JP3525270B2 - 光記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、コンピューターメモリ
ー、画像及び音声ファイル用メモリー、光カードなどに
利用される光記録媒体（以後記録媒体と略すこともあ
る）に関する。

【０００２】

【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】有機色
素薄膜を記録層とする記録媒体において、該有機色素薄
膜にフタロシアニン化合物を使用したものが知られてい
る（特開昭５８−１８３２９６号、同５８−３７８５１
号公報等）。フタロシアニン化合物は熱、光に対する安
定性が極めて高いという特長がある一方、有機溶剤等へ
の溶解性に乏しく、従来は蒸着法でしか薄膜化はできず
生産性に難点があり、また会合しやすく、高い屈折率、
高い反射率が得られないという問題があった。

【０００３】一方、最近では、高記録密度化を図るべく
従来の光ディスクで使用されてきた波長域より短波長に
発振波長（〜６８０ｎｍ）を有する半導体レーザーが実
用化されはじめている。ところが、従来の有機色素薄膜
では７００ｎｍ以下の波長域に光吸収能及び光反射能を
有するものはなく、材料面で高密度記録性に限界があっ
た。

【０００４】更に、基板上に、有機色素薄膜、金属反射
層及び保護層を順次積層してなる追記コンパクトディス
ク型（ＣＤ−Ｒ）記録媒体においては、そのＣＤ規格を
満足するには高い反射率を必要とし、そのため再生波長
域（７００〜８３０ｎｍ）に高い屈折率を有し且つ安定
性の高い有機色素材料の開発が必要であった。

【０００５】最近、フタロシアニン化合物の会合を阻止
し高屈折率化を達成するために、フタロシアニンのα位
にかさ高いアルコキシ基を導入することが試みられ、更
にハロゲン化フタロシアニンとすることで波長整合を計
ったＣＤ−Ｒ型記録媒体が提案されている（特開平３−
６２８７８号、同３−２１５４６６号、同４−３４８１
６８号、同４−２２６３９０号、同４−１５２６３〜６
号、同５−１７４７７号、同５−８６３０１号、同５−
２５１７７号、同５−２５１７９号、同５−１７７００
号、同５−１２７２号各公報等）。このようなフタロシ
アニン化合物は確かに屈折率等の向上をもたらすが、未
だ充分満足されるものではなく、更なる向上が望まれて
いる。

【０００６】従って、本発明の第１の目的は、フタロシ
アニン化合物の持つ特長を生かしつつ、有機溶剤への溶
解性が高く、生産性が高く、溶剤塗工可能なフタロシア
ニン化合物を記録材料とする記録媒体を提供することに
ある。本発明の第２の目的は、高密度記録可能な６３０
〜７２０ｎｍの半導体レーザーを用いた光ピックアップ
に適用できる記録媒体を提供することにある。本発明の
第３の目的は、７７０〜８３０ｎｍの波長域において高
屈折率を有し、保存安定性及び再生安定性に優れた高反
射率のＣＤ−Ｒメディアの達成を可能とする記録媒体を
提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】フタロシアニン化合物は
大環状の平面化合物であり、極めて会合性が高く、その
ため薄膜化すると吸収スペクトルがブロードになり、且
つ反射率（屈折率）も低くなる性質を有している。そこ
で、本発明は、環の置換基として、立体的にかさ高い構
造の置換基を導入し、会合を阻止し、高い吸収能及び高
い反射率（屈折率）化を実現させ、且つ有機溶剤に対す
る溶解性をも向上させたものである。

【０００８】即ち、本発明によれば、以下の発明が提供
される。 （１）基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設
け、更に必要に応じて、その上に保護層を設けてなる光
記録媒体において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で
示されるフタロシアニン化合物の少なくとも一種を含有
してなり、かつ下記一般式（Ｉ）で示されるフタロシア
ニン化合物は、下記一般式（Ｉ）においてベンゼン環の
置換基の置換位置が１又は４と表示される位置であり、
且つベンゼン環のその他の置換基は水素原子又はハロゲ
ン原子である化合物を含有してなることを特徴とする光
記録媒体。

【化１】 〔式中、Ｍ、Ｚ^１〜Ｚ^４、及びＲ^１〜Ｒ^１６は、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、又は
−（ＯＲ^１７）ｏ基、−（ＯＳｉＲ^１８Ｒ^１９Ｒ^２０）
ｐ基、−（ＯＣＯＲ^２１）ｑ基、若しくは、−（ＯＰＯ
Ｒ^２２Ｒ^２３）ｒ基を有してもよい金属原子、 Ｒ^１７〜Ｒ^２３：それぞれ独立に水素原子、置換若しく
は未置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未
置換の１価の芳香族炭化水素基、 ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：１〜２の整数、 Ｚ^１〜Ｚ^４：それぞれ独立に−Ｏ−基又は−Ｓ−基、 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換若しく
は未置換の脂肪族炭化水素基、エーテル結合を有する置
換若しくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未
置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の複素環
残基、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ
^１６：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の
脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水
素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は−Ｏ
Ｒ１７基、 Ｒ^１７：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水
素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基、置換若
しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル基である。 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｏ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換されて
いてもよいアリール基で置換されたメチレン、エチレ
ン、トリメチレン又はテトラメチレン基のいずれか一
つ、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ
^１４〜Ｒ^１６：Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合と同一であ
る。］ （２）基板上に直接又は下引き層を介して記録層を設
け、更に必要に応じて、その上に保護層を設けてなる光
記録媒体において、前記記録層中に下記一般式（Ｉ）で
示されるフタロシアニン化合物の少なくとも一種を含有
してなり、かつ下記一般式（Ｉ）で示されるフタロシア
ニン化合物は、ベンゼン環の置換基の置換位置が２又は
３と表示される位置であり、且つベンゼン環のその他の
置換基は水素原子又はハロゲン原子である化合物を含有
してなることを特徴とする光記録媒体。

【化１】 〔式中、Ｍ、Ｚ^１〜Ｚ^４、及びＲ１〜Ｒ１６は、それぞ
れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、又は
−（ＯＲ^１７）ｏ基、−（ＯＳｉＲ^１８Ｒ^１９Ｒ^２０）
ｐ基、−（ＯＣＯＲ^２１）ｑ基、若しくは、−（ＯＰＯ
Ｒ^２２Ｒ^２３）ｒ基を有してもよい金属原子、 Ｒ^１７〜Ｒ^２３：それぞれ独立に水素原子、置換若しく
は未置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未
置換の１価の芳香族炭化水素基、 ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：１〜２の整数、 Ｚ^１〜Ｚ^４：それぞれ独立に−Ｏ−基又は−Ｓ−基、 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換若しく
は未置換の脂肪族炭化水素基、エーテル結合を有する置
換若しくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未
置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の複素環
残基、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ
^１６：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の
脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水
素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は−Ｏ
Ｒ^１７基、 Ｒ^１７：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水
素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基、置換若
しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル基である。 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｏ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換されて
いてもよいアリール基で置換されたメチレン、エチレ
ン、トリメチレン又はテトラメチレン基のいずれか一
つ、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ
^１４〜Ｒ^１６：Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合と同一であ
る。］ （３）保護層を設けた場合において、前記記録層と保護
層との間に金属反射層を設けてなり、ＣＤフォーマット
信号の記録を行なう追記コンパクトディスク型の記録媒
体であることを特徴とする（１）又は（２）に記載の光
記録媒体。 （４）前記記録層の吸収最大波長（λｍａｘ）が６８０
〜７５０ｎｍであることを特徴とする（１）又は（３）
の光記録媒体。 （５）前記ハロゲン原子が臭素原子である（２）又は
（４）に記載の光記録媒体。 （６）前記記録層が波長６３０〜７２０ｎｍのレーザー
光によって記録及び再生されるものである（２）、
（４）又は（５）いずれか記載の光記録媒体。 （７）前記記録層が波長７７０〜８３０ｎｍのレーザー
光によって記録及び再生されるものである（４）又は
（５）の光記録媒体。

【０００９】

【００１０】

【００１１】

【００１２】以下、本発明を詳細に説明する。本発明の
光記録媒体は、記録層中に前記一般式（Ｉ）で示される
フタロシアニン化合物の少なくとも一種を含有してなる
ことを特徴とする。即ち、本発明で使用するフタロシア
ニン化合物は、フタロシアニン骨格のベンゼン環にかさ
高い置換基として、前記Ｚ¹Ｒ¹Ｓｉ（Ｒ²）（Ｒ³）（Ｒ
⁴）等で表わされるシリル置換基を導入したことから、
有機溶剤への溶解性が高く、塗工法で記録層を形成で
き、その上、会合阻止能力に優れ（炭素原子よりもケイ
素原子の方が大きいので、α−アルコキシフタロシアニ
ンと比べ、本発明で使用するフタロシアニンの方が会合
阻止能力に優れる）且つ耐光性にも優れている。また、
波長６３０〜７２０ｎｍに高い吸収能、光反射性を有
し、６３０〜７２０ｎｍの半導体レーザーを用いたピッ
クアップに適用できるため、このフタロシアニン化合物
を用いた追記型光記録媒体は、現状の７７０〜８３０ｎ
ｍ対応の記録媒体に比べ、１．６〜１．８倍の高密度化
が可能になる。

【００１３】また、前記一般式（Ｉ）で示されるフタロ
シアニン化合物は、波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折
率を示し且つ高い安定性を有するため、基板上に記録
層、金属反射層、保護層を順次積層してなるＣＤ−Ｒ記
録媒体にこのフタロシアニン化合物を使用すると、高反
射率で保存安定性及び再生安定性に優れたものとなる。
更に、炭素−炭素結合により炭素−ケイ素結合の方が弱
く、記録時に炭素−ケイ素結合が切断され、記録した情
報の信号特性が良好なものとなる。

【００１４】また、前記一般式（Ｉ）で示されるフタロ
シアニン化合物において、その置換位置１及び４をα位
と呼ぶが、α位にアルコキシ、アリールオキシ、アルキ
ルチオ、アリールチオ基などの電子供与性の置換基を導
入した場合、その吸収最大波長λｍａｘは無置換のもの
に比べ長波長化し、λｍａｘが記録波長と一致する追記
型光記録媒体が得られるし、７７０〜８３０ｎｍでの高
屈折率化が計れるＣＤ−Ｒ記録媒体が得られる。また、
α位に置換基を導入すると、置換基はフタロシアニン平
面の上下にはり出し、分子同士の会合を防ぎ、高屈折率
化に寄与し、ＣＤ−Ｒ記録媒体の場合に特に適してい
る。

【００１５】なお、前記一般式（Ｉ）で示されるフタロ
シアニン化合物において、その置換位置２及び３をβ位
と呼ぶが、β位に前記電子供与性の置換基を導入して
も、α位ほどλｍａｘが長波長化しない。従って、高密
度化という観点からは、β位置換体の方が有利である。
もちろん、可溶化効果は有する。また、前記一般式
（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物にハロゲン（特
に臭素）を導入すると、λｍａｘの微調整、即ち若干の
長波長化が計れるし、更に熱分解温度を下げることがで
きるので、記録特性（特に感度）の向上が計れる。

【００１６】次に、記録媒体の構成について述べる。図
１は、本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す図
で、基板１の上に、必要に応じて下引き層３を介して、
記録層２を設け、更に必要に応じ保護層４、ハードコー
ト層５が設けられる。

【００１７】図２は、本発明の記録媒体に適用し得る別
のタイプの層構成例を示す図で、図１の構成の記録層２
の上に金属反射層５が設けられている。

【００１８】本発明の記録媒体は、図１及び図２に示し
た構成の記録層（有機薄膜層）を内側にして、他の基板
と空間を介して密封したエアーサンドイッチ構造にして
もよく、また保護層を介して接着した貼合せ構造にして
もよい。

【００１９】次に、構成各層の必要特性及びその構成材
料について述べる。 １）基板 基板の必要特性としては、基板側より記録再生を行なう
場合には使用レーザー光に対して透明でなければならな
いが、記録層側から記録再生を行なう場合は透明である
必要はない。基板材料としては、例えばポリエステル、
アクリル樹脂、ポリアミド、ポリカーボネート樹脂、ポ
リオレフィン樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポ
リイミドなどのプラスチック、ガラス、セラミックある
いは金属などを用いることができる。なお、基板の表面
にトラッキング用の案内溝や案内ピット、更にアドレス
信号などのプレフォーマットが形成されていてもよい。

【００２０】２）記録層 記録層はレーザー光の照射により何らかの光学的変化を
生じさせその変化により情報を記録できるものであっ
て、この記録層中には前記一般式（Ｉ）のフタロシアニ
ン化合物が含有されている必要がある。記録層の形成に
当っては、本発明の化合物を１種又は２種以上組み合わ
せて用いてもよい。更に、本発明の化合物は他の染料、
例えばポリメチン色素、ナフタロシアニン系、スクアリ
リウム系、クロコニウム系、ピリリウム系、ナフトキノ
ン系、アントラキノン（インダンスレン）系、キサンテ
ン系、トリフェニルメタン系、アズレン系、テトラヒド
ロコリン系、フェナンスレン系、トリフェノチアジン系
染料、あるいは金属錯体化合物などと組み合わせて用い
てもよい。この場合、上記の染料は単独で用いでもよい
し、２種以上の組み合わせにしてもよい。

【００２１】また、本発明の化合物は金属、金属化合
物、例えばＩｎ、Ａｌ、Ｔｅ、Ｂｉ、Ａｌ、Ｂｅ、Ｔｅ
Ｏ₂、ＳｎＯ、Ａｓ、Ｃｄなどを分散混合あるいは積層
の形態で用いることもできる。更に、本発明の化合物中
に高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド系
樹脂、ビニル系樹脂、天然高分子、シリコーン、液状ゴ
ムなどの種々の材料若しくはシランカップリング剤など
を分散混合して用いてもよく、あるいは特性改良の目的
で安定剤（例えば、遷移金属錯体）、分散剤、難燃剤、
滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤などと一緒に用
いることができる。

【００２２】記録層の形成は蒸着、スパッタリング、Ｃ
ＶＤ又は溶剤塗布などの通常の手段によって行なうこと
ができる。塗布法を用いる場合には、上記化合物などを
有機溶剤に溶解して、スプレー、ローラー塗布、ディッ
ピング又はスピナー塗布などの慣用の塗布方法で行な
う。有機溶剤としては、一般にメタノール、エタノー
ル、イソプロパノールなどアルコール類、アセトン、メ
チルエチルケトン、シクロヘキサンなどのケトン類、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホル
ムアミドなどのアミド類、ジメチルスルホキシドなどの
スルホキシド類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジ
エチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテ
ルなどのエーテル類、酢酸メチル、酢酸エチルなどのエ
ステル類、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタ
ン、四塩化炭素、トリクロロエタンなどの脂肪族ハロゲ
ン化炭素類、ベンゼン、キシレン、モノクロロベンゼ
ン、ジクロロベンゼンなどの芳香族類、あるいはメトキ
シエタノール、エトキシエタノールなどのセルソルブ
類、ヘキサン、ペンタン、シクロヘキサン、メチルシク
ロヘキサンなどの炭化水素類などを用いることができ
る。記録層の膜厚は、図１のような媒体構成の場合は、
１００Å〜１０μｍ、好ましくは２００Å〜１０００Å
が適当であり、図２のような媒体構成の場合は、３００
Å〜５μｍ、好ましくは５００Å〜２０００Åが適当で
ある。

【００２３】３）下引き層 下引き層は、（ａ）接着性の向上、（ｂ）水又はガスな
どに対するバリヤー、（ｃ）記録層の保存安定性の向
上、（ｄ）反射率の向上、（ｅ）溶剤からの基板の保
護、（ｆ）案内溝、案内ピット、プレフォーマットの形
成などを目的として使用される。（ａ）の目的に対して
は高分子材料、例えばアイオノマー樹脂、ポリアミド、
ビニル系樹脂、天然樹脂、天然高分子、シリコーン、液
状ゴムなどの種々の高分子物質及びシランカップリング
剤などを用いることができ、（ｂ）及び（ｃ）の目的に
対しては、上記高分子材料以外に無機化合物、例えばＳ
ｉＯ₂、ＭｇＦ₂、ＳｉＯ、ＴｉＯ₂、ＺｎＯ、ＴｉＮ、
ＳｉＮ、及びＺｎ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｇｅ、Ｓｅ、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ａｌなどの金属又は半金属などを用いること
ができる。また、（ｂ）の目的に対しては、金属、例え
ばＡｌ、Ａｇなどや、金属光沢を有する有機薄膜、例え
ばメチン染料、キサンテン系染料などを用いることがで
き、（ｅ）及び（ｆ）の目的に対しては、紫外線硬化樹
脂、熱硬化樹脂、熱可塑性樹脂などを用いることができ
る。下引き層の膜厚は０．０１〜３０μｍ、好ましくは
０．０５〜１０μｍが適当である。

【００２４】４）金属反射層 金属反射層は単体で高反射率の得られる腐食されにくい
金属、半金属などが使用できる。具体的材料としては、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｎｉなどが挙げられ、
好ましくはＡｕ、Ａｌがよい。これらの金属、半金属は
単独で使用してもよく、２種以上の合金としてもよい。
膜形成法としては蒸着、スパッタリングなどが挙げら
れ、膜厚としては５０〜３０００Å、好ましくは１００
〜１０００Åである。

【００２５】５）保護層、基板表面ハードコート層 保護層又は基板表面ハードコート層は、（ａ）記録層を
傷、埃、汚れなどから保護する、（ｂ）記録層の保存安
定性の向上、（ｃ）反射率の向上などを目的として使用
される。これらの目的に対しては、前記の下引き層に示
した材料を用いることができる。また、無機材料として
ＳｉＯ、ＳｉＯ₂なども用いることもでき、有機材料と
してアクリル樹脂、ポリカーボネート、エポキシ樹脂、
ポリスチレン、ポリエステル樹脂、ビニル樹脂、セルロ
ース、脂肪族炭化水素樹脂、芳香族炭化水素樹脂、天然
ゴム、スチレン−ブタジエン樹脂、クロロプレンゴム、
ワックス、アルキッド樹脂、乾性油、ロジンなどの熱軟
化性、熱溶融性樹脂も用いることができる。上記材料の
うち保護層又は基板表面ハードコート層に最も好ましい
ものは、生産性に優れた紫外線硬化樹脂である。保護層
又は基板表面ハードコート層の膜厚は０．０１〜３０μ
ｍ、好ましくは０．０５〜１０μｍが適当である。本発
明において、前記の下引き層、保護層及び基板表面ハー
ドコート層には記録層の場合と同様に、安定剤、分散
剤、難燃剤、滑剤、帯電防止剤、界面活性剤、可塑剤な
どを含有させることができる。

【００２６】本発明においては、前記一般式（Ｉ）で示
されるフタロシアニン化合物が記録層に含有されるが、
一般式（Ｉ）において、Ｍで表わされる金属原子として
は、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃａ、Ｃｄ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｇｅ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｐ
ｄ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｔ、Ｐｂ等がある。この一般式
（Ｉ）で示される化合物の具体例としては、例えば表１
〔表１−（１）〜表１−（２）〕に示すものが挙げられ
る。

【００２７】

【表１−（１）】

【００２８】

【表１−（２）】

【００２９】

【実施例】以下実施例について本発明を説明するが、本
発明はこれらに限定されるものではない。

【００３０】実施例１ 厚さ１．２μｍのポリメチルメタアクリレート板上にフ
ォトポリマーにて、深さ１２００Å、半値幅０．４μ
ｍ、トラックピッチ１．４μｍの案内溝を形成した基板
上に、表１の化合物Ｎｏ．１の１，２−ジクロロエタン
溶液をスピナー塗布し、厚さ８００Åの記録層を設けて
追記型の高密度記録媒体とした。

【００３１】実施例２〜６ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに、
それぞれ同表の化合物Ｎｏ．３、Ｎｏ．６、Ｎｏ．７、
Ｎｏ．１４、Ｎｏ．１５を用いたこと以外は、実施例１
と同様にして実施例２〜６の追記型高密度記録媒体を得
た。

【００３２】比較例１ 実施例１において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに下
記式（II）で示される化合物を用いたこと以外は、実施
例１と同様にして比較例の記録媒体を得た。

【化２】 （但し、式中−Ｃ（ＣＨ₃）₃基は２〜２'''の位置と３
〜３'''の位置についたものの混合物である。

【００３３】前記の実施例１〜実施例６及び比較例１の
記録媒体を用い、下記の記録条件にて基板側から光を入
射して記録し、その後記録位置を連続レーザー光で再生
し、下記の条件でＣ／Ｎを測定した。また反射率も測定
した。その結果を表２に示す。 記録条件： 線速 ２．１ｍ／ｓｅｃ 記録周波数 １．２５ＭＨｚ レーザー発振波長 ６８０ｎｍ ピックアップレンズ Ｎ．Ａ．０．５ 再生条件： スキャニングバンド巾 ３０ＫＨｚ 再生パワー ０．２５〜０．３ｍＷ

【００３４】

【表２】

【００３５】実施例７ 深さ１０００Å、半値幅０．４５μｍ、トラックピッチ
１．６μｍの案内溝を有する厚さ１．２ｍｍの射出成形
ポリカーボネート基板上に、表１の化合物Ｎｏ．１の２
−エトキシエタノール／１，２−ジクロロエタン／ＴＨ
Ｆ［＝８／０．５／１．５（重量比）］混合溶液をスピ
ナー塗布し、厚さ１８００Åの記録層を設け、その上に
Ａｕを１５００Å真空蒸着して反射層とした。更に、そ
の上にアクリル系フォトポリマーをスピナー塗布し、Ｕ
Ｖ硬化処理して保護層を得、ＣＤ−Ｒ型の記録媒体とし
た。

【００３６】実施例８〜１１ 実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりにそ
れぞれ同表の化合物Ｎｏ．４、Ｎｏ．５、Ｎｏ．１５、
Ｎｏ．２１を用いたこと以外は、実施例７と同様にして
実施例８〜１１の記録媒体を得た。

【００３７】比較例２ 実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに比
較例１のフタロシアニンを用いたこと以外は、実施例７
と同様にして比較例の記録媒体を得た。

【００３８】比較例３ 実施例７において、表１の化合物Ｎｏ．１の代わりに下
記式（III）の化合物を用いたこと以外は、実施例７と
同様にして比較例の記録媒体を得た。

【化３】

【００３９】比較例４ 比較例３において、上記式（III）のシアニン色素に対
して下記式（IV）のニッケル錯体化合物を添加した混合
物（重量比１０：２）を用いたこと以外は、比較例３と
同様にして比較例の記録媒体を得た。

【化４】

【００４０】実施例７〜実施例１１及び比較例２〜４の
記録媒体を用い、レーザー発振波長７９０ｎｍ、線速
１．４ｍ／ｓｅｃの記録条件でＥＦＭ信号を記録し、未
記録部の反射率と最適記録パワーでの３Ｔ変調度を測定
した。その結果を表３に示す。

【００４１】

【表３】

【００４２】

【発明の効果】本発明の光記録媒体は、記録層中に前記
一般式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物の少なく
とも一種を含有してなるものとしたことから、塗工法で
記録層を形成することができ、生産性に優れた追記型高
密度光記録媒体を提供できる。即ち、上記フタロシアニ
ン化合物は、有機溶剤への高い溶解性、優れた分子同士
の会合阻止能力、優れた耐光性を有する上に、波長６３
０〜７２０ｎｍに高い吸収能、光反射性を有し、６３０
〜７２０ｎｍの半導体レーザーを用いたピックアップに
適用できるため、該化合物を用いた追記型光記録媒体
は、現状の７７０〜８３０ｎｍ対応の光記録媒体に比べ
１．６〜１．８倍の高密度化が可能になる。その際に、
光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）で示されるフタロシア
ニン化合物の置換基の数及び位置（α位）を限定するこ
とで、波長を長波長化することができる。また、前記一
般式（Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物の置換基の
数及び位置（β位）を限定することで、波長を長波長化
せずに可溶化を計り、追記型高密度光記録媒体を得るこ
とができる。また、前記一般式（Ｉ）で示されるフタロ
シアニン化合物が、波長７７０〜８３０ｎｍに高い屈折
率を示し、且つ高い安定性を有するため、高反射率で保
存安定性及び再生安定性に優れたＣＤ−Ｒ記録媒体を得
ることができる。また、λｍａｘが記録波長と一致する
追記型高密度光記録媒体を提供することができるし、ま
た波長７７０〜８３０ｎｍでの高屈折率化が達成され、
高反射率を有するＣＤ−Ｒ記録媒体を得ることができ
る。また、この光記録媒体は、前記一般式（Ｉ）で示さ
れるフタロシアニン化合物のハロゲン原子を臭素原子と
することで、波長の微調整、即ち若干の長波長化が計
れ、且つ低分解点化が計れるので、記録特性（特に感
度）が向上する。また、この光記録媒体は、記録層が波
長６３０〜７２０ｎｍのレーザー光によって記録及び再
生されるものであるため、７７０〜８３０ｎｍ対応の光
記録媒体に比べ１．６〜１．８倍の高密度化追記型光記
録媒体が得られる。また、この光記録媒体は、記録層が
波長７７０〜８３０ｎｍのレーザー光によって記録、再
生が行なわれるため、現行のＣＤ−Ｒ記録媒体で優れた
性能を有する媒体が得られる。

【００４３】

【００４４】

【００４５】

【００４６】

【００４７】

【００４８】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の記録媒体に適用し得る層構成例を示す
図である。

【図２】本発明の記録媒体に適用し得る他のタイプの層
構成例を示す図である。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 記録層 ３ 下引き層 ４ 保護層 ５ ハードコート層 ６ 金属反射層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−311975（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−125441（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−156550（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−82594（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−283768（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−82782（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B41M 5/26 G11B 7/24 516 ＣＡＰＬＵＳ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ) ＭＡＲＰＡＴ（ＳＴＮ)

Claims (7)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
   層を設け、更に必要に応じて、その上に保護層を設けて
   なる光記録媒体において、前記記録層中に下記一般式
   （Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物の少なくとも一
   種を含有してなり、かつ下記一般式（Ｉ）で示されるフ
   タロシアニン化合物は、 下記一般式（Ｉ）においてベンゼン環の置換基の置換位
   置が１又は４と表示される位置であり、且つベンゼン環
   のその他の置換基は水素原子又はハロゲン原子である化
   合物を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｍ、Ｚ^１〜Ｚ^４、及びＲ^１〜Ｒ^１６は、それぞ
   れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
   有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、又は
   −（ＯＲ^１７）ｏ基、−（ＯＳｉＲ^１８Ｒ^１９Ｒ^２０）
   ｐ基、−（ＯＣＯＲ^２１）ｑ基、若しくは、−（ＯＰＯ
   Ｒ^２２Ｒ^２３）ｒ基を有してもよい金属原子、 Ｒ^１７〜Ｒ^２３：それぞれ独立に水素原子、置換若しく
   は未置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未
   置換の１価の芳香族炭化水素基、 ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：１〜２の整数、 Ｚ^１〜Ｚ^４：それぞれ独立に−Ｏ−基又は−Ｓ−基、 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換若しく
   は未置換の脂肪族炭化水素基、エーテル結合を有する置
   換若しくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未
   置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の複素環
   残基、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ
   ^１６：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の
   脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水
   素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は−Ｏ
   Ｒ^１７基、 Ｒ^１７：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水
   素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基、置換若
   しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル基である。 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｏ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換されて
   いてもよいアリール基で置換されたメチレン、エチレ
   ン、トリメチレン又はテトラメチレン基のいずれか一
   つ、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ
   ^１４〜Ｒ^１６：Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合と同一であ
   る。］
2. 【請求項２】 基板上に直接又は下引き層を介して記録
   層を設け、更に必要に応じて、その上に保護層を設けて
   なる光記録媒体において、前記記録層中に下記一般式
   （Ｉ）で示されるフタロシアニン化合物の少なくとも一
   種を含有してなり、かつ下記一般式（Ｉ）で示されるフ
   タロシアニン化合物は、ベンゼン環の置換基の置換位置
   が２又は３と表示される位置であり、且つベンゼン環の
   その他の置換基は水素原子又はハロゲン原子である化合
   物を含有してなることを特徴とする光記録媒体。 【化１】 〔式中、Ｍ、Ｚ^１〜Ｚ^４、及びＲ^１〜Ｒ^１６は、それぞ
   れ以下のものを表わす。 Ｍ：２個の水素原子、ハロゲン原子若しくは酸素原子を
   有してもよい２価、３価若しくは４価の金属原子、又は
   −（ＯＲ^１７）ｏ基、−（ＯＳｉＲ^１８Ｒ^１９Ｒ^２０）
   ｐ基、−（ＯＣＯＲ^２１）ｑ基、若しくは、−（ＯＰＯ
   Ｒ^２２Ｒ^２３）ｒ基を有してもよい金属原子、 Ｒ^１７〜Ｒ^２３：それぞれ独立に水素原子、置換若しく
   は未置換の１価の脂肪族炭化水素基又は置換若しくは未
   置換の１価の芳香族炭化水素基、 ｏ、ｐ、ｑ、ｒ：１〜２の整数、 Ｚ^１〜Ｚ^４：それぞれ独立に−Ｏ−基又は−Ｓ−基、 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換若しく
   は未置換の脂肪族炭化水素基、エーテル結合を有する置
   換若しくは未置換の脂肪族炭化水素基、置換若しくは未
   置換の芳香族炭化水素基、置換若しくは未置換の複素環
   残基、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ^１４〜Ｒ
   ^１６：それぞれ独立に水素原子、置換若しくは未置換の
   脂肪族炭化水素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水
   素基、置換若しくは未置換の芳香族複素環基、又は−Ｏ
   Ｒ^１７基、 Ｒ^１７：水素原子、置換若しくは未置換の脂肪族炭化水
   素基、置換若しくは未置換の芳香族炭化水素基、置換若
   しくは未置換の芳香族複素環基、又はシリル基である。 ＜Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｏ−基の場合＞ Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９、Ｒ^１３：それぞれ独立に置換されて
   いてもよいアリール基で置換されたメチレン、エチレ
   ン、トリメチレン又はテトラメチレン基のいずれか一
   つ、 Ｒ^２〜Ｒ^４、Ｒ^６〜Ｒ^８、Ｒ^１０〜Ｒ^１２、Ｒ
   ^１４〜Ｒ^１６：Ｚ^１〜Ｚ^４＝−Ｓ−基の場合と同一であ
   る。］
3. 【請求項３】 保護層を設けた場合において、前記記録
   層と保護層との間に金属反射層を設けてなり、ＣＤフォ
   ーマット信号の記録を行なう追記コンパクトディスク型
   の記録媒体であることを特徴とする請求項１又は２に記
   載の光記録媒体。
4. 【請求項４】 前記記録層の吸収最大波長（λｍａｘ）
   が６８０〜７５０ｎｍであることを特徴とする請求項１
   又は３記載の光記録媒体。
5. 【請求項５】 前記ハロゲン原子が臭素原子である請求
   項２又は４に記載の光記録媒体。
6. 【請求項６】 前記記録層が波長６３０〜７２０ｎｍの
   レーザー光によって記録及び再生されるものである請求
   項２、４又は５いずれか記載の光記録媒体。
7. 【請求項７】 前記記録層が波長７７０〜８３０ｎｍの
   レーザー光によって記録及び再生されるものである請求
   項４又は５記載の光記録媒体。」