JP3748688B2 - テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、アルキレンオキシドの重合触媒として使用されるテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムヒドロキシドの合成中間体として極めて有用なテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとを反応させて、テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドを製造する反応式についてEP0791600の13頁に記載がある。そこでは、その公報中の化学式(10)で表される化合物のqが1でありRがメチル基である、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと五塩化りんとを反応させてテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドが得られることが示唆されてはいる。しかしながら、この方法でテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドを効率よく製造する具体的な方法についてはなんら開示されていない。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的はテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドを高収率かつ高選択的に製造する方法を提供することである。
【0004】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは上記目的を達成するために鋭意検討を続けた結果、五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとを、特定の溶媒を用い、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの五塩化りんに対する使用量を特定の範囲にし、かつ反応初期温度を特定の温度範囲に保った後、より高い特定の温度範囲に制御して反応させるとテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドが高収率かつ高選択的に得られることを見出し本発明を完成した。
【0005】
即ち、本発明は、芳香族炭化水素類の存在下、五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとを、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比を7.00ないし12.00とし、反応初期を10ないし90℃、その後110ないし200℃の温度で反応させることを特徴とする、テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの製造方法である。
【0006】
【発明の実施の形態】
本発明の方法の一つの原料であるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは(Me2N)3P=NHで表される化合物であり、目的物であるテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドは[(Me2N)3P=N]4P+,Cl-で表される化合物である。ここでMeはともにメチル基を表す。
【0007】
本発明の方法において、溶媒として用いる芳香族炭化水素類としては、例えばベンゼンであり、例えばトルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼン、ノルマルプロピルベンゼン、クメン、1,2,3−トリメチルベンゼン、1,2,4−トリメチルベンゼン、メシチレン、テトラリン、ブチルベンゼン、p−シメン、シクロヘキシルベンゼン、1,2−ジエチルベンゼン、1,3−ジエチルベンゼン、1,4−ジエチルベンゼン、1,2−ジイソプロピルベンゼン、1,3−ジイソプロピルベンゼン、1,4−ジイソプロピルベンゼン、1,2,4−トリエチルベンゼン、1,3,5−トリエチルベンゼンまたはドデシルベンゼンなどのアルキル置換芳香族炭化水素であり、例えばクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼン、m−ジクロロベンゼン、1,2,4,−トリクロロベンゼン、ブロモベンゼン、o−ジブロモベンゼン、m−ジブロモベンゼン、1−ブロモ−2−クロロベンゼン、1−ブロモ−3−クロロベンゼン、1−ブロモナフタレンまたは1−クロロナフタレンなどのハロゲン化芳香族炭化水素であり、例えば2−クロロトルエン、3−クロロトルエン、4−クロロトルエン、2−ブロモトルエン、3−ブロモトルエン、2,4−ジクロロトルエン、3,4−ジクロロトルエン、1−ブロモ−2−エチルベンゼン、1−ブロモ−4−エチルベンゼン、1−クロロ−2−エチルベンゼン、1−クロロ−4−エチルベンゼン、1−クロロ−4−イソプロピルベンゼン、1−ブロモ−4−イソプロピルベンゼン、メシチルクロリド、4−クロロ−o−キシレンまたは2−クロロ−o−キシレンなどのハロゲン化アルキル置換芳香族炭化水素等が挙げられる。これらの他、本発明の方法を阻害しなければ如何なる芳香族炭化水素を溶媒として用いても構わない。これらのうち好ましくは、例えばトルエン、o−キシレン、m−キシレン、p−キシレン、エチルベンゼンまたはメシチレンなどの炭素原子数7ないし9個のアルキル置換芳香族炭化水素であり、例えばクロロベンゼン、o−ジクロロベンゼンまたは1,2,4−トリクロロベンゼンなどの塩素原子数1ないし3個の塩素化ベンゼンであり、さらには、例えば2−クロロトルエン、2,4−ジクロロトルエン、1−クロロ−4−エチルベンゼンまたはメシチルクロリドなどの炭素原子数7ないし9個で塩素原子数1ないし2個の塩素化アルキル置換芳香族炭化水素である。
【0008】
これらの溶媒は単独で用いても、または、複数個を併用しても構わない。これらの溶媒の使用量は特に限定されないが、通常、原料の五塩化りん1重量部に対して、500重量部以下であり、好ましくは1ないし100重量部であり、より好ましくは1.5ないし20重量部である。
【0009】
本発明の方法においては、溶媒である芳香族炭化水素類に五塩化りんが溶解しなくても構わない。
本発明の方法において、原料として用いる五塩化りんとしては特に制限はない。広く市販されている工業試薬をそのまま使用できる。
【0010】
本発明の方法において、もう一つの原料として用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは、市販されているものをそののま使用できることもあるし、必要ならば蒸留などの精製を行った後に使用してもよい。また、イミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは、例えば「リービッヒ アンナレン」1996年の1067頁(Liebigs Ann.,1067(1996))に記載されているように、五塩化りんとジメチルアミンとを反応させ、次いでアンモニアを反応させ、さらに塩交換を経た後にカリウムメトキサイドと反応させる方法などによって合成することもできる。
【0011】
本発明の方法において、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比は、7.00ないし12.00であり、好ましくは7.50ないし10.00であり、より好ましくは8.00ないし9.00である。
【0012】
本発明の方法において、用いるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランおよび芳香族炭化水素類中に水が存在する場合、この水と五塩化りんが反応しオキシ塩化りんなどが生成し、そのため目的のテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの収率低下を招くことがある。このため、通常、芳香族炭化水素類およびイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランは蒸留、モレキュラーシーブスなどの脱水操作により、その中に含まれる水分量をできるだけ減少させることが好ましい。反応系に持ち込まれる水分量は、通常、1000重量ppm以下、好ましくは500重量ppm以下であり、より好ましくは200重量ppm以下である。
本発明における反応は減圧、常圧または加圧の何れでも実施し得るが、通常は常圧である。
【0013】
五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを上記モル比で用いて反応を開始するが、それらの仕込み方法は特に限定されない。通常は、上記芳香族炭化水素類および五塩化りんのスラリー液に、液体であるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランそのものまたはその芳香族炭化水素類の溶液を加えていく。この際、反応温度は10ないし90℃を保つようにし、添加後さらにこの温度範囲を保つ。本発明に云う反応初期とは、五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランを接触させる仕込みの時間を含んだ反応の初期段階であり、この間を10ないし90℃に保つのである。好ましくは15ないし70℃である。その時間は通常30時間以内であり、好ましくは0.1ないし20時間、より好ましくは0.2ないし15時間である。その後温度を上げ、110ないし200℃で反応を続ける。この時の時間は通常80時間以内であり、好ましくは3ないし30時間、より好ましくは4ないし12時間である。
【0014】
五塩化りんにイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランが反応すると、塩化水素が副生するが、これはまわりに存在するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランと反応し、アミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドを生成する。本発明の目的物であるテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドは、通常、芳香族炭化水素類に溶解するが、このアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドは極めて難溶である。したがって、反応終了後に反応混合液を冷却し、場合によっては芳香族炭化水素類を一部留去後に冷却して、ろ過などの固液分離によりアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドを除くことができる。一方、このようにして得られた母液は水洗という簡便な方法を構ずるだけで、充分に高い純度のテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの芳香族炭化水素類溶液を得ることができる。さらに必要であればその乾固物に対して再結晶などの精製を行うこともできる。
【0015】
【実施例】
次に実施例により本発明を更に詳しく説明するが、これらは限定的でなく単に説明のためと解されるべきである。
実施例1
2lのガラス製反応器に五塩化りん60.20g(0.2891モル)および予めモレキュラーシーブス3Aで乾燥した水分10ppmのo−ジクロロベンゼン585.10gを仕込んだ。攪拌しながら40℃まで昇温し、その温度に制御しながらこれに439.3g(2.465モル)のイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホラン(五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比は8.53である)を1.0時間かけて滴下した。滴下終了後さらに40℃に1.0時間保った。その後約1時間かけて170℃に昇温し、9.0時間反応させた。この時点で分析のため反応液の一部を採取した。熱時は均一な液であったが、室温まで冷却したらアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドの白色固体が多量析出していた。採取した反応液の一部を用いて、質量分析を行ったところ、テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドのカチオン部の分子量に相当する740の分子イオンスペクトルが観察された。重水素化クロロホルム溶媒を用いた31P−NMRによる分析では、五塩化りんは検出されず、五塩化りんは全て反応していることがわかった。さらに重水素化ジメチルスルホキシド溶媒を用い、りん酸トリ−ノルマル−ブチルを内部標準化合物とした31P−NMRによる定量分析からは、反応液中にテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドが0.2840モル含まれていることが判った。五塩化りんに対する収率(単に収率と略す。以下同様)は98.2%であった。五塩化りんに対する選択率も98.2%となる。
【0016】
比較例1
実施例1におけるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの使用量を309.6g(1.737モル、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比は6.01である)に変えた以外は実施例1と全く同様に行った。実施例1と同様の定量分析を行ったところテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの収率は5.3%であり、クロロトリス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドが多量に生成していた。
【0017】
比較例2
実施例1におけるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの使用量を783.1g(4.394モル、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比は15.2である)に変えた以外は実施例1と全く同様に行った。急激な発熱があり反応初期温度は98℃まで達した。実施例1と同様の定量分析を行ったところテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの収率は72.3%であり、不明物が多量に存在していた。
【0018】
実施例2
実施例1におけるイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの使用量を416.3g(2.336モル、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比は8.08である)に変えた以外は実施例1と全く同様に行った。実施例1と同様の定量分析を行ったところテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの収率は90.3%であった。
【0019】
実施例3ないし9、および比較例3ないし5
表1に示す溶媒、温度および時間を変えた以外は全て実施例1と同様にした。結果を実施例1の結果とともに表1に示す。いずれの例もイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランの添加時間は1.0時間である。なお、収率はテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの収率である。
【0020】
実施例10
実施例1と全く同様にして反応液を得た。アミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドの白色固体をろ過して除き、o−ジクロロベンゼン247.0gでアミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホニウムクロリドの白色固体を洗浄した。そのろ洗液を約175gの水で3回洗浄した。その後o−ジクロロベンゼン相を減圧下で濃縮乾固したところ、白色固体215.7gを得た。これに水2000gを加え、60℃に加熱して完全に溶解させた。15℃まで冷却して結晶を析出させ、ろ過した後減圧乾燥して針状結晶を155.7g得た。この結晶は31P−NMRによる成分定量分析からはほぼ純粋なテトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドであった。
【0021】
【表1】
【0022】
【発明の効果】
本発明の方法によれば、五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとを反応させて、テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドを高収率かつ高選択的に製造することができる。
Claims (3)
- 芳香族炭化水素類の存在下、五塩化りんとイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランとを、五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比を7.00ないし12.00とし、反応初期を10ないし90℃、その後110ないし200℃の温度で反応させることを特徴とする、テトラキス[トリス(ジメチルアミノ)ホスホラニリデンアミノ]ホスホニウムクロリドの製造方法。
- 芳香族炭化水素類が、炭素原子数7ないし9個のアルキル置換芳香族炭化水素、塩素原子数1ないし3個の塩素化ベンゼンまたは炭素原子数7ないし9個で塩素原子数1ないし2個の塩素化アルキル置換芳香族炭化水素である請求項1に記載の方法。
- 五塩化りんに対するイミノトリス(ジメチルアミノ)ホスホランのモル比が8.00ないし9.00である請求項1または請求項2に記載の方法。
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- 1997-11-19 JP JP31838597A patent/JP3748688B2/ja not_active Expired - Lifetime
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