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JP3111813B2 - 可撓性太陽電池モジュールの製造方法 - Google Patents

可撓性太陽電池モジュールの製造方法

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JP3111813B2
JP3111813B2 JP06153141A JP15314194A JP3111813B2 JP 3111813 B2 JP3111813 B2 JP 3111813B2 JP 06153141 A JP06153141 A JP 06153141A JP 15314194 A JP15314194 A JP 15314194A JP 3111813 B2 JP3111813 B2 JP 3111813B2
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    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、絶縁性フィルム基材上
に複数層を成膜して作製した薄膜光電変換素子の複数個
を配線によって接続し、両面に保護膜を被覆して封止し
た可撓性太陽電池モジュールの製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】絶縁性フィルム基材を用いて作製する薄
膜光電変換素子は、長尺基材を用いることができるため
生産性を高めることができ、可撓性を有するため使用時
の装着場所が広範囲となる。そのような薄膜光電変換素
子を用いて所要の出力をもつ太陽電池を得るために複数
の素子をモジュール化が行われる。所要の電圧電流特性
の太陽電池モジュールを製造するためには、配線工程で
光電変換素子の直並列接続を行う必要が生じ、場合によ
っては直並列配線を交差させなければならず、導電性リ
ード線間の短絡や導電性リード線と薄膜光電変換素子の
端子電極間の短絡によるモジュール特性の低下を防ぐた
めに絶縁性テープや絶縁性樹脂等の絶縁層を挿入して配
線を行っている。
【0003】図2はモジュール化のための配線方法の例
を示し、単位光電変換セルの直列接続構造を有する光電
変換素子1の電極面上でプラス端子電極21とマイナス
端子電極22を導電性を有するリード線31で接続する
方法が取られており、導電性リード線31は導電性粘着
テープ32をはりつけたり、はんだ33でろう付けした
りすることで端子電極21、22と接続させている。そ
して、モジュール全体の耐環境性を高めるため、図3に
示すように薄膜光電変換素子1の両面を絶縁性接着樹脂
7を介して防湿性の保護フィルム8で被覆するが、機械
的強度を高めるために、光電変換素子1のフィルム基材
側と保護フィルム8の間に金属箔9を挿入する。 これ
までに、モジュール化工程を簡略化する目的で、特開昭
60−107872号公報により太陽電池の保護膜とす
る透明フィルムまたはガラス板上に接続電極を設けるこ
と、特開昭60−128647号公報により可撓性フィ
ルム上に導体リード層とはんだ層を形成した可撓性フィ
ルム導体リードを用いることが公知となっている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】従来の配線工程は、薄
膜光電変換素子上で複雑な配線作業を必要とし、費やす
労力が大きいばかりでなく、配線間や薄膜光電変換素子
間および薄膜光電変換素子内短絡によるモジュール特性
の低下をも招き、結果的に薄膜太陽電池モジュールの低
コスト化の妨げとなっている。また、前述の公開公報で
公知の技術をもってしても、ロール上に巻かれた大面積
絶縁性フィルム基材を用いた可撓性薄膜太陽電池モジュ
ールの作製においては、前者の方法では電極内および電
極同志の接触不良の問題や直並列配線が複雑になるこ
と、また、後者では安価とは言い難いレーザ加工を必要
としており、薄膜光電変換素子を熱容量の小さい絶縁性
フィルム基材上に形成した可撓性薄膜太陽電池では熱影
響も無視できないこと、あるいは光電変換素子と接続電
極用フィルム間の封止方法等の問題が解決できない。さ
らに、配線工程終了後封止工程を行う場合、両工程の間
で薄膜光電変換素子特性の低下をも招きかねない。
【0005】本発明の目的は、上述の問題を解決し、低
コスト化の可能な可撓性太陽電池モジュールの製造方法
を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明は、第一の可撓性の絶縁性基板の一面上に
両面を電極層ではさまれた光電変換層を有し、前記基板
上の他面上にそれぞれ一面上の電極層の一つと接続され
た端子電極層を有する薄膜光電変換素子の複数個を相互
に接続してなる可撓性太陽電池モジュールの製造方法に
おいて、薄膜光電変換素子の端子電極層相互間の接続
を、第二の可撓性の絶縁性基板上に形成された導電層と
前記端子電極層とを結合することによって行うこともの
とする。第二の可撓性の絶縁性基板の大きさが、第一の
可撓性の絶縁性基板上の相互に接続すべき複数の薄膜光
電変換素子の端子電極層のすべてを同時に覆う大きさで
あるか、第二の可撓性絶縁性基板の大きさが、一つの導
電層によって接続される端子電極層のみを覆う大きさで
あることが有効である。端子電極層と導電層との結合を
導電層の表面部のはんだ層を端子電極層に密着させ、加
熱することによって行うことが良い。そのために、少な
くとも一方が加熱される二つのローラの間に両絶縁性基
板をはさみ込むことによって端子電極層と導電層を密着
させることが良い。対向する端子電極層と導電層が結合
された第一、第二の可撓性の絶縁性基板を2枚の保護フ
ィルムの間に接着樹脂層を介して封止することが有効で
ある。その場合、第二の可撓性の絶縁性基板と保護フィ
ルムの間に金属箔を挿入することが良い。第一、第二の
可撓性基板の両面に少なくとも接着樹脂よりなるフィル
ムを介して保護フィルムを積層し、その積層体を少なく
とも一方が加熱される二つのローラの間にはさみ込むこ
とによって封止することが良い方法である。第二の可撓
性の絶縁性基板に分散して複数の貫通孔が明けられたこ
とが良い。そして、第二の可撓性の絶縁性基板に明けら
れた貫通孔を通して第一の可撓性の絶縁性基板を吸引す
ることによって端子電極層と導電層を密着させることが
良い。貫通孔の開口面積の合計が第二の可撓性の絶縁性
基板の面積の20%以上であることが望ましい。
【0007】
【作用】モジュール化される薄膜光電変換素子の端子電
極層を可撓性の絶縁性基板の裏面側に設けておき、第二
の可撓性の絶縁性基板の一面上に導電層のパターンをそ
の端子電極層に対向させ、相互に接続すべき端子電極層
を対向導電層表面部のはんだ層に密着させて加熱すれ
ば、一工程で端子電極層が導電層により接続される。密
着は、両絶縁性基板を重ねてロールの間にはさみ込む
か、第二の基板に明けた貫通孔を通じて素子を形成した
基板を吸引することにより簡単にできる。その貫通孔
は、端子電極層と導電層を結合した両基板を保護フィル
ムの間に接着性樹脂を用いて封止するときの樹脂の通路
にもなり、封止作業時間が短くなる。
【0008】
【実施例】以下、図2および図3を含めて共通の部分に
同一の符号を付した図を引用して本発明の実施例につい
て述べる。図4ないし図8は本発明の一実施例の太陽電
池モジュールの構成部材を示し、図4は組立前の斜視断
面図、図5および図7は薄膜光電変換素子搭載用基板の
断面図および平面図、図6および図8は配線搭載用基板
の断面図および平面図である。
【0009】薄膜光電変換素子1は、図5に示すように
絶縁性フィルム10上にAg、Al、Cr、Ni、Cu
あるいはCを主成分とする金属電極または金属電極と金
属酸化物からなる透明電極との積層構造からなる反射電
極層11、a−Siのpin接合に代表される非晶質半
導体薄膜からなる光電変換層12、ZnO、SnO2
るいはIn2 3 等の金属酸化物を主成分とする透明電
極層13を順次積層したものである。各層は、スパッタ
法や蒸着法に代表されるPVD法、またはプラズマCV
D法や熱CVD法、MOCVD法に代表されるCVD法
により成膜される。成膜は、ロールツーロール方式、ス
テッピングロール方式のいずれによっても行うことがで
きる。各層の成膜後レーザスクライビング法等により反
射電極層11、光電変換層12、透明電極層13それぞ
れを複数の領域に分断し、図示しないが光電変換層12
の一つの領域の下の反射電極層11の一端を隣接する光
電変換層12の領域の上の透明電極層13と電気的に接
続して直列接続構造の薄膜光電変換素子1を得る。絶縁
性フィルム10の光電変換素子1搭載面と反対側の面に
は、Ag、Al、Cr、Cu、NiあるいはCrを主成
分とする電極層をスパッタ法あるいは蒸着法等のPVD
法もしくは印刷法により成膜したのち、パターニングに
よりプラス端子電極層21とマイナス端子電極層22が
形成されている。光電変換層12が、透明電極層13の
側から順にp−i−n接合構造をもつとすると、プラス
端子電極層21は、絶縁性フィルム10、反射電極層1
1、光電変換層12を貫通し、反射電極層11と絶縁さ
れた導体23により透明電極層13と接続され、マイナ
ス端子電極層22は、絶縁性フィルム10を貫通する導
体24により反射電極層11と接続される。電極材料に
より異なるが、端子電極層31、32の厚さを100n
m以上とすることで、その抵抗損失は無視できるほど小
さくなる。
【0010】配線搭載基板に用いる絶縁性フィルム4
は、接続工程および接続後におけるフィルムの寸法変化
等による応力の発生やモジュールの破壊を防ぐため、薄
膜光電変換素子1を搭載する絶縁性フィルム基材10と
比較して、少なくとも弾性率、熱膨脹係数、吸湿膨張係
数、熱収縮率がすべて0.8〜1.2倍の範囲内のものを用
いるが、厚さは同一でなくても光電変換素子搭載用絶縁
性フィルム10と同じ材質のフィルムを用いることが最
も望ましい。配線搭載用絶縁性フィルム4の大きさは、
配線および封止工程を簡略化するために光電変換素子1
および端子電極層21、22を完全に覆う大きさが望ま
しい。しかし、接続を行う端子電極層21、22のみを
覆う大きさでもよい。この絶縁性フィルム4は、パンチ
等の機械加工やレーザ等による熱加工により貫通孔5を
全面に分散して形成するか、またはフィルム成形段階に
おいて貫通孔を分散して形成したものや複数のフィルム
を重ね合わせて貫通孔を加工したものを用いる。貫通孔
5の形状は円形である必要はなく楕円形でも多角形でも
よく、薄膜光電変換素子1の封止時に配線搭載用フィル
ム4と薄膜光電変換素子搭載用フィルム10との間に絶
縁性接着樹脂を浸透させるため、貫通孔5の表面積が絶
縁性フィルム4の表面積に対し少なくとも20%以上に
なるようにしておく。絶縁性フィルム4の表面上には、
薄膜光電変換素子1およびその端子電極21、22のパ
ターンと一致する導電層6が形成され、その上にはんだ
層61が積層されている。この導電層6は、Ag、A
l、Cr、Cu、NiあるいはC等を主成分とし、スパ
ッタ法や蒸着法に代表されるPVD法を用いて、マスク
成膜あるいは成膜後のエッチングによるパターニングで
形成される。膜厚は、導電層6の中で抵抗成分による電
圧降下が生じないように100nm以上にする。しか
し、導電性ペーストを塗布・焼結させる印刷法により形
成してもよい。はんだ層61は、導電層6と薄膜光電変
換素子1の端子電極31、32との電気的接続を確実に
行うため、導電層6上には印刷法やめっき法を用いて、
200℃以下の温度で融解する共晶系の低融点はんだに
より形成する。
【0011】図9は、図1〜図5に示した薄膜光電変換
素子搭載用フィルム10と配線搭載用フィルム4とを重
ね合わせる装置の一例を示し、コア51の上にロール状
に巻かれたフィルム10とコア52の上にロール状に巻
かれたフィルム4は、フィルム10の上の端子電極層2
1、22がフィルム4の上の導電層6の上に重なる位置
関係になるように引きだされ、少なくとも一方が加熱さ
れるローラ53、54の間に挟み込まれて加熱圧着さ
れ、再びコア55にロール状に巻きとられる。この工程
は、ロールツーロール方式およびステッピングロール方
式のいずれによっても行うことができる。各々のフィル
ム10、4は巻取側に対し巻送り側で一定の張力になる
ように張られ、少なくとも一方が加熱されたローラから
なる加熱圧着ローラ53、54のいずれか一方に押しつ
けられている状態にする。加熱されたローラ53あるい
は54の表面温度は薄膜光電変換素子1への熱影響を考
慮すると200℃以下の温度であることが望ましいが、
大気中250℃の加熱処理を1分間行ってもa−Si層
からなる薄膜光電変換素子1の特性の低下が生じないこ
とから最高250℃の温度範囲で行う。各々のフィルム
10、4の熱容量が極めて小さいことから、フィルムの
温度は瞬時にはんだ層61の融点に達し、はんだは融解
し、同様にローラ間に挟み込まれた状態から抜け出すと
急速に冷却されることから、薄膜光電変換素子搭載用フ
ィルム10の端子電極層21、22と配線搭載用フィル
ム4の電極層6をローラ53、54間に挟み込まれた状
態で固着させることができる。なお、冷却を充分にする
ために加熱圧着後に冷却ローラを介して巻き取ってもよ
い。加熱圧着は加熱圧着ローラ間に挟み込んで行う方法
のほかに、フィルム10および4を配線搭載用フィルム
4の配線搭載面と反射側から吸引し、端子電極層21、
22とはんだ層61を密着した状態にして加熱圧着して
もよい。フィルム10はフィルム4に設けられた貫通孔
5を介して吸引されているので、まくれ上がりや電極同
志の位置ずれ等が生じずに圧着することができる。フィ
ルム10とフィルム4の位置関係は、各々のフィルムの
幅方向端に位置検出用マーカーを設けておくことで容易
に認識することができる。フィルム10、4の材料の弾
性率、熱膨脹係数、吸湿膨張係数、熱収縮率の差を小さ
くすることで、端子電極層21、22とはんだ層61が
密着する位置関係にすることに困難は伴わない。
【0012】図1は図4〜図8に示した薄膜光電変換素
子搭載用フィルム10と配線搭載用フィルム4を封止し
てなる本発明の一実施例の可撓性薄膜太陽電池モジュー
ルの断面図である。加熱圧着されたフィルム10とフィ
ルム4は、エチレン酢酸ビニルを重合体 (EVA) やポ
リオレフィン系の絶縁性接着樹脂7のフィルム間に金属
箔9と共に挟み込まれた状態で保護フィルム8を用いて
封止する。接着性樹脂7はフィルム4に明けた貫通孔5
を通して両フィルム10、4の間に入り込む。Al、A
g、Cu等の金属箔9は、樹脂の透水性や強度を補うた
めに配線搭載用フィルム4の裏面側に挿入され、モジュ
ールの耐候性を向上させる。保護フィルム8としては、
ふっ素系の耐候性を有する透光性フィルムあるいは比較
的安価なポリエチレンテレフタレート (PET) の透光
性フィルムを用いてもよく、透光性フィルムの上にSi
x 、SiOx 、非晶質SiNx :H、非晶質Si
x :Hあるいは非晶質SiCx :H等の透光性のパッ
シベーション膜を形成したものを用いてもよい。
【0013】図10は、配線工程と封止工程とを同時ま
たは連続で行う可撓性太陽電池モジュール製造装置の一
例を示す。図9に示した装置を同時に加熱圧着用ローラ
53、54間で薄膜光電変換素子搭載用フィルム10上
の端子電極層21、22と配線搭載用フィルム4上の導
電層6の加熱圧着を行ったのち、フィルム4側にコア5
6上にロール状に巻かれた絶縁性接着樹脂7のフィルム
70、コア57上にロール状に巻かれた金属箔9、コア
58上にロール状に巻かれた接着樹脂フィルム70、コ
ア59上にロール状に巻かれた保護フィルム8を、また
フィルム10側にコア66上にロール状に巻かれた接着
樹脂フィルム70、コア69上にロール状に巻かれた保
護フィルム8を順次引きだして積層する。そして、その
積層体を少なくとも一方が加熱された封止用ローラ6
3、64の間を通過させて接着用樹脂7を溶解、硬化さ
せて封止を行う。そして、コア55にロール状に巻き取
る。封止用ローラ63、64は図に示すように1対であ
る必要はなく、接着樹脂7の材料および封止プロファイ
ルの必要に応じて複数対であってもよい。接着樹脂フィ
ルム70、保護フィルム8、金属箔9は、加熱圧着ロー
ル53、54間で結合されたフィルム10、4に対する
位置制御を行う必要がなく、両フィルム全体を覆う大き
さであればよい。
【0014】図11に示す装置では、加熱圧着用ローラ
53、54を省略し、封止用ローラ63、64により端
子電極層21、22と導電層6の接続も同時に行う。ど
の装置も、ロールツーロール方式あるいはステッピング
ロール方式のいずれを採用することもできる。
【0015】
【発明の効果】本発明によれば、可撓性の絶縁性基板上
に形成した複数の薄膜光電変換素子の端子電極間の接続
を、別の可撓性基板上の導電層によって行うことによ
り、光電変換素子内および光電変換素子間の短絡等によ
る光電変換素子特性の低下を招くことなく複雑な直並列
接続工程および封止工程を簡略化でき、かつ、フィルム
の積層体をロール間を通過させることにより配線による
接続工程と封止工程とを同一工程あるいは連続工程で行
うことが可能になる。また、この工程はロールツーロー
ル方式あるいはステッピングロール方式により行うこと
が可能で、可撓性太陽電池モジュールの製造工程が簡略
化し、モジュール製造方法における大幅なコストダウン
が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施例により製造された可撓性太陽
電池モジュールの断面図
【図2】従来の可撓性太陽電池モジュールの部分平面図
【図3】従来の可撓性太陽電池モジュールの断面図
【図4】本発明の一実施例により製造される可撓性太陽
電池モジュールの構成部材の組立前の斜視断面図
【図5】図4のうちの薄膜光電変換素子搭載用基板の断
面図
【図6】図4のうちの配線搭載用基板の断面図
【図7】図4のうちの薄膜光電変換素子搭載用基板の平
面図
【図8】図4のうちの配線搭載用基板の平面図
【図9】本発明の一実施例の可撓性太陽電池モジュール
製造方法に用いる装置の一例の構成図
【図10】本発明の一実施例の可撓性太陽電池モジュー
ル製造方法に用いる装置の別の例の構成図
【図11】本発明の一実施例の可撓性太陽電池モジュー
ル製造方法に用いる装置のさらに別の例の構成図
【符号の説明】
1 薄膜光電変換素子 10、4 絶縁性フィルム 11 反射電極層 12 光電変換層 13 透明電極層 21 プラス端子電極層 22 マイナス端子電極層 23、24 導体 5 貫通孔 6 導電層 61 はんだ層 7 接着性樹脂 8 保護フィルム 9 金属箔 53、54 加熱圧着用ローラ 63、64 封止用ローラ
フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01L 31/04 - 31/078

Claims (11)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第一の可撓性の絶縁性基板の一面上に両面
    を電極層ではさまれた光電変換層を有し、前記基板上の
    他面上にそれぞれ一面上の電極層の一つと接続された端
    子電極層を有する薄膜光電変換素子の複数個を相互に接
    続してなる可撓性太陽電池モジュールの製造方法におい
    て、薄膜光電変換素子の端子電極層相互間の接続を、第
    二の可撓性の絶縁性基板上に形成された導電層と前記端
    子電極層とを結合することによって行うことを特徴とす
    る可撓性太陽電池モジュールの製造方法。
  2. 【請求項2】第二の可撓性の絶縁性基板の大きさが、第
    一の可撓性の絶縁性基板上の相互に接続すべき複数の薄
    膜光電変換素子の端子電極層のすべてを同時に覆う大き
    さである請求項1記載の可撓性太陽電池モジュールの製
    造方法。
  3. 【請求項3】第二の可撓性絶縁性基板の大きさが、一つ
    の導電層によって接続される端子電極層のみを覆う大き
    さである請求項1記載の可撓性太陽電池モジュールの製
    造方法。
  4. 【請求項4】端子電極層と導電層との結合を導電層の表
    面部のはんだ層を端子電極層に密着させ、加熱すること
    によって行う請求項1ないし3のいずれかに記載の可撓
    性太陽電池モジュールの製造方法。
  5. 【請求項5】少なくとも一方が加熱される二つのローラ
    の間に両絶縁性基板をはさみ込むことによって端子電極
    層と導電層を密着させる請求項4記載の可撓性太陽電池
    モジュールの製造方法。
  6. 【請求項6】対向する端子電極層と導電層が結合された
    第一、第二の可撓性の絶縁性基板を2枚の保護フィルム
    の間に接着樹脂層を介して封止する請求項1ないし5の
    いずれかに記載の可撓性太陽電池モジュールの製造方
    法。
  7. 【請求項7】第二の可撓性の絶縁性基板と保護フィルム
    の間に金属箔を挿入する請求項6記載の可撓性太陽電池
    モジュールの製造方法。
  8. 【請求項8】第一、第二の可撓性基板の両面に少なくと
    も接着樹脂よりなるフィルムを介して保護フィルムを積
    層し、その積層体を少なくとも一方が加熱される二つの
    ローラの間にはさみ込むことによって封止する請求項6
    あるいは7記載の可撓性太陽電池モジュールの製造方
    法。
  9. 【請求項9】第二の可撓性の絶縁性基板に分散して複数
    の貫通孔が明けられた請求項1ないし8のいずれかに記
    載の可撓性太陽電池モジュールの製造方法。
  10. 【請求項10】第二の可撓性の絶縁性基板に明けられた貫
    通孔を通して第一の可撓性の絶縁性基板を吸引すること
    によって端子電極層と導電層を密着させる請求項4およ
    び9記載の可撓性太陽電池モジュールの製造方法。
  11. 【請求項11】貫通孔の開口面積の合計が第二の可撓性の
    絶縁性基板の面積の20%以上である請求項9あるいは
    10記載の可撓性太陽電池モジュールの製造方法。
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