０２、１１２にも、第４の実施の形態で説明した電極８２の内容を適用することができる。双方の電極１０２、１１２は共晶を形成するような金属で形成されていれば、より容易に後述する金属接合が形成されやすく、好ましい。
【００９２】
本実施の形態では、第１又は第２の電極１０２、１１２は、対向する位置に形成されている。例えば、第２の実装部品１１０が、第１の実装部品１００よりも小さい場合には、小さい方の第２の実装部品１１０の周辺部（端部）に第２の電極１１２が形成され、大きい方の第１の実装部品１００の中央部（周辺部よりも中央側の部分）に第１の電極１０２が形成されていてもよい。第１及び第２の実装部品１００、１１０の大小関係が逆であれば、第１及び第２の電極１０２、１１２の位置関係も逆になる。
【００９３】
また、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち、大きい方には、さらに外部との接続のための電極１０４を設けてもよい。
【００９４】
（第１工程）
図５（Ａ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。詳しくは、第１及び第２の実装部品１００、１１０の、第１及び第２の電極１０２、１１２が形成された面の少なくとも一部同士に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、第１及び第２の実装部品１００、１１０の、接合される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。また、接着材料３０は、第１及び第２の電極１０２、１１２上にも設けてもよいし、これらを避けて設けてもよい。
【００９５】
（第２工程）
図５（Ｂ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１及び第２の電極１０２、１１２を、例えば対面させて接触させる。続いて、第１及び第２の電極１０２、１１２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００９６】
図５（Ｂ）に示す例では、ツール１１４、１１６で超音波振動を、第１及び第２の実装部品１００、１１０を介して、第１及び第２の電極１０２、１１２に印加する。詳しくは、ツール１１４、１１６で、第１及び第２の実装部品１００、１１０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、第１及び第２の電極１０２、１１２間に介在する接着材料３０が押し出されて、両者が接触する。そして、ツール１１４、１１６のうち少なくとも一方によって、第１及び第２の実装部品１００、１１０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。超音波振動によって第１及び第２の電極１０２、１１２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。こうして、第１及び第２の電極１０２、１１２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００９７】
この第２工程でも、第１の実施の形態と同様に接着材料３０が硬化することを避けて行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程では熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、第２工程で、超音波振動とともに熱を加えてもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００９８】
また、第１及び第２の実装部品１００、１１０の一方（例えば図５（Ｂ）において大きい方の第１の実装部品１００）を、ツール１１６の代わりにテーブル又は台に載せて、ツール１１４から、第１及び第２の電極１０２、１１２に対して超音波振動を印加してもよい。
【００９９】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図５（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。その詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【０１００】
以上の工程によって、図５（Ｃ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０が接合されてなる電子部品が得られる。本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、第１及び第２の電極１０２、１１２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、第１及び第２の実装部品１００、１１０を密着させるので気泡が形成され難い。
【０１０１】
図６は、第５の実施の形態で説明した工程で製造された電子部品が実装された回路基板を示す図である。
【０１０２】
電子部品１２０は、第１及び第２の実装部品１００、１１０の少なくとも一方が半導体チップであれば、半導体装置である。電子部品１２０は、ハンダボール等からなる複数の外部端子１２２を有する。例えば、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち大きい方（図６では第１の実装部品１００）に形成された複数の電極１０４に、外部端子１２２が形成されている。
【０１０３】
図６で、電子部品１２０は、回路基板１２４に実装されている。回路基板１２４には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１２４には例えば銅からなる配線パターン１２６が所望の回路となるように形成されていて、その配線パターン１２６と電子部品１２０の外部端子１２２とを接続することでそれらの電気的導通が図られている。
【０１０４】
（第６の実施の形態）
図７は、本発明を適用して製造された第６の実施の形態に係る電子部品を示す図である。図７に示す電子部品は、実装部品１３０及び基板１４０を含む。実装部品１３０及び基板１４０には、第４の実施の形態で説明した実装部品８０及び基板９０の内容を適用することができる。また、第４の実施の形態で説明した実装方法を適用して、接着材料３０によって、実装部品１３０及び基板１４０が固定されており、実装部品１３０の電極１３２及び基板１４０の配線パターン１４２が接合されている。
【０１０５】
基板１４０には、複数の貫通穴１４４が形成されている。貫通穴１４４は、配線パターン１４２に複数の外部端子１４６を電気的に接続するためのものである。すなわち、基板１４０における配線パターン１４２が形成された面とは反対側に突出する外部端子１４６が、貫通穴１４４を介して配線パターン１４２に電気的に接続されて設けられている。例えば、配線パターン１４２が貫通穴１４４上を通るようになっていれば、貫通穴１４４を介して、配線パターン１４２上に外部端子１４６を設けることができる。外部端子１４６は、ハンダ等で形成することができる。例えば、貫通穴１４４内に盛り上がった状態でクリームハンダを設け、これを溶融させてボール状の端子を形成してもよい。あるいは、貫通穴１４４内にハンダを設けたり、導電材料のメッキなどを施し、ハンダボールを搭載して外部端子１４６を設けてもよい。
【０１０６】
本実施の形態では、片面に配線パターンを有する基板（片面基板）を使用して、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置を製造する例を述べたが、両面基板や多層基板、ビルドアップ基板を用いてももちろんよく、その場合には、実装部品が実装された面とは逆の面のランドに、直接外部端子を形成するようにしてもよい。
【０１０７】
また、外部端子１４６は必ずしも必要ではなく、基板の延出部をコネクタとしたり、コネクタを実装するなどの手段で配線を外部へ拡張させてもよいし、半導体チップ及びそれ以外の実装部品を基板上に実装して、半導体モジュールを構成してもよい。
【０１０８】
（第７の実施の形態）
図８は、本発明を適用して製造された第７の実施の形態に係る電子部品を示す図である。図８に示す電子部品は、第１及び第２の基板１５０、１６０と、第１及び第２の実装部品１７０、１８０と、を含む。
【０１０９】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、それぞれ、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２が形成されている。第１及び第２の基板１５０、１６０は、それぞれの第１及び第２の配線パターン１５２、１６２を同じ方向に向けて重ねられて、接着材料３０によって接着固定されている。接着材料３０には、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１０】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、それぞれ少なくとも１つ（すなわち１つ又は複数）の第１及び第２の貫通穴１５４、１６４が形成されている。第１及び第２の配線パターン１５２、１６２は、それぞれ第１及び第２の貫通穴１５４、１６４上を通っている。詳しくは、第２の実施の形態で、第１及び第２の配線パターン４２、５２及び第１及び第２の貫通穴４４、５４について説明した内容（図２（Ａ）〜図２（Ｃ）参照）が適用される。
【０１１１】
第１の基板１５０の第１の配線パターン１５２は、第１及び第２の基板１５０、１６０に形成された第１及び第２の貫通穴１５４、１６４を介して、第２の基板１６０の第２の配線パターン１６２に接合されている。その接合方法には、第３の実施の形態で説明した内容を適用することができる。すなわち、図３（Ｂ）に示すツール３２を第１及び第２の貫通穴１５４、１６４に通して第１の配線パターン１５２の一部を屈曲させ、このツール３２と、もう１つのツール３４とで、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２を接合する。
【０１１２】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が実装されている。第１及び第２の実装部品１７０、１８０には、第４の実施の形態で説明した内容が該当する。また、第１及び第２の実装部品１７０、１８０は、第４の実施の形態で説明した方法で、接着材料３０を使用して第１及び第２の基板１５０、１６０に固定されるとともに、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２と接合されている。
【０１１３】
第１の基板１５０には、第１の配線パターン１５２と電気的に接続された複数の外部端子１５６が設けられている。その詳細は、第６の実施の形態（図７参照）で説明した内容が該当する。
【０１１４】
以上の説明では、第１及び第２の基板１５０、１６０の接合と、第１及び第２の実装部品１７０、１８０の実装と、の両方に本発明を適用したが、いずれか一方のみに本発明を適用してもよい。例えば、第１及び第２の実装部品１７０、１８０の実装に、ワイヤーボンディング法によるフェースアップ方式、フライングリードによるＴＡＢ方式を適用してもよい。
【０１１５】
本実施の形態では、第１の基板１５０が屈曲している。また、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が接着されている。詳しくは、第１の実装部品１７０における第１の基板１５０への搭載面とは反対側の面と、第２の実装部品１８０における第２の基板１６０への搭載面とは反対側の面と、が接着されている。接着には、接着剤１９０を使用することができる。あるいは、粘着剤を使用したり、かしめ、フリップ等の機械的な方法によって第１の基板１５０の屈曲を維持させてもよい。
【０１１６】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が積み重ねられて小型化されている。第１の基板１５０が第２の基板１６０から複数方向に延出している場合は、複数方向から第１の基板１５０が折り畳まれてもよい。また、複数の実装部品が搭載される場合は、それぞれの実装部品の間で第１の基板１５０が折り畳まれてもよい。
【０１１７】
本実施の形態に係る電子部品の製造方法は、第１の基板１５０を屈曲させて、第１の基板１５０上に搭載された第１の実装部品１７０と、第２の基板１６０上に搭載された第２の実装部品１８と、を接着する工程を含む。なお、外部端子１５６は、第１の基板１５０を屈曲させる前に設けてもよいし、第１の基板１５０を屈曲させてから設けてもよい。
【０１１８】
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図９には、ノート型パーソナルコンピュータ２００及び携帯電話３００が示されている。
【０１１９】
（第８の実施の形態）
図１０は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１２０】
本実施の形態では、第１の配線パターン４１２の一部が、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８内に入り込んで第２の配線パターン４２２に接続されている。詳しくは、貫通穴４１８の内部に、第１の配線パターン４１２の一部からなる屈曲部４６０が、ツール４６２により押圧されることで形成されている。屈曲部４６０は、第２の配線パターン４２２に接触している。貫通穴４２８中の第２の配線パターン４２２を屈曲時の加圧方向とは逆方向から保持すると接触が容易となる。ツール４６２の一点又は複数点を一括して加熱し、屈曲部４６０と第２の配線パターン４２２とをハンダ付け、ロウ付けしてもよく、導電接着剤等で接合してもよい。また、ツール４６２に超音波を印加する超音波接合を適用してもよい。また、ツール４６２の代わりにシングルポイントボンダを用いて１点ずつ屈曲部４６０と第２の配線パターン４２２とを接合してもよい。この際、貫通穴４２８中の第２の配線パターン４２２を、屈曲時の加圧方向とは逆方向から保持してもよい。その前提として、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８は、第２の配線パターン４２２上に位置している。なお、屈曲部４６０は、一部が破断していてもよい。また、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。
【０１２１】
本実施の形態によれば、屈曲部４６０によって、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の電気的接続が図られている。図１０に示すように、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、が連通する位置に形成されていてもよい。この場合、第２の配線パターン４２２が貫通穴４２８上に形成されているときには、第２の配線パターン４２２の一部が貫通穴４２８の内部に入り込んでもよい。
【０１２２】
あるいは、図１１に示すように、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、がずれた位置に形成されていてもよい。この場合、屈曲部４６４は、第２の配線パターン４２２における第２の基板４２０に密着する部分に接触又は接合される。その方法は、前述した通りである。
【０１２３】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１２４】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１２５】
詳しくは、ツール４６２を使用して第１の配線パターン４１２の一部を貫通穴４１８に入り込ませる。第１の基板４１０の貫通穴４１８上を第１の配線パターン４１２が通っており、第１の配線パターン４１２における貫通穴４１８上の部分を、ツール４６２によって貫通穴４１８内に入り込ませる。こうして、屈曲部４６０を形成することができる。屈曲部４６０を、第２の配線パターン４２２に押圧させることで、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２を接合する。屈曲部４６０を形成する工程と、接合する工程は、第１の配線パターン４１２を曲げながら第２の配線パターン４２２に接合することで同一工程で行うこともでき、その場合、工程数を削減できる。なお、第２の基板４２０は、平面的に支える治具で保持してもよい。屈曲部４６０は、その一部が破断された状態で形成してもよい。
【０１２６】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【０１２７】
（第９の実施の形態）
図１２は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１２８】
本実施の形態では、第２の配線パターン４２２の一部が、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８内に入り込んで第１の配線パターン４１２に接続されている。詳しくは、貫通穴４１８の内部に、第２の配線パターン４２２の一部からなる屈曲部４６６が形成されている。屈曲部４６６は、第１の配線パターン４１２に接触又は接合している。なお、屈曲部４６６は、図１２に示すようにその一部が破断されていてもよいし、図１０に示す屈曲部４６０のように破断のない連続的な形状であってもよい。なお、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。本実施の形態によれば、屈曲部４６６によって、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の電気的接続が図られている。
【０１２９】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１３０】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１３１】
詳しくは、ツール４６８を使用して第２の配線パターン４２２の一部を貫通穴４１８に入り込ませる。この工程を行うには、第２の基板４２０の貫通穴４２８と、第１の基板４１０の貫通穴４１８と、が連通する位置に形成されていることが好ましい。ツール４６８を、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面とは反対側から、貫通穴４２８内に挿入する。そして、ツール４６８によって第２の配線パターン４２２を、貫通穴４１８内に入り込ませて第１の配線パターン４１２に接合する。こうして、屈曲部４６６を形成することができる。もちろん、複数の凸部を有するツールで複数点（複数箇所）を一括して接合してもよい。
【０１３２】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【０１３３】
（第１０の実施の形態）
図１３は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１３４】
本実施の形態では、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。
【０１３５】
また、第２の配線パターン４２２の一部が、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８内に入り込んで外部端子４７０を形成している。第２の配線パターン４２２は、外部端子４７０の少なくとも外壁部となっている。また、第１の配線パターン４１２の一部が、第１及び第２の基板４１０、４２０に形成された貫通穴４１８、４２８内に入り込んで第２の配線パターン４２２と積層している。
【０１３６】
第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、が連通する位置に形成されている。第１の配線パターン４１２の一部は、第２の基板４２０の貫通穴４２８内に入り込んで、外部端子４７０の内壁部となる。
【０１３７】
本実施の形態によれば、第２の配線パターン４２２の一部あるいは第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の一部によって外部端子４７０が形成されるので、別部材としての外部端子が不要になり部品点数を減らすことができる。
【０１３８】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１３９】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１４０】
詳しくは、図１０に示すツール４６２を使用して第１の配線パターン４１２の一部を貫通穴４１８に入り込ませ、さらに、第２の配線パターン４２２を貫通穴４２８に入り込ませて、両者を積層させればよい。外部端子４７０を、第２の基板４２０から突出させたいときは、第２の配線パターン４２２の一部を第２の基板４２０から突出させる。外部端子４７０を、第２の基板４２０から突出させる必要がないときは、第２の配線パターン４２２の一部を貫通穴４２８の内部で止めてもよい。
【０１４１】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る実装部品の実装方法を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る実装部品の接合方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る方法で得られた電子部品が実装された回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る電子部品を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る電子部品を示す図である。
【図９】図９は、本発明に係る方法を適用して製造された電子部品を備える電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板
１２ 第１の配線パターン
２０ 第２の基板
２２ 第２の配線パターン
３０ 接着材料
３２、３４ ツール
３６ エネルギー
４０ 第１の基板
４２ 第１の配線パターン
４４ 第１の貫通穴
５０ 第２の基板
５２ 第２の配線パターン
５４ 第２の貫通穴
６０ 第１の基板
６２ 第１の配線パターン
６４ 貫通穴
７０ 第２の基板
７２ 第２の配線パターン
８０ 実装部品
８２ 電極
９０ 基板
９２ 配線パターン
９４、９６ ツール
１００ 第１の実装部品
１０２ 第１の配線パターン
１０４ 電極
１１０ 第２の実装部品
１１２ 第２の配線パターン
１１４、１１６ ツール
１２０ 電子部品
１２４ 回路基板
１３０ 実装部品
１３２ 電極
１４０ 基板
１４２ 配線パターン
１４４ 貫通穴
１５０ 第１の基板
１５２ 第１の配線パターン
１５４ 第１の貫通穴
１６０ 第２の基板
１６２ 第２の配線パターン
１６４ 第２の貫通穴
１７０ 第１の実装部品
１８０ 第２の実装部品
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線基板及びその接合方法、実装部品の実装及び接合方法、電子部品、回路基板並びに電子機器に関する。
【０００２】
【発明の背景】
従来、フェースダウンボンディングを適用して実装された半導体チップと基板との間には、接合部を固定するとともに湿気から守るために、樹脂を充填していた。しかしながら、隙間が狭いために樹脂が回り込みにくいので、気泡が残ることがあり、接合部の信頼性を保てないことがあった。
【０００３】
あるいは、例えば特開平７−９９２１８号公報に記載されるように、接着材料を硬化させながら半導体チップを基板にフェースダウンボンディングする方法が知られている。しかしながら、この方法によれば、半導体チップのバンプと、基板に形成された配線パターンとの電気的な接合が不十分なうちに、接着材料が硬化することが考えられる。したがって、接合部の信頼性のさらなる向上が求められる。
【０００４】
本発明は、この問題点を解決するものであり、その目的は、導電部材同士の接合部の信頼性が高い配線基板及びその接合方法、実装部品の実装及び接合方法、電子部品、回路基板並びに電子機器を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
（１）本発明に係る配線基板の接合方法は、第１の配線パターンが形成された第１の基板と、第２の配線パターンが形成された第２の基板と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記第１及び第２の基板を前記接着材料を介して密着させ、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と、前記第２の配線パターンの少なくとも一部と、を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の基板を固定する第３工程と、
を含む。
【０００６】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、第１及び第２の配線パターンを接合した後に、接着材料の接着能を発現させて第１及び第２の基板を固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、第１及び第２の配線パターンが接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して第１及び第２の基板を密着させてから、第１及び第２の配線パターンの電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【０００７】
（２）この配線基板の接合方法において、
前記第１の配線パターンは、前記第１の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２工程で、前記第１の基板の前記第１の配線パターンが形成された面と、前記第２の基板の前記第２の配線パターンが形成された面と、を対面させて、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と、前記第２の配線パターンの少なくとも一部と、を接合してもよい。
【０００８】
（３）この配線基板の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方を介して、前記第１及び第２の配線パターンに超音波振動を印加して、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【０００９】
（４）この配線基板の接合方法において、
前記第１の基板には、第１の貫通穴が形成されてなり、前記第１の配線パターンは、前記第１の貫通穴を通って形成されてなり、
前記第２の基板には、第２の貫通穴が形成されてなり、前記第２の配線パターンは、前記第２の貫通穴を通って形成されていてもよい。
【００１０】
（５）この配線基板の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の貫通穴にツールを通して、前記第１及び第２の配線パターンに超音波振動を印加し、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【００１１】
（６）この配線基板の接合方法において、
前記第１の基板には、貫通穴が形成されてなり、
前記第１の配線パターンは、前記第１の基板の一方の面に形成され、かつ、前記貫通穴を通って形成されてなり、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２工程で、前記第１の基板の前記第１の配線パターンが形成された面とは反対の面と、前記第２の基板の前記第２の配線パターンが形成された面と、を対面させ、前記貫通穴にツールを通して前記第１の配線パターンの一部を前記第２の配線パターンに押圧し、前記ツールによって前記第１の配線パターンに超音波振動を印加し、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合してもよい。
【００１２】
（７）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の基板の少なくとも一方の基板には貫通穴が形成されてなり、
前記貫通穴を介して、前記第１及び第２の配線パターンが接続するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１３】
本発明によれば、片面基板である第１及び第２の基板を使用して、両面基板の機能を果たす配線基板を製造することができる。
【００１４】
（８）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の配線パターンの一方は、前記貫通穴内に形成される屈曲部を有してなり、
前記屈曲部が、前記第１及び第２の配線パターンの他方を押圧するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１５】
（９）この配線基板の接合方法において、
前記第１及び第２の基板には、それぞれ前記貫通穴が形成されてなり、
前記第１及び第２の配線パターンは、前記貫通穴内に形成される屈曲部を有し、
前記第１の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、前記第２の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、が積層するように、前記第１及び第２の基板を配置してもよい。
【００１６】
（１０）この配線基板の接合方法において、
前記屈曲部をツールによって形成してもよい。
【００１７】
（１１）この配線基板の接合方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００１８】
（１２）この配線基板の接合方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００１９】
（１３）本発明に係る実装部品の実装方法は、実装部品の電極が形成された面と、基板の配線パターンが形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記接着材料を介して前記実装部品を前記基板に密着させ、前記電極と前記配線パターンとを接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記実装部品と前記基板とを固定する第３工程と、
を含む。
【００２０】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、電極と配線パターンとを接合した後に、接着材料の接着能を発現させて、実装部品と基板とを固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、電極と配線パターンとが接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して実装部品と基板とを密着させてから、電極と配線パターンとの電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【００２１】
（１４）この実装部品の実装方法において、
前記第２工程で、前記実装部品及び前記基板のうち少なくとも一方に超音波振動を印加し、前記実装部品と前記基板とを接合してもよい。
【００２２】
（１５）この実装部品の実装方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００２３】
（１６）この実装部品の実装方法において、
前記実装部品は、半導体チップであってもよい。
【００２４】
（１７）この実装部品の実装方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００２５】
（１８）本発明に係る実装部品の接合方法は、第１の実装部品の第１の電極が形成された面と、第２の実装部品の第２の電極が形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記接着材料を介して前記第１及び第２の実装部品を密着させ、前記第１及び第２の電極を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の実装部品を固定する第３工程と、
を含む。
【００２６】
本発明によれば、接着材料が硬化することを避けながら、第１及び第２の電極を接合した後に、接着材料の接着能を発現させて、第１及び第２の実装部品を固定する。したがって、接着剤が硬化する前に、第１及び第２の電極が接合されるので、接合部の信頼性が向上する。また、接着材料を介して第１及び第２の実装部品を密着させてから、第１及び第２の電極の電気的接続を行うので、接着材料の回りに難さに起因する気泡の発生がなく、狭い隙間に接着材料を注入する工程も不要であるから工程時間を短縮することができる。
【００２７】
（１９）この実装部品の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の実装部品のうち少なくとも一方に超音波振動を印加し、前記第１の実装部品と前記第２の実装部品とを接合してもよい。
【００２８】
（２０）この実装部品の接合方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与えてもよい。
【００２９】
（２１）この実装部品の接合方法において、
前記第１及び第２の実装部品うちの少なくとも一方は、半導体チップであってもよい。
【００３０】
（２２）この実装部品の接合方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入していてもよい。
【００３１】
（２３）本発明に係る配線基板は、上記方法によって、前記第１及び第２の基板が固定されてなる。
【００３２】
（２４）本発明に係る電子部品は、上記方法によって、前記実装部品が前記基板に実装されてなり、前記基板がインターポーザとなっている。
【００３３】
例えば、実装部品が半導体チップであれば、電子部品は半導体装置である。
【００３４】
（２５）本発明に係る電子部品は、上記方法によって、前記第１及び第２の実装部品が接合されてなる。
【００３５】
例えば、第１及び第２の実装部品のうち少なくとも一方が半導体チップであれば、電子部品は半導体装置である。
【００３６】
（２６）本発明に係る回路基板には、上記電子部品が搭載されている。
【００３７】
（２７）本発明に係る回路基板は、上記方法によって、前記実装部品が前記基板に実装されてなる。
【００３８】
（２８）本発明に係る電子機器は、上記電子部品を備える。
【００３９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。
【００４０】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【００４１】
本実施の形態で接合されるのは、図１（Ａ）に示す第１の基板１０と、第２の基板２０と、である。第１及び第２の基板１０、２０は、異なる材料から形成されてもよいが、同じ材料で形成されていてもよい。材料として、有機系又は無機系のいずれの材料であってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。有機系の材料から形成された第１又は第２の基板１０、２０として、例えばポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板が挙げられる。フレキシブル基板として、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）や、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）技術で使用されるテープを使用してもよい。また、無機系の材料から形成された第１又は第２の基板１０、２０として、例えばセラミック基板やガラス基板が挙げられる。有機系及び無機系の材料の複合構造として、例えばガラスエポキシ基板が挙げられている。また、第１及び第２の基板１０、２０は、異なる厚みであってもよいし、同じ厚みであってもよい。第１及び第２の基板１０、２０の平面的な大きさ及び形状も、特に限定されない。これらの基板は、多層基板やビルドアップ基板であってもよい。
【００４２】
第１の基板１０の一方の面には、第１の配線パターン１２が形成されている。第１の配線パターン１２は、銅などの導電材料で形成することができる。第１の配線パターン１２が接着材料（図示せず）を介して基板１０に貼り付けられて、３層基板を構成してもよい。この構成は、例えば、銅箔などの導電箔を基板１０に貼り付けて、これをエッチングして形成することができる。あるいは、第１の配線パターン１２を、接着材料なしで第１の基板１０に形成して２層基板を構成してもよい。この構成は、スパッタリング等によって配線パターン１２を形成して得られる。第１の配線パターン１２は、ハンダ、スズ、金、ニッケルなどでメッキされていることが好ましい。第１及び第２の配線パターン１２、２２の表面間で共晶が作られるような金属メッキが施されていると、後述する金属接合が達成されやすく、好ましい。また、第１の配線パターン１２には、他の導電部材例えば第２の基板２０の第２の配線パターン２２との接合部にバンプが形成されていてもよい。
【００４３】
第２の基板２０の一方の面には、第２の配線パターン２２が形成されており、その詳細については、第１の基板１０及び第１の配線パターン１２について上述した内容を適用してもよい。
【００４４】
また、安定した接合を行うために、第１及び第２の基板１０、２０の少なくとも一方の接合部において、第１又は第２の配線パターン１２、２２に、面積の広いランドを形成してもよい。
【００４５】
（第１工程）
図１（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。接着材料３０は、液状又はゲル状の接着剤であってもよいし、シート状の接着シートであってもよい。接着材料３０は、熱、光、電子線、放射線等のエネルギーによって接着能を発現するものであり、例えば、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、光熱硬化性樹脂等を含んでも良い。接着材料３０は、接着能を発現すると硬化することが一般的である。
【００４６】
さらに、接着材料３０中には、被接続体（ここでは第１及び第２の配線パターン１２、２２）同士の電気的な接続性能を向上させるために、導電性物質を含んでいてもよい。電気的に接続異方性を示すように（接続したい部分のみが電気的に接続され、その他の部分間は絶縁性が保たれるように）、導電性物質の濃度は調整されていることが好ましい。導電性物質は、例えば、ロウ材、ハンダ等の粒子で構成され、それらが接着材料３０中に分散している。こうすることで、被接続体（第１及び第２の配線パターン１２、２２）同士の接合時に、その粒子が接合のロウとして働き、接合性をさらに著しく向上することができる。
【００４７】
本実施の形態では、第１及び第２の基板１０、２０を、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面の少なくとも一部同士を対面させて接合する。したがって、第１及び第２の基板１０、２０の、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面のうち、少なくとも一方に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、接着される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。そうすれば、接着材料３０で接合部の周囲を機械的に保護することができる。また、接着材料３０は、第１又は第２の配線パターン１２、２２上にも設けてもよいし、これらを避けて設けてもよい。
【００４８】
（第２工程）
図１（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１及び第２の配線パターン１２、２２の少なくとも一部同士を、例えば対面させて接触させる。
【００４９】
続いて、第１及び第２の配線パターン１２、２２の、接触した部分に金属接合を形成する。例えば、第１及び第２の配線パターン１２、２２に、熱のみ、超音波振動のみ、あるいは超音波振動及び熱などを印加して両者を接合する。接合されると、振動や熱によって第１及び第２の配線パターン１２、２２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。
【００５０】
こうして、第１及び第２の配線パターン１２、２２を接合するが、この第２工程は、上述した接着材料３０が硬化することを避けて行う。すなわち、接着材料３０を硬化させるエネルギーを与えないようにして第２工程を行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程は熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。もちろん、硬化が激しく進まない範囲で、熱や光を弱く加え、接着材料３０の流動性を上げ、接合性を向上させてもよい。
【００５１】
図１（Ｂ）に示す例では、ツール３２、３４で超音波振動を第１及び第２の配線パターン１２、２２に印加する。詳しくは、ツール３２、３４で、第１及び第２の配線パターン１２、２２が形成された面とは反対側の面から、第１及び第２の基板１０、２０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、第１及び第２の基板１０、２０の間に介在する接着材料３０が押し出されて、両者が接触する。そして、ツール３２、３４のうち少なくとも一方によって、第１及び第２の基板１０、２０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。こうして、第１及び第２の配線パターン１２、２２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００５２】
なお、接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、熱のみ、あるいは超音波及び熱を加えて第２工程を行ってもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００５３】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図１（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、エネルギー３６として熱を接着材料３０に与える。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、エネルギー３６として光を接着材料３０に与える。こうして、第１及び第２の基板１０、２０を固定することができる。なお、接着材料３０の接着能が発現すると、一般的には接着材料３０は３次元硬化する（キュアされる）。
【００５４】
以上の工程によって、図１（Ｃ）に示すように、第１及び第２の基板１０、２０が接合されてなる配線基板が得られる。配線基板は、第１及び第２の配線パターン１２、２２が接合されることで電気的に接続されてなる。配線基板は、例えば半導体装置などの電子部品において、半導体チップなどの実装部品のインターポーザなどとして使用することができる。
【００５５】
本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、第１及び第２の配線パターン１２、２２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、第１及び第２の基板１０、２０を密着させるので空気の巻き込みなどによる気泡が形成され難い。
【００５６】
なお、本発明は、上述した第１の実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。本実施の形態では、基板の片面に配線パターンを形成した基板同士を重ね合わせる例について述べたが、ビルドアップ基板を含む多層基板同士を接合したり、多層基板と片面基板とを接合してもよい。さらに、第１又は第２の基板１０、２０の配線パターン１２、２２の少なくとも一部は、他方の基板の配線パターン間をまたぐジャンパーリードのように形成されていても良い。こうすることで、基板に多層の配線パターンが必要になっても、片面基板で疑似的な多層構造を安価に構成することができる。
【００５７】
以下、本発明のその他の実施の形態を説明する。以下の実施の形態でも、上述した第１の実施の形態で説明した内容を可能な限り適用することができる。
【００５８】
（第２の実施の形態）
図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の基板４０、５０が使用される。第１及び第２の基板４０、５０には、第１及び第２の配線パターン４２、５２が形成されている。第１及び第２の配線パターン４２、５２には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００５９】
第１及び第２の基板４０、５０には、少なくとも１つの（１つ又複数の）第１及び第２の貫通穴４４、５４が形成されている点を除き、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。第１及び第２の貫通穴４４、５４は、第１及び第２の基板４０、５０の接合される領域に形成されている。また、第１及び第２の貫通穴４４、５４の内側を通って、第１及び第２の配線パターン４２、５２が形成されている。
【００６０】
詳しくは、第１又は第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口を塞いで形成されていてもよい。例えば、第１及び第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口よりも大きいランド部を有し、このランド部が第１又は第２の貫通穴４４、５４を塞いでいてもよい。あるいは、第１又は第２の配線パターン４２、５２は、第１又は第２の貫通穴４４、５４の直径又は幅よりも小さい幅の接続部を有し、この接続部が第１又は第２の貫通穴４４、５４を通っていてもよい。この場合、第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口の一部が塞がれないようになる。第１又は第２貫通穴４４、５４は、線状のスリットとなっていてもよい。
【００６１】
（第１工程）
図２（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板４０、５０の少なくとも一方の、接合される領域に接着材料３０を設ける。上述したように、接合される領域には、第１及び第２の貫通穴４４、５４が形成されている。第１又は第２の貫通穴４４、５４の開口が塞がれている場合には、接着材料３０が、第１又は第２の貫通穴４４、５４の中に入らないので好ましい。その他の構成及び工程は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００６２】
（第２工程）
図２（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板４０、５０を、接着材料３０を介して密着させる。詳しくは、第１の実施の形態で説明した通りである。続いて、第１及び第２の配線パターン４２、５２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００６３】
図２（Ｂ）に示す例では、ツール３２、３４を、第１及び第２の貫通穴４４、５４に通して、第１及び第２の配線パターン４２、５２に超音波振動を印加する。すなわち、第１及び第２の基板４０、５０を介することなく、第１及び第２の配線パターン４２、５２に、直接熱や超音波振動を印加する。そのため、接合エネルギーを第１及び第２の配線パターン４２、５２に伝達でき、接合の信頼性を向上させることができる。その他の詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。こうして、第１及び第２の配線パターン４２、５２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００６４】
（第３工程）
次に、図２（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させる。その詳細は、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６５】
本実施の形態でも、接着材料３０の空気の巻き込みなどによる気泡の形成をなくし、電気的な接続も含めた接合の信頼性を向上させることができる。
【００６６】
（第３の実施の形態）
図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。本実施の形態では、第１及び第２の基板６０、７０が使用される。第１及び第２の基板６０、７０には、第１及び第２の配線パターン６２、７２が形成されている。第１及び第２の配線パターン６２、７２には、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６７】
第１の基板６０には、少なくとも１つの（１つ又複数の）貫通穴６４が形成されている点を除き、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。貫通穴６４は、第２の実施の形態で説明した第１及び第２の貫通穴４４、５４の内容を適用することができる。
【００６８】
（第１工程）
図３（Ａ）に示すように、第１及び第２の基板６０、７０のうち少なくとも一方の、接合される領域に、接着材料３０を設ける。本実施の形態では、第１の基板６０の、第１の配線パターン６２が形成された面とは反対側の面の少なくとも一部か、あるいは第２の基板７０の第２の配線パターン７２が形成された面の少なくとも一部か、あるいはその両方に、接着材料３０を設ける。第１の基板６０の貫通穴６４が、接合される領域に形成されているので、貫通穴６４に接着材料３０が入り込まないように、第１の配線パターン６２が貫通穴６４を塞いでいることが好ましい。。その他の詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００６９】
（第２工程）
図３（Ｂ）に示すように、第１及び第２の基板６０、７０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１の基板６０の第１の配線パターン６２が形成された面とは反対の面の少なくとも一部と、第２の基板７０の第２の配線パターン７２が形成された面の少なくとも一部と、を対面させる。
【００７０】
続いて、第１及び第２の配線パターン６２、７２を接触させる。例えば、第１の基板６０の貫通穴６４の上で、第１の配線パターン６２の一部を、ツール３２によって貫通穴６４内の方向に押圧する。そして、第１の基板６０の貫通穴６４にツール３２を通して、第１の配線パターン６２の一部を第２の配線パターン７２に接触させる。
【００７１】
そして、第１及び第２の配線パターン６２、７２の、接触した部分に金属接合を形成する。例えば、ツール３２を第１の配線パターン６２に当てて、ツール３４を第２の基板７０に当てて、ツール３２、３４の少なくとも一方から熱や超音波振動等を印加して金属接合を形成する。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。
【００７２】
なお、予め第１工程か、それ以前の工程で貫通穴内部へ配線パターンを押圧し、もぐり込ませ、配線パターン形成面とは逆の面に配線パターンが露出しているようにしておいてもよい。
【００７３】
（第３工程）
図３（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させる。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、第１及び第２の基板６０、７０を接合することができる。本実施の形態に係る接合方法にて第１及び第２の基板６０、７０が接合されてなる配線基板は、第１及び第２の配線パターン６２、７２が同じ方向を向いている点で、第１及び第２の実施の形態で説明した配線基板と異なる。第１及び第２の実施の形態で説明した配線基板は、第１及び第２の配線パターン１２、２２（４２、５２）が対面している。
【００７４】
本実施の形態でも、接着材料３０の空気の巻き込みなどによる気泡の形成をなくし、電気的な接続も含めた接合の信頼性を向上させることができる。
【００７５】
（第４の実施の形態）
図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る実装部品の実装方法を示す図である。本実施の形態で接合されるのは、図４（Ａ）に示す実装部品８０と、基板９０と、である。
【００７６】
実装部品８０は表面実装部品であってもよい。実装部品８０の代表的な例として半導体チップが挙げられる。半導体チップは、ベアチップ（フリップチップ）である。あるいは、実装部品８０は、パッケージ部品であってもよい。実装部品８０は、半導体チップ以外のチップ部品であってもよい。チップ部品は、能動部品であっても受動部品であってもよく、光素子、抵抗器、コンデンサ、コイル、発振器、フィルタ、温度センサ、サーミスタ、バリスタ、ボリューム又はヒューズ等が挙げられる。
【００７７】
実装部品８０は、複数の電極８２を有する。電極８２は、バンプであることが好ましい。詳しくは、実装部品８０の基板９０への実装面には、内部回路と電気的に接続されるパッドが形成されており、そのパッドにさらにバンプが形成されていることが多い。バンプは、金又はハンダで形成されることが多い。バンプが形成されないときにはパッドのみが電極８２であり、バンプが形成されるときにはバンプが電極８２である。
【００７８】
基板９０には、配線パターン９２が形成されている。配線パターン９２には、上述した電極８２との接合部にバンプが形成されていてもよい。基板９０及び配線パターン９２には、第１の実施の形態で説明した第１又は第２の基板１０、２０並びに第１及び第２の配線パターン１２、２２と同じ構成を適用してもよい。基板９０は、半導体チップ等の実装部品８０が搭載されるインターポーザとされてもよい。
【００７９】
以下に説明する実施の形態又は第５、６、７の実施の形態では、基板の配線パターン形成面と実装部品が重なる形で配置されているが、基板の配線パターン形成面とは逆の面から、基板に形成された孔、スリット等を通して、実装部品が配線パターンと電気的に接合され、接着材料を挟んで固定されているようにしてもよい。
【００８０】
電極８２と配線パターン９２との接合と、実装部品接着の工程とを分離し、空気の巻き込みなどによる気泡を低減し、実装部品の実装信頼性を向上しようとするのが、本実施の形態の目的とするところである。
【００８１】
（第１工程）
図４（Ａ）に示すように、実装部品８０及び基板９０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。詳しくは、実装部品８０の電極８２が形成された面と、基板９０の配線パターン９２が形成された面と、のうち少なくとも一方に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、実装部品８０及び基板９０の接合される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。こうすることで、実装部品８０の周囲に接着材料３０のフィレットを作り出すことができ、特に耐湿性などの実装信頼性を向上することができる。また、接着材料３０は、配線パターン９２上にも設けてもよいし、これを避けて設けてもよい。こうすることで、配線パターン９２が露出しなくなり、配線パターン９２の絶縁信頼性を保持することができる。接着材料３０は、第１の実施の形態で使用したものを用いればよいが、実装部品８０と基板９０との熱膨張差で発生する応力を緩和するように可撓性を有する樹脂であることが望ましい。さらに、この樹脂中に導電性物質が混入されたほうが好ましいことは前述した通りである。これらは、以下の実施の形態で述べる実装部品の実装方法でも共通である。
【００８２】
基板９０は、第１の実施の形態で説明したものを用いることができる。配線パターン９２の表面には、金、スズ、ハンダ等のメッキが施されていることが多く、バンプの金属との間で共晶が作られる金属がメッキされていると、後述する金属接合がより達成されやすく、好ましい。
【００８３】
（第２工程）
図４（Ｂ）に示すように、実装部品８０及び基板９０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、実装部品８０の電極８２と、基板９０に形成された配線パターン９２とを、例えば対面させて接触させる。続いて、電極８２及び配線パターン９２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００８４】
図４（Ｂ）に示す例では、ツール９４、９６で超音波振動を、実装部品８０及び基板９０を介して、電極８２及び配線パターン９２に印加する。詳しくは、ツール９４、９６で、実装部品８０及び基板９０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、実装部品８０及び基板９０の間に介在する接着材料３０が押し出されて、電極８２及び配線パターン９２が接触する。そして、ツール９４、９６のうち少なくとも一方によって、実装部品８０及び基板９０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。超音波振動によって電極８２及び配線パターン９２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。こうして、電極８２及び配線パターン９２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００８５】
この第２工程でも、第１の実施の形態と同様に接着材料３０が硬化することを避けて行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程では熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、第２工程で、熱のみ、あるいは超音波振動とともに熱を加えてもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００８６】
また、基板９０を、ツール９６の代わりにテーブル又は台に載せて、ツール９４から、電極８２及び配線パターン９２に対して超音波振動を印加してもよい。また、その両方を併用してもよい。
【００８７】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図４（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。その詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【００８８】
以上の工程によって、図４（Ｃ）に示すように、実装部品８０が基板９０に実装される。すなわち、上述した方法で実装部品８０が基板９０に実装されてなる回路基板が得られる。
【００８９】
本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、電極８２及び配線パターン９２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、実装部品８０及び基板９０を密着させるので気泡が形成され難い。
【００９０】
（第５の実施の形態）
図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る実装部品の接合方法を示す図である。本実施の形態で接合されるのは、図５（Ａ）に示す第１及び第２の実装部品１００、１１０である。これらはもちろん、半導体チップ同士であってもよい。
【００９１】
第１及び第２の実装部品１００、１１０には、第４の実施の形態で説明した実装部品８０の内容を適用することができる。第１及び第２の実装部品１００、１１０は、それぞれ複数の第１及び第２の電極１０２、１１２を有する。第１又は第２の電極１０２、１１２にも、第４の実施の形態で説明した電極８２の内容を適用することができる。双方の電極１０２、１１２は共晶を形成するような金属で形成されていれば、より容易に後述する金属接合が形成されやすく、好ましい。
【００９２】
本実施の形態では、第１又は第２の電極１０２、１１２は、対向する位置に形成されている。例えば、第２の実装部品１１０が、第１の実装部品１００よりも小さい場合には、小さい方の第２の実装部品１１０の周辺部（端部）に第２の電極１１２が形成され、大きい方の第１の実装部品１００の中央部（周辺部よりも中央側の部分）に第１の電極１０２が形成されていてもよい。第１及び第２の実装部品１００、１１０の大小関係が逆であれば、第１及び第２の電極１０２、１１２の位置関係も逆になる。
【００９３】
また、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち、大きい方には、さらに外部との接続のための電極１０４を設けてもよい。
【００９４】
（第１工程）
図５（Ａ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち、少なくとも一方（すなわち一方又は両方）に、接着材料３０を設ける。詳しくは、第１及び第２の実装部品１００、１１０の、第１及び第２の電極１０２、１１２が形成された面の少なくとも一部同士に接着材料３０を設ける。接着材料３０は、第１及び第２の実装部品１００、１１０の、接合される領域にのみ設ければ十分であるが、その領域からはみ出して設けてもよい。また、接着材料３０は、第１及び第２の電極１０２、１１２上にも設けてもよいし、これらを避けて設けてもよい。
【００９５】
（第２工程）
図５（Ｂ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０を、接着材料３０を介して密着させる。このとき、第１及び第２の電極１０２、１１２を、例えば対面させて接触させる。続いて、第１及び第２の電極１０２、１１２の、接触した部分に金属接合を形成する。
【００９６】
図５（Ｂ）に示す例では、ツール１１４、１１６で超音波振動を、第１及び第２の実装部品１００、１１０を介して、第１及び第２の電極１０２、１１２に印加する。詳しくは、ツール１１４、１１６で、第１及び第２の実装部品１００、１１０を挟んで、これらに圧力を加える。圧力を加えることで、第１及び第２の電極１０２、１１２間に介在する接着材料３０が押し出されて、両者が接触する。そして、ツール１１４、１１６のうち少なくとも一方によって、第１及び第２の実装部品１００、１１０の少なくとも一方を介して、超音波振動を印加する。超音波振動によって第１及び第２の電極１０２、１１２を構成する材料が拡散して金属接合が形成される。こうして、第１及び第２の電極１０２、１１２が接合されて、両者の電気的な接続が図られる。
【００９７】
この第２工程でも、第１の実施の形態と同様に接着材料３０が硬化することを避けて行う。また、第２工程は、接着材料３０の接着能の発現も避けて行うことが好ましい。一般的には、接着材料３０の硬化を避ければ、その接着能の発現も避けられる。例えば、接着材料３０が熱硬化性を有する場合には、第２工程では熱を与えないで行う。接着材料３０が光硬化性を有する場合には、光を与えずに第２工程を行う。接着材料３０が熱硬化性を有しない場合には、第２工程で、超音波振動とともに熱を加えてもよい。熱を加えた方が、金属接合を形成しやすい。
【００９８】
また、第１及び第２の実装部品１００、１１０の一方（例えば図５（Ｂ）において大きい方の第１の実装部品１００）を、ツール１１６の代わりにテーブル又は台に載せて、ツール１１４から、第１及び第２の電極１０２、１１２に対して超音波振動を印加してもよい。
【００９９】
（第３工程）
次に、接着材料３０の接着能を発現させる。例えば、図５（Ｃ）に示すように、接着材料３０の接着能を発現させるエネルギー３６を、接着材料３０に付与する。その詳細については、第１の実施の形態で説明した内容を適用することができる。
【０１００】
以上の工程によって、図５（Ｃ）に示すように、第１及び第２の実装部品１００、１１０が接合されてなる電子部品が得られる。本実施の形態によれば、接着材料３０の接着能の発現を避けながら、第１及び第２の電極１０２、１１２を接合するので、接合の信頼性を向上させることができる。また、予め設けられた接着材料３０を介して、第１及び第２の実装部品１００、１１０を密着させるので気泡が形成され難い。
【０１０１】
図６は、第５の実施の形態で説明した工程で製造された電子部品が実装された回路基板を示す図である。
【０１０２】
電子部品１２０は、第１及び第２の実装部品１００、１１０の少なくとも一方が半導体チップであれば、半導体装置である。電子部品１２０は、ハンダボール等からなる複数の外部端子１２２を有する。例えば、第１及び第２の実装部品１００、１１０のうち大きい方（図６では第１の実装部品１００）に形成された複数の電極１０４に、外部端子１２２が形成されている。
【０１０３】
図６で、電子部品１２０は、回路基板１２４に実装されている。回路基板１２４には例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることが一般的である。回路基板１２４には例えば銅からなる配線パターン１２６が所望の回路となるように形成されていて、その配線パターン１２６と電子部品１２０の外部端子１２２とを接続することでそれらの電気的導通が図られている。
【０１０４】
（第６の実施の形態）
図７は、本発明を適用して製造された第６の実施の形態に係る電子部品を示す図である。図７に示す電子部品は、実装部品１３０及び基板１４０を含む。実装部品１３０及び基板１４０には、第４の実施の形態で説明した実装部品８０及び基板９０の内容を適用することができる。また、第４の実施の形態で説明した実装方法を適用して、接着材料３０によって、実装部品１３０及び基板１４０が固定されており、実装部品１３０の電極１３２及び基板１４０の配線パターン１４２が接合されている。
【０１０５】
基板１４０には、複数の貫通穴１４４が形成されている。貫通穴１４４は、配線パターン１４２に複数の外部端子１４６を電気的に接続するためのものである。すなわち、基板１４０における配線パターン１４２が形成された面とは反対側に突出する外部端子１４６が、貫通穴１４４を介して配線パターン１４２に電気的に接続されて設けられている。例えば、配線パターン１４２が貫通穴１４４上を通るようになっていれば、貫通穴１４４を介して、配線パターン１４２上に外部端子１４６を設けることができる。外部端子１４６は、ハンダ等で形成することができる。例えば、貫通穴１４４内に盛り上がった状態でクリームハンダを設け、これを溶融させてボール状の端子を形成してもよい。あるいは、貫通穴１４４内にハンダを設けたり、導電材料のメッキなどを施し、ハンダボールを搭載して外部端子１４６を設けてもよい。
【０１０６】
本実施の形態では、片面に配線パターンを有する基板（片面基板）を使用して、ＢＧＡ（Ball Grid Array）型半導体装置を製造する例を述べたが、両面基板や多層基板、ビルドアップ基板を用いてももちろんよく、その場合には、実装部品が実装された面とは逆の面のランドに、直接外部端子を形成するようにしてもよい。
【０１０７】
また、外部端子１４６は必ずしも必要ではなく、基板の延出部をコネクタとしたり、コネクタを実装するなどの手段で配線を外部へ拡張させてもよいし、半導体チップ及びそれ以外の実装部品を基板上に実装して、半導体モジュールを構成してもよい。
【０１０８】
（第７の実施の形態）
図８は、本発明を適用して製造された第７の実施の形態に係る電子部品を示す図である。図８に示す電子部品は、第１及び第２の基板１５０、１６０と、第１及び第２の実装部品１７０、１８０と、を含む。
【０１０９】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、それぞれ、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２が形成されている。第１及び第２の基板１５０、１６０は、それぞれの第１及び第２の配線パターン１５２、１６２を同じ方向に向けて重ねられて、接着材料３０によって接着固定されている。接着材料３０には、第１の実施の形態で説明した内容が該当する。
【０１１０】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、それぞれ少なくとも１つ（すなわち１つ又は複数）の第１及び第２の貫通穴１５４、１６４が形成されている。第１及び第２の配線パターン１５２、１６２は、それぞれ第１及び第２の貫通穴１５４、１６４上を通っている。詳しくは、第２の実施の形態で、第１及び第２の配線パターン４２、５２及び第１及び第２の貫通穴４４、５４について説明した内容（図２（Ａ）〜図２（Ｃ）参照）が適用される。
【０１１１】
第１の基板１５０の第１の配線パターン１５２は、第１及び第２の基板１５０、１６０に形成された第１及び第２の貫通穴１５４、１６４を介して、第２の基板１６０の第２の配線パターン１６２に接合されている。その接合方法には、第３の実施の形態で説明した内容を適用することができる。すなわち、図３（Ｂ）に示すツール３２を第１及び第２の貫通穴１５４、１６４に通して第１の配線パターン１５２の一部を屈曲させ、このツール３２と、もう１つのツール３４とで、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２を接合する。
【０１１２】
第１及び第２の基板１５０、１６０には、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が実装されている。第１及び第２の実装部品１７０、１８０には、第４の実施の形態で説明した内容が該当する。また、第１及び第２の実装部品１７０、１８０は、第４の実施の形態で説明した方法で、接着材料３０を使用して第１及び第２の基板１５０、１６０に固定されるとともに、第１及び第２の配線パターン１５２、１６２と接合されている。
【０１１３】
第１の基板１５０には、第１の配線パターン１５２と電気的に接続された複数の外部端子１５６が設けられている。その詳細は、第６の実施の形態（図７参照）で説明した内容が該当する。
【０１１４】
以上の説明では、第１及び第２の基板１５０、１６０の接合と、第１及び第２の実装部品１７０、１８０の実装と、の両方に本発明を適用したが、いずれか一方のみに本発明を適用してもよい。例えば、第１及び第２の実装部品１７０、１８０の実装に、ワイヤーボンディング法によるフェースアップ方式、フライングリードによるＴＡＢ方式を適用してもよい。
【０１１５】
本実施の形態では、第１の基板１５０が屈曲している。また、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が接着されている。詳しくは、第１の実装部品１７０における第１の基板１５０への搭載面とは反対側の面と、第２の実装部品１８０における第２の基板１６０への搭載面とは反対側の面と、が接着されている。接着には、接着剤１９０を使用することができる。あるいは、粘着剤を使用したり、かしめ、フリップ等の機械的な方法によって第１の基板１５０の屈曲を維持させてもよい。
【０１１６】
本実施の形態に係る半導体装置によれば、第１及び第２の実装部品１７０、１８０が積み重ねられて小型化されている。第１の基板１５０が第２の基板１６０から複数方向に延出している場合は、複数方向から第１の基板１５０が折り畳まれてもよい。また、複数の実装部品が搭載される場合は、それぞれの実装部品の間で第１の基板１５０が折り畳まれてもよい。
【０１１７】
本実施の形態に係る電子部品の製造方法は、第１の基板１５０を屈曲させて、第１の基板１５０上に搭載された第１の実装部品１７０と、第２の基板１６０上に搭載された第２の実装部品１８と、を接着する工程を含む。なお、外部端子１５６は、第１の基板１５０を屈曲させる前に設けてもよいし、第１の基板１５０を屈曲させてから設けてもよい。
【０１１８】
本発明を適用した半導体装置を有する電子機器として、図９には、ノート型パーソナルコンピュータ２００及び携帯電話３００が示されている。
【０１１９】
（第８の実施の形態）
図１０は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１２０】
本実施の形態では、第１の配線パターン４１２の一部が、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８内に入り込んで第２の配線パターン４２２に接続されている。詳しくは、貫通穴４１８の内部に、第１の配線パターン４１２の一部からなる屈曲部４６０が、ツール４６２により押圧されることで形成されている。屈曲部４６０は、第２の配線パターン４２２に接触している。貫通穴４２８中の第２の配線パターン４２２を屈曲時の加圧方向とは逆方向から保持すると接触が容易となる。ツール４６２の一点又は複数点を一括して加熱し、屈曲部４６０と第２の配線パターン４２２とをハンダ付け、ロウ付けしてもよく、導電接着剤等で接合してもよい。また、ツール４６２に超音波を印加する超音波接合を適用してもよい。また、ツール４６２の代わりにシングルポイントボンダを用いて１点ずつ屈曲部４６０と第２の配線パターン４２２とを接合してもよい。この際、貫通穴４２８中の第２の配線パターン４２２を、屈曲時の加圧方向とは逆方向から保持してもよい。その前提として、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８は、第２の配線パターン４２２上に位置している。なお、屈曲部４６０は、一部が破断していてもよい。また、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。
【０１２１】
本実施の形態によれば、屈曲部４６０によって、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の電気的接続が図られている。図１０に示すように、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、が連通する位置に形成されていてもよい。この場合、第２の配線パターン４２２が貫通穴４２８上に形成されているときには、第２の配線パターン４２２の一部が貫通穴４２８の内部に入り込んでもよい。
【０１２２】
あるいは、図１１に示すように、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、がずれた位置に形成されていてもよい。この場合、屈曲部４６４は、第２の配線パターン４２２における第２の基板４２０に密着する部分に接触又は接合される。その方法は、前述した通りである。
【０１２３】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１２４】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１２５】
詳しくは、ツール４６２を使用して第１の配線パターン４１２の一部を貫通穴４１８に入り込ませる。第１の基板４１０の貫通穴４１８上を第１の配線パターン４１２が通っており、第１の配線パターン４１２における貫通穴４１８上の部分を、ツール４６２によって貫通穴４１８内に入り込ませる。こうして、屈曲部４６０を形成することができる。屈曲部４６０を、第２の配線パターン４２２に押圧させることで、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２を接合する。屈曲部４６０を形成する工程と、接合する工程は、第１の配線パターン４１２を曲げながら第２の配線パターン４２２に接合することで同一工程で行うこともでき、その場合、工程数を削減できる。なお、第２の基板４２０は、平面的に支える治具で保持してもよい。屈曲部４６０は、その一部が破断された状態で形成してもよい。
【０１２６】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【０１２７】
（第９の実施の形態）
図１２は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１２８】
本実施の形態では、第２の配線パターン４２２の一部が、第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８内に入り込んで第１の配線パターン４１２に接続されている。詳しくは、貫通穴４１８の内部に、第２の配線パターン４２２の一部からなる屈曲部４６６が形成されている。屈曲部４６６は、第１の配線パターン４１２に接触又は接合している。なお、屈曲部４６６は、図１２に示すようにその一部が破断されていてもよいし、図１０に示す屈曲部４６０のように破断のない連続的な形状であってもよい。なお、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。本実施の形態によれば、屈曲部４６６によって、第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の電気的接続が図られている。
【０１２９】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１３０】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１３１】
詳しくは、ツール４６８を使用して第２の配線パターン４２２の一部を貫通穴４１８に入り込ませる。この工程を行うには、第２の基板４２０の貫通穴４２８と、第１の基板４１０の貫通穴４１８と、が連通する位置に形成されていることが好ましい。ツール４６８を、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面とは反対側から、貫通穴４２８内に挿入する。そして、ツール４６８によって第２の配線パターン４２２を、貫通穴４１８内に入り込ませて第１の配線パターン４１２に接合する。こうして、屈曲部４６６を形成することができる。もちろん、複数の凸部を有するツールで複数点（複数箇所）を一括して接合してもよい。
【０１３２】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【０１３３】
（第１０の実施の形態）
図１３は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る配線基板を示す図である。本実施の形態でも、第１の実施の形態で説明した接着部材３０を使用して、第１及び第２の基板４１０、４２０が固定されている。
【０１３４】
本実施の形態では、第１の基板４１０における第１の配線パターン４１２が形成された面とは反対側の面が、第２の基板４２０における第２の配線パターン４２２が形成された面に貼り付けられている。
【０１３５】
また、第２の配線パターン４２２の一部が、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８内に入り込んで外部端子４７０を形成している。第２の配線パターン４２２は、外部端子４７０の少なくとも外壁部となっている。また、第１の配線パターン４１２の一部が、第１及び第２の基板４１０、４２０に形成された貫通穴４１８、４２８内に入り込んで第２の配線パターン４２２と積層している。
【０１３６】
第１の基板４１０に形成された貫通穴４１８と、第２の基板４２０に形成された貫通穴４２８と、が連通する位置に形成されている。第１の配線パターン４１２の一部は、第２の基板４２０の貫通穴４２８内に入り込んで、外部端子４７０の内壁部となる。
【０１３７】
本実施の形態によれば、第２の配線パターン４２２の一部あるいは第１及び第２の配線パターン４１２、４２２の一部によって外部端子４７０が形成されるので、別部材としての外部端子が不要になり部品点数を減らすことができる。
【０１３８】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法でも、第１の実施の形態で説明したように、第１及び第２の基板４１０、４２０の少なくとも一方に接着材料３０を設ける第１工程を行う。
【０１３９】
次に、第１及び第２の基板４１０、４２０を接着材料３０を介して密着させ、第１の配線パターン４１２の少なくとも一部と、第２の配線パターン４２２の少なくとも一部と、を接合する第２工程を行う。
【０１４０】
詳しくは、図１０に示すツール４６２を使用して第１の配線パターン４１２の一部を貫通穴４１８に入り込ませ、さらに、第２の配線パターン４２２を貫通穴４２８に入り込ませて、両者を積層させればよい。外部端子４７０を、第２の基板４２０から突出させたいときは、第２の配線パターン４２２の一部を第２の基板４２０から突出させる。外部端子４７０を、第２の基板４２０から突出させる必要がないときは、第２の配線パターン４２２の一部を貫通穴４２８の内部で止めてもよい。
【０１４１】
そして、接着材料３０により、前記第１及び第２の基板４１０、４２０を固定する第３工程を行う。その詳細は、第１の実施の形態で説明した通りである。こうして、製造された配線基板をインターポーザなどとして使用して半導体装置を製造することもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（Ａ）〜図１（Ｃ）は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図２】図２（Ａ）〜図２（Ｃ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｃ）は、本発明を適用した第３の実施の形態に係る配線基板の接合方法を示す図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明を適用した第４の実施の形態に係る実装部品の実装方法を示す図である。
【図５】図５（Ａ）〜図５（Ｃ）は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る実装部品の接合方法を示す図である。
【図６】図６は、本発明を適用した第５の実施の形態に係る方法で得られた電子部品が実装された回路基板を示す図である。
【図７】図７は、本発明を適用した第６の実施の形態に係る電子部品を示す図である。
【図８】図８は、本発明を適用した第７の実施の形態に係る電子部品を示す図である。
【図９】図９は、本発明に係る方法を適用して製造された電子部品を備える電子機器を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明を適用した第８の実施の形態に係る配線基板の変形例を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明を適用した第９の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明を適用した第１０の実施の形態に係る配線基板を示す図である。
【符号の説明】
１０ 第１の基板
１２ 第１の配線パターン
２０ 第２の基板
２２ 第２の配線パターン
３０ 接着材料
３２、３４ ツール
３６ エネルギー
４０ 第１の基板
４２ 第１の配線パターン
４４ 第１の貫通穴
５０ 第２の基板
５２ 第２の配線パターン
５４ 第２の貫通穴
６０ 第１の基板
６２ 第１の配線パターン
６４ 貫通穴
７０ 第２の基板
７２ 第２の配線パターン
８０ 実装部品
８２ 電極
９０ 基板
９２ 配線パターン
９４、９６ ツール
１００ 第１の実装部品
１０２ 第１の配線パターン
１０４ 電極
１１０ 第２の実装部品
１１２ 第２の配線パターン
１１４、１１６ ツール
１２０ 電子部品
１２４ 回路基板
１３０ 実装部品
１３２ 電極
１４０ 基板
１４２ 配線パターン
１４４ 貫通穴
１５０ 第１の基板
１５２ 第１の配線パターン
１５４ 第１の貫通穴
１６０ 第２の基板
１６２ 第２の配線パターン
１６４ 第２の貫通穴
１７０ 第１の実装部品
１８０ 第２の実装部品
Claims (6)
- 第１の配線パターンが形成された第１の基板と、第２の配線パターンが形成された第２の基板と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記第１及び第２の基板を前記接着材料を介して密着させ、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と、前記第２の配線パターンの少なくとも一部と、を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の基板を固定する第３工程と、
を含み、
前記第１の配線パターンは、前記第１の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第２の配線パターンは、前記第２の基板の一方の面に形成されてなり、
前記第１の基板には、第１の貫通穴が形成されてなり、前記第１の配線パターンは、前記第１の貫通穴をまたいで形成されてなり、
前記第２の基板には、第２の貫通穴が形成されてなり、前記第２の配線パターンは、前記第２の貫通穴をまたいで形成されてなり、
前記第２工程で、前記第１の基板の前記第１の配線パターンが形成された面と、前記第２の基板の前記第２の配線パターンが形成された面と、を対面させて、前記第１の配線パターンの一部と、前記第２の配線パターンの一部と、を前記第１及び第２の貫通穴が形成された位置で接合する配線基板の接合方法。 - 請求項１記載の配線基板の接合方法において、
前記第２工程で、前記第１及び第２の貫通穴にツールを通して、前記第１及び第２の配線パターンに超音波振動を印加し、前記第１の配線パターンの少なくとも一部と前記第２の配線パターンの少なくとも一部とを接合する配線基板の接合方法。 - 第１の配線パターンが形成された第１の基板と、第２の配線パターンが形成された第２の基板と、のうち少なくとも一方に接着材料を設ける第１工程と、
前記第１及び第２の基板を前記接着材料を介して密着させ、前記第１の配線パターンの一部と、前記第２の配線パターンの一部と、を接合する第２工程と、
前記接着材料により、前記第１及び第２の基板を固定する第３工程と、
を含み、
前記第１及び第２の基板には、それぞれ、貫通穴が形成されてなり、
前記第１及び第２の配線パターンは、前記貫通穴内に形成される屈曲部を有し、
前記第１の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、前記第２の基板の前記貫通穴内に形成された前記屈曲部と、が積層するように、前記第１及び第２の基板を配置し、前記第１及び第２の配線パターンを前記貫通穴が形成された位置で接合する配線基板の接合方法。 - 請求項３記載の配線基板の接合方法において、
前記屈曲部をツールによって形成する配線基板の接合方法。 - 請求項１から請求項４のいずれかに記載の配線基板の接合方法において、
前記接着材料は、エネルギーによって硬化し、
前記第２工程を、前記エネルギーが前記接着材料に与えられることを避けて行い、
前記第３工程で、前記エネルギーを前記接着材料に与える配線基板の接合方法。 - 請求項１から請求項５のいずれかに記載の配線基板の接合方法において、
前記接着材料には、導電性物質が異方性導電性を示す範囲で混入している配線基板の接合方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30629999A JP4123321B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 配線基板の接合方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30629999A JP4123321B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 配線基板の接合方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001127425A JP2001127425A (ja) | 2001-05-11 |
| JP4123321B2 true JP4123321B2 (ja) | 2008-07-23 |
Family
ID=17955438
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30629999A Expired - Fee Related JP4123321B2 (ja) | 1999-10-28 | 1999-10-28 | 配線基板の接合方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4123321B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4003556B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2007-11-07 | 株式会社デンソー | プリント基板の製造方法 |
| JP2004094839A (ja) * | 2002-09-04 | 2004-03-25 | Hitachi Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| JP4526813B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2010-08-18 | 株式会社フジクラ | 接合体の製造方法 |
| JP4417294B2 (ja) * | 2005-06-16 | 2010-02-17 | パナソニック株式会社 | プローブカード用部品内蔵基板とその製造方法 |
| JP4802907B2 (ja) * | 2006-07-25 | 2011-10-26 | パナソニック株式会社 | 半導体実装構造 |
| KR100905404B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2009-06-30 | 닛뽕 아비오닉스 가부시끼가이샤 | 프린트 배선판의 접속 방법 및 접속 장치 |
| WO2011092809A1 (ja) * | 2010-01-27 | 2011-08-04 | 株式会社コグコフ | 超音波接合方法及び超音波接合装置 |
-
1999
- 1999-10-28 JP JP30629999A patent/JP4123321B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001127425A (ja) | 2001-05-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4058607B2 (ja) | 配線基板及びその製造方法、電子部品、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3633559B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP3994262B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4051531B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2001203319A (ja) | 積層型半導体装置 | |
| KR20010078136A (ko) | 전자 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2000133672A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2002198395A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2004134606A (ja) | 配線基板及びその製造方法、半導体装置、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2005093551A (ja) | 半導体装置のパッケージ構造およびパッケージ化方法 | |
| JP4019251B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2000082722A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4123321B2 (ja) | 配線基板の接合方法 | |
| WO2000019515A1 (fr) | Dispositif semi-conducteur et procede de fabrication de celui-ci, carte de circuit imprime et equipement electronique | |
| JP2000307055A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2004087936A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法並びに電子機器 | |
| JP3879803B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4562006B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2001068620A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2008311347A (ja) | 半導体モジュール及びその製造方法 | |
| JP2003037244A (ja) | 半導体装置用テープキャリア及びそれを用いた半導体装置 | |
| JP2004281899A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2000124251A (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP4117480B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器 | |
| JP2003142652A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040317 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051220 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061101 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061214 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070314 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070416 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070801 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070925 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080409 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080422 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110516 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120516 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130516 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |