JP3314594B2 - 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器 - Google Patents
高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器Info
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- JP3314594B2 JP3314594B2 JP24414795A JP24414795A JP3314594B2 JP 3314594 B2 JP3314594 B2 JP 3314594B2 JP 24414795 A JP24414795 A JP 24414795A JP 24414795 A JP24414795 A JP 24414795A JP 3314594 B2 JP3314594 B2 JP 3314594B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、UHF帯からミリ波帯
などの高い周波数帯の信号を扱う回路もしくは部品に利
用される高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、
共振器に関するものである。
などの高い周波数帯の信号を扱う回路もしくは部品に利
用される高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、
共振器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年の情報通信分野のマルチメディア化
に伴い、特に無線通信の分野では画像等の大容量高速デ
ータ伝送の必要性が高まっている。また、携帯電話等の
利用者増加に伴って通信チャネル確保の必要性も高まっ
てきている。以上のことから、無線通信に適用する周波
数は高周波化してきており、この流れは今後も続くもの
と思われる。適用周波数の高周波化により、無線通信機
器においては高周波回路部分の損失の増大が問題とな
る。特に回路部品及び伝送線路の導体損失が周波数が高
くなるにつれて増大することから、これらの回路部品及
び線路に用いられる電極の低損失化が重要な課題とな
る。
に伴い、特に無線通信の分野では画像等の大容量高速デ
ータ伝送の必要性が高まっている。また、携帯電話等の
利用者増加に伴って通信チャネル確保の必要性も高まっ
てきている。以上のことから、無線通信に適用する周波
数は高周波化してきており、この流れは今後も続くもの
と思われる。適用周波数の高周波化により、無線通信機
器においては高周波回路部分の損失の増大が問題とな
る。特に回路部品及び伝送線路の導体損失が周波数が高
くなるにつれて増大することから、これらの回路部品及
び線路に用いられる電極の低損失化が重要な課題とな
る。
【0003】以下に従来の高周波回路に用いられる電極
について説明する。ここではマイクロストリップ構造の
伝送線路を高周波回路として取り上げる。
について説明する。ここではマイクロストリップ構造の
伝送線路を高周波回路として取り上げる。
【0004】図11は線路幅が一様なマイクロストリッ
プ線路の斜視図である。図11において、104は誘電
体よりなる誘電体基板、105は誘電体基板104の裏
面に設けた金属膜のみで構成された接地電極、101は
誘電体基板104の上面に金属膜のみで構成された高周
波信号を伝搬する伝送線路電極である。
プ線路の斜視図である。図11において、104は誘電
体よりなる誘電体基板、105は誘電体基板104の裏
面に設けた金属膜のみで構成された接地電極、101は
誘電体基板104の上面に金属膜のみで構成された高周
波信号を伝搬する伝送線路電極である。
【0005】この伝送線路電極101に高周波信号を与
えると、高周波信号は、進行方向に若干の電磁界成分を
有する準TEMモードとして伝搬する。上記構成により
この回路は高周波において伝送線路として動作する。
えると、高周波信号は、進行方向に若干の電磁界成分を
有する準TEMモードとして伝搬する。上記構成により
この回路は高周波において伝送線路として動作する。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
伝送線路電極は、金属膜のみで構成されていることによ
り、周波数が高くなるにつれて高周波電流が金属膜表面
へ集中する表皮効果により、損失が増大するという問題
を有していた。
伝送線路電極は、金属膜のみで構成されていることによ
り、周波数が高くなるにつれて高周波電流が金属膜表面
へ集中する表皮効果により、損失が増大するという問題
を有していた。
【0007】図11の従来例では、接地電極105と伝
送線路電極101において、誘電体基板104と接して
いる表面に高周波電流が集中して流れる。高周波電流に
対する抵抗値は、導体中の電流が流れる部分の断面積に
反比例することから、電流が集中するほど抵抗値が大き
くなるため損失は増大する。高周波電流の大部分は金属
表面部分に流れることから、単に金属膜の厚さを厚くす
るだけでは損失増大の問題は解決できない。
送線路電極101において、誘電体基板104と接して
いる表面に高周波電流が集中して流れる。高周波電流に
対する抵抗値は、導体中の電流が流れる部分の断面積に
反比例することから、電流が集中するほど抵抗値が大き
くなるため損失は増大する。高周波電流の大部分は金属
表面部分に流れることから、単に金属膜の厚さを厚くす
るだけでは損失増大の問題は解決できない。
【0008】本発明は、前記従来の課題を解決するもの
で、高周波領域において低損失な電極を提供することを
目的とするものである。
で、高周波領域において低損失な電極を提供することを
目的とするものである。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の高周波回路用電極は、誘電体と、前記誘電
体上に複数交互に重なり、積層構造を形成する金属膜及
び誘電体膜と、前記複数の金属膜を電気的に接続する接
続導体とを具備し、前記金属膜と前記誘電体膜は膜の表
面の一部分だけが重なっている高周波回路用電極であ
る。
に、本発明の高周波回路用電極は、誘電体と、前記誘電
体上に複数交互に重なり、積層構造を形成する金属膜及
び誘電体膜と、前記複数の金属膜を電気的に接続する接
続導体とを具備し、前記金属膜と前記誘電体膜は膜の表
面の一部分だけが重なっている高周波回路用電極であ
る。
【0010】
【作用】本発明は、複数の金属膜の間に誘電体膜を設け
て分離し、接続導体により前記複数の金属膜を接続する
ことで、各金属膜に高周波電流が分配して流れることか
ら、単一の金属膜を用いた電極に比べて金属膜表面への
電流集中が緩和され、高周波領域における損失を低減し
た高周波回路用電極が実現できる。
て分離し、接続導体により前記複数の金属膜を接続する
ことで、各金属膜に高周波電流が分配して流れることか
ら、単一の金属膜を用いた電極に比べて金属膜表面への
電流集中が緩和され、高周波領域における損失を低減し
た高周波回路用電極が実現できる。
【0011】
(実施例1)以下、本発明の第1の実施例について、図
1を参照しながら説明する。図1の(a)は本発明の第
1の実施例における高周波回路用電極を用いたマイクロ
ストリップ型伝送線路の断面図であり、図1(b)は同
高周波回路用電極を用いたマイクロストリップ型伝送線
路の斜視図である。なお、図1(a)は、図1(b)に
おいてA−A’で示した面で切り取った部分の断面を示
している。
1を参照しながら説明する。図1の(a)は本発明の第
1の実施例における高周波回路用電極を用いたマイクロ
ストリップ型伝送線路の断面図であり、図1(b)は同
高周波回路用電極を用いたマイクロストリップ型伝送線
路の斜視図である。なお、図1(a)は、図1(b)に
おいてA−A’で示した面で切り取った部分の断面を示
している。
【0012】図1において、11〜13は金属膜、21
〜22は金属膜11〜13を分離する誘電体膜、31〜
32は線路形状の金属膜11〜13の両端で金属膜11
〜13の全てを接続するとともに必要に応じて外部回路
と接続される接続導体、42は伝送線路を実装する誘電
体基板、52は誘電体基板42の裏面に設けた単一金属
膜からなる接地導体である。
〜22は金属膜11〜13を分離する誘電体膜、31〜
32は線路形状の金属膜11〜13の両端で金属膜11
〜13の全てを接続するとともに必要に応じて外部回路
と接続される接続導体、42は伝送線路を実装する誘電
体基板、52は誘電体基板42の裏面に設けた単一金属
膜からなる接地導体である。
【0013】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。接続導体31〜3
2を高周波信号により励振すると、励起した高周波電流
は接続導体によって接続された3つの金属膜11〜13
に分配して流れる。
について、以下その動作を説明する。接続導体31〜3
2を高周波信号により励振すると、励起した高周波電流
は接続導体によって接続された3つの金属膜11〜13
に分配して流れる。
【0014】金属膜が単層である場合には、励起された
高周波電流が金属の表面部分に集中する表皮効果が生
じ、電流の流れる部分の断面積が小さくなることから、
抵抗値が増加して損失の増大を招く。
高周波電流が金属の表面部分に集中する表皮効果が生
じ、電流の流れる部分の断面積が小さくなることから、
抵抗値が増加して損失の増大を招く。
【0015】しかしながら本実施例によれば、接続導体
31〜32で複数の金属膜11〜13が接続された構成
であることから、高周波電流が分配されるため、金属表
面への集中が分散され、抵抗値を低くすることができ、
低損失な電極が実現できる。また、本実施例では接続導
体31〜32を具備していることから、各金属膜11〜
13への電流分配は主として接続導体31〜32を介し
て行われており、誘電体膜21〜22の厚さは損失改善
効果にはほとんど影響しない。よって、本実施例に示し
たマイクロストリップ型伝送線路は、単層金属膜の電極
を用いた線路に比べて単位長さあたりの伝送損失が低く
なる。
31〜32で複数の金属膜11〜13が接続された構成
であることから、高周波電流が分配されるため、金属表
面への集中が分散され、抵抗値を低くすることができ、
低損失な電極が実現できる。また、本実施例では接続導
体31〜32を具備していることから、各金属膜11〜
13への電流分配は主として接続導体31〜32を介し
て行われており、誘電体膜21〜22の厚さは損失改善
効果にはほとんど影響しない。よって、本実施例に示し
たマイクロストリップ型伝送線路は、単層金属膜の電極
を用いた線路に比べて単位長さあたりの伝送損失が低く
なる。
【0016】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜で分離された複数の金属膜11〜13と、金属膜11
〜13どうしを接続する接続導体31〜32により、高
周波電流に対する抵抗値を低減し、高周波領域で低損失
な電極が実現可能であるとともに、高周波回路用電極を
用いることにより、低損失な伝送線路が実現できる。
膜で分離された複数の金属膜11〜13と、金属膜11
〜13どうしを接続する接続導体31〜32により、高
周波電流に対する抵抗値を低減し、高周波領域で低損失
な電極が実現可能であるとともに、高周波回路用電極を
用いることにより、低損失な伝送線路が実現できる。
【0017】(実施例2)次に、本発明の第2の実施例
について、図2を参照しながら説明する。図2(a)は
本発明の第2の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図2
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図2(a)は、図
2(b)においてA−A’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
について、図2を参照しながら説明する。図2(a)は
本発明の第2の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図2
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図2(a)は、図
2(b)においてA−A’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
【0018】図2において図1の構成と異なる点は、接
続導体31〜32を金属膜12〜13のみに接続した点
と、誘電体基板42の裏面に設けられた接地導体につい
ても接続導体33で接続された金属膜14〜15と誘電
体膜23からなる多層構造とした点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
続導体31〜32を金属膜12〜13のみに接続した点
と、誘電体基板42の裏面に設けられた接地導体につい
ても接続導体33で接続された金属膜14〜15と誘電
体膜23からなる多層構造とした点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
【0019】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。高周波電流は接続導体31〜
32より接続された金属膜12〜13に分配して流れ
る。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。高周波電流は接続導体31〜
32より接続された金属膜12〜13に分配して流れ
る。
【0020】また、金属膜11は金属膜12〜13と接
続していないが、誘電体膜21を介した電磁界結合の働
きにより同じく高周波電流が分配される。よって第1の
実施例と同様に低損失化が図れる。
続していないが、誘電体膜21を介した電磁界結合の働
きにより同じく高周波電流が分配される。よって第1の
実施例と同様に低損失化が図れる。
【0021】また、誘電体基板42の裏面にある接地導
体にも高周波電流が流れることから、この接地導体に対
しても接続導体33で接続された金属膜14〜15と誘
電体膜23からなる多層構造とし、電流を複数の金属膜
14〜15に分配できる構成をとることにより、より低
損失な伝送線路が実現できる。
体にも高周波電流が流れることから、この接地導体に対
しても接続導体33で接続された金属膜14〜15と誘
電体膜23からなる多層構造とし、電流を複数の金属膜
14〜15に分配できる構成をとることにより、より低
損失な伝送線路が実現できる。
【0022】よって、本実施例に示した伝送線路は単層
金属膜の電極を用いた線路に比べて単位長さあたりの伝
送損失を小さくすることができる。
金属膜の電極を用いた線路に比べて単位長さあたりの伝
送損失を小さくすることができる。
【0023】以上のように、本実施例によれば、金属膜
12〜13どうしを接続する接続導体31〜32と、誘
電体膜21〜22及び23を介した電磁界結合の働きに
より、誘電体膜21〜22及び23で分離された複数の
金属膜12〜13及び14〜15に電流を分配できる構
造であることから、表皮効果による電流の集中を緩和し
て高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失
な電極が実現できる。また、高周波回路用電極を伝送線
路部分及び接地導体部分に用いることにより、低損失な
伝送線路が実現できる。
12〜13どうしを接続する接続導体31〜32と、誘
電体膜21〜22及び23を介した電磁界結合の働きに
より、誘電体膜21〜22及び23で分離された複数の
金属膜12〜13及び14〜15に電流を分配できる構
造であることから、表皮効果による電流の集中を緩和し
て高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失
な電極が実現できる。また、高周波回路用電極を伝送線
路部分及び接地導体部分に用いることにより、低損失な
伝送線路が実現できる。
【0024】(実施例3)次に、本発明の第3の実施例
について、図3を参照しながら説明する。図3(a)は
本発明の第3の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図3
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図3(a)は、図
3(b)においてB−B’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
について、図3を参照しながら説明する。図3(a)は
本発明の第3の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図3
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図3(a)は、図
3(b)においてB−B’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
【0025】図3において図1の構成と異なる点は、金
属膜11〜13の周囲部分の全ての端部において金属膜
どうしを接続する接続導体31〜32及び34〜35を
設けた点である。図1と同一番号を付したものは、図1
と同じ働きをするものである。
属膜11〜13の周囲部分の全ての端部において金属膜
どうしを接続する接続導体31〜32及び34〜35を
設けた点である。図1と同一番号を付したものは、図1
と同じ働きをするものである。
【0026】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例の高周波回路用電極
は、金属膜を接続する接続導体として、伝送線路の励振
端に設けた接続導体31〜32のみならず、側面部分に
も接続導体34〜35を設けることにより、高周波電流
の分配効率をさらに高めたものである。電流は特に線路
の端部に集中することから、この端部に電流を分配する
接続導体34〜35を設けることにより、さらに低損失
化を図ることができる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例の高周波回路用電極
は、金属膜を接続する接続導体として、伝送線路の励振
端に設けた接続導体31〜32のみならず、側面部分に
も接続導体34〜35を設けることにより、高周波電流
の分配効率をさらに高めたものである。電流は特に線路
の端部に集中することから、この端部に電流を分配する
接続導体34〜35を設けることにより、さらに低損失
化を図ることができる。
【0027】以上のように、本実施例によれば、金属膜
11〜13の周囲部分の全ての端部にて複数の金属膜を
接続する接続導体31〜32及び34〜35を設けるこ
とにより、誘電体膜21〜22で分離された複数の金属
膜11〜13に電流を分配できる構造であることから、
表皮効果による電流の集中を緩和して高周波電流に対す
る抵抗値を低くできるため、低損失な電極が実現でき
る。また、高周波回路用電極を用いることにより、低損
失な伝送線路が実現できる。
11〜13の周囲部分の全ての端部にて複数の金属膜を
接続する接続導体31〜32及び34〜35を設けるこ
とにより、誘電体膜21〜22で分離された複数の金属
膜11〜13に電流を分配できる構造であることから、
表皮効果による電流の集中を緩和して高周波電流に対す
る抵抗値を低くできるため、低損失な電極が実現でき
る。また、高周波回路用電極を用いることにより、低損
失な伝送線路が実現できる。
【0028】(実施例4)次に、本発明の第4の実施例
について、図4を参照しながら説明する。図4(a)は
本発明の第4の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図4
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図4(a)は、図
4(b)においてB−B’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
について、図4を参照しながら説明する。図4(a)は
本発明の第4の実施例における高周波回路用電極を用い
たマイクロストリップ型伝送線路の断面図であり、図4
(b)は同高周波回路用電極を用いたマイクロストリッ
プ型伝送線路の斜視図である。なお、図4(a)は、図
4(b)においてB−B’で示した面で切り取った部分
の断面を示している。
【0029】図4において図1の構成と異なる点は、金
属膜11〜13と誘電体膜21〜22が膜表面の一部分
で重なった積層構造をなしている点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
属膜11〜13と誘電体膜21〜22が膜表面の一部分
で重なった積層構造をなしている点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
【0030】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。誘電体膜21〜22と金属膜
11〜13が膜表面の一部分だけで重なりあった構造の
場合、金属膜間の電磁界結合は全表面が重なった構造に
比べて弱くなることから、電磁界結合による電流分配効
率は低下する。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。誘電体膜21〜22と金属膜
11〜13が膜表面の一部分だけで重なりあった構造の
場合、金属膜間の電磁界結合は全表面が重なった構造に
比べて弱くなることから、電磁界結合による電流分配効
率は低下する。
【0031】しかしながら本実施例の高周波回路用電極
は、金属膜11〜13を接続する接続導体31〜32を
具備していることから、主として接続導体31〜32に
より金属膜11〜13に高周波電流が分配されるため、
分配効率は低下せず、表皮効果が低減できる。
は、金属膜11〜13を接続する接続導体31〜32を
具備していることから、主として接続導体31〜32に
より金属膜11〜13に高周波電流が分配されるため、
分配効率は低下せず、表皮効果が低減できる。
【0032】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜21〜22と金属膜11〜13が膜表面の一部分だけ
で重なった積層構造をなしている場合でも、金属膜11
〜13どうしを接続する接続導体31〜32により、高
周波電流が複数の金属膜11〜13に分配され、抵抗値
を低くできることから低損失な電極が実現できる。
膜21〜22と金属膜11〜13が膜表面の一部分だけ
で重なった積層構造をなしている場合でも、金属膜11
〜13どうしを接続する接続導体31〜32により、高
周波電流が複数の金属膜11〜13に分配され、抵抗値
を低くできることから低損失な電極が実現できる。
【0033】(実施例5)次に、本発明の第5の実施例
について、図5を参照しながら説明する。図5は本発明
の第5の実施例における高周波回路用電極の組立斜視図
である。
について、図5を参照しながら説明する。図5は本発明
の第5の実施例における高周波回路用電極の組立斜視図
である。
【0034】図5において、61〜63は金属膜11〜
13の内部に設けられ当該金属膜11〜13間を接続す
るスルーホールである。
13の内部に設けられ当該金属膜11〜13間を接続す
るスルーホールである。
【0035】図5において図1に示した高周波回路用電
極の構成と異なる点は、図1では複数の金属膜11〜1
3を接続導体31〜32で接続したが、当該接続導体3
1〜32の代わりにスルーホール61〜63を設けた点
である。なお、図1と同一番号を付したものは、図1と
同じ働きをするものである。
極の構成と異なる点は、図1では複数の金属膜11〜1
3を接続導体31〜32で接続したが、当該接続導体3
1〜32の代わりにスルーホール61〜63を設けた点
である。なお、図1と同一番号を付したものは、図1と
同じ働きをするものである。
【0036】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例では、金属膜11〜
13及び誘電体膜21〜22にスルーホール61〜63
を設けることにより、前記スルーホール61〜63の働
きによって各金属膜11〜13に高周波電流が分配され
ることから、表皮効果による電流集中が緩和され低損失
化が図れる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例では、金属膜11〜
13及び誘電体膜21〜22にスルーホール61〜63
を設けることにより、前記スルーホール61〜63の働
きによって各金属膜11〜13に高周波電流が分配され
ることから、表皮効果による電流集中が緩和され低損失
化が図れる。
【0037】本実施例の高周波回路用電極を作成する際
に、誘電体膜21〜22の生成や膜の積層の過程におい
て膜内に穴があいてしまうといった場合、また、誘電体
膜21〜22の材質が粗悪で金属膜11〜13を分離で
きないといった場合には、複数の導体膜を電気的に接続
するスルーホールが形成されたことになり、本実施例の
電極構造と同じとなる。もちろん意図的にスルーホール
を形成して本実施例の高周波回路電極が実現できること
は言うまでもない。
に、誘電体膜21〜22の生成や膜の積層の過程におい
て膜内に穴があいてしまうといった場合、また、誘電体
膜21〜22の材質が粗悪で金属膜11〜13を分離で
きないといった場合には、複数の導体膜を電気的に接続
するスルーホールが形成されたことになり、本実施例の
電極構造と同じとなる。もちろん意図的にスルーホール
を形成して本実施例の高周波回路電極が実現できること
は言うまでもない。
【0038】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
少なくとも金属膜11〜13内に設けられ当該金属膜1
1〜13間を接続するスルーホール61〜63により、
高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な
電極が実現できる。
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
少なくとも金属膜11〜13内に設けられ当該金属膜1
1〜13間を接続するスルーホール61〜63により、
高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な
電極が実現できる。
【0039】なお、本実施例ではスルーホール61〜6
3が3つの場合の実施例を示したが、スルーホールの数
は幾つでもよいことは言うまでもない。また、スルーホ
ールにより全ての金属膜11〜13を接続した実施例を
示したが、金属膜のうちの一部を接続した構成であって
も同様の効果が得られることは言うまでもない。また、
スルーホールの径の変化やスルーホールへの金属充填が
可能である。
3が3つの場合の実施例を示したが、スルーホールの数
は幾つでもよいことは言うまでもない。また、スルーホ
ールにより全ての金属膜11〜13を接続した実施例を
示したが、金属膜のうちの一部を接続した構成であって
も同様の効果が得られることは言うまでもない。また、
スルーホールの径の変化やスルーホールへの金属充填が
可能である。
【0040】(実施例6)次に、本発明の第6の実施例
について、図6を参照しながら説明する。図6(a)は
本発明の第6の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図、図6(b)は同断面
図である。
について、図6を参照しながら説明する。図6(a)は
本発明の第6の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図、図6(b)は同断面
図である。
【0041】図6において図1の構成と異なる点は、誘
電体基板42の表面の伝送線路を実装する部分に溝を設
け、前記溝内に金属膜11〜13及び誘電体膜21〜2
2を交互に重ねた積層構造とするとともに、当該積層の
断面を誘電体基板42の表面に露出させ接続導体31で
接続した点である。図1と同一番号を付したものは、図
1と同じ働きをするものである。
電体基板42の表面の伝送線路を実装する部分に溝を設
け、前記溝内に金属膜11〜13及び誘電体膜21〜2
2を交互に重ねた積層構造とするとともに、当該積層の
断面を誘電体基板42の表面に露出させ接続導体31で
接続した点である。図1と同一番号を付したものは、図
1と同じ働きをするものである。
【0042】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例の高周波回路用電極
は、前記第1の実施例と同様に、誘電体膜21〜22で
分離された金属膜11〜13を接続導体31で接続する
ことにより、高周波電流が各金属膜へ分配されることか
ら、表皮効果を緩和した低損失な電極が実現できる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。本実施例の高周波回路用電極
は、前記第1の実施例と同様に、誘電体膜21〜22で
分離された金属膜11〜13を接続導体31で接続する
ことにより、高周波電流が各金属膜へ分配されることか
ら、表皮効果を緩和した低損失な電極が実現できる。
【0043】本実施例の電極は、誘電体基板42上に溝
を設け、その内部に金属膜11〜13を設けた構成であ
ることから、溝を構成しない場合に比べて伝送線路幅に
対する金属膜面積を広くとることが可能となり、単位長
さあたりの伝送線路の抵抗値を更に低くできる。よっ
て、本実施例に示した伝送線路は単層金属膜の電極を用
いた伝送線路に比べて伝送損失を小さくすることが可能
である。
を設け、その内部に金属膜11〜13を設けた構成であ
ることから、溝を構成しない場合に比べて伝送線路幅に
対する金属膜面積を広くとることが可能となり、単位長
さあたりの伝送線路の抵抗値を更に低くできる。よっ
て、本実施例に示した伝送線路は単層金属膜の電極を用
いた伝送線路に比べて伝送損失を小さくすることが可能
である。
【0044】なお、図6において誘電体基板上に設けた
溝の断面は方形であるが、U字形といった曲面形状とす
ると、溝を加工が容易で、金属膜11〜13及び誘電体
膜21〜22を積層しやすいため、本実施例の高周波回
路用電極を容易に形成できる。
溝の断面は方形であるが、U字形といった曲面形状とす
ると、溝を加工が容易で、金属膜11〜13及び誘電体
膜21〜22を積層しやすいため、本実施例の高周波回
路用電極を容易に形成できる。
【0045】また、接続導体31は金属膜11〜13及
び誘電体膜21〜22を積層した端部上面に設けたが、
端部側面に設けても良い。以上のように、本実施例によ
れば、誘電体膜21〜22で分離された複数の金属膜1
1〜13と、金属膜11〜13どうしを接続する接続導
体31により、複数の金属膜11〜13に電流を分配で
きる構造であることから、表皮効果による電流の集中を
緩和して高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、
低損失な電極が実現できる。
び誘電体膜21〜22を積層した端部上面に設けたが、
端部側面に設けても良い。以上のように、本実施例によ
れば、誘電体膜21〜22で分離された複数の金属膜1
1〜13と、金属膜11〜13どうしを接続する接続導
体31により、複数の金属膜11〜13に電流を分配で
きる構造であることから、表皮効果による電流の集中を
緩和して高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、
低損失な電極が実現できる。
【0046】また、電極を実装する面に溝を形成し、そ
の内部に金属膜11〜13と誘電体膜21〜22を形成
することにより、金属膜面積が広くとれることから、さ
らに電極の低損失化が図れる。
の内部に金属膜11〜13と誘電体膜21〜22を形成
することにより、金属膜面積が広くとれることから、さ
らに電極の低損失化が図れる。
【0047】(実施例7)次に、本発明の第7の実施例
について、図7を参照しながら説明する。図7(a)は
本発明の第7の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図であり、図7(b)は
図7(a)の伝送線路部分に用いた高周波回路用電極の
断面を拡大した拡大断面図である。
について、図7を参照しながら説明する。図7(a)は
本発明の第7の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図であり、図7(b)は
図7(a)の伝送線路部分に用いた高周波回路用電極の
断面を拡大した拡大断面図である。
【0048】図7において図1の構成と異なる点は、金
属膜11〜13と誘電体膜21〜22を、電極を実装す
る誘電体基板42の表面に対して垂直に実装し、当該誘
電体基板42の表面に対して水平方向に交互に重ねて積
層した点である。図1と同一番号を付したものは、図1
と同じ働きをするものである。
属膜11〜13と誘電体膜21〜22を、電極を実装す
る誘電体基板42の表面に対して垂直に実装し、当該誘
電体基板42の表面に対して水平方向に交互に重ねて積
層した点である。図1と同一番号を付したものは、図1
と同じ働きをするものである。
【0049】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。金属膜11〜13と誘電体膜
21〜22が、誘電体基板42の表面に対して水平方向
に交互に重なった構造であっても、第1の実施例と同様
に、高周波電流は接続導体31により接続された3つの
金属膜に分配して流れる。よって、表皮効果を緩和した
低損失な電極が実現でき、本実施例に示した伝送線路は
単層金属膜の電極を用いた線路に比べて単位長さあたり
の伝送損失を小さくすることができる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。金属膜11〜13と誘電体膜
21〜22が、誘電体基板42の表面に対して水平方向
に交互に重なった構造であっても、第1の実施例と同様
に、高周波電流は接続導体31により接続された3つの
金属膜に分配して流れる。よって、表皮効果を緩和した
低損失な電極が実現でき、本実施例に示した伝送線路は
単層金属膜の電極を用いた線路に比べて単位長さあたり
の伝送損失を小さくすることができる。
【0050】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
当該金属膜11〜13どうしを接続する接続導体31に
より、複数の金属膜11〜13に電流を分配できる構造
であることから、表皮効果による電流の集中を緩和して
高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な
電極が実現できる。
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
当該金属膜11〜13どうしを接続する接続導体31に
より、複数の金属膜11〜13に電流を分配できる構造
であることから、表皮効果による電流の集中を緩和して
高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な
電極が実現できる。
【0051】(実施例8)次に、本発明の第8の実施例
について、図8を参照しながら説明する。図8(a)は
本発明の第8の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図であり、図8(b)は
図8(a)の伝送線路部分に用いた高周波回路用電極の
断面を拡大した拡大断面図である。
について、図8を参照しながら説明する。図8(a)は
本発明の第8の実施例における高周波回路用電極を用い
た高周波信号の伝送線路の斜視図であり、図8(b)は
図8(a)の伝送線路部分に用いた高周波回路用電極の
断面を拡大した拡大断面図である。
【0052】図8(a)、(b)において図1の構成と
異なる点は、線路形状の金属膜11〜13を誘電体基板
42の表面方向に並べて配置した点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
異なる点は、線路形状の金属膜11〜13を誘電体基板
42の表面方向に並べて配置した点である。図1と同一
番号を付したものは、図1と同じ働きをするものであ
る。
【0053】なお、図8(c)は図8(a)の伝送線路
に対して接続導体36〜39を新たに設け、金属膜11
〜13を分離する誘電体膜21〜22の代わりに空気を
用いた伝送線路の構造を示した図である。
に対して接続導体36〜39を新たに設け、金属膜11
〜13を分離する誘電体膜21〜22の代わりに空気を
用いた伝送線路の構造を示した図である。
【0054】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を図8(a)及び(b)を用い
て説明する。基本動作は上記第1の実施例と同じであ
る。誘電体膜21〜22により金属膜11〜13は分離
され、接続導体31〜32で金属膜11〜13が接続さ
れていることから、励起した高周波電流は接続導体31
〜32により金属膜11〜13に分配して流れるため、
抵抗値が低減でき、低損失な電極が実現できる。
について、以下その動作を図8(a)及び(b)を用い
て説明する。基本動作は上記第1の実施例と同じであ
る。誘電体膜21〜22により金属膜11〜13は分離
され、接続導体31〜32で金属膜11〜13が接続さ
れていることから、励起した高周波電流は接続導体31
〜32により金属膜11〜13に分配して流れるため、
抵抗値が低減でき、低損失な電極が実現できる。
【0055】次に図8(c)について説明する。図8
(c)は、図8(a)で示した伝送線路に対して、金属
膜11〜13を接続する接続導体36〜39を設け、誘
電体膜21〜22の代わりに当該誘電体膜21〜22を
省き、空気を用いたものである。前記接続導体36〜3
9を通して複数の金属膜11〜13を電気的に接続した
構造とすることにより、各金属膜11〜13への高周波
電流の分配効率が更に高まる。よって、表皮効果による
電流集中が緩和され低損失化が図れる。なお、図8
(c)の実施例では誘電体膜として空気を利用している
が、この場合でも、複数の金属膜11〜13が分離して
いれば、各金属膜に電流が分配される構造となる点は他
の実施例と同じであることから、同様に低損失な電極が
実現できる。
(c)は、図8(a)で示した伝送線路に対して、金属
膜11〜13を接続する接続導体36〜39を設け、誘
電体膜21〜22の代わりに当該誘電体膜21〜22を
省き、空気を用いたものである。前記接続導体36〜3
9を通して複数の金属膜11〜13を電気的に接続した
構造とすることにより、各金属膜11〜13への高周波
電流の分配効率が更に高まる。よって、表皮効果による
電流集中が緩和され低損失化が図れる。なお、図8
(c)の実施例では誘電体膜として空気を利用している
が、この場合でも、複数の金属膜11〜13が分離して
いれば、各金属膜に電流が分配される構造となる点は他
の実施例と同じであることから、同様に低損失な電極が
実現できる。
【0056】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
当該金属膜11〜13どうしを接続する接続導体31〜
32により、複数の金属膜11〜13に電流を分配でき
る構造であることから、表皮効果による電流の集中を緩
和して高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低
損失な電極が実現できる。さらに、金属膜11〜13内
部に金属膜11〜13どうしを接続する接続導体36〜
39を設けることにより、接続導体36〜39部分だけ
でなく金属膜11〜13内部でも電流が分配されること
から、抵抗値を更に低くできるため、さらに電極の低損
失化を図ることができる。
膜21〜22で分離された複数の金属膜11〜13と、
当該金属膜11〜13どうしを接続する接続導体31〜
32により、複数の金属膜11〜13に電流を分配でき
る構造であることから、表皮効果による電流の集中を緩
和して高周波電流に対する抵抗値を低くできるため、低
損失な電極が実現できる。さらに、金属膜11〜13内
部に金属膜11〜13どうしを接続する接続導体36〜
39を設けることにより、接続導体36〜39部分だけ
でなく金属膜11〜13内部でも電流が分配されること
から、抵抗値を更に低くできるため、さらに電極の低損
失化を図ることができる。
【0057】なお、接続導体36〜39には、金属膜間
を電気的に接続できればエアブリッジやリボン、ワイヤ
ボンディングといった他の形状の導体でも本実施例の高
周波回路用電極が実現できる。また、接続導体の数は幾
つでもよいことは言うまでもない。
を電気的に接続できればエアブリッジやリボン、ワイヤ
ボンディングといった他の形状の導体でも本実施例の高
周波回路用電極が実現できる。また、接続導体の数は幾
つでもよいことは言うまでもない。
【0058】(実施例9)次に、本発明の第9の実施例
について、図9を参照しながら説明する。図9(a)は
本発明の第9の実施例における高周波回路用電極を用い
た同軸型伝送線路の斜視図であり、図9(b)は図9
(a)の同軸線路の断面を拡大した拡大断面図である。
について、図9を参照しながら説明する。図9(a)は
本発明の第9の実施例における高周波回路用電極を用い
た同軸型伝送線路の斜視図であり、図9(b)は図9
(a)の同軸線路の断面を拡大した拡大断面図である。
【0059】図9において、43は同軸形状の誘電体で
ある。図9において図1と異なる点は、高周波回路用電
極を適用する高周波回路として同軸型伝送線路を実施例
に挙げ、金属膜11〜13及び誘電体膜21〜22を同
心円状に交互に重ねて積層した点である。図1と同一番
号を付したものは、図1と同じ働きをするものである。
ある。図9において図1と異なる点は、高周波回路用電
極を適用する高周波回路として同軸型伝送線路を実施例
に挙げ、金属膜11〜13及び誘電体膜21〜22を同
心円状に交互に重ねて積層した点である。図1と同一番
号を付したものは、図1と同じ働きをするものである。
【0060】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。同軸の中心導体に励起された
高周波電流は接続導体31〜32により接続された金属
膜11〜13及び14〜15に分配して流れる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。同軸の中心導体に励起された
高周波電流は接続導体31〜32により接続された金属
膜11〜13及び14〜15に分配して流れる。
【0061】よって、本実施例に示した伝送線路は金属
のみで構成された電極を用いた伝送線路に比べて単位長
さあたりの伝送損失を小さくすることができる。同軸型
伝送線路はTEMモード伝送路であり、誘電体43内に
生じる電磁波により同軸の中心導体だけでなく外導体に
も高周波電流が流れることから、外導体にも本実施例の
高周波回路用電極を使用することによって伝送損失を更
に低減している。
のみで構成された電極を用いた伝送線路に比べて単位長
さあたりの伝送損失を小さくすることができる。同軸型
伝送線路はTEMモード伝送路であり、誘電体43内に
生じる電磁波により同軸の中心導体だけでなく外導体に
も高周波電流が流れることから、外導体にも本実施例の
高周波回路用電極を使用することによって伝送損失を更
に低減している。
【0062】以上のように、本実施例によれば、誘電体
膜21〜22及び43で分離された複数の金属膜11〜
13及び14〜15と、金属膜11〜13及び14〜1
5どうしを接続する接続導体31〜32により、高周波
電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な電極が
実現できる。
膜21〜22及び43で分離された複数の金属膜11〜
13及び14〜15と、金属膜11〜13及び14〜1
5どうしを接続する接続導体31〜32により、高周波
電流に対する抵抗値を低くできるため、低損失な電極が
実現できる。
【0063】(実施例10)次に、本発明の第10の実
施例について、図10を参照しながら説明する。図10
(a)は本発明の第10の実施例における高周波回路用
電極を用いた誘電体同軸共振器の斜視図であり、図10
(b)は図10(a)においてA−A’で示した面で切
り取った部分の断面を示している。
施例について、図10を参照しながら説明する。図10
(a)は本発明の第10の実施例における高周波回路用
電極を用いた誘電体同軸共振器の斜視図であり、図10
(b)は図10(a)においてA−A’で示した面で切
り取った部分の断面を示している。
【0064】図10において図1の構成と異なる点は、
高周波回路用電極を適用する高周波回路として誘電体同
軸共振器を実施例とし、高周波回路用電極を誘電体ブロ
ック41の表面に施した点である。図1と同一番号を付
したものは、図1と同じ働きをするものである。
高周波回路用電極を適用する高周波回路として誘電体同
軸共振器を実施例とし、高周波回路用電極を誘電体ブロ
ック41の表面に施した点である。図1と同一番号を付
したものは、図1と同じ働きをするものである。
【0065】以上のように構成された高周波回路用電極
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。誘電体共振器が励振される
と、高周波電流が励起され、接続導体31により接続さ
れた金属膜11〜13に分配して流れる。よって第1の
実施例と同様に電極部分の低損失化を図ることができ、
本実施例に示した共振器は単層金属膜の電極を用いた共
振器に比べて導体損失が低減できるため、無負荷Qの高
い共振器が実現できる。
について、以下その動作を説明する。基本動作は上記第
1の実施例と同じである。誘電体共振器が励振される
と、高周波電流が励起され、接続導体31により接続さ
れた金属膜11〜13に分配して流れる。よって第1の
実施例と同様に電極部分の低損失化を図ることができ、
本実施例に示した共振器は単層金属膜の電極を用いた共
振器に比べて導体損失が低減できるため、無負荷Qの高
い共振器が実現できる。
【0066】以上のように、本実施例によれば、金属膜
11〜13どうしを接続する接続導体31と誘電体膜2
1〜22を介した電磁界結合の働きにより、誘電体膜2
1〜22で分離された複数の金属膜11〜13に電流を
分配できる構造であることから、表皮効果による電流の
集中を緩和して高周波電流に対する抵抗値を低くできる
ため、低損失な電極が実現できる。また、高周波回路用
電極を用いることにより、無負荷Qの高い共振器が実現
できる。
11〜13どうしを接続する接続導体31と誘電体膜2
1〜22を介した電磁界結合の働きにより、誘電体膜2
1〜22で分離された複数の金属膜11〜13に電流を
分配できる構造であることから、表皮効果による電流の
集中を緩和して高周波電流に対する抵抗値を低くできる
ため、低損失な電極が実現できる。また、高周波回路用
電極を用いることにより、無負荷Qの高い共振器が実現
できる。
【0067】なお、本発明の高周波回路用電極を適用す
る実施例として、実施例1〜8では裏面を接地導体とし
た誘電体基板上に形成した伝送線路を示し、実施例9で
は同軸型伝送線路を示し、実施例10では誘電体同軸共
振器を示したが、コプレナ型等の他の種類の伝送線路や
導波管といった導体電極を有するあらゆる高周波回路の
電極として利用可能である。
る実施例として、実施例1〜8では裏面を接地導体とし
た誘電体基板上に形成した伝送線路を示し、実施例9で
は同軸型伝送線路を示し、実施例10では誘電体同軸共
振器を示したが、コプレナ型等の他の種類の伝送線路や
導波管といった導体電極を有するあらゆる高周波回路の
電極として利用可能である。
【0068】また、実施例1〜10では主として金属膜
3層、誘電体膜2層からなる電極構造を示したが、2層
以上の金属膜を誘電体膜と交互に積層した構造であれば
何層でも本発明の高周波回路用電極を構成できることは
言うまでもない。
3層、誘電体膜2層からなる電極構造を示したが、2層
以上の金属膜を誘電体膜と交互に積層した構造であれば
何層でも本発明の高周波回路用電極を構成できることは
言うまでもない。
【0069】また、実施例1〜10では主として、誘電
体膜により金属膜を分離した構成を示したが、誘電体膜
部分を空気の層、つまり空洞としても、金属膜が分離さ
れた構造であれば同様の効果が得られる。
体膜により金属膜を分離した構成を示したが、誘電体膜
部分を空気の層、つまり空洞としても、金属膜が分離さ
れた構造であれば同様の効果が得られる。
【0070】また、実施例1〜10では主として、接続
導体を金属膜の端部の一部分のみに設けた構成を示した
が、実施例3のように金属膜の側面端部の全ての部分に
接続導体を設けて複数の金属膜を接続してもよい。
導体を金属膜の端部の一部分のみに設けた構成を示した
が、実施例3のように金属膜の側面端部の全ての部分に
接続導体を設けて複数の金属膜を接続してもよい。
【0071】また、実施例1〜10において、複数の金
属膜のうちの一部分のみを接続導体により接続した構成
でも、接続されていない金属膜に対しては誘電体膜を介
した電磁界結合により電流が分配されることから同様の
効果が得られる。
属膜のうちの一部分のみを接続導体により接続した構成
でも、接続されていない金属膜に対しては誘電体膜を介
した電磁界結合により電流が分配されることから同様の
効果が得られる。
【0072】さらに、実施例1〜10では主として、接
地導体部分は単層の金属膜とした構成を示したが、接地
導体についても金属膜と誘電体膜を交互に積層した同様
の構成をとることにより更に低損失化を図ることができ
る。
地導体部分は単層の金属膜とした構成を示したが、接地
導体についても金属膜と誘電体膜を交互に積層した同様
の構成をとることにより更に低損失化を図ることができ
る。
【0073】さらに、各実施例に開示された内容を適宜
組み合わせることも容易に可能である。
組み合わせることも容易に可能である。
【0074】
【発明の効果】以上のように、本発明は、複数の金属膜
と誘電体膜とを交互に積層して、複数の金属膜どうしを
接続する接続導体を設けた構造の電極で、高周波電流を
各導体膜に分配することで、表皮効果を緩和し、電極全
体の損失を低減することができる。また、本発明の高周
波回路用電極を共振器の電極として利用することにより
無負荷Qの高い共振器が構成できる。また、本発明の高
周波回路用電極を伝送線路の電極として用いることによ
り伝送損失の小さい伝送線路が構成可能である。なお、
本発明の高周波回路用電極を接地部分の電極にも適用す
れば、さらに低損失な高周波回路が実現できる。
と誘電体膜とを交互に積層して、複数の金属膜どうしを
接続する接続導体を設けた構造の電極で、高周波電流を
各導体膜に分配することで、表皮効果を緩和し、電極全
体の損失を低減することができる。また、本発明の高周
波回路用電極を共振器の電極として利用することにより
無負荷Qの高い共振器が構成できる。また、本発明の高
周波回路用電極を伝送線路の電極として用いることによ
り伝送損失の小さい伝送線路が構成可能である。なお、
本発明の高周波回路用電極を接地部分の電極にも適用す
れば、さらに低損失な高周波回路が実現できる。
【図1】(a)本発明の第1の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
【図2】(a)本発明の第2の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
【図3】(a)本発明の第3の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
【図4】(a)本発明の第4の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
路用電極を利用した伝送線路の構成を示す断面図 (b)同斜視図
【図5】本発明の第5の実施例における高周波回路用電
極の組立斜視図
極の組立斜視図
【図6】(a)本発明の第6の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図
【図7】(a)本発明の第7の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図
【図8】(a)本発明の第8の実施例における高周波回
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図 (c)同斜視図
路用電極を利用した伝送線路の斜視図 (b)同断面図 (c)同斜視図
【図9】(a)本発明の第9の実施例における高周波回
路用電極を利用した同軸型伝送線路の斜視図 (b)同断面図
路用電極を利用した同軸型伝送線路の斜視図 (b)同断面図
【図10】(a)本発明の第10の実施例における高周
波回路用電極を利用した誘電体同軸共振器の斜視図 (b)同断面図
波回路用電極を利用した誘電体同軸共振器の斜視図 (b)同断面図
【図11】従来の電極を利用した伝送線路を示す斜視図
11、12、13、14、15、101 金属膜 21、22、23 誘電体膜 31、32、33、34、35、36、37、38、3
9 接続導体 41 誘電体ブロック 42、104 誘電体基板 43 同軸型誘電体 52、105 接地導体 61、62、63 スルーホール
9 接続導体 41 誘電体ブロック 42、104 誘電体基板 43 同軸型誘電体 52、105 接地導体 61、62、63 スルーホール
フロントページの続き (72)発明者 牧本 三夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平4−43703(JP,A) 特開 平5−22004(JP,A) 特開 昭54−171754(JP,A) 特公 昭28−3635(JP,B1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 3/18 H01P 3/08 H01P 7/04
Claims (3)
- 【請求項1】 誘電体と、前記誘電体上に複数交互に重
なり、積層構造を形成する金属膜及び誘電体膜と、前記
複数の金属膜を電気的に接続する接続導体とを具備し、
前記金属膜と前記誘電体膜は膜の表面の一部分だけが重
なっている高周波回路用電極。 - 【請求項2】 誘電体基板と、前記誘電体基板の表面に
形成された溝と、前記溝の内側に複数交互に重なり、積
層構造を形成する金属膜及び誘電体膜と、前記複数の金
属膜を電気的に接続する接続導体とを具備する高周波回
路用電極。 - 【請求項3】 溝の断面はU字形の曲線であることを特
徴とする請求項2記載の高周波回路用電極。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP24414795A JP3314594B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器 |
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Family
ID=17114466
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP24414795A Expired - Fee Related JP3314594B2 (ja) | 1995-09-22 | 1995-09-22 | 高周波回路用電極及びこれを用いた伝送線路、共振器 |
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US11476566B2 (en) | 2009-03-09 | 2022-10-18 | Nucurrent, Inc. | Multi-layer-multi-turn structure for high efficiency wireless communication |
ITMI20092185A1 (it) * | 2009-12-14 | 2011-06-15 | Siae Microelettronica Spa | Linea in microstriscia per trasmissioni ad alta frequenza |
WO2013165892A2 (en) | 2012-05-01 | 2013-11-07 | Nanoton, Inc. | Radio frequency (rf) conductive medium |
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US9948129B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-04-17 | Nucurrent, Inc. | Single structure multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling having an internal switch circuit |
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US9941729B2 (en) | 2015-08-07 | 2018-04-10 | Nucurrent, Inc. | Single layer multi mode antenna for wireless power transmission using magnetic field coupling |
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-
1995
- 1995-09-22 JP JP24414795A patent/JP3314594B2/ja not_active Expired - Fee Related
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