JP4176619B2 - フリップチップ実装用サイドフィル材及び半導体装置 - Google Patents
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Description
なお、上記記載事項の関連先行技術文献としては、特許文献1〜特許文献4が挙げられる。
即ち、本発明は、
(A)液状エポキシ樹脂、
(B)硬化剤、
(C)メタクリル酸アルキル共重合体、
(D)粒径45μm以上の粒子の含有率が1質量%以下であり、かつ平均粒径が0.5μm以上5μm未満である無機充填材、
(E)非反応性有機ケイ素化合物で表面処理された、平均粒径が0.01〜0.10μmである無機充填材、及び
(F)変性シリコーン樹脂
を含有し、かつ25℃における粘度が100Pa・s以上1000Pa・s未満の液状エポキシ樹脂組成物を含む、基板と該基板上に搭載された半導体チップとを含む半導体装置のフリップチップ実装用サイドフィル材、及び半導体装置を提供するものである。
(なお、以下、前記「液状エポキシ樹脂組成物」を「本発明の液状エポキシ樹脂組成物」ということがある。)
[液状エポキシ樹脂組成物]
[(A)液状エポキシ樹脂]
本発明の液状エポキシ樹脂組成物に用いられる(A)成分の液状エポキシ樹脂は、サイドフィル材に硬化性を付与する成分であり、1分子中に2個以上のエポキシ基を有するものであり、それ自体が室温で液状のものであることとの条件を満たせば、分子構造、分子量等は特に限定されず、公知のエポキシ樹脂を全て用いることができる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物に用いられる(B)成分は、(A)成分の液状エポキシ樹脂を硬化させる成分である。この(B)成分としては、(A)成分中のエポキシ基と反応可能な官能基、例えば、フェノール性水酸基、アミノ基等の一価の基であれば、それを2個以上、また、例えば、酸無水物基等の実質上二価の基であれば、それを1個以上有する化合物であればよく、分子構造、分子量等は特に限定されず、公知のエポキシ樹脂硬化剤を全て使用することができる。
この(B)成分の硬化剤は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、上記(B)成分の硬化剤とともに、必要に応じて、硬化促進剤を組み合わせて使用することができる。この硬化促進剤としては、硬化反応を促進させるものならば特に限定されず、公知のものが全て使用することができ、例えば、イミダゾール化合物、第3級アミン化合物、有機リン系化合物等を挙げることができる。
この硬化促進剤は、1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物からなるフリップチップ用サイドフィル材を、室温よりも高く硬化温度よりは低い温度、例えば、50〜100℃の温度に加熱して、一旦、Bステージ状態(即ち、固化した半硬化状態)のものとし、その後に十分な温度に加熱処理して最終的に硬化させることが、硬化過程における液状成分のブリード、および封止後の硬化物からの液状成分のブリードの発生を抑制するために効果的である。
この(C)成分は1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。また、その使用量は、本発明の液状エポキシ樹脂組成物から各配合成分が均一に分散しているBステージ状態のものが形成されるに十分な量であればよく、特に制限されないが、本発明の液状エポキシ樹脂組成物の全量に対し、通常、1〜5質量%、好ましくは2〜3質量%である。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物に用いられる(D)成分の無機充填材は、得られる硬化物の熱膨張係数を小さくするため、および基板と半導体チップとの間隙への本発明のサイドフィル材の侵入を制御するために配合される成分である。
この(D)成分としては、従来から公知の各種の無機充填材を使用することができ、例えば、溶融シリカ、結晶シリカ、アルミナ、ボロンナイトライド、アルミニウムナイトライド、シリコンナイトライド、マグネシア、マグネシウムシリケート等が挙げられる。これらは1種単独でも2種以上を組み合わせても使用することができる。また、(D)成分として、本発明の液状樹脂組成物の流動性を確保するとの点から、球状のものが好ましい。
なお、上記平均粒径及び粒径は、例えばレーザー光回折法による粒度分布測定により測定することができる。また、平均粒径はメジアン径として求めることができる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物に用いられる(E)成分の非反応性有機ケイ素化合物で表面処理された無機充填材は、本液状エポキシ樹脂組成物のマトリックス中に均一に分散され、上記(C)成分と組み合わされて使用されることにより、上記のとおり、硬化過程における液状成分のブリード、および封止後の硬化物からの液状成分のブリードの発生を抑制するために配合される成分である。なお、前記非反応性有機ケイ素化合物とは、硬化反応に関与する官能基を有しない化合物であることを意味する。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物に用いられる(F)成分の変性シリコーン樹脂は、得られる硬化物の応力を緩和し、クラックの発生を抑制するために配合される成分である。
HaRbSiO(4-a-b)/2 (1)
(式中、Rは脂肪族不飽和基以外の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、aは0.005〜0.1、好ましくは0.01〜0.05の正数であり、bは1.8〜2.2、好ましくは1.9〜2.0の正数であり、かつ、a+bの和は1.81〜2.3、好ましくは1.91〜2.05の正数である。)
で表され、かつ1分子中の珪素原子の数が20〜400、好ましくは40〜200であり、1分子中にケイ素原子に結合した水素原子(SiH)を1〜5個、好ましくは2〜4個、特に好ましくは2個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの、ヒドロシリル化反応により得られる付加反応生成物を使用することが好ましい。前記ヒドロシリル化反応は、前記アルケニル基と前記SiHとが付加する反応であって、当業者に周知のものあり、通常のとおり、白金系触媒を用いて、公知の反応条件で実施すればよい。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物には、上記各成分に加えて、必要に応じて他の成分を配合することができる。但し、得られるエポキシ樹脂組成物が液状であることが必要であり、かつ本発明の効果を損なうものであってはならない。
また、表面処理剤、接着性向上用のシランカップリング剤、カーボンブラック等の顔料、染料、酸化防止剤、その他の添加剤を配合することができる。前記表面処理剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、テトラエトキシシラン等が挙げられ、無機充填材成分の表面を疎水化処理し、樹脂成分との濡れ性向上に効果を発揮する。また、前記シランカップリング剤としては、公知のものを使用することができ、例えば、KBM403(商品名、信越化学工業社製)等が挙げられる。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、上記各成分を同時に、又は逐次的に、装置内へ投入し、必要により15〜25℃の範囲の冷却処理を行いながら、撹拌、溶解、混合、分散等の操作を行うことによって調製することができる。これらの撹拌、溶解、混合、分散等の操作に用いられる装置は特に限定されない。例えば、撹拌及び加熱装置を備えたライカイ機、3本ロールミル、ボールミル、プラネタリーミキサー等を用いることができる。また、前記装置の複数を適宜組み合わせてもよい。但し、硬化剤として酸無水物を使用する場合には、高温条件下であると得られるサイドフィル材の接着性が低下する傾向があることから、10〜25℃の温度条件において本発明の液状エポキシ樹脂組成物の調製を行うことが好ましい。
本発明の液状エポキシ樹脂組成物は、基板と該基板上にフリップチップ実装された半導体チップとの間隙を、前記半導体チップの周辺部において封止するサイドフィル材として使用される。この本発明のサイドフィル材の適用方法、封止方法、硬化条件等については、公知の方法、条件等を採用することができる。
本発明のフリップチップ実装用サイドフィル材によって封止されて得られる半導体装置は、上記のとおり、基本的に半導体チップの周辺部が封止されているとともに、上記基板と半導体チップとの間隙に所要量の封止材が適度な一定範囲で侵入する結果、前記周辺部付近の間隙内部がサイドフィル材によって充填されている。この本発明の半導体装置の場合には、サイドフィル材と基板との接触面積が比較的大きく、これによりクラック発生等を抑制するという効果がある。前記侵入の程度は、主としてサイドフィル材の粘度、流動性等の材料特性に依存する。
(A)液状エポキシ樹脂 ビスフェノールA型エポキシ樹脂:RE310(商品名、日本化薬社製)
(B)硬化剤 酸無水物:MH700(商品名、新日本理化社製)
硬化促進剤 マイクロカプセル化イミダゾール:HX−3741(商品名、旭化成工業社製)
(C)メタクリル酸アルキル共重合体 F−351(商品名、日本ゼオン社製)
(D)無機充填材 下記のとおり(なお、各実施例又は比較例で用いた球状シリカの平均粒径、及び粒径45μm以上の粒子の含有率は、下記表中に記載のとおりである)
実施例1〜4;球状シリカ(商品名:SE6200、アドマテックス社製)
比較例1;球状シリカ(比較例用に、別途配合して調製したもの)
比較例2;球状シリカ(商品名:SE2200、アドマテックス社製)
比較例3;球状シリカ(商品名:SE−15、トクヤマ社製)
比較例4、比較例6〜9;球状シリカ(商品名:SE6200、アドマテックス社製)
(E)表面処理無機充填材 ヘキサメチルシラザン:SE31(商品名、信越化学工業社製)で表面処理したフュームドシリカ:アエロジル130(商品名、日本アエロジル社製、平均粒径:0.15μm)
(F)変性シリコーン樹脂 下記のとおり
上記成分を下記表1〜表3に示す組成及び配合量で、配合し、均一に混練することによりエポキシ樹脂組成物を得た。
・粘度
得られた各エポキシ樹脂組成物の25℃における粘度(Pa・s)をブルックフィールド製E型粘度計を用いて測定した。測定結果を表1〜表3に示す。
・ノズルの詰まりの有無
得られた各エポキシ樹脂組成物を、内径0.3mmのノズルを装着したシリンジに収容し、ピストンを用いて前記ノズルを通して押し出し、連続的に押し出しが可能か、目視により観察した。連続的に押し出すことができた場合、ノズルの詰まりが無いとした。押し出しが困難な状態となった場合、ノズルの詰まりが有るとした。結果を表1〜表3に示す。
得られた各エポキシ樹脂組成物を、5mm×5mm×15mmの形状の型内で180℃×30分間の条件で硬化させることにより角柱サンプルを作製した。
各サンプルを、TMA(熱機械分析装置)を用いて、25℃から250℃まで、5℃/minの昇温速度にて加熱し、Tg以下の50〜80℃の温度範囲における熱膨張係数を測定した。測定結果を表1〜表3に示す。
30mm×30mm角のFRP製基板上に、粒径が40μmのマイクロビーズからなるスペーサーを介して、10mm角のシリコン製チップを積載して、模擬半導体装置を作製した。前記チップの周辺部に、シリンジを用いて各エポキシ樹脂組成物をディスペンスした。次いで、180℃×30分間の条件で硬化させて封止体を得た。この封止体に、−40〜150℃、及び100サイクルの条件で冷熱サイクルを加える耐熱衝撃試験を行った後に、封止体にクラックが生じているか、否かを、目視で観察した。クラックの発生の有無を表1〜表3に示す。
図1(a)に示すように、30mm×30mm角のガラス板1の上に、粒径が40μmのマイクロビーズからなるスペーサー2を乗せ、その上に10mm角のシリコン製チップ3を搭載し、模擬半導体装置を作製した。前記チップ3のー辺の端部4に沿ってその全てに、シリンジ5を用いてノズル6から各エポキシ樹脂組成物7を線状にディスペンスした。次いで、180℃×30分間の条件で各エポキシ樹脂組成物を硬化させた。
前記スペーサー2によって形成されているガラス板1と上記チップ3との間隙9の幅をLとする。硬化物で封止された上記チップ3の端部4から、前記間隙内に侵入して存在する前記硬化物8の侵入先端部10までの最長距離をMとする。M/Lを侵入度とし、その測定結果を表1〜表3に示す。
上記封止材の侵入度の測定に際し、前記ガラス板1の裏面を透して、硬化物から液状成分がブリードしているか、否かを目視により観察した。結果を表1〜表3に示す。
2 スペーサー
3 シリコン製チップ
4 端部
5 シリンジ
6 ノズル
7 エポキシ樹脂組成物
8 硬化物
9 間隙
10 硬化物侵入先端部
L 間隙幅
M 端部4から封止材侵入先端部10までの距離
Claims (4)
- (A)液状エポキシ樹脂、
(B)硬化剤:(A)成分中のエポキシ基1モルに対して、(B)成分中に含まれる官能基の量(但し、多価官能基の場合は一価の基が複数あるものとして換算する)が0.8〜1.2モルとなる量、
(C)メタクリル酸アルキル共重合体:本液状エポキシ樹脂組成物の全量に対し1〜5質量%、
(D)粒径45μm以上の粒子の含有率が1質量%以下であり、かつ平均粒径が0.5μm以上5μm未満である無機充填材:本液状エポキシ樹脂組成物の全量に対し30〜60質量%、
(E)非反応性有機ケイ素化合物で表面処理された、平均粒径が0.01〜0.15μmである無機充填材:本液状エポキシ樹脂組成物の全量に対し1〜5質量%、及び
(F)変性シリコーン樹脂:本液状エポキシ樹脂組成物中の有機成分の合計質量に対し1〜30質量%
を含有し、かつ25℃における粘度が100Pa・s以上1000Pa・s未満の液状エポキシ樹脂組成物を含む、基板と該基板上に搭載された半導体チップとを含む半導体装置のフリップチップ実装用サイドフィル材。 - 前記(F)成分が、アルケニル基含有エポキシ樹脂及びアルケニル基含有フェノール樹脂から選ばれるアルケニル基含有樹脂と、下記一般組成式(1):
HaRbSiO(4-a-b)/2 (1)
(式中、Rは脂肪族不飽和基以外の非置換又は置換の一価炭化水素基であり、aは0.005〜0.1の正数であり、bは1.8〜2.2の正数であり、かつ、a+bの和は1.81〜2.3の正数である。)
で表され、かつ1分子中の珪素原子の数が20〜400であるオルガノハイドロジェンポリシロキサンとの、ヒドロシリル化反応により得られる付加反応生成物である、請求項1に記載のフリップチップ実装用サイドフィル材。 - 請求項1〜3の何れか1項に記載されたフリップチップ実装用サイドフィル材により封止された半導体装置であって、基板と該基板上に搭載された半導体チップとの間隙の幅(L)と、前記半導体チップの端部から、前記間隙内に侵入して存在する前記サイドフィル材の硬化物の侵入先端部までの距離(M)との比(M/L)が、5を越え25以下の範囲内である前記半導体装置。
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