JP3564852B2 - 高純度金属ルテニウム粉末の製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は高純度金属ルテニウム粉末およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、種々の化学反応触媒やエレクトロニクス分野で強誘電体用電極材の原料などに利用できる比表面積の大きな高純度の金属ルテニウム粉末とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】
ルテニウム（Ｒｕ）は多くの原子価をとることから化学反応の各種触媒として利用されており、また、二酸化ルテニウムとしてＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のキャパシタ電極に用いられるなど、エレクトロニクス分野の電極材としても極めて有用な金属である。このルテニウム金属は、ニッケル、銅などの電気精錬の際に電解槽中に沈積するアノードスライムから白金を抽出するときの副産物として主に得られる。
【０００３】
このような粗ルテニウム金属を精製する方法として、アーク溶解などによる不純物の揮発除去を利用する方法もあるが、この精製方法で得られる金属ルテニウムは塊状のものである。金属ルテニウムは剛性が高くかつ脆いため圧延等の加工が困難であり、塊状のものは取扱い難い。
このため、触媒やその他の加工用原料、具体的には強誘電体電極製造用のターゲット材原料などには粉末状のものが多く用いられている。ルテニウム粉末の製造方法として従来知られているものは、ルテニウム酸塩を含むアルカリ溶液を強力な酸化剤と共に加熱して揮発性の高い四酸化ルテニウムに変換した後、蒸留精製し、その後還元する方法を繰り返す方法や、塩化ルテニウムなどのルテニウム化合物とアルカリ金属のアルコキシドとを反応させてルテニウムアルコキシドとした後、加水分解してルテニウム粉末を得る方法（特公平４−５０２５３ 号公報）などである。酸化ルテニウム粉末の製造方法としては、４価以上のルテニウム酸塩を原料にし、水溶性有機還元剤を用いて、湿式法で含水酸化ルテニウム粉末を得る方法（特開平６−３４５４４１号公報）が知られている。
【０００４】
【発明の解決課題】
従来の上記製造方法において、四酸化ルテニウムを用いる方法では、この四酸化ルテニウムを製造するために、最初にルテニウム酸アルカリをつくるため、製造されるルテニウム中のアルカリ濃度が高く、また、この四酸化ルテニウムは毒性が高いため取扱いが難しい。また融点が低い（２５．４℃）ために蒸発後、冷却して得られた粉末が液状となり凝集し易い問題がある。一方、アルカリ金属のアルコキシドと反応させる方法は、極めて微細なルテニウム粉末が得られるものの出発原料にアルコキシドや塩化物を使用するためにコスト高であり、製造工程も繁雑で、使用するアルカリ金属不純物を完全に除去することができず、電子材料用としては使用できないという問題を有する。
【０００５】
また、これらの方法はいずれも原料に制限が多く、ルテニウム含有スクラップ等から金属ルテニウム粉末を製造するには適さない。さらに、製造される金属ルテニウム粉末の平均粒径が小さ過ぎてターゲット製造や触媒用には適さない問題もある。
【０００６】
本発明は従来のルテニウム粉末の製造方法における上記問題を解決するものでであって、ルテニウム含有スクラップなどを原料として高純度の特にアルカリ金属含有量の少ない金属ルテニウム粉末を容易に得ることができる製造方法を提供することを目的とし、また平均粒径に比べて比表面積の大きな金属ルテニウム粉末を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題の解決手段】
本発明は、三塩化ルテニウムが比較的低い温度（７１５ ℃）で昇華することに注目し、溶解精製した金属ルテニウムを塩素化して昇華することにより、液相工程を経ずに高純度の金属ルテニウム粉末を製造する方法およびその製法から得られた金属ルテニウム粉末を提供するものであり、以下の構成からなることを特徴とする。
【０００８】
（１）粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末とし、これを水素還元することによって、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅の含有量が各々０.１ppm以下であり、平均粒径２０〜６０μmおよび比表面積(BET値)１m2/g以上の金属ルテニウム粉末を製造することを特徴とする高純度金属ルテニウム粉末の製造方法。
（２）粗金属ルテニウムがルテニウム含有スクラップである上記(1)の製造方法。
（３）
粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末にした後に、４００〜６００℃の温度下で水素ガスを塩化ルテニウム１ｇ当たり１〜２０ml/minの割合で供給して塩化ルテニウム粉末を水素還元し、金属ルテニウム粉末にする上記(1)または(2)の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。
（１） 溶解精製工程
原料の粗金属ルテニウムを溶解精製して精製金属ルテニウムを得る。原料の粗ルテニウムは塊状、粉末状のいずれでもよく、またルテニウム含有スクラップを原料として用いることもできる。ルテニウムは希少金属であるためリサイクル使用が望まれ、ルテニウム含有スクラップなどを原料として使用できる利点は大きい。溶解精製方法はＥＢ溶解（電子ビーム溶解）による真空溶解精製法あるいは高真空電子ビーム帯溶融法（ＥＢＦＺＭ） によって行うことができる。
これら真空溶解法によれば、ルテニウムより蒸気圧の大きい不純物、例えば、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銅などの金属元素および酸素、窒素、硫黄、水素などは揮発除去される。また高真空電子ビーム帯溶融法（ＥＢＦＺＭ） においては不純物元素は揮発除去されると共に試料端部に偏析して除去される。
【００１０】
（２） 塩素化による粉末化工程
溶解精製した金属ルテニウムは塊状のインゴットとして得られる。この精製金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスと接触させて主に三塩化ルテニウムを生成させる。ここで三塩化ルテニウムの昇華点は常圧下で７１５℃であり、生成した三塩化ルテニウムは直ちに昇華してガス化する。好ましい反応温度は７１５〜８５０℃である。
なお精製金属ルテニウムに僅かに不純物が残留する場合にも、相対的に蒸気圧が低い塩化物を形成するものは残留するので、この昇華により除去される。
【００１１】
塩素含有ガスとしては、塩素ガス単独あるいは塩素ガスの他にＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含有したガスを用いることができる。塩素含有ガスの供給量は塩素ガス換算で、原料の粗ルテニウム１ｇ当たり１〜１０ ｍｌ／ｍｉｎ が適当である。
【００１２】
気化した三塩化ルテニウムを主体とする生成ガスを上記昇華点を下回る温度に冷却して固化させることにより、三塩化ルテニウム粉末が得られる。この三塩化ルテニウム粉末は必要に応じて酸や純水によって洗浄した後に次の水素還元工程に送る。なお、三塩化ルテニウムの蒸気は２００℃以下の温度で急激に冷却するほうがよい。５００℃近傍の比較的高温領域で徐々に冷却すると鱗片状のルテニウムが生成するためである。
【００１３】
（３） 水素還元工程
昇華精製工程を経て得られた三塩化ルテニウム粉末を水素還元し、金属ルテニウム粉末を得る。具体的には、４００〜６００℃の温度に加熱した三塩化ルテニウム粉末に、好ましくは常圧下で水素ガスを通じる。水素ガスの他にＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含有した混合ガスを用いることもできる。水素ガスの供給量は三塩化ルテニウム１ｇ当たり１〜２０ ｍｌ／ｍｉｎ が適当である。水素還元は４００〜６００℃が望ましい。４００℃以下では還元反応が遅く、７００℃以上の温度で行なうとＲｕの一部が焼結し、比表面積が小さくなる。
この水素還元により三塩化ルテニウム粉末は金属ルテニウム粉末となり、生じた塩化水素ガスは外部に導いて処理する。
【００１４】
（４） 精製金属ルテニウム粉末
上記製法によって得られる金属ルテニウム粉末は、不純物が極めて少ない高純度粉末である。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅の含有量が各々＜０．１ｐｐｍ 以下である。
また、平均粒径は２０〜６０μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） が１ ｍ２／ｇ以上、多くは２ ｍ２／ｇ以上である。平均粒径は従来市販されている金属ルテニウム粉末の約１．５倍程度であるが、表面に無数の凹凸や皺を有しているので比表面積が格段に大きい。また嵩密度は１．０〜１．５ｇ／ｃｍ３ で市販品と同程度である。
【００１５】
以上のように本発明の製法は、溶解精製した金属ルテニウムインゴットを原料として、比較的低温で昇華する三塩化ルテニウムを中間体として経由することにより、液相を経ずに粉末の高純度金属ルテニウムを製造することができる。従って、得られる金属ルテニウム粉末は湿式法や液相を経る方法では到底得られないほど比表面積の大きな粉末であり、各種触媒として好適である。さらに、機械的粉砕などによらないために純度の極めて高い金属ルテニウム粉末を得ることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１
市販のルテニウム粉末（純度９９．９％，平均粒径２０μｍ）をＥＢ溶解して１４０ｇのボタン状金属ルテニウムインゴット（純度９９．９９９９ ％）を製造した。
このインゴットを石英ボートにのせ、石英製反応管内に入れ、これを７５０℃に加熱して塩素ガスを１．０リットル／ｍｉｎの割合で導入し、生成ガスを外部に導き、１００℃に冷却して三塩化ルテニウム粉末２００ｇを得た。この三塩化ルテニウム粉末を攪拌しながら２．０リットル／ｍｉｎの割合で水素ガスを導入し、９５ｇの金属ルテニウム粉末を得た。
この金属ルテニウム粉末のＳＥＭ写真を図１に示した。この金属ルテニウム粉末の不純物量は表１のとおりであり、原料の粗ルテニウムに比べて大幅に不純物量が少ないものであった。また得られた金属ルテニウム粉末の平均粒径は３８．５μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） は２．０８ ｍ２／ｇであった。
【００１７】
【表１】
【００１８】
実施例２
ターゲット製造工程で発生したＲｕスクラップをＥＢ溶解し１５０ｇのボタン状の金属ルテニウムインゴット（純度９９．９９９９ ％）を製造した。このインゴットを実施例１と同じ反応容器を用い同様の方法で、８００℃で、塩素混合ガス（Ｃｌ：０．５リットル／ｍｉｎ， Ａｒ： ０．２ リットル／ｍｉｎ）を用いて塩素化し、昇華精製して２２０ｇの塩化ルテニウム粉末を得た。この塩化ルテニウム粉末を水素混合ガス（Ｈ：２．０ リットル／ｍｉｎ、Ａｒ：４．０リットル／ｍｉｎ）を用いて５５０℃で水素還元し、１０５ｇの金属ルテニウム粉末を得た。
このルテニウム粉末中の不純物をＧＤ−ＭＳ 分析したところ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕはすべて０．１ ｐｐｍ以下の高純度の金属ルテニウム粉末であった。また、この金属ルテニウム粉末は平均粒径が３６．２μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） ２．１５ ｍ２／ｇ、嵩密度１．４６ｇ／ｃｍ３ であった。
実施例３
実施例１と同様の条件でＥＢ溶解、塩素化を行い、三塩化ルテニウムガスを５００℃で冷却したところ、精製した三塩化ルテニウムの４５％が鱗片状、５５％が粉末状の三塩化ルテニウムとなった。これらの三塩化ルテニウムを水素還元したところ、いずれのルテニウムもＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕはすべて０．１ ｐｐｍ以下の高純度の金属ルテニウム粉末であった。また、粉末状のルテニウムの平均粒径は４５．８μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） ２．００ ｍ２／ｇ、嵩密度１．３７ｇ／ｃｍ３ であった。
【００１９】
比較例１
市販の四酸化ルテニウムを水素還元して金属ルテニウム粉末を得た。この粉末の比表面積（ＢＥＴ値）は０．５９ ｍ２／ｇであった。またこの粉末のＳＥＭ写真を図２に示した。図示するように、本例の金属ルテニウム粉末は表面に凹凸や皺が少なく、平均粒径が小さいにも拘らず比表面積が大幅に小さい。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、液相を経ずに高純度の金属ルテニウム粉末を容易に製造することができる。しかも原料の形状を問わず粉末ないし塊状の原料を直接用いることができ、さらに粗ルテニウムを含有するスクラップから精製金属ルテニウム粉末を直接得ることができ、操作も簡易であり、高価な試薬などを用いる必要もないので経済性にも優れる。
また、得られる金属ルテニウム粉末は、従来の粉末よりも平均粒径が大きいも拘らず比表面積が大きく、粒径も整っており、各種触媒等の用途に好適であるとともに高純度であり、エレクトロニクス分野で強誘電体用電極材の原料としても利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得た精製金属ルテニウム粉末の粒子構造を示す電子顕微鏡写真。
【図２】比較例１で得た金属ルテニウム粉末の粒子構造を示す電子顕微鏡写真。
【発明の属する技術分野】
本発明は高純度金属ルテニウム粉末およびその製造方法に関する。さらに詳しくは、種々の化学反応触媒やエレクトロニクス分野で強誘電体用電極材の原料などに利用できる比表面積の大きな高純度の金属ルテニウム粉末とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術とその課題】
ルテニウム（Ｒｕ）は多くの原子価をとることから化学反応の各種触媒として利用されており、また、二酸化ルテニウムとしてＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｒａｎｄａｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）のキャパシタ電極に用いられるなど、エレクトロニクス分野の電極材としても極めて有用な金属である。このルテニウム金属は、ニッケル、銅などの電気精錬の際に電解槽中に沈積するアノードスライムから白金を抽出するときの副産物として主に得られる。
【０００３】
このような粗ルテニウム金属を精製する方法として、アーク溶解などによる不純物の揮発除去を利用する方法もあるが、この精製方法で得られる金属ルテニウムは塊状のものである。金属ルテニウムは剛性が高くかつ脆いため圧延等の加工が困難であり、塊状のものは取扱い難い。
このため、触媒やその他の加工用原料、具体的には強誘電体電極製造用のターゲット材原料などには粉末状のものが多く用いられている。ルテニウム粉末の製造方法として従来知られているものは、ルテニウム酸塩を含むアルカリ溶液を強力な酸化剤と共に加熱して揮発性の高い四酸化ルテニウムに変換した後、蒸留精製し、その後還元する方法を繰り返す方法や、塩化ルテニウムなどのルテニウム化合物とアルカリ金属のアルコキシドとを反応させてルテニウムアルコキシドとした後、加水分解してルテニウム粉末を得る方法（特公平４−５０２５３ 号公報）などである。酸化ルテニウム粉末の製造方法としては、４価以上のルテニウム酸塩を原料にし、水溶性有機還元剤を用いて、湿式法で含水酸化ルテニウム粉末を得る方法（特開平６−３４５４４１号公報）が知られている。
【０００４】
【発明の解決課題】
従来の上記製造方法において、四酸化ルテニウムを用いる方法では、この四酸化ルテニウムを製造するために、最初にルテニウム酸アルカリをつくるため、製造されるルテニウム中のアルカリ濃度が高く、また、この四酸化ルテニウムは毒性が高いため取扱いが難しい。また融点が低い（２５．４℃）ために蒸発後、冷却して得られた粉末が液状となり凝集し易い問題がある。一方、アルカリ金属のアルコキシドと反応させる方法は、極めて微細なルテニウム粉末が得られるものの出発原料にアルコキシドや塩化物を使用するためにコスト高であり、製造工程も繁雑で、使用するアルカリ金属不純物を完全に除去することができず、電子材料用としては使用できないという問題を有する。
【０００５】
また、これらの方法はいずれも原料に制限が多く、ルテニウム含有スクラップ等から金属ルテニウム粉末を製造するには適さない。さらに、製造される金属ルテニウム粉末の平均粒径が小さ過ぎてターゲット製造や触媒用には適さない問題もある。
【０００６】
本発明は従来のルテニウム粉末の製造方法における上記問題を解決するものでであって、ルテニウム含有スクラップなどを原料として高純度の特にアルカリ金属含有量の少ない金属ルテニウム粉末を容易に得ることができる製造方法を提供することを目的とし、また平均粒径に比べて比表面積の大きな金属ルテニウム粉末を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題の解決手段】
本発明は、三塩化ルテニウムが比較的低い温度（７１５ ℃）で昇華することに注目し、溶解精製した金属ルテニウムを塩素化して昇華することにより、液相工程を経ずに高純度の金属ルテニウム粉末を製造する方法およびその製法から得られた金属ルテニウム粉末を提供するものであり、以下の構成からなることを特徴とする。
【０００８】
（１）粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末とし、これを水素還元することによって、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅の含有量が各々０.１ppm以下であり、平均粒径２０〜６０μmおよび比表面積(BET値)１m2/g以上の金属ルテニウム粉末を製造することを特徴とする高純度金属ルテニウム粉末の製造方法。
（２）粗金属ルテニウムがルテニウム含有スクラップである上記(1)の製造方法。
（３）
粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末にした後に、４００〜６００℃の温度下で水素ガスを塩化ルテニウム１ｇ当たり１〜２０ml/minの割合で供給して塩化ルテニウム粉末を水素還元し、金属ルテニウム粉末にする上記(1)または(2)の製造方法。
【０００９】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を具体的に説明する。
（１） 溶解精製工程
原料の粗金属ルテニウムを溶解精製して精製金属ルテニウムを得る。原料の粗ルテニウムは塊状、粉末状のいずれでもよく、またルテニウム含有スクラップを原料として用いることもできる。ルテニウムは希少金属であるためリサイクル使用が望まれ、ルテニウム含有スクラップなどを原料として使用できる利点は大きい。溶解精製方法はＥＢ溶解（電子ビーム溶解）による真空溶解精製法あるいは高真空電子ビーム帯溶融法（ＥＢＦＺＭ） によって行うことができる。
これら真空溶解法によれば、ルテニウムより蒸気圧の大きい不純物、例えば、鉄、ニッケル、クロム、アルミニウム、銅などの金属元素および酸素、窒素、硫黄、水素などは揮発除去される。また高真空電子ビーム帯溶融法（ＥＢＦＺＭ） においては不純物元素は揮発除去されると共に試料端部に偏析して除去される。
【００１０】
（２） 塩素化による粉末化工程
溶解精製した金属ルテニウムは塊状のインゴットとして得られる。この精製金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスと接触させて主に三塩化ルテニウムを生成させる。ここで三塩化ルテニウムの昇華点は常圧下で７１５℃であり、生成した三塩化ルテニウムは直ちに昇華してガス化する。好ましい反応温度は７１５〜８５０℃である。
なお精製金属ルテニウムに僅かに不純物が残留する場合にも、相対的に蒸気圧が低い塩化物を形成するものは残留するので、この昇華により除去される。
【００１１】
塩素含有ガスとしては、塩素ガス単独あるいは塩素ガスの他にＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含有したガスを用いることができる。塩素含有ガスの供給量は塩素ガス換算で、原料の粗ルテニウム１ｇ当たり１〜１０ ｍｌ／ｍｉｎ が適当である。
【００１２】
気化した三塩化ルテニウムを主体とする生成ガスを上記昇華点を下回る温度に冷却して固化させることにより、三塩化ルテニウム粉末が得られる。この三塩化ルテニウム粉末は必要に応じて酸や純水によって洗浄した後に次の水素還元工程に送る。なお、三塩化ルテニウムの蒸気は２００℃以下の温度で急激に冷却するほうがよい。５００℃近傍の比較的高温領域で徐々に冷却すると鱗片状のルテニウムが生成するためである。
【００１３】
（３） 水素還元工程
昇華精製工程を経て得られた三塩化ルテニウム粉末を水素還元し、金属ルテニウム粉末を得る。具体的には、４００〜６００℃の温度に加熱した三塩化ルテニウム粉末に、好ましくは常圧下で水素ガスを通じる。水素ガスの他にＨｅ、Ａｒ等の不活性ガスを含有した混合ガスを用いることもできる。水素ガスの供給量は三塩化ルテニウム１ｇ当たり１〜２０ ｍｌ／ｍｉｎ が適当である。水素還元は４００〜６００℃が望ましい。４００℃以下では還元反応が遅く、７００℃以上の温度で行なうとＲｕの一部が焼結し、比表面積が小さくなる。
この水素還元により三塩化ルテニウム粉末は金属ルテニウム粉末となり、生じた塩化水素ガスは外部に導いて処理する。
【００１４】
（４） 精製金属ルテニウム粉末
上記製法によって得られる金属ルテニウム粉末は、不純物が極めて少ない高純度粉末である。具体的には、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅の含有量が各々＜０．１ｐｐｍ 以下である。
また、平均粒径は２０〜６０μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） が１ ｍ２／ｇ以上、多くは２ ｍ２／ｇ以上である。平均粒径は従来市販されている金属ルテニウム粉末の約１．５倍程度であるが、表面に無数の凹凸や皺を有しているので比表面積が格段に大きい。また嵩密度は１．０〜１．５ｇ／ｃｍ３ で市販品と同程度である。
【００１５】
以上のように本発明の製法は、溶解精製した金属ルテニウムインゴットを原料として、比較的低温で昇華する三塩化ルテニウムを中間体として経由することにより、液相を経ずに粉末の高純度金属ルテニウムを製造することができる。従って、得られる金属ルテニウム粉末は湿式法や液相を経る方法では到底得られないほど比表面積の大きな粉末であり、各種触媒として好適である。さらに、機械的粉砕などによらないために純度の極めて高い金属ルテニウム粉末を得ることができる。
【００１６】
【実施例】
以下、本発明の実施例を示す。
実施例１
市販のルテニウム粉末（純度９９．９％，平均粒径２０μｍ）をＥＢ溶解して１４０ｇのボタン状金属ルテニウムインゴット（純度９９．９９９９ ％）を製造した。
このインゴットを石英ボートにのせ、石英製反応管内に入れ、これを７５０℃に加熱して塩素ガスを１．０リットル／ｍｉｎの割合で導入し、生成ガスを外部に導き、１００℃に冷却して三塩化ルテニウム粉末２００ｇを得た。この三塩化ルテニウム粉末を攪拌しながら２．０リットル／ｍｉｎの割合で水素ガスを導入し、９５ｇの金属ルテニウム粉末を得た。
この金属ルテニウム粉末のＳＥＭ写真を図１に示した。この金属ルテニウム粉末の不純物量は表１のとおりであり、原料の粗ルテニウムに比べて大幅に不純物量が少ないものであった。また得られた金属ルテニウム粉末の平均粒径は３８．５μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） は２．０８ ｍ２／ｇであった。
【００１７】
【表１】
実施例２
ターゲット製造工程で発生したＲｕスクラップをＥＢ溶解し１５０ｇのボタン状の金属ルテニウムインゴット（純度９９．９９９９ ％）を製造した。このインゴットを実施例１と同じ反応容器を用い同様の方法で、８００℃で、塩素混合ガス（Ｃｌ：０．５リットル／ｍｉｎ， Ａｒ： ０．２ リットル／ｍｉｎ）を用いて塩素化し、昇華精製して２２０ｇの塩化ルテニウム粉末を得た。この塩化ルテニウム粉末を水素混合ガス（Ｈ：２．０ リットル／ｍｉｎ、Ａｒ：４．０リットル／ｍｉｎ）を用いて５５０℃で水素還元し、１０５ｇの金属ルテニウム粉末を得た。
このルテニウム粉末中の不純物をＧＤ−ＭＳ 分析したところ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕはすべて０．１ ｐｐｍ以下の高純度の金属ルテニウム粉末であった。また、この金属ルテニウム粉末は平均粒径が３６．２μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） ２．１５ ｍ２／ｇ、嵩密度１．４６ｇ／ｃｍ３ であった。
実施例３
実施例１と同様の条件でＥＢ溶解、塩素化を行い、三塩化ルテニウムガスを５００℃で冷却したところ、精製した三塩化ルテニウムの４５％が鱗片状、５５％が粉末状の三塩化ルテニウムとなった。これらの三塩化ルテニウムを水素還元したところ、いずれのルテニウムもＮａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｕはすべて０．１ ｐｐｍ以下の高純度の金属ルテニウム粉末であった。また、粉末状のルテニウムの平均粒径は４５．８μｍであり、比表面積（ＢＥＴ値） ２．００ ｍ２／ｇ、嵩密度１．３７ｇ／ｃｍ３ であった。
【００１９】
比較例１
市販の四酸化ルテニウムを水素還元して金属ルテニウム粉末を得た。この粉末の比表面積（ＢＥＴ値）は０．５９ ｍ２／ｇであった。またこの粉末のＳＥＭ写真を図２に示した。図示するように、本例の金属ルテニウム粉末は表面に凹凸や皺が少なく、平均粒径が小さいにも拘らず比表面積が大幅に小さい。
【００２０】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、液相を経ずに高純度の金属ルテニウム粉末を容易に製造することができる。しかも原料の形状を問わず粉末ないし塊状の原料を直接用いることができ、さらに粗ルテニウムを含有するスクラップから精製金属ルテニウム粉末を直接得ることができ、操作も簡易であり、高価な試薬などを用いる必要もないので経済性にも優れる。
また、得られる金属ルテニウム粉末は、従来の粉末よりも平均粒径が大きいも拘らず比表面積が大きく、粒径も整っており、各種触媒等の用途に好適であるとともに高純度であり、エレクトロニクス分野で強誘電体用電極材の原料としても利用できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１で得た精製金属ルテニウム粉末の粒子構造を示す電子顕微鏡写真。
【図２】比較例１で得た金属ルテニウム粉末の粒子構造を示す電子顕微鏡写真。
Claims (3)
- 粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末とし、これを水素還元することによって、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム、鉄、ニッケル、銅の含有量が各々０.１ppm以下であり、平均粒径２０〜６０μmおよび比表面積(BET値)１m2/g以上の金属ルテニウム粉末を製造することを特徴とする高純度金属ルテニウム粉末の製造方法。
- 粗金属ルテニウムがルテニウム含有スクラップである請求項１の製造方法。
- 粗金属ルテニウムを真空溶解することによってルテニウムよりも蒸気圧の大きい不純物を揮発除去し、さらにこの金属ルテニウムを７１５℃以上の温度下で塩素含有ガスに接触させて三塩化ルテニウムとして昇華させることによって三塩化ルテニウムよりも蒸気圧が低い不純物を残留させて分離し、次に、この三塩化ルテニウムガスを２００℃以下に急激に冷却して三塩化ルテニウム粉末にした後に、４００〜６００℃の温度下で水素ガスを塩化ルテニウム１ｇ当たり１〜２０ml/minの割合で供給して塩化ルテニウム粉末を水素還元し、金属ルテニウム粉末にする請求項１または２の製造方法。
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