JP2795207B2 - エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法 - Google Patents
エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、例えば、車載用表示
器、情報機器のディスプレイ装置などに使用されるエレ
クトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）表示器（以下、「ＥＬ表示器」という）
に関する。
器、情報機器のディスプレイ装置などに使用されるエレ
クトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）表示器（以下、「ＥＬ表示器」という）
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＥＬ表示器は、硫化亜鉛などの蛍
光体に電界をかけたときに発光する現象を利用したもの
で自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして注
目されている。ＥＬ表示器の典型的なものとしては、絶
縁性基板である表示側ガラス基板上に、光学的に透明な
第１透明電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、及び
光学的に透明な第２透明電極を順次積層してなる発光素
子を形成し、且つ該ガラス基板の第２透明電極の上方に
上記発光素子を覆うようにして背面ガラス基板を配置
し、該背面ガラス基板と表示側ガラス基板との間に形成
される内部空間内をシリコーンオイルで封止した構成の
ものが知られている（ＵＳＰ４，２１３，０７４参
照）。
光体に電界をかけたときに発光する現象を利用したもの
で自発光型の平面ディスプレイを構成するものとして注
目されている。ＥＬ表示器の典型的なものとしては、絶
縁性基板である表示側ガラス基板上に、光学的に透明な
第１透明電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、及び
光学的に透明な第２透明電極を順次積層してなる発光素
子を形成し、且つ該ガラス基板の第２透明電極の上方に
上記発光素子を覆うようにして背面ガラス基板を配置
し、該背面ガラス基板と表示側ガラス基板との間に形成
される内部空間内をシリコーンオイルで封止した構成の
ものが知られている（ＵＳＰ４，２１３，０７４参
照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記構造から成るＥＬ
表示器は、発光素子において絶縁破壊を生じることがあ
り、その破壊は微小の破壊で止まっているものもあれ
ば、微小の破壊点を発端にその破壊が伝搬して発光素子
の全体に至るものもある。このような全体に破壊が進行
した場合はＥＬ表示器としての機能が損なわれる。
表示器は、発光素子において絶縁破壊を生じることがあ
り、その破壊は微小の破壊で止まっているものもあれ
ば、微小の破壊点を発端にその破壊が伝搬して発光素子
の全体に至るものもある。このような全体に破壊が進行
した場合はＥＬ表示器としての機能が損なわれる。
【０００４】発明者らは、ＥＬ表示器における発光素子
の破壊がＥＬ表示器製造後の基板の形状に起因すること
を新たに発見した。即ち、上記ＵＳＰ４，２１３，０７
４によれば、次の点が記載されている。真空槽内にシリ
コーンオイルが貯蔵された容器を収納し、且つ該真空槽
内に上記二つのガラス基板を対向配置したＥＬ表示器本
体を収納し、真空槽内部を減圧してＥＬ表示器本体内の
上記内部空間を真空とする。次に、該ＥＬ表示器本体に
形成した注入口を、上記容器のシリコーンオイル内に浸
漬した状態で真空槽内を大気圧に戻す。この際の気圧差
によってシリコーンオイルをＥＬ表示器本体の内部空間
内に注入し、続いて上記注入口を封止する。
の破壊がＥＬ表示器製造後の基板の形状に起因すること
を新たに発見した。即ち、上記ＵＳＰ４，２１３，０７
４によれば、次の点が記載されている。真空槽内にシリ
コーンオイルが貯蔵された容器を収納し、且つ該真空槽
内に上記二つのガラス基板を対向配置したＥＬ表示器本
体を収納し、真空槽内部を減圧してＥＬ表示器本体内の
上記内部空間を真空とする。次に、該ＥＬ表示器本体に
形成した注入口を、上記容器のシリコーンオイル内に浸
漬した状態で真空槽内を大気圧に戻す。この際の気圧差
によってシリコーンオイルをＥＬ表示器本体の内部空間
内に注入し、続いて上記注入口を封止する。
【０００５】ここで、真空槽内を減圧してＥＬ表示器本
体の内部空間内を真空とする際、該ＥＬ表示器本体の上
記二つのガラス基板が内部空間側を外側とする凸形状、
換言すれば、二つのガラス基板が内部空間側に窪む凹形
状に変形する。このため、シリコーンオイルの注入効率
が悪化し、ＥＬ表示器本体の上記二つのガラス基板が内
部空間側を外側とする凸形状に保持されたままの状態と
なる。
体の内部空間内を真空とする際、該ＥＬ表示器本体の上
記二つのガラス基板が内部空間側を外側とする凸形状、
換言すれば、二つのガラス基板が内部空間側に窪む凹形
状に変形する。このため、シリコーンオイルの注入効率
が悪化し、ＥＬ表示器本体の上記二つのガラス基板が内
部空間側を外側とする凸形状に保持されたままの状態と
なる。
【０００６】このように、ガラス基板が内部空間側を外
側とする凸形状になると、該ガラス基板は元の形状に戻
ろうとし、該ガラス基板の内側では内向きの力がかか
る。そして、該ガラス基板上に発光素子が形成されてい
る場合も同様であり、該発光素子はガラス基板に比較し
て非常に肉厚が薄いため、発光素子には内向きの力、即
ち圧縮応力が加わる。この状態で、発光素子に微小な絶
縁破壊が発生すると、発光素子には圧縮応力即ち縮もう
とする力が作用しているため、その破壊ポイントつまり
ピンホールの断面形状は発光素子の膜厚方向に壺形状と
なりピンホールの開口部側（第２電極側）の径は該ピン
ホールの底部側（第１電極側）の径に比べて小さい。こ
のことは、第１透明電極と第２透明電極との間に誘電体
としての第１絶縁層、第２絶縁層が存在しない状態とな
り、該ピンホールの周辺に電流が流れ続け、破壊が進行
する。そして、この破壊が発光素子の全体に伝播し、発
光素子の機能が全うされなくなるのである。ここで、発
光素子の絶縁破壊とは、上記絶縁層、発光層の各層にお
ける絶縁破壊の総称を指す。
側とする凸形状になると、該ガラス基板は元の形状に戻
ろうとし、該ガラス基板の内側では内向きの力がかか
る。そして、該ガラス基板上に発光素子が形成されてい
る場合も同様であり、該発光素子はガラス基板に比較し
て非常に肉厚が薄いため、発光素子には内向きの力、即
ち圧縮応力が加わる。この状態で、発光素子に微小な絶
縁破壊が発生すると、発光素子には圧縮応力即ち縮もう
とする力が作用しているため、その破壊ポイントつまり
ピンホールの断面形状は発光素子の膜厚方向に壺形状と
なりピンホールの開口部側（第２電極側）の径は該ピン
ホールの底部側（第１電極側）の径に比べて小さい。こ
のことは、第１透明電極と第２透明電極との間に誘電体
としての第１絶縁層、第２絶縁層が存在しない状態とな
り、該ピンホールの周辺に電流が流れ続け、破壊が進行
する。そして、この破壊が発光素子の全体に伝播し、発
光素子の機能が全うされなくなるのである。ここで、発
光素子の絶縁破壊とは、上記絶縁層、発光層の各層にお
ける絶縁破壊の総称を指す。
【０００７】本発明は、発光素子の絶縁破壊を抑制しよ
うとするものである。
うとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
第１基板と、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、及び第２電極をこの順序に積層してなり、且つ前記
第１基板上に形成された発光素子と、前記発光素子の上
方に隙間を介して位置するとともに、前記第１基板と対
向するよう位置し、且つ前記第１基板との間に内部空間
を形成する第２基板と、前記内部空間を外部に対して封
止する封止部と、前記内部空間に充填された絶縁性流体
と、を備えたエレクトロルミネッセンス表示器におい
て、前記第１基板と前記第２基板とを、前記内部空間の
ない外側に凸となるように変形してなるという技術的手
段を採用するものである。
第１基板と、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、及び第２電極をこの順序に積層してなり、且つ前記
第１基板上に形成された発光素子と、前記発光素子の上
方に隙間を介して位置するとともに、前記第１基板と対
向するよう位置し、且つ前記第１基板との間に内部空間
を形成する第２基板と、前記内部空間を外部に対して封
止する封止部と、前記内部空間に充填された絶縁性流体
と、を備えたエレクトロルミネッセンス表示器におい
て、前記第１基板と前記第２基板とを、前記内部空間の
ない外側に凸となるように変形してなるという技術的手
段を採用するものである。
【０００９】請求項２記載の発明は、請求１記載の発明
において、前記第２基板には、第１電極、第１絶縁層、
発光層、第２絶縁層、第２電極をこの順序に積層してな
る他の発光素子が形成されているという技術的手段を採
用するものである。請求項３記載の発明は、請求項１又
は請求項２記載の発明において、前記第１基板及び前記
第２基板の中央部の曲率半径Ｒが、５０ｍ≦Ｒ≦１５０
０ｍの範囲に設定されているという技術的手段を採用す
るものである。
において、前記第２基板には、第１電極、第１絶縁層、
発光層、第２絶縁層、第２電極をこの順序に積層してな
る他の発光素子が形成されているという技術的手段を採
用するものである。請求項３記載の発明は、請求項１又
は請求項２記載の発明において、前記第１基板及び前記
第２基板の中央部の曲率半径Ｒが、５０ｍ≦Ｒ≦１５０
０ｍの範囲に設定されているという技術的手段を採用す
るものである。
【００１０】請求項４記載の発明は、請求項１記載の発
明において、前記封止部は、前記第１基板の前記発光素
子の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第２基
板の部位との間に位置しており、前記発光素子と前記第
２基板との前記隙間には、前記封止部の高さを越えた位
置に頂部が位置するスペーサが配設されているという技
術的手段を採用するものである。
明において、前記封止部は、前記第１基板の前記発光素
子の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第２基
板の部位との間に位置しており、前記発光素子と前記第
２基板との前記隙間には、前記封止部の高さを越えた位
置に頂部が位置するスペーサが配設されているという技
術的手段を採用するものである。
【００１１】請求項５記載の発明は、請求項４記載の発
明において、前記封止部の高さｔと、前記第１基板から
前記スペーサの前記頂部までの高さＴとの比率Ｔ／ｔ
が、１．０１≦Ｔ／ｔ≦１．３の範囲に設定されている
という技術的手段を採用するものである。請求項６記載
の発明は、請求項１乃至５記載の発明において、前記第
１基板及び第２基板が透明であるという技術的手段を採
用するものである。
明において、前記封止部の高さｔと、前記第１基板から
前記スペーサの前記頂部までの高さＴとの比率Ｔ／ｔ
が、１．０１≦Ｔ／ｔ≦１．３の範囲に設定されている
という技術的手段を採用するものである。請求項６記載
の発明は、請求項１乃至５記載の発明において、前記第
１基板及び第２基板が透明であるという技術的手段を採
用するものである。
【００１２】請求項７記載の発明は、第１電極、第１絶
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備する
こと、前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して
対向配置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封
止する第２基板を準備すること、前記第１基板の前記発
光素子の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第
２基板の部位との間に、前記第１基板と前記第２基板と
の間に形成された内部空間内に絶縁性流体を充填する注
入口を有するようにして封止部を形成し、該封止部によ
り前記内部空間を外部に対して封止すること、及び前記
第１基板及び前記第２基板の置かれる環境の気圧よりも
高い圧力によって、前記注入口から前記絶縁性流体を前
記内部空間内に注入し、これにより前記第１基板と前記
第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるよう
に変形させること、の技術的手段を採用するものであ
る。
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備する
こと、前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して
対向配置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封
止する第２基板を準備すること、前記第１基板の前記発
光素子の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第
２基板の部位との間に、前記第１基板と前記第２基板と
の間に形成された内部空間内に絶縁性流体を充填する注
入口を有するようにして封止部を形成し、該封止部によ
り前記内部空間を外部に対して封止すること、及び前記
第１基板及び前記第２基板の置かれる環境の気圧よりも
高い圧力によって、前記注入口から前記絶縁性流体を前
記内部空間内に注入し、これにより前記第１基板と前記
第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるよう
に変形させること、の技術的手段を採用するものであ
る。
【００１３】請求項８記載の発明は、第１電極、第１絶
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備する
こと、前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して
対向配置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封
止する第２基板を準備すること、前記発光素子と前記第
２基板との間の隙間にスペーサを配置すること、前記第
１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領域外に
対向する前記第２基板の部位との間に、前記第１基板と
前記第２基板との間に形成された内部空間内に絶縁性流
体を充填する注入口を有するようにして封止部を形成す
ること、前記第１基板及び前記第２基板を相対的に加圧
して前記封止部により前記内部空間を外部に対して封止
するとともに、前記スペーサの存在によって前記第１基
板と前記第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸と
なるように変形させること、及び前記注入口から前記絶
縁性流体を前記内部空間内に注入すること、の技術的手
段を採用するものである。
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備する
こと、前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して
対向配置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封
止する第２基板を準備すること、前記発光素子と前記第
２基板との間の隙間にスペーサを配置すること、前記第
１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領域外に
対向する前記第２基板の部位との間に、前記第１基板と
前記第２基板との間に形成された内部空間内に絶縁性流
体を充填する注入口を有するようにして封止部を形成す
ること、前記第１基板及び前記第２基板を相対的に加圧
して前記封止部により前記内部空間を外部に対して封止
するとともに、前記スペーサの存在によって前記第１基
板と前記第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸と
なるように変形させること、及び前記注入口から前記絶
縁性流体を前記内部空間内に注入すること、の技術的手
段を採用するものである。
【００１４】請求項９記載の発明は、請求項８記載の発
明において、前記第１基板と前記第２基板とを前記封止
部により封止した後、前記両基板を真空槽内に配置する
こと、前記真空槽内を真空排気して前記両基板の間の内
部空間内を前記注入口を介して真空にすること、該真空
処理後、前記注入口を前記絶縁性流体を保持した容器に
接続すること、前記真空槽内を大気圧に戻して前記絶縁
性流体を前記内部空間内に注入すること、の技術的手段
を採用するものである。
明において、前記第１基板と前記第２基板とを前記封止
部により封止した後、前記両基板を真空槽内に配置する
こと、前記真空槽内を真空排気して前記両基板の間の内
部空間内を前記注入口を介して真空にすること、該真空
処理後、前記注入口を前記絶縁性流体を保持した容器に
接続すること、前記真空槽内を大気圧に戻して前記絶縁
性流体を前記内部空間内に注入すること、の技術的手段
を採用するものである。
【００１５】請求項１０記載の発明は、請求項８又は９
記載の発明において、前記スペーサの頂部から前記第１
基板までの高さが前記封止部の高さに比べて高く設定さ
れることにより、前記第１基板及び前記第２基板を相対
的に加圧した際に前記高く設定された分、前記第１基板
と前記第２基板とが、前記内部空間のない外側に凸とな
るように変形するようにされているという技術的手段を
採用するものである。
記載の発明において、前記スペーサの頂部から前記第１
基板までの高さが前記封止部の高さに比べて高く設定さ
れることにより、前記第１基板及び前記第２基板を相対
的に加圧した際に前記高く設定された分、前記第１基板
と前記第２基板とが、前記内部空間のない外側に凸とな
るように変形するようにされているという技術的手段を
採用するものである。
【００１６】請求項１１記載の発明は、第１電極、第１
絶縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序
に積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備す
ること、前記第１基板に対して対向配置されて前記第１
基板との間に前記発光素子を封止する第２基板を準備す
ること、前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこ
の発光領域外に対向する前記第２基板の部位との間に、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成された内部空
間内に絶縁性流体を充填する注入口を有するようにして
封止部を形成し、該封止部により前記内部空間を外部に
対して封止すること、前記第１基板及び前記第２基板の
置かれる環境及び前記内部空間を負圧に設定すること、
及び前記第１基板及び前記第２基板の置かれる環境及び
前記内部空間を負圧に維持した状態で該負圧よりも高い
圧力によって、前記注入口から前記絶縁性流体を前記内
部空間内に注入し、これにより前記第１基板と前記第２
基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるように変
形させること、の技術的手段を採用するものである。
絶縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序
に積層してなる発光素子が形成された第１基板を準備す
ること、前記第１基板に対して対向配置されて前記第１
基板との間に前記発光素子を封止する第２基板を準備す
ること、前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこ
の発光領域外に対向する前記第２基板の部位との間に、
前記第１基板と前記第２基板との間に形成された内部空
間内に絶縁性流体を充填する注入口を有するようにして
封止部を形成し、該封止部により前記内部空間を外部に
対して封止すること、前記第１基板及び前記第２基板の
置かれる環境及び前記内部空間を負圧に設定すること、
及び前記第１基板及び前記第２基板の置かれる環境及び
前記内部空間を負圧に維持した状態で該負圧よりも高い
圧力によって、前記注入口から前記絶縁性流体を前記内
部空間内に注入し、これにより前記第１基板と前記第２
基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるように変
形させること、の技術的手段を採用するものである。
【００１７】請求項１２記載の発明は、請求項１０記載
の発明において、前記絶縁性流体の注入圧力を０．７５
ｋｇ／ｃｍ2 以上２ｋｇ／ｃｍ2 以下の範囲に調整する
という技術的手段を採用するものである。請求項１３記
載の発明は、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、及び第２電極をこの順序に積層してなる発光素子が
形成された第１基板を準備すること、第１電極、第１絶
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる第２発光素子が形成された第２基板を準備
すること、前記第１基板又は前記第２基板の何れか一方
に前記内部空間に連通する少なくとも１つの開口を形成
すること、前記第１基板と前記第２基板とを、それらの
間に前記１発光素子及び第２発光素子が位置するように
互いに対向配置すること、前記第１基板の前記発光素子
の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第２基板
の部位との間に封止部を形成し、該封止部により前記内
部空間を外部に対して封止すること、及び前記開口から
絶縁性流体を前記内部空間内に注入し、これにより前記
第１基板と前記第２基板とを、前記内部空間のない外側
に凸となるように変形させること、であり、前記開口
は、前記第１発光素子又は第２発光素子を前記第１基板
又は第２発光素子に形成する前に形成されているという
技術的手段を採用するものである。
の発明において、前記絶縁性流体の注入圧力を０．７５
ｋｇ／ｃｍ2 以上２ｋｇ／ｃｍ2 以下の範囲に調整する
という技術的手段を採用するものである。請求項１３記
載の発明は、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁
層、及び第２電極をこの順序に積層してなる発光素子が
形成された第１基板を準備すること、第１電極、第１絶
縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に
積層してなる第２発光素子が形成された第２基板を準備
すること、前記第１基板又は前記第２基板の何れか一方
に前記内部空間に連通する少なくとも１つの開口を形成
すること、前記第１基板と前記第２基板とを、それらの
間に前記１発光素子及び第２発光素子が位置するように
互いに対向配置すること、前記第１基板の前記発光素子
の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第２基板
の部位との間に封止部を形成し、該封止部により前記内
部空間を外部に対して封止すること、及び前記開口から
絶縁性流体を前記内部空間内に注入し、これにより前記
第１基板と前記第２基板とを、前記内部空間のない外側
に凸となるように変形させること、であり、前記開口
は、前記第１発光素子又は第２発光素子を前記第１基板
又は第２発光素子に形成する前に形成されているという
技術的手段を採用するものである。
【００１８】請求項１４記載の発明は、請求項７乃至１
３記載の発明において、基板が透明であるという技術的
手段を採用するものである。
３記載の発明において、基板が透明であるという技術的
手段を採用するものである。
【００１９】
【発明の作用及び効果】請求項１乃至６記載の発明によ
れば、第１基板及び第２基板を、その両者間に形成され
た内部空間のない外側に凸となるように変形させた構成
としたから、第１基板は元の状態に戻ろうとし、該第１
基板の内側では外向き、外側では内向きの力がかかる。
そして、第１基板上に発光素子が形成されている場合も
同様の力がかかり、発光素子は当然であるが第１基板に
対して非常に薄いため、該発光素子には外向き、即ち引
っ張り応力が作用することになる。この状態で発光素子
に微小な絶縁破壊が発生すると、その破壊ポイントにお
けるピンホールの断面形状は発光素子の膜厚方向に楔形
の断面形状となり、ピンホールの開口部側（第２電極
側）の径は該ピンホールの底部側（第１電極側）の径に
比べて大きい。このため、第１電極と第２電極との間に
は必ず第１、第２絶縁層が存在することになり、破壊ポ
イントに電流が流れず、絶縁破壊は微小破壊のままで止
まる。従って、発光素子の絶縁破壊の発生が防止され
る。
れば、第１基板及び第２基板を、その両者間に形成され
た内部空間のない外側に凸となるように変形させた構成
としたから、第１基板は元の状態に戻ろうとし、該第１
基板の内側では外向き、外側では内向きの力がかかる。
そして、第１基板上に発光素子が形成されている場合も
同様の力がかかり、発光素子は当然であるが第１基板に
対して非常に薄いため、該発光素子には外向き、即ち引
っ張り応力が作用することになる。この状態で発光素子
に微小な絶縁破壊が発生すると、その破壊ポイントにお
けるピンホールの断面形状は発光素子の膜厚方向に楔形
の断面形状となり、ピンホールの開口部側（第２電極
側）の径は該ピンホールの底部側（第１電極側）の径に
比べて大きい。このため、第１電極と第２電極との間に
は必ず第１、第２絶縁層が存在することになり、破壊ポ
イントに電流が流れず、絶縁破壊は微小破壊のままで止
まる。従って、発光素子の絶縁破壊の発生が防止され
る。
【００２０】ここで、例えば発光素子を形成していない
基板が変形のない平面形状あるいは内部空間側に凸とな
る変形の場合には、発光素子が形成されている基板に対
して内部空間側に作用する外力が加わると該発光素子が
形成されている基板が内部空間側に凸となる変形を招来
する。これに対して、請求項１乃至６記載の発明の如
く、第１基板及び第２基板の両者を、内部空間のない外
側に凸となるように変形させた場合、内部空間の内部圧
力分布の影響を受けて発光素子形成側の基板に上記のよ
うな外力が加わってもその外力に抗することができ、該
基板が内部空間側に凸となることはない。
基板が変形のない平面形状あるいは内部空間側に凸とな
る変形の場合には、発光素子が形成されている基板に対
して内部空間側に作用する外力が加わると該発光素子が
形成されている基板が内部空間側に凸となる変形を招来
する。これに対して、請求項１乃至６記載の発明の如
く、第１基板及び第２基板の両者を、内部空間のない外
側に凸となるように変形させた場合、内部空間の内部圧
力分布の影響を受けて発光素子形成側の基板に上記のよ
うな外力が加わってもその外力に抗することができ、該
基板が内部空間側に凸となることはない。
【００２１】請求項３乃至５記載の発明によれば、第１
基板及び第２基板の上記変形を確実に達成することがで
きる。請求項７乃至１４記載の発明によれば、第１基板
及び第２基板の上記変形を確実に達成できる方法であ
る。請求項８乃至１０記載の発明によれば、スペーサの
存在により絶縁性流体を内部空間内に注入する以前に第
１基板及び第２基板を上記の如く変形させることができ
る。このため、内部空間内への絶縁性流体の注入工程時
に第１基板及び第２基板が内部空間側に凸に変形するこ
とを確実に回避することができる。
基板及び第２基板の上記変形を確実に達成することがで
きる。請求項７乃至１４記載の発明によれば、第１基板
及び第２基板の上記変形を確実に達成できる方法であ
る。請求項８乃至１０記載の発明によれば、スペーサの
存在により絶縁性流体を内部空間内に注入する以前に第
１基板及び第２基板を上記の如く変形させることができ
る。このため、内部空間内への絶縁性流体の注入工程時
に第１基板及び第２基板が内部空間側に凸に変形するこ
とを確実に回避することができる。
【００２２】請求項１１記載の発明によれば、第１基板
及び第２基板の置かれる環境を負圧に維持した状態で該
環境よりも高い圧力によって絶縁性流体を内部空間内へ
注入するため、第１基板及び第２基板が内部空間側に凸
に変形することがなくなる。請求項１２記載の発明によ
れは、絶縁性流体の注入効率を向上させることができ
る。
及び第２基板の置かれる環境を負圧に維持した状態で該
環境よりも高い圧力によって絶縁性流体を内部空間内へ
注入するため、第１基板及び第２基板が内部空間側に凸
に変形することがなくなる。請求項１２記載の発明によ
れは、絶縁性流体の注入効率を向上させることができ
る。
【００２３】請求項１３記載の発明によれば、発光素子
を第１基板に形成する前に、何れかの基板に絶縁性流体
注入用の開口を形成するから、開口の形成に伴う発光素
子の歪みが防止され、この歪みによる発光素子の絶縁破
壊を回避することができる。
を第１基板に形成する前に、何れかの基板に絶縁性流体
注入用の開口を形成するから、開口の形成に伴う発光素
子の歪みが防止され、この歪みによる発光素子の絶縁破
壊を回避することができる。
【００２４】
【実施例】以下、本発明を具体的な実施例に基づいて説
明する。 第１実施例 図１は本発明に係るＥＬ表示器１００の断面構造を示し
た模式図である。ＥＬ表示器１００は、絶縁性の第１基
板である光学的に透明なガラス基板１１と第２基板であ
る光学的に透明なガラス基板２１とを有している。そし
て、ガラス基板１１の素子形成面１１ａ上には、第１発
光素子１０が形成されている。
明する。 第１実施例 図１は本発明に係るＥＬ表示器１００の断面構造を示し
た模式図である。ＥＬ表示器１００は、絶縁性の第１基
板である光学的に透明なガラス基板１１と第２基板であ
る光学的に透明なガラス基板２１とを有している。そし
て、ガラス基板１１の素子形成面１１ａ上には、第１発
光素子１０が形成されている。
【００２５】第１発光素子１０は次のような構成を有し
ている。即ち、ガラス基板１１の素子形成面１１ａ上に
は、光学的に透明な酸化亜鉛を主体とする第１透明極
（第１電極）１２が形成され、その上面には、光学的に
透明な五酸化タンタルから成る第１絶縁層１３、硫化亜
鉛から成る母材に例えばマンガンの発光中心元素をドー
プしてなる発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル
から成る第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛から
成る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
発光素子１０が形成されたガラス基板１１に対し、該発
光素子１０の上方に隙間を介してこれを覆うようにガラ
ス基板２１が対向配置してある。そして、該ガラス基板
２１とガラス基板１１とは、樹脂接着剤により構成され
た側壁２（封止部）により接合され、封止されている。
なお、側壁２はガラス基板１１の発光素子１０の発光領
域外とこれに対向するガラス基板２１の部位との間に位
置している。
ている。即ち、ガラス基板１１の素子形成面１１ａ上に
は、光学的に透明な酸化亜鉛を主体とする第１透明極
（第１電極）１２が形成され、その上面には、光学的に
透明な五酸化タンタルから成る第１絶縁層１３、硫化亜
鉛から成る母材に例えばマンガンの発光中心元素をドー
プしてなる発光層１４、光学的に透明な五酸化タンタル
から成る第２絶縁層１５、光学的に透明な酸化亜鉛から
成る第２透明電極（第２電極）１６が形成されている。
発光素子１０が形成されたガラス基板１１に対し、該発
光素子１０の上方に隙間を介してこれを覆うようにガラ
ス基板２１が対向配置してある。そして、該ガラス基板
２１とガラス基板１１とは、樹脂接着剤により構成され
た側壁２（封止部）により接合され、封止されている。
なお、側壁２はガラス基板１１の発光素子１０の発光領
域外とこれに対向するガラス基板２１の部位との間に位
置している。
【００２６】側壁２を用いてのガラス基板１１とガラス
基板２１との接合、封止により、これらの間には内部空
間３０が形成されている。該内部空間３０内において、
ガラス基板１１の発光素子１０の第２絶縁層１５とガラ
ス基板２１の内面との間には、ミクロパール等の樹脂製
ビーズで構成された直径５０μｍの球形のスペーサ４が
複数個、配置されている。又、上記内部空間３０には絶
縁性流体の一例の液体であるシリコーンオイル３が封入
され、内部空間３０内への湿気の進入を防止するように
している。
基板２１との接合、封止により、これらの間には内部空
間３０が形成されている。該内部空間３０内において、
ガラス基板１１の発光素子１０の第２絶縁層１５とガラ
ス基板２１の内面との間には、ミクロパール等の樹脂製
ビーズで構成された直径５０μｍの球形のスペーサ４が
複数個、配置されている。又、上記内部空間３０には絶
縁性流体の一例の液体であるシリコーンオイル３が封入
され、内部空間３０内への湿気の進入を防止するように
している。
【００２７】ところで、上記スペーサ４の配置によっ
て、ガラス基板１１とガラス基板２１との間隔が狭まる
のを防止している。これにより、ガラス基板１１とガラ
ス基板２１とは、内部空間３０のない外側に凸となるよ
うに変形している。なお、図１は、横方向に縮小、縦方
向に拡大した図であるので、スペーサ４の表示形状は正
確なものではないし、又ガラス基板１１、２１の変形形
状も正確なものではない。
て、ガラス基板１１とガラス基板２１との間隔が狭まる
のを防止している。これにより、ガラス基板１１とガラ
ス基板２１とは、内部空間３０のない外側に凸となるよ
うに変形している。なお、図１は、横方向に縮小、縦方
向に拡大した図であるので、スペーサ４の表示形状は正
確なものではないし、又ガラス基板１１、２１の変形形
状も正確なものではない。
【００２８】次に、実施例１のＥＬ表示器１００の製造
方法を以下に述べる。 ［第１工程］先ず、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１１上
に第１透明電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2 Ｏ3 ）粉
末を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用い、
成膜装置としては、イオンプレーティング装置を用い
た。
方法を以下に述べる。 ［第１工程］先ず、厚さ１．１ｍｍのガラス基板１１上
に第１透明電極１２を成膜した。蒸着材料としては、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）粉末に酸化ガリウム（Ｇａ2 Ｏ3 ）粉
末を加えて混合し、ペレット状に成形したものを用い、
成膜装置としては、イオンプレーティング装置を用い
た。
【００２９】具体的には、ガラス基板１１を一定温度に
保持したままイオンプレーティング装置内を真空まで排
気した。その後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して一定
圧力に保ち、ビーム電力及び高周波電力を調整した。 ［第２工程］次に、第１透明電極１２上に五酸化タンタ
ル（Ｔａ2 Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３をスパッタに
より形成した。
保持したままイオンプレーティング装置内を真空まで排
気した。その後、アルゴン（Ａｒ）ガスを導入して一定
圧力に保ち、ビーム電力及び高周波電力を調整した。 ［第２工程］次に、第１透明電極１２上に五酸化タンタ
ル（Ｔａ2 Ｏ5 ）から成る第１絶縁層１３をスパッタに
より形成した。
【００３０】具体的には、ガラス基板１１を一定温度に
保持し、スパッタ装置内を一定圧力に維持し、装置内に
アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入し、
高周波電力で堆スパッタを行った。 ［第３工程］次に、第１絶縁層１３上に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）を母体材料とし、発光中心として三フッ化テルビウ
ム（ＴｂＦ3 ）を添加した硫化亜鉛：三フッ化テルビウ
ム混合物から成る発光層１４をスパッタにより形成し
た。
保持し、スパッタ装置内を一定圧力に維持し、装置内に
アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）の混合ガスを導入し、
高周波電力で堆スパッタを行った。 ［第３工程］次に、第１絶縁層１３上に硫化亜鉛（Ｚｎ
Ｓ）を母体材料とし、発光中心として三フッ化テルビウ
ム（ＴｂＦ3 ）を添加した硫化亜鉛：三フッ化テルビウ
ム混合物から成る発光層１４をスパッタにより形成し
た。
【００３１】具体的には、ガラス基板１１を一定温度に
保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）とヘリウム
（Ｈｅ）の混合ガスを導入し、スパッタ装置内を一定圧
力に維持し、高周波電力でスパッタを行った。この後、
真空中において５００℃，４時間の熱処理を加え、発光
層１４の結晶性を向上させた。
保持し、スパッタ装置内にアルゴン（Ａｒ）とヘリウム
（Ｈｅ）の混合ガスを導入し、スパッタ装置内を一定圧
力に維持し、高周波電力でスパッタを行った。この後、
真空中において５００℃，４時間の熱処理を加え、発光
層１４の結晶性を向上させた。
【００３２】［第４工程］その後、五酸化タンタル（Ｔ
ａ2 Ｏ5 ）から成る第２絶縁層１５を第１絶縁層１３と
同一の方法により発光層１４上に形成した。その後、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第２透明電極１６を第１透明
電極１２と同一の方法で形成した。 ［第５工程］ガラス基板１１の発光素子１０発光領域外
である周辺部に、図２に示すように、注入口４０を残し
て接着剤２００を塗布した。
ａ2 Ｏ5 ）から成る第２絶縁層１５を第１絶縁層１３と
同一の方法により発光層１４上に形成した。その後、酸
化亜鉛（ＺｎＯ）から成る第２透明電極１６を第１透明
電極１２と同一の方法で形成した。 ［第５工程］ガラス基板１１の発光素子１０発光領域外
である周辺部に、図２に示すように、注入口４０を残し
て接着剤２００を塗布した。
【００３３】［第６工程］次に、直径５０μｍの球形の
樹脂性ビーズよりなる複数個のスペーサ４を、第２絶縁
層１５とガラス基板２１との間に挟み込んだ状態で、ガ
ラス基板２１とガラス基板１１とを素子形成面１１ａが
内側となるように重合わせる。なお、ガラス基板２１は
ガラス基板１１と同一の厚さを有している。
樹脂性ビーズよりなる複数個のスペーサ４を、第２絶縁
層１５とガラス基板２１との間に挟み込んだ状態で、ガ
ラス基板２１とガラス基板１１とを素子形成面１１ａが
内側となるように重合わせる。なお、ガラス基板２１は
ガラス基板１１と同一の厚さを有している。
【００３４】ここで、スペーサ４は、図３に示す如く、
その頂部からガラス基板１１の素子形成面１１ａまでの
高さが接着剤２００の高さよりも寸法的に高く設定され
ている。そして、上記スペーサ４の存在によって、ガラ
ス基板２１とガラス基板１１とが内部空間３０のない外
側に凸状に変形するように両ガラス基板２１、１１を治
具で加圧した状態で両基板２１、１１を接合した。
その頂部からガラス基板１１の素子形成面１１ａまでの
高さが接着剤２００の高さよりも寸法的に高く設定され
ている。そして、上記スペーサ４の存在によって、ガラ
ス基板２１とガラス基板１１とが内部空間３０のない外
側に凸状に変形するように両ガラス基板２１、１１を治
具で加圧した状態で両基板２１、１１を接合した。
【００３５】［第７工程］次に、上記のように構成され
たＥＬ表示器本体と、シリコーンオイルの満たされた容
器とを、真空槽に配置した。そして、該真空槽を真空に
排気した後、ＥＬ表示器本体の注入口４０を上記容器内
のシリコーンオイル内に浸し、次に真空槽内を大気に戻
した。これにより、表示器本体の内部空間３０はその外
部環境に対して負圧となるため、シリコーンオイルは注
入口４０を介して内部空間３０に流入する。注入後、注
入口４０を接着剤で封止した。このようにして内部空間
３０にシリコーンオイル３の充填されたＥＬ表示器１０
０を製造した。
たＥＬ表示器本体と、シリコーンオイルの満たされた容
器とを、真空槽に配置した。そして、該真空槽を真空に
排気した後、ＥＬ表示器本体の注入口４０を上記容器内
のシリコーンオイル内に浸し、次に真空槽内を大気に戻
した。これにより、表示器本体の内部空間３０はその外
部環境に対して負圧となるため、シリコーンオイルは注
入口４０を介して内部空間３０に流入する。注入後、注
入口４０を接着剤で封止した。このようにして内部空間
３０にシリコーンオイル３の充填されたＥＬ表示器１０
０を製造した。
【００３６】ところで、上述の方法でシリコーンオイル
３を内部空間３０に充填するとき、内部空間３０にスペ
ーサ４を挿入しない場合には、上記の如く、内部空間３
０が外部に対して負圧となる際、ガラス基板１１、２１
は、内部空間３０側を外側とする凸形状に変形（内部空
間３０側に凹形状に変形）する。又、シリコーンオイル
３は内部空間３０の外側と内側の圧力差のみで注入され
ているため、シリコーンオイル３が入れば入るほど該圧
力差は小さくなり、シリコーンオイル３の注入効率は悪
化してくる。結局、ガラス基板１１とガラス基板２１と
が完全に元の状態に戻るまでシリコーンオイルは注入さ
れない。
３を内部空間３０に充填するとき、内部空間３０にスペ
ーサ４を挿入しない場合には、上記の如く、内部空間３
０が外部に対して負圧となる際、ガラス基板１１、２１
は、内部空間３０側を外側とする凸形状に変形（内部空
間３０側に凹形状に変形）する。又、シリコーンオイル
３は内部空間３０の外側と内側の圧力差のみで注入され
ているため、シリコーンオイル３が入れば入るほど該圧
力差は小さくなり、シリコーンオイル３の注入効率は悪
化してくる。結局、ガラス基板１１とガラス基板２１と
が完全に元の状態に戻るまでシリコーンオイルは注入さ
れない。
【００３７】これに対して、実施例１では、内部空間３
０においてガラス基板２１と発光素子１０との間にスペ
ーサ４を挟み込んであるため、シリコーンオイル３の注
入の際にガラス基板１１，２１の内部空間３０側を外側
とする凸形状の変形は観察されない。このため、シリコ
ーンオイル３の注入効率の悪化を回避することができ
る。
０においてガラス基板２１と発光素子１０との間にスペ
ーサ４を挟み込んであるため、シリコーンオイル３の注
入の際にガラス基板１１，２１の内部空間３０側を外側
とする凸形状の変形は観察されない。このため、シリコ
ーンオイル３の注入効率の悪化を回避することができ
る。
【００３８】因みに、実施例１のＥＬ表示器１００を発
光させたときの破壊状態を調査した結果、発光素子１０
に破壊は観察されなかった。しかし、スペーサ４を設け
ないＥＬ表示器では、破壊が発光素子１０の全体に広が
る伝搬型の破壊が観察された。次に、ガラス基板の変形
量と発光素子の破壊との関係を定量的に求めた特性図に
ついて説明する。
光させたときの破壊状態を調査した結果、発光素子１０
に破壊は観察されなかった。しかし、スペーサ４を設け
ないＥＬ表示器では、破壊が発光素子１０の全体に広が
る伝搬型の破壊が観察された。次に、ガラス基板の変形
量と発光素子の破壊との関係を定量的に求めた特性図に
ついて説明する。
【００３９】図４はガラス基板の曲率半径と発光素子の
破壊点数との関係を示した特性図である。図４に示すよ
うに、ガラス基板１１及び１２が内部空間３０側に凸状
に湾曲した場合は発光素子に多数の破壊点が存在する。
これに対して、ガラス基板１１及び１２が発光素子の形
成されていない外側に凸に湾曲した場合は、或る程度の
湾曲までは発光素子の破壊点はみられないが、或る程度
以上の湾曲になると発光素子の破壊点数が増加すること
が理解される。
破壊点数との関係を示した特性図である。図４に示すよ
うに、ガラス基板１１及び１２が内部空間３０側に凸状
に湾曲した場合は発光素子に多数の破壊点が存在する。
これに対して、ガラス基板１１及び１２が発光素子の形
成されていない外側に凸に湾曲した場合は、或る程度の
湾曲までは発光素子の破壊点はみられないが、或る程度
以上の湾曲になると発光素子の破壊点数が増加すること
が理解される。
【００４０】曲率半径が５０ｍ以上では破壊点数が１０
箇所以下で破壊点が少ないことがわかる。図５はガラス
基板の曲率半径と発光素子の破壊点の大きさを示したも
のである。図５に示すように、発光素子の破壊点はガラ
ス基板の曲率半径１５００ｍ以下の場合は１μｍ以下と
小さく、破壊点の伝播が起きにくい自己修復型の破壊で
あるが、曲率が１５００ｍを超えると破壊点は大きくな
り伝播型の破壊を起こす。
箇所以下で破壊点が少ないことがわかる。図５はガラス
基板の曲率半径と発光素子の破壊点の大きさを示したも
のである。図５に示すように、発光素子の破壊点はガラ
ス基板の曲率半径１５００ｍ以下の場合は１μｍ以下と
小さく、破壊点の伝播が起きにくい自己修復型の破壊で
あるが、曲率が１５００ｍを超えると破壊点は大きくな
り伝播型の破壊を起こす。
【００４１】即ち、ガラス基板の曲率半径が５０ｍ以上
１５００ｍ以下のときに破壊点は少なく、あっても自己
修復型の小さい破壊点であることが理解される。図６は
側壁２の高さを一定とし、スペーサ４の高さを変化させ
たときの発光素子の破壊点数の変化を示した特性図であ
る。この図６の特性は図４の特性図と同じ傾向を示して
いる。即ち、側壁２の高さとスペーサの高さとの比率が
１．０１のときのガラス基板の曲率半径は５０ｍであ
り、１．３のときの曲率半径は１５００ｍである。本実
施例では、スペーサ４としての樹脂性ビーズの直径を５
０μｍとし、且つ側壁の高さを４０μｍとしたことで、
側壁２の高さとスペーサ４の径との比率は上記範囲に入
るため、伝播型の破壊がみられなかったと考える。
１５００ｍ以下のときに破壊点は少なく、あっても自己
修復型の小さい破壊点であることが理解される。図６は
側壁２の高さを一定とし、スペーサ４の高さを変化させ
たときの発光素子の破壊点数の変化を示した特性図であ
る。この図６の特性は図４の特性図と同じ傾向を示して
いる。即ち、側壁２の高さとスペーサの高さとの比率が
１．０１のときのガラス基板の曲率半径は５０ｍであ
り、１．３のときの曲率半径は１５００ｍである。本実
施例では、スペーサ４としての樹脂性ビーズの直径を５
０μｍとし、且つ側壁の高さを４０μｍとしたことで、
側壁２の高さとスペーサ４の径との比率は上記範囲に入
るため、伝播型の破壊がみられなかったと考える。
【００４２】実施例２ 本実施例２は、ガラス基板１１及びガラス基板２１を、
実施例１の如きスペーサ４を用いることなく内部空間３
０側に凸状に変形させる点を特徴とするものである。即
ち、ＥＬ表示器２００の構成は、スペーサ４が存在しな
いことを除いて実施例１のＥＬ表示器１００と全く同一
構成である。図７に示すように、注入口４０が側壁２に
形成されている。注入口４０には、内部空間３０を真空
に排気することが可能な管Ａとシリコーンオイル注入用
の管Ｂとが、バルブ７３及び両者の切り替え用のバルブ
７１、７２を介して接続されている。管Ｂはシリコーン
オイルの満たされた容器８０に接続されている。このＥ
Ｌ表示器２００は真空排気が可能な真空槽８１の中に入
れられており、内部空間３０はバルブ７３、バルブ７１
及び管Ａを介して、真空槽８１の内部と連通している。
実施例１の如きスペーサ４を用いることなく内部空間３
０側に凸状に変形させる点を特徴とするものである。即
ち、ＥＬ表示器２００の構成は、スペーサ４が存在しな
いことを除いて実施例１のＥＬ表示器１００と全く同一
構成である。図７に示すように、注入口４０が側壁２に
形成されている。注入口４０には、内部空間３０を真空
に排気することが可能な管Ａとシリコーンオイル注入用
の管Ｂとが、バルブ７３及び両者の切り替え用のバルブ
７１、７２を介して接続されている。管Ｂはシリコーン
オイルの満たされた容器８０に接続されている。このＥ
Ｌ表示器２００は真空排気が可能な真空槽８１の中に入
れられており、内部空間３０はバルブ７３、バルブ７１
及び管Ａを介して、真空槽８１の内部と連通している。
【００４３】一方、シリコーンオイルを貯蔵した容器８
０は真空槽８１の外部に置かれ、その液面には大気圧が
かかっている。バルブ７１、７３を開状態、バルブ７２
を閉状態として、注入口４０を管Ａ側に接続する。次
に、容器８１を真空に排気する。これにより、ＥＬ表示
器２００の外部、即ち、真空槽８１内及び内部空間３０
内は管Ａを介して真空に排気される。
０は真空槽８１の外部に置かれ、その液面には大気圧が
かかっている。バルブ７１、７３を開状態、バルブ７２
を閉状態として、注入口４０を管Ａ側に接続する。次
に、容器８１を真空に排気する。これにより、ＥＬ表示
器２００の外部、即ち、真空槽８１内及び内部空間３０
内は管Ａを介して真空に排気される。
【００４４】その後、バルブ７１を閉じて真空槽８１及
び内部空間３０を負圧に維持した状態でバルブ７２を開
いて、注入口４０を管Ｂ側へ接続する。これにより、容
器８０の液面には内部空間３０よりも高い大気圧がかか
っているので、内部空間３０内の負圧と大気圧との圧力
差により、容器８０に貯蔵されているシリコーンオイル
３が内部空間に注入される。注入の完了後、容器８１の
内部は大気圧に戻される。
び内部空間３０を負圧に維持した状態でバルブ７２を開
いて、注入口４０を管Ｂ側へ接続する。これにより、容
器８０の液面には内部空間３０よりも高い大気圧がかか
っているので、内部空間３０内の負圧と大気圧との圧力
差により、容器８０に貯蔵されているシリコーンオイル
３が内部空間に注入される。注入の完了後、容器８１の
内部は大気圧に戻される。
【００４５】この注入工程において、ガラス基板１１と
ガラス基板２１との外側、つまり真空槽８１内は真空で
あるため、シリコーンオイル３の注入によって内部空間
３０の方が圧力が高くなるので、ガラス基板１１とガラ
ス基板２１とが内部空間３０を外側にして凸に湾曲する
ことはない。このようにして作製したＥＬ表示器２００
は、実施例１のＥＬ表示器１００と同様、発光素子１０
に破壊は観察されなかった。
ガラス基板２１との外側、つまり真空槽８１内は真空で
あるため、シリコーンオイル３の注入によって内部空間
３０の方が圧力が高くなるので、ガラス基板１１とガラ
ス基板２１とが内部空間３０を外側にして凸に湾曲する
ことはない。このようにして作製したＥＬ表示器２００
は、実施例１のＥＬ表示器１００と同様、発光素子１０
に破壊は観察されなかった。
【００４６】なお、上記実施例２では、シリコーンオイ
ルを貯蔵した容器８０は真空槽８１の外部に置かれてい
るが、容器８０にシリコーンオイルの注入圧力制御装置
が設けられていれば必ずしも真空槽８１の外部に置かれ
る必要はなく、真空槽８１の内部、外部どちらに置かれ
ていてもよい。又、上記圧力制御装置を用いた場合に
は、シリコーンオイルの注入圧力を０．７５Ｋｇ／ｃｍ
2 以上２Ｋｇ／ｃｍ2 以下の範囲に設定することによ
り、内部空間３０内へのシリコーンオイルの注入効率を
向上することができる。
ルを貯蔵した容器８０は真空槽８１の外部に置かれてい
るが、容器８０にシリコーンオイルの注入圧力制御装置
が設けられていれば必ずしも真空槽８１の外部に置かれ
る必要はなく、真空槽８１の内部、外部どちらに置かれ
ていてもよい。又、上記圧力制御装置を用いた場合に
は、シリコーンオイルの注入圧力を０．７５Ｋｇ／ｃｍ
2 以上２Ｋｇ／ｃｍ2 以下の範囲に設定することによ
り、内部空間３０内へのシリコーンオイルの注入効率を
向上することができる。
【００４７】実施例３ 本実施例３は、図８のＥＬ表示器３００の製造方法に関
する。ＥＬ表示器３００は、図１の第１実施例のＥＬ表
示器１００の発光素子１０と同一構成（同一発光色とな
る）の第２発光素子２０をガラス基板２１にも形成した
ものである。即ち、第１発光素子１０の第２電極１６と
第２発光素子２０の第２電極２６とが向き合うようにガ
ラス基板１１とガラス基板２１とを接着剤で形成された
側壁２で接合、封止する。ここで、本実施例３では、ガ
ラス基板２１には、第２発光素子２０を成膜する前に、
開口である注入口２１０が孔明け加工されている。この
ため、図８のように組立状態で、注入口２１０は内部空
間３０に連通している。
する。ＥＬ表示器３００は、図１の第１実施例のＥＬ表
示器１００の発光素子１０と同一構成（同一発光色とな
る）の第２発光素子２０をガラス基板２１にも形成した
ものである。即ち、第１発光素子１０の第２電極１６と
第２発光素子２０の第２電極２６とが向き合うようにガ
ラス基板１１とガラス基板２１とを接着剤で形成された
側壁２で接合、封止する。ここで、本実施例３では、ガ
ラス基板２１には、第２発光素子２０を成膜する前に、
開口である注入口２１０が孔明け加工されている。この
ため、図８のように組立状態で、注入口２１０は内部空
間３０に連通している。
【００４８】ここにおいて、第２発光素子２０の形成さ
れていない図１に示す実施例１のＥＬ表示器１００のガ
ラス基板２１には、そのガラス基板２１上にシリコーン
オイル３を注入する注入口２１０を形成することは容易
である。しかし、図８に示すように第１発光素子１０と
第２発光素子２０とが、ガラス基板１１とガラス基板２
１とに各々形成されている場合、発光素子１０、２０の
形成後にシリコーンオイル３の注入口２１０を開けるこ
とは、第１発光素子１０、第２発光素子２０を変形させ
ることになり、又、注入口２１０を加工する際に生ずる
切り粉が第１発光素子１０、第２発光素子２０に付着す
ることもあり、ＥＬ表示器の破壊の原因となる。
れていない図１に示す実施例１のＥＬ表示器１００のガ
ラス基板２１には、そのガラス基板２１上にシリコーン
オイル３を注入する注入口２１０を形成することは容易
である。しかし、図８に示すように第１発光素子１０と
第２発光素子２０とが、ガラス基板１１とガラス基板２
１とに各々形成されている場合、発光素子１０、２０の
形成後にシリコーンオイル３の注入口２１０を開けるこ
とは、第１発光素子１０、第２発光素子２０を変形させ
ることになり、又、注入口２１０を加工する際に生ずる
切り粉が第１発光素子１０、第２発光素子２０に付着す
ることもあり、ＥＬ表示器の破壊の原因となる。
【００４９】従って、予めシリコーンオイルの注入口２
１０をガラス基板２１に開け、その後に、第１電極２
２、第１絶縁層２３、発光層２４、第２絶縁層２５、第
２電極２６を形成すれば、破壊の生じることのないＥＬ
表示器３００を得ることができる。本発明は上記の実施
例に限定されるものではなく、以下のような種々の変形
が可能である。
１０をガラス基板２１に開け、その後に、第１電極２
２、第１絶縁層２３、発光層２４、第２絶縁層２５、第
２電極２６を形成すれば、破壊の生じることのないＥＬ
表示器３００を得ることができる。本発明は上記の実施
例に限定されるものではなく、以下のような種々の変形
が可能である。
【００５０】（１）発光層を、１層、２層の他に３層以
上、例えば、ＲＧＢをそれぞれ発光する３つの発光層を
重ねたＥＬ表示器にも本発明を適用することができる。
かかるＲＧＢ発光層により、フルカラー化が可能とな
る。 （２）実施例３の二つの発光層は互いに対向関係に配置
してあるが、同一基板の同一平面に二つの発光層を並列
的に配置してもよい。この思想は、上記（１）のＲＧＢ
発光層、或いはこれらＲＧＢの２色の発光層についても
適用できる。
上、例えば、ＲＧＢをそれぞれ発光する３つの発光層を
重ねたＥＬ表示器にも本発明を適用することができる。
かかるＲＧＢ発光層により、フルカラー化が可能とな
る。 （２）実施例３の二つの発光層は互いに対向関係に配置
してあるが、同一基板の同一平面に二つの発光層を並列
的に配置してもよい。この思想は、上記（１）のＲＧＢ
発光層、或いはこれらＲＧＢの２色の発光層についても
適用できる。
【００５１】（３）実施例１乃至３では、第１基板及び
第２基板の両方にガラス基板を用いて透明とし、ＥＬ表
示器の両方向側より発光素子からの光を放出させたが、
第１基板、第２基板、電極及び絶縁層の材質を適宜変更
することにより、一方向側からの光の放出も可能であ
る。例えば、実施例１においては、ガラス基板１１側を
不透明にしてもよい。
第２基板の両方にガラス基板を用いて透明とし、ＥＬ表
示器の両方向側より発光素子からの光を放出させたが、
第１基板、第２基板、電極及び絶縁層の材質を適宜変更
することにより、一方向側からの光の放出も可能であ
る。例えば、実施例１においては、ガラス基板１１側を
不透明にしてもよい。
【００５２】（４）実施例３において、ガラス基板２１
側に形成された第２発光素子２０はガラス基板１１側に
形成された第１発光素子１０と同じ発光色を発光するも
のであるが、該第２発光素子２０の発光色を第２発光素
子１０の発光色と異なるようにしても勿論よい。 （５）第２基板であるガラス基板２１には、透明なガラ
ス基板を用いたが、透明なガラス基板が例えばＲＧＢ各
色のフィルター、もしくは、ＲＧＢの２色を組み合わせ
たフィルター、あるいは、ＲＧＢ３色のフィルターを有
するガラス基板であってもよい。
側に形成された第２発光素子２０はガラス基板１１側に
形成された第１発光素子１０と同じ発光色を発光するも
のであるが、該第２発光素子２０の発光色を第２発光素
子１０の発光色と異なるようにしても勿論よい。 （５）第２基板であるガラス基板２１には、透明なガラ
ス基板を用いたが、透明なガラス基板が例えばＲＧＢ各
色のフィルター、もしくは、ＲＧＢの２色を組み合わせ
たフィルター、あるいは、ＲＧＢ３色のフィルターを有
するガラス基板であってもよい。
【００５３】（６）第１発光素子１０の第２電極１６の
上方に、例えばＲＧＢ色の各フィルタを形成してもよ
い。 （７）絶縁性流体としてシリコーンオイルを用いたが、
不活性ガスを用いてもよい。 （８）実施例２における圧力制御調整装置は実施例１、
３にも適用できる。
上方に、例えばＲＧＢ色の各フィルタを形成してもよ
い。 （７）絶縁性流体としてシリコーンオイルを用いたが、
不活性ガスを用いてもよい。 （８）実施例２における圧力制御調整装置は実施例１、
３にも適用できる。
【図１】本発明の具体的な一実施例にかかるＥＬ表示器
の構造を示した断面図。
の構造を示した断面図。
【図２】封止のための側壁の形成されたガラス基板の平
面図。
面図。
【図３】側壁とスペーサとの高さ関係を示す断面図。
【図４】ガラス基板の曲率半径と破壊点数との関係を示
した特性図。
した特性図。
【図５】ガラス基板の曲率半径と破壊点の大きさとの関
係を示した特性図。
係を示した特性図。
【図６】スペーサの高さとと破壊点数、破壊点の大きさ
との関係を示した特性図。
との関係を示した特性図。
【図７】他の実施例にかかるＥＬ表示器の製造方法を示
した模式図。
した模式図。
【図８】他の実施例にかかるＥＬ表示器の構造を示した
断面図。
断面図。
１００，２００，３００ ＥＬ表示器 ２ 側壁 ３ シリコーンオイル ４ スペーサ １０ 第１発光素子 １１ ガラス基板（第１基板） １２ 第１電極 １３ 第１絶縁層 １４ 発光層 １５ 第２絶縁層 １６ 第２電極 ２０ 第２発光素子 ２１ ガラス基板（第２基板） ３０ 内部空間 ４０ 注入口 ２００ 接着剤 ２１０ 注入口（開口）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 服部 正 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本 電装株式会社内 (56)参考文献 特開 平４−34892（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−232893（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H05B 33/04
Claims (14)
- 【請求項１】 第１基板と、第１電極、第１絶縁層、発
光層、第２絶縁層、及び第２電極をこの順序に積層して
なり、且つ前記第１基板上に形成された発光素子と、前
記発光素子の上方に隙間を介して位置するとともに、前
記第１基板と対向するよう位置し、且つ前記第１基板と
の間に内部空間を形成する第２基板と、前記内部空間を
外部に対して封止する封止部と、前記内部空間に充填さ
れた絶縁性流体と、を備えたエレクトロルミネッセンス
表示器において、 前記第１基板と前記第２基板とを、前記内部空間のない
外側に凸となるように変形してなることを特徴とするエ
レクトロルミネッセンス表示器。 - 【請求項２】 前記第２基板には、第１電極、第１絶縁
層、発光層、第２絶縁層、第２電極をこの順序に積層し
てなる他の発光素子が形成されていることを特徴とする
請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示器。 - 【請求項３】 前記第１基板及び前記第２基板の中央部
の曲率半径Ｒが、５０ｍ≦Ｒ≦１５００ｍの範囲に設定
されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載
のエレクトロルミネッセンス表示器。 - 【請求項４】 前記封止部は、前記第１基板の前記発光
素子の発光領域外とこの発光領域外に対向する前記第２
基板の部位との間に位置しており、前記発光素子と前記
第２基板との前記隙間には、前記封止部の高さを越えた
位置に頂部が位置するスペーサが配設されていることを
特徴する請求項１記載のエレクトロルミネッセンス表示
器。 - 【請求項５】 前記封止部の高さｔと、前記第１基板か
ら前記スペーサの前記頂部までの高さＴとの比率Ｔ／ｔ
が、１．０１≦Ｔ／ｔ≦１．３の範囲に設定されている
ことを特徴とする請求項４記載のエレクトロルミネッセ
ンス表示器。 - 【請求項６】 前記第１基板及び前記第２基板が透明で
あることを特徴とする請求項１乃至５いずれか一つに記
載のエレクトロルミネッセンス表示器。 - 【請求項７】 第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶
縁層、及び第２電極をこの順序に積層してなる発光素子
が形成された第１基板を準備すること、 前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して対向配
置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封止する
第２基板を準備すること、 前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領
域外に対向する前記第２基板の部位との間に、前記第１
基板と前記第２基板との間に形成された内部空間内に絶
縁性流体を充填する注入口を有するようにして封止部を
形成し、該封止部により前記内部空間を外部に対して封
止すること、 及び前記第１基板及び前記第２基板の置かれる環境の気
圧よりも高い圧力によって、前記注入口から前記絶縁性
流体を前記内部空間内に注入し、これにより前記第１基
板と前記第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸と
なるように変形させること、を特徴とするエレクトロル
ミネッセンス表示器の製造方法。 - 【請求項８】 第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶
縁層、及び第２電極をこの順序に積層してなる発光素子
が形成された第１基板を準備すること、 前記発光素子を覆うように前記第１基板に対して対向配
置されて前記第１基板との間に前記発光素子を封止する
第２基板を準備すること、 前記発光素子と前記第２基板との間の隙間にスペーサを
配置すること、 前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領
域外に対向する前記第２基板の部位との間に、前記第１
基板と前記第２基板との間に形成された内部空間内に絶
縁性流体を充填する注入口を有するようにして封止部を
形成すること、 前記第１基板及び前記第２基板を相対的に加圧して前記
封止部により前記内部空間を外部に対して封止するとと
もに、前記スペーサの存在によって前記第１基板と前記
第２基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるよう
に変形させること、 及び前記注入口から前記絶縁性流体を前記内部空間内に
注入すること、を特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示器の製造方法。 - 【請求項９】 前記第１基板と前記第２基板とを前記封
止部により封止した後、前記両基板を真空槽内に配置す
ること、 前記真空槽内を真空排気して前記両基板の間の内部空間
内を前記注入口を介して真空にすること、 該真空処理後、前記注入口を前記絶縁性流体を保持した
容器に接続すること、 前記真空槽内を大気圧に戻して前記絶縁性流体を前記内
部空間内に注入すること、を具備することを特徴とする
請求項７記載のエレクトロルミネッセンス表示器の製造
方法。 - 【請求項１０】 前記スペーサの頂部から前記第１基板
までの高さが前記封止部の高さに比べて高く設定される
ことにより、前記第１基板及び前記第２基板を相対的に
加圧した際に前記高く設定された分、前記第１基板と前
記第２基板とが、前記内部空間のない外側に凸となるよ
うに変形するようにされていることを特徴とする請求項
８又は９記載のエレクトロルミネッセンス表示器の製造
方法。 - 【請求項１１】 第１電極、第１絶縁層、発光層、第２
絶縁層、及び第２電極をこの順序に積層してなる発光素
子が形成された第１基板を準備すること、 前記第１基板に対して対向配置されて前記第１基板との
間に前記発光素子を封止する第２基板を準備すること、 前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領
域外に対向する前記第２基板の部位との間に、前記第１
基板と前記第２基板との間に形成された内部空間内に絶
縁性流体を充填する注入口を有するようにして封止部を
形成し、該封止部により前記内部空間を外部に対して封
止すること、 前記第１基板及び前記第２基板の置かれる環境及び前記
内部空間を負圧に設定すること、 及び前記第１基板及び前記第２基板の置かれる環境及び
前記内部空間を負圧に維持した状態で該負圧よりも高い
圧力によって、前記注入口から前記絶縁性流体を前記内
部空間内に注入し、これにより前記第１基板と前記第２
基板とを、前記内部空間のない外側に凸となるように変
形させること、を特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示器の製造方法。 - 【請求項１２】 前記絶縁性流体の注入圧力を０．７５
ｋｇ／ｃｍ2 以上２ｋ ｇ／ｃｍ2 以下の範囲に調整す
ることを特徴とする請求項１１記載のエレクトロルミネ
ッセンス表示器の製造方法。 - 【請求項１３】 第１電極、第１絶縁層、発光層、第２
絶縁層、及び第２電極をこの順序に積層してなる第１発
光素子が形成された第１基板を準備すること、 第１電
極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、及び第２電極を
この順序に積層してなる第２発光素子が形成された第２
基板を準備すること、 前記第１基板又は前記第２基板の何れか一方に前記内部
空間に連通する少なくとも１つの開口を形成すること、 前記第１基板と前記第２基板とを、それらの間に前記１
発光素子及び第２発光素子が位置するように互いに対向
配置すること、 前記第１基板の前記発光素子の発光領域外とこの発光領
域外に対向する前記第２基板の部位との間に封止部を形
成し、該封止部により前記内部空間を外部に対して封止
すること、 及び前記開口から絶縁性流体を前記内部空間内に注入
し、これにより前記第１基板と前記第２基板とを、前記
内部空間のない外側に凸となるように変形させること、
であり、前記開口は、前記第１発光素子又は第２発光素
子を前記第１基板又は第２発光素子に形成する前に形成
されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス
表示器の製造方法。 - 【請求項１４】 前記第１基板及び前記第２基板は透明
であることを特徴とする請求項７乃至１３いずれか一つ
に記載のエレクトロルミネッセンス表示器の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7017073A JP2795207B2 (ja) | 1994-03-31 | 1995-02-03 | エレクトロルミネッセンス表示器及びその製造方法 |
| US08/413,371 US5632663A (en) | 1994-03-31 | 1995-03-30 | Electroluminescent display having improved breakdown characteristics and manufacturing method thereof |
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