JP4157705B2

JP4157705B2 - 高性能電子基板の開口を埋める方法及び部材

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Publication number: JP4157705B2
Application number: JP2002002614A
Authority: JP
Inventors: ドナルド・エス・ファークハー; コンスタンチノス・アイ・パパトーマス
Original assignee: International Business Machines Corp
Current assignee: International Business Machines Corp
Priority date: 2001-01-17
Filing date: 2002-01-09
Publication date: 2008-10-01
Anticipated expiration: 2022-01-09
Also published as: JP2002305367A; US20020182832A1; TW512419B; US6429527B1; US6599833B2; US20020093072A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は一般に半導体の処理に関し、特に、高性能電子基板の開口を埋める方法及び構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
回路ボードを構成する際、セラミック・モジュールなどのモジュールのはんだボール接続（solder ball connection）は、従来のpin-in-holｅ技術に比べて電気的性能メリットが大きい。pin-in-hole技術では、回路ボードの対応するホールに挿入される突起物またはピンを使ってモジュールを回路ボードに接続する。
【０００３】
pin-in-hole接続は機械的条件により、回路ボードでかなり大きい表面積を占めるので、小型化に逆行する形になる。これに対してはんだボール接続では、ボード表面の対応するコンタクト・ポイントに接合されるモジュール上のはんだボールを使ってモジュールをボードに接続する。
【０００４】
具体的には、高融点はんだボールがモジュールの背面に配置され、融点の低いはんだペースト・リフロー・プロセスでモジュールに接続される。次にモジュールが、融点の低いスクリーンドはんだペースト（screened solder paste）で回路ボードの表面に接続される。ボードへのモジュール接続はボードの表面上でのみ行われるので、接続ランドのドリル径及び空隙部分は小さくなり、配線面積が大きくなる。はんだボール接続には、シグナルネットの長さが短くなるのでシステムが高速になるというメリットがあり、バイアやランドの直径が小さくなるので配線がしやすくなるというメリットもある。
【０００５】
但し、はんだボール接続技術は、従来のスルーホールやバイアに対して行われる場合には問題が生じる。このような接続を行う場合、はんだボールをボードに接続するために用いられる共晶スクリーンド・ペーストが、リフロー・プロセスの間にホールを通って目的の相互接続部分から流れ出る。これによりはんだ接合部に不具合が生じ、信頼性がなくなる。パッド・タイプのランドでモジュールをバイアに直接接続しようとする試みでは、はんだボールの接続前に、予めスルーホールをはんだで埋め、固体のランドを作成しようとした。しかしはんだは、ホールの中に引かれて、回路ボードの組み立て時に相互接続部分から離れてしまう。はんだのこの引き込みまたは"wicking"により、はんだの下が中空になる。これはクラッキングにつながるので、はんだ接合部は劣化し信頼性がなくなる。
【０００６】
はんだボールをスルーホールに接続する問題のもう１つの解決方法は、"犬骨"型の終端を利用することである。ここで固体銅ランドが、メッキされたスルーホールまたはバイアからずれる。はんだ接合は固体銅ランドに対して行われ、固体銅ランドは回路ラインによってバイアまたはスルーホールに接続される。犬骨終端は優れたはんだ接合部を形成するが、配線しにくくなり、シグナル・ラインは長くなるので、パッドはんだボール接続技術でバイアにより得られるメリットは少なくなる。これに付随して、回路ラインが、回路ボードの表面のスペースまたは"有効面積"を占める。
【０００７】
特定の高分子物質でバイアやスルーホールを埋める試みもなされているが、このような高分子物質は、バイアを完全に埋めることはなく、よって大きな空乏が生じる。またこの種の高分子物質では、溶剤を乾燥させるために処理時間が長くなる。更にこれらの高分子物質は、溶剤が除かれたとき縮む傾向があり、その結果、表面が平坦ではなくなり別の空乏が生じる。
【０００８】
はんだボール接続をスルーホールに直接設けることによって、消費されるスペースを少なくし、シグナル・ラインを短くし、配線性を良くしながら、良好なはんだ接合部を得ることが求められる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第１の一般的な側面は、基板の少なくとも１つの開口を埋める方法を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
この方法は、上面と下面を持つ基板を提供するステップ、上面から下面に延びる少なくとも１つの開口を基板に提供するステップ、第１層、第１層上の充填物質、及び少なくとも１つの開口のある充填物質上のマスクを持つ充填構造を提供するステップ、基板の上面に充填構造を配置するステップ、及び充填構造のマスクにある少なくとも１つの開口に充填物質を通して、基板の少なくとも１つの開口に押し込むステップを含む。
【００１１】
本発明の第２の一般的な側面は、基板の少なくとも１つの開口を埋めるための構造を形成する方法を提供することである。この方法は、第１層を提供するステップ、第１層に充填物質を付着するステップ、及び充填物質上にマスクを形成するステップを含む。
【００１２】
本発明の第３の一般的な側面は、半導体基板内の少なくとも１つの開口を埋めるための構造を提供することである。この構造は、第１層、第１層上の充填物質の層、及び充填物質の層上のマスクを含む。
【００１３】
本発明の前述及び他のフィーチャが、本発明の特定の実施例に関する以下の詳細な説明から明らかとなろう。
【００１４】
【発明の実施の形態】
本発明の特定の実施例について詳しく説明するが、特許請求の範囲に示した範囲から逸脱することなく様々な変更及び変形が可能なことは理解されよう。本発明の範囲は、組成物の数、その物質、形状、相対的配置などに限定されない。図は本発明を説明するためのものであるが、必ずしも実寸ではない。
【００１５】
各図を参照する。図１乃至図３は、チップ・キャリア、回路ボードなど、基板内の開口やバイアを埋めるために用いられるキャリア構造１０の形成を示す。特に図１は、充填物質の層１４を持つ犠牲第１層１２を示す。犠牲第１層１２は、銅箔、アルミニウム、その他同様に用いられる金属、或いはポリイミド、高分子膜などの非金属を含む。犠牲第１層１２の厚みは約１２．７×１０ ^-3 ｍｍ乃至約１２７×１０ ^-3 ｍｍの範囲である。
【００１６】
充填物質１４の層は、エポキシ、シアン酸塩エステル（cyanate ester）、ビスマレイミド（bismaleimide）、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン（benzocyclobutenes）、ポリスルホン（polysulfones）、ポリエーテルケトン（polyetherketones）、及びその混合物などの有機物質を含む。充填物質１４はまた、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン及びプラチナなどの伝熱粒子や導電粒子が分散した物質でもよい。充填物質１４は更に、Kuleszaらによる米国特許第６１０６８９１号に記載の物質から構成することもできる。充填物質１４の層は、厚み約１２．７×１０ ^-3 ｍｍ乃至約１２７×１０ ^-3 ｍｍの範囲であり、ローラ・コーティング法やプリント・スクリーニング法などの従来のプロセスにより犠牲第１層１２上に付着される。特に、充填物質１４は約１２０℃乃至約１４０℃の範囲まで加熱され、充填物質１４に用いられた溶剤が取り除かれ（これはコーティング・プロセスに役立つ）、充填物質１４が一部前進するので、充填物質１４が溶融し、犠牲第１層１２に付着する。
【００１７】
図２に示すように、ロール積層、真空積層、ホット・ロール積層（ＨＲＬ）などの転写式の方法により充填物質の層１４にフォイル層１６が付着される。付着プロセスは、充填物質１４の層の変形や変位を防ぐために、低温及び低圧で行われる。フォイル層１６は約６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至約５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲の厚みまで付着される。フォイル層１６は銅やその他同様に用いられる物質を含む。
【００１８】
図３に示すように、フォイル層１６内にホールまたは開口１８が形成され、それによりマスク１９が形成される。フォイル層１６内の開口１８は、従来のフォトリソグラフィ減法エッチング法やその他の同様なプロセスにより形成することができる。充填物質１４の部分が露出する開口１８は、チップ・キャリア、回路ボードなどの基板２２内に形成されるメッキされたスルーホールなどの開口またはバイア２０の大きさ及び位置に凡そ対応する（図４参照）。基板２２は、ＦＲ−４エポキシ、及び高温エポキシ、ポリイミド、シアン酸塩（トリアゼン）、フッ素樹脂、セラミック充填フッ素樹脂、ベンゾシクロブテン、ペルフルオロブテン（perfluorobutanes）、ポリフェニレンスルフィド（polyphenylenesulfide）、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン、ポリフェニールキノキサリンン（polyphenylquinoxalines）、ポリベンゾオキサゾール（polybenzoxazoles）、ポリフェニール・ベンゾビスチアゾール（polyphenyl benzobisthiazoles）及びその組み合わせなどの高温樹脂をベースにした積層から形成することができる。フォイル層１６の開口１８は、フォトリソグラフィなどの従来の回路化法により形成される。例えば開口２０は、従来からプリント回路ボードやチップ・キャリアに用いられているドリル、パンチ、レーザ技法などにより形成することができる。
【００１９】
図４に示すように、キャリア構造１０は反転されて基板２２表面に配置され、マスク１９は基板２２に接触する。図に示す通り、マスク１９の開口１８は、基板２２の開口２０と完全に整合する必要はなく、全く同じ寸法である必要もない。マスク１９の開口１８により、充填物質１４と基板２２の開口２０間のアクセスが約２０％乃至約８０％になれば、開口２０は問題なく埋めることができる（後述）。
【００２０】
約１０５．４５ｋｇ／ｃｍ ² 乃至４９２．１０ｋｇ／ｃｍ ²の範囲の圧力と約８０℃乃至約２００℃の範囲の温度を約２０分乃至約９０分印加し、充填物質１４をマスク１９の開口１８に通して、基板２２の開口２０に押し込み、開口２０に移動した充填物質１４を硬化させる（図５）。犠牲第１層１２、マスク１９、及びその間の残りの充填物質１４は、開口２０内の充填物質１４に剪断力をかけるなどの剥離方法により基板２２表面から取り除かれる。剥離時、マスク１９の開口１８内にあり、犠牲第１層１２に付着した充填物質１４は破砕し、基板２２表面に小さい塊２４が残る（図６）。基板２２表面は、アブレーション、機械的スクラビング、ＣＭＰ（化学機械的研磨）などにより塊２４が取り除かれて平坦化される（図７）。
【００２１】
その後、銅などの導電物質の層が従来のメッキ方法により基板２２表面にメッキされる（図８）。これにより充填開口２０上にキャップ層が形成される。導電層２６は次にパターン化され、電気接続のための配線層２６が形成される。その後、絶縁誘電層または誘電ビルドアップ層２８が配線層２６に積層される。誘電ビルドアップ層２８は他の回路層の積層を可能にする。
【００２２】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【００２３】
（１）基板の少なくとも１つの開口を埋める方法であって、
上面と下面を持つ基板を提供するステップと、
前記基板に、前記上面から前記下面に延びる少なくとも１つの開口を提供するステップと、
第１層、該第１層上の充填物質、及び該充填物質上の少なくとも１つの開口を持つマスクを含む充填構造を提供するステップと、
前記充填構造を前記基板の前記上面に配置するステップと、
前記充填物質を前記充填構造のマスクにある少なくとも１つの開口に通して前記基板の少なくとも１つの開口に押し込むステップと
を含む、方法。
（２）前記少なくとも１つの開口はメッキされたホールである、前記（１）記載の方法。
（３）前記充填構造は犠牲キャリア構造である、前記（１）記載の方法。
（４）前記マスクにある少なくとも１つの開口が、前記基板にある少なくとも１つの開口と凡そ整合するように前記充填構造を整合させるステップを含む、前記（１）記載の方法。
（５）前記充填物質を前記充填構造のマスクにある開口に通して、前記基板の少なくとも１つの開口に押し込んだ後、前記充填構造を前記基板の前記上面から取り除くステップを含む、前記（１）記載の方法。
（６）前記基板から前記充填構造を取り除くステップは、前記第１層、残りの充填物質、及び前記マスクを前記基板の上面から剥離させるステップを含む、前記（５）記載の方法。
（７）前記基板の上面から前記充填構造を取り除くステップの後に、前記基板の上面を平坦化するステップが続く、前記（５）記載の方法。
（８）前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、前記（１）記載の方法。
（９）前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、前記（１）記載の方法。
（１０）前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、前記（９）記載の方法。
（１１）前記マスクはフォイル層を含む、前記（１）記載の方法。
（１２）前記フォイル層は銅を含む、前記（１１）記載の方法。
（１３）前記マスク内の開口はフォトリソグラフィ・プロセスにより形成される、前記（１）記載の方法。
（１４）前記マスクの開口は前記充填物質へのアクセスを形成する、前記（１）記載の方法。
（１５）前記マスクの開口は前記基板の開口と、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％で整合する、前記（１）記載の方法。
（１６）前記マスクの厚みは約６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至約５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、前記（１）記載の方法。
（１７）前記充填物質を前記開口に押し込むステップは、前記構造及び前記基板に約８０℃乃至約２００℃の範囲の温度で、約１０５．４５ｋｇ／ｃｍ ² 乃至４９２．１０ｋｇ／ｃｍ ²の範囲の圧力をかけるステップを含む、前記（１）記載の方法。
（１８）基板の少なくとも１つの開口を埋めるための構造を形成する方法であって、
第１層を提供するステップと、
前記第１層に充填物質を付着するステップと、
前記充填物質上にマスクを形成するステップと
を含む、方法。
（１９）前記開口はメッキされたホールである、前記（１８）記載の方法。
（２０）前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、前記（１８）記載の方法。
（２１）前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、前記（１８）記載の方法。
（２２）前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、前記（２１）記載の方法。
（２３）前記充填物質上にマスクを形成するステップは、
前記充填物質上にフォイル層を付着するステップと、
前記フォイル層内に少なくとも１つの開口を形成するステップと
を含む、前記（１８）記載の方法。
（２４）前記開口は前記基板の開口と少なくとも部分的に整合する、前記（２３）記載の方法。
（２５）前記開口は前記基板の開口と、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％で整合する、前記（２３）記載の方法。
（２６）前記マスクの厚みは約６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至約５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、前記（２３）記載の方法。
（２７）半導体基板内の少なくとも１つの開口を埋めるための構造であって、
第１層と、
前記第１層上の充填物質の層と、
前記充填物質の層上のマスクと
を含む、構造。
（２８）前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、前記（２７）記載の構造。
（２９）前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、前記（２７）記載の構造。
（３０）前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、前記（２９）記載の構造。
（３１）前記マスクは、前記基板の開口と少なくとも部分的に整合する少なくとも１つの開口を含む、前記（２７）記載の構造。
（３２）前記開口は前記基板の開口と整合し、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％になる、前記（２７）記載の構造。
（３３）前記マスクの厚みは約６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至約５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、前記（２７）記載の構造。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に従ったキャリア構造を示す図である。
【図２】本発明に従ったフォイル層を持つ図１のキャリア構造を示す図である。
【図３】本発明に従い、フォイル層内にマスクが形成された後の図２のキャリア構造を示す図である。
【図４】本発明に従い、基板と係合した図３のキャリア構造を示す図である。
【図５】本発明に従った基板の開口の充填後の図４のキャリア構造と基板を示す図である。
【図６】本発明に従ったキャリア基板を取り除いた後の図５の基板を示す図である。
【図７】本発明に従った平坦化後の図６の基板を示す図である。
【図８】本発明に従った配線層と絶縁層を持つ図７の基板を示す図である。
【符号の説明】
１０キャリア構造
１２犠牲第１層
１４充填物質
１６フォイル層
１８、２０開口
１９マスク
２２基板
２４塊
２６配線層
２８誘電ビルドアップ層

Claims

基板の少なくとも１つの開口を埋める方法であって、
上面と下面を持つ基板を提供するステップと、
前記基板に、前記上面から前記下面に延びる少なくとも１つの開口を提供するステップと、
第１層、該第１層上の充填物質、及び該充填物質上の少なくとも１つの開口を持つマスクを含む充填構造を提供するステップと、
前記充填構造を前記基板の前記上面に配置するステップと、
前記充填物質を前記充填構造のマスクにある少なくとも１つの開口に通して前記基板の少なくとも１つの開口に押し込むステップとを含み、
前記マスクは、前記充填物質上に低温及び低圧で付着されることを特徴とする方法。
前記少なくとも１つの開口はメッキされたホールである、請求項１記載の方法。
前記充填構造は犠牲キャリア構造である、請求項１記載の方法。
前記マスクにある少なくとも１つの開口が、前記基板にある少なくとも１つの開口と凡そ整合するように前記充填構造を整合させるステップを含む、請求項１記載の方法。
前記充填物質を前記充填構造のマスクにある開口に通して、前記基板の少なくとも１つの開口に押し込んだ後、前記充填構造を前記基板の前記上面から取り除くステップを含む、請求項１記載の方法。
前記基板から前記充填構造を取り除くステップは、前記第１層、残りの充填物質、及び前記マスクを前記基板の上面から剥離させるステップを含む、請求項５記載の方法。
前記基板の上面から前記充填構造を取り除くステップの後に、前記基板の上面を平坦化するステップが続く、請求項５記載の方法。
前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、請求項１記載の方法。
前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、請求項１記載の方法。
前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、請求項９記載の方法。
前記マスクはフォイル層を含む、請求項１記載の方法。
前記フォイル層は銅を含む、請求項１１記載の方法。
前記マスク内の開口はフォトリソグラフィ・プロセスにより形成される、請求項１記載の方法。
前記マスクの開口は前記充填物質へのアクセスを形成する、請求項１記載の方法。
前記マスクの開口は前記基板の開口と、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％で整合する、請求項１記載の方法。
前記マスクの厚みは６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、請求項１記載の方法。
前記充填物質を前記開口に押し込むステップは、前記構造及び前記基板に８０℃乃至２００℃の範囲の温度で、１０５．４５ｋｇ／ｃｍ ² 乃至４９２．１０ｋｇ／ｃｍ ²の範囲の圧力をかけるステップを含む、請求項１記載の方法。
上面と下面を持つ基板を提供するステップと、前記基板に、前記上面から前記下面に延びる少なくとも１つの開口を提供するステップと、充填物質及びマスクを含む充填構造を提供するステップと、前記充填構造を前記基板の前記上面に配置するステップと、前記充填物質を前記充填構造のマスクにある少なくとも１つの開口に通して前記基板の少なくとも１つの開口に押し込むステップとを含む基板の少なくとも１つの開口を埋める方法において、基板の少なくとも１つの開口を埋めるための前記充填構造の形成は、
第１層を提供するステップと、
前記第１層に充填物質を付着するステップと、
前記充填物質上にマスクを形成するステップとを含み、
前記マスクは、前記充填物質上に低温及び低圧で付着されることを特徴とする方法。
前記開口はメッキされたホールである、請求項１８記載の方法。
前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、請求項１８記載の方法。
前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、請求項１８記載の方法。
前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、請求項２１記載の方法。
前記充填物質上にマスクを形成するステップは、
前記充填物質上にフォイル層を付着するステップと、
前記フォイル層内に少なくとも１つの開口を形成するステップと
を含む、請求項１８記載の方法。
前記開口は前記基板の開口と少なくとも部分的に整合する、請求項２３記載の方法。
前記開口は前記基板の開口と、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％で整合する、請求項２３記載の方法。
前記マスクの厚みは６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、請求項２３記載の方法。
上面と下面を持つ基板を提供するステップと、前記基板に、前記上面から前記下面に延びる少なくとも１つの開口を提供するステップと、充填物質及びマスクを含む充填構造を提供するステップと、前記充填構造を前記基板の前記上面に配置するステップと、前記充填物質を前記充填構造のマスクにある少なくとも１つの開口に通して前記基板の少なくとも１つの開口に押し込むステップとを含む基板の少なくとも１つの開口を埋める方法における、前記充填構造は、前記基板内の少なくとも１つの開口を埋めるための構造であって、
第１層と、
前記第１層上の充填物質の層と、
前記充填物質の層上のマスクと
を含み、
前記マスクは、前記充填物質上に低温及び低圧で付着されることを特徴とする、構造。
前記第１層は、銅箔、アルミニウム、ポリイミド、及び高分子膜より成るグループから選択される物質を含む、請求項２７記載の構造。
前記充填物質は、エポキシ、シアン酸塩エステル、ビスマレイミド、シアン酸塩エステル・エポキシ、ポリイミド、ベンゾシクロブテン、ポリスルホン、ポリエーテルケトン、及びその混合物より成るグループから選択される物質を含む、請求項２７記載の構造。
前記充填物質は、シリカ、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化シリコン、炭化シリコン、窒化ボロン、ダイヤモンド粉、ガラス、銅、銀、金、パラジウム、スズ、ビスマス、鉛、遷移液相粒子、銀メッキ銅、銀メッキ固体ガラス球、銀メッキ中空ガラス球、炭素、ニッケル、モリブデン、及びプラチナより成るグループから選択される粒子を含む、請求項２９記載の構造。
前記マスクは、前記基板の開口と少なくとも部分的に整合する少なくとも１つの開口を含む、請求項２７記載の構造。
前記開口は前記基板の開口と整合し、前記充填物質と前記開口間のアクセスが少なくとも２０％乃至８０％になる、請求項２７記載の構造。
前記マスクの厚みは６．３５×１０ ^-3 ｍｍ乃至５０．８０×１０ ^-3 ｍｍの範囲である、請求項２７記載の構造。