JP3943307B2 - アルカリ非含有アルミノ硼珪酸ガラスとその用途 - Google Patents

Description

【０００１】
【産業上の利用分野】
本発明は、アルカリ非含有アルミノ硼珪酸ガラスに関する。本発明はまた、このガラスの用途に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ガラスには、液晶フラットパネルディスプレー技術、例えばＴＮ（ｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）ＳＴＮ（ｓｕｐｅｒｔｗｉｓｔｅｄ ｎｅｍａｔｉｃ）ディスプレー、アクティブマトリクス液晶ディスプレー、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）又はプラズマアドレスによる液晶（ＰＡＬＣ）における基体としての用途に高い需要がある。高い耐熱衝撃性と、フラットパネル・スクリーンの製造工程で用いられる攻撃的薬品に対する良好な耐性の他に、これらのガラスは透過度が広いスペクトル域（ＶＩ、ＵＶ）に亘って高く、重量を少なくするために密度が低いことを要する。加えて、例えばＴＦＴディスプレー（チップオンガラス）における集積半導体回路用の基体材料に用いられる場合には、薄膜材料ａ−又はポリシリコン（α_{２０／３００}＝３．７ｘ１０^−６／Ｋ）に対して熱的に整合することと、アルカリ金属イオンを含まないことを要する。製造後、酸化ナトリウムが含まれていると、１０００ｐｐｍ下でも、Ｎａ^＋ が半導体層に拡散することによる「有害」作用が一般にあることから許容されない。
【０００３】
的確なガラスを工業規模で、適性品質（気泡、結節、混入の無い）に、例えばフロートプラントにて又は延伸法により製造することが可能であるべきである。特に、延伸法により面の波状化の少ない、薄く（＜１ｍｍ）、且つ条痕の無い基体を製造するには、ガラスは失透安定性が高いことが要求される。製造中の基体の圧縮は半導体微細構造に不利な作用をもたらすが、ガラスの温度依存粘度特性線を適宜設定することにより、これを阻止することが出来る。熱工程及び形状安定性に付いては、歪み点（ＳＰ：粘度１０^１４．７ｄＰａｓにおける温度）が、理想的には７００℃以上と高く、或いはガラス転移温度Ｔｇが高く、即ちＴｇ＞７２０℃と高く有るべきで、同時に他方、溶融及び加工点（Ｖ_Ａ）が過度に高くなく、即ちＶａ≦１３３０℃であるべきである。更に、特に大型スクリーンフォーマットの場合には、ディスプレーの全重量を低く保つため、ガラスの密度は低いのが望ましい。
【０００４】
ＬＣＤディスプレー技術用のガラス基体の要求条件は、ＳＰＩＥ会報第３０１４巻、ジェー・シー・ラップ（Ｊ Ｃ Ｌａｐｐ）による招待論文「ＡＭＬＣＤ用途のためのガラス基体：特性と含み」（１９９７年）にも記載されている。
特に微細結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）に基づく薄膜起電性ガラス基体にも、概して対応する要求がある。
【０００５】
結晶Ｓｉウェーハに基づく高コスト・ソーラー工学に対比して薄膜ソーラーセルの商業的成功の本質的前提条件は、廉価な耐高温性基体の存在である。
【０００６】
現在、μｃ−Ｓｉソーラーセルの製造には、異なる二つの方法が知られている。付着速度が高いことで特に有利なことの分かっている方法は、Ｓｉ源として廉価なトリクロロシランを用いる高温ＣＶＤ法である。この方法は、適切な基体を１０００℃又はそれ以上に加熱することを要する。その場合、適切な基体として、比較的高価なセラミック、グラファイト、シリコン、又は類似の材料のみが好適である。透明なガラスーセラミックを用いることも、文献で論じられている。（Ｌ．Ｒ． Ｐｉｎｃｋｎｅｙ： ‘Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ， Ｈｉｇｈ Ｓｔｒａｉｎ Ｐｏｉｎｔ Ｇｌａｓｓ−Ｃｅｒａｍｉｃｓ’（「透明高歪点ガラス−セラミックス」）， Ｐｒｏｃ． １８ｔｈ Ｉｎｔｅｒｎ． Ｃｏｎｆ．Ｇｌａｓｓ， Ｓａｎ Ｆｒａｎｃｉｓｃｏ；Ａｍｅｒ． Ｃｅｒａｍ．Ｓｏｃ．，Ｏｈｉｏ， １９９８及びＬ．Ｒ． Ｐｉｃｋｎｅｙ， Ｇ．Ｈ． Ｂｅａｌｌ：‘Ｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｎｏｎ−Ａｌｋａｌｉ Ｇｌａｓｓ−Ｃｅｒａｍｉｃｓ’（「ナノ結晶非アルカリガラス−セラミックス」）, Ｊ． Ｎｏｎ−Ｃｒｙｓｔ． Ｓｏｌｉｄｓ ２１９ （１９９７））参照。高温ＣＶＤ法により小面積で達成される効率は現在のところ、約１１％である。
【０００７】
高温手法の代替として、より廉価な基体材料を用いるのを許容する低温Ｓｉ付着法が開発されている。ここでの一つの可能性は、３００℃までの低温で非晶質シリコンを付着し、その後の工程でレーザー又はゾーン溶融方法を用いて複数層を再結晶化するものである。コンディショニング工程の温度でガラス板が変形しないようにするには、シリコンに熱的にマッチした、耐熱性の極めて高い特殊ガラスが必要とされる。これ等のガラスは適切には転移温度Ｔｇが少なくとも７５０℃である。ａ−Ｓｉ被膜からポリＳｉ被膜に変わる傾向があるため、ディスプレー用の基体としては、基体が可及的最大の耐熱性をもつのが望ましい。
【０００８】
μｃ−Ｓｉ技術の現在の発展は基体概念、即ち基体材料がソーラーセルの基礎を形成し、入射光に対し不透明とする方向に向かっている。だが、より廉価な上層配置（光が基体材料を通って、カバーガラスを要しない）に向かう発展が排除されるものではない。その場合には、高効率を達成するために、ガラスのＶＩＳ／ＵＶ域での高い透過度が必要である。このことは、半透明のガラスセラミックスを用いることは上記コスト上の理由を別としても、不利であると判明したことを意味する。
【０００９】
前記の要求条件は、アルカリ土金属アルミノ硼珪酸ガラスにより極めて厳密に満足される。だが、以下の特許文献に記載された既知のディスプレー又はソーラーセル基体ガラスでも尚、不都合があり、全範囲の要求条件を満していない。
【００１０】
Ｂ_２Ｏ_３含有率が比較的高いガラスを多数の特許文献、例えばＤＥ１９６０１９２２Ａ、ＪＰ５８−１２０５３５Ａ、ＪＰ６０−１４１６４２Ａ、ＪＰ８−２９５５３０Ａ、ＪＰ９−１６９５３８Ａ、ＪＰ１０−５９７４１Ａ、ＪＰ１０−７２２３７Ａ、ＥＰ７１４８６２Ａ１、ＥＰ３４１３１３Ｂ１及びＵＳ５３７４５９５が記載している。これ等のガラスは、前提条件とする高いガラス転移温度と高い歪点を有していない。
【００１１】
このことは、ＪＰ６１−１３２５３６Ａに記載の低ＳｉＯ_２ガラスや、ＳｉＯ_２を重量％で最大６０％含み、またＢ_２Ｏ_３を６．５重量％含むＤＥ１９７３９９１２に記載のガラスに付いても云える。
【００１２】
対照的に、ＵＳ４６０７０１６、ＪＰ１−１２６２３９Ａ、ＪＰ６１−２３６６３１Ａ及びＪＰ６１−２６１２３２Ａには、Ｂ_２Ｏ_３を含まないガラスが記載されている。Ｂ_２Ｏ_３を含まないため、ガラスは溶融特性が不良で、失透する傾向がある。ＷＯ９７／３０００１に述べられているガラスも同様に、Ｂ_２Ｏ_３を含まない。
【００１３】
ＤＥ４４３０７１０Ｃ１に記載された硼珪酸ガラスは硼酸を低含有率で、ＳｉＯ_２を高含有率（＞７５重量％）で含むが、これ等はガラスを高温でも高粘性とし、このことは高いコストを掛けなければガラスの溶融と清澄が出来ないことを意味する。更に、これ等のガラスはガラス転移転移温度が５００〜６００℃であって、耐熱性が低いものに留まる。
【００１４】
本出願人によるＤＥ１９６１７３４４Ｃ１及びＤＥ１９６０３６９８Ｃ１には、熱膨張係数α_{２０／３００}が約３．７・１０^−６／Ｋであって、耐薬品性が極めて良好なアルカリ非含有、錫含有ガラスが開示されている。だが、これ等のガラスは少なくとも１又は２重量％の網目修飾成分を必須成分としているため、特にフロートプラントでの処理には全体的には適しない。
【００１５】
斯くして、Ｐｂを含み、比較的高い（≧３．５重量％）Ｚｎ成分を有するＪＰ６１−２９５２５６Ａのガラスも同様に、ＺｎＯとＰｂＯ又はＰｂの被膜が、過剰に高い濃度での蒸発と、これに続く凝結のため、還元性の形成ガス雰囲気内でガラス面に出来易いので、フロート工程には必ずしも適しない。
【００１６】
ＪＰ３−１６４４４５Ａには、ＺｎＯを含有率≧５重量％で含むディスプレー及びソーラーセル用のガラスが記載されている。これ等のガラスは所望の高ガラス転移温度をもつが、熱膨張係数が４．０ｘ１０^−６／Ｋより大きく、μｃ−Ｓｉとの整合性が良くない。
【００１７】
ＪＰ１−２０８３４３Ａには、Ｚｎを比較的高い含有率（≧８重量％）で含み、またＰｂをも含む更なるガラス−セラミックスが記載されている。これ等も同様に、過剰に高い熱膨張係数をもつ。同様に、ＥＰ１６８１８９Ａ２にはＺｎＯを含有率≧２重量％で含むガラス−セラミックスが記載されている。
【００１８】
ＤＥ３７３０４１０Ａ１には、高含有量のＢａＯと低含有量のＡｌ_２Ｏ_３を含むＭｇ非含有ガラスが記載されている。規定された歪点は低すぎ、ガラスの密度は大き過ぎて不都合であろう。ＷＯ９７／１１９１９及びＷＯ９７／１１９２０にも、ＭｇＯ非含有、又は低ＭｇＯガラス基体が記載されている。
【００１９】
ＵＳ５１１６７８８に記載のガラスは、ＲＯが２３〜２８モル％という高い含有率でアルカリ土金属を含むが、これはＳｉに対しては熱膨張係数が過剰に高くなることを意味する。このことは、ハロゲンランプ用のガラス球として用いられるアルカリ非含有、耐高温性ガラスに付いても云える。これ等は熱膨張においては、Ｍｏに整合性が有る。ここで言及しても良い例は、ＵＳ４０６０４２３に記載のガラス（ＢａＯ ６〜１６重量％）、ＵＳ３９７８３６２に記載のガラス（ＣａＯ １４〜２１重量％）及びＥＰ２６１８１９Ａ１に記載のガラス（ＣａＯ
１０．５〜１２．５重量％、ＢａＯ ８．５〜１４重量％）である。
【００２０】
ＥＰ６７２６２９Ａ２又はＵＳ５５０８２３７には、フラットパネル用のアルミノ珪酸ガラスが記載されている。これ等のガラスは種々の組成範囲をもち、種々の熱膨張係数が与えられている。これ等のガラスはオーバーフロー溶融延伸法だけでなく、平板ガラス製造の他の方法でも処理が可能であると主張されている。だが、特に多結晶Ｓｉに整合性の有る熱膨張係数のガラスでは、加工点（ｗｏｒｋｉｎｇ ｐｏｉｎｔ）Ｖａが極めて高く、フロート法には不適切である。これまで述べられたガラスと同様、視覚品質はここでも高くない。何故なら有効な、特にフロート適合清澄方法が何等指示されていない。例示された清澄剤Ｓｂ_２Ｏ_３やＡｓ_２Ｏ_３は還元し易いため、フロート法には不適切である。このことは、任意選択ガラス成分Ｔａ_２０_５及びＮｂ_２Ｏ_５に付いても云える。
【００２１】
ハードディスク用ガラスに関するＪＰ９−１２３３３Ａには、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３及びＣａＯ、更に任意選択成分から成る組成が記載されている。記載されたガラスはアルカリ土金属を高含有率で含み、従って熱膨張が高く、ＬＣＤ及びＰＶ技術での使用には不適格である。視覚品質もおそらく、不十分であろう。
このことは、比較的にＢ_２Ｏ_３が多いガラスに関するＪＰ９−４８６３２Ａ、ＪＰ９−１５６９５３Ａ及びＷＯ９８／２７０１９に付いても、有効な清澄方法が指示されていないので云える。
【００２２】
ＪＰ９−２６３４２１Ａ及びＪＰ１０−４５４２２には、フロート法により処理が可能で、フラットパネル・ディスプレーシステムに基体として用いられるアルカリ非含有ガラスが記載されている。記載されたガラスは加工点が極めて高く、１０^２ｄＰａｓの粘度で温度が極めて高く、溶融特性を損ない、この必要温度範囲は、耐食性に関しタンクと分配器の材料に付いて極めて高い要求条件が課せられると云うことを意味するから、廉価な製造は不可能となる。ＪＰ１０−４５４２２Ａに記載のガラスは、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２及びＣｅＯ_２を含まない。ＢａＯ含有ガラスの密度は、ρ＞２．６と比較的大きい。ＪＰ９−２６３４２１Ａに記載のガラスは、好ましくはＢａＯを含まず、ＴｉＯ_２、ＺｒＯ_２、ＣｅＯ_２、ＳｎＯ_２も含んでいない。
【００２３】
【発明により解決されるべき課題】
本発明の目的は、液晶ディスプレー、特にＴＦＴディスプレー用、及び薄膜ソーラーセル用の、特にμｃ−Ｓｉに基づくガラス基体の前記物理的及び化学的要求条件を満たすガラスを提供することにある。
【００２４】
【課題を解決する手段、その作用・効果】
上記の目的は、本明細書冒頭にある特許請求の範囲の請求項１に記載のアルミノ硼珪酸ガラスにより達成される。
このガラスは、網目形成成分であるＳｉＯ_２及びＡｌ_２Ｏ_３を高い比率で、また同時にＢ_２Ｏ_３を低比率でのみ含むものである。
【００２５】
このガラスはＳｉＯ_２を、６０．５〜６９重量％で含む。含有率がこの範囲より低くなると、耐薬品性が損なわれ、逆に高くなると、ガラスの結晶化傾向が増大する。上限を好ましくは６８重量％、特に好ましくは６６重量％としてＳｉＯ_２が含有される。
このガラスはＡｌ_２Ｏ_３を、１５〜２４重量％で含む。含有率がこの範囲より低くなると、ガラスの結晶化発生性が増大する。含有率が逆に高くなると、加工点Ｖ_Ａが大幅に高くなろうから、熱成形中のプロセス温度に不利に作用する。下限を好ましくは１６重量％、特に好ましくは１６．５重量％としてＡｌ_２Ｏ_３が含有される。Ａｌ_２Ｏ_３の最大含有率は好ましくは２３重量％、特に好ましくは＜２２．５重量％である。
【００２６】
Ｂ_２Ｏ_３の含有率はガラス転移温度をより高くするために、最大４．５重量％に制限される。Ｂ_２Ｏ_３の含有率は好ましくは、４．０重量％より少なくする。含有率を更に制限し、Ｂ_２Ｏ_３を高々３．５重量％、特に好ましくは３．０重量％下で含有させるのがより良い。
Ｂ_２Ｏ_３を完全に省くことは出来ないが、更に少ない比率、即ち少なくとも０．５重量％としても、溶融フラックスと結晶化の安定性を決定的に改善するのには充分である。Ｂ_２Ｏ_３の含有率が低いため、このガラスの耐酸性は極めて高い。
【００２７】
本質的ガラス成分は、アルカリ土金属酸化物である。熱膨張係数を２．８ｘ１０^−６／Ｋ〜４．０ｘ１０^−６／Ｋとするため、ＭｇＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ及びＢａＯの総含有量が８〜１９重量％、好ましくは８〜１８重量％となるようにすべきである。
個々の酸化物は、互いに釣合の取れた比で含まれる。斯くして、このガラスは３〜１０重量％、好ましくは上限９重量％、特に好ましくは上限８．５重量％のＭｇＯと、０．５〜８重量％、好ましくは上限７重量％、特に好ましくは１．５〜６．５重量％のＳｒＯと、０．５〜５．５重量％、特に好ましくは上限４．５重量％のＢａＯを含む。このガラスは更に、上限を１０重量％としてＣａＯを含んでも良い。これ等四つのアルカリ土金属酸化物を全て含ませると、これがガラスの失透安定性を増大し、個々の酸化物が各々、ガラスの異なる特性に作用するので、より好ましい。このガラスは従って、少なくとも０．５重量％、好ましくは１〜９重量％、特に好ましくは２〜８．５重量％のＣａＯを含むのが良い。
ＭｇＯ及びＣａＯを相当高い比率で含有させると、望まれる低密度と低加工点の特性にプラスに作用する一方、ＢａＯを比較的高い含有率で含ませると、結晶化安定性に有利に働く。望ましい低密度に関しては、ＢａＯよりＳｒＯの方が優先され、結晶化安定に関しては、ＳｒＯはＢａＯと殆ど同じ有効性が有る。
このガラスは２重量％、好ましくは１重量％のＺｒＯ_２を含んで良い。ＺｒＯ_２はガラスの耐熱性を増大する。しかしながら、２重量％を越えるとＺｒＯ_２の低溶融性に起因する溶融残存がガラス中に生ずる。ＺｒＯ_２は好ましくは少なくとも０．１重量％存在すべきである。
【００２８】
このガラスはまた、上限を２重量％、好ましくは１重量％、特に好ましくは０．５重量％としてＴｉＯ_２を含んでも良い。ＴｉＯ_２は、ガラスのソラリゼーション（太陽光線感光）傾向を少なくする。２重量％を越える含有率では、Ｆｅ^３＋による錯生成のため、着色することが有る。ＴｉＯ_２は好ましくは、下限０．１重量％の量で含まれる。
【００２９】
このガラスはまた、ＺｎＯを上限＜１重量％で含んでも良い。ＺｎＯには、網目修飾成分としての構造弛緩機能が有り、また熱膨張に対する影響はアルカリ土金属酸化物より少ない。特にフロート法によるガラス製造の場合には、ＺｎＯを省く方が良い。
【００３０】
このガラスは、アルカリを含まない。ここで用語「アルカリ非含有」は、アルカリ金属酸化物を実質的に含まないこと意味するのに用いられるが、１０００ｐｐｍを下回る不純物は含まれても良い。
【００３１】
このガラスはＳｎＯ_２を０．１〜２重量％で含む。ＳｎＯ_２は高溶融アルカリ非含有ガラス系において、高度に有効な清澄剤である。酸化錫がＳｎＯ_２として用いられ、その四価状態が例えばＴｉＯ_２のような他の酸化物の添加、又は窒化物の添加により安定となる。ＳｎＯ_２の含有率は加工点Ｖ_Ａ下の温度溶解度が低いため、上記の上限に制限される。このようにして、微細結晶のＳｎ含有相の付着が回避される。含有率の上限は好ましくは１重量％、特に好ましくは０．７重量％である。
【００３２】
このガラスは更に、ＣｅＯ_２を上限１重量％として含んでも良い。ＣｅＯ_２含有率の下限は好ましくは、０．１重量％である。ＳｎＯ_２をＣｅＯ_２と組み合わせると、ＳｎＯ_２／ＳｎＯレドックスが安定化され、ＳｎＯ_２の極めて良好な清澄作用が強化される。ＣｅＯ_２含有率の上限は好ましくは、０．５重量％である。
【００３３】
就中、清澄剤Ａｓ_２Ｏ_３及びＳｂ_２Ｏ_３をこうして省くことが出来、本ガラスは不可避の不純物は別として、これ等の成分を含まず、他の昜還元性の成分をも実質的に含まないから、これ等のガラスは種々の延伸法のみならず、フロート法でも処理が可能である。フロート法を用いるものでなければ、本ガラスは付加的清澄剤としてＡｓ_２Ｏ_３及び／又はＳｂ_２Ｏ_３を上限１．５重量％で含んでも良い。処理方法とは無関係に、Ｃｌ⁻（例えばＢａＣｌ_２として）、Ｆ⁻（例えばＣａＦ_２として）、又はＳＯ_４ ^２−（例えばＢａＳＯ_４として）を添加することも可能である。だが、Ａｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３、Ｃｌ⁻、Ｆ⁻及びＳＯ_４ ^２−の総和は１．５重量％を越えるべきではない。
【００３４】
【実 施 例】
不可避の不純物は別として、アルカリを実質的に含まない通常の原材料からガラスが、１６２０℃のＰｔ／Ｉｒ製坩堝内で作られた。メルトはこの温度で１．５時間かけて清澄され、次いで誘導加熱白金製坩堝に移され、均質化のために１５５０℃の温度で３０分かけて撹拌された。
【００３５】
【表１】

【００３６】
表１は本発明によるガラス６例を、組成（酸化物に基づき、重量％で）及び主特性に付いて示したものである。以下の特性が挙げられている。
○密度ρ［ｇ／ｃｍ^３］
○熱膨張係数α_{２０／３００}［１０^−６／Ｋ］
○ＤＩＮ５２３２４による膨張計測的ガラス転移温度Ｔｇ［℃］
○粘度１０^４ｄＰａｓにおける温度（Ｔ４で表示）［℃］
○ＤＩＮ５２３１２第４部に従って測定された、粘度１０^１３ｄＰａｓにおける温 度（Ｔ１３で表示）［℃］
○ＤＩＮ５２３１２第７部（ＩＳＯ７８８４−７）に従って測定された、粘度約１０^１３．２ｄＰａｓにおける温度、即ち焼き鈍し点ＡＰ［℃］
○ＡＰ値から計算された、粘度約１０^１４．７ｄＰａｓにおける温度、即ち歪み点Ｓ Ｐ［℃］
○失透の上限ＵＤＬ、即ち液相線温度［℃］
○最大結晶成長速度Ｖｍａｘ［μｍ／ｈ］
○ＩＳＯ７１９による加水分解抵抗“Ｈ”［Ｎａ_２Ｏのμｇ］。≦３１μｇ／ｇのガラス粉末のｇ当たりのＮａ_２Ｏとしての塩基当量において、ガラスは加水分解第１種に属する（高度に耐薬品性の有るガラス）。
○９５℃で２４時間、５％濃度の塩酸で処理した後、５０ｍｍｘ５０ｍｍｘ２ｍｍの全面が研磨されたガラス板からの重量喪失（物質除去）としての耐酸性［ｍｇ／ｃｍ^２］
【００３７】
この実施例が例示するように、本発明のガラスには以下のような利点が有る：
○膨張係数が２．８ｘ１０^−６／Ｋ〜４．０ｘ１０^−６／Ｋであって、Ｓｉ（ａ−、ポリ−及びμｃ−Ｓｉ）の膨張挙動に極めて整合する。
○Ｔｇ＞７２０℃で、ガラス転移温度が極めて高い。これは、製造の結果として、また高温付着工程でガラスを基体として用いるため、圧縮を出来るだけ低くするのに必須である。
○ρ＜２６００ｇ／ｃｍ^３で、低密度である。
○粘度１０^４ｄＰａｓにおける温度が高々１３３０℃であって、これは処理値域が操作に有利なことと、失透安定性が良好なことを意味する。これ等の特性により、ガラスが種々の延伸方法、例えば微小シート・ダウンドロー（ｄｏｗｎ−ｄｒａｗ）、アップドロー（ｕｐ−ｄｒａｗ）又はオーバーフロー・フュージョン（ｏｖｅｒｆｌｏｗ ｆｕｓｉｏｎ）法等により、好ましい実施例においては、ガラスがＡｓ_２Ｏ_３、Ｓｂ_２Ｏ_３を含まなければ、フロート法等により、平板ガラスとして製造できるようになる。
○優れた耐酸性から明瞭な高い耐薬品性をもち、フラットパネル・スクリーンの製造に用いられる薬品に対してガラスを充分不活性にする。
【００３８】
更に、上記ガラスはソラリゼーション安定性が高く、透明度が高く、耐熱衝撃性が高い。
【００３９】
斯くして、本発明のガラスはディスプレー技術、特にＴＦＴディスプレー、また特にμｃ−Ｓｉに基づく薄膜光起電工学の基体ガラスとしての用途に極めて好適である。

Claims (10)

1. 次の組成（酸化物に基づき、重量％で）を有するアルカリ非含有アルミノ硼珪酸ガラス。
   ＳｉＯ_２ ６０．５〜６９
   Ｂ_２Ｏ_３ ０．５〜＜３．０
   Ａｌ_２Ｏ_３ １５〜２４
   ＭｇＯ ３〜１０
   ＣａＯ ０〜１０
   ＳｒＯ ０．５〜８
   ＢａＯ ０．５〜５．５
   ここで、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒｏ＋ＢａＯ ８〜１９
   ＳｎＯ_２ ０．１〜２
   ＺｒＯ_２ ０〜２
   ＴｉＯ_２ ０〜２
   ＣｅＯ_２ ０〜１
   ＺｎＯ ０〜＜１
2. 次の組成（酸化物に基づき、重量％で）を特徴とする請求項１に記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
   ＳｉＯ_２ ６０．５〜６８
   Ｂ_２Ｏ_３ ０．５〜＜３．０
   Ａｌ_２Ｏ_３ １６〜２３
   ＭｇＯ ３〜９
   ＣａＯ １〜９
   ＳｒＯ ０．５〜７
   ＢａＯ ０．５〜５．５
   ここで、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｓｒｏ＋ＢａＯ ８〜１８
   ＳｎＯ_２ ０．１〜１
   ＺｒＯ_２ ０〜１
   ＴｉＯ_２ ０〜１
   ＣｅＯ_２ ０〜１
   ＺｎＯ ０〜＜１
3. ＺｒＯ_２を少なくとも０．１重量％含有することを特徴とする請求項１又は２に記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
4. ＴｉＯ_２を少なくとも０．１重量％含有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
5. ＣｅＯ_２を少なくとも０．１重量％含有することを特徴とする請求項１〜４の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
6. 次の組成（酸化物に基づき、重量％で）を特徴とする請求項１〜５の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
   ＳｉＯ_２ ６０．５〜６６
   Ｂ_２Ｏ_３ ０．５〜＜３．０
   Ａｌ_２Ｏ_３ １６．５〜＜２２．５
   ＭｇＯ ３〜８．５
   ＣａＯ ２〜８．５
   ＳｒＯ １．５〜６．５
   ＢａＯ ０．５〜４．５
   ここで、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ８〜１８
   ＳｎＯ_２ ０．１〜０．７
   ＺｒＯ_２ ０．１〜１
   ＴｉＯ_２ ０．１〜０．５
   ＣｅＯ_２ ０．１〜０．５
7. 更に、
   Ａｓ_２Ｏ_３ ０〜１．５
   Ｓｂ_２Ｏ_３ ０〜１．５
   Ｃｌ⁻ ０〜１．５
   Ｆ⁻ ０〜１．５
   ＳＯ_４ ^２− ０〜１．５
   を有し、
   ここで、Ａｓ_２Ｏ_３＋Ｓｂ_２Ｏ_３＋Ｃｌ⁻＋Ｆ⁻＋ＳＯ_４ ^２− ≦１．５
   であることを特徴とする請求項１〜６の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
8. 熱膨張係数α_{２０／３００}が２．８ｘ１０^−６／Ｋ〜４．０ｘ１０^−６／Ｋ、ガラス転移温度Ｔｇが＞７２０℃、密度ρが＜２．６００ｇ／ｃｍ^３である請求項１〜７の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
9. ディスプレー技術における基体ガラスとして用いられる請求項１〜７の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。
10. 薄膜ソーラーセルにおける基体ガラスとして用いられる請求項１〜７の何れか一つに記載のアルミノ硼珪酸ガラス。