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JP3565928B2 - Manufacturing method of plastic substrate for liquid crystal display element - Google Patents

Manufacturing method of plastic substrate for liquid crystal display element Download PDF

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JP3565928B2
JP3565928B2 JP32541494A JP32541494A JP3565928B2 JP 3565928 B2 JP3565928 B2 JP 3565928B2 JP 32541494 A JP32541494 A JP 32541494A JP 32541494 A JP32541494 A JP 32541494A JP 3565928 B2 JP3565928 B2 JP 3565928B2
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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法に関し、特に基材シートのロスの発生が少ないとともに、基材シートの光学特性に悪影響を及ぼすことのない液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
基板にプラスチックを用いたプラスチック基板液晶表示素子は、ガラス基板を用いた液晶表示素子に比較して軽量であるとともに可撓性を具え基板が破損しにくい等の利点を有することから、種々の用途への応用が期待されている。
【0003】
すなわち、ガラスは、液晶表示素子の基板に要求される透明性、光学等方性、ガスバリア性、耐薬品性、耐熱性、平滑性、寸法安定性等に優れた材料ではあるが、柔軟性に欠けることから例えば電子手帳、ノート型パソコン等の携帯用端末のディスプレーに用いると、破損することがある。
【0004】
これに対し、プラスチックは柔軟性を有し、重量が軽く、ロールによる長尺加工が可能である等の特性を具えていることから例えば前記の携帯用端末のディスプレーに用いられる液晶表示素子の基板材料として注目されている。ただし、プラスチックシート単体では、前述した基板材料の要求特性を満足することができないため、ガスバリア性を付与するためのガスバリア層、高い表面硬度を付与するためのハードコート層等の各機能性膜をプラスチックシートに積層する必要がある。特に、ガスバリア層とハードコート層とは、一般に、この順にプラスチックシート上に積層され、これらの層はいずれもコーティング法により形成されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の製造方法により液晶表示素子用プラスチック基板を製造する場合には、プラスチック基材シート上に直接に溶液状態の機能性膜形成樹脂を塗布した後、溶剤成分を乾燥するために熱をかける必要があり、この熱によりプラスチック基材の光学的特性に悪影響を及ぼすおそれがある。また、耐溶剤性の劣るプラスチックを用いる場合には、例えば機能性膜形成樹脂を水系で塗布しなければならないという製造上の制約を受けることになる。
【0006】
さらに、従来の製造方法において、コーティングはロールあるいは枚葉の状態のプラスチック基材シート上に行なうため、コーティング時に不良部分が発生した場合には、プラスチック基材シートごと廃棄しなければならず、複数回のコーティングによるプラスチック基材シートのロスは液晶表示素子用プラスチック基板を製造するうえで大きな問題となっている。
【0007】
本発明はかかる事情に基づいてなされたものであり、本発明の目的は、プラスチック基材シートの光学的特性に悪影響を及ぼすおそれがなく、また、製造工程におけるプラスチック基板シートのロスの発生を防止することができるとともに耐溶剤性の劣るプラスチックからなる基材シートを用いる場合にも製造上の制約を受けることがない液晶表示素子用プラスチック基板シートの製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するために本発明の液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法は、
高分子材料からなる基材上にガスバリア層とウレタンアクリレート系樹脂、フェノキシエーテル系樹脂またはエポキシ系樹脂からなるハードコート層とがこの順に積層されてなる液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法であって、表面平滑性の高い耐熱性支持体上にハードコート層を形成した後、該ハードコート層上にガスバリア層を形成して転写用積層体を形成し、次いで、高分子材料からなる基材と前記転写用積層体とを該基材の一方の面と該転写用積層体のガスバリア層とが対向する状態で接着し、その後、前記積層体を構成する前記耐熱性支持体を剥離除去する構成とし、
さらに必要に応じて、前記ガスバリア層の形成にプラズマCVD法を用い、このプラズマCVD法において有機珪素化合物を気化させて得られるガスと酸素ガスと不活性ガスとの混合比を変化させることにより、炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物の含有量が膜表面から深さ方向に向かって減少する珪素酸化物膜を形成し、この珪素酸化物膜をガスバリア層とする構成とした。
【0009】
【作用】
本発明のプラスチック液晶表示素子の製造方法においては、先ず、表面平滑性の高い耐熱性支持体を用意し、この表面平滑性の高い耐熱性支持体上にハードコート層を形成する。次いで、このハードコート層上にガスバリア層を形成する。これにより、表面平滑性の高い耐熱性支持体上に、ハードコート層、ガスバリア層がこの順に積層された転写用積層体が得られる。一方、高分子材料からなる基材を用意する。そして、この高分子材料からなる基材と前記転写用積層体とを接着する。このとき、前記転写用積層体と高分子材料からなる基材とは、転写用積層体のガスバリア層側と基材の一方の面とが対向する状態で接着する。これにより、高分子材料からなる基材上にガスバリア層、ハードコート層、表面平滑性の高い耐熱性支持体がこの順に積層されることになる。その後、表面平滑性の高い耐熱性支持体を剥離除去すると、高分子材料からなる基材上に、ガスバリア層、ハードコート層がこの順に積層された液晶表示素子用プラスチック基板が得られる。このようにして得られる液晶表示素子用プラスチック基板は、表面平滑性の高いハードコート層を有するものである。それ故、本発明の方法により製造される液晶表示素子用プラスチック基板を一対用意し、各基板のハードコート層面に透明電極層を設けた後、透明電極層面同士を対向させて配設し、この基板間に液晶材料を注入し封止すれば、基板間隔が一定で安定した性能を発揮する液晶表示素子を得ることができる。このように、本発明の製造方法は、高分子材料からなる基材上に直接にガスバリア層、ハードコート層を形成するものではなく、一旦、表面平滑性の高い耐熱性支持体上に、ハードコート層、ガスバリア層をこの順に形成して積層体とした後、この積層体をガスバリア層側から高分子材料からなる基材に接着し、しかる後、表面平滑性の高い耐熱性支持体を剥離除去することにより高分子材料からなる基材上に、ガスバリア層、ハードコート層がこの順に積層された液晶表示素子用プラスチック基板を製造するように構成されている。したがって、この方法によれば、ガスバリア層およびハードコート層の各層をコーティングにより形成する場合でも、溶剤成分の乾燥に要する熱が高分子材料からなる基材の光学特性に悪影響を及ぼす心配は皆無であり、またコーティング時に不良部分が発生した場合でも、高分子材料からなる基材のロスが発生することはない。しかも、この方法によれば、液晶材料側の最表面となるハードコート層が、製造工程中、表面平滑性の高い耐熱性支持体により保護されるので、製造工程におけるハードコート層の傷つき・汚染が防止される。
【0010】
また、本発明のプラスチック液晶表示素子の製造方法においては、必要に応じて、ガスバリア層の形成にプラズマCVD法を用い、このプラズマCVD法において有機珪素化合物を気化させて得られるガスと酸素ガスと不活性ガスとの混合比を変化させることにより、炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物の含有量が膜表面から深さ方向に向かって減少する珪素酸化物膜を形成し、この珪素酸化物膜をガスバリア層としてもよい。このようにすれば、緻密でガスバリア性が極めて高いとともに耐衝撃性の優れた珪素酸化物の連続層からなるガスバリア層が形成される。しかも、この珪素酸化物膜は、炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物を含有し、かつその含有量が膜表面から深さ方向に向かって減少するように、すなわち膜表面における含有量が最も多く、高分子材料からなる基材との界面における含有量が最も少なくなるように形成されているので、最もクラックが発生し易いガスバリア層表面では耐衝撃性が向上する一方、ガスバリア層とハードコート層との密着は強固なものとなる。
【0011】
【実施例】
次に本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。
図1(イ)に示すように、先ず、表面平滑性の高い耐熱性支持体1を用意する。 耐熱性支持体1は、表面平滑性が高く、かつ耐熱性に優れていることが必要であり、表面平滑度は、通常、R=0.2μm以下、耐熱温度は、通常、120℃以上である。また、耐熱性支持体1は、この耐熱性支持体1上に積層されるハードコート層2との間で剥離可能な性質を有していることが必要である。
【0012】
上記の性質を有する耐熱性支持体1の形成材料としては、例えば2軸延伸ポリエステルフィルムが挙げられる。
耐熱性支持体1の厚さは、通常、25〜200μm程度である。
【0013】
次に、図1(ロ)に示すように、耐熱性支持体1上に、ハードコート層2を形成する。
ハードコート層2は高い表面硬度を有し、後に詳述する基材4の可撓性を損ねることなく基材4に耐衝撃性を付与するとともに基材4の表面の傷つき・汚染を防止する作用乃至機能を有する層であり、形成材料としては、例えばウレタンアクリレート系樹脂、フェノキシエーテル系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。
【0014】
このハードコート層2の形成にはコーティング法を好適に採用することが可能であり、具体的には、グラビアコート法、ロールコート法、バーコート法、ダイコート法等の各種コーティング法をいずれも好適に採用することができる。
【0015】
このようにして形成されるハードコート層2の厚さは、通常、5〜30μm程度である。
次いで、図1(ハ)に示すように、ハードコート層2上に直接にあるいは接着剤を介してガスバリア層3を形成する。なお、接着剤としては、例えばポリエステルウレタン系樹脂、ポリウレタン系樹脂などが挙げられる。
【0016】
ガスバリア層3は、後に詳述する基材4にガスバリア性を付与する作用乃至機能を有する層であり、コーティング法を採用して塗設してもよいし、物理的気相蒸着(PVD)法、化学的気相蒸着(CVD)法等の手法を採用して連続層として形成してもよい。
【0017】
ガスバリア層3をコーティング法を採用して形成する場合、ガスバリア層3の形成材料としては、例えばポリビニルアルコール、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリ塩化ビニリデン、ポリシラザンなどが挙げられる。
【0018】
コーティング法により形成されるガスバリア層3の厚さは、通常、0.3〜20μm程度である。
一方、ガスバリア層3を連続膜として形成する場合には、特に有機珪素化合物を気化させて得られるガスと酸素ガスと不活性ガスとの混合ガスを用いた次のような特定のプラズマCVD法を好適に採用することができる。
【0019】
図2は本発明の液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法において好適に使用可能なプラズマCVD装置の一例を示す説明図である。図2に示すように、このプラズマCVD装置11は、チャンバー12、このチャンバー12内に配設された供給ローラ13、巻取ローラ14、冷却・電極ドラム15、補助ローラ16、16を備え、冷却・電極ドラム15は電源17に接続されているとともに、チャンバー12内は真空ポンプ18により所望の真空度に設定できるように構成されている。また、チャンバー12内の冷却・電極ドラム15の近傍には、原料供給ノズル19の開口部が設けられ、この原料供給ノズル19の他端はチャンバー12外部に配設されている原料気化供給装置21およびガス供給装置22に接続されている。さらに、冷却・電極ドラム15の近傍にはプラズマの発生を促進するマグネット23が設けられている。
【0020】
このプラズマCVD装置を使用してガスバリア層3を形成する場合、先ず、ハードコート層2が形成された耐熱性支持体1の原反をプラズマCVD装置の供給ローラ13に装着し、補助ローラ16、冷却・電極ドラム15、補助ローラ16を経由して巻取ローラ14に至る原反搬送パスを形成する。
【0021】
次いで、真空ポンプ18によりチャンバー12内を真空度10−1〜10−8torr、好ましくは真空度10−3〜10−7torrに減圧する。そして、原料気化供給装置21において原料である有機珪素化合物を気化させて得られるガスと、ガス供給装置22から供給される酸素ガスおよび不活性ガスとを混合させ、この混合ガスを原料供給ノズル19を介してチャンバー12内に導入する。ここで、この混合ガス中のそれぞれのガスの含有率は、有機珪素化合物を気化させて得られるガスが1〜40%、酸素ガスが10〜70%、不活性ガスが10〜60%の範囲で変化させることが可能であり、例えば有機珪素化合物を気化させて得られるガスと酸素ガスと不活性ガスとの混合比を1:6:5〜1:17:14程度とすることができる。
【0022】
一方、冷却・電極ドラム15には電源17からの所定の電圧が印加されているため、チャンバー12内の原料供給ノズル19の開口部と冷却・電源ドラム15との近傍でグロー放電プラズマPが発生する。このグロー放電プラズマPは、混合ガス中の1つ以上のガス成分から導出されるものである。この状態で、ハードコート層2が形成された耐熱性支持体1を一定速度で搬送させ、グロー放電プラズマPによって冷却・電極ドラム15の周面上の耐熱性支持体1上に形成されているハードコート層2上に珪素酸化物の連続層からなるガスバリア層3を形成する。このときのチャンバー12内の真空度は、10−1〜10−4torr、好ましくは10−1〜10−2torrとする。また、ハードコート層2が形成された耐熱性支持体1の搬送速度は10〜300m/分、好ましくは50〜150m/分とする。
【0023】
このようにハードコート層2上にガスバリア層3が形成された耐熱性支持体1は巻取ローラ14に巻き上げられる。
このように有機珪素化合物を気化させて得られるガスと、ガス供給装置22から供給される酸素ガスおよび不活性ガスとの混合ガスの混合比を変化させる特定のプラズマCVD法においては、得られる珪素酸化物の連続層中に含有される炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物の含有量が膜表面から深さ方向に向かって減少するように混合ガスの混合比を変化させる。
【0024】
このような特定のプラズマCVD法を採用したガスバリア層3の形成では、プラズマ化した原料ガスを酸素で酸化しながらSiOの形でハードコート層2上に薄膜が形成されるので、形成された珪素酸化物の薄膜は緻密で隙間の少ない連続層となる。したがって、このような珪素酸化物の連続層からなるガスバリア層3のバリア性は、従来の真空蒸着により形成された珪素酸化物膜のバリア性よりもはるかに高いものとなり、薄い層厚で充分なバリア性を得ることができる。また、SiOプラズマによりハードコート層2の表面が清浄化され、ハードコート層2の表面に極性基やフリーラジカルが発生するので、形成された珪素酸化物の薄膜とハードコート層2との接着性が高いものとなる。さらに前述のように珪素酸化物薄膜の形成時の真空度は10−1〜10−4torr、好ましくは10−1〜10−2torrであり、従来の真空蒸着による珪素酸化物膜形成時の真空度(10−4〜10−5)torrに比べて低いので、ハードコート層2が形成された耐熱性支持体1の原反交換の際の真空状態設定時間を短くすることができ、真空度も安定し易く、成膜プロセスが安定する。
【0025】
このプラズマCVD法において使用に供する有機珪素化合物としては、例えば1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサン、ビニルトリメチルシラン、メチルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラン、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン、ジエチルシラン、プロピルシラン、フェニルシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、メチルエトキシシラン、オクタメチルシクロテトラシロキサンなどが挙げられる。これらのかでも、1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン、ヘキサメチルジシロキサンが特に好適に用いられる。これらの有機珪素化合物は、常温・常圧では液体である。
【0026】
このようにして得られる珪素酸化物の連続層からなるガスバリア層3の性質は、珪素酸化物連続層の組成SiOのXの値および層厚により決定され、ハードコート層2が形成された耐熱性支持体1の搬送速度、プラズマ発生時の電気的パワー、混合ガスの混合比を適正化することにより良好な珪素酸化物連続層を形成することができる。特に、炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物の含有量が膜表面において最も多く、高分子材料からなる基材との界面において最も少なくなるように混合ガスの混合比を変化させることにより、最もクラックが発生し易いガスバリア層表面では耐衝撃性が向上する一方、ガスバリア層3とハードコート層2との密着は強固なものとなる。
【0027】
この特定のプラズマCVD法を採用してガスバリア層3を形成する場合、ガスバリア層3の厚さは、通常、0.02〜0.1μm程度である。
本発明の方法においては、上述のようにして耐熱性支持体1上に、ハードコート層2、ガスバリア層3をこの順に形成して転写用積層体5を作成する一方、高分子材料からなる基材4を用意する。
【0028】
基材4の形成材料としては、液晶表示素子に要求される光学的特性の点から、例えばポリカーボネート樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などが好適に用いられる。
【0029】
基材4はシート形状で使用に供される。
図1(ニ)に示すように、本発明の方法では、基材4と上記の転写用積層体5とを接着剤または粘着剤を介して接着する。この接着は、基材4の一方の面と転写用積層体5のガスバリア層3との間で行なう。なお、図1(ニ)において、6は接着層である。
【0030】
ここで、接着に用いることのできる接着剤・粘着剤としては、例えばウレタン系接着剤、アクリル系接着剤などが挙げられる。
これらの接着剤・粘着剤からなる接着層6の厚さは、通常、1〜20μm程度である。
【0031】
図1(ホ)に示すように、本発明の方法においては、上述のようにして基材4と上記の転写用積層体5とを接着した後、転写用積層体5を構成する耐熱性支持体1をハードコート層2との界面から剥離し、除去することにより液晶表示素子用プラスチック基板7を得る。
【0032】
このようにして得られる液晶表示素子用プラスチック基板7は、高分子材料からなる基材4上に、バリア性に優れるガスバリア層3、表面平滑性の高いハードコート層2がこの順に積層されたものであり、可撓性を有しているとともに割れにくいという利点を有し、しかも光学的要求性能を満足していることから、例えば電子手帳、ノート型パソコン等の携帯用端末の液晶表示素子を構成する基板として好適に利用可能である。
【0033】
【発明の効果】
以上に詳述した通り、本発明の液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法によれば、表面平滑性に優れ、かつ耐熱性を具えた耐熱性支持体上に、ハードコート層、ガスバリア層をこの順に形成して転写用積層体とした後、この転写用積層体と高分子材料からなる基材とを、転写用積層体のガスバリア層と基材の一方の面とが対向する状態で接着し、しかる後、転写用積層体を構成する耐熱性支持体を剥離除去することにより、高分子材料からなる基材上に、ガスバリア層とハードコート層とを転写する構成としたので、本発明の方法によれば、ガスバリア層およびハードコート層の各層をコーティングにより形成する場合でも、溶剤成分の乾燥に要する熱が高分子材料からなる基材の光学特性に悪影響を及ぼす心配は皆無であり、またコーティング時に不良部分が発生した場合でも、高分子材料からなる基材のロスが発生することはない。しかも、この方法によれば、液晶材料側の最表面となるハードコート層が、製造工程中、表面平滑性の高い耐熱性支持体により保護されるので、製造工程におけるハードコート層の傷つき・汚染が確実に防止される。
【0034】
また、ガスバリア層を特定のプラズマCVD法を採用してハードコート層上に特定の珪素酸化物の連続層を成膜することにより形成するようにすれば、緻密でバリア層に優れ、しかも最もクラックが発生し易い最表面の耐衝撃性が向上しているとともに、ハードコート層との密着性が強固なガスバリア層を有する液晶表示素子用プラスチック基板を効率良く得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法を工程順に示す説明図である。
【図2】本発明の方法において好適に使用することのできるプラズマCVD装置の構成例を示す説明図である。
【符号の説明】
1…耐熱性支持体
2…ハードコート層
3…ガスバリア層
4…基材
5…転写用積層体
7…液晶表示素子用プラスチック基板
[0001]
[Industrial applications]
The present invention relates to a method of manufacturing a plastic substrate for a liquid crystal display element, and more particularly to a method of manufacturing a plastic substrate for a liquid crystal display element that causes less loss of a base sheet and does not adversely affect the optical characteristics of the base sheet.
[0002]
[Prior art]
Plastic substrate liquid crystal display devices using plastic for the substrate are lighter and more flexible than liquid crystal display devices using glass substrates. Application to is expected.
[0003]
That is, glass is a material excellent in transparency, optical isotropy, gas barrier properties, chemical resistance, heat resistance, smoothness, dimensional stability, etc. required for a substrate of a liquid crystal display element, but has flexibility. For example, when used for a display of a portable terminal such as an electronic organizer or a notebook computer, the chip may be damaged.
[0004]
On the other hand, plastic is flexible, light in weight, and has properties such as being capable of being processed in a long length by a roll. Therefore, for example, a substrate of a liquid crystal display element used for a display of the portable terminal is used. It is attracting attention as a material. However, since the plastic sheet alone cannot satisfy the above-mentioned required properties of the substrate material, each functional film such as a gas barrier layer for imparting gas barrier properties and a hard coat layer for imparting high surface hardness is provided. Need to be laminated on plastic sheet. In particular, the gas barrier layer and the hard coat layer are generally laminated on a plastic sheet in this order, and these layers are all formed by a coating method.
[0005]
[Problems to be solved by the invention]
However, when manufacturing a plastic substrate for a liquid crystal display element by a conventional manufacturing method, after applying a functional film forming resin in a solution state directly on a plastic base sheet, heat is applied to dry a solvent component. And the heat may adversely affect the optical properties of the plastic substrate. In addition, when a plastic having poor solvent resistance is used, there is a limitation in manufacturing that a functional film-forming resin must be applied in an aqueous system, for example.
[0006]
Furthermore, in the conventional manufacturing method, coating is performed on a roll or a sheet of plastic base sheet, so if a defective portion occurs during coating, the entire plastic base sheet must be discarded. Loss of the plastic substrate sheet due to repeated coating is a major problem in manufacturing a plastic substrate for a liquid crystal display device.
[0007]
The present invention has been made based on such circumstances, and an object of the present invention is to prevent the optical characteristics of a plastic substrate sheet from being adversely affected, and to prevent the occurrence of loss of a plastic substrate sheet in a manufacturing process. It is an object of the present invention to provide a method for producing a plastic substrate sheet for a liquid crystal display element, which is not restricted by production even when a base sheet made of plastic having poor solvent resistance is used.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
In order to achieve the above object, a method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element of the present invention comprises:
A method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element, comprising a gas barrier layer and a hard coat layer made of a urethane acrylate resin, a phenoxy ether resin or an epoxy resin laminated in this order on a base material made of a polymer material. After forming a hard coat layer on a heat-resistant support having a high surface smoothness, a gas barrier layer is formed on the hard coat layer to form a transfer laminate, and then a base material made of a polymer material is used. A structure in which the transfer laminate is adhered in a state where one surface of the substrate and the gas barrier layer of the transfer laminate face each other, and then the heat-resistant support constituting the laminate is peeled off. age,
Further, if necessary, a plasma CVD method is used to form the gas barrier layer, and by changing the mixture ratio of a gas obtained by vaporizing an organic silicon compound in the plasma CVD method, oxygen gas, and an inert gas, Forming a silicon oxide film in which the content of one or more of carbon, hydrogen, silicon and oxygen or a mixture or compound of the compounds decreases in the depth direction from the film surface; It was configured as a layer.
[0009]
[Action]
In the method for producing a plastic liquid crystal display element of the present invention, first, a heat-resistant support having high surface smoothness is prepared, and a hard coat layer is formed on the heat-resistant support having high surface smoothness. Next, a gas barrier layer is formed on the hard coat layer. Thereby, a transfer laminate in which a hard coat layer and a gas barrier layer are laminated in this order on a heat-resistant support having high surface smoothness is obtained. On the other hand, a base material made of a polymer material is prepared. Then, the base material made of the polymer material is bonded to the transfer laminate. At this time, the transfer laminate and the base material made of a polymer material are bonded together in a state where the gas barrier layer side of the transfer laminate and one surface of the base material face each other. Thus, the gas barrier layer, the hard coat layer, and the heat-resistant support having high surface smoothness are laminated in this order on the base material made of the polymer material. Thereafter, when the heat-resistant support having high surface smoothness is peeled off, a plastic substrate for a liquid crystal display element in which a gas barrier layer and a hard coat layer are laminated in this order on a base material made of a polymer material is obtained. The plastic substrate for a liquid crystal display element thus obtained has a hard coat layer with high surface smoothness. Therefore, a pair of plastic substrates for a liquid crystal display element manufactured by the method of the present invention are prepared, a transparent electrode layer is provided on the hard coat layer surface of each substrate, and the transparent electrode layer surfaces are arranged facing each other. By injecting and sealing a liquid crystal material between the substrates, it is possible to obtain a liquid crystal display element exhibiting stable performance with a constant substrate spacing. As described above, the production method of the present invention does not directly form a gas barrier layer and a hard coat layer on a base material made of a polymer material, but temporarily forms a hard surface on a heat-resistant support having high surface smoothness. After forming a coat layer and a gas barrier layer in this order to form a laminate, the laminate is adhered to a substrate made of a polymer material from the gas barrier layer side, and then the heat-resistant support having a high surface smoothness is peeled off. By removing, a plastic substrate for a liquid crystal display element in which a gas barrier layer and a hard coat layer are laminated on a substrate made of a polymer material in this order is manufactured. Therefore, according to this method, even when each layer of the gas barrier layer and the hard coat layer is formed by coating, there is no fear that the heat required for drying the solvent component adversely affects the optical characteristics of the base material made of the polymer material. In addition, even when a defective portion occurs at the time of coating, loss of the base material made of a polymer material does not occur. Moreover, according to this method, the hard coat layer, which is the outermost surface on the liquid crystal material side, is protected by the heat-resistant support having high surface smoothness during the manufacturing process, so that the hard coat layer is damaged and contaminated during the manufacturing process. Is prevented.
[0010]
In the method for manufacturing a plastic liquid crystal display element of the present invention, if necessary, a plasma CVD method is used for forming a gas barrier layer, and a gas obtained by vaporizing an organic silicon compound in this plasma CVD method and an oxygen gas are used. By changing the mixing ratio with an inert gas, the content of one or more of a mixture or compound of carbon, hydrogen, silicon and oxygen decreases in the depth direction from the film surface. An object film may be formed, and this silicon oxide film may be used as a gas barrier layer. By doing so, a gas barrier layer composed of a continuous layer of silicon oxide which is dense and has extremely high gas barrier properties and excellent impact resistance is formed. In addition, this silicon oxide film contains one or a mixture or compound of two or more of carbon, hydrogen, silicon, and oxygen, and the content thereof decreases from the film surface in the depth direction. In other words, since it is formed so that the content at the film surface is the highest and the content at the interface with the base material made of a polymer material is the lowest, the gas barrier layer surface where cracks are most likely to occur has an impact resistance While the adhesion between the gas barrier layer and the hard coat layer becomes strong.
[0011]
【Example】
Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
As shown in FIG. 1A, first, a heat-resistant support 1 having high surface smoothness is prepared. The heat-resistant support 1 needs to have high surface smoothness and excellent heat resistance. The surface smoothness is usually Ra = 0.2 μm or less, and the heat-resistant temperature is usually 120 ° C. or more. It is. Further, the heat-resistant support 1 needs to have a property capable of being separated from the hard coat layer 2 laminated on the heat-resistant support 1.
[0012]
Examples of a material for forming the heat-resistant support 1 having the above properties include a biaxially stretched polyester film.
The thickness of the heat-resistant support 1 is usually about 25 to 200 μm.
[0013]
Next, as shown in FIG. 1B, a hard coat layer 2 is formed on the heat-resistant support 1.
The hard coat layer 2 has a high surface hardness, imparts impact resistance to the base material 4 without impairing the flexibility of the base material 4 described in detail later, and also prevents the surface of the base material 4 from being damaged or contaminated. It is a layer having an action or a function, and examples of a forming material include a urethane acrylate resin, a phenoxy ether resin, and an epoxy resin.
[0014]
It is possible to suitably employ a coating method for forming the hard coat layer 2. Specifically, any of various coating methods such as a gravure coating method, a roll coating method, a bar coating method, and a die coating method are suitable. Can be adopted.
[0015]
The thickness of the hard coat layer 2 thus formed is usually about 5 to 30 μm.
Next, as shown in FIG. 1C, a gas barrier layer 3 is formed directly on the hard coat layer 2 or via an adhesive. The adhesive includes, for example, polyester urethane-based resin, polyurethane-based resin, and the like.
[0016]
The gas barrier layer 3 is a layer having an action or function of imparting a gas barrier property to the base material 4 described later in detail, and may be applied by applying a coating method or a physical vapor deposition (PVD) method. Alternatively, a continuous layer may be formed by employing a technique such as a chemical vapor deposition (CVD) method.
[0017]
When the gas barrier layer 3 is formed by a coating method, examples of a material for forming the gas barrier layer 3 include polyvinyl alcohol, an ethylene-vinyl alcohol copolymer, polyvinylidene chloride, and polysilazane.
[0018]
The thickness of the gas barrier layer 3 formed by the coating method is usually about 0.3 to 20 μm.
On the other hand, when the gas barrier layer 3 is formed as a continuous film, the following specific plasma CVD method using a mixed gas of a gas obtained by vaporizing an organosilicon compound, oxygen gas, and an inert gas is used. It can be suitably adopted.
[0019]
FIG. 2 is an explanatory view showing an example of a plasma CVD apparatus that can be suitably used in the method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element of the present invention. As shown in FIG. 2, the plasma CVD apparatus 11 includes a chamber 12, a supply roller 13, a take-up roller 14, a cooling / electrode drum 15, and auxiliary rollers 16, 16, which are disposed in the chamber 12. The electrode drum 15 is connected to a power supply 17 and the inside of the chamber 12 is configured to be set to a desired degree of vacuum by a vacuum pump 18. Further, an opening of a raw material supply nozzle 19 is provided in the vicinity of the cooling / electrode drum 15 in the chamber 12, and the other end of the raw material supply nozzle 19 is provided at a raw material vaporizing supply device 21 provided outside the chamber 12. And a gas supply device 22. Further, a magnet 23 for promoting the generation of plasma is provided near the cooling / electrode drum 15.
[0020]
When forming the gas barrier layer 3 using this plasma CVD apparatus, first, the raw material of the heat-resistant support 1 on which the hard coat layer 2 is formed is mounted on the supply roller 13 of the plasma CVD apparatus, An original transfer path is formed to reach the winding roller 14 via the cooling / electrode drum 15 and the auxiliary roller 16.
[0021]
Next, the pressure inside the chamber 12 is reduced to a degree of vacuum of 10 −1 to 10 −8 torr, preferably 10 −3 to 10 −7 torr by the vacuum pump 18. Then, the gas obtained by vaporizing the organic silicon compound as the raw material in the raw material vaporizing supply device 21 is mixed with the oxygen gas and the inert gas supplied from the gas supply device 22, and the mixed gas is supplied to the raw material supply nozzle 19. Through the chamber 12. Here, the content of each gas in the mixed gas ranges from 1 to 40% for a gas obtained by vaporizing an organic silicon compound, 10 to 70% for an oxygen gas, and 10 to 60% for an inert gas. For example, the mixing ratio of a gas obtained by vaporizing an organic silicon compound, oxygen gas, and an inert gas can be about 1: 6: 5 to 1:17:14.
[0022]
On the other hand, since a predetermined voltage from the power supply 17 is applied to the cooling / electrode drum 15, glow discharge plasma P is generated near the opening of the raw material supply nozzle 19 in the chamber 12 and the cooling / power supply drum 15. I do. The glow discharge plasma P is derived from one or more gas components in the mixed gas. In this state, the heat-resistant support 1 on which the hard coat layer 2 is formed is transported at a constant speed, and is formed on the heat-resistant support 1 on the peripheral surface of the cooling / electrode drum 15 by the glow discharge plasma P. On the hard coat layer 2, a gas barrier layer 3 composed of a continuous layer of silicon oxide is formed. At this time, the degree of vacuum in the chamber 12 is set to 10 -1 to 10 -4 torr, preferably 10 -1 to 10 -2 torr. The transport speed of the heat-resistant support 1 on which the hard coat layer 2 is formed is 10 to 300 m / min, preferably 50 to 150 m / min.
[0023]
The heat-resistant support 1 in which the gas barrier layer 3 is formed on the hard coat layer 2 is wound up by a take-up roller 14.
In a specific plasma CVD method in which the mixing ratio of the gas obtained by vaporizing the organic silicon compound and the mixed gas of the oxygen gas and the inert gas supplied from the gas supply device 22 is changed, The mixed gas is mixed so that the content of one or more of a mixture or compound of carbon, hydrogen, silicon and oxygen contained in the continuous layer of the oxide decreases in the depth direction from the film surface. Change the mixing ratio.
[0024]
In this particular form of the gas barrier layer 3 employing the plasma CVD method, since a thin film on the hard coat layer 2 in the form of SiO x is formed while oxidized plasma raw material gas with oxygen, which is formed The silicon oxide thin film is a dense and continuous layer with few gaps. Therefore, the barrier property of the gas barrier layer 3 composed of such a continuous layer of silicon oxide is much higher than the barrier property of the silicon oxide film formed by the conventional vacuum deposition. Barrier properties can be obtained. In addition, since the surface of the hard coat layer 2 is cleaned by the SiO x plasma, and a polar group and free radicals are generated on the surface of the hard coat layer 2, adhesion between the formed silicon oxide thin film and the hard coat layer 2 is performed. It becomes high. Further, as described above, the degree of vacuum at the time of forming the silicon oxide thin film is 10 -1 to 10 -4 torr, and preferably 10 -1 to 10 -2 torr. Since the degree of vacuum is lower than the degree of vacuum (10 −4 to 10 −5 ) torr, it is possible to shorten the time for setting the vacuum state when exchanging the substrate of the heat-resistant support 1 on which the hard coat layer 2 is formed. The temperature is easily stabilized, and the film forming process is stabilized.
[0025]
Examples of the organic silicon compound to be used in the plasma CVD method include 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, hexamethyldisiloxane, vinyltrimethylsilane, methyltrimethoxysilane, hexamethyldisilane, methylsilane, and dimethylsilane. , Trimethylsilane, diethylsilane, propylsilane, phenylsilane, vinyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane, tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, methylethoxysilane, octamethylcyclotetrasiloxane, and the like. Among them, 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane and hexamethyldisiloxane are particularly preferably used. These organosilicon compounds are liquid at normal temperature and normal pressure.
[0026]
The properties of the gas barrier layer 3 formed of a continuous silicon oxide layer obtained in this manner are determined by the value of X and the layer thickness of the composition SiO x of the silicon oxide continuous layer. A good silicon oxide continuous layer can be formed by optimizing the transport speed of the porous support 1, the electric power during plasma generation, and the mixing ratio of the mixed gas. In particular, the mixed gas is such that the content of a mixture or compound of one or more of carbon, hydrogen, silicon and oxygen is the largest at the film surface and the smallest at the interface with the polymer substrate. By changing the mixing ratio, the impact resistance is improved on the surface of the gas barrier layer where cracks are most likely to occur, while the adhesion between the gas barrier layer 3 and the hard coat layer 2 becomes strong.
[0027]
When the gas barrier layer 3 is formed by employing this specific plasma CVD method, the thickness of the gas barrier layer 3 is usually about 0.02 to 0.1 μm.
In the method of the present invention, the hard coat layer 2 and the gas barrier layer 3 are formed in this order on the heat-resistant support 1 to form the transfer laminate 5 while the base material made of a polymer material is used. Material 4 is prepared.
[0028]
As a material for forming the base material 4, for example, a polycarbonate resin, a polyether sulfone resin, a polyethylene terephthalate resin, or the like is suitably used from the viewpoint of optical characteristics required for a liquid crystal display device.
[0029]
The base material 4 is used in a sheet shape.
As shown in FIG. 1 (d), in the method of the present invention, the substrate 4 and the above-mentioned transfer laminate 5 are adhered to each other with an adhesive or a pressure-sensitive adhesive. This bonding is performed between one surface of the substrate 4 and the gas barrier layer 3 of the transfer laminate 5. In FIG. 1D, reference numeral 6 denotes an adhesive layer.
[0030]
Here, examples of the adhesive and pressure-sensitive adhesive that can be used for bonding include urethane-based adhesives and acrylic-based adhesives.
The thickness of the adhesive layer 6 made of these adhesives / adhesives is usually about 1 to 20 μm.
[0031]
As shown in FIG. 1 (e), in the method of the present invention, after bonding the base material 4 and the above-mentioned transfer laminate 5 as described above, the heat-resistant support constituting the transfer laminate 5 is formed. The body 1 is separated from the interface with the hard coat layer 2 and removed to obtain a plastic substrate 7 for a liquid crystal display element.
[0032]
The plastic substrate 7 for a liquid crystal display element thus obtained is obtained by laminating a gas barrier layer 3 having excellent barrier properties and a hard coat layer 2 having high surface smoothness on a base material 4 made of a polymer material in this order. It has the advantage of being flexible and resistant to cracking, and also satisfies the required optical performance, so that it can be used for liquid crystal display elements of portable terminals such as electronic notebooks, notebook computers, etc. It can be suitably used as a constituent substrate.
[0033]
【The invention's effect】
As described in detail above, according to the method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element of the present invention, a hard coat layer and a gas barrier layer are formed on a heat-resistant support having excellent surface smoothness and heat resistance. After sequentially forming a transfer laminate, the transfer laminate and a base material made of a polymer material are bonded together in a state where the gas barrier layer of the transfer laminate and one surface of the base material face each other. After that, by removing and removing the heat-resistant support constituting the transfer laminate, the gas barrier layer and the hard coat layer were transferred onto the substrate made of a polymer material. According to the method, even when each layer of the gas barrier layer and the hard coat layer is formed by coating, there is no concern that the heat required for drying the solvent component adversely affects the optical characteristics of the base material made of the polymer material. Co Even if a defective portion occurs during Ingu, loss of substrate made of a polymer material does not occur. Moreover, according to this method, the hard coat layer, which is the outermost surface on the liquid crystal material side, is protected by the heat-resistant support having high surface smoothness during the manufacturing process, so that the hard coat layer is damaged and contaminated during the manufacturing process. Is reliably prevented.
[0034]
Further, if the gas barrier layer is formed by forming a continuous layer of a specific silicon oxide on the hard coat layer by adopting a specific plasma CVD method, the gas barrier layer is dense, excellent in the barrier layer, and most cracked. It is possible to efficiently obtain a plastic substrate for a liquid crystal display device having a gas barrier layer having improved impact resistance on the outermost surface where the occurrence of cracks is likely to occur and having strong adhesion to the hard coat layer.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is an explanatory view showing a method for manufacturing a plastic substrate for a liquid crystal display element of the present invention in the order of steps.
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a configuration example of a plasma CVD apparatus that can be suitably used in the method of the present invention.
[Explanation of symbols]
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Heat resistant support 2 ... Hard coat layer 3 ... Gas barrier layer 4 ... Substrate 5 ... Transfer laminate 7 ... Plastic substrate for liquid crystal display element

Claims (2)

高分子材料からなる基材上にガスバリア層とウレタンアクリレート系樹脂、フェノキシエーテル系樹脂またはエポキシ系樹脂からなるハードコート層とがこの順に積層されてなる液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法であって、
表面平滑性の高い耐熱性支持体上にハードコート層を形成した後、該ハードコート層上にガスバリア層を形成して転写用積層体を形成し、次いで、高分子材料からなる基材と前記転写用積層体とを該基材の一方の面と該転写用積層体のガスバリア層とが対向する状態で接着し、その後、前記転写用積層体を構成する前記耐熱性支持体を剥離除去することを特徴とする液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法。
A method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element, comprising a gas barrier layer and a hard coat layer made of a urethane acrylate resin, a phenoxy ether resin or an epoxy resin laminated in this order on a base material made of a polymer material. ,
After forming a hard coat layer on a heat-resistant support having a high surface smoothness, a gas barrier layer is formed on the hard coat layer to form a transfer laminate, and then a base material made of a polymer material and The transfer laminate is bonded in a state where one surface of the substrate and the gas barrier layer of the transfer laminate face each other, and then the heat-resistant support constituting the transfer laminate is peeled off. A method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display device, characterized by comprising:
前記ガスバリア層の形成にプラズマCVD法を用い、このプラズマCVD法において有機珪素化合物を気化させて得られるガスと酸素ガスと不活性ガスとの混合比を変化させることにより、炭素、水素、珪素および酸素のうちの1種もしくは2種以上の混合物または化合物の含有量が膜表面から深さ方向に向かって減少する珪素酸化物膜を形成し、この珪素酸化物膜をガスバリア層とする請求項1記載の液晶表示素子用プラスチック基板の製造方法。By using a plasma CVD method for forming the gas barrier layer and changing the mixing ratio of a gas obtained by vaporizing an organic silicon compound, oxygen gas, and an inert gas in the plasma CVD method, carbon, hydrogen, silicon, 2. A silicon oxide film in which the content of one or more of oxygen or a mixture or compound of oxygen decreases in the depth direction from the film surface, and the silicon oxide film is used as a gas barrier layer. The method for producing a plastic substrate for a liquid crystal display element according to the above.
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