JP3266358B2 - アルキルスルホナート誘導体の製造方法 - Google Patents
アルキルスルホナート誘導体の製造方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、アルキルスルホナート
誘導体の新規な製造方法に関する。
誘導体の新規な製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、写真感光材料の増感色素として、
シアニン系色素の母核の側鎖としてスルホアルキル基を
有する化合物が知られている。そしてスルホアルキル基
が、シアニン系色素の母核を構成する窒素含有複素環の
四級窒素原子に結合している化合物が多く使用されてい
る。
シアニン系色素の母核の側鎖としてスルホアルキル基を
有する化合物が知られている。そしてスルホアルキル基
が、シアニン系色素の母核を構成する窒素含有複素環の
四級窒素原子に結合している化合物が多く使用されてい
る。
【０００３】スルホアルキル基が四級窒素原子に結合し
ているシアニン系色素を製造するための前駆体として、
下記一般式（３）：
ているシアニン系色素を製造するための前駆体として、
下記一般式（３）：
【０００４】
【化７】
【０００５】［式中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1
−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1
、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換
基を有していてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及
びＲ3 は連結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは
水素原子又はアルキル基を表わし、そして、Ｒ4 、
Ｒ5、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は水素原子又は置換基を表わ
す。］で表わされるアルキルスルホナート誘導体を使用
することができることが知られている（特開平３−１０
５３３９号公報）。
−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1
、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換
基を有していてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及
びＲ3 は連結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは
水素原子又はアルキル基を表わし、そして、Ｒ4 、
Ｒ5、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は水素原子又は置換基を表わ
す。］で表わされるアルキルスルホナート誘導体を使用
することができることが知られている（特開平３−１０
５３３９号公報）。
【０００６】上記一般式（３）で表わされる化合物の合
成方法としては、下記一般式（１）：
成方法としては、下記一般式（１）：
【０００７】
【化８】
【０００８】［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ
8 及びＸは上記の通りである］で表わされる含窒素複素
環化合物と、ハロゲン原子やスルホニルオキシ基などに
より活性化された鎖状アルキルスルホン酸塩とを反応さ
せて、上記含窒素複素環化合物の窒素原子にスルホアル
キル基を結合させる方法が考えられる。
8 及びＸは上記の通りである］で表わされる含窒素複素
環化合物と、ハロゲン原子やスルホニルオキシ基などに
より活性化された鎖状アルキルスルホン酸塩とを反応さ
せて、上記含窒素複素環化合物の窒素原子にスルホアル
キル基を結合させる方法が考えられる。
【０００９】この活性化された鎖状アルキルスルホン酸
塩は、スルホアルキル化される化合物の求核性が高く、
比較的穏やかな条件下にスルホアルキル化反応が進行す
るようなものである場合には、構造的自由度の点で有利
なスルホアルキル化試薬である。しかしながら、上記一
般式（１）で表わされる含窒素複素環化合物に活性化さ
れた鎖状アルキルスルホン酸塩を反応させて窒素原子を
四級化する際には、その活性化された鎖状アルキルスル
ホン酸塩の活性部位が熱的に脱離する副反応が多くな
り、目的とするアルキルスルホナート化合物が得られな
いという問題点がある。
塩は、スルホアルキル化される化合物の求核性が高く、
比較的穏やかな条件下にスルホアルキル化反応が進行す
るようなものである場合には、構造的自由度の点で有利
なスルホアルキル化試薬である。しかしながら、上記一
般式（１）で表わされる含窒素複素環化合物に活性化さ
れた鎖状アルキルスルホン酸塩を反応させて窒素原子を
四級化する際には、その活性化された鎖状アルキルスル
ホン酸塩の活性部位が熱的に脱離する副反応が多くな
り、目的とするアルキルスルホナート化合物が得られな
いという問題点がある。
【００１０】また、活性水素を有する化合物のスルホア
ルキル化試薬として脂肪族サルトンが知られている（特
開平１−１８７５４３号公報）。脂肪族サルトンはアミ
ン化合物とは無触媒で反応してスルホン基が導入される
と言われており、脂肪族サルトンを上記一般式（１）で
表わされる含窒素複素環化合物の窒素原子に結合させる
ことができれば、その構造上活性化された鎖状アルキル
スルホン酸塩を使用する場合に生じる副反応は殆ど生じ
ない筈である。ところが、脂肪族サルトンを上記一般式
（１）で表わされる含窒素複素環化合物と加熱下に作用
させても、上記一般式（３）で表わされる化合物は全く
生成しないか、生成したとしても収率は極めて低いもの
であった。その理由は、一般式（１）で表わされる含窒
素複素環化合物のナフタレン核の８−位の炭素原子に結
合している水素原子又はその他の置換基による立体障害
のために、脂肪族サルトン分子が上記含窒素複素環化合
物の窒素原子へ近付くことが妨害されるためであろうと
考えられる。
ルキル化試薬として脂肪族サルトンが知られている（特
開平１−１８７５４３号公報）。脂肪族サルトンはアミ
ン化合物とは無触媒で反応してスルホン基が導入される
と言われており、脂肪族サルトンを上記一般式（１）で
表わされる含窒素複素環化合物の窒素原子に結合させる
ことができれば、その構造上活性化された鎖状アルキル
スルホン酸塩を使用する場合に生じる副反応は殆ど生じ
ない筈である。ところが、脂肪族サルトンを上記一般式
（１）で表わされる含窒素複素環化合物と加熱下に作用
させても、上記一般式（３）で表わされる化合物は全く
生成しないか、生成したとしても収率は極めて低いもの
であった。その理由は、一般式（１）で表わされる含窒
素複素環化合物のナフタレン核の８−位の炭素原子に結
合している水素原子又はその他の置換基による立体障害
のために、脂肪族サルトン分子が上記含窒素複素環化合
物の窒素原子へ近付くことが妨害されるためであろうと
考えられる。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】一般式（１）で表わさ
れる含窒素複素環化合物と脂肪族サルトンとから、高収
率で一般式（３）で表わされるアルキルスルホナート誘
導体を製造する方法を提供する。
れる含窒素複素環化合物と脂肪族サルトンとから、高収
率で一般式（３）で表わされるアルキルスルホナート誘
導体を製造する方法を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明は、下記一般式
（１）：
（１）：
【００１３】［式中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1
−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1
、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換
基を有していてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及
びＲ3 は連結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは
水素原子、メルカプト基、アリールチオ基、アラルキル
基、スルホ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していても良いアルキルチオ
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を
有していてもよいアルキルスルホニルオキシ基又は置換
基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ基を表
わし、そしてＲ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、水素
原子、アルキル基、アリール基、置換基を有していても
よいアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルキル
基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボ
キシル基、スルホ基又はスルホン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、下記一般式
（２）：
−、−Ｓｅ−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1
、Ｒ2 及びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換
基を有していてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及
びＲ3 は連結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは
水素原子、メルカプト基、アリールチオ基、アラルキル
基、スルホ基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよ
いアルキル基、置換基を有していても良いアルキルチオ
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を
有していてもよいアルキルスルホニルオキシ基又は置換
基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ基を表
わし、そしてＲ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、水素
原子、アルキル基、アリール基、置換基を有していても
よいアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルキル
基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボ
キシル基、スルホ基又はスルホン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、下記一般式
（２）：
【００１４】
【化１０】 ［式中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基
を表わす］で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸
の存在下で反応させて、下記一般式（３）：
を表わす］で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸
の存在下で反応させて、下記一般式（３）：
【００１５】
【化１１】 ［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｘ及びＺ
は上記の通りである］で表わされるアルキルスルホナー
ト誘導体を生成することを特徴とするアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法にある。
は上記の通りである］で表わされるアルキルスルホナー
ト誘導体を生成することを特徴とするアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法にある。
【００１６】上記本発明の好適な態様は下記の通りであ
る。
る。
【００１７】（１）上記一般式（１）中のＲ4 、Ｒ5 、
Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の少なくとも一つが、アルキル基、
アリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、
アリールオキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又
はスルホン酸基を表わす上記のアルキルスルホナート誘
導体の製造方法。
Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の少なくとも一つが、アルキル基、
アリール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、
アリールオキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、
ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又
はスルホン酸基を表わす上記のアルキルスルホナート誘
導体の製造方法。
【００１８】（２）Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の
少なくとも一つが、炭素原子数１〜３のアルキル基、炭
素原子数６〜１４のアリール基、スルホネート基で置換
されていてもよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、
アリールオキシ基、炭素原子数１〜３のハロアルキル
基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わすことを特徴とする上記のアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法。
少なくとも一つが、炭素原子数１〜３のアルキル基、炭
素原子数６〜１４のアリール基、スルホネート基で置換
されていてもよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、
アリールオキシ基、炭素原子数１〜３のハロアルキル
基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わすことを特徴とする上記のアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法。
【００１９】（３）Ｘが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1 −
または−ＣＲ2 Ｒ3 −である上記のアルキルスルホナー
ト誘導体の製造方法。
または−ＣＲ2 Ｒ3 −である上記のアルキルスルホナー
ト誘導体の製造方法。
【００２０】（４）Ａが炭素数１〜５のアルキル基、メ
ルカプト基、アリールチオ基、アルキルチオ基またはス
ルホ基である上記のアルキルスルホナート誘導体の製造
方法。
ルカプト基、アリールチオ基、アルキルチオ基またはス
ルホ基である上記のアルキルスルホナート誘導体の製造
方法。
【００２１】（５）Ｚが置換基を有しない炭素数３又は
４の直鎖アルキレン基であることを特徴とする、上記の
アルキルスルホナート誘導体の製造方法。
４の直鎖アルキレン基であることを特徴とする、上記の
アルキルスルホナート誘導体の製造方法。
【００２２】（６）Ｚが炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数１〜６のアルコキシ基及びハロゲン原子からなる
群から選択された置換基を有する炭素数３又は４の直鎖
アルキレン基である上記のアルキルスルホナート誘導体
の製造方法。
炭素数１〜６のアルコキシ基及びハロゲン原子からなる
群から選択された置換基を有する炭素数３又は４の直鎖
アルキレン基である上記のアルキルスルホナート誘導体
の製造方法。
【００２３】（７）上記ルイス酸が、三フッ化ホウ素エ
ーテル錯体であることを特徴とする、上記のアルキルス
ルホナート誘導体の製造方法。
ーテル錯体であることを特徴とする、上記のアルキルス
ルホナート誘導体の製造方法。
【００２４】また、本発明は、上記一般式（１）： ［式中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1 −、−Ｓｅ
−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有して
いてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及びＲ3 は連
結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは水素原子、
メルカプト基、アリールチオ基、アラルキル基、スルホ
基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル
基、置換基を有していても良いアルキルチオ基、置換基
を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルスルホニルオキシ基又は置換基を有して
いてもよいアリールスルホニルオキシ基を表わし、Ｒ4
とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 及びＲ7 とＲ8 の少な
くとも一つの組み合わせが、互いに連結して、それぞれ
が結合するナフタレン環の二価の炭化水素基と共に芳香
族環又はシクロアルケン環を形成しており、そして上記
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の内、環の形成を行な
わなかったものは、水素原子、アルキル基、アリール
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリール
オキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハロゲン
原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホ
ン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、上記一般式
（２）： ［式中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基
を表わす］ で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸の存在下で
反応させて、上記一般式（３）： ［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｘ及びＺ
は上記の通りである］ で表わされるアルキルスルホナート誘導体を生成するこ
とを特徴とするアルキルスルホナート誘導体の製造方法
にもある。
−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有して
いてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及びＲ3 は連
結して環を形成してもよい）を表わし、Ａは水素原子、
メルカプト基、アリールチオ基、アラルキル基、スルホ
基、ハロゲン原子、置換基を有していてもよいアルキル
基、置換基を有していても良いアルキルチオ基、置換基
を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していて
もよいアルキルスルホニルオキシ基又は置換基を有して
いてもよいアリールスルホニルオキシ基を表わし、Ｒ4
とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 及びＲ7 とＲ8 の少な
くとも一つの組み合わせが、互いに連結して、それぞれ
が結合するナフタレン環の二価の炭化水素基と共に芳香
族環又はシクロアルケン環を形成しており、そして上記
Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の内、環の形成を行な
わなかったものは、水素原子、アルキル基、アリール
基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリール
オキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハロゲン
原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホ
ン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、上記一般式
（２）： ［式中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基
を表わす］ で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸の存在下で
反応させて、上記一般式（３）： ［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｘ及びＺ
は上記の通りである］ で表わされるアルキルスルホナート誘導体を生成するこ
とを特徴とするアルキルスルホナート誘導体の製造方法
にもある。
【００２５】上記本発明の好適な態様は下記の通りであ
る。
る。
【００２６】（１）Ｒ4 とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ
7 及びＲ7 とＲ8 の少なくとも一つの組み合わせが、互
いに連結して、それぞれが結合するナフタレン環の二価
の炭化水素基と共にベンゼン環又はシクロヘキセン環を
形成していることを特徴とする上記のアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法。
7 及びＲ7 とＲ8 の少なくとも一つの組み合わせが、互
いに連結して、それぞれが結合するナフタレン環の二価
の炭化水素基と共にベンゼン環又はシクロヘキセン環を
形成していることを特徴とする上記のアルキルスルホナ
ート誘導体の製造方法。
【００２７】（２）Ｘが、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1 −
または−ＣＲ2 Ｒ3 −である上記のアルキルスルホナー
ト誘導体の製造方法。
または−ＣＲ2 Ｒ3 −である上記のアルキルスルホナー
ト誘導体の製造方法。
【００２８】（３）Ａが炭素数１〜５のアルキル基、メ
ルカプト基、アリールチオ基、アルキルチオ基又はスル
ホ基である上記のアルキルスルホナート誘導体の製造方
法。
ルカプト基、アリールチオ基、アルキルチオ基又はスル
ホ基である上記のアルキルスルホナート誘導体の製造方
法。
【００２９】（４）Ｚが置換基を有しない炭素数３又は
４の直鎖アルキレン基であることを特徴とする、上記の
アルキルスルホナート誘導体の製造方法。
４の直鎖アルキレン基であることを特徴とする、上記の
アルキルスルホナート誘導体の製造方法。
【００３０】（５）Ｚが炭素数１〜１０のアルキル基、
炭素数１〜６のアルコキシ基及びハロゲン原子からなる
群から選択された置換基を有する炭素数３又は４の直鎖
アルキレン基である上記のアルキルスルホナート誘導体
の製造方法。
炭素数１〜６のアルコキシ基及びハロゲン原子からなる
群から選択された置換基を有する炭素数３又は４の直鎖
アルキレン基である上記のアルキルスルホナート誘導体
の製造方法。
【００３１】（７）上記ルイス酸が、三フッ化ホウ素エ
ーテル錯体であることを特徴とする、上記のアルキルス
ルホナート誘導体の製造方法。
ーテル錯体であることを特徴とする、上記のアルキルス
ルホナート誘導体の製造方法。
【００３２】本発明の原料の一つである含窒素複素環化
合物は、上記一般式（１）で表わされる化合物である。
上記一般式（１）において、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ
ｅ−、−ＮＲ1 −又は−ＣＲ2 Ｒ3 −（但し、Ｒ2 及び
Ｒ3 は前記の通り）であることが一般的であり、−Ｓ
−、−Ｏ−、−ＮＲ1 −又は−ＣＲ2 Ｒ3 −であること
が好ましく、特に−Ｓ−、−Ｏ−または−ＮＲ1 −であ
ることが好ましい。また、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、水素
原子又は炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル、
エチル、プロピル、ブチル等であることが好ましく、特
に水素原子、メチル又はエチルであることが好ましい。
Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 が有していてもよい置換基は、ハロ
ゲン原子（例えば、塩素原子）、炭素原子数１〜４のア
ルコキシ基、アミノ基（例えばメチルアミノ基）又はヒ
ドロキシ基であることが好ましい。Ｒ2 及びＲ3 は連結
して、ピロール環の炭素原子と共に、酸素又は窒素を含
む環（好ましくは６員環）を形成していても良い（例、
ペンタメチレンオキシド環、Ｎ−メチル−ピペラジン
環）。
合物は、上記一般式（１）で表わされる化合物である。
上記一般式（１）において、Ｘは−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｓ
ｅ−、−ＮＲ1 −又は−ＣＲ2 Ｒ3 −（但し、Ｒ2 及び
Ｒ3 は前記の通り）であることが一般的であり、−Ｓ
−、−Ｏ−、−ＮＲ1 −又は−ＣＲ2 Ｒ3 −であること
が好ましく、特に−Ｓ−、−Ｏ−または−ＮＲ1 −であ
ることが好ましい。また、Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 は、水素
原子又は炭素数１〜４のアルキル基、例えば、メチル、
エチル、プロピル、ブチル等であることが好ましく、特
に水素原子、メチル又はエチルであることが好ましい。
Ｒ1 、Ｒ2 及びＲ3 が有していてもよい置換基は、ハロ
ゲン原子（例えば、塩素原子）、炭素原子数１〜４のア
ルコキシ基、アミノ基（例えばメチルアミノ基）又はヒ
ドロキシ基であることが好ましい。Ｒ2 及びＲ3 は連結
して、ピロール環の炭素原子と共に、酸素又は窒素を含
む環（好ましくは６員環）を形成していても良い（例、
ペンタメチレンオキシド環、Ｎ−メチル−ピペラジン
環）。
【００３３】また、Ａは水素原子、アルキル基、アラー
ルキル基、メルカプト基、アリールチオ基、置換基を有
していても良いアルキルチオ基又はスルホ基が一般的で
ある。アルキルチオ基はスルホン酸基、炭素原子数１〜
６のアルコキシ基又は炭素原子数１〜６のアルコキシア
ルコキシアルコキシ基で置換されていても良い。Ａは、
水素原子、炭素原子数１〜４のアルキルチオ基、ベンジ
ル基、上記置換基を有する炭素原子数１〜４のアルキル
チオ基、フェニルチオ基又は炭素原子数１〜５のアルキ
ル基（例えば、メチル、エチルであることが好ましい）
が好ましく、特に水素原子又はメチルであることが好ま
しい。
ルキル基、メルカプト基、アリールチオ基、置換基を有
していても良いアルキルチオ基又はスルホ基が一般的で
ある。アルキルチオ基はスルホン酸基、炭素原子数１〜
６のアルコキシ基又は炭素原子数１〜６のアルコキシア
ルコキシアルコキシ基で置換されていても良い。Ａは、
水素原子、炭素原子数１〜４のアルキルチオ基、ベンジ
ル基、上記置換基を有する炭素原子数１〜４のアルキル
チオ基、フェニルチオ基又は炭素原子数１〜５のアルキ
ル基（例えば、メチル、エチルであることが好ましい）
が好ましく、特に水素原子又はメチルであることが好ま
しい。
【００３４】また、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の
少なくとも一つは、一般に、アルキル基、アリール基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリールオキ
シ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わし、さらに炭素原子数１〜３のアルキル基、
炭素原子数６〜１４のアリール基（例、フェニル、ナフ
チル、アントラニル）、スルホネート基で置換されてい
てもよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、アリール
オキシ基（例、フェノキシ）、炭素原子数１〜３のハロ
アルキル基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はス
ルホン酸基を表わすことが好ましい。特に、炭素原子数
１〜３のアルキル基、スルホネート基で置換されていて
もよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、フェノキシ
基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わす。
少なくとも一つは、一般に、アルキル基、アリール基、
置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリールオキ
シ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わし、さらに炭素原子数１〜３のアルキル基、
炭素原子数６〜１４のアリール基（例、フェニル、ナフ
チル、アントラニル）、スルホネート基で置換されてい
てもよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、アリール
オキシ基（例、フェノキシ）、炭素原子数１〜３のハロ
アルキル基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロ
ゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はス
ルホン酸基を表わすことが好ましい。特に、炭素原子数
１〜３のアルキル基、スルホネート基で置換されていて
もよい炭素原子数１〜２５のアルコキシ基、フェノキシ
基、炭素原子数１〜３のアルキルチオ基、ハロゲン原
子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスルホン
酸基を表わす。
【００３５】更に、本発明の上記一般式（１）で表わさ
れる化合物で、上記の化合物と別の態様の化合物は、Ｘ
及びＡについては上記と同じ定義であるが、縮合環を有
する化合物である。即ち、Ｒ4 とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ
6 とＲ7 及びＲ7 とＲ8 の少なくとも一つの組み合わせ
が、互いに連結して、それぞれが結合するナフタレン環
の二価の炭化水素基と共に芳香族環又はシクロアルケン
環を形成している。但し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及び
Ｒ8 の内環の形成を行なわなかった残りは、水素原子、
アルキル基、アリール基、置換基を有していてもよいア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルキル基、アル
キルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル
基、スルホ基又はスルホン酸基を表わす。上記芳香族環
としては、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましく、更
にベンゼン環が好ましい。また、上記芳香族環は、Ｒ4
とＲ5 あるいはＲ5 とＲ6 により形成されることが好ま
しく、更にＲ5 とＲ6 により形成されることが好まし
い。シクロアルケン環は、シクロヘキセン環であること
が好ましい。また、上記シクロアルケン環は、Ｒ6 とＲ
7 により形成されることが好ましい。上記芳香族環又は
シクロアルケン環は更に置換基を有していても良い。
れる化合物で、上記の化合物と別の態様の化合物は、Ｘ
及びＡについては上記と同じ定義であるが、縮合環を有
する化合物である。即ち、Ｒ4 とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ
6 とＲ7 及びＲ7 とＲ8 の少なくとも一つの組み合わせ
が、互いに連結して、それぞれが結合するナフタレン環
の二価の炭化水素基と共に芳香族環又はシクロアルケン
環を形成している。但し、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及び
Ｒ8 の内環の形成を行なわなかった残りは、水素原子、
アルキル基、アリール基、置換基を有していてもよいア
ルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルキル基、アル
キルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、カルボキシル
基、スルホ基又はスルホン酸基を表わす。上記芳香族環
としては、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましく、更
にベンゼン環が好ましい。また、上記芳香族環は、Ｒ4
とＲ5 あるいはＲ5 とＲ6 により形成されることが好ま
しく、更にＲ5 とＲ6 により形成されることが好まし
い。シクロアルケン環は、シクロヘキセン環であること
が好ましい。また、上記シクロアルケン環は、Ｒ6 とＲ
7 により形成されることが好ましい。上記芳香族環又は
シクロアルケン環は更に置換基を有していても良い。
【００３６】上記一般式（１）で表わされる含窒素複素
環化合物は、本発明により製造される上記一般式（３）
で表わされる公知のアルキルスルホナート誘導体が、主
としてシアニン系色素の中間体としての用途を有するこ
とから、中間体として求められるアルキルスルホナート
誘導体の構造に対応して、上記含窒素複素環化合物を選
択すればよい。
環化合物は、本発明により製造される上記一般式（３）
で表わされる公知のアルキルスルホナート誘導体が、主
としてシアニン系色素の中間体としての用途を有するこ
とから、中間体として求められるアルキルスルホナート
誘導体の構造に対応して、上記含窒素複素環化合物を選
択すればよい。
【００３７】上記一般式（１）で表わされる含窒素複素
環化合物の好ましい具体例としては、下記に例示する一
般式（３）で表わされるアルキルスルホナート誘導体を
合成できる化合物であり、例えば、ナフチル基に置換基
を有していてもよい、２−メチルナフト［１，２−ｄ］
チアゾール、２−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾ
ール、２−メチルナフト［１，２−ｄ］セレナゾールな
どを挙げることができる。
環化合物の好ましい具体例としては、下記に例示する一
般式（３）で表わされるアルキルスルホナート誘導体を
合成できる化合物であり、例えば、ナフチル基に置換基
を有していてもよい、２−メチルナフト［１，２−ｄ］
チアゾール、２−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾ
ール、２−メチルナフト［１，２−ｄ］セレナゾールな
どを挙げることができる。
【００３８】本発明の他の原料である脂肪族サルトン
は、上記一般式（２）で表わされる化合物である。上記
一般式（２）において、Ｚは、置換基を有しない炭素数
３又は４の直鎖アルキレン基（例えば、プロピレン基、
ブチレン基）、及び炭素数１〜４のアルキル基（例え
ば、メチル、エチル、プロピル、ブチル）、炭素数１〜
３のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ）及びハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素）か
らなる群から選択された置換基を有する炭素数３又は４
の直鎖アルキレン基（例えば、プロピレン基、ブチレン
基）であることが好ましい。
は、上記一般式（２）で表わされる化合物である。上記
一般式（２）において、Ｚは、置換基を有しない炭素数
３又は４の直鎖アルキレン基（例えば、プロピレン基、
ブチレン基）、及び炭素数１〜４のアルキル基（例え
ば、メチル、エチル、プロピル、ブチル）、炭素数１〜
３のアルコキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、プロ
ポキシ）及びハロゲン原子（例えば、フッ素、塩素）か
らなる群から選択された置換基を有する炭素数３又は４
の直鎖アルキレン基（例えば、プロピレン基、ブチレン
基）であることが好ましい。
【００３９】上記脂肪族サルトンの好ましい具体例とし
ては、１，３−プロパンサルトン、１−メチル−１，３
−プロパンサルトン、１，４−ブタンサルトン、２−メ
チル−１，４−ブタンサルトンなどを挙げることができ
る。
ては、１，３−プロパンサルトン、１−メチル−１，３
−プロパンサルトン、１，４−ブタンサルトン、２−メ
チル−１，４−ブタンサルトンなどを挙げることができ
る。
【００４０】本発明において使用される上記ルイス酸と
しては、公知のルイス酸のどのようなものであってもよ
い。アルキルスルホナート誘導体の収率が高いこと、反
応混合物の後処理が容易であることなどの点から、上記
ルイス酸は、三フッ化ホウ素エーテル錯体、塩化亜鉛、
塩化アルミニウム、塩化第二錫、塩化第二鉄などである
ことが好ましく、特に三フッ化ホウ素エーテル錯体であ
ることが好ましい。
しては、公知のルイス酸のどのようなものであってもよ
い。アルキルスルホナート誘導体の収率が高いこと、反
応混合物の後処理が容易であることなどの点から、上記
ルイス酸は、三フッ化ホウ素エーテル錯体、塩化亜鉛、
塩化アルミニウム、塩化第二錫、塩化第二鉄などである
ことが好ましく、特に三フッ化ホウ素エーテル錯体であ
ることが好ましい。
【００４１】上記一般式（３）で表わされるアルキルス
ルホナート誘導体の代表的化合物としては、下記に示す
ような化合物を挙げることができる。
ルホナート誘導体の代表的化合物としては、下記に示す
ような化合物を挙げることができる。
【００４２】
【化１２】
【００４３】
【化１３】
【００４４】
【化１４】
【００４５】
【化１５】
【００４６】
【化１６】
【００４７】
【化１７】
【００４８】
【化１８】
【００４９】
【化１９】
【００５０】
【化２０】
【００５１】
【化２１】
【００５２】
【化２２】
【００５３】
【化２３】
【００５４】
【化２４】
【００５５】
【化２５】
【００５６】
【化２６】
【００５７】
【化２７】
【００５８】
【化２８】
【００５９】
【化２９】
【００６０】
【化３０】
【００６１】
【化３１】
【００６２】
【化３２】
【００６３】本発明の方法は、上記の含窒素複素環化合
物、脂肪族サルトン及びルイス酸の混合物を、所定の反
応温度に加熱して反応させることによって行なうことが
できる。反応操作方法としては、特に限定されないが、
上記の含窒素複素環化合物と脂肪族サルトンとの混合物
を反応温度に加熱し、次いでこの混合物に、撹拌下にル
イス酸を、好ましくは徐々に添加する方法が好ましい。
物、脂肪族サルトン及びルイス酸の混合物を、所定の反
応温度に加熱して反応させることによって行なうことが
できる。反応操作方法としては、特に限定されないが、
上記の含窒素複素環化合物と脂肪族サルトンとの混合物
を反応温度に加熱し、次いでこの混合物に、撹拌下にル
イス酸を、好ましくは徐々に添加する方法が好ましい。
【００６４】本発明の方法において、含窒素複素環化合
物と脂肪族サルトンとの使用量割合は、一般に含窒素複
素環化合物：脂肪族サルトン＝１：１〜５のモル比、特
に１：１．５〜２のモル比であることが好ましい。ま
た、ルイス酸の使用量は、含窒素複素環化合物、脂肪族
サルトン及びルイス酸の種類によって異なるが、含窒素
複素環化合物に対して一般に１：１〜３のモル比、特に
１：１〜１．５のモル比であることが好ましい。
物と脂肪族サルトンとの使用量割合は、一般に含窒素複
素環化合物：脂肪族サルトン＝１：１〜５のモル比、特
に１：１．５〜２のモル比であることが好ましい。ま
た、ルイス酸の使用量は、含窒素複素環化合物、脂肪族
サルトン及びルイス酸の種類によって異なるが、含窒素
複素環化合物に対して一般に１：１〜３のモル比、特に
１：１〜１．５のモル比であることが好ましい。
【００６５】反応温度は、一般に１２０〜２５０℃、特
に１６０〜１９０℃であることが好ましい。反応温度が
上記範囲よりも低いとアルキルスルホナート誘導体の収
率が低下し、また、反応温度が上記範囲よりも高いと、
アルキルスルホナート誘導体の収率のより一層の増大は
殆どなく、原料や生成物が分解する恐れがあり、熱エネ
ルギーの損失にもなる。
に１６０〜１９０℃であることが好ましい。反応温度が
上記範囲よりも低いとアルキルスルホナート誘導体の収
率が低下し、また、反応温度が上記範囲よりも高いと、
アルキルスルホナート誘導体の収率のより一層の増大は
殆どなく、原料や生成物が分解する恐れがあり、熱エネ
ルギーの損失にもなる。
【００６６】上記の反応において、特に他の不活性溶剤
を使用する必要はない。勿論、必要に応じて、上記反応
に関与しない不活性溶剤（例えば、スルホランなど）を
添加してもよい。反応圧力は、反応混合物を上記の反応
温度で液状に維持し得るような圧力である。上記の反応
は、反応原料、反応温度などにより異なるが、一般に１
０分間〜３時間でほぼ最高収率に到達する。
を使用する必要はない。勿論、必要に応じて、上記反応
に関与しない不活性溶剤（例えば、スルホランなど）を
添加してもよい。反応圧力は、反応混合物を上記の反応
温度で液状に維持し得るような圧力である。上記の反応
は、反応原料、反応温度などにより異なるが、一般に１
０分間〜３時間でほぼ最高収率に到達する。
【００６７】上記の反応において、脂肪族サルトンが含
窒素複素環化合物と反応することなく加水分解されて酸
が生じることがあり、この場合にはこの酸を中和するた
めに、反応混合物に、アルキルスルホナート誘導体と反
応しない塩基性物質（例えば、酢酸ナトリウム、２，６
−ルチジンなど）を添加することが好ましい。
窒素複素環化合物と反応することなく加水分解されて酸
が生じることがあり、この場合にはこの酸を中和するた
めに、反応混合物に、アルキルスルホナート誘導体と反
応しない塩基性物質（例えば、酢酸ナトリウム、２，６
−ルチジンなど）を添加することが好ましい。
【００６８】反応が終了した後、生成混合物からアルキ
ルスルホナート誘導体を常法により分離し、必要に応じ
て精製してアルキルスルホナート誘導体を取得する。ア
ルキルスルホナート誘導体の分離、精製方法としては、
反応生成混合物を貧溶媒、例えば、酢酸エチルエステル
中に注ぎ、結晶化後濾別し、アルコール性溶媒、例え
ば、メタノール、エタノール、プロパノールなどから再
結晶するなどの方法を採用することができる。
ルスルホナート誘導体を常法により分離し、必要に応じ
て精製してアルキルスルホナート誘導体を取得する。ア
ルキルスルホナート誘導体の分離、精製方法としては、
反応生成混合物を貧溶媒、例えば、酢酸エチルエステル
中に注ぎ、結晶化後濾別し、アルコール性溶媒、例え
ば、メタノール、エタノール、プロパノールなどから再
結晶するなどの方法を採用することができる。
【００６９】本発明の方法により、上記含窒素複素環化
合物基準で４０％以上（一般に５０％以上）の収率でア
ルキルスルホナート誘導体を得ることができる。
合物基準で４０％以上（一般に５０％以上）の収率でア
ルキルスルホナート誘導体を得ることができる。
【００７０】
【実施例】次に、実施例及び比較例により本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００７１】［実施例１］ ２−メチルナフト［１，２−ｄ］チアゾリウム ３−ブ
タンスルホナート［前記（Ｃ−１）の化合物］の合成
タンスルホナート［前記（Ｃ−１）の化合物］の合成
【００７２】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール
１４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサルトン１
４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油浴中に
漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容物を撹
拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体１４ｍ
ｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要して）添加
し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時間反応を
行なった。
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール
１４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサルトン１
４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油浴中に
漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容物を撹
拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体１４ｍ
ｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要して）添加
し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時間反応を
行なった。
【００７３】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、１２．０ｇ（標題の化合物として
収率５１％）の白色結晶を得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、１２．０ｇ（標題の化合物として
収率５１％）の白色結晶を得た。
【００７４】この白色結晶は、ＮＭＲ及びＦＡＢマスス
ペクトルにより、標題の化合物であることが確認され
た。
ペクトルにより、標題の化合物であることが確認され
た。
【００７５】 ［ＮＭＲ］ δ：２．１５（ｑ，２Ｈ） ２．４０（ｍ，２Ｈ） ２．９５（ｔ，２Ｈ） ３．３０（ｓ，３Ｈ） ５．７０（ｔ，２Ｈ） ７．８〜８．９（ｍ，６Ｈ）
【００７６】 ［ＦＡＢマススペクトル］ ｍ／ｅ：３３６
【００７７】［比較例１］三フッ化ホウ素エーテル錯体
を使用しないで、反応温度を２２０℃にし、加熱時間を
６時間にした他は、実施例１におけると同様にして、２
−メチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール及び１，４−
ブタンサルトンの混合物の加熱、及び後処理を行なっ
た。しかし目的化合物である２−メチルナフト［１，２
−ｄ］チアゾリウム ３−ブタンスルホナートは痕跡量
しか得られなかった。
を使用しないで、反応温度を２２０℃にし、加熱時間を
６時間にした他は、実施例１におけると同様にして、２
−メチルナフト［１，２−ｄ］チアゾール及び１，４−
ブタンサルトンの混合物の加熱、及び後処理を行なっ
た。しかし目的化合物である２−メチルナフト［１，２
−ｄ］チアゾリウム ３−ブタンスルホナートは痕跡量
しか得られなかった。
【００７８】［実施例２］ ２−メチル−６−メトキシナフト［１，２−ｄ］チアゾ
リウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−６）の化
合物］の合成
リウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−６）の化
合物］の合成
【００７９】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチル−６−メトキシナフト［１，２−
ｄ］チアゾール１６ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブ
タンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラ
スコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラ
スコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エー
テル錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分
を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持し
て１時間反応を行なった。
ラスコに、２−メチル−６−メトキシナフト［１，２−
ｄ］チアゾール１６ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブ
タンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラ
スコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラ
スコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エー
テル錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分
を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持し
て１時間反応を行なった。
【００８０】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
４．２ｇ得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
４．２ｇ得た。
【００８１】［実施例３］ ２−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾリウム ３−
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−１３）の化合物］の合
成
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−１３）の化合物］の合
成
【００８２】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾー
ル１２．８ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾー
ル１２．８ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
【００８３】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．６ｇ（収率７０％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．６ｇ（収率７０％）得た。
【００８４】［実施例４］ ２−メチルフェナントロ［１，２−ｄ］チアゾリウム
３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２１）の化合物］
の合成
３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２１）の化合物］
の合成
【００８５】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルフェナントロ［１，２−ｄ］チア
ゾール１７．４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタン
サルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコ
を油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ
内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル
錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要
して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１
時間反応を行なった。
ラスコに、２−メチルフェナントロ［１，２−ｄ］チア
ゾール１７．４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタン
サルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコ
を油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ
内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル
錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要
して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１
時間反応を行なった。
【００８６】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
８．２ｇ（収率７０％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
８．２ｇ（収率７０％）得た。
【００８７】［実施例５］ ２−メチル−５−フェノキシナフト［１，２−ｄ］チア
ゾリウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２３）
の化合物］の合成
ゾリウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２３）
の化合物］の合成
【００８８】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチル−５−フェノキシナフト［１，２
−ｄ］チアゾール２０．４ｇ（０．０７モル）及び１，
４−ブタンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、こ
のフラスコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱し
た。フラスコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体２８ｍｌ（０．２２モル）を徐々に
（約１０分を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０
℃に維持して１時間反応を行なった。
ラスコに、２−メチル−５−フェノキシナフト［１，２
−ｄ］チアゾール２０．４ｇ（０．０７モル）及び１，
４−ブタンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、こ
のフラスコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱し
た。フラスコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホ
ウ素エーテル錯体２８ｍｌ（０．２２モル）を徐々に
（約１０分を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０
℃に維持して１時間反応を行なった。
【００８９】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．０ｇ（収率５０％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．０ｇ（収率５０％）得た。
【００９０】［実施例６］ ２−メチル−６−スルホナフト［１，２−ｄ］チアゾリ
ウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２６）の化
合物］の合成
ウム ３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−２６）の化
合物］の合成
【００９１】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチル−６−スルホナフト［１，２−
ｄ］チアゾール２１．１ｇ（０．０７モル）及び１，４
−ブタンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、この
フラスコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。
フラスコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素
エーテル錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１
０分を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維
持して１時間反応を行なった。
ラスコに、２−メチル−６−スルホナフト［１，２−
ｄ］チアゾール２１．１ｇ（０．０７モル）及び１，４
−ブタンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、この
フラスコを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。
フラスコ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素
エーテル錯体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１
０分を要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維
持して１時間反応を行なった。
【００９２】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
９．３ｇ（収率６３％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
９．３ｇ（収率６３％）得た。
【００９３】［実施例７］ ２−メチルナフト［１，２−ｄ］セレナゾリウム ３−
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−１５）の化合物］の合
成
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−１５）の化合物］の合
成
【００９４】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］セレナゾー
ル１７．２ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
ラスコに、２−メチルナフト［１，２−ｄ］セレナゾー
ル１７．２ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
【００９５】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
４．７ｇ（収率５５％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
４．７ｇ（収率５５％）得た。
【００９６】［実施例８］ １，２−ジメチルナフト［１，２−ｄ］イミダゾリウム
３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−３７）の化合
物］の合成
３−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−３７）の化合
物］の合成
【００９７】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、１，２−ジメチルナフト［１，２−ｄ］イミ
ダゾール１３．７ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタ
ンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラス
コを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラス
コ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテ
ル錯体２８ｍｌ（０．２２モル）を徐々に（約１０分を
要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して
１時間反応を行なった。
ラスコに、１，２−ジメチルナフト［１，２−ｄ］イミ
ダゾール１３．７ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタ
ンサルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラス
コを油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラス
コ内容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテ
ル錯体２８ｍｌ（０．２２モル）を徐々に（約１０分を
要して）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して
１時間反応を行なった。
【００９８】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として９．
７３ｇ（収率４２％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として９．
７３ｇ（収率４２％）得た。
【００９９】［実施例９］ ２−メチルアントロ［１，２−ｄ］チアゾリウム ３−
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−５８）の化合物］の合
成
ブタンスルホナート［前記（Ｃ−５８）の化合物］の合
成
【０１００】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルアントロ［１，２−ｄ］チアゾー
ル１７．４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
ラスコに、２−メチルアントロ［１，２−ｄ］チアゾー
ル１７．４ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサル
トン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを油
浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内容
物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯体
１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
【０１０１】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．６ｇ（収率６０％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
５．６ｇ（収率６０％）得た。
【０１０２】［実施例１０］ ２−メチルチオナフト［１，２−ｄ］チアゾリウム ３
−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−６０）の化合物］の
合成
−ブタンスルホナート［前記（Ｃ−６０）の化合物］の
合成
【０１０３】撹拌機及び還流冷却器を取り付けた丸底フ
ラスコに、２−メチルチオナフト［１，２−ｄ］チアゾ
ール１６．２ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサ
ルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを
油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内
容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯
体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
ラスコに、２−メチルチオナフト［１，２−ｄ］チアゾ
ール１６．２ｇ（０．０７モル）及び１，４−ブタンサ
ルトン１４ｇ（０．１０モル）を入れ、このフラスコを
油浴中に漬け内容物を１６０℃に加熱した。フラスコ内
容物を撹拌しながら、これに三フッ化ホウ素エーテル錯
体１４ｍｌ（０．１１モル）を徐々に（約１０分を要し
て）添加し、フラスコ内容物を１６０℃に維持して１時
間反応を行なった。
【０１０４】反応終了後、反応生成混合物を室温にまで
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
０．８ｇ（収率５８％）得た。
冷却し、フラスコに酢酸エチル２８０ｍｌを添加し撹拌
すると、白色結晶が析出した。この結晶を濾別し、５０
℃で１時間乾燥して、標題化合物を白色結晶として１
０．８ｇ（収率５８％）得た。
【０１０５】［比較例２］三フッ化ホウ素エーテル錯体
を使用しないで、反応温度を２２０℃にし、加熱時間を
６時間にした他は、実施例３におけると同様にして、２
−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾール及び１，４
−ブタンサルトンの混合物の加熱、及び後処理を行なっ
た。しかし目的化合物である２−メチルナフト［１，２
−ｄ］オキサゾリウム ３−ブタンスルホナートは３．
３ｇ（収率１５％）しか得られなかった。
を使用しないで、反応温度を２２０℃にし、加熱時間を
６時間にした他は、実施例３におけると同様にして、２
−メチルナフト［１，２−ｄ］オキサゾール及び１，４
−ブタンサルトンの混合物の加熱、及び後処理を行なっ
た。しかし目的化合物である２−メチルナフト［１，２
−ｄ］オキサゾリウム ３−ブタンスルホナートは３．
３ｇ（収率１５％）しか得られなかった。
【０１０６】
【発明の効果】本発明のアルキルスルホナート誘導体の
製造方法は、一般式（１）で表わされる含窒素複素環化
合物と脂肪族サルトンとから、一般式（３）で表わされ
るアルキルスルホナート誘導体を、高収率で製造するこ
とができるという顕著に優れた効果を奏する。
製造方法は、一般式（１）で表わされる含窒素複素環化
合物と脂肪族サルトンとから、一般式（３）で表わされ
るアルキルスルホナート誘導体を、高収率で製造するこ
とができるという顕著に優れた効果を奏する。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｄ 293/12 Ｃ０７Ｄ 293/12 471/10 471/10 491/107 491/107 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C07D 277/84 C07D 209/60 C07D 235/02 C07D 263/60 C07D 293/10 C07D 293/12 C07D 471/10 C07D 491/107 ＣＡ（ＳＴＮ) ＣＡＯＬＤ（ＳＴＮ) ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (3)
- 【請求項１】 下記一般式（１）： 【化１】 ［式中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1 −、−Ｓｅ
−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有して
いてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及びＲ3 は連
結して環を形成してもよい）を表わし、 Ａは水素原子、メルカプト基、アリールチオ基、アラル
キル基、スルホ基、ハロゲン原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していても良いアルキル
チオ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換
基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシ基又は
置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ基
を表わし、そしてＲ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 は、
水素原子、アルキル基、アリール基、置換基を有してい
てもよいアルコキシ基、アリールオキシ基、ハロアルキ
ル基、アルキルチオ基、ハロゲン原子、シアノ基、カル
ボキシル基、スルホ基又はスルホン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、下記一般式
（２）： 【化２】 ［式中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基
を表わす］ で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸の存在下で
反応させて、下記一般式（３）： 【化３】 ［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｘ及びＺ
は上記の通りである］で表わされるアルキルスルホナー
ト誘導体を生成させることを特徴とするアルキルスルホ
ナート誘導体の製造方法。 - 【請求項２】 上記一般式（１）中のＲ4 、Ｒ5 、Ｒ
6 、Ｒ7 及びＲ8 の少なくとも一つが、アルキル基、ア
リール基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、ア
リールオキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハ
ロゲン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又は
スルホン酸基を表わす請求項１に記載のアルキルスルホ
ナート誘導体の製造方法。 - 【請求項３】 下記一般式（１）： 【化４】 ［式中、Ｘは、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ1 −、−Ｓｅ
−、−Ｔｅ−又は−ＣＲ2Ｒ3 −（但し、Ｒ1 、Ｒ2 及
びＲ3 はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を有して
いてもよい低級アルキル基を表わし、Ｒ2 及びＲ3 は連
結して環を形成してもよい）を表わし、 Ａは水素原子、メルカプト基、アリールチオ基、アラル
キル基、スルホ基、ハロゲン原子、置換基を有していて
もよいアルキル基、置換基を有していても良いアルキル
チオ基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換
基を有していてもよいアルキルスルホニルオキシ基又は
置換基を有していてもよいアリールスルホニルオキシ基
を表わし、 Ｒ4 とＲ5 、Ｒ5 とＲ6 、Ｒ6 とＲ7 及びＲ7 とＲ8 の
少なくとも一つの組み合わせが、互いに連結して、それ
ぞれが結合するナフタレン環の二価の炭化水素基と共に
芳香族環又はシクロアルケン環を形成しており、そして
上記Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 及びＲ8 の内、環の形成を
行なわなかったものは、水素原子、アルキル基、アリー
ル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、アリー
ルオキシ基、ハロアルキル基、アルキルチオ基、ハロゲ
ン原子、シアノ基、カルボキシル基、スルホ基又はスル
ホン酸基を表わす。］ で表わされる含窒素複素環化合物と、下記一般式
（２）： 【化５】 ［式中、Ｚは、置換基を有していてもよいアルキレン基
を表わす］ で表わされる脂肪族サルトンとを、ルイス酸の存在下で
反応させて、下記一般式（３）： 【化６】 ［式中、Ａ、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ8 、Ｘ及びＺ
は上記の通りである］ で表わされるアルキルスルホナート誘導体を生成させる
ことを特徴とするアルキルスルホナート誘導体の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05147793A JP3266358B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | アルキルスルホナート誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05147793A JP3266358B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | アルキルスルホナート誘導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06239845A JPH06239845A (ja) | 1994-08-30 |
| JP3266358B2 true JP3266358B2 (ja) | 2002-03-18 |
Family
ID=12888038
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05147793A Expired - Fee Related JP3266358B2 (ja) | 1993-02-16 | 1993-02-16 | アルキルスルホナート誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3266358B2 (ja) |
-
1993
- 1993-02-16 JP JP05147793A patent/JP3266358B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06239845A (ja) | 1994-08-30 |
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