JP3300518B2 - 反射板及びそれを用いたストロボ用反射傘 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、銀反射体に関するもの
であり、さらに詳しくは、ストロボ用の反射傘に好適に
用いることができる銀反射体とその反射傘に関するもの
である。

【０００２】

【従来の技術】ストロボ用の反射傘として従来、表面を
研磨したアルミの板を板金加工により成形加工したもの
が用いられてきたが、近年、レンズ付きフィルムの様な
簡便なカメラにもストロボが装備されるようになり、ス
トロボのシステム全体として見た場合に、軽量化および
小型化が重要視されるようになってきた。ストロボに用
いるキセノンランプを放電させるためのコンデンサーが
ストロボの回路において大きな割合を占めており、上記
コンデンサーを小さくすることは、ストロボシステム全
体としての小型化ばかりでなく低コスト化につながり産
業上きわめて重要である。このコンデンサーを小型化す
る１つの方法は、キセノンランプから放射される光を効
率的に被写体に到達させるために、上記の表面研磨した
アルミに代わって、より反射率の高い銀を用いることが
１つの解決法として考えられる。本発明者らは、アルミ
よりも可視光領域で反射率が高く、かつ、アルミ板と同
様に板金加工や打ち抜き加工が可能な反射板に関する技
術を開示した（例えば特開平５−１６２２２７）。

【０００３】本発明者らが提案した反射板は、透明高分
子フィルム（Ａ）、銀薄膜層（Ｂ）、接着層（Ｃ）、板
状成形体（Ｄ）が、ＡＢＣＤの順に形成されたものであ
って、銀薄膜表面を直接大気に暴露することがなく、銀
薄膜表面の腐食の問題等を解決し、銀を用いた反射体の
耐侯性を飛躍的に向上させるものであった。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本発明者らはそこで、
上記銀を用いた反射体を打ち抜き加工し、ストロボ用に
板金加工し、実際にストロボに用い１０〜５０回発光さ
せたところ、該銀反射板の高分子フィルム層表面が黒化
するという予期せざる問題に遭遇した。しかして、実際
に使用される反射体では、少なくとも５０回の発光に対
して黒化しないことが望まれる。黒化の原因を本発明者
等が鋭意検討したところ、意外なことに、発光を誘起さ
せるためにランプの外部から印加する高電圧の高周波ト
リガに黒化の原因があることを発見した。そこで、この
問題を解決する方法を鋭意検討したところ、該反射体
に、誘電正接が０．００２５以下の透明高分子フィルム
を用いることで上記の問題を解決できることを見いだし
本発明に到達した。本発明は、かかる知見に基づきなさ
れるに至ったものである。

【０００５】

【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は、少
なくとも、透明高分子フィルム（Ａ）、銀薄膜層
（Ｂ）、接着層（Ｃ）および板状成形体（Ｄ）が、ＡＢ
ＣＤの順に層形成された、Ａの面が反射面である反射板
にして、該透明高分子フィルム（Ａ）の１００ｋＨｚ〜
１０ＭＨｚの高周波に対する誘電正接が０．００２５以
下である銀反射板、であり、または、透明高分子フィル
ム（Ａ）の常用耐熱性が、８０℃以上である銀反射板で
あり、または、透明高分子フィルム（Ａ）が、ポリエチ
レン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、もしくはポ
リスチレンである銀反射板であり、また、透明高分子フ
ィルム（Ａ）の波長４００ｎｍから７５０ｎｍの範囲の
光線に対する透過率が８０％以上である銀反射板であ
り、また、銀薄膜層（Ｂ）がスパッタリング法もしくは
真空蒸着法で形成される銀反射板であり、また、板状成
形体（Ｄ）がアルミニウム、アルミ合金、ステンレス
鋼、銅亜鉛合金および鋼から選ばれたものである銀反射
板であり、また、波長４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲の
光線に対する反射率が９３％以上である銀反射板であ
り、また、銀薄膜層（Ｂ）の膜厚が７０ｎｍ〜３００ｎ
ｍである銀反射板であり、上記の銀反射板を傘状に加工
形成してなるストロボ用反射傘である。

【０００６】以下、添付図面を参照しながら、本発明を
説明する。図１は、本発明の反射板の断面構造の一例を
示す図である。図１において０１は透明高分子フィル
ム、０２は銀薄膜層、０３は接着層、０４は板状成形体
であり、０１〜０４が銀反射板２０を形成する。また、
図２はキセノン管に銀反射板を接触させたストロボ構造
の断面を示す図であり、図３はキセノン管に銀反射板を
接触させたストロボ構造の発光面の裏側から見た図であ
り、図４はストロボ発光回路を示す図である。なお、１
０はキセノンランプ、２０は銀反射板、３０はトリガ端
子を示す。

【０００７】本発明における高分子フィルムの材料は、
ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネートもし
くはポリスチレン等が使用できるが、必ずしもこれらに
限定されるわけではなく、まははこれらのうち、透明で
あり、ある程度常用耐熱温度が高く、誘電正接が０．０
０２５以下のものであれば使用できる。ポリエチレンフ
ィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリカーボネートフ
ィルム及びポリスチレンフィルムは、フィルムコンデン
サの誘電体として広く利用されており、誘電正接の低い
材料として認知されているが、それらのフィルムでも、
なかには誘電正接が０．００２５より大きいものあり、
これらは本発明の目的には使用できないことを注意しな
ければならない。しかしながら、本発明において肝要な
のは誘電正接が０．００２５以下の高分子フィルムを使
用することである。誘電正接が０．００２５より大きい
高分子フィルムを用いて銀反射板を形成しても、１０回
〜５０回のストロボ発光に対しフィルムが黒化してしま
い、十分な耐久性は得られないのである。

【０００８】なお、フィルムの誘電損が、誘電正接と比
誘電率の積に比例することは当業者が理解しているとこ
ろであるが、透明高分子フィルムの比誘電率は、一般的
に１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの範囲で、２．０〜３．５
であってフィルムの種類による大差はなく、小さい値で
あることが知られている。従って、本発明にかかる銀反
射体を作製するとき比誘電率の選択の余地はあまりない
のであるが、本発明の目的には、比誘電率２．０〜３．
５の範囲のフィルムを用いるのが好ましい。

【０００９】本発明において使用する高分子フィルムの
厚さには限定的な制限値はないが、２５〜１５０μm程
度のものが好ましく用いられる。使用する高分子フィル
ムの光学特性は、波長５５０ｎｍの光の光線透過率が８
０％以上であることが好ましい。より好ましくは、波長
５００〜７００ｎｍの光に対して、光線透過率が８０％
以上であり、より好ましくは８５％以上である。光線透
過率が８０％よりあまり低いと、反射フィルムとした時
の全反射率が所望の値に達しなくなる。

【００１０】本発明においては、かかる透明高分子フィ
ルムの一方の主面上に、図１に示すように、銀薄膜層を
形成するが、かかる銀薄膜の形成法としては、湿式法及
び乾式法が適用できる。湿式法とはいわゆるメッキ法の
総称であり、溶液から銀を析出させ膜を形成する方法で
ある。具体例を挙げるとすれば、銀鏡反応等がある。一
方、乾式法とは、真空成膜法の総称であり、具体的に例
示するとすれば、抵抗加熱式真空蒸着法、電子ビーム加
熱式真空蒸着法、イオンプレーティング法、イオンビー
ムアシスト真空蒸着法、スパッタ法等がある。とりわ
け、本発明においては、連続的に成膜するロールツロー
ル方式が可能な真空成膜法が好ましく用いられる。

【００１１】真空蒸着法では銀の原材料を電子ビーム、
抵抗加熱、誘導加熱等で溶融させ、蒸気圧を上昇させ、
好ましくは０．１ｍＴｏｒｒ（約０．１Ｐａ）以上導入
させ、高周波もしくは直流のグロー放電を起こしてもよ
い。

【００１２】スパッタ法では、ＤＣマグネトロンスパッ
タ法、ｒｆマグネトロンスパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法、ＥＣＲスパッタ法、コンベンショナルｒｆスパ
ッタ法、コンベンショナルＤＣスパッタ法等を使用し得
る。スパッタ法においては、原材料としては、銀の板状
のターゲットを用いればよい。スパッタガスにはヘリウ
ム、ネオン、アルゴン、クリプトン、キセノン等を使用
し得るが、好ましくはアルゴンが用いられる。ガスの純
度は、９９．０％以上が好ましいが、より好ましくは９
９．５％以上である。

【００１３】銀薄膜層の厚さは特に臨界的な条件ではな
いが、７０ｎｍ〜３００ｎｍ程度が好ましく、より好ま
しくは７０ｎｍ〜２００ｎｍである。銀薄膜層の厚みが
あまり薄く例えば７０ｎｍ未満では、銀の膜厚が十分で
ないために、透過する光が存在し、反射率が十分でなく
なる。一方、膜厚を例えば３００ｎｍを越えてあまり厚
く形成しても、反射率は上昇せず、飽和傾向を示す上
に、銀層の高分子フィルムに対する密着性が低下するの
で好ましくない。

【００１４】膜厚の測定は、触針粗さ計、繰り返し反射
干渉計、マイクロバランス、水晶振動子法等があるが、
水晶振動子法では成膜中に膜厚の測定が可能なので所望
の膜厚を得るのに適している。また、前もって成膜条件
を定めておき、試料基材上に成膜を行い、成膜時間と膜
厚の関係を調べた上で、成膜時間により膜厚制御する方
法もある。なお、銀薄膜層には、性能に害を及ぼさない
程度の、金、銅、ニッケル、鉄、コバルト、タングステ
ン、モリブデン、タンタル、クロム、インジュウム、マ
ンガン、チタン等の金属不純物が含まれてもよいことは
勿論である。

【００１５】さらに、銀層を形成した後、銀層の保護や
フィルムの滑り性の向上のために、インコネル、クロ
ム、ニッケル、チタン、アルミニウム、モリブデン、タ
ングステン等の単金属層もしくは合金層を１０ｎｍ〜３
０ｎｍ程度積層することが有効であることは、当業者が
理解しているところであろう。なお、銀薄膜層を透明高
分子フィルム上に設ける際に、高分子フィルム表面に、
コロナ放電処理、グロー放電処理、表面化学処理、粗面
化処理等を行うことが銀薄膜層と高分子フィルムの密着
性を向上させる上で効果があることは当業者の技術的常
識の範囲であろう。

【００１６】しかして、上記の処理を行うと基板である
透明高分子フィルムが加熱され、また、ストロボ発光し
た際ランプが発熱するため、熱による透明高分子フィル
ムの変形及び変色のおそれを実質的に無からしめるため
には、フィルムの常用耐熱温度はある程度高く例えば８
０℃以上であることが好ましい。より好ましくは常用耐
熱温度１００℃以上である。ポリスチレンの常用耐熱温
度は８０℃であるため、ストロボ用銀反射板に好適に利
用できる。また、ポリエチレンの常用耐熱温度は１２０
℃、ポリプロピレンの常用耐熱温度は１３０℃、ポリカ
ーボネートの常用耐熱温度は１２０℃であるため、これ
らのフィルムはストロボ用銀反射板により好適に使用で
きる。

【００１７】本発明においては、銀薄膜層（Ｂ）と板状
成形体（Ｄ）を、接着層（Ｃ）で接着一体化するが、こ
こで用いられる接着剤は、熱または触媒の助けにより接
着される接着剤であればいずれも使用できる。具体的に
は、シリコン系接着剤、ポリエステル系接着剤、エポキ
シ系接着剤、シアノアクリレート系接着剤など一般的な
接着剤を用いることができる。シリコン系接着剤、及び
ポリエステル系接着剤は耐熱性、電気特性に優れている
ためトリガを印加するストロボ用反射体用に好適に利用
できる。エポキシ系接着剤は強度、耐熱性に優れている
ため、これもまた好適に利用できる。シアノアクリレー
ト系接着剤は、速攻性と強度に優れているため、効率的
な反射体作製に利用できる。これらの接着剤は、接着方
法によって熱硬化型、ホットメルト型、二液混合型に大
別されるが、好ましくは連続生産が可能な熱硬化型ある
いはホットメルト型が使用される。熱接着剤の厚みに
は、特に限定はないが、通常０．５μm 〜５０μm 、好
ましくは１μm 〜２０μm 程度である。

【００１８】銀薄膜層を形成した高分子フィルムと板状
成形体との接着は、通常銀薄膜層への接着剤のコーティ
ング、乾燥、ローラーによる板状成形体とのラミネー
ト、の手順により行われる。接着剤のコーティング方法
は、基材や接着剤の種類によって多くの方法があるが、
広く使用されているのはグラビアコーター方式及びリバ
ースコーター方式である。グラビアコーター方式では、
接着剤に一部分が浸されているグラビアロールを回転さ
せ、バックアップロールによって送られるフィルムを接
着剤の付着したグラビアロールに接触させることでコー
ティングする。コーティング量はロールの回転数、接着
剤の粘度を制御することで調整できる。リバースコータ
ー方式も、グラビアロール方式に類似した方法だが、コ
ーティングロールに付着する接着剤の量を、それに接し
て設置されているメタリングロールによって調整する。
コーティングされた接着剤の乾燥温度、及びラミネート
温度は接着剤の種類によってまちまちであるが、上記に
掲げた一般的な接着剤を用いる場合は１００℃前後であ
る。

【００１９】以上のごとくして得られた、銀薄膜層を形
成した透明高分子フィルムと板状成形体との接着剤によ
る密着強度は、１８０度ピール強度で測定して１００ｇ
／ｃｍ以上であることが望ましい。この密着強度に達し
ない場合には、ストロボ用反射体として板金加工した
際、銀薄膜層を形成した透明高分子フィルムの板状成形
体からの剥がれ等が生じ、変形等を引き起こしうる。

【００２０】本発明で使用する板状成形体を形成する材
料としては、通常金属が好ましく、例えば、アルミニウ
ム、アルミ合金、ステンレス鋼、鋼亜鉛合金、鋼等が使
用されるが、これらの金属にはそれぞれ長所があり次の
ように用途に応じて選択して使い分けることができる。
アルミニウムは軽量かつ加工性に優れ、また、熱伝導率
が高くそれにかかる熱を効果的に大気中に逃がすことが
できるため、ランプ発光によって反射体が加熱されるス
トロボ用反射傘に好適に利用できる。アルミ合金は軽量
かつ機械的強度が強いため、ストロボ用反射傘に好適に
利用できる。ステンレス鋼は機械的強度が高度にあり、
また耐蝕性にすぐれているため、ストロボ用反射傘に好
適に利用できる。鋼亜鉛合金すなわち黄銅またはしんち
ゅうは、機械的強度の強いことに加え、はんだづけが容
易なためトリガ端子をとり易くこれもまたストロボ用反
射傘に好適に利用できる。鋼は安価なため、コストを抑
える必要がある時に好ましく用いられる。

【００２１】かくして、作製された反射板の反射率は、
典型的には５５０ｎｍの波長の光に対して９３％以上で
あり、より詳しくは４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲で９
３％以上である。

【００２２】かかる銀反射板を用いてストロボ用銀反射
傘を加工形成するには、アルミ板をストロボ用反射傘に
加工する従来の方法がそのまま適用できる。例えば、反
射体を反射傘を平面的に展開した形状に裁断し、この裁
断した平板を折曲げ加工して形成されるのである（特開
昭５５−１１８００２）。当該方法は製造コストが安い
ことから、レンズ付きフィルム等に好適に利用されてい
る。

【００２３】本発明にかかる銀反射体の構成、及び電気
特性の代表的な評価方法を以下に説明する。透明高分子
フィルム、銀薄膜層、接着層、板状成形体の各部の厚さ
は、その断面を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）で観察する
ことで直接測定できる。高分子フィルムの材料分析は、
赤外分光（ＩＲ）によりできる。また、接着剤の材料分
析は銀薄膜層と板状成形体を引き剥して接着剤を露出さ
せ、適当な溶媒にそれを溶かした試料を作製し、その赤
外分光（ＩＲ）をとることによりなされる。銀薄膜層及
び板状形成体の材料分析は、蛍光Ｘ線分光（ＸＲＦ）に
よりできる。さらに、Ｘ線マイクロアナライザ（ＥＰＭ
Ａ）では蛍光Ｘ線分光より微細な部分の元素分析が行え
る。また、銀薄膜層の形成された高分子フィルムを、接
着層から引き剥し銀薄膜層を露出させれば、オージェ電
子分光（ＡＥＳ）により組成分析、及び深さプロファイ
ルをとることで厚さも知ることができる。透明高分子フ
ィルムの誘電率及び誘電正接は、ＪＩＳ−Ｋ−６９１１
に準じた方法で測定できる。なお、より精度を求めるな
らば相互誘導ブリッジ法（変成器ブリッジ法）、簡便に
は電圧上昇比率法（Ｑメータ法）が用いられる。以下、
実施例により本発明の実施の態様の一例を説明する。

【００２４】

【実施例】以下、実施例により本発明の実施の態様の一
例を説明する。なお、実施例に記載された全光線透過
率、反射率及び誘電正接は以下に記載する機器ないし方
法で測定した。 全光線透過率、反射率：分光光度計（日立Ｕ−３４０
０）で測定した。 誘電正接：ＪＩＳ−Ｋ−６９１１によるところの電圧上
昇比率法（Ｑメータ法）により測定した。測定は室温で
行い、測定周波数は１ＭＨｚ、５回の測定値の平均をと
った。

【００２５】以下、実施例１〜５，比較例１〜３におけ
る写真撮影用のストロボは、図２及び図３に概略図とし
て示したようなものである。ここで図２はキセノン管に
銀反射板を接触させたストロボ構造の断面を示し、図３
はキセノン管に銀反射板を接触させたストロボ構造の発
光面の裏側から見た図を示している。念のため、図にお
いて、１０はキセノンランプ、２０は銀反射板、３０は
トリガ端子である。なお、図４はストロボを発光させる
ための発光回路である。キセノンランプに電界コンデサ
で充電した電圧を印加し、発光を誘起するためにトリガ
端子に高電圧、高周波のトリガを印加する。ここで、キ
セノンランプにかかる電圧、トリガ端子にかかる電圧及
び周波数は、キセノンランプを発光させ得る適当な値に
設定すればよい。

【００２６】実施例１ ポリプロピレンフィルム（厚さ５０μm 、全光線透過率
＝８７％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝０．０００３）
に電子ビーム真空蒸着法で、純度９９．９％の銀を蒸着
した。水晶式膜厚モニターで銀層の膜厚を測定したとこ
ろ、１００ｎｍであった。そのフィルムの銀側とアルミ
ニウム板とをポリエステル系ホットメルト型接着剤で接
着し、銀反射板を形成した。その反射率は９４．６％で
あった。それを板金加工によってストロボ反射体用傘と
し、キセノンランプとポリプロピレンフィルム側を接触
させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板
のアルミニウム板に接続することで、写真撮影用のスト
ロボを形成した。

【００２７】実施例２ ポリエチレンフィルム（厚さ２５μm 、全光線透過率＝
８８％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝０．０００５）に
ＤＣマグネトロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀を
ターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンをスパッタ
ガスとしてフィルム上に１５０ｎｍになるように形成し
た。そのフィルムの銀側とステンレス板とをポリエステ
ル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その反射率は９５．３％であった。それを板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと銀
反射板のポリエチレンフィルム側を接触させて固定、ス
トロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板のステンレス板
に接続することで、写真撮影用のストロボを形成した。

【００２８】実施例３ ポリカーボネートフィルム（厚さ５０μm 、全光線透過
率＝８８％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝０．００１）
に電子ビーム真空蒸着法で、純度９９．９％の銀を蒸着
した。水晶式膜厚モニターで銀層の膜厚を測定したとこ
ろ１２０ｎｍであった。そのフィルムの銀側と剛亜鉛合
金板とをエポキシ系接着剤で接着し、銀反射板を形成し
た。その反射率は９５．０％であった。それを板金加工
によってストロボ反射体用傘とし、キセノンランプと銀
反射板のポリカーボネートフィルム側を接触させて固
定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反射板の鋼亜鉛
合金板に接続することで、写真撮影用のストロボを形成
した。

【００２９】実施例４ ポリスチレンフィルム（厚さ５０μm 、全光線透過率＝
８８％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝０．０００３）に
ＤＣスパッタリング法で、純度９９．９％の銀をターゲ
ットとし、スパッタガスとして純度９９．５％のアルゴ
ンを用い、フィルム上に１２０ｎｍになるように形成し
た。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをエポキシ
系接着剤で接着し、銀反射板を形成した。その反射率は
９４．２％であった。それを板金加工によってストロボ
反射体用傘とし、キセノンランプと銀反射板のポリスチ
レンフィルム側を接触させて固定、ストロボ発光回路の
トリガ端子を銀反射板のアルミニウム板に接続すること
で、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３０】実施例５ ポリカーボネートフィルム（厚さ５０μm 、全光線透過
率＝８８％、誘電正接＝０．００２５）にＤＣマグネト
ロンスパッタ法で、純度９９．９％の銀をターゲットと
し、純度９９．５％のアルゴンをスパッタガスとしてフ
ィルム上に１２０ｎｍになるように成膜した。そのフィ
ルムの銀側と鋼亜鉛合金板とをポリエステル系ホットメ
ルト型接着剤で接着し、銀反射板を形成した。その反射
率は９５．３％であった。それを板金加工によってスト
ロボ反射体用傘とし、キセノンランプと銀反射板のポリ
カーボネートフィルム側を接触させて固定、ストロボ発
光回路のトリガ端子を銀反射板の鋼亜鉛合金板に接続す
ることで、写真撮影用のストロボを形成した。

【００３１】比較例１ ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ５０μm 、
全光線透過率＝８８％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝
０．００５）にＤＣスパッタリング法で、純度９９．９
％の銀をターゲットとし、純度９９．５％のアルゴンを
スパッタガスとしてフィルム上に１２０ｎｍになるよう
に形成した。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とを
ポリエステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射
板を形成した。その反射率は９５．５％であった。それ
を板金加工によってストロボ反射体用傘とし、キセノン
ランプと銀反射板のポリエチレンテレフタレートフィル
ム側を接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子
を銀反射板のアルミニウム板に接続することで、写真撮
影用のストロボを形成した。

【００３２】比較例２ ポリエチレンナフタレートフィルム（厚さ５０μm 、全
光線透過率＝８４％、１ＭＨｚにおける誘電正接＝０．
００３）に電子ビーム真空蒸着法で、純度９９．９％の
銀を蒸着した。水晶式膜厚モニターで銀層の膜厚を測定
したところ１００ｎｍであった。そのフィルムの銀側と
ステンレス板とをエポキシ系接着剤で接着し、銀反射板
を形成した。その反射率は９４．９％であった。それを
板金加工によってストロボ反射体用傘とし、キセノンラ
ンプと銀反射板のポリエチレンナフタレートフィルム側
を接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀
反射板のステンレス板に接続することで、写真撮影用の
ストロボを形成した。

【００３３】比較例３ ポリエーテルサルフォンフィルム（厚さ２５μm 、全光
線透過率＝８８％、誘電正接＝０．００５）に電子ビー
ム真空蒸着法で、純度９９．９％の銀を蒸着した。水晶
式膜厚モニターで銀層の膜厚を測定したところ９０ｎｍ
であった。そのフィルムの銀側とアルミニウム板とをポ
リエステル系ホットメルト型接着剤で接着し、銀反射板
を形成した。その反射率は９５．１％であった。それを
板金加工によってストロボ反射体用傘とし、キセノンラ
ンプと銀反射板のポリエーテルサルフォンフィルム側を
接触させて固定、ストロボ発光回路のトリガ端子を銀反
射板のアルミニウム板に接続することで、写真撮影用の
ストロボを形成した。

【００３４】実施例１〜５及び比較例１〜３において形
成した、写真撮影用ストロボを、図４でもって説明した
ストロボ回路に組み込み、キセノンランプに印加する電
圧を３２０Ｖ、トリガ端子に印加する電圧をピーク−ピ
ーク値で１５ｋＶ、周波数１ＭＨｚに設定し、キセノン
ランプを３０秒間隔で繰り返し発光させ、耐久試験を行
い表１の結果を得た。

【００３５】

【表１】 表中記号は ○：異常なし ×：黒化した

【００３６】

【発明の効果】本発明にかかる実施例１〜５が、従来銀
反射板として用いられていた比較例１〜３に比べてスト
ロボ発光に対する耐久性が格段に優れていることは、前
者が５０回の発光に対してなんら異常を示していないの
に対し、後者が１０〜５０回の発光ですでに黒化してい
るという実験結果から明らかである。なお、実施例１〜
３については３００回の発光に対してさえも黒化しなか
ったことを申し添える次第である。すなわち、本発明に
従えば、ストロボの銀反射体に好適に用いることができ
る優れた銀反射板を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】反射板の断面構造を示す図

【図２】キセノン管に銀反射板を接触させたストロボ構
造の断面図

【図３】キセノン管に銀反射板を接触させたストロボ構
造の発光面の裏側から見た図

【図４】ストロボ発光回路を示す図

【符号の説明】

０１ 透明高分子フィルム ０２ 銀薄膜層 ０３ 接着層 ０４ 板状成形体 １０ キセノンランプ ２０ 銀反射板 ３０ トリガ端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平７−191205（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−32537（ＪＰ，Ａ) 特開 平７−32536（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−177758（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−169244（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−279202（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−279201（ＪＰ，Ａ) 特開 昭54−62843（ＪＰ，Ａ) 実開 昭58−7125（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) B32B 15/08 G02B 5/08 G03B 15/02

Claims (9)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも、透明高分子フィルム
   （Ａ）、銀薄膜層（Ｂ）、接着層（Ｃ）および板状成形
   体（Ｄ）が、ＡＢＣＤの順に層形成された、Ａの面が反
   射面である反射板にして、該透明高分子フィルム（Ａ）
   の１００ｋＨｚ〜１０ＭＨｚの高周波に対する誘電正接
   が０．００２５以下である銀反射板。
2. 【請求項２】 透明高分子フィルム（Ａ）の常用耐熱性
   が、８０℃以上である請求項１に記載の銀反射板。
3. 【請求項３】 透明高分子フィルム（Ａ）が、ポリエチ
   レン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、もしくはポ
   リスチレンである、請求項１に記載の銀反射板。
4. 【請求項４】 透明高分子フィルム（Ａ）の波長４００
   ｎｍから７５０ｎｍの範囲の光線に対する透過率が８０
   ％以上である請求項１に記載の銀反射板。
5. 【請求項５】 銀薄膜層（Ｂ）がスパッタリング法もし
   くは真空蒸着法で形成される請求項１〜４の何れかに記
   載の銀反射板。
6. 【請求項６】 板状成形体（Ｄ）がアルミニウム、アル
   ミ合金、ステンレス鋼、銅亜鉛合金および鋼から選ばれ
   たものである請求項１〜５の何れかに記載の銀反射板。
7. 【請求項７】 波長４５０ｎｍ〜７５０ｎｍの範囲の光
   線に対する反射率が９３％以上である請求項１〜６の何
   れかに記載の銀反射板。
8. 【請求項８】 銀薄膜層（Ｂ）の膜厚が７０ｎｍ〜３０
   ０ｎｍである請求項１〜７の何れかに記載の銀反射板。
9. 【請求項９】 請求項１〜８の何れかに記載の銀反射板
   を傘状に加工形成してなるストロボ用反射傘。