JP2940982B2 - 硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体 - Google Patents
硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体Info
- Publication number
- JP2940982B2 JP2940982B2 JP5340090A JP5340090A JP2940982B2 JP 2940982 B2 JP2940982 B2 JP 2940982B2 JP 5340090 A JP5340090 A JP 5340090A JP 5340090 A JP5340090 A JP 5340090A JP 2940982 B2 JP2940982 B2 JP 2940982B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- boron nitride
- sintered body
- diamond
- based sintered
- coating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 title claims description 50
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 50
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims description 29
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims description 29
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 27
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 5
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001339 C alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101000803685 Homo sapiens Vacuolar protein sorting-associated protein 4A Proteins 0.000 description 1
- 101000803689 Homo sapiens Vacuolar protein sorting-associated protein 4B Proteins 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100035085 Vacuolar protein sorting-associated protein 4A Human genes 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000011195 cermet Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 ferrous metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Landscapes
- Cutting Tools, Boring Holders, And Turrets (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、立方晶窒化ホウ素の含有した薄い被膜を表
面に形成してなるダイヤモンド基焼結体に関するもので
ある。
面に形成してなるダイヤモンド基焼結体に関するもので
ある。
（従来の技術） 高硬度で高密度な窒化ホウ素である立方晶窒化ホウ素
の被膜を形成して、工具に応用しようという試みが行わ
れている。その代表的なものに、特開昭57−95881号公
報及び特開昭61−41768号公報がある。
の被膜を形成して、工具に応用しようという試みが行わ
れている。その代表的なものに、特開昭57−95881号公
報及び特開昭61−41768号公報がある。
（発明が解決しようとする課題） 特開昭57−95881号公報には、窒化ケイ素基焼結体の
基材の表面に立方晶窒化ホウ素の被膜を設けた被覆セラ
ミック工具が開示されており、特開昭61−41768号公報
には、硬質合金，サーメット，セラミックスの基材の表
面に立方晶窒化ホウ素と六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化
ホウ素，周期律表4a,5a,6a族金属の炭化物，窒化物，ホ
ウ化物及びAl2O3の少なくとも１種との複合硬質膜を形
成してなる被覆工具が開示されている。これら両公報に
開示の被覆工具は、立方晶窒化ホウ素の薄膜を形成する
こと自体が非常に困難であるにもかかわらず、基材の材
質又は被膜の構成を検討することによって立方晶窒化ホ
ウ素を含む被膜を形成しようとした先見性のある発明で
ある。
基材の表面に立方晶窒化ホウ素の被膜を設けた被覆セラ
ミック工具が開示されており、特開昭61−41768号公報
には、硬質合金，サーメット，セラミックスの基材の表
面に立方晶窒化ホウ素と六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化
ホウ素，周期律表4a,5a,6a族金属の炭化物，窒化物，ホ
ウ化物及びAl2O3の少なくとも１種との複合硬質膜を形
成してなる被覆工具が開示されている。これら両公報に
開示の被覆工具は、立方晶窒化ホウ素の薄膜を形成する
こと自体が非常に困難であるにもかかわらず、基材の材
質又は被膜の構成を検討することによって立方晶窒化ホ
ウ素を含む被膜を形成しようとした先見性のある発明で
ある。
しかしながら、これら両公報に開示の被覆工具は、基
材と被膜との密着性が劣ること及び被膜中に含有する立
方晶窒化ホウ素が少なくて被膜の硬度も低く、耐摩耗性
が劣るという問題がある。
材と被膜との密着性が劣ること及び被膜中に含有する立
方晶窒化ホウ素が少なくて被膜の硬度も低く、耐摩耗性
が劣るという問題がある。
本発明は、上述のような問題点を解決したもので、具
体的には、高硬度で緻密な被膜を形成し、しかも基材と
被膜との密着性を向上させて、耐摩耗性及び耐剥離性を
高めた硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体の提供
を目的とするものである。
体的には、高硬度で緻密な被膜を形成し、しかも基材と
被膜との密着性を向上させて、耐摩耗性及び耐剥離性を
高めた硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体の提供
を目的とするものである。
（課題を解決するための手段） 本発明者は、立方晶窒化ホウ素の含有量の多い膜質の
すぐれた硬質窒化ホウ素の被膜を生成するための検討を
行なっていた所、 ダイヤモンドの表面には、立方晶窒化ホウ素の含有量
の多い膜質のすぐれた被膜が生成しやすいこと、及びダ
イヤモンドと立方晶窒化ホウ素との密着性が著しくすぐ
れているという知見を得て、本発明を完成するに至った
ものである。
すぐれた硬質窒化ホウ素の被膜を生成するための検討を
行なっていた所、 ダイヤモンドの表面には、立方晶窒化ホウ素の含有量
の多い膜質のすぐれた被膜が生成しやすいこと、及びダ
イヤモンドと立方晶窒化ホウ素との密着性が著しくすぐ
れているという知見を得て、本発明を完成するに至った
ものである。
すなわち、本発明の硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド
基焼結体は、ダイヤモンドを含有してなる焼結体の基材
の表面に立方晶窒化ホウ素を含有した被膜を形成してな
ることを特徴とするものである。
基焼結体は、ダイヤモンドを含有してなる焼結体の基材
の表面に立方晶窒化ホウ素を含有した被膜を形成してな
ることを特徴とするものである。
本発明の硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体に
おける基材は、高圧高温により作製される従来のダイヤ
モンド基焼結体を用いることが可能であるが、特に被膜
の生成を容易にさせること及び被膜の材質を向上させる
ために、70体積％以上のダイヤモンドを含有したダイヤ
モンド基焼結体が好ましく、さらに90体積％以上のダイ
ヤモンドを含有したダイヤモンド基焼結体が好ましいこ
とである。
おける基材は、高圧高温により作製される従来のダイヤ
モンド基焼結体を用いることが可能であるが、特に被膜
の生成を容易にさせること及び被膜の材質を向上させる
ために、70体積％以上のダイヤモンドを含有したダイヤ
モンド基焼結体が好ましく、さらに90体積％以上のダイ
ヤモンドを含有したダイヤモンド基焼結体が好ましいこ
とである。
この基材の表面に形成される被膜は、立方晶窒化ホウ
素のみからなる場合、又は立方晶窒化ホウ素と残り、例
えば周期律表4a,5a,6a族金属の窒化物，炭化チタン，ホ
ウ化物、六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化ホウ素、窒化ア
ルミニウム，窒化ケイ素とからなる場合である。この
内、被膜の作製の容易性、被膜と基材との密着性から被
膜が立方晶窒化ホウ素と残り六方晶窒化ホウ素，非晶質
窒化ホウ素、窒化アルミニウム，周期律表4a,5a,6a族金
属の窒化物及びこれらの相互固溶体の金属窒化物の中の
少なくとも１種とからなる単層又は複層とからなる場合
も好ましいことである。特に、被膜と基材との密着性か
ら基材に隣接する被膜を六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化
ホウ素，金属窒化物の中の少なくとも１種と立方晶窒化
ホウ素とからなる単層又は複層の中間層の被膜とし、こ
の中間層の表面を立方晶窒化ホウ素の外層の被膜とする
ことも好ましいことである。これらの被膜の厚さは、0.
5〜20μｍ、特に切削工具や耐摩耗性工具の中でもドリ
ル，エンドミル，スリッターなどの鋭角な刃先を必要と
する場合には、0.5〜５μｍと薄い膜厚にすることが好
ましいことである。
素のみからなる場合、又は立方晶窒化ホウ素と残り、例
えば周期律表4a,5a,6a族金属の窒化物，炭化チタン，ホ
ウ化物、六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化ホウ素、窒化ア
ルミニウム，窒化ケイ素とからなる場合である。この
内、被膜の作製の容易性、被膜と基材との密着性から被
膜が立方晶窒化ホウ素と残り六方晶窒化ホウ素，非晶質
窒化ホウ素、窒化アルミニウム，周期律表4a,5a,6a族金
属の窒化物及びこれらの相互固溶体の金属窒化物の中の
少なくとも１種とからなる単層又は複層とからなる場合
も好ましいことである。特に、被膜と基材との密着性か
ら基材に隣接する被膜を六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化
ホウ素，金属窒化物の中の少なくとも１種と立方晶窒化
ホウ素とからなる単層又は複層の中間層の被膜とし、こ
の中間層の表面を立方晶窒化ホウ素の外層の被膜とする
ことも好ましいことである。これらの被膜の厚さは、0.
5〜20μｍ、特に切削工具や耐摩耗性工具の中でもドリ
ル，エンドミル，スリッターなどの鋭角な刃先を必要と
する場合には、0.5〜５μｍと薄い膜厚にすることが好
ましいことである。
本発明の硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体を
作製するには、従来の高圧高温でもって焼結されている
ダイヤモンド基焼結体を基材として用いて、この基材の
表面に、従来のプラズマ化学蒸着法又は物理蒸着法（PV
D法）でもって被膜を形成することによって得られる。
作製するには、従来の高圧高温でもって焼結されている
ダイヤモンド基焼結体を基材として用いて、この基材の
表面に、従来のプラズマ化学蒸着法又は物理蒸着法（PV
D法）でもって被膜を形成することによって得られる。
（作用） 本発明の硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体に
おける基材に含有するダイヤモンドが被膜の生成を容易
にするという作用をすると共に、基材と被膜との密着性
を高めるという作用をしているものである。
おける基材に含有するダイヤモンドが被膜の生成を容易
にするという作用をすると共に、基材と被膜との密着性
を高めるという作用をしているものである。
実施例 TNGN160408（JIS規格による寸法）形状の調超硬合金
のコーナ切刃部に95vol％ダイヤモンド−残り（ZrC−C
o）組成からなるダイヤモンド基焼結体の基材を鑞付け
した複合焼結体をPVD反応容器内に設置し、この反応容
器内を１×10-6Torrまで排気すると共に、複合焼結体を
600℃に加熱した後、反応容器内にArガス（純度5N）を
導入し、10-2Torrの圧力にした。次に、複合焼結体に−
500Vの直流電圧を印加し、反応容器内をグロー放電状態
にすることにより複合焼結体の表面のクリーニングを10
分間行った。次いで、反応容器内を１×10-6Torrにした
後、電子銃（出力4kw）にて、Al含有金属ホウ素（純度9
9.9％のAlB12）を徐々に加熱蒸発させ、これと同時に複
合焼結体の方向にイオン源より水素含有窒素ガスをイオ
ン化して照射した。この時の反応容器内の圧力は、５×
10-5Torrにして40分間保持し、複合焼結体のダイヤモン
ド焼結体の基材表面に被膜を形成して本発明品を得た。
このダイヤモンド焼結体の基材表面の被膜を調査した
所、被膜厚さ2.5μｍ、被膜硬さ5200kg/mm2（ヌープ硬
さ）、ロックウエルのダイヤモンド圧子によるスクラッ
チテストでは8kg荷重まで被膜の剥離が生じなかった。
また、Ｘ線回折の結果、被膜の組成は立方晶窒化ホウ素
と20vol％以下の六方晶窒化ホウ素及び窒化アルミニウ
ムとからなっていた。
のコーナ切刃部に95vol％ダイヤモンド−残り（ZrC−C
o）組成からなるダイヤモンド基焼結体の基材を鑞付け
した複合焼結体をPVD反応容器内に設置し、この反応容
器内を１×10-6Torrまで排気すると共に、複合焼結体を
600℃に加熱した後、反応容器内にArガス（純度5N）を
導入し、10-2Torrの圧力にした。次に、複合焼結体に−
500Vの直流電圧を印加し、反応容器内をグロー放電状態
にすることにより複合焼結体の表面のクリーニングを10
分間行った。次いで、反応容器内を１×10-6Torrにした
後、電子銃（出力4kw）にて、Al含有金属ホウ素（純度9
9.9％のAlB12）を徐々に加熱蒸発させ、これと同時に複
合焼結体の方向にイオン源より水素含有窒素ガスをイオ
ン化して照射した。この時の反応容器内の圧力は、５×
10-5Torrにして40分間保持し、複合焼結体のダイヤモン
ド焼結体の基材表面に被膜を形成して本発明品を得た。
このダイヤモンド焼結体の基材表面の被膜を調査した
所、被膜厚さ2.5μｍ、被膜硬さ5200kg/mm2（ヌープ硬
さ）、ロックウエルのダイヤモンド圧子によるスクラッ
チテストでは8kg荷重まで被膜の剥離が生じなかった。
また、Ｘ線回折の結果、被膜の組成は立方晶窒化ホウ素
と20vol％以下の六方晶窒化ホウ素及び窒化アルミニウ
ムとからなっていた。
比較としてTNGN160408形状の超硬合金の基材を用い
て、上述と同様の条件でもって被膜を形成して比較品を
得た。この比較品の被膜を上述と同様にして調べた所、
被膜厚さ2.5μｍ、被膜硬さ4500kg/mm2（ヌープ硬
さ）、スクラッチテストでは3kg荷重で被膜の剥離が生
じた。また、Ｘ線回折の結果、被膜中の立方晶窒化ホウ
素含有量は20vol％であった。
て、上述と同様の条件でもって被膜を形成して比較品を
得た。この比較品の被膜を上述と同様にして調べた所、
被膜厚さ2.5μｍ、被膜硬さ4500kg/mm2（ヌープ硬
さ）、スクラッチテストでは3kg荷重で被膜の剥離が生
じた。また、Ｘ線回折の結果、被膜中の立方晶窒化ホウ
素含有量は20vol％であった。
次に、上述の本発明品と比較品を用いて、被削材SKD1
1（HRc59.9）、切削速度35m/min、切込み0.5mm、送り0.
1mm/rev、切削時間20分、乾式切削の条件でもって、旋
削試験を行った結果、本発明品は、平均逃げ面摩耗量
（VB）＝0.03mmであったのに対し、比較品は平均逃げ面
摩耗量（VB）＝0.1mmで、被膜の剥離が生じていた。
1（HRc59.9）、切削速度35m/min、切込み0.5mm、送り0.
1mm/rev、切削時間20分、乾式切削の条件でもって、旋
削試験を行った結果、本発明品は、平均逃げ面摩耗量
（VB）＝0.03mmであったのに対し、比較品は平均逃げ面
摩耗量（VB）＝0.1mmで、被膜の剥離が生じていた。
（発明の効果） 本発明の硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体
は、従来の窒化ホウ素被覆焼結体に比較して、被膜中の
立方晶窒化ホウ素含有量が多く、膜質がすぐれており、
その結果高硬度の被膜で、しかも基材との耐剥離性にす
ぐれており、耐摩耗性が顕著に向上するという効果があ
る。また、従来のダイヤモンド基焼結体ではダイヤモン
ド自体の鉄族金属との親和性の高さから、例えば切削工
具として用いた場合、被削材がカーボンやAl合金等非鉄
金属にしか効果がなかったのに対し、本発明の硬質窒化
ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体は、硬質鉄系材料の切
削工具としても用いることができるという効果がある産
業上有用な材料である。
は、従来の窒化ホウ素被覆焼結体に比較して、被膜中の
立方晶窒化ホウ素含有量が多く、膜質がすぐれており、
その結果高硬度の被膜で、しかも基材との耐剥離性にす
ぐれており、耐摩耗性が顕著に向上するという効果があ
る。また、従来のダイヤモンド基焼結体ではダイヤモン
ド自体の鉄族金属との親和性の高さから、例えば切削工
具として用いた場合、被削材がカーボンやAl合金等非鉄
金属にしか効果がなかったのに対し、本発明の硬質窒化
ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体は、硬質鉄系材料の切
削工具としても用いることができるという効果がある産
業上有用な材料である。
Claims (3)
- 【請求項１】ダイヤモンドを含有してなる焼結体の基材
の表面に立方晶窒化ホウ素を含有した被膜を形成してな
ることを特徴とする硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基
焼結体。 - 【請求項２】上記被膜は、六方晶窒化ホウ素，非晶質窒
化ホウ素，金属窒化物の中の少なくとも１種と立方晶窒
化ホウ素とからなる単層又は複層であることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の硬質窒化ホウ素被覆ダイ
ヤモンド基焼結体。 - 【請求項３】ダイヤモンドを含有してなる焼結体の基材
の表面に六方晶窒化ホウ素，非晶質窒化ホウ素，金属窒
化物の中の少なくとも１種と立方晶窒化ホウ素とからな
る単層又は複層の中間層の被膜と、立方晶窒化ホウ素の
外層の被膜とを形成してなることを特徴とする硬質窒化
ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5340090A JP2940982B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5340090A JP2940982B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03257088A JPH03257088A (ja) | 1991-11-15 |
| JP2940982B2 true JP2940982B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=12941779
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5340090A Expired - Fee Related JP2940982B2 (ja) | 1990-03-05 | 1990-03-05 | 硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2940982B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5597625A (en) * | 1993-02-10 | 1997-01-28 | California Institute Of Technology | Low pressure growth of cubic boron nitride films |
-
1990
- 1990-03-05 JP JP5340090A patent/JP2940982B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03257088A (ja) | 1991-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4401719A (en) | Highly hard material coated articles | |
| EP0707665B1 (en) | Diamond coated body | |
| US5028451A (en) | Method of producing sintered hard metal with diamond film | |
| JP2011045994A (ja) | 切削工具 | |
| JP3249277B2 (ja) | 耐摩耗性被覆部材 | |
| EP2201154A1 (en) | Method of producing a layer by arc-evaporation from ceramic cathodes | |
| JP3480086B2 (ja) | 硬質層被覆切削工具 | |
| JP4112296B2 (ja) | 被覆切削工具及びその被覆方法 | |
| JP3572728B2 (ja) | 硬質層被覆切削工具 | |
| JP2940982B2 (ja) | 硬質窒化ホウ素被覆ダイヤモンド基焼結体 | |
| JP3341328B2 (ja) | 表面被覆硬質部材 | |
| CN114502774A (zh) | 涂层切削刀具 | |
| JP3353239B2 (ja) | ダイヤモンド類被覆部材の製造方法 | |
| CN112805109A (zh) | 切削工具及其制造方法 | |
| JPH06262405A (ja) | 工具用被覆部品 | |
| JP3572732B2 (ja) | 硬質層被覆切削工具 | |
| JP3871529B2 (ja) | 硬質炭素膜成膜方法 | |
| JP3358696B2 (ja) | 高強度被覆体 | |
| JP6930446B2 (ja) | 硬質皮膜、硬質皮膜被覆工具及びその製造方法 | |
| JP3249278B2 (ja) | 工具用被覆体 | |
| JP3333080B2 (ja) | 整合性界面を有した高強度被覆部材 | |
| JP2620971B2 (ja) | 密着性にすぐれたダイヤモンド被覆焼結体及びその製造方法 | |
| JPH07145483A (ja) | 耐摩耗性被覆部材 | |
| JPH03257176A (ja) | 硬質窒化ホウ素被覆焼結体 | |
| JPH06248422A (ja) | 被覆焼結体およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |