JP3084882B2 - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JP3084882B2 JP3084882B2 JP04021683A JP2168392A JP3084882B2 JP 3084882 B2 JP3084882 B2 JP 3084882B2 JP 04021683 A JP04021683 A JP 04021683A JP 2168392 A JP2168392 A JP 2168392A JP 3084882 B2 JP3084882 B2 JP 3084882B2
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、導電性支持体上に感光
層を被覆した電子写真感光体に関する。さらに詳しく
は、電荷発生材料および電荷輸送材料に特定の化合物を
選択した電子写真感光体に関するものである。
層を被覆した電子写真感光体に関する。さらに詳しく
は、電荷発生材料および電荷輸送材料に特定の化合物を
選択した電子写真感光体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、電子写真感光体としては、感光層
が単層型のものと積層型のものとがあるが、特に近年、
感光層として、有機系光導電性物質を樹脂等で結着し、
電荷輸送層と電荷発生層とに機能分離させた層構造を有
する有機系電子写真感光体に関して様々な提案がなされ
ている。それらの材料としては、電荷発生材料および電
荷輸送材料について種々のものが提案されている。例え
ば、電荷発生材料としては、多環キノン顔料、ペリレン
顔料、インジゴ顔料、ビスイミダゾール顔料、キナクリ
ドン顔料、フタロシアニン顔料、モノアゾ顔料、ビスア
ゾ顔料、トリスアゾ顔料、ポリアゾ顔料等が知られてい
る。また、電荷輸送材料としては、アミノ系化合物、ヒ
ドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合
物、オキサジアゾール化合物、スチルベン化合物、カル
バゾール化合物等が知られている。さらに、これらの電
荷発生材料と電荷輸送材料とを組み合わせて使用するこ
とについても種々提案されている。(例えば、フタロシ
アニン顔料との組み合わせについては、特開昭57−5
4942号、同60−59355号、同61−2034
61号、同62−67094号公報等)
が単層型のものと積層型のものとがあるが、特に近年、
感光層として、有機系光導電性物質を樹脂等で結着し、
電荷輸送層と電荷発生層とに機能分離させた層構造を有
する有機系電子写真感光体に関して様々な提案がなされ
ている。それらの材料としては、電荷発生材料および電
荷輸送材料について種々のものが提案されている。例え
ば、電荷発生材料としては、多環キノン顔料、ペリレン
顔料、インジゴ顔料、ビスイミダゾール顔料、キナクリ
ドン顔料、フタロシアニン顔料、モノアゾ顔料、ビスア
ゾ顔料、トリスアゾ顔料、ポリアゾ顔料等が知られてい
る。また、電荷輸送材料としては、アミノ系化合物、ヒ
ドラゾン化合物、ピラゾリン化合物、オキサゾール化合
物、オキサジアゾール化合物、スチルベン化合物、カル
バゾール化合物等が知られている。さらに、これらの電
荷発生材料と電荷輸送材料とを組み合わせて使用するこ
とについても種々提案されている。(例えば、フタロシ
アニン顔料との組み合わせについては、特開昭57−5
4942号、同60−59355号、同61−2034
61号、同62−67094号公報等)
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところで、電子写真感
光体において、高感度かつ繰り返し安定性に優れた電子
写真特性を得るためには、1)電荷発生材料が吸収した
光に対して効率よく電荷を発生すること、2)発生した
電荷が電荷発生材料から電荷輸送材料にスムーズに注入
されること、そして3)電荷輸送材料に注入した電荷が
電荷輸送層中を高速で移動できること、以上の条件を満
たすことが必要とされる。つまり、条件1)の効率よく
電荷を発生する電荷発生材料および条件3)の電荷を高
速で移動できる電荷輸送材料が、各々個別に存在して
も、条件2)を満足するような電荷発生材料と電荷輸送
材料との組み合わせでなければ、高感度かつ繰り返し安
定性に優れた電子写真特性を得ることはできない。
光体において、高感度かつ繰り返し安定性に優れた電子
写真特性を得るためには、1)電荷発生材料が吸収した
光に対して効率よく電荷を発生すること、2)発生した
電荷が電荷発生材料から電荷輸送材料にスムーズに注入
されること、そして3)電荷輸送材料に注入した電荷が
電荷輸送層中を高速で移動できること、以上の条件を満
たすことが必要とされる。つまり、条件1)の効率よく
電荷を発生する電荷発生材料および条件3)の電荷を高
速で移動できる電荷輸送材料が、各々個別に存在して
も、条件2)を満足するような電荷発生材料と電荷輸送
材料との組み合わせでなければ、高感度かつ繰り返し安
定性に優れた電子写真特性を得ることはできない。
【0004】また、電子写真感光体を実用化するために
は、上記の条件を満足するものであって、感度、受容電
位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特性等の
電子写真特性、耐摩耗性等の機械的耐久性、熱、光、放
電生成物に対する化学的安定性など、すべての点におい
て満足する材料を選択しなければならない。しかしなが
ら、これらのすべての点を満足するような材料の組み合
わせを選択することは非常に困難なことであって、従来
提案されている電荷発生材料と電荷輸送材料との組み合
わせについて、上記条件を十分満足するものは得られて
いない。本発明は上述のような事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は高感度でかつ繰り返し安定性が
高い電子写真感光体を提供することにある。
は、上記の条件を満足するものであって、感度、受容電
位、電位保持性、電位安定性、残留電位、分光特性等の
電子写真特性、耐摩耗性等の機械的耐久性、熱、光、放
電生成物に対する化学的安定性など、すべての点におい
て満足する材料を選択しなければならない。しかしなが
ら、これらのすべての点を満足するような材料の組み合
わせを選択することは非常に困難なことであって、従来
提案されている電荷発生材料と電荷輸送材料との組み合
わせについて、上記条件を十分満足するものは得られて
いない。本発明は上述のような事情に鑑みてなされたも
のであって、その目的は高感度でかつ繰り返し安定性が
高い電子写真感光体を提供することにある。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、電荷発生
材料と電荷輸送材料との種々の組み合わせについて検討
した結果、特定の電荷発生材料の新規な結晶と特定の電
荷輸送材料とを組み合わせることにより、高感度でかつ
繰り返し安定性に優れた電子写真感光体が得られること
を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発
明は、電荷発生材料および電荷輸送材料を含有する感光
層を導電性支持体上に被覆した電子写真用感光体におい
て、電荷発生材料として、X線回折スペクトルにおける
ブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.4°、16.6
°、25.5°および28.3°に強い回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶、また
はX線回折スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±
0.2°)が8.5°、11.2°、14.5°、2
7.2°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロ
シアニンの新規な結晶を用い、かつ、電荷輸送材料とし
て、下記一般式(I)
材料と電荷輸送材料との種々の組み合わせについて検討
した結果、特定の電荷発生材料の新規な結晶と特定の電
荷輸送材料とを組み合わせることにより、高感度でかつ
繰り返し安定性に優れた電子写真感光体が得られること
を見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発
明は、電荷発生材料および電荷輸送材料を含有する感光
層を導電性支持体上に被覆した電子写真用感光体におい
て、電荷発生材料として、X線回折スペクトルにおける
ブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.4°、16.6
°、25.5°および28.3°に強い回折ピークを有
するクロロガリウムフタロシアニンの新規な結晶、また
はX線回折スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±
0.2°)が8.5°、11.2°、14.5°、2
7.2°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロ
シアニンの新規な結晶を用い、かつ、電荷輸送材料とし
て、下記一般式(I)
【化4】 (式中、各R1 は、同一でも異なっていてもよく、水素
原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を
表わし、R2 、R3 は、それぞれ同一でも異なっていて
もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子または置換アミノ基を表わす。各m,nは0〜2
の整数である。)で示されるベンジジン系化合物を用い
る電子写真感光体にある。そして、上記一般式(I)で
示されるベンジジン系化合物のうち、既に本発明者等が
特開昭62−247374号公報に開示した下記一般式
(II)
原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を
表わし、R2 、R3 は、それぞれ同一でも異なっていて
もよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロゲ
ン原子または置換アミノ基を表わす。各m,nは0〜2
の整数である。)で示されるベンジジン系化合物を用い
る電子写真感光体にある。そして、上記一般式(I)で
示されるベンジジン系化合物のうち、既に本発明者等が
特開昭62−247374号公報に開示した下記一般式
(II)
【化5】 (式中、各R4 、R5 はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、水素原子またはメチル基を表わす。)で示され
るベンジジン系化合物または下記一般式(III)
もよく、水素原子またはメチル基を表わす。)で示され
るベンジジン系化合物または下記一般式(III)
【化6】 (式中、各R6 およびR7 のいずれか一方は炭素数2以
上のアルキル基を表わし、他方は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基または置換アミノ基を表わす。)で示
されるベンジジン系化合物を電荷輸送材料として選択す
ると、溶剤に対する溶解性および樹脂に対する相溶性が
高く、均一な塗膜および均一な界面を形成できるため、
特に、高感度でかつ繰り返し安定性に優れた電子写真特
性がもたらされる。
上のアルキル基を表わし、他方は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基または置換アミノ基を表わす。)で示
されるベンジジン系化合物を電荷輸送材料として選択す
ると、溶剤に対する溶解性および樹脂に対する相溶性が
高く、均一な塗膜および均一な界面を形成できるため、
特に、高感度でかつ繰り返し安定性に優れた電子写真特
性がもたらされる。
【0006】以下、本発明についてさらに詳しく説明す
る。本発明の電子写真感光体は、感光層が単層構造のも
のでもあるいは電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離さ
れた積層構造のものでもよい。感光層が積層構造を有す
る場合において、電荷発生層には前記クロロガリウムフ
タロシアニン結晶またはジクロロスズフタロシアニン結
晶および結着樹脂を含有し、電荷輸送層には前記一般式
(I)で示されるベンジジン系化合物および結着樹脂を
含有する。図1ないし図6は、本発明の電子写真感光体
を模式的に示す断面図であり、感光層が積層構造のもの
を図1ないし図4に示しており、単層構造のものを図
5、6に示している。図1において、電荷発生層1およ
びその上に積層された電荷輸送層2からなる感光層が導
電性支持体3上に被覆されている。図2においては、電
荷発生層1と導電性支持体3の間に下引層4が介在して
おり、図3においては、電荷輸送層2の表面に保護層5
が被覆されており、また、図4においては、下引層4と
保護層5の両者が積層されている。さらに、図5におい
ては、電荷発生/電荷輸送層6が導電性支持体3上に被
覆されており、図6においては、電荷発生/電荷輸送層
6と導電性支持体3の間に下引層4が介在している。以
下、単層構造からなる感光層の説明を途中に加えなが
ら、上記層1〜6について詳細に説明する。
る。本発明の電子写真感光体は、感光層が単層構造のも
のでもあるいは電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離さ
れた積層構造のものでもよい。感光層が積層構造を有す
る場合において、電荷発生層には前記クロロガリウムフ
タロシアニン結晶またはジクロロスズフタロシアニン結
晶および結着樹脂を含有し、電荷輸送層には前記一般式
(I)で示されるベンジジン系化合物および結着樹脂を
含有する。図1ないし図6は、本発明の電子写真感光体
を模式的に示す断面図であり、感光層が積層構造のもの
を図1ないし図4に示しており、単層構造のものを図
5、6に示している。図1において、電荷発生層1およ
びその上に積層された電荷輸送層2からなる感光層が導
電性支持体3上に被覆されている。図2においては、電
荷発生層1と導電性支持体3の間に下引層4が介在して
おり、図3においては、電荷輸送層2の表面に保護層5
が被覆されており、また、図4においては、下引層4と
保護層5の両者が積層されている。さらに、図5におい
ては、電荷発生/電荷輸送層6が導電性支持体3上に被
覆されており、図6においては、電荷発生/電荷輸送層
6と導電性支持体3の間に下引層4が介在している。以
下、単層構造からなる感光層の説明を途中に加えなが
ら、上記層1〜6について詳細に説明する。
【0007】本発明の電子写真感光体における電荷発生
層1は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に電荷発生
材料を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体
3上に塗布することによって形成される。電荷発生材料
としては、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度
(2θ±0.2°)が、7.4°、16.6°、25.
5°および28.3°に強い回折ピークを有するクロロ
ガリウムフタロシアニンの新規な結晶または8.5°、
11.2°、14.5°および27.2°に強い回折ピ
ーク有するジクロロスズフタロシアニンの新規な結晶を
用いる。これらの結晶は公知の合成方法で製造されるク
ロロガリウムフタロシアニン結晶またはジクロロスズフ
タロシアニン結晶を乳鉢、ボールミル、サンドミル、ニ
ーダー等を用いて機械的に粉砕することによって製造す
ることができる。粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤
を用いると、非常に効率よく、粒径の整った本発明の結
晶型に転移させることが可能となる。磨砕助剤は上記フ
タロシアニン結晶に対し0.5倍〜20倍、好ましくは
1〜10倍用いる。この粉砕後に、例えば、トルエン、
メチルエチルケトン、塩化メチレン、テトラヒドロフラ
ン、ベンジルアルコール等の有機溶剤で上記フタロシア
ニン結晶を処理すると、さらに結晶性、粒径が整い、本
発明の最も好ましいクロロガリウムフタロシアニン結晶
またはジクロロスズフタロシアニン結晶を得ることがで
きる。溶剤処理は、必要に応じて、ガラスビーズ、スチ
ールビーズ、アルミナビーズ等の磨砕メディア等でミリ
ングしながら行ってもよい。
層1は、結着樹脂を有機溶剤に溶解した溶液に電荷発生
材料を分散させて塗布液を調製し、それを導電性支持体
3上に塗布することによって形成される。電荷発生材料
としては、X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度
(2θ±0.2°)が、7.4°、16.6°、25.
5°および28.3°に強い回折ピークを有するクロロ
ガリウムフタロシアニンの新規な結晶または8.5°、
11.2°、14.5°および27.2°に強い回折ピ
ーク有するジクロロスズフタロシアニンの新規な結晶を
用いる。これらの結晶は公知の合成方法で製造されるク
ロロガリウムフタロシアニン結晶またはジクロロスズフ
タロシアニン結晶を乳鉢、ボールミル、サンドミル、ニ
ーダー等を用いて機械的に粉砕することによって製造す
ることができる。粉砕の際に食塩、ぼう硝等の磨砕助剤
を用いると、非常に効率よく、粒径の整った本発明の結
晶型に転移させることが可能となる。磨砕助剤は上記フ
タロシアニン結晶に対し0.5倍〜20倍、好ましくは
1〜10倍用いる。この粉砕後に、例えば、トルエン、
メチルエチルケトン、塩化メチレン、テトラヒドロフラ
ン、ベンジルアルコール等の有機溶剤で上記フタロシア
ニン結晶を処理すると、さらに結晶性、粒径が整い、本
発明の最も好ましいクロロガリウムフタロシアニン結晶
またはジクロロスズフタロシアニン結晶を得ることがで
きる。溶剤処理は、必要に応じて、ガラスビーズ、スチ
ールビーズ、アルミナビーズ等の磨砕メディア等でミリ
ングしながら行ってもよい。
【0008】電荷発生層1を形成する結着樹脂は、広範
な樹脂から選択することができる。好ましい結着樹脂と
しては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリ
レート樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体
等)、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェ
ノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリア
ミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポ
リビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ポリウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ
ビニルピロリドン樹脂、カゼイン等の絶縁性樹脂をあげ
ることができる。また、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリ
シラン等の有機光導電性ポリマーをあげることもでき
る。しかし、これらの絶縁性樹脂ないし有機光導電性ポ
リマーに限定されるものではない。また、これらの結着
樹脂は単独または2種以上混合して用いることができ
る。
な樹脂から選択することができる。好ましい結着樹脂と
しては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリ
レート樹脂(ビスフェノールAとフタル酸の重縮合体
等)、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェ
ノキシ樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリア
ミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポ
リビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ポリウレタン
樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルアルコール樹脂、ポリ
ビニルピロリドン樹脂、カゼイン等の絶縁性樹脂をあげ
ることができる。また、ポリ−N−ビニルカルバゾー
ル、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリ
シラン等の有機光導電性ポリマーをあげることもでき
る。しかし、これらの絶縁性樹脂ないし有機光導電性ポ
リマーに限定されるものではない。また、これらの結着
樹脂は単独または2種以上混合して用いることができ
る。
【0009】前記フタロシアニン結晶を結着樹脂中に分
散させる溶剤としては、電荷輸送層2または下引層4を
溶解しないものから選択するのが好ましい。具体的に
は、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−
ブタノール、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢
酸メチル、酢酸n−ブチル、塩化メチレン、クロロホル
ム等の通常の有機溶剤を単独または2種以上混合して用
いることができる。
散させる溶剤としては、電荷輸送層2または下引層4を
溶解しないものから選択するのが好ましい。具体的に
は、メタノール、エタノール、n−プロパノール、n−
ブタノール、ベンジルアルコール、アセトン、メチルエ
チルケトン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、酢
酸メチル、酢酸n−ブチル、塩化メチレン、クロロホル
ム等の通常の有機溶剤を単独または2種以上混合して用
いることができる。
【0010】前記フタロシアニン結晶と結着樹脂との配
合比(重量)は、40:1〜1:20、好ましくは1
0:1〜1:10の範囲である。フタロシアニン結晶の
比率が高すぎる場合には塗布液の安定性が低下し、一
方、低すぎる場合には感光体の感度が低下するので、上
記範囲に設定するのが好ましい。前記フタロシアニン結
晶を分散させる方法としては、ボールミル分散法、アト
ライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法を採
用することができる。この際、粒子を0.5μm以下、
好ましくは0.3μm以下、さらに好ましくは0.15
μm以下の粒子サイズに微細化することが有効である。
また、分散によってフタロシアニンの結晶型が変化しな
い条件が必要とされるが、本発明者等は上記の分散法の
いずれを採用しても分散前と結晶型が変化していないこ
とを確認している。
合比(重量)は、40:1〜1:20、好ましくは1
0:1〜1:10の範囲である。フタロシアニン結晶の
比率が高すぎる場合には塗布液の安定性が低下し、一
方、低すぎる場合には感光体の感度が低下するので、上
記範囲に設定するのが好ましい。前記フタロシアニン結
晶を分散させる方法としては、ボールミル分散法、アト
ライター分散法、サンドミル分散法等の通常の方法を採
用することができる。この際、粒子を0.5μm以下、
好ましくは0.3μm以下、さらに好ましくは0.15
μm以下の粒子サイズに微細化することが有効である。
また、分散によってフタロシアニンの結晶型が変化しな
い条件が必要とされるが、本発明者等は上記の分散法の
いずれを採用しても分散前と結晶型が変化していないこ
とを確認している。
【0011】電荷発生層を形成する際に採用する塗布方
法としては、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法等の通常のコーティン
グ法を採用することができる。また、電荷発生層1の膜
厚は、一般的には0.1〜5μm、好ましくは0.2〜
2.0μmが適当である。
法としては、浸漬コーティング法、スプレーコーティン
グ法、マイヤーバーコーティング法、ブレードコーティ
ング法、ビードコーティング法、エアーナイフコーティ
ング法、カーテンコーティング法等の通常のコーティン
グ法を採用することができる。また、電荷発生層1の膜
厚は、一般的には0.1〜5μm、好ましくは0.2〜
2.0μmが適当である。
【0012】本発明の電子写真感光体における電荷輸送
層2は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて
形成される。電荷輸送材料としては、前記一般式(I)
で示されるベンジジン系化合物が使用される。具体的に
は、例えば下記の表1および表2に示すようなものがあ
げられる。これらの電荷輸送材料のうち、前記一般式
(II)および(III)で示されるベンジジン系化合
物を用いると、前述の電子写真特性が特に優れた電子写
真感光体を作成することができる。また、これらの電荷
輸送材料は単独または2種以上混合して用いてもよい。
層2は、電荷輸送材料を適当な結着樹脂中に含有させて
形成される。電荷輸送材料としては、前記一般式(I)
で示されるベンジジン系化合物が使用される。具体的に
は、例えば下記の表1および表2に示すようなものがあ
げられる。これらの電荷輸送材料のうち、前記一般式
(II)および(III)で示されるベンジジン系化合
物を用いると、前述の電子写真特性が特に優れた電子写
真感光体を作成することができる。また、これらの電荷
輸送材料は単独または2種以上混合して用いてもよい。
【0013】
【表1】
【0014】
【表2】
【0015】電荷輸送層2を形成する結着樹脂は、ポリ
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニ
リデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アク
リロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノ
ール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹
脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の公知の樹脂があ
げられるが、これらに限定されるものではない。また、
これらの結着樹脂は単独または2種以上混合して用いる
ことができる。
カーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹
脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニ
リデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、
スチレン−ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン−アク
リロニトリル共重合体、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合
体、塩化ビニル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合
体、シリコン樹脂、シリコン−アルキッド樹脂、フェノ
ール−ホルムアルデヒド樹脂、スチレン−アルキッド樹
脂、ポリ−N−ビニルカルバゾール等の公知の樹脂があ
げられるが、これらに限定されるものではない。また、
これらの結着樹脂は単独または2種以上混合して用いる
ことができる。
【0016】さらに、電荷輸送層2を形成する際に用い
る溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、クロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化
炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエチレン等
の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、
エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類な
ど通常の有機溶剤があげられる。これらの溶剤は単独ま
たは2種以上混合して用いることができる。
る溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳
香族炭化水素類、クロロベンゼン等の芳香族ハロゲン化
炭化水素類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン
類、塩化メチレン、クロロホルム、ジクロロエチレン等
の脂肪族ハロゲン化炭化水素類、テトラヒドロフラン、
エチルエーテル等の環状もしくは直鎖状のエーテル類な
ど通常の有機溶剤があげられる。これらの溶剤は単独ま
たは2種以上混合して用いることができる。
【0017】前記したような電荷輸送材料、結着樹脂お
よび溶剤を用いて塗布液を調製した後、前記したコーテ
ィング法と同様の手段により、塗布液を電荷発生層1上
に塗布して電荷輸送層2が形成される。その際、電荷輸
送材料と結着樹脂との配合比(重量)は10:1〜1:
5が好ましい。また、電荷輸送層2の膜厚は、一般的に
は5〜50μm程度、好ましくは10〜30μmが適当
である。
よび溶剤を用いて塗布液を調製した後、前記したコーテ
ィング法と同様の手段により、塗布液を電荷発生層1上
に塗布して電荷輸送層2が形成される。その際、電荷輸
送材料と結着樹脂との配合比(重量)は10:1〜1:
5が好ましい。また、電荷輸送層2の膜厚は、一般的に
は5〜50μm程度、好ましくは10〜30μmが適当
である。
【0018】本発明の感光層が単層構造を有する場合に
おいては、感光層は前記フタロシアニン結晶および電荷
輸送材料が結着樹脂に分散された電荷発生/電荷輸送層
6よりなる。この際、電荷輸送材料および結着樹脂は感
光層が積層構造からなる場合と同様なものが使用され、
前記と同様にして電荷発生/電荷輸送層6が形成され
る。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量)は1:
20〜5:1、クロロガリウムフタロシアニン結晶と電
荷輸送材料との配合比(重量)は1:10〜10:1程
度に設定するのが好ましい。
おいては、感光層は前記フタロシアニン結晶および電荷
輸送材料が結着樹脂に分散された電荷発生/電荷輸送層
6よりなる。この際、電荷輸送材料および結着樹脂は感
光層が積層構造からなる場合と同様なものが使用され、
前記と同様にして電荷発生/電荷輸送層6が形成され
る。電荷輸送材料と結着樹脂との配合比(重量)は1:
20〜5:1、クロロガリウムフタロシアニン結晶と電
荷輸送材料との配合比(重量)は1:10〜10:1程
度に設定するのが好ましい。
【0019】単層構造あるいは積層構造であるかを問わ
ず感光層には、複写時に発生するオゾンや酸化性ガスま
たは光、熱による感光体の劣化を防止する目的で、酸化
防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加すること
ができる。例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフ
ェノール、ヒンダードアミン、p−フェニレンジアミ
ン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマ
ン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄
化合物、有機燐化合物等があげられる。光安定剤の例と
しては、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオ
カルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導体があ
げられる。また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返
し使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の
電子受容性物質を含有させることができる。本発明の感
光体に使用可能な電子受容物質としては、例えば、無水
コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、
無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロ
ベンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン
酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、フタル
酸等をあげることができる。これらのうち、フルオレノ
ン系、キノン系やCl、CN、NO2等の電子吸引性置
換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
ず感光層には、複写時に発生するオゾンや酸化性ガスま
たは光、熱による感光体の劣化を防止する目的で、酸化
防止剤、光安定剤、熱安定剤等の添加剤を添加すること
ができる。例えば、酸化防止剤としては、ヒンダードフ
ェノール、ヒンダードアミン、p−フェニレンジアミ
ン、アリールアルカン、ハイドロキノン、スピロクロマ
ン、スピロインダノンおよびそれらの誘導体、有機硫黄
化合物、有機燐化合物等があげられる。光安定剤の例と
しては、ベンゾフェノン、ベンゾトリアゾール、ジチオ
カルバメート、テトラメチルピペリジン等の誘導体があ
げられる。また、感度の向上、残留電位の低減、繰り返
し使用時の疲労低減等を目的として、少なくとも1種の
電子受容性物質を含有させることができる。本発明の感
光体に使用可能な電子受容物質としては、例えば、無水
コハク酸、無水マレイン酸、ジブロモ無水マレイン酸、
無水フタル酸、テトラブロモ無水フタル酸、テトラシア
ノエチレン、テトラシアノキノジメタン、o−ジニトロ
ベンゼン、m−ジニトロベンゼン、クロラニル、ジニト
ロアントラキノン、トリニトロフルオレノン、ピクリン
酸、o−ニトロ安息香酸、p−ニトロ安息香酸、フタル
酸等をあげることができる。これらのうち、フルオレノ
ン系、キノン系やCl、CN、NO2等の電子吸引性置
換基を有するベンゼン誘導体が特に好ましい。
【0020】導電性支持体3としては、電子写真感光体
として使用することが可能なものならば、いかなるもの
も使用することができる。具体的には、アルミニウム、
ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類の他に、ア
ルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレ
ス、金、バナジウム、酸化スズ、酸化インジウム、IT
O等の薄膜を被覆したプラスチックフィルムなどあるい
は導電性付与剤を塗布または含浸させた紙、プラスチッ
クフィルムなどがあげられる。これらの導電性支持体3
は、ドラム状、シート状、プレート状等、適宜の形状の
ものとして使用されるが、これらに限定されるものでは
ない。さらに必要に応じて、導電性支持体3の表面は画
質に影響のない範囲で各種の処理を行ってもよく、例え
ば、表面の酸化処理や薬品処理および着色処理または砂
目立て等の乱反射処理などを施してもよい。
として使用することが可能なものならば、いかなるもの
も使用することができる。具体的には、アルミニウム、
ニッケル、クロム、ステンレス鋼等の金属類の他に、ア
ルミニウム、チタニウム、ニッケル、クロム、ステンレ
ス、金、バナジウム、酸化スズ、酸化インジウム、IT
O等の薄膜を被覆したプラスチックフィルムなどあるい
は導電性付与剤を塗布または含浸させた紙、プラスチッ
クフィルムなどがあげられる。これらの導電性支持体3
は、ドラム状、シート状、プレート状等、適宜の形状の
ものとして使用されるが、これらに限定されるものでは
ない。さらに必要に応じて、導電性支持体3の表面は画
質に影響のない範囲で各種の処理を行ってもよく、例え
ば、表面の酸化処理や薬品処理および着色処理または砂
目立て等の乱反射処理などを施してもよい。
【0021】本発明においては、導電性支持体3と感光
層の間にさらに下引層4が介在してもよい。この下引層
4は積層構造からなる感光層の帯電時において導電性支
持体3から感光層への電荷の注入を阻止するとともに、
感光層を導電性支持体3に対して一体的に接着保持させ
る接着層としての作用、あるいは場合によっては、導電
性支持体3の光の反射光防止作用等を示す。上記下引層
4を形成する結着樹脂は、ポリエチレン樹脂、ポリプロ
ピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
イミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセター
ル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアクリ
ル酸樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルアルコ
ール樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロセルロー
ス、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、ス
ターチアセテート、アミノ澱粉、ジルコニウムキレート
化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシ
ド化合物等の有機チタニル化合物、シランカップリング
剤などを用いることができる。下引層4を形成する際に
採用する塗布方法としては、ブレードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法があげられる。この下引層4の膜厚は、0.
01〜10μm、好ましくは0.05〜2μmが適当で
ある。
層の間にさらに下引層4が介在してもよい。この下引層
4は積層構造からなる感光層の帯電時において導電性支
持体3から感光層への電荷の注入を阻止するとともに、
感光層を導電性支持体3に対して一体的に接着保持させ
る接着層としての作用、あるいは場合によっては、導電
性支持体3の光の反射光防止作用等を示す。上記下引層
4を形成する結着樹脂は、ポリエチレン樹脂、ポリプロ
ピレン樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹脂、ポリアミ
ド樹脂、塩化ビニル樹脂、酢酸ビニル樹脂、フェノール
樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ
イミド樹脂、塩化ビニリデン樹脂、ポリビニルアセター
ル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、ポリアクリ
ル酸樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルアルコ
ール樹脂、水溶性ポリエステル樹脂、ニトロセルロー
ス、カゼイン、ゼラチン、ポリグルタミン酸、澱粉、ス
ターチアセテート、アミノ澱粉、ジルコニウムキレート
化合物、チタニルキレート化合物、チタニルアルコキシ
ド化合物等の有機チタニル化合物、シランカップリング
剤などを用いることができる。下引層4を形成する際に
採用する塗布方法としては、ブレードコーティング法、
マイヤーバーコーティング法、スプレーコーティング
法、浸漬コーティング法、ビードコーティング法、エア
ーナイフコーティング法、カーテンコーティング法等の
通常の方法があげられる。この下引層4の膜厚は、0.
01〜10μm、好ましくは0.05〜2μmが適当で
ある。
【0022】本発明は、さらに必要に応じて、感光層の
表面に保護層5を被覆してもよい。この保護層5は、積
層構造からなる感光層の帯電時の電荷輸送層2の化学的
変質を防止するとともに、感光層の機械的強度を改善す
るために被覆される。上記保護層5は導電性材料を適当
な結着樹脂中に含有させて形成される。導電性材料とし
ては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス−(m−トリル)ベ
ンジジン等の芳香族アミノ化合物、酸化アンチモン、酸
化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ−酸化
アンチモン等の金属酸化物などの材料を用いることがで
きるが、これらに限定されるものではない。また、この
保護層5に用いる結着材料としては、ポリアミド樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケ
トン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂
等の公知の樹脂を用いることができる。上記保護層5は
その電気抵抗が109 〜1014Ω・cmとなるように構
成することが好ましい。電気抵抗が1014Ω・cmより
高くなると残留電位が上昇しカブリの多い複写物となっ
てしまい、一方、109 Ω・cmより低くなると画像の
ボケ、解像力の低下が生じてしまう。また、保護層は像
露光に用いられる光の透過を実質上妨げないように構成
されなければならない。保護層5を形成する際に採用す
る塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤ
ーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬
コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフ
コーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方
法を用いることができる。この保護層の膜厚は、0.5
〜20μm、好ましくは1〜10μmが適当である。
表面に保護層5を被覆してもよい。この保護層5は、積
層構造からなる感光層の帯電時の電荷輸送層2の化学的
変質を防止するとともに、感光層の機械的強度を改善す
るために被覆される。上記保護層5は導電性材料を適当
な結着樹脂中に含有させて形成される。導電性材料とし
ては、ジメチルフェロセン等のメタロセン化合物、N,
N′−ジフェニル−N,N′−ビス−(m−トリル)ベ
ンジジン等の芳香族アミノ化合物、酸化アンチモン、酸
化スズ、酸化チタン、酸化インジウム、酸化スズ−酸化
アンチモン等の金属酸化物などの材料を用いることがで
きるが、これらに限定されるものではない。また、この
保護層5に用いる結着材料としては、ポリアミド樹脂、
ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、
ポリケトン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルケ
トン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリアクリルアミド樹脂
等の公知の樹脂を用いることができる。上記保護層5は
その電気抵抗が109 〜1014Ω・cmとなるように構
成することが好ましい。電気抵抗が1014Ω・cmより
高くなると残留電位が上昇しカブリの多い複写物となっ
てしまい、一方、109 Ω・cmより低くなると画像の
ボケ、解像力の低下が生じてしまう。また、保護層は像
露光に用いられる光の透過を実質上妨げないように構成
されなければならない。保護層5を形成する際に採用す
る塗布方法としては、ブレードコーティング法、マイヤ
ーバーコーティング法、スプレーコーティング法、浸漬
コーティング法、ビードコーティング法、エアーナイフ
コーティング法、カーテンコーティング法等の通常の方
法を用いることができる。この保護層の膜厚は、0.5
〜20μm、好ましくは1〜10μmが適当である。
【0023】
【実施例】以下、実施例によって本発明を具体的に説明
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。まず最初に、感光層にクロロガリウム
フタロシアニン結晶を含有する電子写真感光体について
説明する。 合成例1(クロロガリウムフタロシアニンの合成) 1,3−ジイミノイソインドリン30部および三塩化ガ
リウム9.1部をキノリン230部中に添加し、200
℃において3時間反応させた後、生成物を濾別し、アセ
トン、メタノールで洗浄した。次いで、湿ケーキを乾燥
してクロロガリウムフタロシアニン結晶28部を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線
回折図を図7に示す。
する。なお、実施例および比較例において、「部」は重
量部を意味する。まず最初に、感光層にクロロガリウム
フタロシアニン結晶を含有する電子写真感光体について
説明する。 合成例1(クロロガリウムフタロシアニンの合成) 1,3−ジイミノイソインドリン30部および三塩化ガ
リウム9.1部をキノリン230部中に添加し、200
℃において3時間反応させた後、生成物を濾別し、アセ
トン、メタノールで洗浄した。次いで、湿ケーキを乾燥
してクロロガリウムフタロシアニン結晶28部を得た。
得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線
回折図を図7に示す。
【0024】実施例1 合成例1で得られたクロロガリウムフタロシアニン結晶
3.0部を自動乳鉢(ヤマト科学社製:Lab−Mil
l UT−21型)で3時間乾式磨砕した。得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図
8に示す。上記磨砕処理して得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶0.5部をガラスビーズ(1mmφ)
60部とともに、室温下、水/クロロベンゼン1:10
の混合溶剤20部中で24時間ボールミリング処理した
後、濾別し、メタノール10部で洗浄し、乾燥してクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図9に
示す。
3.0部を自動乳鉢(ヤマト科学社製:Lab−Mil
l UT−21型)で3時間乾式磨砕した。得られたク
ロロガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図
8に示す。上記磨砕処理して得られたクロロガリウムフ
タロシアニン結晶0.5部をガラスビーズ(1mmφ)
60部とともに、室温下、水/クロロベンゼン1:10
の混合溶剤20部中で24時間ボールミリング処理した
後、濾別し、メタノール10部で洗浄し、乾燥してクロ
ロガリウムフタロシアニン結晶を得た。得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図9に
示す。
【0025】次に、アルミニウム基板を導電性支持体3
として、その上にジルコニウム化合物(マツモト製薬社
製:オルガチックスZC540)10部およびシラン化
合物(日本ユニカー社製:A1110)1部とi−プロ
パノール40部およびびブタノール20部からなる溶液
を浸漬コーティング法で塗布し、150℃において10
分間加熱乾燥して膜厚0.5μmの下引層4を形成し
た。次いで、上記の溶剤処理によって得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶1部をポリビニルブチラール
樹脂(積水化学社製:エレックスBM−S)1部および
酢酸n−ブチル100部と混合し、ガラスビーズととも
にペイントシェーカーで1時間処理して上記結晶が分散
した塗布液を調製した。得られた塗布液を浸漬コーティ
ング法で上記下引層4上に塗布し、100℃において1
0分間加熱乾燥して膜厚0.15μmの電荷発生層1を
形成した。なお、分散後の上記クロロガリウムフタロシ
アニン結晶の結晶型はX線回折によって分散前の結晶型
と比較して変化していないことを確認した。
として、その上にジルコニウム化合物(マツモト製薬社
製:オルガチックスZC540)10部およびシラン化
合物(日本ユニカー社製:A1110)1部とi−プロ
パノール40部およびびブタノール20部からなる溶液
を浸漬コーティング法で塗布し、150℃において10
分間加熱乾燥して膜厚0.5μmの下引層4を形成し
た。次いで、上記の溶剤処理によって得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶1部をポリビニルブチラール
樹脂(積水化学社製:エレックスBM−S)1部および
酢酸n−ブチル100部と混合し、ガラスビーズととも
にペイントシェーカーで1時間処理して上記結晶が分散
した塗布液を調製した。得られた塗布液を浸漬コーティ
ング法で上記下引層4上に塗布し、100℃において1
0分間加熱乾燥して膜厚0.15μmの電荷発生層1を
形成した。なお、分散後の上記クロロガリウムフタロシ
アニン結晶の結晶型はX線回折によって分散前の結晶型
と比較して変化していないことを確認した。
【0026】そして、前記表1中の化合物No3で示され
る化合物2部と下記構造式
る化合物2部と下記構造式
【化7】 で示されるポリ[1,1−ジ−(p−フェニレン)シク
ロヘキサンカーボネート]3部をクロロベンゼン20部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層1が形成された
アルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、1
20℃において1時間加熱乾燥して膜厚20μmの電荷
輸送層2を形成した。
ロヘキサンカーボネート]3部をクロロベンゼン20部
に溶解し、得られた塗布液を電荷発生層1が形成された
アルミニウム基板上に浸漬コーティング法で塗布し、1
20℃において1時間加熱乾燥して膜厚20μmの電荷
輸送層2を形成した。
【0027】このようにして作製された電子写真感光体
の電子写真特性を下記のようにして測定した。静電複写
紙試験装置(川口電機製:エレクトロスタティックアナ
ライザーEPA−8100)を用いて、常温常湿(20
℃、40%RH)の環境下に−6KVのコロナ放電によ
り感光体を帯電させた後、タングステンランプの光を、
モノクロメーターを用いて800nmの単色光に分光
し、感光体表面上で1μW/cm2 になるように調節
し、照射した。そして、その初期表面電位VO (ボル
ト)、半減露光量E1/2 (erg/cm2 )を測定し、
その後10luxの白色光を1秒間照射し、残留電位V
R (ボルト)を測定した。さらに、上記の帯電、露光を
1000回繰り返した後のVO 、E1/2 、VR を測定し
た。これらの測定結果とその変動量ΔVO 、ΔE1/2 、
ΔVR を、下記の実施例2〜10および比較例1〜4と
併せて後記の表3に示す。
の電子写真特性を下記のようにして測定した。静電複写
紙試験装置(川口電機製:エレクトロスタティックアナ
ライザーEPA−8100)を用いて、常温常湿(20
℃、40%RH)の環境下に−6KVのコロナ放電によ
り感光体を帯電させた後、タングステンランプの光を、
モノクロメーターを用いて800nmの単色光に分光
し、感光体表面上で1μW/cm2 になるように調節
し、照射した。そして、その初期表面電位VO (ボル
ト)、半減露光量E1/2 (erg/cm2 )を測定し、
その後10luxの白色光を1秒間照射し、残留電位V
R (ボルト)を測定した。さらに、上記の帯電、露光を
1000回繰り返した後のVO 、E1/2 、VR を測定し
た。これらの測定結果とその変動量ΔVO 、ΔE1/2 、
ΔVR を、下記の実施例2〜10および比較例1〜4と
併せて後記の表3に示す。
【0028】実施例2〜10 実施例1における電荷輸送材料に代えて表3に示される
電荷輸送材料を用いた以外は、実施例1と同様にして感
光体を作製し、同様の測定を行った。
電荷輸送材料を用いた以外は、実施例1と同様にして感
光体を作製し、同様の測定を行った。
【0029】比較例1 電荷輸送材料として下記構造式(IV)で示される化合
物を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
物を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
【化8】
【0030】比較例2 電荷輸送材料として下記構造式(V)で示される化合物
を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
【化9】
【0031】比較例3 電荷輸送材料として下記構造式(VI)で示される化合
物を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
物を用いた以外は、実施例1と同様にして感光体を作製
し、同様の測定を行った。
【化10】
【0032】比較例4 水/クロロベンゼン混合溶剤に代えてエチレングリコー
ルを用い、ミリング時間を20時間とした以外は、実施
例1と同様にしてミリング処理した。得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図10に
示す。このようにして得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を用いた以外は、実施例1と同様の感光体を
作製し、同様の測定を行った。
ルを用い、ミリング時間を20時間とした以外は、実施
例1と同様にしてミリング処理した。得られたクロロガ
リウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を図10に
示す。このようにして得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶を用いた以外は、実施例1と同様の感光体を
作製し、同様の測定を行った。
【0033】
【表3】
【0034】次に、感光層にジクロロスズフタロシアニ
ン結晶を含有する電子写真感光体について説明する。 合成例2(ジクロロスズフタロシアニンの合成) フタロニトリル50gおよび無水塩化第二スズ27gを
1−クロロナフタレン350mlに添加し、195℃に
おいて5時間反応させた後、生成物を濾別した。次い
で、1−クロロナフタレン、アセトン、メタノール、水
で洗浄し、減圧乾燥してジクロロスズフタロシアニン結
晶18.3gを得た。得られたジクロロスズフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図を図11に示す。
ン結晶を含有する電子写真感光体について説明する。 合成例2(ジクロロスズフタロシアニンの合成) フタロニトリル50gおよび無水塩化第二スズ27gを
1−クロロナフタレン350mlに添加し、195℃に
おいて5時間反応させた後、生成物を濾別した。次い
で、1−クロロナフタレン、アセトン、メタノール、水
で洗浄し、減圧乾燥してジクロロスズフタロシアニン結
晶18.3gを得た。得られたジクロロスズフタロシア
ニン結晶の粉末X線回折図を図11に示す。
【0035】実施例11 合成例2で得られたジクロロスズフタロシアニン結晶5
gを食塩10gおよびメノウボール(20mmφ)50
0gとともにメノウ製ポットに入れ、遊星型ボールミル
(フリッチュ社製:P−5製)にて400rpmで10
時間磨砕した。得られたジクロスズフタロシアニン結晶
の粉末X線回折図を図12に示す。上記磨砕処理して得
られたジクロロスズフタロシアニン結晶0.5gをテト
ラヒドロフラン15mlおよびガラスビーズ(1mm
φ)30gと共に室温下24時間ミリング処理した後、
ガラスビーズを濾別し、乾燥してジクロロスズフタロシ
アニン結晶0.45gを得た。得られたジクロロスズフ
タロシアニン結晶の粉末X線回折図を図13に示す。実
施例1と同様の作製方法に従って電子写真感光体を作製
した。その電子写真特性の測定結果を、下記の実施例1
2〜20および比較例5〜8と併せて後記の表4に示
す。
gを食塩10gおよびメノウボール(20mmφ)50
0gとともにメノウ製ポットに入れ、遊星型ボールミル
(フリッチュ社製:P−5製)にて400rpmで10
時間磨砕した。得られたジクロスズフタロシアニン結晶
の粉末X線回折図を図12に示す。上記磨砕処理して得
られたジクロロスズフタロシアニン結晶0.5gをテト
ラヒドロフラン15mlおよびガラスビーズ(1mm
φ)30gと共に室温下24時間ミリング処理した後、
ガラスビーズを濾別し、乾燥してジクロロスズフタロシ
アニン結晶0.45gを得た。得られたジクロロスズフ
タロシアニン結晶の粉末X線回折図を図13に示す。実
施例1と同様の作製方法に従って電子写真感光体を作製
した。その電子写真特性の測定結果を、下記の実施例1
2〜20および比較例5〜8と併せて後記の表4に示
す。
【0036】実施例12〜20 実施例11における電荷輸送材料に代えて表4に示され
る電荷輸送材料を用いた以外は、実施例11と同様にし
て感光体を作製し、同様の測定を行った。
る電荷輸送材料を用いた以外は、実施例11と同様にし
て感光体を作製し、同様の測定を行った。
【0037】比較例5〜7 電荷輸送材料として、比較例1〜3でそれぞれ用いた構
造式(IV)〜(VI)で示される化合物を用いた以外
は、実施例11と同様にして感光体を作製し、同様の測
定を行った。
造式(IV)〜(VI)で示される化合物を用いた以外
は、実施例11と同様にして感光体を作製し、同様の測
定を行った。
【0038】比較例8 合成例2で得られたジクロロスズフタロシアニン結晶1
gを氷冷下0〜5℃で濃硫酸30mlに徐々に添加して
溶解させ、少量の不溶物を濾別した後、氷水500ml
中に激しく撹拌しながら滴下した。生成した沈澱物を濾
別し、洗浄液が中性になるまで水で繰り返し洗浄し、減
圧乾燥してジクロロスズフタロシアニン結晶0.76g
を得た。得られたジクロロスズフタロシアニン結晶の粉
末X線回折図を図14に示す。このようにして得られた
ジクロロスズフタロシアニン結晶を用いた以外は、実施
例11と同様の感光体を作製し、同様の測定を行った。
gを氷冷下0〜5℃で濃硫酸30mlに徐々に添加して
溶解させ、少量の不溶物を濾別した後、氷水500ml
中に激しく撹拌しながら滴下した。生成した沈澱物を濾
別し、洗浄液が中性になるまで水で繰り返し洗浄し、減
圧乾燥してジクロロスズフタロシアニン結晶0.76g
を得た。得られたジクロロスズフタロシアニン結晶の粉
末X線回折図を図14に示す。このようにして得られた
ジクロロスズフタロシアニン結晶を用いた以外は、実施
例11と同様の感光体を作製し、同様の測定を行った。
【0039】
【表4】
【0040】
【発明の効果】本発明の電子写真感光体は、フタロシア
ニン系化合物の新規な結晶を電荷発生材料とし、前記一
般式(I)で示されるベンジジン系化合物を電荷輸送材
料として、両者を組み合わせたものであるから、表3、
4からも明らかなように、高い光感度と優れた繰り返し
安定性を有するものである。
ニン系化合物の新規な結晶を電荷発生材料とし、前記一
般式(I)で示されるベンジジン系化合物を電荷輸送材
料として、両者を組み合わせたものであるから、表3、
4からも明らかなように、高い光感度と優れた繰り返し
安定性を有するものである。
【図1】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が積層構造の模式的断面図を示す。
層が積層構造の模式的断面図を示す。
【図2】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が積層構造の他の模式的断面図を示す。
層が積層構造の他の模式的断面図を示す。
【図3】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が積層構造の別の模式的断面図を示す。
層が積層構造の別の模式的断面図を示す。
【図4】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が積層構造のさらに別の模式的断面図を示す。
層が積層構造のさらに別の模式的断面図を示す。
【図5】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が単層構造の模式的断面図を示す。
層が単層構造の模式的断面図を示す。
【図6】 本発明にかかる電子写真感光体において感光
層が単層構造の他の模式的断面図を示す。
層が単層構造の他の模式的断面図を示す。
【図7】 合成例1で得られたクロロガリウムフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図8】 実施例1の磨砕処理によって得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図9】 実施例1の溶剤処理によって得られたクロロ
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
ガリウムフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図10】 比較例4で得られたクロロガリウムフタロ
シアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
シアニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図11】 合成例2で得られたジクロロスズフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
【図12】 実施例11の磨砕処理によって得られたジ
クロロスズフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示
す。
クロロスズフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示
す。
【図13】 実施例11の溶剤処理によって得られたジ
クロロスズフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示
す。
クロロスズフタロシアニン結晶の粉末X線回折図を示
す。
【図14】 比較例8で得られたジクロロスズフタロシ
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
アニン結晶の粉末X線回折図を示す。
1‥‥電荷発生層、2‥‥電荷輸送層、3‥‥導電性支
持体、4‥‥下引層、5‥‥保護層、6‥‥電荷発生/
電荷輸送層。
持体、4‥‥下引層、5‥‥保護層、6‥‥電荷発生/
電荷輸送層。
フロントページの続き (72)発明者 飯島 正和 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 真下 清和 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 坂口 泰生 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (72)発明者 竹川 一郎 神奈川県南足柄市竹松1600番地 富士ゼ ロックス株式会社竹松事業所内 (56)参考文献 特開 平5−194523(JP,A) 特開 平4−329548(JP,A) 特開 平1−257966(JP,A) 特開 平1−257967(JP,A) 特開 昭59−44053(JP,A) 特開 平1−221459(JP,A) 特開 平1−144057(JP,A) 特開 平5−165239(JP,A) 特開 平5−241361(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G03G 5/06
Claims (6)
- 【請求項1】 電荷発生材料および電荷輸送材料を含有
する感光層を導電性支持体に被覆した電子写真用感光体
において、電荷発生材料として、X線回折スペクトルに
おけるブラッグ角度(2θ±0.2°)が7.4°、1
6.6°、25.5°および28.3°に強い回折ピー
クを有するクロロガリウムフタロシアニン結晶、または
X線回折スペクトルにおけるブラッグ角度(2θ±0.
2°)が8.5°、11.2°、14.5°および2
7.2°に強い回折ピークを有するジクロロスズフタロ
シアニン結晶を用い、かつ、電荷輸送材料として、下記
一般式(I) 【化1】 (式中、各R1 は、同一でも異なっていてもよく、水素
原子、アルキル基、アルコキシ基またはハロゲン原子を
表わし、各R2 、R3 は、それぞれ同一でも異なってい
てもよく、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、ハロ
ゲン原子または置換アミノ基を表わす。各m,nは0〜
2の整数である。)で示されるベンジジン系化合物を用
いることを特徴とする電子写真感光体。 - 【請求項2】 前記感光層が電荷発生層と電荷輸送層と
からなり、電荷発生層には前記電荷発生材料および結着
樹脂を含有し、電荷輸送層には前記電荷輸送材料および
結着樹脂を含有する請求項1に記載の電子写真感光体。 - 【請求項3】 電荷発生材料として前記クロロガリウム
フタロシアニン結晶を用いる請求項1に記載の電子写真
感光体。 - 【請求項4】 電荷発生材料として前記ジクロロスズフ
タロシアニン結晶を用いる請求項1に記載の電子写真感
光体。 - 【請求項5】 前記一般式(I)で示されるベンジジン
系化合物が、下記一般式(II) 【化2】 (式中、各R4 、R5 はそれぞれ同一でも異なっていて
もよく、水素原子またはメチル基を表わす。)で示され
るベンジジン系化合物である請求項1〜4のいずれか1
つに記載の電子写真感光体。 - 【請求項6】 前記一般式(I)で示されるベンジジン
系化合物が、下記一般式(III) 【化3】 (式中、各R6 およびR7 のいずれか一方は炭素数2以
上のアルキル基を表わし、他方は水素原子、アルキル
基、アルコキシ基または置換アミノ基を表わす。)で示
されるベンジジン系化合物である請求項1〜4のいずれ
か1つに記載の電子写真感光体。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04021683A JP3084882B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 電子写真感光体 |
US08/001,515 US5338636A (en) | 1991-09-27 | 1993-01-06 | Dichlorotin phthalocyanine crystal electrophotographic photoreceptor using the same, and coating composition for electrophotographic photoreceptor |
US08/240,483 US5463043A (en) | 1991-09-27 | 1994-05-10 | Process for producing a dichlorotin phthalocyanine crystal |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP04021683A JP3084882B2 (ja) | 1992-01-13 | 1992-01-13 | 電子写真感光体 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05188615A JPH05188615A (ja) | 1993-07-30 |
JP3084882B2 true JP3084882B2 (ja) | 2000-09-04 |
Family
ID=12061866
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP04021683A Expired - Fee Related JP3084882B2 (ja) | 1991-09-27 | 1992-01-13 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3084882B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6541172B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-04-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Electrophotographic photosensitive member, electrophotographic apparatus and process cartridge |
JP4178767B2 (ja) * | 2001-06-20 | 2008-11-12 | 富士ゼロックス株式会社 | 光書き込み型記録媒体およびその製造方法 |
-
1992
- 1992-01-13 JP JP04021683A patent/JP3084882B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH05188615A (ja) | 1993-07-30 |
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