JP3297968B2 - 限定反射型光電センサ - Google Patents
限定反射型光電センサInfo
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
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- Switches Operated By Changes In Physical Conditions (AREA)
Description
るようにした限定反射型の光電センサに関するものであ
る。
に向けて照射し、これと交差する特定範囲の光を受光す
る受光部を設け、この交差領域を検知領域として物体が
この領域を通過したときには、受光部に得られる反射光
を検出して物体を判別するようにした限定反射型光電セ
ンサが用いられている。図11(a)は従来の限定反射
型光電センサ100の構成を示す概略図である。投光回
路101は投光素子102を駆動するものであって、投
光素子102の焦点位置に投光レンズ103が設けられ
る。そしてこの投光軸に交差するように一定の受光範囲
を持つ受光レンズ104,受光素子105を配置する。
106は受光素子105の出力を処理する受光回路であ
る。さて図11(b)はこの光電センサ100からの距
離L1〜L5の位置での、投光ビームと受光ビームとの
関係を示す図である。本図に示すように距離L2〜L4
の範囲では、ハッチングを付して示す投光ビームと受光
ビームとが接し、又は重なり合い、この範囲外では離れ
ている。従ってL2〜L4の範囲が動作領域となる。こ
のように図11(a)に斜線で示す動作領域に物体が到
来する場合には、受光素子105に信号が得られるた
め、この信号に基づいて物体の有無を判別している。限
定反射型光電センサは投光ビームと受光ビームとが夫々
広がりを有していない場合には、物体を検知して検知信
号を出力する動作レベルと、物体が移動して非検知状態
となる復帰レベルとの距離の差(以下応差という)が小
さく、又背景の影響も少なくなる。更に投受光部の光軸
の角度を変化させることによって、検出距離の設定が可
能であるという特徴がある。
反射型光電センサ100は、図12(a)に示すように
近づいてくる検出物体110を検出して一定の位置で停
止させるために用いたり、例えばプリント基板111等
の上部に実装されている小さい電子部品112等の検出
物体をプリント基板111と分離して検出するような用
途に用いられる。このため図11(b)に示す動作領域
のうち、特に光電センサより離れた位置(距離L4)で
の投受光ビームをシャープにする必要がある。即ち受光
出力と距離との特性は特に距離の遠い側で急峻な特性に
する必要がある。
定反射型光電センサの光学系部分のみを拡大して示す図
である。本図に示すように従来の光電センサでは、光フ
ァイバの発光部及び受光部の光軸と投受光レンズの光軸
を一致させるように配置している。そして光ファイバは
一定の直径を有しているため、発光部及び受光部の周辺
部分は投受光レンズ103,104の光軸以外のところ
に位置することとなる。レンズは非球面レンズを用いた
場合に球面収差は除去できるが、コマ収差(光軸外の点
から発した光線に対する収差)は完全には除去すること
はできない。図3の曲線Aはこの光ファイバを用いた光
電センサの距離に対する受光出力の変化を示すグラフで
ある。又図4(a)は距離L4における投受光ビームを
示す図である。そのため図3に示すように投光スポット
と受光エリアとは特に光電センサの検知領域の光電セン
サより離れた側では図示のように広がってしまう。これ
らの図に示すように光束が広がれば光束密度が低くなる
ため、物体検知の感度が低下し、検出点において急峻で
なくなる。又この感度が低い領域では応差の距離が大き
くなってしまうという欠点があった。
なされたものであって、通常の投受光素子を用いて、特
に遠距離側の動作領域において投受光ビームの光束を鋭
くし、動作領域を限定できるようにすることを技術的課
題とする。
は、投光部の投光ビームと受光部の受光ビームとを所定
角度で交差させ、交差する測定領域の物体からの反射光
を受光部により受光し、その受光レベルに基づいて物体
の有無を判別する限定反射型光電センサであって、投光
部は、投光ビームを集束する投光レンズを有するもので
あり、該投光レンズの光軸に投光部の発光手段の端部を
一致させるように配置し、受光部は受光ビームを集束す
る受光レンズを有するものであり、該受光レンズの光軸
に受光部の受光手段の受光端部を一致させるように配置
し、投光レンズの光軸に一致して配置された投光部の発
光手段の端部が投光レンズによって結像される位置と、
受光レンズの光軸に一致して配置された受光部の受光手
段の受光端部が受光レンズによって結像される位置とを
一致させるように配置したことを特徴とするものであ
る。
光部は、その発光手段及び受光手段の端部を遮蔽板によ
って形成したことを特徴とするものである。
レンズの焦点位置に投光用遮光板を配置し、受光部は受
光レンズの焦点位置に受光側遮蔽板を配置したことを特
徴とするものである。
光部は光ファイバを用いたことを特徴とするものであ
る。
部と受光部の光束を交差させてその交差領域を物体検知
領域としており、投受光ビームを集束する集光レンズの
光軸に投光部の発光手段の端部を一致させ、受光ビーム
の受光側集光レンズの光軸に受光手段の受光端部を一致
させるように配置している。こうすれば動作領域の最遠
点での光束の広がりがなくなり、光束密度の高い部分の
みを物体検知領域として限定できることとなる。
投受光部の光学系の基本的な構成を示す概略図である。
本図において投光部は投光回路1と投光素子2が設けら
れ、投光レンズ3を有することは従来例と同様である。
本実施例では投光レンズ3の光軸3Lに対して投光素子
の投光チップ2aの端部を一致させるように配置してい
る。即ち投光部の光を出射する発光手段の端部を投光軸
3Lに一致させるようにしている。同様にして受光側も
受光レンズ4の受光軸4Lに対して受光素子5の受光チ
ップ5aの端部を一致させるように配置する。そして投
光素子2,受光素子5は図1に示すように互いに外向き
にその端部を一致させるように配置しておくものとす
る。
型光電センサの光学系部分を示す図である。本実施例は
光ファイバを用いた光電センサを示している。本実施例
では前述したように投光レンズ3の光軸にその端部を一
致させるように投光用の光ファイバ11を配置する。そ
して受光側の受光レンズ4の受光軸に端部を一致させる
よう受光用の光ファイバ12を配置したものである。こ
うすれば図示のように投光ビームと受光ビームの交差す
る動作領域のうち、光電センサより遠い側の点で従来例
による光電センサに比べて像のぼけがなくなる。従って
受光出力と距離特性は、図3の曲線Bに示すように曲線
Aに比べて急峻なものとすることができる。又図2にお
いて、動作領域の最遠点の距離L4での投受光ビームは
図4(b)に示すものとなり、2つの円の接する部分の
ぼけがなくなる。
用ファイバに接続される光電センサ本体の構成を示すブ
ロック図である。本図に示すように本実施例では周期的
に投光パルスを発生する投光回路1を有しており、その
出力は投光素子2に与えられる。投光素子2の前面には
投光用光ファイバ11の端面が固定されており、発光し
た光を光ファイバ11に入射するものである。又受光用
光ファイバ12より得られる光は受光素子5、例えばフ
ォトダイオードに入射される。受光素子5は受光した光
信号を電気信号に変換するものであって、その出力は受
光回路6に与えられる。受光回路6は図示のように受光
信号を増幅する増幅器13,ゲート回路14を有してい
る。ゲート回路14の他方の入力端には投光回路1より
投光パルスが入力され、投光パルスに同期した受光信号
のみが比較回路15に与えられる。比較回路15は所定
の閾値と受光レベルとを比較するものであって、受光レ
ベルが閾値を越えるときには比較出力を信号処理部16
に与える。信号処理部16は連続して複数のクロック周
期の間受光信号が得られるときに物体を検知し、出力回
路17を介して物体検知信号を外部に出力するものであ
る。
型光電センサの光学系部分を示す概略図である。本実施
例では投光用ファイバ11と受光用ファイバ12を有し
ており、その端面に夫々投光軸3L及び受光軸4Lに達
する位置までの遮蔽板21,22を設けたものである。
即ち本実施例では、これらの遮蔽板21,22は図示の
ように投受光ビームの光軸で形成される面(紙面)に垂
直に、投光用光ファイバ11より出射される光ビームの
一部を遮蔽するナイフエッジ型の投光用遮蔽板21を受
光用光ファイバ12の端面側よりコアの端面に接して取
付ける。同様にしてナイフエッジ型の受光用遮蔽板22
はこれと対称な位置、即ち投光用光ファイバ11の端面
側より受光用光ファイバ12の端面に接して紙面に垂直
にその受光ビームの一部を遮蔽するように取付ける。こ
れらの遮蔽板21,22の端部は図示のように投受光軸
3L,4Lと一致させておくものとする。
の関係、及び光ビームを示す図である。図7(a)にお
いて光ファイバ11のコアの中心部分より出射される光
を11A、コア11aの端部より出射される光を11B
としている。本図より明らかなように、光ファイバ11
のコアの中心部分より出射される光はレンズ3の焦点位
置P0で集光することとなり、又コア11aの下端部よ
り出射した光11Bは焦点位置P0より上方の位置P1
で集束することとなる。受光側の受光範囲についても同
様である。尚図7では光ファイバ11から出射される光
の中心と両端の光の分布のみを示しているが、この間で
は光が連続して出射されることはいうまでもない。
面から見た投光レンズ3と遮蔽板21の関係を示す図で
ある。本図に示すように長方形状の遮蔽板21により投
光レンズ3の1/2を受光用光ファイバ12側から遮蔽
するように構成している。こうすれば投光ビームや受光
ビームは図4(c)に示すように検出点において像のぼ
けがなく、且つ線状に投受光ビームが重なり合うように
なる。従って受光出力−距離特性は図3の曲線Cに示す
ように更に急峻にすることができる。
型光電センサの光学系部分を示す概略図である。本実施
例では投受光用光ファイバ11,12の端面は、図6に
示す第2実施例に比べて最遠点の検出点に対応した結像
位置より離れて後ろ側に配置している。そして遮蔽板2
1,22は検出点に対応した結像位置に配置しておく。
こうすれば第2実施例と同様の効果を得ることができ
る。投光部や受光部又はその投受光素子を遮蔽板21,
22の近傍に配置することができない場合には、このよ
うな配置が有効となる。このときの受光出力−距離特性
は図3の曲線Dに示すものとなり、投光ビームと受光ビ
ームのぼけ具合は図4(d)に示すものとなる。
投受光用光ビームの方向を側方に向けるサイドビューア
タッチメントについて説明する。図9はこのサイドビュ
ーアタッチメントの構成を示す正面図及び側面図であ
る。本図においてアタッチメント31は略コ字状の部材
であって、両側に互いに内向きの爪32a,33aを持
ったアーム32,33が設けられる。そしてアーム3
2,33の間は三角柱状の部分34が形成されている。
このサイドビューアタッチメント31はポリカーボネイ
ト等の透明性樹脂で形成され、レンズ3より出射した投
光ビームをその表面34aで全反射することによって投
光ビームの方向を直角に折り曲げるものであり、同様に
して受光ビームは三角柱部34の表面で全反射する。
る光電センサのケース10の外観を示す正面図及び側面
図である。又ケース10は図10(a)に示すように側
方に爪32a,33a及びアーム32,33と係合する
凹部41a,41bが設けられる。この凹部41a,4
1bにサイドビューアタッチメント31のアームを係合
させた状態を図10(b)に示している。こうすれば投
受光ビームの光軸はいずれも直角に折り曲げられるた
め、ケース10の側方に検知領域を設けることができ
る。更に透明性樹脂内を光が通過するため、光行路が長
くなり検知領域をより遠ざけることができる。又ポリカ
ーボネイトに代えて、三角柱状の部分を除きその表面3
4a部分のみの平板状の部材で構成して、その表面に蒸
着等によって反射膜を成形するようにしてもよい。この
場合には光行路を長くする効果はないが、側方を検知領
域とすることができる。
ば、投受光ビームの光束が物体の検知領域の最遠点側で
光束密度が高くなる。このため物体の移動に伴う応差を
小さくすることができ、物体の検知を確実に行うことが
できるという効果が得られる。従って検出物体の反射率
や表面状態の影響を受けずに同一位置で出力を得ること
ができるため、位置決め精度を向上させることができ
る。又応差の距離が小さいため、小さい段差や背景上の
微小な部品の検出が可能になるという効果も得られる。
分の基本構成を示す概略図である。
サの光学系部分を示す概略図である。
である。
ある。
ック図である。
サの光学系部分を示す概略図である。
サの光ファイバの出力及び遮蔽板の関係を示す図であ
る。
サの光学系部分を示す概略図である。
アタッチメントの構成を示す正面図及び側面図である。
付けるようにした光電センサの外観を示す正面図及び側
面図である。
略図である。
図である。
示す概略図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 投光部の投光ビームと受光部の受光ビー
ムとを所定角度で交差させ、交差する測定領域の物体か
らの反射光を受光部により受光し、その受光レベルに基
づいて物体の有無を判別する限定反射型光電センサにお
いて、 前記投光部は、投光ビームを集束する投光レンズを有す
るものであり、該投光レンズの光軸に前記投光部の発光
手段の端部を一致させるように配置し、 前記受光部は受光ビームを集束する受光レンズを有する
ものであり、該受光レンズの光軸に前記受光部の受光手
段の受光端部を一致させるように配置し、 前記投光レンズの光軸に一致して配置された前記投光部
の発光手段の端部が前記投光レンズによって結像される
位置と、前記受光レンズの光軸に一致して配置された前
記受光部の受光手段の受光端部が前記受光レンズによっ
て結像される位置とを一致させるように配置した ことを
特徴とする限定反射型光電センサ。 - 【請求項2】 前記投光部及び受光部は、その発光手段
及び受光手段の端部を遮蔽板によって形成したことを特
徴とする請求項1記載の限定反射型光電センサ。 - 【請求項3】 前記投光部は投光レンズの焦点位置に投
光用遮光板を配置し、前記受光部は受光レンズの焦点位
置に受光側遮蔽板を配置したものであることを特徴とす
る請求項2記載の限定反射型光電センサ。 - 【請求項4】 前記投光部及び受光部は光ファイバを用
いたことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記
載の限定反射型光電センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24697594A JP3297968B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 限定反射型光電センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24697594A JP3297968B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 限定反射型光電センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0886885A JPH0886885A (ja) | 1996-04-02 |
JP3297968B2 true JP3297968B2 (ja) | 2002-07-02 |
Family
ID=17156510
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24697594A Expired - Fee Related JP3297968B2 (ja) | 1994-09-14 | 1994-09-14 | 限定反射型光電センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3297968B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013136824A1 (ja) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | オムロン株式会社 | 反射型光電センサ |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2395262A (en) * | 2002-11-11 | 2004-05-19 | Qinetiq Ltd | Optical proximity sensor with array of spot lights and a mask |
JP6170713B2 (ja) * | 2013-04-12 | 2017-07-26 | パナソニック デバイスSunx株式会社 | 反射型光電センサ |
-
1994
- 1994-09-14 JP JP24697594A patent/JP3297968B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2013136824A1 (ja) | 2012-03-15 | 2013-09-19 | オムロン株式会社 | 反射型光電センサ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0886885A (ja) | 1996-04-02 |
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