JP2858166B2 - 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置 - Google Patents
半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、車両用交流発電機の出力を整流するに使用
される半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置に
関する。
される半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置に
関する。
車両用交流発電機の三相全波整流装置は、直流側端子
となる一対の放熱板と、それぞれの放熱板に放熱板内で
は整流方向を揃え放熱板間では整流方向が異なるように
３個づつ固着した半導体整流素子と、異なる放熱板に固
着された半導体整流素子相互を接続する３個の交流側端
子とから構成されている。そして半導体整流素子として
は、安定化技術の進歩により従来の缶封止型に代って樹
脂封止型が使用されている。この半導体整流素子は、エ
ンジンの近傍に配置されて過酷な条件で使用されること
から、封止用の樹脂としてはこれまでに種々の改良が加
えられ現在に至っている。封止用樹脂の代表例として
は、特開昭59−172749号公報に記載されている（１）シ
リコーン樹脂、及び（２）シリコーン樹脂とSiO2パウダ
を添加したエポキシ樹脂との組合せが知られている。
となる一対の放熱板と、それぞれの放熱板に放熱板内で
は整流方向を揃え放熱板間では整流方向が異なるように
３個づつ固着した半導体整流素子と、異なる放熱板に固
着された半導体整流素子相互を接続する３個の交流側端
子とから構成されている。そして半導体整流素子として
は、安定化技術の進歩により従来の缶封止型に代って樹
脂封止型が使用されている。この半導体整流素子は、エ
ンジンの近傍に配置されて過酷な条件で使用されること
から、封止用の樹脂としてはこれまでに種々の改良が加
えられ現在に至っている。封止用樹脂の代表例として
は、特開昭59−172749号公報に記載されている（１）シ
リコーン樹脂、及び（２）シリコーン樹脂とSiO2パウダ
を添加したエポキシ樹脂との組合せが知られている。
シリコーン樹脂は耐熱性、耐湿性及び金属との接着性
が優れていることから、半導体整流素子の封止用樹脂と
して広く使用されている。しかしながら、シリコーン樹
脂は熱膨張係数が大きいこと及び硬化収縮が大きいこと
に原因して、金属との接着界面の剥離が生じ易く、半導
体整流素子の電気的特性不良を招くおそれがある。ま
た、シリコーン樹脂は塩害耐性が低いという問題を持っ
ている。これは本発明者らによって確認されたことであ
るが、半導体整流素子を塩水試験するとき電気分解によ
ってアルカリが発生し、このアルカリがシリコーン樹脂
と金属との接着に寄与しているシロキサン結合を切断し
て、金属とシリコン樹脂との接着界面の剥離を招くので
ある。これは海浜地帯及び積雪地帯で使用される車両に
搭載される半導体整流素子にとって重大な問題である。
が優れていることから、半導体整流素子の封止用樹脂と
して広く使用されている。しかしながら、シリコーン樹
脂は熱膨張係数が大きいこと及び硬化収縮が大きいこと
に原因して、金属との接着界面の剥離が生じ易く、半導
体整流素子の電気的特性不良を招くおそれがある。ま
た、シリコーン樹脂は塩害耐性が低いという問題を持っ
ている。これは本発明者らによって確認されたことであ
るが、半導体整流素子を塩水試験するとき電気分解によ
ってアルカリが発生し、このアルカリがシリコーン樹脂
と金属との接着に寄与しているシロキサン結合を切断し
て、金属とシリコン樹脂との接着界面の剥離を招くので
ある。これは海浜地帯及び積雪地帯で使用される車両に
搭載される半導体整流素子にとって重大な問題である。
上述の問題は、シリコーン樹脂とエポキシ樹脂との組
合せ即ちシリコーン樹脂層上にエポキシ樹脂層を積層す
る構成としても依然として存在している。即ち、シリコ
ーン樹脂はエポキシ樹脂より熱膨張係数が大きいことか
ら、温度サイクルが加わるとシリコーン樹脂の膨張収縮
によってエポキシ樹脂と金属との密着界面に剥離が生
じ、その下のシリコーン樹脂と金属との接着界面はシリ
コーン樹脂単体の場合と略同様の状態に置かれるからで
ある。
合せ即ちシリコーン樹脂層上にエポキシ樹脂層を積層す
る構成としても依然として存在している。即ち、シリコ
ーン樹脂はエポキシ樹脂より熱膨張係数が大きいことか
ら、温度サイクルが加わるとシリコーン樹脂の膨張収縮
によってエポキシ樹脂と金属との密着界面に剥離が生
じ、その下のシリコーン樹脂と金属との接着界面はシリ
コーン樹脂単体の場合と略同様の状態に置かれるからで
ある。
このように、封止用樹脂として従来から知られている
樹脂を使用する限り、耐塩害性の優れ半導体整流素子を
実現することはできないのである。
樹脂を使用する限り、耐塩害性の優れ半導体整流素子を
実現することはできないのである。
本発明の目的は、耐塩害性の優れた半導体整流素子及
びそれを使った全波整流装置を提供することにある。
びそれを使った全波整流装置を提供することにある。
本発明の目的を具体的に言えば、シリコーン樹脂本来
の耐熱性及び耐湿性を損うことなく、シリコーン樹脂の
弱点であるアルカリによるシロキサン結合の切断及び大
きい硬化収縮によって生じる電気的特性不良を除去した
半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置を提供す
ることにある。
の耐熱性及び耐湿性を損うことなく、シリコーン樹脂の
弱点であるアルカリによるシロキサン結合の切断及び大
きい硬化収縮によって生じる電気的特性不良を除去した
半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置を提供す
ることにある。
上記目的を奏する本発明半導体整流素子の特徴とする
ところは、わん形の金属容器と、金属容器の底部に一方
の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、半
導体チップの他方の接着されたリードと、半導体チップ
の露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末
を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で
あり、塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサ
ン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で配合され
ているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ粉末はNa
及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカで
ある点にある。ここで容器部分とは、わん形の容器、及
び平板の一部に設けた凹部を意味する。
ところは、わん形の金属容器と、金属容器の底部に一方
の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、半
導体チップの他方の接着されたリードと、半導体チップ
の露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末
を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で
あり、塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサ
ン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で配合され
ているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ粉末はNa
及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカで
ある点にある。ここで容器部分とは、わん形の容器、及
び平板の一部に設けた凹部を意味する。
シリコーン樹脂としては、一成分系と二成分系とに大
別され、更にそれぞれが白金付加方式と室温下湿気によ
り脱アルコール縮合し架橋する方式に分けられるが、本
発明はいずれのシリコーン樹脂でも使用することができ
る。好ましくは、硬化収縮が少なくかつ硬化時間の短い
ものが使用される。
別され、更にそれぞれが白金付加方式と室温下湿気によ
り脱アルコール縮合し架橋する方式に分けられるが、本
発明はいずれのシリコーン樹脂でも使用することができ
る。好ましくは、硬化収縮が少なくかつ硬化時間の短い
ものが使用される。
シリカ粉末としては、シラン化合物例えばSiCl4を燃
焼して得られる噴霧シリカ、シリコン化合物例えばSiCl
4を加水分解して得られる沈降シリカ、硅石を粉砕して
得られる結晶シリカ、硅石を粉砕した後熔融して更に粉
砕して得られる熔融シリカ等が使用できる。半導体整流
素子の逆方向洩れ電流を小さくするという点からは、Na
及びＫの含有率がそれぞれ10ppm以下好ましくは5ppm以
下の高純度シリカを使用することが望ましい。また、シ
リカ粉末の添加量としてはシリコーン樹脂100重量部に
対して40〜120重量部、好ましく80〜100重量部であり、
塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサン結合
の切断）を防止するに充分な量及び後述する粒径で配合
されている。すなわちシリカ粉末の平均粒径としては２
〜６μｍである。
焼して得られる噴霧シリカ、シリコン化合物例えばSiCl
4を加水分解して得られる沈降シリカ、硅石を粉砕して
得られる結晶シリカ、硅石を粉砕した後熔融して更に粉
砕して得られる熔融シリカ等が使用できる。半導体整流
素子の逆方向洩れ電流を小さくするという点からは、Na
及びＫの含有率がそれぞれ10ppm以下好ましくは5ppm以
下の高純度シリカを使用することが望ましい。また、シ
リカ粉末の添加量としてはシリコーン樹脂100重量部に
対して40〜120重量部、好ましく80〜100重量部であり、
塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサン結合
の切断）を防止するに充分な量及び後述する粒径で配合
されている。すなわちシリカ粉末の平均粒径としては２
〜６μｍである。
シリコーン樹脂には、必要に応じて種々の添加剤を含
有させることができる。例えば、着色の目的で酸化チタ
ン、カーボンブラック及び有機系の染料を、接着性の付
与または向上の目的でアルコルキシシリコーン系化合物
を、耐熱性向上の目的で金属化合物及び有機系の酸化防
止剤をそれぞれ添加することができる。
有させることができる。例えば、着色の目的で酸化チタ
ン、カーボンブラック及び有機系の染料を、接着性の付
与または向上の目的でアルコルキシシリコーン系化合物
を、耐熱性向上の目的で金属化合物及び有機系の酸化防
止剤をそれぞれ添加することができる。
シリコーン樹脂層は、それ単独で十分使用することが
できるが、その上側に他の樹脂層を重ねること及び半導
体チップとの間に他の樹脂層を介在させることも可能で
ある。
できるが、その上側に他の樹脂層を重ねること及び半導
体チップとの間に他の樹脂層を介在させることも可能で
ある。
また本願他の発明に係る半導体整流素子は、わん形の
金属容器と、金属容器の底部に一方の主面が接着された
pn接合を有する半導体チップと、半導体チップの他方の
主面に接着されたリードと、半導体チップの露出面を被
覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シリコー
ン樹脂100重量部に対して40〜120重量部であり、塩害
（塩により生成するアルカリによるシロキサン結合の切
断）を防止するに充分な量と粒径で配合されているシリ
コーン樹脂層と、シリコーン樹脂層上に積層されたエポ
キシ樹脂装置とを具備し、該シリカ粉末はNa及びＫの含
有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであることを
特徴とする。
金属容器と、金属容器の底部に一方の主面が接着された
pn接合を有する半導体チップと、半導体チップの他方の
主面に接着されたリードと、半導体チップの露出面を被
覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シリコー
ン樹脂100重量部に対して40〜120重量部であり、塩害
（塩により生成するアルカリによるシロキサン結合の切
断）を防止するに充分な量と粒径で配合されているシリ
コーン樹脂層と、シリコーン樹脂層上に積層されたエポ
キシ樹脂装置とを具備し、該シリカ粉末はNa及びＫの含
有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであることを
特徴とする。
また本願他の発明にかかる半導体整流素子は、わん形
の金属容器と、金属容器の底部に一方の主面が接着され
たpn接合を有する半導体チップと、半導体チップの他方
の主面に接着されたリードと、半導体チップの露出部を
被覆するポリイミド樹脂層と、ポリイミド樹脂層上に積
層されシリカ粉末を含むシリコーン樹脂層とを具備する
ことを特徴とする。ここで、シリコーン樹脂層がシリコ
ーン樹脂100重量部に対しシリカ粉末を40〜120重量部含
有するのがよい。また、シリカ粉末の平均粒径が２〜６
μｍであるのがよい。
の金属容器と、金属容器の底部に一方の主面が接着され
たpn接合を有する半導体チップと、半導体チップの他方
の主面に接着されたリードと、半導体チップの露出部を
被覆するポリイミド樹脂層と、ポリイミド樹脂層上に積
層されシリカ粉末を含むシリコーン樹脂層とを具備する
ことを特徴とする。ここで、シリコーン樹脂層がシリコ
ーン樹脂100重量部に対しシリカ粉末を40〜120重量部含
有するのがよい。また、シリカ粉末の平均粒径が２〜６
μｍであるのがよい。
また本願他の発明にかかる半導体整流素子は、凹部を
有する金属製放熱板と、金属製放熱板の凹部の底面に一
方の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、
半導体チップの他方の主面に接着されたリードと、半導
体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシ
リカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120
重量部であり、塩害（塩により生成するアルカリによる
シロキサン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で
配合されているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ
粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度
シリカであることを特徴とする。ここで、シリコーン樹
脂層上にエポキシ樹脂層を設けたものがよい。また、エ
ポキシ樹脂層と半導体チップとの間にポリイミド樹脂層
を設けたものがよい。
有する金属製放熱板と、金属製放熱板の凹部の底面に一
方の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、
半導体チップの他方の主面に接着されたリードと、半導
体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシ
リカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120
重量部であり、塩害（塩により生成するアルカリによる
シロキサン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で
配合されているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ
粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度
シリカであることを特徴とする。ここで、シリコーン樹
脂層上にエポキシ樹脂層を設けたものがよい。また、エ
ポキシ樹脂層と半導体チップとの間にポリイミド樹脂層
を設けたものがよい。
次に、本発明全波整流装置の特徴とするところは、電
気的に絶縁され、直流側端子となる第１及び第２の放熱
板と、わん形の金属容器、連続したｐ層及びｎ層を有し
ｐ層側が金属容器の底部に接着された半導体チップ、半
導体チップのｎ層側に接着されたリード、半導体チップ
の露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末
を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で
あり、塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサ
ン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で配合され
ているシリコーン樹脂層を具備し、該シリカ粉末はNa及
びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであ
り、金属容器が第１の放熱板に支持された複数個の第１
の半導体整流素子と、わん形の金属容器、連続したｐ層
及びｎ層を有しｎ層側が金属容器の底部に接着された半
導体チップ、半導体チップのｐ層側に接着されたリー
ド、半導体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６
μｍのシリカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対し
て40〜120重量部であり、塩害（塩により生成するアル
カリによるシロキサン結合の切断）を防止するに充分な
量と粒径で配合されているシリコーン樹脂層を具備し、
該シリカ粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下
の高純度シリカであり、金属容器が第２の放熱板に支持
された複数個の第２の半導体整流素子と、相数と同数
で、それぞれ第１の半導体整流素子のリードと第２の半
導体整流素子のリードとを接続する複数個の交流側端子
と、を具備する点にある。ここで、第１及び第２の半導
体整流素子のシリコーン樹脂層にエポキシ樹脂層が積層
されているものがよい。また、第１及び第２の半導体整
流素子のシリコーン樹脂層と半導体チップとの間にポリ
イミド樹脂層が介在しているものがよい。
気的に絶縁され、直流側端子となる第１及び第２の放熱
板と、わん形の金属容器、連続したｐ層及びｎ層を有し
ｐ層側が金属容器の底部に接着された半導体チップ、半
導体チップのｎ層側に接着されたリード、半導体チップ
の露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末
を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で
あり、塩害（塩により生成するアルカリによるシロキサ
ン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径で配合され
ているシリコーン樹脂層を具備し、該シリカ粉末はNa及
びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであ
り、金属容器が第１の放熱板に支持された複数個の第１
の半導体整流素子と、わん形の金属容器、連続したｐ層
及びｎ層を有しｎ層側が金属容器の底部に接着された半
導体チップ、半導体チップのｐ層側に接着されたリー
ド、半導体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６
μｍのシリカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対し
て40〜120重量部であり、塩害（塩により生成するアル
カリによるシロキサン結合の切断）を防止するに充分な
量と粒径で配合されているシリコーン樹脂層を具備し、
該シリカ粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下
の高純度シリカであり、金属容器が第２の放熱板に支持
された複数個の第２の半導体整流素子と、相数と同数
で、それぞれ第１の半導体整流素子のリードと第２の半
導体整流素子のリードとを接続する複数個の交流側端子
と、を具備する点にある。ここで、第１及び第２の半導
体整流素子のシリコーン樹脂層にエポキシ樹脂層が積層
されているものがよい。また、第１及び第２の半導体整
流素子のシリコーン樹脂層と半導体チップとの間にポリ
イミド樹脂層が介在しているものがよい。
更に本願他の発明に係る全波整流装置の特徴とすると
ころは、電気的に絶縁され、それぞれ複数個の凹部を有
し、直流側端子となる金属製の第１及び第２の放熱板
と、連続したｐ層及びｎ層を有し、ｐ層側が第１の放熱
板の各凹部の底部に接着された複数個の第１の半導体チ
ップと、連続したｐ層及びｎ層を有し、ｎ層側が第２の
放熱板の各凹部の底面に接着された複数個の第２の半導
体チップと、第１の半導体チップのｎ層側に接着された
第１のリードと、第２の半導体チップのｐ層側に接着さ
れた第２のリードと、第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍの
シリカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜1
20重量部であり、塩害（塩により生成するアルカリによ
るシロキサン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径
で配合されているシリコーン樹脂を具備し、該シリカ粉
末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シ
リカであり、相数と同数で、それぞれ第１のリードと第
２のリードを接続する複数個の交流側端子と、を具備す
る点にある。半導体チップは放熱板に凹部を形成してお
き凹部の底面に接着するか、予かじめ容器に接着したも
のを放熱板に接着するかの二通りによって放熱板に固着
される。シリコーン樹脂及びシリカ粉末については前述
の通りである。
ころは、電気的に絶縁され、それぞれ複数個の凹部を有
し、直流側端子となる金属製の第１及び第２の放熱板
と、連続したｐ層及びｎ層を有し、ｐ層側が第１の放熱
板の各凹部の底部に接着された複数個の第１の半導体チ
ップと、連続したｐ層及びｎ層を有し、ｎ層側が第２の
放熱板の各凹部の底面に接着された複数個の第２の半導
体チップと、第１の半導体チップのｎ層側に接着された
第１のリードと、第２の半導体チップのｐ層側に接着さ
れた第２のリードと、第１の半導体チップ及び第２の半
導体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍの
シリカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜1
20重量部であり、塩害（塩により生成するアルカリによ
るシロキサン結合の切断）を防止するに充分な量と粒径
で配合されているシリコーン樹脂を具備し、該シリカ粉
末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シ
リカであり、相数と同数で、それぞれ第１のリードと第
２のリードを接続する複数個の交流側端子と、を具備す
る点にある。半導体チップは放熱板に凹部を形成してお
き凹部の底面に接着するか、予かじめ容器に接着したも
のを放熱板に接着するかの二通りによって放熱板に固着
される。シリコーン樹脂及びシリカ粉末については前述
の通りである。
シリカはアルカリに対して安定であり、シリコーン樹
脂より熱膨張係数が小さい。このためシリコーン樹脂に
シリカ粉末を添加すると、シリコーン樹脂本来の耐熱性
及び耐湿性に優れた点はそのままで、シリコーン樹脂
のアルカリに対し安定性を向上する、シリコーン樹脂
の熱膨張係数を小さくする、シリコーン樹脂の熱収縮
量を低減する、等の特性改善が図れる。そこで車両に搭
載する半導体整流素子の封止用樹脂としてシリカ粉末を
添加したシリコーン樹脂を使用すると、熱膨張係数が
小さくかつ熱収縮量が少ないことから、金属との接着界
面の剥離が生じにくく半導体整流素子の電気的特性不良
が発生するおそれがなくなる、アルカリに対して安定
即ちアルカリによってシロキサン結合を切断される確率
が大幅に低下することから、金属との接着界面の剥離が
更に生じにくくなり、耐塩害性の向上が図れる、等の効
果を奏し、信頼性の高い車両に搭載するに適した半導体
整流素子を実現することができる。また、かかる半導体
整流素子を使用した全波整流装置においても同様効果を
奏する。
脂より熱膨張係数が小さい。このためシリコーン樹脂に
シリカ粉末を添加すると、シリコーン樹脂本来の耐熱性
及び耐湿性に優れた点はそのままで、シリコーン樹脂
のアルカリに対し安定性を向上する、シリコーン樹脂
の熱膨張係数を小さくする、シリコーン樹脂の熱収縮
量を低減する、等の特性改善が図れる。そこで車両に搭
載する半導体整流素子の封止用樹脂としてシリカ粉末を
添加したシリコーン樹脂を使用すると、熱膨張係数が
小さくかつ熱収縮量が少ないことから、金属との接着界
面の剥離が生じにくく半導体整流素子の電気的特性不良
が発生するおそれがなくなる、アルカリに対して安定
即ちアルカリによってシロキサン結合を切断される確率
が大幅に低下することから、金属との接着界面の剥離が
更に生じにくくなり、耐塩害性の向上が図れる、等の効
果を奏し、信頼性の高い車両に搭載するに適した半導体
整流素子を実現することができる。また、かかる半導体
整流素子を使用した全波整流装置においても同様効果を
奏する。
以下、本発明半導体整流素子及びそれを使った全波整
流装置を実施例として示した図面により詳述する。
流装置を実施例として示した図面により詳述する。
第１図は本発明半導体整流素子の代表的な実施例を示
す。図において、１はわん形の金属容器、２はpn接合Ｊ
を有し一方の主面21が接着層３を介して金属容器１の底
面に接着された半導体チップ、４は半導体チップ２の他
方の主面22に接着層５を介して接着されたヘッダー部41
と、ヘッダー部41からヘッダー部41に対して垂直方向に
延びる第１のリード部42と、第１のリード部42に連らな
る扁平の彎曲部43と、彎曲部43に連らなる第２のリード
部44とからなるリード、６は金属容器１内に充填され、
その表面が第１のリード部42に達するシリカ粉末を添加
したシリコーン樹脂層である。金属容器１の材料として
は、例えば銅、鉄ニッケル合金、銅−鉄ニッケル合金−
クラッド材が使用され、その表面は防錆の目的で銀めっ
き又はニッケルめっきで被覆するのが望ましい。リード
４の材料としては銅で一体に形成し、表面に防錆用の銀
めっき又はニッケルめっきを施したものが望ましい。ま
た、ヘッダー部41をモリブデン、タングステン、鉄ニッ
ケル合金で作り、これに銅で作った第１のリード部42、
彎曲部43及び第２のリード部44を接着したものでも使用
することができる。接着層3,5はPb−Sn半田又はPb−Ag
−Sn半田が使用される。シリコーン樹脂層６に添加され
ているシリカ粉末は、Na及びＫの含有率がそれぞれ10pp
m以下の高純度シリカで、平均粒径が２〜６μｍの粉末
状態で、シリコーン樹脂100重量部に対し80〜120重量部
の範囲で含まれている。高純度シリカを使用する理由
は、Na,Kが多く含まれると半導体整流素子を逆バイアス
状態としたとき、逆方向洩れ電流が大きくなり、半導体
整流素子としての特性をそこなうためである。この観点
からは5ppm以下にするのが理想的である。また、シリカ
粉末の平均粒径は、小さすぎるとシリコーン樹脂に混ぜ
たときの粘度が大きくなって流動性が低下するから、シ
リコーン樹脂へ本発明の目的を達成するに必要な量を添
加するのが難しくなり、大きすぎるとシリコーン樹脂を
硬化する前に沈降して樹脂内のシリカ粉末の分布が不均
一となり本発明の目的を達成することができなくなるこ
とから、本発明の目的を達成する範囲を定めたものであ
る。更に、シリカ粉末の添加量については、金属容器１
とシリコーン樹脂層６との接着界面の剥離を防止するに
十分な量が40重量部以上好ましくは80重量部以上である
が、この添加量が多すぎるとシリコーン樹脂の粘度が上
昇して充填作業が難しくなったり、内部の気泡が抜けに
くくなって封止用樹脂として使用できなくなる場合があ
るので、120重量部以下、好ましくは100重量部以下にす
る。
す。図において、１はわん形の金属容器、２はpn接合Ｊ
を有し一方の主面21が接着層３を介して金属容器１の底
面に接着された半導体チップ、４は半導体チップ２の他
方の主面22に接着層５を介して接着されたヘッダー部41
と、ヘッダー部41からヘッダー部41に対して垂直方向に
延びる第１のリード部42と、第１のリード部42に連らな
る扁平の彎曲部43と、彎曲部43に連らなる第２のリード
部44とからなるリード、６は金属容器１内に充填され、
その表面が第１のリード部42に達するシリカ粉末を添加
したシリコーン樹脂層である。金属容器１の材料として
は、例えば銅、鉄ニッケル合金、銅−鉄ニッケル合金−
クラッド材が使用され、その表面は防錆の目的で銀めっ
き又はニッケルめっきで被覆するのが望ましい。リード
４の材料としては銅で一体に形成し、表面に防錆用の銀
めっき又はニッケルめっきを施したものが望ましい。ま
た、ヘッダー部41をモリブデン、タングステン、鉄ニッ
ケル合金で作り、これに銅で作った第１のリード部42、
彎曲部43及び第２のリード部44を接着したものでも使用
することができる。接着層3,5はPb−Sn半田又はPb−Ag
−Sn半田が使用される。シリコーン樹脂層６に添加され
ているシリカ粉末は、Na及びＫの含有率がそれぞれ10pp
m以下の高純度シリカで、平均粒径が２〜６μｍの粉末
状態で、シリコーン樹脂100重量部に対し80〜120重量部
の範囲で含まれている。高純度シリカを使用する理由
は、Na,Kが多く含まれると半導体整流素子を逆バイアス
状態としたとき、逆方向洩れ電流が大きくなり、半導体
整流素子としての特性をそこなうためである。この観点
からは5ppm以下にするのが理想的である。また、シリカ
粉末の平均粒径は、小さすぎるとシリコーン樹脂に混ぜ
たときの粘度が大きくなって流動性が低下するから、シ
リコーン樹脂へ本発明の目的を達成するに必要な量を添
加するのが難しくなり、大きすぎるとシリコーン樹脂を
硬化する前に沈降して樹脂内のシリカ粉末の分布が不均
一となり本発明の目的を達成することができなくなるこ
とから、本発明の目的を達成する範囲を定めたものであ
る。更に、シリカ粉末の添加量については、金属容器１
とシリコーン樹脂層６との接着界面の剥離を防止するに
十分な量が40重量部以上好ましくは80重量部以上である
が、この添加量が多すぎるとシリコーン樹脂の粘度が上
昇して充填作業が難しくなったり、内部の気泡が抜けに
くくなって封止用樹脂として使用できなくなる場合があ
るので、120重量部以下、好ましくは100重量部以下にす
る。
次に、第１図に示す半導体整流素子の製法について説
明する。まず、金属容器１の底面上に半田箔、半導体チ
ップ２、半田箔、リード４を積層した状態で加熱して、
金属容器１、半導体チップ２及びリード４が一体となっ
たサブアセンブリを作る。このサブアセンブリの金属容
器１に、ビニル基含有ポリシロキサンオイル、水素含有
ポリシロキサン架橋剤、アルコキシラン系接着剤、白金
系触媒を主成分とするベースオイル100重量部に対し、
平均粒径２〜６μｍの高純度シリカ粉末を40〜120重量
部含有するように調合精製した液状のシリコーン樹脂を
充填する。液状のシリコーン樹脂は、大気雰囲気或いは
N2ガス雰囲気で50℃前後で２時間以上加熱する一次硬化
工程で硬化され、更に同雰囲気、150〜200℃で２時間以
上加熱する二次硬化工程で金属容器、半導体チップ及び
リードとの接着を強化するための硬化が行なわれ、半導
体整流素子が完成する。
明する。まず、金属容器１の底面上に半田箔、半導体チ
ップ２、半田箔、リード４を積層した状態で加熱して、
金属容器１、半導体チップ２及びリード４が一体となっ
たサブアセンブリを作る。このサブアセンブリの金属容
器１に、ビニル基含有ポリシロキサンオイル、水素含有
ポリシロキサン架橋剤、アルコキシラン系接着剤、白金
系触媒を主成分とするベースオイル100重量部に対し、
平均粒径２〜６μｍの高純度シリカ粉末を40〜120重量
部含有するように調合精製した液状のシリコーン樹脂を
充填する。液状のシリコーン樹脂は、大気雰囲気或いは
N2ガス雰囲気で50℃前後で２時間以上加熱する一次硬化
工程で硬化され、更に同雰囲気、150〜200℃で２時間以
上加熱する二次硬化工程で金属容器、半導体チップ及び
リードとの接着を強化するための硬化が行なわれ、半導
体整流素子が完成する。
かかる構成の半導体整流素子が車両に搭載して過酷な
条件での使用に耐える点は、次のような評価試験により
確認した。その評価試験は、 素子を逆バイアス状態で、塩水噴霧雰囲気中に所定時
間置く第１工程、 素子を無バイアス状態で、高温中に所定時間置く第２
工程、 素子を逆バイアス状態で、高温多湿雰囲気中に所定時
間置く第３工程、 素子を無バイアス状態で、大気雰囲気中に所定時間置
く第４工程、 を１サイクルとして、これを所定サイクル繰返し、素子
の逆方向特性が劣化するまでのサイクル数によって良否
を判別する方法で実施した。評価試験の結果は次表の通
りであった。
条件での使用に耐える点は、次のような評価試験により
確認した。その評価試験は、 素子を逆バイアス状態で、塩水噴霧雰囲気中に所定時
間置く第１工程、 素子を無バイアス状態で、高温中に所定時間置く第２
工程、 素子を逆バイアス状態で、高温多湿雰囲気中に所定時
間置く第３工程、 素子を無バイアス状態で、大気雰囲気中に所定時間置
く第４工程、 を１サイクルとして、これを所定サイクル繰返し、素子
の逆方向特性が劣化するまでのサイクル数によって良否
を判別する方法で実施した。評価試験の結果は次表の通
りであった。
この表で、結果の×印は劣化までのサイクル数が極め
て少なく塩害の予測される所では使用できないもの、△
印はサイクル数が少なく塩害の予測される所で使用を避
けた方がよいもの、○印はサイクル数が多く塩害の予測
される所で使用できるもの、◎印は○印より更に良好な
ものを意味する。
て少なく塩害の予測される所では使用できないもの、△
印はサイクル数が少なく塩害の予測される所で使用を避
けた方がよいもの、○印はサイクル数が多く塩害の予測
される所で使用できるもの、◎印は○印より更に良好な
ものを意味する。
第２図から第７図は本発明半導体整流素子の異なる実
施例を示すものである。
施例を示すものである。
第２図はシリコーン樹脂層６と金属容器１の底面、半
導体チップ２及びリード４のヘッダー部41との間にポリ
イミド樹脂層７を介在させた実施例、第３図はシリコー
ン樹脂層６上にエポキシ樹脂層８を形成した実施例を示
している。他の構成は第１図と同じである。第２図及び
第３図の構成は、いずれも封止用樹脂の気密封止機能を
向上させるものでる。
導体チップ２及びリード４のヘッダー部41との間にポリ
イミド樹脂層７を介在させた実施例、第３図はシリコー
ン樹脂層６上にエポキシ樹脂層８を形成した実施例を示
している。他の構成は第１図と同じである。第２図及び
第３図の構成は、いずれも封止用樹脂の気密封止機能を
向上させるものでる。
第４図は半導体チップ２とリード４のヘッダー部41と
の間に、第５図は半導体チップ２と金属容器１との間に
金属板9,10を介在した実施例を示している。これら金属
板9,10は、半導体チップ２とヘッダー部41又は金属容器
１との間の熱応力の緩和を目的として介在される。従っ
て、金属板9,10としては、例えばモリブデン、タングス
テン、鉄ニッケル合金、銅−鉄ニッケル合金−銅クラッ
ド材が使用される。第４図は金属容器１が、第５図はヘ
ッダー材41はそれぞれ半導体チップ２に近似した熱膨張
係数をもつ材料である場合を示しており、金属容器１及
びヘッダー部41が共に銅であれば、半導体チップ２の両
側に金属板9,10を配置するのが望ましくなる。
の間に、第５図は半導体チップ２と金属容器１との間に
金属板9,10を介在した実施例を示している。これら金属
板9,10は、半導体チップ２とヘッダー部41又は金属容器
１との間の熱応力の緩和を目的として介在される。従っ
て、金属板9,10としては、例えばモリブデン、タングス
テン、鉄ニッケル合金、銅−鉄ニッケル合金−銅クラッ
ド材が使用される。第４図は金属容器１が、第５図はヘ
ッダー材41はそれぞれ半導体チップ２に近似した熱膨張
係数をもつ材料である場合を示しており、金属容器１及
びヘッダー部41が共に銅であれば、半導体チップ２の両
側に金属板9,10を配置するのが望ましくなる。
第６図は金属容器１の外周面にリード４の延びる方向
と同方向にローレット加工1aを施した実施例を示してい
る。これは全波整流装置を組立てるときに接着を不要に
するものである。
と同方向にローレット加工1aを施した実施例を示してい
る。これは全波整流装置を組立てるときに接着を不要に
するものである。
第７図は金属容器の代りに金属板11の一部に形成した
凹部11aを使用する実施例を示している。
凹部11aを使用する実施例を示している。
第８図及び第９図は本発明半導体整流素子を使った全
波整流装置の一実施例を示す。
波整流装置の一実施例を示す。
図において、801及び802は弧状でそれぞれ３個の凹部
801a,802bを有する第１及び第２の放熱板で、各放熱板
の各凹部には第７図に示すと同様に底面に半導体チップ
２が接着され、半導体チップ２上にリード４が接着さ
れ、凹部内にシリカ粉末を含有するシリコーン樹脂６が
半導体チップ２を被覆するに十分な量充填されている。
これによって、第１及び第２の半導体整流素子が形成さ
れる。第１の放熱板801の凹部801aに案内される半導体
チップはｐ層が底面側に位置し、第２の放熱板802の凹
部802aに案内される半導体チップはｎ層が底面側に位置
している。803は環状の一部が開放した絶縁部材で、ビ
ス804により第１及び第２の放熱板801,802の弧状の外縁
側に固着され、第１及び第２の放熱板801,802の位置関
係を一定に保持している。805及び806は絶縁部材803上
に所定の間隔を有して、リベット807により止められた
第１及び第２の長片状リード端子で、それぞれ放熱板80
1,802の凹部801a,802aに対応する位置に設けられてい
る。長片状リード端子805,806はその長手方向を絶縁部
材803が作る円の半径方向と同方向とし、かつその両端
に切込み805a,806aが設けられている。第１の長片状リ
ード805の一端（内端）は第１の放熱板801に形成された
第１の半導体整流素子のリードと切込み805aにおいて半
田付けされ、第２の長片状リード806の一端（内端）は
第２の放熱板802に形成された第２の半導体整流素子の
リードと切込み806aにおいて半田付けされている。第１
及び第２の長片状リード端子805、806の他端（外端）は
相互に第1,第２及び第３の端子808,809,810により接続
される。以上により、第１及び第２の放熱板801,802を
直流側端子、第1,第２及び第３の端子を交流側端子とす
る三相全波整流装置が構成される。この全波整流装置
は、車両のエンジンルーム内の交流発電機の外側に固着
されて使用される。半導体整流素子は、全波整流装置に
組立てられた状態においも、封止用樹脂は、外気に露出
しており、耐塩害性が依然として要求されるのである。
従って、全波整流装置においても、本発明は効果を発揮
する。
801a,802bを有する第１及び第２の放熱板で、各放熱板
の各凹部には第７図に示すと同様に底面に半導体チップ
２が接着され、半導体チップ２上にリード４が接着さ
れ、凹部内にシリカ粉末を含有するシリコーン樹脂６が
半導体チップ２を被覆するに十分な量充填されている。
これによって、第１及び第２の半導体整流素子が形成さ
れる。第１の放熱板801の凹部801aに案内される半導体
チップはｐ層が底面側に位置し、第２の放熱板802の凹
部802aに案内される半導体チップはｎ層が底面側に位置
している。803は環状の一部が開放した絶縁部材で、ビ
ス804により第１及び第２の放熱板801,802の弧状の外縁
側に固着され、第１及び第２の放熱板801,802の位置関
係を一定に保持している。805及び806は絶縁部材803上
に所定の間隔を有して、リベット807により止められた
第１及び第２の長片状リード端子で、それぞれ放熱板80
1,802の凹部801a,802aに対応する位置に設けられてい
る。長片状リード端子805,806はその長手方向を絶縁部
材803が作る円の半径方向と同方向とし、かつその両端
に切込み805a,806aが設けられている。第１の長片状リ
ード805の一端（内端）は第１の放熱板801に形成された
第１の半導体整流素子のリードと切込み805aにおいて半
田付けされ、第２の長片状リード806の一端（内端）は
第２の放熱板802に形成された第２の半導体整流素子の
リードと切込み806aにおいて半田付けされている。第１
及び第２の長片状リード端子805、806の他端（外端）は
相互に第1,第２及び第３の端子808,809,810により接続
される。以上により、第１及び第２の放熱板801,802を
直流側端子、第1,第２及び第３の端子を交流側端子とす
る三相全波整流装置が構成される。この全波整流装置
は、車両のエンジンルーム内の交流発電機の外側に固着
されて使用される。半導体整流素子は、全波整流装置に
組立てられた状態においも、封止用樹脂は、外気に露出
しており、耐塩害性が依然として要求されるのである。
従って、全波整流装置においても、本発明は効果を発揮
する。
第８図及び第９図の全波整流装置は種々の変形が可能
である。
である。
（１）第１及び第２の放熱板を絶縁スペーサを介して重
ねた構造。
ねた構造。
（２）第１及び第２の放熱板を弧状にしないで矩形状し
た構造。
た構造。
（３）第１及び第２の放熱板の凹部に第１図から第５図
に示す半導体整流素子を案内した構造。
に示す半導体整流素子を案内した構造。
（４）第１及び第２の放熱板を平板状として、第１図か
ら第５図に示す半導体整流素子をそれに接着した構造。
ら第５図に示す半導体整流素子をそれに接着した構造。
（５）第１及び第２の放熱板に貫通孔を設け、貫通孔に
第６図の半導体整流素子を圧入した構造。
第６図の半導体整流素子を圧入した構造。
以上は本発明を代表的な実施例について説明したが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。
本発明はこれら実施例に限定されるものではなく、本発
明の技術的思想の範囲内で種々の変形が可能である。
本発明によれば、封止用樹脂としてシリカ粉末を含有
するシリコーン樹脂を使用するので、耐塩害性に優れ、
車両に搭載するに適した半導体整流素子及びそれを使っ
た全波整流装置を実現することができる。しかも、本発
明で使用するシリカ粉末は、Na及びＫの含有量がそれぞ
れ10ppm以下の高純度シリカであるので、封止用樹脂層
を介して流れる逆方向漏れ電流の発生を低減でき、半導
体整流素子の特性を高く維持できる。
するシリコーン樹脂を使用するので、耐塩害性に優れ、
車両に搭載するに適した半導体整流素子及びそれを使っ
た全波整流装置を実現することができる。しかも、本発
明で使用するシリカ粉末は、Na及びＫの含有量がそれぞ
れ10ppm以下の高純度シリカであるので、封止用樹脂層
を介して流れる逆方向漏れ電流の発生を低減でき、半導
体整流素子の特性を高く維持できる。
第１図は本発明半導体整流素子の一実施例を示す断面
図、第２図から第７図は本発明半導体整流素子の他の実
施例を示す断面図、第８図は本発明全波整流装置の一実
施例を示す概略平面図、第９図は第８図のIX−IX線に沿
う断面図である。 １…金属容器、２…半導体チップ、４…リード、６…シ
リコーン樹脂層
図、第２図から第７図は本発明半導体整流素子の他の実
施例を示す断面図、第８図は本発明全波整流装置の一実
施例を示す概略平面図、第９図は第８図のIX−IX線に沿
う断面図である。 １…金属容器、２…半導体チップ、４…リード、６…シ
リコーン樹脂層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成田 一豊 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式 会社日立製作所日立工場内 (72)発明者 中島 羊一 茨城県日立市幸町３丁目１番１号 株式 会社日立製作所日立工場内 (72)発明者 沖之島 弘茂 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越 化学工業株式会社シリコーン電子材料技 術研究所内 (72)発明者 野坂 糾司 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 昭59−172749（ＪＰ，Ａ) 特開 昭55−125657（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−147036（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−45058（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−64145（ＪＰ，Ａ)
Claims (12)
- 【請求項１】わん形の金属容器と、金属容器の底部に一
方の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、
半導体チップの他方の主面に接着されたリードと、半導
体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシ
リカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120
重量部で配合されているシリコーン樹脂層とを具備し、
該シリカ粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下
の高純度シリカであることを特徴とする半導体整流素
子。 - 【請求項２】わん形の金属容器と、金属容器の底部に一
方の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、
半導体チップの他方の主面に接着されたリードと、半導
体チップの露出面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシ
リカ粉末を、シリコーン樹脂100重量部に対して40〜120
重量部で配合されているシリコーン樹脂層と、シリコー
ン樹脂層上に積層されたエポキシ樹脂層とを具備し、該
シリカ粉末はNa及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の
高純度シリカであることを特徴とする半導体整流素子。 - 【請求項３】わん形の金属容器と、金属容器の底部に一
方の主面が接着されたpn接合を有する半導体チップと、
半導体チップの他方の主面に接着されたリードと、半導
体チップの露出部を被覆するポリイミド樹脂層と、ポリ
イミド樹脂層上に積層されたシリカ粉末を含むシリコー
ン樹脂層とを具備することを特徴とする半導体整流素
子。 - 【請求項４】請求項３において、シリコーン樹脂層がシ
リコーン樹脂100重量部に対してシリカ粉末を40〜120重
量部含有することを特徴とする半導体整流素子。 - 【請求項５】請求項３或いは４において、シリカ粉末の
平均粒径が２〜６μｍであることを特徴とする半導体整
流素子。 - 【請求項６】電気的に絶縁され、直流側端子となる第１
及び第２の放熱板と、 わん形の金属容器、連続したｐ層及びｎ層を有しｐ層側
が金属容器の底部に接着された半導体チップ、半導体チ
ップのｎ層側に接着されたリード、半導体チップの露出
面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シ
リコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で配合さ
れているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ粉末は
Na及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカ
であり、金属容器が第１の放熱板に支持された複数個の
第１の半導体整流素子と、 わん形の金属容器、連続したｐ層及びｎ層を有しｎ層側
が金属容器の底部に接着された半導体チップ、半導体チ
ップのｐ層側に接着されたリード、半導体チップの露出
面を被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シ
リコーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で配合さ
れているシリコーン樹脂層とを具備し、該シリカ粉末は
Na及びＫの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカ
であり、金属容器が第２の放熱板に支持された複数個の
第２の半導体整流素子と、 相数と同数で、それぞれ第１の半導体整流素子のリード
と第２の半導体整流素子のリードとを接続する複数個の
交流側端子と、を具備することを特徴とする全波整流装
置。 - 【請求項７】請求項６において、第１及び第２の半導体
整流素子のシリコーン樹脂層にエポキシ樹脂層が積層さ
れていることを特徴とする全波整流装置。 - 【請求項８】請求項６において、第１及び第２の半導体
整流素子のシリコーン樹脂層と半導体チップとの間にポ
リイミド樹脂層が介在していることを特徴とする全波整
流装置。 - 【請求項９】凹部を有する金属製放熱板と、金属製放熱
板の凹部の底面に一方の主面が接着されたpn接合を有す
る半導体チップと、半導体チップの他方の主面に接着さ
れたリードと、半導体チップの露出面を被覆する平均粒
径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シリコーン樹脂100重
量部に対して40〜120重量部で配合されているシリコー
ン樹脂層とを具備し、該シリカ粉末はNa及びＫの含有量
がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであることを特徴
とする半導体整流素子。 - 【請求項１０】請求項９において、シリコーン樹脂層上
にエポキシ樹脂層を設けたことを特徴とする半導体整流
素子。 - 【請求項１１】請求項９において、シリコーン樹脂層と
半導体チップとの間にポリイミド樹脂層を設けたことを
特徴とする半導体整流素子。 - 【請求項１２】電気的に絶縁され、それぞれ複数個の凹
部を有し、直流側端子となる金属製の第１及び第２の放
熱板と、 連続したｐ層及びｎ層を有し、ｐ層側が第１の放熱板の
各凹部の底部に接着された複数個の第１の半導体チップ
と、 連続したｐ層及びｎ層を有し、ｎ層側が第２の放熱板の
各凹部の底部に接着された複数個の第２の半導体チップ
と、 第１の半導体チップのｎ層側に接着された第１のリード
と、 第２の半導体チップのｐ層側に接着された第２のリード
と、 第１の半導体チップ及び第２の半導体チップの露出面を
被覆する平均粒径が２〜６μｍのシリカ粉末を、シリコ
ーン樹脂100重量部に対して40〜120重量部で配合されて
いるシリコーン樹脂層を具備し、該シリカ粉末はNa及び
Ｋの含有量がそれぞれ10ppm以下の高純度シリカであ
り、 相数と同数で、それぞれ第１のリードと第２のリードを
接続する複数個の向流端子と、を具備することを特徴と
する全波整流装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2270188A JP2858166B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置 |
| DE69120366T DE69120366T2 (de) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Halbleiter-Gleichrichteranordnung und Vollweggleichrichter mit dieser Anordnung |
| US07/772,871 US5302856A (en) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Semiconductor rectifying device and full-wave rectifier fabricated using the same |
| EP91117134A EP0480372B1 (en) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | Semiconductor rectifying device and full-wave rectifier fabricated using the same |
| KR1019910017579A KR100193161B1 (ko) | 1990-10-08 | 1991-10-08 | 반도체 정류장치와 그것을 이용하여 만든 전파정류기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2270188A JP2858166B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04146655A JPH04146655A (ja) | 1992-05-20 |
| JP2858166B2 true JP2858166B2 (ja) | 1999-02-17 |
Family
ID=17482751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2270188A Expired - Fee Related JP2858166B2 (ja) | 1990-10-08 | 1990-10-08 | 半導体整流素子及びそれを使った全波整流装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5302856A (ja) |
| EP (1) | EP0480372B1 (ja) |
| JP (1) | JP2858166B2 (ja) |
| KR (1) | KR100193161B1 (ja) |
| DE (1) | DE69120366T2 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4403996A1 (de) * | 1994-02-09 | 1995-08-10 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichteranordnung für einen Drehstromgenerator |
| FR2737618B1 (fr) * | 1995-08-02 | 1997-10-24 | Valeo Equip Electr Moteur | Alternateur comportant des pieces d'adaptation pour diodes de pont redresseur, notamment pour vehicule automobile, et piece d'adaptation pour un tel alternateur |
| US5773885A (en) * | 1996-06-06 | 1998-06-30 | General Motors Corporation | Thermally responsive compressive diode assembly |
| FR2768261B1 (fr) * | 1997-09-08 | 2002-11-08 | Valeo Equip Electr Moteur | Embase pour diode de puissance d'alternateur de vehicule automobile |
| DE19828518A1 (de) * | 1998-06-26 | 1999-12-30 | Bosch Gmbh Robert | Elektrische Maschine, vorzugsweise Drehstromgenerator mit Gleichrichter-Baueinheit |
| US6160309A (en) * | 1999-03-25 | 2000-12-12 | Le; Hiep | Press-fit semiconductor package |
| US6614108B1 (en) * | 2000-10-23 | 2003-09-02 | Delphi Technologies, Inc. | Electronic package and method therefor |
| JP2002359328A (ja) * | 2001-03-29 | 2002-12-13 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2007042900A (ja) * | 2005-08-04 | 2007-02-15 | Denso Corp | 半導体装置 |
| JP4875902B2 (ja) * | 2006-02-08 | 2012-02-15 | 株式会社日立製作所 | 半導体装置 |
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