JP2733117B2 - 電子部品用銅合金およびその製造方法 - Google Patents
電子部品用銅合金およびその製造方法Info
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Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子部品用銅合金およびその製造方法に関す
る。
る。
さらに詳述すれば、トランジスターおよびICリードフ
レーム等に代表される電子部品用の銅合金およびその製
造方法に関する。
レーム等に代表される電子部品用の銅合金およびその製
造方法に関する。
［従来技術］ 半導体分野における機器性能の向上及びコストの低下
の要求により、42合金の替りに、高強度の銅合金が使用
され、セラミック封止の替りに、樹脂封止が使用される
等、種々の量産技術が生み出された。その結果、この半
導体分野において熱放散性が優れた銅系材料が使用され
るに至っている。
の要求により、42合金の替りに、高強度の銅合金が使用
され、セラミック封止の替りに、樹脂封止が使用される
等、種々の量産技術が生み出された。その結果、この半
導体分野において熱放散性が優れた銅系材料が使用され
るに至っている。
ところで、最近の半導体分野においては、半導体素子
の高集積化が急速に進み、PLCC（Plastic Leaded Chip
Carrier）及びSOP（Small Outline Package）,FPP（Fla
t Plastic Package）等の表面実装型の集積回路（IC）
が開発されている。
の高集積化が急速に進み、PLCC（Plastic Leaded Chip
Carrier）及びSOP（Small Outline Package）,FPP（Fla
t Plastic Package）等の表面実装型の集積回路（IC）
が開発されている。
特に、このような集積回路に使用されるリードフレー
ムの材料としては、素子で発生するジュール熱を高効率
で放散させるために、熱伝導度が一層高いことが要求さ
れると共に、導電率で75％IACS（純銅焼鈍材の導電率を
100％とした場合の値）以上という要求が出されてい
る。
ムの材料としては、素子で発生するジュール熱を高効率
で放散させるために、熱伝導度が一層高いことが要求さ
れると共に、導電率で75％IACS（純銅焼鈍材の導電率を
100％とした場合の値）以上という要求が出されてい
る。
また、集積回路の高密度実装化による半導体装置が小
型化しつつあり、このため、リードフレームが薄板化し
ている。従って、リードフレーム用材料としては、強度
を更に一層高めることが要求されており、具体的には、
引張強さが55kgf/mm2以上であることが求められてい
る。しかも、このリードフレーム用材料としては、耐熱
性、リードフレームの耐繰り返し曲げ性、並びに錫及び
はんだの密着性が優れていることも必要である。
型化しつつあり、このため、リードフレームが薄板化し
ている。従って、リードフレーム用材料としては、強度
を更に一層高めることが要求されており、具体的には、
引張強さが55kgf/mm2以上であることが求められてい
る。しかも、このリードフレーム用材料としては、耐熱
性、リードフレームの耐繰り返し曲げ性、並びに錫及び
はんだの密着性が優れていることも必要である。
［発明が解決しようとする課題］ しかしながら、従来、半導体リードフレーム用材料と
しては、この導電率及び引張強さの双方の要求を低コス
トで満足するものはなかった。例えば、従来の半導体リ
ードフレーム用材料としては、CDA194合金（Cu−Fe−Ｐ
−Zn系合金）、CDA19210合金（Cu−Fe−Ｐ系合金）、Cu
−Mg−Zr系合金又はCu−Mg−Ｐ−Ag系合金等がある。
しては、この導電率及び引張強さの双方の要求を低コス
トで満足するものはなかった。例えば、従来の半導体リ
ードフレーム用材料としては、CDA194合金（Cu−Fe−Ｐ
−Zn系合金）、CDA19210合金（Cu−Fe−Ｐ系合金）、Cu
−Mg−Zr系合金又はCu−Mg−Ｐ−Ag系合金等がある。
しかし、CDA194合金は、上記特性の双方を満足するこ
とはできない。また、CDA19210合金、Cu−Mg−Zr系合金
及びCu−Mg−Ｐ−Ag系合金は、導電率が75％IACS以上で
あるけれども、引張強さは52kgf/mm2以下であり、強度
が低い。
とはできない。また、CDA19210合金、Cu−Mg−Zr系合金
及びCu−Mg−Ｐ−Ag系合金は、導電率が75％IACS以上で
あるけれども、引張強さは52kgf/mm2以下であり、強度
が低い。
なお、高強度及び高導電性の双方を具備した銅合金と
して、Cu−Cr−Zr系合金が公知であるが、この合金は大
気中での造塊が困難であり、真空又は不活性ガス雰囲気
中で溶解する必要がある。このため、高価な鋳造設備を
必要とするので、製造コストが高い。しかも、合金中に
Crを含有するため、製造上、公害面での制約を受けると
いう欠点もある。このように従来の銅合金では、特に高
集積化された半導体装置用のリードフレームに要求され
る特性を低コストで十分に満足することはできない。
して、Cu−Cr−Zr系合金が公知であるが、この合金は大
気中での造塊が困難であり、真空又は不活性ガス雰囲気
中で溶解する必要がある。このため、高価な鋳造設備を
必要とするので、製造コストが高い。しかも、合金中に
Crを含有するため、製造上、公害面での制約を受けると
いう欠点もある。このように従来の銅合金では、特に高
集積化された半導体装置用のリードフレームに要求され
る特性を低コストで十分に満足することはできない。
従って、引張強さが55kgf/mm2以上と高く、導電率が7
5％IACS以上と高いと共に、低廉のリードフレーム用銅
合金の開発が要望されている。
5％IACS以上と高いと共に、低廉のリードフレーム用銅
合金の開発が要望されている。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、
引張強さが55kgf/mm2以上、導電率が75％IACS以上と、
高強度且つ高導電率を有し、しかも、耐熱性、耐繰り返
し曲げ性、並びに錫及びはんだの密着性が優れた半導体
リードフレーム等の電子部品用銅合金およびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
引張強さが55kgf/mm2以上、導電率が75％IACS以上と、
高強度且つ高導電率を有し、しかも、耐熱性、耐繰り返
し曲げ性、並びに錫及びはんだの密着性が優れた半導体
リードフレーム等の電子部品用銅合金およびその製造方
法を提供することを目的とするものである。
［問題点を解決するための手段］ 本発明に係る電子部品用銅合金は、Fe:0.05〜0.15wt
％、P:0.05〜0.15wt％、Mg:0.05〜0.15wt％、Zn:0.01〜
0.1wt％、尚かつ（Fe＋Mg）/P＝1.61〜1.9で残部がCuお
よび不可避的不純物からなることを特徴とする。
％、P:0.05〜0.15wt％、Mg:0.05〜0.15wt％、Zn:0.01〜
0.1wt％、尚かつ（Fe＋Mg）/P＝1.61〜1.9で残部がCuお
よび不可避的不純物からなることを特徴とする。
本発明に係る電子部品用銅合金の製造方法は、Fe:0.0
5〜0.15wt％、P:0.05〜0.15wt％、Mg:0.05〜0.15wt％、
Zn:0.01〜0.1wt％、尚かつ（Fe＋Mg）/P＝1.61〜1.9で
残部がCuおよび不可避的不純物からなること銅合金を、
大気造塊した鋳塊を熱間圧延後、650℃以上の温度から2
00℃以上まで20℃/sec異助の速度で冷却し、その後冷間
圧延の途中で350〜475℃以上の温度で30分以上の焼鈍を
少なくとも２回以上行い、最終冷間圧延加工を70％以上
として、最終製品にて250〜450℃の温度で５秒以上の焼
鈍を行うことを特徴とする。
5〜0.15wt％、P:0.05〜0.15wt％、Mg:0.05〜0.15wt％、
Zn:0.01〜0.1wt％、尚かつ（Fe＋Mg）/P＝1.61〜1.9で
残部がCuおよび不可避的不純物からなること銅合金を、
大気造塊した鋳塊を熱間圧延後、650℃以上の温度から2
00℃以上まで20℃/sec異助の速度で冷却し、その後冷間
圧延の途中で350〜475℃以上の温度で30分以上の焼鈍を
少なくとも２回以上行い、最終冷間圧延加工を70％以上
として、最終製品にて250〜450℃の温度で５秒以上の焼
鈍を行うことを特徴とする。
本発明に係る電子部品用銅合金およびその製造方法に
ついて以上詳細に説明する。
ついて以上詳細に説明する。
（含有成分の限定理由） 先ず、本発明に係る電子部品用銅合金の含有成分およ
び成分割合について詳説する。
び成分割合について詳説する。
Fe,Mg,PをCuに添加するのは、Cu中にFe2PとMg3P2を析
出させ、強度，耐熱性および導電率を著しく向上させる
ためである。
出させ、強度，耐熱性および導電率を著しく向上させる
ためである。
Feは添加量が0.05wt％未満ではＰが添加されていて
も、強度向上は望まれず、また0.15wt％を越えると、Ｐ
が0.15wt％添加されていてもCu母相中にFeが固溶して残
るため、導電率が低下してしまう。このためFe含有量は
0.05〜0.15wt％とする。
も、強度向上は望まれず、また0.15wt％を越えると、Ｐ
が0.15wt％添加されていてもCu母相中にFeが固溶して残
るため、導電率が低下してしまう。このためFe含有量は
0.05〜0.15wt％とする。
Mgは、添加量が0.05wt％未満では、Ｐが添加されてい
ても、強度，耐熱性の向上効果は少なく、0.15wt％を越
えると、湯流れ性が悪化し、大気造塊が困難となる。し
たがって、Mg含有量は0.05〜0.15wt％とする。
ても、強度，耐熱性の向上効果は少なく、0.15wt％を越
えると、湯流れ性が悪化し、大気造塊が困難となる。し
たがって、Mg含有量は0.05〜0.15wt％とする。
Ｐは、FeおよびMgとそれぞれりん化合物（Fe2P，Mg3P
2）を形成して強度，耐熱性，導電率を向上させる効果
がある。
2）を形成して強度，耐熱性，導電率を向上させる効果
がある。
Feを0.05〜0.15wt％添加されている銅合金中にFe2Pの
化合物を析出させるためにはＰは0.02〜0.05wt％必要で
ある。
化合物を析出させるためにはＰは0.02〜0.05wt％必要で
ある。
同時にMgを0.05〜0.15wt％添加されている銅合金中
に、Mg3P2の化合物を析出させるためには、Ｐは0.06〜
0.18wt％必要となる。
に、Mg3P2の化合物を析出させるためには、Ｐは0.06〜
0.18wt％必要となる。
しかし、Ｐを多量に添加し、母相に固溶して残留する
ようになると、導電率の低下が大きくなる。したがって
Ｐ含有量は0.05〜0.15wt％とする。
ようになると、導電率の低下が大きくなる。したがって
Ｐ含有量は0.05〜0.15wt％とする。
さらに、（Fe＋Mg）/Pを1.6〜1.9と限定したのは、Fe
2PならびにMg3P2を十分に析出させるためであり、（Fe
＋Mg）/Pが1.6未満の場合、余剰のＰがCu母相中に固溶
し、導電率の低下をきたす。
2PならびにMg3P2を十分に析出させるためであり、（Fe
＋Mg）/Pが1.6未満の場合、余剰のＰがCu母相中に固溶
し、導電率の低下をきたす。
また、（Fe＋Mg）/Pが1.9を越えてしまうと余剰のFe
および／またはMgがCu母相中に固溶してしまうため導電
率は低下する。
および／またはMgがCu母相中に固溶してしまうため導電
率は低下する。
したがって（Fe＋Mg）/Pを1.6〜1.9とする。
Znは錫およびはんだの密着性を向上させる元素であ
る。
る。
近年の半導体機器の高信頼性の要求は、増々厳しくな
っており、ICリードフレームの外装リードの錫およびは
んだの密着性は、150℃で1000Hr後も良好な密着性を要
求されている。
っており、ICリードフレームの外装リードの錫およびは
んだの密着性は、150℃で1000Hr後も良好な密着性を要
求されている。
本発明に係る電子部品用銅合金もその例外ではない。
Znは、添加量が0.01wt％未満では上記の効果は少な
い。
い。
また、0.1wt％を越えて含有されると導電率の低下を
きたす。したがって、Zn含有量は0.01〜0.1wt％とす
る。
きたす。したがって、Zn含有量は0.01〜0.1wt％とす
る。
（製造方法） 次に本発明に係る電子部品用銅合金の製造方法につい
て説明する。
て説明する。
すなわち、本発明に係る電子部品用銅合金は、上記に
説明した含有成分および成分割合の銅合金鋳塊を熱間圧
延後650℃以上の温度から200℃以下まで25℃/sec以上の
速度で冷却し、その後冷間圧延の途中で300〜500℃以上
の温度で30分以上の焼鈍を少なくとも２回以上行ない、
最終冷間圧延加工率を70％以上として最終製品にて250
〜450℃の温度で５秒以上の歪取り焼鈍を行なうことに
より可能となるものである。
説明した含有成分および成分割合の銅合金鋳塊を熱間圧
延後650℃以上の温度から200℃以下まで25℃/sec以上の
速度で冷却し、その後冷間圧延の途中で300〜500℃以上
の温度で30分以上の焼鈍を少なくとも２回以上行ない、
最終冷間圧延加工率を70％以上として最終製品にて250
〜450℃の温度で５秒以上の歪取り焼鈍を行なうことに
より可能となるものである。
まず、熱間圧延後650℃以上の温度から冷却する理由
は、Fe,PおよびMgを母相中に強制的に固溶させるためで
ある。
は、Fe,PおよびMgを母相中に強制的に固溶させるためで
ある。
冷却最終温度では、銅合金中にFe2PまたはMg3P2の析
出物を生じないためである。
出物を生じないためである。
この時、冷却速度を25℃/sec以上としたのは、冷却速
度が25℃/sec未満だと、冷却中にFe2PまたはMg3P2が析
出し、冷却中に生じたこの析出物は、その後の強度・耐
熱性等の機械的性質の向上に寄与しないためである。
度が25℃/sec未満だと、冷却中にFe2PまたはMg3P2が析
出し、冷却中に生じたこの析出物は、その後の強度・耐
熱性等の機械的性質の向上に寄与しないためである。
冷間圧延の途中で少なくとも２回以上350〜475℃の温
度で30分以上の焼鈍を行なうのは強度および導電率の向
上に寄与するFe2PおよびMg3P2を十分に析出するためで
ある。
度で30分以上の焼鈍を行なうのは強度および導電率の向
上に寄与するFe2PおよびMg3P2を十分に析出するためで
ある。
軟化が生じ、475℃を越えると、しかも、この温度で
の焼鈍を繰り返しても導電率の向上はあるものの引張強
さ55kgf/mm2以上を具備することは困難である。
の焼鈍を繰り返しても導電率の向上はあるものの引張強
さ55kgf/mm2以上を具備することは困難である。
350℃未満の温度では、Fe2PおよびMg3P2の析出が不十
分であり、強度向上はあるものの、導電率を75％以上に
することは困難である。よって焼鈍温度は350〜475℃と
する。
分であり、強度向上はあるものの、導電率を75％以上に
することは困難である。よって焼鈍温度は350〜475℃と
する。
また、焼鈍時間を30分以上としたのは、30分未満の焼
鈍ではFe2PおよびMg3P2の析出が不十分である。さらに
焼鈍回数を２回以上としたのは、冷間圧延と析出焼鈍を
２回以上繰り返すことによってFe2PおよびMg3P2が析出
し、75％以上の導電率を具備ることができ、その後の冷
間圧延による加工硬化により55kgf/mm2以上の引張強さ
を保有するためである。
鈍ではFe2PおよびMg3P2の析出が不十分である。さらに
焼鈍回数を２回以上としたのは、冷間圧延と析出焼鈍を
２回以上繰り返すことによってFe2PおよびMg3P2が析出
し、75％以上の導電率を具備ることができ、その後の冷
間圧延による加工硬化により55kgf/mm2以上の引張強さ
を保有するためである。
次に、最終冷間圧延加工率を70％以上としたのは、70
％未満の冷間加工率では、引張強さ55kgf/mm2を具備す
ることが困難であるためである。
％未満の冷間加工率では、引張強さ55kgf/mm2を具備す
ることが困難であるためである。
さらに、最終製品にて250〜450℃の温度で５秒以上の
焼鈍を行なうのは、冷間圧延歪の除去ならびに伸びの回
復のためである。250℃未満の温度では、歪の除去なら
びに伸びの回復が不十分であり、450℃を越える温度で
は、軟化しすぎ、引張強さ55kgf/mm2を満足しないため
である。焼鈍時間を５秒以上としてのは、工業的に生産
性を考慮して、連続焼鈍炉を使用するためである。
焼鈍を行なうのは、冷間圧延歪の除去ならびに伸びの回
復のためである。250℃未満の温度では、歪の除去なら
びに伸びの回復が不十分であり、450℃を越える温度で
は、軟化しすぎ、引張強さ55kgf/mm2を満足しないため
である。焼鈍時間を５秒以上としてのは、工業的に生産
性を考慮して、連続焼鈍炉を使用するためである。
［実施例］ 本発明に係る電子部品用銅合金およびその製造方法に
ついて、その実施例によって以下詳説する。
ついて、その実施例によって以下詳説する。
（実施例１） 第１表に示す組成の銅合金を、クリプトル炉を使用
し、木炭被覆下において大気中で溶解した。次いで、こ
の溶湯を、鋳鉄製のブックモールドを用いて、厚さが50
mm、幅が80mm,長さが200mmの鋳塊に鋳造した。そして、
この鋳塊の表裏正面を5mmずつ面削した後、鋳塊を850℃
の温度で15mmの厚さになるまで熱間圧延し、水中に投入
して急冷した。
し、木炭被覆下において大気中で溶解した。次いで、こ
の溶湯を、鋳鉄製のブックモールドを用いて、厚さが50
mm、幅が80mm,長さが200mmの鋳塊に鋳造した。そして、
この鋳塊の表裏正面を5mmずつ面削した後、鋳塊を850℃
の温度で15mmの厚さになるまで熱間圧延し、水中に投入
して急冷した。
次いで、熱間圧延後の試料の酸化スケールを除去した
後、冷間圧延により3.0mmの厚さの板材に加工し、その
後、460℃の温度に２時間加熱して焼鈍した。次いで、
再度冷間圧延して試料を1.0mmの厚さの板材に加工し、4
00℃の温度で２時間加熱して焼鈍した。焼鈍後、仕上げ
冷間圧延して、試料を厚さが0.25mmの板材に調整した。
その後、歪を除去するために、硝石炉を使用し、試料を
300℃の温度に20秒間加熱して低温焼鈍した。
後、冷間圧延により3.0mmの厚さの板材に加工し、その
後、460℃の温度に２時間加熱して焼鈍した。次いで、
再度冷間圧延して試料を1.0mmの厚さの板材に加工し、4
00℃の温度で２時間加熱して焼鈍した。焼鈍後、仕上げ
冷間圧延して、試料を厚さが0.25mmの板材に調整した。
その後、歪を除去するために、硝石炉を使用し、試料を
300℃の温度に20秒間加熱して低温焼鈍した。
ごれらの試料について、引張試験、硬度測定、導電率
測定、繰り返し曲げ試験およびはんだの密着性試験を実
施した。
測定、繰り返し曲げ試験およびはんだの密着性試験を実
施した。
その結果を第２表に示す。
第２表より明らかなように、本発明に係る電子部品用
銅合金No.1〜３は、いずれも、引張強さが55kgf/mm2以
上あり、導電率も75％IACS以上を有しており、繰り返し
曲げ性ならびにはんだの密着性も良好である。
銅合金No.1〜３は、いずれも、引張強さが55kgf/mm2以
上あり、導電率も75％IACS以上を有しており、繰り返し
曲げ性ならびにはんだの密着性も良好である。
これに対して比較合金No.4〜９は、それぞれFe,Pおよ
びMg含有が本発明範囲をはずれており、引張強さあるい
は導電率点で本発明合金より劣っている。しかも、伸び
特性および繰り返し曲げ性はいずれの比較合金も本発明
合金より劣っている。
びMg含有が本発明範囲をはずれており、引張強さあるい
は導電率点で本発明合金より劣っている。しかも、伸び
特性および繰り返し曲げ性はいずれの比較合金も本発明
合金より劣っている。
また、比較合金No.10およびNo.11は（Fe＋Mg）/P比が
本発明範囲をはずれており、引張強さあるいは導電率の
点で特性が低下していることが分る。
本発明範囲をはずれており、引張強さあるいは導電率の
点で特性が低下していることが分る。
比較合金No.12はZn含有量が0.01wt％未満であり、は
んだ密着性試験において、150℃×1000Hr後、一部剥離
を生じている。
んだ密着性試験において、150℃×1000Hr後、一部剥離
を生じている。
また、各試験条件は以下のとおりである。
（１）引張試験においては、圧延方向に平行に切り出し
たJIS13号Ｂ試験片を使用した。
たJIS13号Ｂ試験片を使用した。
（２）硬度は、マイクロビッカーズ硬度計により、荷重
500gの条件で測定した。
500gの条件で測定した。
（３）導電率は幅が10mm、長さが300mmの試験片を使用
し、ダブルブリッジにより測定した。
し、ダブルブリッジにより測定した。
（４）繰り返し曲げ性の試験においては、プレスで打ち
抜いた0.5mm幅のリードを試験片とし、その一端に227g
の錘りを吊して一方向往復で90°曲げを行った。そし
て、往復を１回と数えて、破断までの回数を数え、この
回数を10個の試験片について平均化して破断までの繰り
返し曲げ回数を求めた。なお、曲げ軸は圧延方向に直交
させた。
抜いた0.5mm幅のリードを試験片とし、その一端に227g
の錘りを吊して一方向往復で90°曲げを行った。そし
て、往復を１回と数えて、破断までの回数を数え、この
回数を10個の試験片について平均化して破断までの繰り
返し曲げ回数を求めた。なお、曲げ軸は圧延方向に直交
させた。
（５）はんだの密着試験においては、弱活性フラックス
を使用して、温度が230℃のはんだ浴（Sn60−Pb40合
金）で試料をはんだ付けした。そして、この試料を、15
0℃の温度に1000時間加熱し、この加熱期間中250時間毎
に90°曲げ試験を実施して試料に対するはんだの密着
性、つまり剥離の有無を調査した。
を使用して、温度が230℃のはんだ浴（Sn60−Pb40合
金）で試料をはんだ付けした。そして、この試料を、15
0℃の温度に1000時間加熱し、この加熱期間中250時間毎
に90°曲げ試験を実施して試料に対するはんだの密着
性、つまり剥離の有無を調査した。
（実施例２） 第１表に示すNo.1の成分割合の3.0mmtの中間材を使用
して第３表に示す条件で、試験材を調整した。
して第３表に示す条件で、試験材を調整した。
最終板厚を0.25mmとし、引張強さ、伸び、硬さ、導電
率および90°曲げ加工性を調査した。その結果を第３表
に示す。
率および90°曲げ加工性を調査した。その結果を第３表
に示す。
第３表から明らかなように、本発明に係る電子部品用
銅合金の製造方法による実施例はいずれも、引張強さが
55kgf/mm2以上、導電率が75％IACS以上であり、90°曲
げ加工性も優れていることが分る。
銅合金の製造方法による実施例はいずれも、引張強さが
55kgf/mm2以上、導電率が75％IACS以上であり、90°曲
げ加工性も優れていることが分る。
これに対して、比較例No.3は、冷間圧延途中の２回の
焼鈍温度がいずれも本発明範囲の上限を越えており、引
張強さが低下している。
焼鈍温度がいずれも本発明範囲の上限を越えており、引
張強さが低下している。
比較例No.4は、冷間圧延途中の２回の焼鈍温度が本発
明範囲の下限を満足しておらず、引張強さは55kgf/mm2
以上保有するが導電率、90°曲げ加工性が低下してい
る。
明範囲の下限を満足しておらず、引張強さは55kgf/mm2
以上保有するが導電率、90°曲げ加工性が低下してい
る。
比較例No.5は最終冷間圧延加工率が本発明範囲を満足
しておらず、また比較例No.6は最終歪取り焼鈍温度が本
願特許請求の範囲の上限を越えており、No.5およびNo.6
いずれも引張強さが低下している。
しておらず、また比較例No.6は最終歪取り焼鈍温度が本
願特許請求の範囲の上限を越えており、No.5およびNo.6
いずれも引張強さが低下している。
比較例No.7は最終歪取り焼鈍温度が本発明範囲の下限
を満足しておらず、引張強さを導電率は優れているもの
の90°曲げ加工性の面で問題となる。
を満足しておらず、引張強さを導電率は優れているもの
の90°曲げ加工性の面で問題となる。
比較例No.8は、焼鈍回数が１回であり、温度も500℃
と高いため導電率が優れるものの、引張強さ、90°曲げ
性が低下している。
と高いため導電率が優れるものの、引張強さ、90°曲げ
性が低下している。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明に係る電子部品用銅合金
とその製造方法によって、引張強さが55kgf/mm2以上、
導電率が75％IACS以上であり、且つ、優れた繰返し曲げ
性、90°曲げ性ならびに錫およびはんだの密着性等を具
備することが可能となる。
とその製造方法によって、引張強さが55kgf/mm2以上、
導電率が75％IACS以上であり、且つ、優れた繰返し曲げ
性、90°曲げ性ならびに錫およびはんだの密着性等を具
備することが可能となる。
したがって、例えば半導体リードフレーム等の材料と
して極めて信頼性が高く、集積回路の高密度化および電
子部品の小型化に多大に貢献するものである。
して極めて信頼性が高く、集積回路の高密度化および電
子部品の小型化に多大に貢献するものである。
フロントページの続き (72)発明者 田中 仁 福岡県北九州市門司区片上１―34 (56)参考文献 特開 昭60−92439（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−159336（ＪＰ，Ａ) ＩＥＥ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ （英），1986，Ｖｏｌ．133，Ｐａｒｔ Ａ，Ｎｏ．４，Ｐ．174−201
Claims (2)
- 【請求項１】Fe:0.05〜0.15wt％、P:0.05〜0.15wt％、M
g:0.05〜0.15wt％、Zn:0.01〜0.1wt％、尚かつ（Fe＋M
g）/P＝1.61〜1.9で残部がCuおよび不可避的不純物から
なることを特徴とする電子部品用銅合金。 - 【請求項２】Fe:0.05〜0.15wt％、P:0.05〜0.15wt％、M
g:0.05〜0.15wt％、Zn:0.01〜0.1wt％、尚かつ（Fe＋M
g）/P＝1.61〜1.9で残部がCuおよび不可避的不純物から
なること銅合金を、大気造塊した鋳塊を熱間圧延後、65
0℃以上の温度から200℃以下まで20℃/sec異助の速度で
冷却し、その後冷間圧延の途中で350〜475℃以上の温度
で30分以上の焼鈍を少なくとも２回以上行い、最終冷間
圧延加工を70％以上として、最終製品にて250〜450℃の
温度で５秒以上の焼鈍を行うことを特徴とする電子部品
用銅合金の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32756289A JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32756289A JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03188235A JPH03188235A (ja) | 1991-08-16 |
| JP2733117B2 true JP2733117B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=18200452
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32756289A Expired - Lifetime JP2733117B2 (ja) | 1989-12-18 | 1989-12-18 | 電子部品用銅合金およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2733117B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20040238086A1 (en) * | 2003-05-27 | 2004-12-02 | Joseph Saleh | Processing copper-magnesium alloys and improved copper alloy wire |
| CN100510131C (zh) | 2004-08-17 | 2009-07-08 | 株式会社神户制钢所 | 具有弯曲加工性的电气电子部件用铜合金板 |
| JP5214282B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2013-06-19 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイシング加工性に優れるｑｆｎパッケージ用銅合金板 |
| CN115747558A (zh) * | 2022-11-17 | 2023-03-07 | 安徽鑫科铜业有限公司 | 一种集成电路引线框架用铜合金带及其制造方法和应用 |
-
1989
- 1989-12-18 JP JP32756289A patent/JP2733117B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| ＩＥＥ ＰＲＯＣＥＥＤＩＮＧＳ（英），１９８６，Ｖｏｌ．１３３，Ｐａｒｔ Ａ，Ｎｏ．４，Ｐ．１７４−２０１ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03188235A (ja) | 1991-08-16 |
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