JP3326152B2 - プリントヘッド装置 - Google Patents
プリントヘッド装置Info
- Publication number
- JP3326152B2 JP3326152B2 JP2000065441A JP2000065441A JP3326152B2 JP 3326152 B2 JP3326152 B2 JP 3326152B2 JP 2000065441 A JP2000065441 A JP 2000065441A JP 2000065441 A JP2000065441 A JP 2000065441A JP 3326152 B2 JP3326152 B2 JP 3326152B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- passivation layer
- layer
- ink ejection
- print head
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 134
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 100
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical group N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 6
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 2
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1631—Manufacturing processes photolithography
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/14—Structure thereof only for on-demand ink jet heads
- B41J2/14016—Structure of bubble jet print heads
- B41J2/14088—Structure of heating means
- B41J2/14112—Resistive element
- B41J2/14129—Layer structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1601—Production of bubble jet print heads
- B41J2/1603—Production of bubble jet print heads of the front shooter type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/005—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
- B41J2/01—Ink jet
- B41J2/135—Nozzles
- B41J2/16—Production of nozzles
- B41J2/1621—Manufacturing processes
- B41J2/1626—Manufacturing processes etching
- B41J2/1629—Manufacturing processes etching wet etching
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2202/00—Embodiments of or processes related to ink-jet or thermal heads
- B41J2202/01—Embodiments of or processes related to ink-jet heads
- B41J2202/13—Heads having an integrated circuit
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Particle Formation And Scattering Control In Inkjet Printers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インクジェットプ
リンタ等で用いられるプリントヘッドの構造に関し、よ
り詳細には、そのパシベーション層の厚さを変えて、性
能を改善し回路構成要素を保護することに関する。
リンタ等で用いられるプリントヘッドの構造に関し、よ
り詳細には、そのパシベーション層の厚さを変えて、性
能を改善し回路構成要素を保護することに関する。
【０００２】
【従来技術及びその問題点】インクジェットプリンタは
当分野で公知であり、とりわけ、ヒューレット・パッカ
ード、キャノン、エプソン等の製造業者によって製造さ
れているプリンタを含む。インクジェットプリンタは、
熱式（加熱抵抗器）アクチュエータや機械式（圧電）ア
クチュエータを含む、いくつかの作動機構によって機能
する。本明細書における説明は主に熱的に作動するプリ
ントヘッドを対象としているが、本発明における非一様
パシベーション層厚は、機械的に作動するプリントヘッ
ドにもまた適用可能であるということを理解すべきであ
る。以下により詳細に説明するように、本発明は、厚い
パシベーション層を設けてプリントヘッドのダイ上の回
路を保護しながら、インク射出要素の上には薄いパシベ
ーション層を設けてインク射出エネルギーを小さくする
ことに関係している。パシベーション層を薄くすると、
アクチュエータのタイプに係わらず、インクを射出する
のに必要なエネルギーが小さくなり、従って、本発明は
インクジェット及び関係するプリンタすべてに適用可能
である。
当分野で公知であり、とりわけ、ヒューレット・パッカ
ード、キャノン、エプソン等の製造業者によって製造さ
れているプリンタを含む。インクジェットプリンタは、
熱式（加熱抵抗器）アクチュエータや機械式（圧電）ア
クチュエータを含む、いくつかの作動機構によって機能
する。本明細書における説明は主に熱的に作動するプリ
ントヘッドを対象としているが、本発明における非一様
パシベーション層厚は、機械的に作動するプリントヘッ
ドにもまた適用可能であるということを理解すべきであ
る。以下により詳細に説明するように、本発明は、厚い
パシベーション層を設けてプリントヘッドのダイ上の回
路を保護しながら、インク射出要素の上には薄いパシベ
ーション層を設けてインク射出エネルギーを小さくする
ことに関係している。パシベーション層を薄くすると、
アクチュエータのタイプに係わらず、インクを射出する
のに必要なエネルギーが小さくなり、従って、本発明は
インクジェット及び関係するプリンタすべてに適用可能
である。
【０００３】図１は、熱的に作動する従来技術によるイ
ンクジェットプリントヘッドの代表的なプリントヘッド
構造を示す。図１の構造は、通常半導体材料でできてお
り内部に抵抗層及び抵抗素子１２が形成された基板１０
を含む。基板１０上には、一般には図示のように、導電
材料でできた層１４（通常アルミニウム等）が形成され
ている。基板１０上には、パシベーション層２０（通常
窒化けい素／シリコンカーバイド等）が形成されてお
り、パシベーション層２０上には、金属層２６及び接触
パッド２８（ビア２５を通じて連結）が形成されてい
る。金属層または導電層は、保護／キャビテーション層
２４及び表面導体２６を含むことがある。インクウェル
３１、バリア層３２及びオリフィス板３３が、よく知ら
れているようにして設けられている。プリントヘッドの
「発射」信号が、回路５０からまたはチップ外の信号源
から抵抗素子に伝播し、抵抗素子において、インク滴が
オリフィス板３３を通って射出されるようにするのに十
分な熱を発生する。
ンクジェットプリントヘッドの代表的なプリントヘッド
構造を示す。図１の構造は、通常半導体材料でできてお
り内部に抵抗層及び抵抗素子１２が形成された基板１０
を含む。基板１０上には、一般には図示のように、導電
材料でできた層１４（通常アルミニウム等）が形成され
ている。基板１０上には、パシベーション層２０（通常
窒化けい素／シリコンカーバイド等）が形成されてお
り、パシベーション層２０上には、金属層２６及び接触
パッド２８（ビア２５を通じて連結）が形成されてい
る。金属層または導電層は、保護／キャビテーション層
２４及び表面導体２６を含むことがある。インクウェル
３１、バリア層３２及びオリフィス板３３が、よく知ら
れているようにして設けられている。プリントヘッドの
「発射」信号が、回路５０からまたはチップ外の信号源
から抵抗素子に伝播し、抵抗素子において、インク滴が
オリフィス板３３を通って射出されるようにするのに十
分な熱を発生する。
【０００４】インク滴を１つ射出するのに必要なエネル
ギー量をターンオンエネルギー（ＴＯＥ）と呼ぶことが
多い。ＴＯＥは、パシベーション層が厚いほどインク滴
を１つ射出するのに必要なエネルギーが大きくなるとい
う点で、パシベーション層の厚さに関係している。従っ
て、ＴＯＥを小さくするためには、パシベーション層を
薄くすることが望ましい。
ギー量をターンオンエネルギー（ＴＯＥ）と呼ぶことが
多い。ＴＯＥは、パシベーション層が厚いほどインク滴
を１つ射出するのに必要なエネルギーが大きくなるとい
う点で、パシベーション層の厚さに関係している。従っ
て、ＴＯＥを小さくするためには、パシベーション層を
薄くすることが望ましい。
【０００５】しかし、パシベーション層を薄くすると、
不利な面もある。不利な面の１つは、パシベーション層
が薄いほどパシベーション層にクラックその他欠陥が生
じる可能性が高くなる、ということである。パシベーシ
ョン層にクラックが生じる可能性を最小限にするため
に、下にある形状の変わり目、特に抵抗素子（ここは物
理的応力が相対的に大きな場所である）付近の変わり
目、を面取りする等の対策が講じられてきた。例えば、
導電層１４の、抵抗素子１２に近接する縁１３、１５を
面取りしてもよい。面取りすることによって、パシベー
ション層にかかる物理的応力は小さくなるが、面取りし
た縁を正確に位置決めするのは、真っ直ぐな（垂直な）
縁の位置決めよりもかなり困難である。面取りした縁の
位置決めにかなりの誤差の余地をみる結果として、形成
される抵抗器の大きさ及びそれによって発生する熱の量
がかなりばらついてしまう。この結果として、プリント
ヘッドの発射が一様でなくなったり、プリント濃度が一
様でなくなる等の問題が生じてしまう。
不利な面もある。不利な面の１つは、パシベーション層
が薄いほどパシベーション層にクラックその他欠陥が生
じる可能性が高くなる、ということである。パシベーシ
ョン層にクラックが生じる可能性を最小限にするため
に、下にある形状の変わり目、特に抵抗素子（ここは物
理的応力が相対的に大きな場所である）付近の変わり
目、を面取りする等の対策が講じられてきた。例えば、
導電層１４の、抵抗素子１２に近接する縁１３、１５を
面取りしてもよい。面取りすることによって、パシベー
ション層にかかる物理的応力は小さくなるが、面取りし
た縁を正確に位置決めするのは、真っ直ぐな（垂直な）
縁の位置決めよりもかなり困難である。面取りした縁の
位置決めにかなりの誤差の余地をみる結果として、形成
される抵抗器の大きさ及びそれによって発生する熱の量
がかなりばらついてしまう。この結果として、プリント
ヘッドの発射が一様でなくなったり、プリント濃度が一
様でなくなる等の問題が生じてしまう。
【０００６】パシベーション層を薄くすることの他の不
利な面は、プリントヘッドのダイまたは基板１０を、論
理回路５０の処理にも拡張して用いる、ということに関
係している。プリントヘッドのダイ中の個々の発射チャ
ンバの数が増えるほど、これらの発射チャンバ用の電源
導体及び信号線の数も増える。これらの線は通常、パシ
ベーション層の上に形成されている。パシベーション層
が薄くなり、またその表面に設けられる線が増えるほ
ど、基板内の回路に影響を与える容量結合等が生じる可
能性が高くなる。従って、基板内の回路を保護するため
に、パシベーション層を充分に厚くする。しかし、上述
のように、パシベーション層を厚くするとＴＯＥが大き
くなるという点で不利になる。
利な面は、プリントヘッドのダイまたは基板１０を、論
理回路５０の処理にも拡張して用いる、ということに関
係している。プリントヘッドのダイ中の個々の発射チャ
ンバの数が増えるほど、これらの発射チャンバ用の電源
導体及び信号線の数も増える。これらの線は通常、パシ
ベーション層の上に形成されている。パシベーション層
が薄くなり、またその表面に設けられる線が増えるほ
ど、基板内の回路に影響を与える容量結合等が生じる可
能性が高くなる。従って、基板内の回路を保護するため
に、パシベーション層を充分に厚くする。しかし、上述
のように、パシベーション層を厚くするとＴＯＥが大き
くなるという点で不利になる。
【０００７】
【概要】従って、本発明の目的は、下にある回路構成要
素を保護する必要がある個所では適切に厚く、低ターン
オンエネルギーを促進するために必要な個所では適切に
薄いパシベーション層を設けた、プリントヘッド構造を
提供することである。
素を保護する必要がある個所では適切に厚く、低ターン
オンエネルギーを促進するために必要な個所では適切に
薄いパシベーション層を設けた、プリントヘッド構造を
提供することである。
【０００８】本発明の別の目的は、このようなプリント
ヘッドを形成する方法を提供することである。
ヘッドを形成する方法を提供することである。
【０００９】また、本発明の別の目的は、より正確に形
成されたインク射出要素を有するプリントヘッドを提供
することである。
成されたインク射出要素を有するプリントヘッドを提供
することである。
【００１０】本発明のこれらの及び関係する目的は、本
明細書において説明するパシベーション層の厚さを変化
させたプリントヘッド及びその製造方法を用いることに
よって達成される。
明細書において説明するパシベーション層の厚さを変化
させたプリントヘッド及びその製造方法を用いることに
よって達成される。
【００１１】本発明の前述の及び関係する利点及び特徴
の達成は、以下のより詳細な本発明の説明を図面と共に
検討すれば、当業者にはより容易に明白となるであろ
う。
の達成は、以下のより詳細な本発明の説明を図面と共に
検討すれば、当業者にはより容易に明白となるであろ
う。
【００１２】
【発明の実施の形態】図２を参照すれば、本発明によ
る、パシベーション層の厚さを変化させたプリントヘッ
ドの断面図が示されている。プリントヘッド１００は、
その上にインク射出（例えば、抵抗）要素１１２、導電
層１１４、パシベーション層１２０、保護／キャビテー
ション層１２４、表面導体１２６及び接触パッド１２８
が形成された基板１１０を含む。プリントヘッド１００
内にはまた、インクウェル（インク室）１３１、バリア
層１３２及びオリフィス板１３３も設けられている。プ
リントヘッドが内部に形成されている基板１１０はま
た、当分野で公知のように、ダイから離れて接触パッド
１２８を通してダイの外部の他の位置に接続されている
制御ロジック１５０も含む。制御ロジック１５０は、デ
ジタル及び／またはアナログの回路を含んでもよい。
る、パシベーション層の厚さを変化させたプリントヘッ
ドの断面図が示されている。プリントヘッド１００は、
その上にインク射出（例えば、抵抗）要素１１２、導電
層１１４、パシベーション層１２０、保護／キャビテー
ション層１２４、表面導体１２６及び接触パッド１２８
が形成された基板１１０を含む。プリントヘッド１００
内にはまた、インクウェル（インク室）１３１、バリア
層１３２及びオリフィス板１３３も設けられている。プ
リントヘッドが内部に形成されている基板１１０はま
た、当分野で公知のように、ダイから離れて接触パッド
１２８を通してダイの外部の他の位置に接続されている
制御ロジック１５０も含む。制御ロジック１５０は、デ
ジタル及び／またはアナログの回路を含んでもよい。
【００１３】プリントヘッド１００は、パシベーション
層１２０が、インク射出要素１１２の上の比較的薄い領
域１２１、及び回路１５０の上の比較的厚い領域１２２
を含むように形成されている。好適な実施形態におい
て、インク射出要素１１２は抵抗素子またはその他の熱
的作動要素であるが、機械的作動要素も利用できること
を理解すべきである。
層１２０が、インク射出要素１１２の上の比較的薄い領
域１２１、及び回路１５０の上の比較的厚い領域１２２
を含むように形成されている。好適な実施形態におい
て、インク射出要素１１２は抵抗素子またはその他の熱
的作動要素であるが、機械的作動要素も利用できること
を理解すべきである。
【００１４】パシベーション層を０．７５マイクロメー
トルから０．３８マイクロメートルに薄くすることによ
って、ＴＯＥの約２２％低減が達成される。後述の方法
によって、領域１２１におけるパシベーション層を０．
３８マイクロメートル未満、例えば０．２マイクロメー
トル以下にすることができる。パシベーション層の厚さ
の下限は、少なくとも部分的には、機械的または電気的
応力及び抵抗器の寿命に影響する有害な衝撃によってこ
の層が破壊してしまわない最小厚さによって決定され
る。
トルから０．３８マイクロメートルに薄くすることによ
って、ＴＯＥの約２２％低減が達成される。後述の方法
によって、領域１２１におけるパシベーション層を０．
３８マイクロメートル未満、例えば０．２マイクロメー
トル以下にすることができる。パシベーション層の厚さ
の下限は、少なくとも部分的には、機械的または電気的
応力及び抵抗器の寿命に影響する有害な衝撃によってこ
の層が破壊してしまわない最小厚さによって決定され
る。
【００１５】これとは対照的に、パシベーション層の領
域１２２は望むだけ厚く、例えば、下にある回路１５０
を保護するために十分厚くすることができる。パシベー
ション層の領域１２２の厚さは好ましくは１．０マイク
ロメートルから１．５マイクロメートルであり、所望な
らばこれよりも厚くすることもできる。厚さの制限は、
プロセスの能力及び製造可能性、ドライエッチングにお
いて考慮すべき事柄、マスク枚数等によって決まる。一
般的に、領域１２２は、厚くし過ぎずに、その意図した
目的に必要なだけの厚さを有することが好ましい。
域１２２は望むだけ厚く、例えば、下にある回路１５０
を保護するために十分厚くすることができる。パシベー
ション層の領域１２２の厚さは好ましくは１．０マイク
ロメートルから１．５マイクロメートルであり、所望な
らばこれよりも厚くすることもできる。厚さの制限は、
プロセスの能力及び製造可能性、ドライエッチングにお
いて考慮すべき事柄、マスク枚数等によって決まる。一
般的に、領域１２２は、厚くし過ぎずに、その意図した
目的に必要なだけの厚さを有することが好ましい。
【００１６】図２のプリントヘッドは、好ましくは、導
電層１１４の縁を面取りせずに作られている（ただし、
図１を参照して上述したように、本発明から逸脱するこ
となく縁を面取りしても良い）。本発明の、パシベーシ
ョン層の厚さに変化を付ける技術によって、少なくとも
導電層の２倍厚い（そして、破壊からの保護を強化する
ために、縁から水平方向に十分内側に形成された）パシ
ベーション層を、導電層の縁（すなわち「段」）の上に
形成することができる。この厚さによってクラック等か
らの保護がなされる。更に、導電層が薄くなるほど、パ
シベーション層に必要な厚さも薄くなる。
電層１１４の縁を面取りせずに作られている（ただし、
図１を参照して上述したように、本発明から逸脱するこ
となく縁を面取りしても良い）。本発明の、パシベーシ
ョン層の厚さに変化を付ける技術によって、少なくとも
導電層の２倍厚い（そして、破壊からの保護を強化する
ために、縁から水平方向に十分内側に形成された）パシ
ベーション層を、導電層の縁（すなわち「段」）の上に
形成することができる。この厚さによってクラック等か
らの保護がなされる。更に、導電層が薄くなるほど、パ
シベーション層に必要な厚さも薄くなる。
【００１７】（面取りした縁等ではなく）導電層１１４
に直立した（垂直な）縁１１３、１１５を設けることに
よって、縁の位置決めをはるかに厳密に制御するフォト
リソグラフィー技術を利用することができるということ
が理解されるべきである。その結果、抵抗器がより精密
に形成され、それによって今度は、インク温度が一層一
定になり、一層一定のターンオンエネルギーが得られ
る。更に、縁の位置決めをより厳密に制御することによ
って、より小さな幾何学的形状が製造しやすくなり、そ
の結果、噴出する滴が小さくなってより高品質の画像が
プリントされる。
に直立した（垂直な）縁１１３、１１５を設けることに
よって、縁の位置決めをはるかに厳密に制御するフォト
リソグラフィー技術を利用することができるということ
が理解されるべきである。その結果、抵抗器がより精密
に形成され、それによって今度は、インク温度が一層一
定になり、一層一定のターンオンエネルギーが得られ
る。更に、縁の位置決めをより厳密に制御することによ
って、より小さな幾何学的形状が製造しやすくなり、そ
の結果、噴出する滴が小さくなってより高品質の画像が
プリントされる。
【００１８】図２の実施形態は、一般的に以下のように
して形成することができる。制御ロジック及び抵抗素子
を内部に形成した基板からスタートして、この構造上
に、導電層１１４（好ましくは縁が直立している）を形
成する。好ましくは、例えばＳｉ3Ｎ4である単一のパシ
ベーション材料が、導電層、抵抗素子及び基板の残りの
部分の上に形成される。層１２１はＳｉ3Ｎ4が好ましい
が、他の公知のパシベーション層材料または複数の材料
の組み合わせで形成されてもよいということが理解され
るべきである。このようにして形成されたパシベーショ
ン層の初期の厚さは、好ましくは約１マイクロメートル
またはその他所望の厚さである。このパシベーション層
は次に、抵抗素子の上にある部分がエッチングされて、
領域１２１の薄いパシベーション層が形成される。パシ
ベーション層は０．２マイクロメートルの厚さ、または
設計者が決定する他の適当な寸法にエッチングされても
よく、プロセスの公差によって制限されてもよい。ビア
１２５を開通するために、通常は別のフォトリソグラフ
ィー／エッチングのステップが必要である。エッチング
されたパシベーション層は次に、適切な場所をタンタル
等の材料で覆われる。タンタルによって、インクウェル
１３１の下にキャビテーション表面１２４が設けられ
る。タンタルはまた、表面導体１２６として適当な導体
でもある。タンタルは、好ましくは約０．６マイクロメ
ートルの適切な厚さに被着される。次にタンタル層の上
に接触パッド１２８が形成されるが、これらの接触パッ
ドは、好ましくは金で形成される。
して形成することができる。制御ロジック及び抵抗素子
を内部に形成した基板からスタートして、この構造上
に、導電層１１４（好ましくは縁が直立している）を形
成する。好ましくは、例えばＳｉ3Ｎ4である単一のパシ
ベーション材料が、導電層、抵抗素子及び基板の残りの
部分の上に形成される。層１２１はＳｉ3Ｎ4が好ましい
が、他の公知のパシベーション層材料または複数の材料
の組み合わせで形成されてもよいということが理解され
るべきである。このようにして形成されたパシベーショ
ン層の初期の厚さは、好ましくは約１マイクロメートル
またはその他所望の厚さである。このパシベーション層
は次に、抵抗素子の上にある部分がエッチングされて、
領域１２１の薄いパシベーション層が形成される。パシ
ベーション層は０．２マイクロメートルの厚さ、または
設計者が決定する他の適当な寸法にエッチングされても
よく、プロセスの公差によって制限されてもよい。ビア
１２５を開通するために、通常は別のフォトリソグラフ
ィー／エッチングのステップが必要である。エッチング
されたパシベーション層は次に、適切な場所をタンタル
等の材料で覆われる。タンタルによって、インクウェル
１３１の下にキャビテーション表面１２４が設けられ
る。タンタルはまた、表面導体１２６として適当な導体
でもある。タンタルは、好ましくは約０．６マイクロメ
ートルの適切な厚さに被着される。次にタンタル層の上
に接触パッド１２８が形成されるが、これらの接触パッ
ドは、好ましくは金で形成される。
【００１９】図３を参照すると、ここには、本発明によ
るパシベーション層の厚さを変化させたプリントヘッド
の別の実施形態が示されている。図３は図２と略同じ構
成要素を有するプリントヘッドを示す。図２のプリント
ヘッドの構成要素に対応する図３のプリントヘッドの構
成要素には下２桁が同じで一番上の桁が２に変えてある
参照番号を付している。
るパシベーション層の厚さを変化させたプリントヘッド
の別の実施形態が示されている。図３は図２と略同じ構
成要素を有するプリントヘッドを示す。図２のプリント
ヘッドの構成要素に対応する図３のプリントヘッドの構
成要素には下２桁が同じで一番上の桁が２に変えてある
参照番号を付している。
【００２０】プリントヘッド２００は、好ましくは、プ
リントヘッド１００について上述した方法で形成される
が、抵抗素子上でパシベーション層をエッチングする間
に、好ましくは完全なエッチングが行われ、従って抵抗
素子が露出する。次に薄いパシベーション層（例えばＳ
ｉ3Ｎ4またはＳｉＣ、またはこれらの両方）を抵抗素子
の上に再形成する。新しい材料層がパシベーション層の
領域２２１を形成する。このエッチングしてから選択的
に再充填する方法は、縁２１３、２１５から十分な間隔
を開けて十分なパシベーション層保護（すなわち、破壊
からの保護）が行われるような態様で行われる。次に上
述のようにタンタル及び金を被着するか、または他の従
来技術のフォトリソグラフィープロセス段階を行っても
よい。完全にエッチングしてから再充填する方法によっ
て、領域２２１の厚さをより正確に制御することができ
る。しかしこれには、別途マスキングするという操作が
必要である。
リントヘッド１００について上述した方法で形成される
が、抵抗素子上でパシベーション層をエッチングする間
に、好ましくは完全なエッチングが行われ、従って抵抗
素子が露出する。次に薄いパシベーション層（例えばＳ
ｉ3Ｎ4またはＳｉＣ、またはこれらの両方）を抵抗素子
の上に再形成する。新しい材料層がパシベーション層の
領域２２１を形成する。このエッチングしてから選択的
に再充填する方法は、縁２１３、２１５から十分な間隔
を開けて十分なパシベーション層保護（すなわち、破壊
からの保護）が行われるような態様で行われる。次に上
述のようにタンタル及び金を被着するか、または他の従
来技術のフォトリソグラフィープロセス段階を行っても
よい。完全にエッチングしてから再充填する方法によっ
て、領域２２１の厚さをより正確に制御することができ
る。しかしこれには、別途マスキングするという操作が
必要である。
【００２１】本発明の、厚くしたパシベーション層は、
ＴＭＡＨエッチング等の間に基板の前側を保護するとい
う点において利点があるということが理解されるべきで
ある。ＴＭＡＨエッチング等は、基板の一部を除去して
インク管路を作り出すために行われる。
ＴＭＡＨエッチング等の間に基板の前側を保護するとい
う点において利点があるということが理解されるべきで
ある。ＴＭＡＨエッチング等は、基板の一部を除去して
インク管路を作り出すために行われる。
【００２２】以下に本発明の実施態様の例を列挙する。
【００２３】〔実施態様１〕基板と、前記基板上の第１
の領域に形成されたインク射出要素と、前記インク射出
要素及び前記基板の上に形成されたパシベーション層
と、前記インク射出要素の上に形成されたインクウェル
とを含む印字装置であって、前記インク射出要素の上の
前記パシベーション層の厚さが、前記基板の他の領域の
上の前記パシベーション層の厚さよりも薄いプリント装
置。
の領域に形成されたインク射出要素と、前記インク射出
要素及び前記基板の上に形成されたパシベーション層
と、前記インク射出要素の上に形成されたインクウェル
とを含む印字装置であって、前記インク射出要素の上の
前記パシベーション層の厚さが、前記基板の他の領域の
上の前記パシベーション層の厚さよりも薄いプリント装
置。
【００２４】〔実施態様２〕前記基板内に形成された処
理ロジックを更に含み、前記処理ロジックが、前記基板
の前記他の領域に形成されていることを特徴とする実施
態様１に記載のプリント装置。
理ロジックを更に含み、前記処理ロジックが、前記基板
の前記他の領域に形成されていることを特徴とする実施
態様１に記載のプリント装置。
【００２５】〔実施態様３〕前記パシベーション層の厚
さは前記インク射出要素の上で約０．７マイクロメート
ル以下であることを特徴とする実施態様１に記載のプリ
ント装置。
さは前記インク射出要素の上で約０．７マイクロメート
ル以下であることを特徴とする実施態様１に記載のプリ
ント装置。
【００２６】〔実施態様４〕前記パシベーション層の厚
さは前記基板の前記他の領域の上で約０．６マイクロメ
ートル以上であることを特徴とする実施態様１に記載の
プリント装置。
さは前記基板の前記他の領域の上で約０．６マイクロメ
ートル以上であることを特徴とする実施態様１に記載の
プリント装置。
【００２７】〔実施態様５〕前記パシベーション層は誘
電材料で形成されていることを特徴とする実施態様１に
記載のプリント装置。
電材料で形成されていることを特徴とする実施態様１に
記載のプリント装置。
【００２８】〔実施態様６〕前記インク射出要素の上の
前記パシベーション層上に形成された保護層を含み、前
記保護層の上にキャビテーション表面が形成されている
ことを特徴とする実施態様１に記載のプリント装置。
前記パシベーション層上に形成された保護層を含み、前
記保護層の上にキャビテーション表面が形成されている
ことを特徴とする実施態様１に記載のプリント装置。
【００２９】〔実施態様７〕前記インク射出要素に隣接
して設けられて前記インク射出要素に電気信号を送出す
る導電層を含み、前記インク射出要素の上の前記パシベ
ーション層の厚さが前記導電層の厚さの約４倍よりも薄
いことを特徴とする実施態様１に記載のプリント装置。
して設けられて前記インク射出要素に電気信号を送出す
る導電層を含み、前記インク射出要素の上の前記パシベ
ーション層の厚さが前記導電層の厚さの約４倍よりも薄
いことを特徴とする実施態様１に記載のプリント装置。
【００３０】〔実施態様８〕前記前記インク射出要素は
熱的に作動することを特徴とする実施態様１に記載の装
置。
熱的に作動することを特徴とする実施態様１に記載の装
置。
【００３１】〔実施態様９〕前記インク射出要素に隣接
して設けられて前記インク射出要素に電気信号を送出す
る導電層を含み、前記導電層が前記インク射出要素に近
接する略垂直な縁を有することを特徴とする実施態様１
に記載の装置。
して設けられて前記インク射出要素に電気信号を送出す
る導電層を含み、前記導電層が前記インク射出要素に近
接する略垂直な縁を有することを特徴とする実施態様１
に記載の装置。
【００３２】〔実施態様１０〕基板を設け、前記基板上
の第１の領域にインク射出要素を形成し、前記インク射
出要素及び前記基板の上にパシベーション層を形成し、
前記インク射出要素の上にインクウェルを形成すること
を含むプリントヘッド形成方法において、前記パシベー
ション層が、前記インク射出要素の上で第１の厚さを有
するとともに、前記基板の他の領域の上で第２の厚さを
有し、前記第１の厚さが前記第２の厚さよりも薄いよう
に形成されることを特徴とするプリントヘッド形成方
法。
の第１の領域にインク射出要素を形成し、前記インク射
出要素及び前記基板の上にパシベーション層を形成し、
前記インク射出要素の上にインクウェルを形成すること
を含むプリントヘッド形成方法において、前記パシベー
ション層が、前記インク射出要素の上で第１の厚さを有
するとともに、前記基板の他の領域の上で第２の厚さを
有し、前記第１の厚さが前記第２の厚さよりも薄いよう
に形成されることを特徴とするプリントヘッド形成方
法。
【００３３】〔実施態様１１〕前記パシベーション層の
形成は所与の厚さの最初のパシベーション層を形成し、
前記インク射出要素の上の前記最初のパシベーション層
の一部を除去して前記第２の厚さよりも薄い前記第１の
厚さを前記インク射出要素の上に作り出すことを含むこ
とを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッド形
成方法。
形成は所与の厚さの最初のパシベーション層を形成し、
前記インク射出要素の上の前記最初のパシベーション層
の一部を除去して前記第２の厚さよりも薄い前記第１の
厚さを前記インク射出要素の上に作り出すことを含むこ
とを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッド形
成方法。
【００３４】〔実施態様１２〕前記除去は、約０．６マ
イクロメートル以下の厚さを残して前記最初のパシベー
ション層の一部を除去することを含むことを特徴とする
実施態様１１に記載のプリントヘッド形成方法。
イクロメートル以下の厚さを残して前記最初のパシベー
ション層の一部を除去することを含むことを特徴とする
実施態様１１に記載のプリントヘッド形成方法。
【００３５】〔実施態様１３〕前記パシベーション層の
形成は、所与の厚さの最初のパシベーション層を形成
し、前記インク射出要素の上の前記最初のパシベーショ
ン層を除去し、前記最初のパシベーション層ほど厚くな
いパシベーション層を前記インク射出要素の上に再形成
して、それによって、前記第２の厚さよりも薄い前記第
１の厚さを前記インク射出要素の上に形成することを含
むことを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッ
ド形成方法。
形成は、所与の厚さの最初のパシベーション層を形成
し、前記インク射出要素の上の前記最初のパシベーショ
ン層を除去し、前記最初のパシベーション層ほど厚くな
いパシベーション層を前記インク射出要素の上に再形成
して、それによって、前記第２の厚さよりも薄い前記第
１の厚さを前記インク射出要素の上に形成することを含
むことを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッ
ド形成方法。
【００３６】〔実施態様１４〕前記再形成は、前記パシ
ベーション層を前記インク射出要素の上に約０．７マイ
クロメートル以下の厚さに再形成することを含むことを
特徴とする実施態様１３に記載のプリントヘッド形成方
法。
ベーション層を前記インク射出要素の上に約０．７マイ
クロメートル以下の厚さに再形成することを含むことを
特徴とする実施態様１３に記載のプリントヘッド形成方
法。
【００３７】〔実施態様１５〕前記パシベーション層形
成段階は、前記パシベーション層を約０．６マイクロメ
ートル以上の厚さに形成することを含むことを特徴とす
る実施態様１０に記載のプリントヘッド形成方法。
成段階は、前記パシベーション層を約０．６マイクロメ
ートル以上の厚さに形成することを含むことを特徴とす
る実施態様１０に記載のプリントヘッド形成方法。
【００３８】〔実施態様１６〕前記インク射出要素に隣
接して前記インク射出要素に電気信号を送出する導電層
を形成することを含み、前記第１の厚さが前記導電層の
厚さの約４倍よりも薄いことを特徴とする実施態様１０
に記載のプリントヘッド形成方法。
接して前記インク射出要素に電気信号を送出する導電層
を形成することを含み、前記第１の厚さが前記導電層の
厚さの約４倍よりも薄いことを特徴とする実施態様１０
に記載のプリントヘッド形成方法。
【００３９】〔実施態様１７〕前記パシベーション層形
成は前記パシベーション層を誘電材料で形成することを
含むことを特徴とする実施態様１０に記載の方法。
成は前記パシベーション層を誘電材料で形成することを
含むことを特徴とする実施態様１０に記載の方法。
【００４０】〔実施態様１８〕前記インク射出要素の上
の前記パシベーション層上に保護層を設けることを含
み、前記保護層の上にキャビテーション表面が形成され
ることを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッ
ド形成方法。
の前記パシベーション層上に保護層を設けることを含
み、前記保護層の上にキャビテーション表面が形成され
ることを特徴とする実施態様１０に記載のプリントヘッ
ド形成方法。
【００４１】〔実施態様１９〕前記インク射出要素形成
は前記インク射出要素が熱励起によってインクを射出す
るような態様で前記インク射出要素を形成することを含
むことを特徴とする実施態様１０に記載の方法。
は前記インク射出要素が熱励起によってインクを射出す
るような態様で前記インク射出要素を形成することを含
むことを特徴とする実施態様１０に記載の方法。
【００４２】〔実施態様２０〕前記インク射出要素に隣
接して前記インク射出要素に電気信号を送出する導電層
を形成することを含み、前記導電層が前記インク射出要
素に近接する略垂直な縁を有するように形成されること
を特徴とする実施態様１０に記載の方法。
接して前記インク射出要素に電気信号を送出する導電層
を形成することを含み、前記導電層が前記インク射出要
素に近接する略垂直な縁を有するように形成されること
を特徴とする実施態様１０に記載の方法。
【００４３】本発明を、その具体的な実施形態に関して
説明したが、本発明は更に変形することができる。本出
願は、一般的に、本発明の原理に従い本発明が属する技
術において公知または慣習であり、前述した本質的特徴
に適用することができ、本発明の範囲及び特許請求の限
定内にある、本開示からの逸脱を含む、本発明のいかな
る変形、使用、または応用も包含するように意図されて
いる、ということが理解されよう。
説明したが、本発明は更に変形することができる。本出
願は、一般的に、本発明の原理に従い本発明が属する技
術において公知または慣習であり、前述した本質的特徴
に適用することができ、本発明の範囲及び特許請求の限
定内にある、本開示からの逸脱を含む、本発明のいかな
る変形、使用、または応用も包含するように意図されて
いる、ということが理解されよう。
【図１】従来技術によるプリントヘッドの断面図であ
る。
る。
【図２】本発明による、パシベーション層の厚さを変え
たプリントヘッドの断面図である。
たプリントヘッドの断面図である。
【図３】本発明による、パシベーション層の厚さを変え
たプリントヘッドの、別の実施形態の図である。
たプリントヘッドの、別の実施形態の図である。
１１０：基板 １１２：インク射出要素 １２１：パシベーション層の領域 １２２：パシベーション層の領域
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平10−6503（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−11470（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−85952（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−164632（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) B41J 2/05 B41J 2/16
Claims (15)
- 【請求項１】以下の(a)から(e)を設けたプリントヘッド
装置： (a) 基板； (b) 前記基板上に形成されたインク射出要素； (c) 前記基板上の少なくとも一部に形成された第１のパ
シベーション層； (d) その一部が前記第１のパシベーション層の一部の上
に重なる、前記第１のパシベーション層より薄い第２の
パシベーション層であって、前記第２のパシベーション
層は前記インク射出要素に近接しまた前記インク射出要
素に接触して設けられる； (e) 前記インク射出要素上に形成されたインクウェル。 - 【請求項２】前記基板の前記第１のパシベーション層の
下に処理ロジックを設けたことを特徴とする請求項１記
載のプリントヘッド装置。 - 【請求項３】前記第２のパシベーション層の厚さは前記
インク射出要素上で約０．３８マイクロメートル未満で
あることを特徴とする請求項１記載のプリントヘッド装
置。 - 【請求項４】前記第１のパシベーション層の厚さは約
０．６マイクロメートル以上であることを特徴とする請
求項１記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項５】前記第２のパシベーション層は窒化けい素
とシリコンカーバイドの一方または両者を含むことを特
徴とする請求項１記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項６】キャビテーション表面を有する保護層を前
記第２のパシベーション層の上に設けたことを特徴とす
る請求項１記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項７】前記インク射出要素は熱によって付勢され
ることを特徴とする請求項１記載のプリントヘッド装
置。 - 【請求項８】前記インク射出要素に隣接して設けられ、
電気信号を前記インク射出要素へ伝達する導体層を設
け、 前記導体層は前記インク射出要素に近接したほぼ垂直な
縁を有することを特徴とする請求項１記載のプリントヘ
ッド装置。 - 【請求項９】以下の(a)から(e)を設けたプリントヘッド
装置： (a) 基板； (b) 前記基板上に形成されたインク射出要素； (c) 前記基板上の少なくとも一部に形成された第１のパ
シベーション層； (d) その一部が前記第１のパシベーション層の一部の上
に重なる、前記第１のパシベーション層より薄い第２の
パシベーション層であって、前記第２のパシベーション
層は前記インク射出要素に近接しまた前記インク射出要
素に接触して設けられ、前記第１及び第２のパシベーシ
ョン層によって前記基板上に第１、第２及び第３の領域
が定義され、前記第１の領域は前記第１及び第２のパシ
ベーション層のうちの実質的に前記第１のパシベーショ
ン層のみを含み、前記第２の領域は前記第１及び第２の
パシベーション層の両方を実質的に含み、前記第３の領
域は前記第１及び第２のパシベーション層のうちの実質
的に前記第１のパシベーション層のみを含む； (e) 前記インク射出要素上に形成されたインクウェル。 - 【請求項１０】前記第２の領域における前記第１及び第
２のパシベーション層の合計の厚さは０．６マイクロメ
ートル以上であることを特徴とする請求項９記載のプリ
ントヘッド装置。 - 【請求項１１】前記第１の領域は前記インク射出要素の
少なくとも一部の上に設けられ、 前記第２の領域は前記第１の領域に近接して設けられ、 前記第３の領域は前記第２の領域に近接して設けられる
ことを特徴とする請求項９記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項１２】前記第１の領域における前記インク射出
要素上の前記第１のパシベーション層の厚さは０．３８
マイクロメートル未満であることを特徴とする請求項１
１記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項１３】前記第２のパシベーション層の上に形成
されたキャビテーション層を設けたことを特徴とする請
求項９記載のプリントヘッド装置。 - 【請求項１４】前記第１のパシベーション層は窒化けい
素を含むことを特徴とする請求項９記載のプリントヘッ
ド装置。 - 【請求項１５】前記第２のパシベーション層は窒化けい
素とシリコンカーバイドの一方または両方を含むことを
特徴とする請求項９記載のプリントヘッド装置 。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US267216 | 1999-03-12 | ||
| US09/267,216 US6331049B1 (en) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | Printhead having varied thickness passivation layer and method of making same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000272130A JP2000272130A (ja) | 2000-10-03 |
| JP3326152B2 true JP3326152B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=23017818
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000065441A Expired - Fee Related JP3326152B2 (ja) | 1999-03-12 | 2000-03-09 | プリントヘッド装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6331049B1 (ja) |
| EP (1) | EP1034932B1 (ja) |
| JP (1) | JP3326152B2 (ja) |
| DE (1) | DE60024905T2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1219426B1 (en) * | 2000-12-29 | 2006-03-01 | Eastman Kodak Company | Cmos/mems integrated ink jet print head and method of forming same |
| US6676246B1 (en) | 2002-11-20 | 2004-01-13 | Lexmark International, Inc. | Heater construction for minimum pulse time |
| US6786575B2 (en) * | 2002-12-17 | 2004-09-07 | Lexmark International, Inc. | Ink jet heater chip and method therefor |
| US7195343B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-03-27 | Lexmark International, Inc. | Low ejection energy micro-fluid ejection heads |
| US7178904B2 (en) * | 2004-11-11 | 2007-02-20 | Lexmark International, Inc. | Ultra-low energy micro-fluid ejection device |
| US7837886B2 (en) | 2007-07-26 | 2010-11-23 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heating element |
| US7862156B2 (en) * | 2007-07-26 | 2011-01-04 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Heating element |
| US8350661B2 (en) * | 2009-05-26 | 2013-01-08 | Ovonyx, Inc. | Breakdown layer via lateral diffusion |
| EP2910380B1 (en) * | 2010-07-23 | 2017-12-20 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Thermal resistor fluid ejection assembly |
| WO2014116207A1 (en) | 2013-01-23 | 2014-07-31 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Printhead die with multiple termination rings |
| WO2018052445A1 (en) * | 2016-09-19 | 2018-03-22 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Termination ring with gapped metallic layer |
| WO2019147217A1 (en) | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Fluidic dies with beveled edges underneath electrical leads |
Family Cites Families (35)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4354309A (en) | 1978-12-29 | 1982-10-19 | International Business Machines Corp. | Method of manufacturing a metal-insulator-semiconductor device utilizing a graded deposition of polycrystalline silicon |
| JPS5931943B2 (ja) | 1979-04-02 | 1984-08-06 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録法 |
| US4616408A (en) | 1982-11-24 | 1986-10-14 | Hewlett-Packard Company | Inversely processed resistance heater |
| US4513298A (en) | 1983-05-25 | 1985-04-23 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead |
| US4535343A (en) | 1983-10-31 | 1985-08-13 | Hewlett-Packard Company | Thermal ink jet printhead with self-passivating elements |
| JPS60116451A (ja) * | 1983-11-30 | 1985-06-22 | Canon Inc | 液体噴射記録ヘツド |
| US4792818A (en) * | 1987-06-12 | 1988-12-20 | International Business Machines Corporation | Thermal drop-on-demand ink jet print head |
| US4931813A (en) | 1987-09-21 | 1990-06-05 | Hewlett-Packard Company | Ink jet head incorporating a thick unpassivated TaAl resistor |
| US4872028A (en) | 1988-03-21 | 1989-10-03 | Hewlett-Packard Company | Thermal-ink-jet print system with drop detector for drive pulse optimization |
| US4990939A (en) * | 1988-09-01 | 1991-02-05 | Ricoh Company, Ltd. | Bubble jet printer head with improved operational speed |
| US4982199A (en) | 1988-12-16 | 1991-01-01 | Hewlett-Packard Company | Method and apparatus for gray scale printing with a thermal ink jet pen |
| EP0393976B1 (en) * | 1989-04-18 | 1994-07-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Substrate for ink jet head, ink jet head formed by use of said substrate, and ink jet apparatus equipped with said head |
| US4951063A (en) | 1989-05-22 | 1990-08-21 | Xerox Corporation | Heating elements for thermal ink jet devices |
| US5227812A (en) | 1990-02-26 | 1993-07-13 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid jet recording head with bump connector wiring |
| US5187500A (en) | 1990-09-05 | 1993-02-16 | Hewlett-Packard Company | Control of energy to thermal inkjet heating elements |
| US5083137A (en) | 1991-02-08 | 1992-01-21 | Hewlett-Packard Company | Energy control circuit for a thermal ink-jet printhead |
| US5168284A (en) | 1991-05-01 | 1992-12-01 | Hewlett-Packard Company | Printhead temperature controller that uses nonprinting pulses |
| US5194877A (en) | 1991-05-24 | 1993-03-16 | Hewlett-Packard Company | Process for manufacturing thermal ink jet printheads having metal substrates and printheads manufactured thereby |
| US5257042A (en) | 1991-07-09 | 1993-10-26 | Xerox Corporation | Thermal ink jet transducer protection |
| JP3379106B2 (ja) | 1992-04-23 | 2003-02-17 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッド |
| JP3408292B2 (ja) | 1992-09-09 | 2003-05-19 | ヒューレット・パッカード・カンパニー | プリントヘッド |
| US5357081A (en) | 1993-01-21 | 1994-10-18 | Hewlett-Packard Company | Power supply for individual control of power delivered to integrated drive thermal inkjet printhead heater resistors |
| US6070969A (en) * | 1994-03-23 | 2000-06-06 | Hewlett-Packard Company | Thermal inkjet printhead having a preferred nucleation site |
| US5660739A (en) * | 1994-08-26 | 1997-08-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of producing substrate for ink jet recording head, ink jet recording head and ink jet recording apparatus |
| JPH08197732A (ja) * | 1995-01-24 | 1996-08-06 | Canon Inc | 記録ヘッド及び該記録ヘッドを用いた記録装置 |
| DE69621665T2 (de) | 1995-03-03 | 2003-03-06 | Canon K.K., Tokio/Tokyo | Tintenstrahlkopf, Substrat für einen Tintenstrahlkopf und Tintenstrahlgerät |
| US5636441A (en) | 1995-03-16 | 1997-06-10 | Hewlett-Packard Company | Method of forming a heating element for a printhead |
| US20020063753A1 (en) | 1995-06-28 | 2002-05-30 | Masahiko Kubota | Liquid ejecting printing head, production method thereof and production method for base body employed for liquid ejecting printing head |
| JP3513270B2 (ja) | 1995-06-30 | 2004-03-31 | キヤノン株式会社 | インクジェット記録ヘッド及びインクジェット記録装置 |
| US5883650A (en) | 1995-12-06 | 1999-03-16 | Hewlett-Packard Company | Thin-film printhead device for an ink-jet printer |
| DE69622147T2 (de) | 1996-03-04 | 2002-11-14 | Hewlett-Packard Co. (N.D.Ges.D.Staates Delaware), Palo Alto | Tintenstrahlschreiber versehen mit einem Heizelement mit profilierter Oberfläche |
| EP0816089B1 (en) | 1996-06-26 | 2003-09-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink-jet recording head and ink-jet recording apparatus |
| US6527813B1 (en) | 1996-08-22 | 2003-03-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Ink jet head substrate, an ink jet head, an ink jet apparatus, and a method for manufacturing an ink jet recording head |
| DE69708067T2 (de) | 1997-06-27 | 2002-07-11 | Stmicroelectronics S.R.L., Agrate Brianza | Integrierter Tintenstrahldruckkopf und sein Herstellungsverfahren |
| US6007188A (en) | 1997-07-31 | 1999-12-28 | Hewlett-Packard Company | Particle tolerant printhead |
-
1999
- 1999-03-12 US US09/267,216 patent/US6331049B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-02-29 DE DE60024905T patent/DE60024905T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-02-29 EP EP00301608A patent/EP1034932B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2000-03-09 JP JP2000065441A patent/JP3326152B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000272130A (ja) | 2000-10-03 |
| EP1034932A2 (en) | 2000-09-13 |
| DE60024905T2 (de) | 2006-08-10 |
| DE60024905D1 (de) | 2006-01-26 |
| US6331049B1 (en) | 2001-12-18 |
| EP1034932A3 (en) | 2001-01-03 |
| EP1034932B1 (en) | 2005-12-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4787365B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 | |
| JP3326152B2 (ja) | プリントヘッド装置 | |
| JP3408292B2 (ja) | プリントヘッド | |
| EP1216836B1 (en) | Fluid-jet printhead | |
| JP2008162267A (ja) | インクジェットプリントヘッドの製造方法 | |
| JP2008087478A (ja) | インクジェットプリントヘッド及びその製造方法 | |
| US6209991B1 (en) | Transition metal carbide films for applications in ink jet printheads | |
| JP3812485B2 (ja) | 液体吐出装置及びプリンタ | |
| JP2002079679A (ja) | インクジェットのプリントヘッドおよびその製造方法 | |
| EP0951999B1 (en) | Reduced drop volume ink jet print head | |
| KR20090008022A (ko) | 잉크젯 프린트 헤드 및 그 제조방법 | |
| US20090001048A1 (en) | Method of manufacturing inkjet printhead | |
| KR20010062345A (ko) | 인쇄 유체 분사 프린트헤드 | |
| JP2006130885A (ja) | インクジェット記録ヘッド用基板、該基板の製造方法および前記基板を用いるインクジェット記録ヘッド | |
| KR19980065807A (ko) | 프린트 헤드의 잉크 분사 장치 구조 | |
| JP3692842B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 | |
| US6345885B1 (en) | Ink-jet printhead and manufacturing process | |
| JP3719110B2 (ja) | インクジェットプリンタヘッドの製造方法 | |
| JP3331998B2 (ja) | インクジェットプリンタにおける吐出ノズルの形成方法 | |
| KR100186576B1 (ko) | 잉크젯 프린트헤드의 제조방법 | |
| EP3237214B1 (en) | Removing an inclined segment of a metal conductor while forming printheads | |
| JP2000127396A (ja) | サーマルインクジェットヘッド | |
| KR20050067995A (ko) | 잉크젯 프린트헤드 및 그 제조방법 | |
| JP2000043275A (ja) | サーマルインクジェットヘッドの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080705 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090705 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100705 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110705 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120705 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130705 Year of fee payment: 11 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |