JP3974421B2

JP3974421B2 - 半導体受光素子

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Publication number: JP3974421B2
Application number: JP2002041721A
Authority: JP
Inventors: 昌伸加藤
Original assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Current assignee: Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date: 2002-02-19
Filing date: 2002-02-19
Publication date: 2007-09-12
Anticipated expiration: 2022-02-19
Also published as: US20030155623A1; JP2003243674A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，１μｍ帯域の光通信用，特にＷＤＭ用の受光素子に関し，波長フィルタやＰＬＣを用いる必要がなく，光ファイバとの直結が可能な半導体受光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年，光通信の大容量化の要求に伴い，波長多重伝送方式（ＷＤＭ：ＷａｖｅｌｅｎｇｔｈＤｉｖｉｓｉｏｎＭｕｌｔｉ／ｄｅｍｕｌｔｉｐｌｅｘｉｎｇ)の開発が盛んに行われ製品化されている。ＷＤＭは，複数の異なる波長の光を一本のファイバで伝送するものであり，一般的には，一つの光ファイバ内に波長が１．３μｍと１．５５μｍの光を同時に入れる方法や，１．５μｍ帯域をＳバンド，Ｃバンド，Ｌバンドに分け，更に０．８ｎｍ間隔に分けた光を多重伝送する方法等がある。
【０００３】
一つの光ファイバ内に，波長が１．３μｍと１．５５μｍの光を同時に入れる方法の場合，文献名：橋本俊和他「ＰＬＣプラットフォームを用いた同時送受信用１．３／１．５５μｍＷＤＭ光モジュール」９８信学会ソサイエティ大会Ｃ‐３‐１１０にあるように，一つの光ファイバで送られてきた１．３μｍと１．５５μｍとの光を別々に受光する必要があるために，光回路が構成される光導波路上で，受光素子の手前に波長選択フィルタを設置して，入射光を所望の波長に分けてから受光素子であるフォトダイオード（ＰＤ）で受光していた。
【０００４】
また，１．５μｍ帯域を分割して光を多重伝送する方法の場合，上塚尚登他「ＤＷＤＭ用ＰＬＣデバイス」９８信学会ソサイエティ大会Ｃ‐３‐１３７にあるように，やはり一つの光ファイバで送られてきた光を各波長（チャンネル）毎に分波するためのＰＬＣ（ＰｌａｎａｒＬｉｇｈｔｗａｖｅＣｉｒｃｕｉｔｓ）が必要となる。ＰＬＣは，シリコン平面基板上に，用途により導波路型光回路デバイスを形成したものである。
【０００５】
図８に上記方法についての概略斜視図を示した。波長多重伝送の光ファイバ１１を，光信号の伝達が可能な平面導波路１３に繋げる。この光ファイバ１１で送られてきた光を平面導波路上１３に形成された回折格子１２（グレーティング）により各波長に分波する。分波された各波長の光は，受光部に向かい各波長毎にＰＤに入射して受光され，光信号が電気信号に変換される。ここでは各波長に対応するＰＤが１つに連結された，ＰＤアレイ１４を用いている。
【０００６】
受光素子ＰＤは受光した光信号を電気信号に変換するものであり，入射光の方向により，表面入射型，裏面入射型，側面（端面）入射型がある。一般的には，表面入射型や裏面入射型が用いられており，半導体基板に対して垂直な方向から入射光を入射させる。これに対し側面入射型では，入射光が受光素子の側面から入射されるので，他の素子と基板上に実装してモジュールを製作する際に，マウントされた受光素子に対して水平方向から光ファイバを取り付けることができるので，実装が容易となる。このような側面入射型の素子では，素子内での屈折や反射により光路を変更して，素子の表面や裏面に形成された受光部で受光される。
【０００７】
上記のような側面入射型の受光素子の場合，側面にエッチングにより傾斜面を形成し，この面を光の受光面とすることにより，入射光がこの傾斜した受光面で屈折して，基板表面，または裏面に形成された受光部に入射する。このような構造の場合，傾斜面の位置と受光部の位置の位置合わせが非常に重要であり，素子の製造工程においては，両面露光機を用いてウェハの両面を観察しながら慎重に位置合わせをする必要がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
ところで，一つの光ファイバ内に波長が１．３μｍと１．５５μｍの光を同時に入れる方法の場合，波長選択フィルタを挿入することで，ＰＤの受光感度が低下するといった問題が発生する。また，波長選択フィルタの製造コスト，光導波路の加工コストが掛かってしまう。また，１．５μｍ帯域を分割して光を多重伝送する方法の場合にも，各波長毎に分波するＰＬＣの良品歩留りが低く，現状では極めて高価であること，またＰＤアレイ自身も良品歩留りが低いため，総合的に非常に高価なものになってしまうという問題があった。
【０００９】
本発明は，従来の半導体受光素子を用いた受光システムが有する上記問題点に鑑みてなされたものであり，本発明の目的は，波長選択フィルタによるＰＤの受光感度の低下や，波長選択フィルタやＰＬＣの使用によるコストの増大といった問題点を解消し，波長選択フィルタやＰＬＣが不要で光ファイバとの直結が可能な，新規かつ改良された半導体受光素子を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため，本発明の第１の観点によれば，複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，前記受光面に対向して形成され，前記複数の波長を有する光のうち少なくとも一部の光を反射させる反射膜と，前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，を含み，前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子が提供される。
【００１１】
上記半導体受光素子を用いることにより，受光面に入射した光の波長に対応して屈折角が異なり，入射光を波長毎に分離して受光することができるので，多重波長の受光システムにおいて，波長選択フィルタやＰＬＣを用いる必要がなくなり，光ファイバとの直結が可能になる。
【００１２】
受光面に対向して形成される反射膜については，第１の例として，半導体基板の裏面と側面とを横切る凹面上に形成されたものを適用することができる。凹面で反射する場合，分離された各入射光が凹面上で異なる角度と位置に入射するため，各々の反射角が異り，各光路の広がり角が反射前より大きくなる。こうして各波長の光が光路を異にして半導体基板表面に形成された受光部に到達するので，素子サイズが小さくても，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５５μｍの光とを分離して受光できるだけでなく，１．５μｍ帯域の近接した各バンドをそれぞれ分離して受光することも可能となる。
【００１３】
また反射膜の第２の例として，半導体基板の裏面の凹面上に形成されたものを適用することができる。分離された入射光のうち，所望の波長を有する光のみが反射して，各々の波長に対応する反射角の差異により，各光路は反射前より大きく分離して各々の受光部に到達する。また，所望の波長以外の光は光路上に凹面反射膜がないため，直接各々の受光部に到達する。これにより，例えば上記従来技術で説明した１．５μｍ帯域の近接した各バンドをそれぞれ分離して受光できるだけでなく，１．５μｍ帯域の光と１．３μｍの光との受光部距離を大きくすることが可能となる。
【００１４】
また，反射膜の第３の例としては，半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面上に形成されたものを適用することができる。分離された入射光がすべて反射して，各々の受光部に到達し，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５５μｍの光とを分離した受光が可能となる。
【００１５】
さらに，反射膜の第４の例として，半導体基板の裏面のＶ溝に形成されたものを適用することができる。分離された入射光のうち，所望の波長を有する光のみが反射して各々の受光部に到達し，所望の波長以外の光は光路上に反射膜がないため，直接各々の受光部に到達する。これにより，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５５μｍの光との受光部距離を大きくすることが可能となる。
【００１６】
また，本発明の第２の観点によれば，複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，前記受光面に対向して前記半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面上に形成され，前記複数の波長を有する光を反射させる第１の反射膜と，前記第１の反射膜に対向して前記半導体基板の表面と側面とを横切る凹面上に形成され，前記第１の反射膜の反射光を反射させる第２の反射膜と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，を含み，前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子が提供される。
【００１７】
分離した入射光は第１の反射膜で反射して第２の反射膜に達し，さらに凹面上に形成された第２の反射膜で反射して，各々の波長に対応する反射角の差異により，各光路は反射前より大きく分離して，各々の受光部に到達する。これにより，素子サイズが小さくても，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５μｍ帯域の近接した各バンドを分離して受光できるだけでなく，１．５μｍ帯域の光と１．３μｍの光との受光部距離を大きくすることが可能である。
【００１８】
また，本発明の第３の観点によれば，複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：半導体基板の裏面を横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，前記受光面に対向して前記半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面上に形成され，前記複数の波長を有する光を反射させる第１の反射膜と，前記第１の反射膜に対向して前記半導体基板の表面と側面とを横切る凹面上に形成され，前記第１の反射膜の反射光を反射させる第２の反射膜と，前記半導体基板の裏面に形成され，前記第２の反射膜の反射光を反射させる第３の反射膜と，前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，を含み，前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子が提供される。
【００１９】
分離された入射光は第１の反射膜で反射して第２の反射膜に達し，凹面上に形成された第２の反射膜で，各々の波長に対応する反射角の差異により，各光路は反射前より大きく分離して，第３の反射膜に達する。さらに第３の反射膜で反射してから各々の受光部に到達する。これにより，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５μｍ帯域の近接した各バンドを分離して受光することが可能なだけでなく，第３の反射膜を設けたことで，半導体基板の厚みが薄い場合でも，１．５μｍ帯域の光と１．３μｍの光との受光部距離を大きくすることができる。
【００２０】
また，本発明の第４の観点によれば，複数の波長を有する光が，裏面方向から入射する半導体受光素子において：半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，を含み，前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子が提供される。
【００２１】
上記半導体受光素子を用いることにより，素子裏面の受光面からの入射光が，各波長に対応した屈折角の差異により分離され，表面の各々の受光部に達するので，一つの素子で，例えば上記従来技術で説明した１．３μｍの光と１．５５μｍの光を分離して受光することができる。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下に添付図面を参照しながら，本発明にかかる半導体素子の製造方法の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお，本明細書及び図面において，実質的に同一の機能構成を有する構成要素については，同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２３】
（第１の実施の形態）
本発明の第１の実施形態について断面図を図１に示した。断面図には，併せて入射光の各々の光路も示している。受光面の反対側に反射面として，凹面を採用した側面入射型受光素子である。半導体基板１０４にはインジウムリン（Ｉｎｐ），ガリウム砒素（ＧａＡｓ），またはアモルファスシリコン等を採用し，光吸収層１０５には，インジウムガリウム砒素（ＩｎＧａＡｓ）層，インジウムガリウム砒素リン（ＩｎＧａＡＳＰ）層，インジウムガリウムアルミニウム砒素（ＩｎＧａＡ１Ａｓ）層，インジウム砒素リン（ＩｎＡｓＰ）層等のIII‐Ｖ族混晶層を採用している。
【００２４】
半導体基板１０４上には，下層１０６としてｎ−ＩｎＰ層，光吸収層１０５，上層１０７としてｎ−ＩｎＰ層とが順次エピタキシャル成長されている。さらに上層１０７のｎ−ＩｎＰ層において，ｐ−ＩｎＰ部を選択的に拡散し，ｐｎジャンクションを形成することで，１．３μｍ光受光部１０２，１．５５μｍ帯域受光部４０２を形成する。ここでｐ層とｎ層の関係は逆になってもよく，上層，下層がｐ−ＩｎＰ，選択拡散部がｎ−ＩｎＰとしても可能である。この受光部は，設計される各波長の光路上に正確に形成される必要があるため，光が屈折する受光面や反射する反射面との精密な位置合わせを行わなければならない。
【００２５】
両面目合わせ機を用いたフォトリソグラフィにより，精密な位置合わせが行われた受光面１０１の傾斜面や反射面の凹面４０１は，ウェットエッチングにより形成する。更に，凹面４０１上には反射膜２０２を形成する。反射膜２０２としては，ＣＶＤ法により形成されるＳｉＯ_２膜が好適である。また，反射膜２０２としてはその他にも，ＳｉＮ膜，樹脂，大気，Ｎ_２のようなＩｎｐよりも屈折率の低い絶縁物，又はＡｕやＣｕのような反射率の高い金属でも良い。
【００２６】
図１の素子側面にある受光面１０１に，１．３μｍ光と１．５μｍ帯域の光を入射させると，半導体基板での各波長に対する屈折率の違いから屈折角が異なってくる。例えば，本実施形態における素子の周囲を屈折率１．４の樹脂で封止した場合を考える。受光面１０１の角度が底面に対して５４°の場合，入射角は３６°になり，光の波長による届折角の違いから光路が変わる。
【００２７】
次にそれぞれの光は凹面４０１上の反射膜２０２で反射して，各波長に対応する反射角の差異により光路が反射前より大きく分離する。これは，受光面１０１で屈折角の違いにより光路が変った光が，凹面４０１に対して異なる角度と位置に入射するため，それぞれの波長の光が凹面４０１で反射するときの反射角が異り，波長毎の光の広がり角が大きくなるためである。この効果は凹面４０１の曲率半径が小さくなるほど顕著になる。従って，凹面４０１を採用することで，光の分離が容易になる。こうして凹面４０１上の反射膜２０２で反射された各光は，素子表面部の１．３μｍ光受光部１０２，１．５μｍ帯域受光部４０２で受光される。
【００２８】
本実施形態では素子サイズが小さくても１．３μｍ光と１．５μｍ帯域の光との別々の受光が可能であり，例えば，素子の幅を５０μｍとし，厚みを１５０μｍ，凹面４０１の曲率半径をＲ＝３０μｍとすると，１．３μｍ光と１．５μｍ帯域の光の受光位置が１０．７μｍ離れて受光することができる。また，素子サイズを大きくして光のパスを長くとれば，１．５μｍ帯域の光の０．８ｎｍ間隔の近接した多波長に対しても，各々を分離して受光することが可能である。
【００２９】
（第２の実施の形態）
本発明の第２の実施形態について図２に断面図を示した。素子裏面に凹溝５０１を形成した側面入射型受光素子である。凹溝５０１の凹面４０１上には反射膜２０２が形成されている。また，１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２は素子表面部に形成されている。ここで，半導体基板の素材や受光部の構成，反射膜の形成法等は，第１の実施形態と同様である。
【００３０】
図２の素子側面にある受光面１０１に光が入射すると，光の波長による屈折角の違いから光路が変わる。１．５μｍ帯域の光は凹溝５０１の凹面４０１上の反射膜２０２で反射して，素子表面部の１．５μｍ帯域受光部４０２で受光される。一方，１．３μｍの光路上には凹面４０１がないため，反射面では反射せずにそのまま素子表面部の１．３μｍ光受光部１０２で受光される。これにより１．３μｍの光は１．５μｍ帯域の光とは距離が離れるため分離が容易である上，１．５μｍ帯域の近接した各波長の光の分離も可能となる。
【００３１】
（第３の実施の形態）
本発明の第３の実施形態について図３に断面図を示した。受光面１０１の反対側に反射面２０１を形成し，反射面２０１の上方に凹面４０１を形成した側面入射型受光素子の断面図である。反射面２０１は傾斜面だあり，反射面２０１上には反射膜２０２が形成されている。凹面４０１上にも反射膜２０２が形成されている。１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２は素子裏面に形成されている。
【００３２】
図３の素子端面にある受光面１０１に光が入射すると，光の波長による屈折角の違いから光路が変わる。それぞれの光は反射面２０１上の反射膜２０２ですべて反射して，凹面４０１に入射する。ここで絶縁物を反射膜２０２に採用した場合は全反射となる。凹面４０１ではそれぞれの光が凹面に入射する角度と位置が異なるため反射角が異なり，各光路は反射前より大きく分離される。凹面４０１上の反射膜２０２で反射した光は，素子裏面に形成された１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２で受光される。本実施形態では素子サイズが小さくても光のパスを長くとることが容易になり，１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２との受光位置を２５５μｍ離すことが可能となる。
【００３３】
（第４の実施の形態）
本発明の第４の実施形態について図４に断面図を示した。受光面１０１の反対側に反射面２０１を形成し，反射面２０１に対向して凹面４０１を形成し，素子裏面に反射面７０１を形成した側面入射型受光素子である。反射面２０１には傾斜面を採用し，反射面上には反射膜２０２が形成されている。凹面４０１上にも反射膜２０２が形成されている。反射面７０１上にも反射膜２０２が形成されている。１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２は素子表面部に形成されている。
【００３４】
図４の素子側面にある受光面１０１に光が入射すると，光の波長による屈折角の違いから光路が変わる。それぞれの光は反射面２０１上の反射膜２０２ですべて反射して凹面４０１に入射する。凹面４０１ではそれぞれの光が凹面に入射する角度と位置が異なるため反射角が異なり，反射前より大きく光路が分離する。凹面４０１上の反射膜２０２で反射した光はそれぞれ素子裏面に形成した反射面７０１に入射する。反射面７０１上の反射膜２０２で反射した光は素子表面部に形成された１．３μｍ光受光部１０２と１．５μｍ帯域受光部４０２で受光される。第３の実施の形態に反射面７０１を追加することで半導体基板１０４の厚みが薄い場合でも光のパスを長く確保することが可能となる。これは，製造工程の都合で半導体基板１０４の厚みを厚くできない場合に有用である。
【００３５】
（第５の実施の形態）
本発明の第５の実施形態についての断面図を図５に示した。受光面１０１の反対側に１．３μｍ光受光部１０２と１．５５μｍ光受光部１０３が形成された裏面入射型受光素子である。
【００３６】
図１の受光面１０１に１．３μｍと１．５５μｍの光を入射させると，それぞれの半導体基板での屈折率の違いから屈折角が異なって，１．３μｍの屈折角は１４．９°，１．５５μｍの屈折角は１５．１°になる。半導体基板の厚みが３ｍｍ程度であれば，１．３μｍ光と１．５５μｍ光の受光位置が１０．９μｍ離れるため別々に受光することが可能となる。
【００３７】
（第６の実施の形態）
本発明の第６の実施形態についての断面図を図６に示した。受光面１０１の反対側に反射面２０１を形成した，側面入射型受光素子の断面図である。反射面２０１には傾斜面を採用し，反射面上に反射膜２０２を形成している。１．３μｍ光受光部１０２と１．５５μｍ光受光部１０３は素子表面部に形成されている。
【００３８】
図６の素子側面にある受光面１０１に光が入射すると，光の波長による屈折角の違いから光路が変わる。それぞれの光は反射面２０１上の反射膜２０２ですべて反射して，素子表面部の１．３μｍ光受光部１０２，１．５５μｍ光受光部１０３で受光される。素子の幅を２ｍｍとし，厚みを１．５ｍｍとすると，１．３μｍ光と１．５５μｍ光の受光位置が１０．８μｍ離れ，別々に受光することが可能となる。
【００３９】
（第７の実施の形態）
本発明の第７の実施形態について図７に断面図を示した。素子裏面にＶ溝３０１を形成し，Ｖ溝の傾斜面を反射面２０１として活用した側面入射型受光素子である。反射面２０１上には反射膜２０２が形成されている。１．３μｍ光受光部１０２と１．５５μｍ光受光部１０３は素子表面部に形成されている。
【００４０】
図７の素子側面にある受光面１０１に光が入射すると，光の波長による屈折角の違いから光路が変わる。１．５５μｍの光はＶ溝３０１のメサ面である反射面２０１上の反射膜２０２で反射して，素子表面部の１．５５μｍ光受光部１０３で受光される。一方，１．３μｍの光は光路上に反射面がないため反射せずにそのまま素子表面部の１．３μｍ光受光部１０２で受光される。素子の幅を４００μｍとし，厚みを１５０μｍとし，Ｖ溝３０１の深さを１９．１μｍに設定すると，１．３μｍ光と１．５５μｍ光の受光位置が３３１μｍ離すことができる。
【００４１】
以上，添付図面を参照しながら本発明にかかる半導体素子の製造方法の好適な実施形態について説明したが，本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば，特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり，それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【００４２】
上記実施の形態では，分離された入射光を１回，２回，３回と反射させてから受光する場合の例について説明しているが，本発明はこれに限定されない。反射回数を多くすることは，素子内で光のパスを長くできる点で有効であり，４回以上反射後に受光することも可能である。
【００４３】
【発明の効果】
以上説明したように，本発明によれば，受光面に入射した光の波長により屈折角が異なり，入射光を波長毎に分離して受光することが可能となったので，ＷＤＭ方式による多重波長の受光システムにおいて，波長選択フィルタやＰＬＣを用いる必要がなくなり，波長選択フィルタ挿入による受光感度の低下も起こることはない。受光素子と光ファイバとを直結することができ，大幅なコストの削減が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である
【図６】本発明の第６の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である
【図７】本発明の第７の実施形態にかかる半導体受光素子の断面図である
【図８】従来技術による半導体受光基板の概略斜視図である。
【符号の説明】
１０１受光面
１０２１．３μｍ光受光部
１０４半導体基板
１０５光吸収層
１０６下層
１０７上層
２０２反射膜
４０１凹面
４０２１．５μｍ帯域受光部

Claims

複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：
半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，
前記受光面に対向して形成され，前記複数の波長を有する光のうち少なくとも一部の光を反射させる反射膜と，
前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，
を含み，
前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離し，
前記反射膜は，前記半導体基板の裏面と側面とを横切る凹面上に形成され，分離された前記複数の波長を有する光をすべて反射して，前記受光部に到達させることを特徴とする，半導体受光素子。
複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：
半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，
前記受光面に対向して形成され，前記複数の波長を有する光のうち少なくとも一部の光を反射させる反射膜と，
前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，
を含み，
前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離し，
前記反射膜は，前記半導体基板の裏面の凹面上に形成され，分離された前記複数の波長を有する光のうち所望の波長を有する光のみを反射して，前記受光部に到達させることを特徴とする，半導体受光素子。
複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：
半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，
前記受光面に対向して前記半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面上に形成され，前記複数の波長を有する光を反射させる第１の反射膜と，
前記第１の反射膜に対向して前記半導体基板の表面と側面とを横切る凹面上に形成され，前記第１の反射膜の反射光を反射させる第２の反射膜と，
前記半導体基板の裏面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，
を含み，
前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子。
複数の波長を有する光が，側面方向から入射する半導体受光素子において：
半導体基板の裏面を横切る傾斜面に形成され，前記複数の波長を有する光が入射する受光面と，
前記受光面に対向して前記半導体基板の裏面と側面とを横切る傾斜面上に形成され，前記複数の波長を有する光を反射させる第１の反射膜と，
前記第１の反射膜に対向して前記半導体基板の表面と側面とを横切る凹面上に形成され，前記第１の反射膜の反射光を反射させる第２の反射膜と，
前記半導体基板の裏面に形成され，前記第２の反射膜の反射光を反射させる第３の反射膜と，
前記半導体基板の表面に形成され，前記複数の波長毎に光を受光する複数の受光部と，
を含み，
前記受光面は，入射する前記複数の波長を有する光を，各々の波長に対応する屈折角の差異により分離することを特徴とする，半導体受光素子。