JP2768455B2 - 誘電体磁器及び誘電体共振器 - Google Patents
誘電体磁器及び誘電体共振器Info
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- JP2768455B2 JP2768455B2 JP5213873A JP21387393A JP2768455B2 JP 2768455 B2 JP2768455 B2 JP 2768455B2 JP 5213873 A JP5213873 A JP 5213873A JP 21387393 A JP21387393 A JP 21387393A JP 2768455 B2 JP2768455 B2 JP 2768455B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は特に例えばマイクロ波、
ミリ波帯などの高周波領域において使用される誘電体磁
器ないしは誘電体磁器組成物並びに誘電体共振器に関す
る。
ミリ波帯などの高周波領域において使用される誘電体磁
器ないしは誘電体磁器組成物並びに誘電体共振器に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、波長が数ｃｍ以下のマイクロ波や
ミリ波（以下これらをマイクロ波と総称する）領域にお
いて、誘電体共振器及びフィルター等に誘電体磁器が多
く使用されている。このような用途で使用される誘電体
材料は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く比誘電率（εr ）が
大きくかつ共振周波数の温度係数（τf ）を任意に変化
させ得る、すなわち所望の温度係数を有するものが要求
される。
ミリ波（以下これらをマイクロ波と総称する）領域にお
いて、誘電体共振器及びフィルター等に誘電体磁器が多
く使用されている。このような用途で使用される誘電体
材料は、無負荷Ｑ（Ｑｕ）値が高く比誘電率（εr ）が
大きくかつ共振周波数の温度係数（τf ）を任意に変化
させ得る、すなわち所望の温度係数を有するものが要求
される。
【０００３】従来より、このような用途に適する材料と
して種々のものが報告されており、ＺｒＴｉＯ4 系磁器
もその一つである。また、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器もその一つであり、例えば特開昭６２−１３２
７６９号公報で提案されているＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＭｇＯ磁器や特開平２−１９２４６０号公報で
提案されているＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 −ＣｏＯ
−Ｎｂ2 Ｏ5 磁器等が知られている。
して種々のものが報告されており、ＺｒＴｉＯ4 系磁器
もその一つである。また、ＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器もその一つであり、例えば特開昭６２−１３２
７６９号公報で提案されているＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＭｇＯ磁器や特開平２−１９２４６０号公報で
提案されているＺｒＯ2 −ＳｎＯ2 −ＴｉＯ2 −ＣｏＯ
−Ｎｂ2 Ｏ5 磁器等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＺｒＴ
ｉＯ4 磁器は、比誘電率は４５と大きいものの共振周波
数の温度係数が５４ppm/℃とプラス側に大きく、また、
焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動が激
しい。ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器では、共振周
波数の温度係数は０ppm/℃付近の小さな値が達成されて
いるものの、熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
については問題がある。
ｉＯ4 磁器は、比誘電率は４５と大きいものの共振周波
数の温度係数が５４ppm/℃とプラス側に大きく、また、
焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動が激
しい。ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器では、共振周
波数の温度係数は０ppm/℃付近の小さな値が達成されて
いるものの、熱履歴による共振周波数の温度係数の変動
については問題がある。
【０００５】また、従来の材料では比誘電率が小さかっ
たり、無負荷Ｑ値が低かったり、所望の共振周波数の温
度係数を実現できない等の種々の問題がある。
たり、無負荷Ｑ値が低かったり、所望の共振周波数の温
度係数を実現できない等の種々の問題がある。
【０００６】さらに、一般的に同一材料においては共振
周波数（ｆ）とＱｕ値の積は一定であるとされるが、実
際にはｆが低くなると（すなわち素子を大型化すると）
著しくｆＱｕ積が劣化する（小さくなる。）。そのた
め、比較的低い周波数領域で使用される例えば移動体通
信基地局用の誘電体共振器などのマイクロ波用誘電体素
子に対して、より高い無負荷Ｑ値を有することが強く望
まれている。さらに、比較的低い周波数領域で使用され
る誘電体共振器は非常に大きくなってしまうため、より
小型化することが強く望まれている。
周波数（ｆ）とＱｕ値の積は一定であるとされるが、実
際にはｆが低くなると（すなわち素子を大型化すると）
著しくｆＱｕ積が劣化する（小さくなる。）。そのた
め、比較的低い周波数領域で使用される例えば移動体通
信基地局用の誘電体共振器などのマイクロ波用誘電体素
子に対して、より高い無負荷Ｑ値を有することが強く望
まれている。さらに、比較的低い周波数領域で使用され
る誘電体共振器は非常に大きくなってしまうため、より
小型化することが強く望まれている。
【０００７】本発明の第一の目的は、従来のＺｒＴｉＯ
4系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼成時の熱
履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減するた
め、特定の組成の誘電体磁器を提供することである。ま
た、本発明の第二の目的は、無負荷Ｑ値が高く、比誘電
率が大きく、共振周波数の温度係数を任意に変化させ得
る（すなわち所望の値の温度係数）の誘電体磁器を提供
することである。
4系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼成時の熱
履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減するた
め、特定の組成の誘電体磁器を提供することである。ま
た、本発明の第二の目的は、無負荷Ｑ値が高く、比誘電
率が大きく、共振周波数の温度係数を任意に変化させ得
る（すなわち所望の値の温度係数）の誘電体磁器を提供
することである。
【０００８】さらに、本発明の第三の目的は０．８〜５
ＧＨｚの周波数領域で高い無負荷Ｑ値を有し且つ小型な
ＴＥ01δモード誘電体共振器を提供することである。本
発明は、本発明の三つの目的のうちの一つ、もしくは二
つ以上を達成しようとするものである。
ＧＨｚの周波数領域で高い無負荷Ｑ値を有し且つ小型な
ＴＥ01δモード誘電体共振器を提供することである。本
発明は、本発明の三つの目的のうちの一つ、もしくは二
つ以上を達成しようとするものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本願の各発明は、それぞれ次の構成を備えたもので
ある。
め、本願の各発明は、それぞれ次の構成を備えたもので
ある。
【００１０】（１） Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器。
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器。
【００１１】（２） 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2
−ｚＡ(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
組成物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表
される数値を示す。）。
−ｚＡ(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
組成物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表
される数値を示す。）。
【００１２】
【数５】
【００１３】（３） 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2
−ｚＡ(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
組成物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表
される数値を示す。）。
−ｚＡ(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
組成物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表
される数値を示す。）。
【００１４】
【数６】
【００１５】（４） ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする前記（１）
項に記載の誘電体磁器。
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする前記（１）
項に記載の誘電体磁器。
【００１６】（５） ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ
（ただし、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A) 及び(B)
の成分のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以
下である前記（１）項に記載の誘電体磁器。
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ
（ただし、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A) 及び(B)
の成分のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以
下である前記（１）項に記載の誘電体磁器。
【００１７】（６） Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
【００１８】（７） 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2
−ｚＡ(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される
数値を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
−ｚＡ(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される
数値を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
【００１９】
【数７】
【００２０】（８） 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2
−ｚＡ(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される
数値を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
−ｚＡ(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/3 Ｏ2 で表わしたとき、記号
Ａが｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A)
から選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，
ｙ，ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器
（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される
数値を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。
【００２１】
【数８】
【００２２】（９） ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする誘電体磁器
よりなる前記（６）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共
振器。
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする誘電体磁器
よりなる前記（６）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共
振器。
【００２３】（１０） ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍ
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ
（ただし、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A) 及び(B)
の成分のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以
下である誘電体磁器よりなる前記（６）項に記載のＴＥ
01δモード誘電体共振器。
ｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分
と｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくと
も一種の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしく
は結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ
（ただし、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A) 及び(B)
の成分のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以
下である誘電体磁器よりなる前記（６）項に記載のＴＥ
01δモード誘電体共振器。
【００２４】
【作用】前記（１）項に記載の本発明の誘電体磁器の構
成によれば、ＺｒＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−Ｔ
ｉＯ2系磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度
係数の変動が低減された誘電体磁器を提供することがで
きる。また、前記（２）〜（５）項に記載の本発明の誘
電体磁器または誘電体磁器組成物の構成によれば、無負
荷Ｑ値が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度係
数を任意に変化させ得る誘電体磁器または誘電体磁器組
成物を提供できる。
成によれば、ＺｒＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−Ｔ
ｉＯ2系磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度
係数の変動が低減された誘電体磁器を提供することがで
きる。また、前記（２）〜（５）項に記載の本発明の誘
電体磁器または誘電体磁器組成物の構成によれば、無負
荷Ｑ値が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度係
数を任意に変化させ得る誘電体磁器または誘電体磁器組
成物を提供できる。
【００２５】また、前記（６）〜（１０）項に記載の本
発明のＴＥ01δモード誘電体共振器の構成によれば、
０．８〜５ＧＨｚの周波数領域で高い無負荷Ｑを有し、
且つ小型な誘電体共振器を実現できる。
発明のＴＥ01δモード誘電体共振器の構成によれば、
０．８〜５ＧＨｚの周波数領域で高い無負荷Ｑを有し、
且つ小型な誘電体共振器を実現できる。
【００２６】
【実施例】本発明における誘電体磁器の出発原料として
は前述した各成分の元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、
アルコキシド等いずれを用いてもよい。
は前述した各成分の元素の酸化物、炭酸塩、水酸化物、
アルコキシド等いずれを用いてもよい。
【００２７】原料粉体の混合方法としては、ボールミル
中で水もしくは有機溶媒と共に混合する湿式混合法や、
ミキサー等で混合したり溶媒を用いないボールミル中で
混合する乾式混合法等が一般的であり、いずれを用いて
もよい。また、出発原料に応じてアルコキシド法や共沈
法を用いてもよい。すなわち誘電体磁器を製造する場合
に採用できる各種の公知の手法が採用できる。工程が比
較的複雑でないこと、均質な混合物を得やすいこと等か
ら、溶媒を用いてボールミル中で混合する方法が望まし
く、さらに、粉体の分散性を高めるために分散剤を用い
たりPH調整を行ってもよい。
中で水もしくは有機溶媒と共に混合する湿式混合法や、
ミキサー等で混合したり溶媒を用いないボールミル中で
混合する乾式混合法等が一般的であり、いずれを用いて
もよい。また、出発原料に応じてアルコキシド法や共沈
法を用いてもよい。すなわち誘電体磁器を製造する場合
に採用できる各種の公知の手法が採用できる。工程が比
較的複雑でないこと、均質な混合物を得やすいこと等か
ら、溶媒を用いてボールミル中で混合する方法が望まし
く、さらに、粉体の分散性を高めるために分散剤を用い
たりPH調整を行ってもよい。
【００２８】混合物は仮焼しなくてもよいが、仮焼する
ことにより焼成時間を短縮できる。仮焼温度は組成によ
って異なるが、通常８００〜１２５０℃程度で２〜８時
間程度である。
ことにより焼成時間を短縮できる。仮焼温度は組成によ
って異なるが、通常８００〜１２５０℃程度で２〜８時
間程度である。
【００２９】仮焼物もしくは混合物の粉砕方法として
は、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、気
流粉砕機等を用いる方法があるが、いずれを用いてもよ
い。成形は通常プレス成形により所望の形に成形する。
特に限定するものではないが、プレス成形における圧力
は、通常０．５〜１．５ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の範囲であ
る。
は、ボールミル、高速回転式粉砕機、媒体撹拌ミル、気
流粉砕機等を用いる方法があるが、いずれを用いてもよ
い。成形は通常プレス成形により所望の形に成形する。
特に限定するものではないが、プレス成形における圧力
は、通常０．５〜１．５ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の範囲であ
る。
【００３０】焼成は、組成や成形物の大きさなどによっ
て異なるので、特に限定するものではないが、通常はバ
インダーを除去するためにおよそ４００〜７００℃程度
でおよそ１〜１００時間程度行った後、１３００〜１６
５０℃程度でおよそ１〜１００時間程度焼成することが
望ましい。
て異なるので、特に限定するものではないが、通常はバ
インダーを除去するためにおよそ４００〜７００℃程度
でおよそ１〜１００時間程度行った後、１３００〜１６
５０℃程度でおよそ１〜１００時間程度焼成することが
望ましい。
【００３１】以下具体的実施例を挙げて、さらに本発明
を説明する。 実施例１ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＣＯ
3 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
１０００℃の温度で２時間仮焼した。仮焼物はエタノー
ルとともに前記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥
しょうをボールミルから取り出して乾燥したのち、粉末
にバインダーとして濃度６％のポリビニールアルコール
溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２メッシュ
のふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレ
スを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2 で直径７ｍｍ
厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を高純度のマグ
ネシアさや鉢の中に入れ、空気中において６００℃の温
度で４時間保持してバインダーアウトを行なった後、空
気中において１５００℃の温度で２４時間保持して焼成
した後、急冷（炉外に取り出して空冷）または１０００
℃まで徐冷（冷却速度２０℃／ｈｒ）し、誘電体磁器を
得た。
を説明する。 実施例１ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，Ｎｂ2 Ｏ5 ，ＭｎＣＯ
3 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
１０００℃の温度で２時間仮焼した。仮焼物はエタノー
ルとともに前記のボールミル中で湿式粉砕した。粉砕泥
しょうをボールミルから取り出して乾燥したのち、粉末
にバインダーとして濃度６％のポリビニールアルコール
溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２メッシュ
のふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と油圧プレ
スを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2 で直径７ｍｍ
厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を高純度のマグ
ネシアさや鉢の中に入れ、空気中において６００℃の温
度で４時間保持してバインダーアウトを行なった後、空
気中において１５００℃の温度で２４時間保持して焼成
した後、急冷（炉外に取り出して空冷）または１０００
℃まで徐冷（冷却速度２０℃／ｈｒ）し、誘電体磁器を
得た。
【００３２】得られた誘電体磁器の導体空洞型誘電体円
柱共振器法による測定から、共振周波数を求めた。共振
周波数の温度係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲
で求めた。
柱共振器法による測定から、共振周波数を求めた。共振
周波数の温度係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲
で求めた。
【００３３】このようにして作製した誘電体磁器の組成
を（表１）に、焼成後の冷却条件と共振周波数の温度係
数（ｐｐｍ／℃）を（表２）に示す。なお、（表１）及
び（表２）において* 印のついたものは比較例である。
を（表１）に、焼成後の冷却条件と共振周波数の温度係
数（ｐｐｍ／℃）を（表２）に示す。なお、（表１）及
び（表２）において* 印のついたものは比較例である。
【００３４】
【表１】
【００３５】
【表２】
【００３６】（表２）に示す結果から明らかなように、
試料番号３〜１０の誘電体磁器は、ＺｒＴｉＯ4 系及び
ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼成時の熱履歴に
よる共振周波数の温度係数の変動が低減されている。ま
た、試料番号３〜１０に対して、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ
3の少なくとも一種を０．５ｍｏｌ％添加した誘電体磁
器についても同様の効果が確認された。尚、これ以外の
他の成分についても本発明の目的を損なわない限り添加
しても良い。
試料番号３〜１０の誘電体磁器は、ＺｒＴｉＯ4 系及び
ＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼成時の熱履歴に
よる共振周波数の温度係数の変動が低減されている。ま
た、試料番号３〜１０に対して、Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｓｉ
Ｏ2 ，ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ
3の少なくとも一種を０．５ｍｏｌ％添加した誘電体磁
器についても同様の効果が確認された。尚、これ以外の
他の成分についても本発明の目的を損なわない限り添加
しても良い。
【００３７】本発明の前記（１）項の構成により、Ｚｒ
ＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼
成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減
することができる事がわかる。 実施例２ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
８００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末にバインダーとして濃度６％のポリビニー
ルアルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、
３２メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金
型と油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2
で直径７ｍｍ厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を
高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において
４００℃〜７００℃の温度で４〜８時間保持してバイン
ダーアウトを行なった後、空気中において１３００℃〜
１６５０℃の温度で１〜１００時間保持して焼成し誘電
体磁器を得た。
ＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系磁器の焼
成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変動を低減
することができる事がわかる。 実施例２ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
８００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末にバインダーとして濃度６％のポリビニー
ルアルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、
３２メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金
型と油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2
で直径７ｍｍ厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を
高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において
４００℃〜７００℃の温度で４〜８時間保持してバイン
ダーアウトを行なった後、空気中において１３００℃〜
１６５０℃の温度で１〜１００時間保持して焼成し誘電
体磁器を得た。
【００３８】得られた誘電体磁器の導体空洞型誘電体円
柱共振器法による測定から、共振周波数と無負荷Ｑ（Ｑ
u ）値と比誘電率（εr ）を求めた。共振周波数の温度
係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲で求めた。共
振周波数は５〜１０ＧHzの範囲であった。
柱共振器法による測定から、共振周波数と無負荷Ｑ（Ｑ
u ）値と比誘電率（εr ）を求めた。共振周波数の温度
係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲で求めた。共
振周波数は５〜１０ＧHzの範囲であった。
【００３９】このようにして得られた比誘電率と共振周
波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）および無負荷Ｑ値を（表
３）〜（表９）に示す。なお、（表３）〜（表９）にお
いて* 印のついたものは比較例である。
波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）および無負荷Ｑ値を（表
３）〜（表９）に示す。なお、（表３）〜（表９）にお
いて* 印のついたものは比較例である。
【００４０】
【表３】
【００４１】
【表４】
【００４２】
【表５】
【００４３】
【表６】
【００４４】
【表７】
【００４５】
【表８】
【００４６】
【表９】
【００４７】（表３）〜（表９）に示す結果から明らか
なように、本発明の前記（２）項に記載の組成範囲内の
誘電体磁器組成物はマイクロ波周波数帯において比誘電
率を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値を有する。
なように、本発明の前記（２）項に記載の組成範囲内の
誘電体磁器組成物はマイクロ波周波数帯において比誘電
率を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値を有する。
【００４８】これに対して、ｘが０．６０よりも大きく
なると、試料番号５４〜５６及び試料番号１２３のよう
に無負荷Ｑ値が著しく低くなり、本発明の目的を達成す
ることができない。また、ｘが０．１０より小さくなっ
た場合も試料番号６０，６１及び試料番号１２６のよう
に無負荷Ｑ値が低くなり、本発明の目的を達成すること
ができない。
なると、試料番号５４〜５６及び試料番号１２３のよう
に無負荷Ｑ値が著しく低くなり、本発明の目的を達成す
ることができない。また、ｘが０．１０より小さくなっ
た場合も試料番号６０，６１及び試料番号１２６のよう
に無負荷Ｑ値が低くなり、本発明の目的を達成すること
ができない。
【００４９】ｙが０．６０よりも大きくなると、試料番
号２６〜２９及び試料番号１１６のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなりｙが０．２０より小さくなった場合にも
試料番号１５〜１８及び試料番号１１４のように無負荷
Ｑ値が低くなりすぎるため、本発明の目的を達成するこ
とができない。
号２６〜２９及び試料番号１１６のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなりｙが０．２０より小さくなった場合にも
試料番号１５〜１８及び試料番号１１４のように無負荷
Ｑ値が低くなりすぎるため、本発明の目的を達成するこ
とができない。
【００５０】ｚが０．７０よりも大きくなると試料番号
３０〜３３及び試料番号１１７のように無負荷Ｑ値が低
くなり、ｚが０．０１よりも小さくなると試料番号３６
のように共振周波数の温度係数が極端に大きくなり、か
つ、無負荷Ｑ値が著しく低くなるため、本発明の目的を
達成することができない。
３０〜３３及び試料番号１１７のように無負荷Ｑ値が低
くなり、ｚが０．０１よりも小さくなると試料番号３６
のように共振周波数の温度係数が極端に大きくなり、か
つ、無負荷Ｑ値が著しく低くなるため、本発明の目的を
達成することができない。
【００５１】また、ｗを０よりも大きくすることにより
無負荷Ｑ値を改善することができるが、ｗが１．５０よ
りも大きくなると試料番号９３〜９６及び試料番号１３
３のように無負荷Ｑ値が劣化してしまう。しかし、試料
番号１３３でも、従来の誘電体磁器と比較して特性は良
好であった。
無負荷Ｑ値を改善することができるが、ｗが１．５０よ
りも大きくなると試料番号９３〜９６及び試料番号１３
３のように無負荷Ｑ値が劣化してしまう。しかし、試料
番号１３３でも、従来の誘電体磁器と比較して特性は良
好であった。
【００５２】なお、Ａ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃｏ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも１種の元素を示
す）とＮｂの酸化物を８００〜１２００℃で予め仮焼し
た粉体を原料粉として用いると、無負荷Ｑ値が向上する
ことが本実施例の組成範囲内で確認された。
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも１種の元素を示
す）とＮｂの酸化物を８００〜１２００℃で予め仮焼し
た粉体を原料粉として用いると、無負荷Ｑ値が向上する
ことが本実施例の組成範囲内で確認された。
【００５３】また、僅かの添加物を加えることで焼結性
を改善でき、特性は大きく劣化しないことが本実施例の
組成範囲内で確認された。例えば試料番号１０５にＡｌ
2 Ｏ 3 を０．０８ｗｔ．％添加した場合、焼成温度が約
５０℃下がり、ＳｉＯ2 を０．０８ｗｔ．％添加した場
合焼成温度が約２５℃下がるが、いずれの場合も特性は
大きく変化しなかった。さらに、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ 2 Ｏ3 の少なくとも一種を０．１
ｍｏｌ％添加した誘電体磁器についても特性は大きく変
化しなかった。尚、これ以外の他の成分についても本発
明の目的を損なわない限り添加しても良い。
を改善でき、特性は大きく劣化しないことが本実施例の
組成範囲内で確認された。例えば試料番号１０５にＡｌ
2 Ｏ 3 を０．０８ｗｔ．％添加した場合、焼成温度が約
５０℃下がり、ＳｉＯ2 を０．０８ｗｔ．％添加した場
合焼成温度が約２５℃下がるが、いずれの場合も特性は
大きく変化しなかった。さらに、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣＯ
3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ 2 Ｏ3 の少なくとも一種を０．１
ｍｏｌ％添加した誘電体磁器についても特性は大きく変
化しなかった。尚、これ以外の他の成分についても本発
明の目的を損なわない限り添加しても良い。
【００５４】実施例３ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末に粘結剤として濃度６％のポリビニールア
ルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２
メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2で直
径７ｍｍ厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を高純
度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において４０
０℃〜７００℃の温度で４〜８時間保持してバインダー
アウトを行なった後、空気中において１３００℃〜１６
５０℃の温度で１〜１００時間保持して焼成し誘電体磁
器を得た。
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末に粘結剤として濃度６％のポリビニールア
ルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２
メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2で直
径７ｍｍ厚さ約３ｍｍの円板に成形した。成形体を高純
度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中において４０
０℃〜７００℃の温度で４〜８時間保持してバインダー
アウトを行なった後、空気中において１３００℃〜１６
５０℃の温度で１〜１００時間保持して焼成し誘電体磁
器を得た。
【００５５】得られた誘電体磁器の導体空洞型誘電体円
柱共振器法による測定から共振周波数と無負荷Ｑ
（Ｑu ）値と比誘電率（εr ）を求めた。共振周波数の
温度係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲で求め
た。共振周波数は５〜１０ＧHzの範囲であった。
柱共振器法による測定から共振周波数と無負荷Ｑ
（Ｑu ）値と比誘電率（εr ）を求めた。共振周波数の
温度係数（τf ）は−２５℃から８５℃の範囲で求め
た。共振周波数は５〜１０ＧHzの範囲であった。
【００５６】このようにして得られた比誘電率と共振周
波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）および無負荷Ｑ値を（表
１０）〜（表１１）に示す。なお、（表１０）〜（表１
１）において* 印のついたものは本発明範囲外の比較例
である。
波数の温度係数（ｐｐｍ／℃）および無負荷Ｑ値を（表
１０）〜（表１１）に示す。なお、（表１０）〜（表１
１）において* 印のついたものは本発明範囲外の比較例
である。
【００５７】
【表１０】
【００５８】
【表１１】
【００５９】（表１０）〜（表１１）に示す結果から明
らかなように、本発明の前記（３）項の組成範囲内の誘
電体磁器組成物はマイクロ波周波数帯において比誘電率
を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値を有する。
らかなように、本発明の前記（３）項の組成範囲内の誘
電体磁器組成物はマイクロ波周波数帯において比誘電率
を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値を有する。
【００６０】尚、ｘが０．６０よりも大きくなると、試
料番号１５２のように無負荷Ｑ値が著しく低くなるた
め、本発明の目的を達成することができない。また、ｘ
が０．１０よりも小さくなった場合も試料番号１５５の
ように無負荷Ｑ値が低くなるため、本発明の目的を達成
することができない。
料番号１５２のように無負荷Ｑ値が著しく低くなるた
め、本発明の目的を達成することができない。また、ｘ
が０．１０よりも小さくなった場合も試料番号１５５の
ように無負荷Ｑ値が低くなるため、本発明の目的を達成
することができない。
【００６１】ｙが０．６０よりも大きくなると、試料番
号１３８のように無負荷Ｑ値が著しく低くなり、ｙが
０．１０よりも小さくなった場合にも、試料番号１３４
のように無負荷Ｑ値が低くなりすぎるため、本発明の目
的を達成することができない。
号１３８のように無負荷Ｑ値が著しく低くなり、ｙが
０．１０よりも小さくなった場合にも、試料番号１３４
のように無負荷Ｑ値が低くなりすぎるため、本発明の目
的を達成することができない。
【００６２】ｚが０．８０よりも大きくなると試料番号
１３９のように無負荷Ｑ値が低くなり、ｚが０．０１よ
りも小さくなると試料番号１４１のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなるため、本発明の目的を達成することがで
きない。
１３９のように無負荷Ｑ値が低くなり、ｚが０．０１よ
りも小さくなると試料番号１４１のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなるため、本発明の目的を達成することがで
きない。
【００６３】また、ｗを０よりも大きくすることにより
無負荷Ｑ値を改善することができるが、ｗが１．００よ
りも大きくなると試料番号１６８のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなるため、本発明の目的を達成することがで
きない。
無負荷Ｑ値を改善することができるが、ｗが１．００よ
りも大きくなると試料番号１６８のように無負荷Ｑ値が
著しく低くなるため、本発明の目的を達成することがで
きない。
【００６４】なお、Ａ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃｏ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも１種の元素を示
す）とＴａの酸化物を８００〜１２００℃で予め仮焼し
た粉体を原料粉として用いると、無負荷Ｑ値が向上する
ことが本実施例の組成範囲内で確認された。
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも１種の元素を示
す）とＴａの酸化物を８００〜１２００℃で予め仮焼し
た粉体を原料粉として用いると、無負荷Ｑ値が向上する
ことが本実施例の組成範囲内で確認された。
【００６５】また、僅かの添加物を加えることで焼結性
を改善でき、特性は大きく劣化しないことが本実施例の
組成範囲内で確認された。例えば試料番号１５１にＡｌ
2 Ｏ 3 を０．０８ｗｔ．％添加した場合、焼成温度が約
１００℃下がり、ＳｉＯ2 を０．０８ｗｔ．％添加した
場合焼成温度が約５０℃下がるが、いずれの場合も特性
は大きく劣化しなかった。さらに、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 の少なくとも一種を０．
１ｍｏｌ％添加した誘電体磁器についても特性は大きく
劣化しなかった。尚、これ以外の他の成分についても本
発明の目的を損なわない限り添加しても良い。
を改善でき、特性は大きく劣化しないことが本実施例の
組成範囲内で確認された。例えば試料番号１５１にＡｌ
2 Ｏ 3 を０．０８ｗｔ．％添加した場合、焼成温度が約
１００℃下がり、ＳｉＯ2 を０．０８ｗｔ．％添加した
場合焼成温度が約５０℃下がるが、いずれの場合も特性
は大きく劣化しなかった。さらに、ＢａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｌａ2 Ｏ3 ，Ｓｍ2 Ｏ3 の少なくとも一種を０．
１ｍｏｌ％添加した誘電体磁器についても特性は大きく
劣化しなかった。尚、これ以外の他の成分についても本
発明の目的を損なわない限り添加しても良い。
【００６６】また、本発明の実施例１〜３の組成範囲内
の誘電体磁器の粉末Ｘ線回折より、ＺｒＴｉＯ4 相もし
くは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相である相が確認された。
さらに、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ
4 相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び
研磨面の局所Ｘ線回折装置による組成分析により、単一
結晶粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも一種の元
素、ＢはＮｂ，Ｔａから選ばれた少なくとも一種の元素
を示す）成分の全てが存在することが確認され、その組
成比は、同一誘電体磁器内において主相を構成する他の
結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒内に、配合し
た全てのＡ及びＢ成分が存在することが確認された。
の誘電体磁器の粉末Ｘ線回折より、ＺｒＴｉＯ4 相もし
くは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相である相が確認された。
さらに、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ
4 相である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び
研磨面の局所Ｘ線回折装置による組成分析により、単一
結晶粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎから選ばれた少なくとも一種の元
素、ＢはＮｂ，Ｔａから選ばれた少なくとも一種の元素
を示す）成分の全てが存在することが確認され、その組
成比は、同一誘電体磁器内において主相を構成する他の
結晶粒の組成比と一致した。また、単一粒内に、配合し
た全てのＡ及びＢ成分が存在することが確認された。
【００６７】さらに、単一粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ成
分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条件で得られた
ＺｒＴｉＯ4 磁器と比較して格子常数が大きくなってい
ることが確認された。これらのことより、ＺｒＴｉＯ4
相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相にＡ，Ｂ成分が固
溶置換していることが確認された。
分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条件で得られた
ＺｒＴｉＯ4 磁器と比較して格子常数が大きくなってい
ることが確認された。これらのことより、ＺｒＴｉＯ4
相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相にＡ，Ｂ成分が固
溶置換していることが確認された。
【００６８】このような誘電体磁器は、特に無負荷Ｑ値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したＡ成分とＢ成分のモル分率の比ａ
／ｂが０．５以上１．０以下である場合はさらに無負荷
Ｑ値が高かった。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したＡ成分とＢ成分のモル分率の比ａ
／ｂが０．５以上１．０以下である場合はさらに無負荷
Ｑ値が高かった。
【００６９】以上の結果より、本発明の前記（４）項及
び（５）項に記載した誘電体磁器は、マイクロ波周波数
帯において比誘電率を大きな値に保ちながら高い無負荷
Ｑ値を有し、共振周波数の温度安定性が優れている事が
認められる。
び（５）項に記載した誘電体磁器は、マイクロ波周波数
帯において比誘電率を大きな値に保ちながら高い無負荷
Ｑ値を有し、共振周波数の温度安定性が優れている事が
認められる。
【００７０】実施例４ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末にバインダーとして濃度６％のポリビニー
ルアルコール溶液を１０重量％添加して混合し均質と
し、３２メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体
は金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｍ 2
で直径１６ｍｍ、３５ｍｍ、７０ｍｍの円柱に成形し
た。成形体の直径：厚さは約２：１となるようにした。
成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中
において４００℃〜７００℃の温度で２〜１００時間保
持してバインダーアウトを行なった後、空気中において
１３００℃〜１６５０℃の温度で１〜１００時間保持し
て焼成し誘電体磁器を得た。
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｎｂ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末にバインダーとして濃度６％のポリビニー
ルアルコール溶液を１０重量％添加して混合し均質と
し、３２メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体
は金型と油圧プレスを用いて成形圧力１ｔｏｎ／ｃｍ 2
で直径１６ｍｍ、３５ｍｍ、７０ｍｍの円柱に成形し
た。成形体の直径：厚さは約２：１となるようにした。
成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空気中
において４００℃〜７００℃の温度で２〜１００時間保
持してバインダーアウトを行なった後、空気中において
１３００℃〜１６５０℃の温度で１〜１００時間保持し
て焼成し誘電体磁器を得た。
【００７１】得られた誘電体磁器を銀メッキ（厚さ10μ
ｍ）を施した銅製筒状キャビティーの中心に配置し、キ
ャビティー側面に設けたアンテナより発信した電磁波に
よる誘電体のＴＥ01δモードの共振を利用した誘電体共
振器を構成した。銅製筒状キャビティーの内寸は誘電体
磁器の直径、厚さのそれぞれ約４倍であり、厚みは５ｍ
ｍである。ベクトルネットワークアナライザーによる測
定から共振周波数とＱ u 値を求めた。なお、直径１６ｍ
ｍの成形体の場合共振周波数は２〜５ＧＨｚであり、３
５ｍｍでは１〜２．５ＧＨｚ、７０ｍｍでは０．６〜
１．５ＧＨｚであった。
ｍ）を施した銅製筒状キャビティーの中心に配置し、キ
ャビティー側面に設けたアンテナより発信した電磁波に
よる誘電体のＴＥ01δモードの共振を利用した誘電体共
振器を構成した。銅製筒状キャビティーの内寸は誘電体
磁器の直径、厚さのそれぞれ約４倍であり、厚みは５ｍ
ｍである。ベクトルネットワークアナライザーによる測
定から共振周波数とＱ u 値を求めた。なお、直径１６ｍ
ｍの成形体の場合共振周波数は２〜５ＧＨｚであり、３
５ｍｍでは１〜２．５ＧＨｚ、７０ｍｍでは０．６〜
１．５ＧＨｚであった。
【００７２】このようにして得られた共振周波数（ｆ）
およびｆ×Ｑｕ値を（表１２）〜（表１３）に示す。な
お、（表１２）〜（表１３）において* 印のついたもの
は本発明範囲外の比較例である。
およびｆ×Ｑｕ値を（表１２）〜（表１３）に示す。な
お、（表１２）〜（表１３）において* 印のついたもの
は本発明範囲外の比較例である。
【００７３】
【表１２】
【００７４】
【表１３】
【００７５】（表１２）〜（表１３）に示す結果から明
らかなように、本発明の前記（７）項に記載したＴＥ01
δモード誘電体共振器はマイクロ波周波数帯において高
い無負荷Ｑ値を有し、特に比較的低い周波数帯において
著しく高い無負荷Ｑ値を有する事が認められる。
らかなように、本発明の前記（７）項に記載したＴＥ01
δモード誘電体共振器はマイクロ波周波数帯において高
い無負荷Ｑ値を有し、特に比較的低い周波数帯において
著しく高い無負荷Ｑ値を有する事が認められる。
【００７６】また、共振周波数０．８ＧＨｚにおける誘
電体磁器の体積は、例えばＺｒＯ2−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器（εr =37.0 ）では約１１３ｃｃ、Ｂａ（Ｍｇ
1/3Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系磁器（εr =24.0 ）では約２００
ｃｃであるのに対し、例えば本発明の試料番号１７７の
体積は約８３ｃｃである。ＴＥ01δモード誘電体共振器
の体積は誘電体磁器の体積に応じたものとなるため、本
発明の前記（７）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振
器は比較的低い周波数領域で著しく小型なものとなる。
また、従来のものと比較して誘電体磁器が著しく小型か
つ軽量であるため、誘電体共振器としての原料コスト及
び製造コストが安価になる利点を有する。
電体磁器の体積は、例えばＺｒＯ2−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器（εr =37.0 ）では約１１３ｃｃ、Ｂａ（Ｍｇ
1/3Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系磁器（εr =24.0 ）では約２００
ｃｃであるのに対し、例えば本発明の試料番号１７７の
体積は約８３ｃｃである。ＴＥ01δモード誘電体共振器
の体積は誘電体磁器の体積に応じたものとなるため、本
発明の前記（７）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振
器は比較的低い周波数領域で著しく小型なものとなる。
また、従来のものと比較して誘電体磁器が著しく小型か
つ軽量であるため、誘電体共振器としての原料コスト及
び製造コストが安価になる利点を有する。
【００７７】実施例５ 出発原料には化学的に高純度のＺｒＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ｍ
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末に粘結剤として濃度６％のポリビニールア
ルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２
メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2で直
径７ｍｍ、１６ｍｍ、４２ｍｍ、７０ｍｍの円板に成形
した。成形体の直径：厚さは約２：１となるようにし
た。成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空
気中において１３００℃〜１６５０℃の温度で１〜１０
０時間保持して焼成し誘電体磁器を得た。得られた誘電
体磁器を銀メッキ（厚さ10μｍ）を施した銅製筒状キャ
ビティーの中心に配置し、キャビティー側面に設けたア
ンテナより発信した電磁波による誘電体のＴＥ01δモー
ドの共振を利用した誘電体共振器を構成した。
ｇＯ，ＣｏＯ，ＺｎＯ，ＮｉＯ，ＭｎＣＯ3 ，Ｔａ2 Ｏ
5 を用い、これらを所定の組成になるよう秤量し、ボー
ルミルを用いてエタノールとともに湿式混合した。粉体
とエタノールの体積比は約２：３である。この混合物を
ボールミルから取り出して乾燥したのち空気中において
９００〜１２５０℃の温度で２〜８時間仮焼した。仮焼
物はエタノールとともに前記のボールミル中で湿式粉砕
した。粉砕泥しょうをボールミルから取り出して乾燥し
たのち、粉末に粘結剤として濃度６％のポリビニールア
ルコール溶液を８重量％添加して混合し均質とし、３２
メッシュのふるいを通して整粒した。整粒粉体は金型と
油圧プレスを用いて成形圧力１．３ｔｏｎ／ｃｍ2で直
径７ｍｍ、１６ｍｍ、４２ｍｍ、７０ｍｍの円板に成形
した。成形体の直径：厚さは約２：１となるようにし
た。成形体を高純度のマグネシアさや鉢の中に入れ、空
気中において１３００℃〜１６５０℃の温度で１〜１０
０時間保持して焼成し誘電体磁器を得た。得られた誘電
体磁器を銀メッキ（厚さ10μｍ）を施した銅製筒状キャ
ビティーの中心に配置し、キャビティー側面に設けたア
ンテナより発信した電磁波による誘電体のＴＥ01δモー
ドの共振を利用した誘電体共振器を構成した。
【００７８】銅製筒状キャビティーの内寸は誘電体磁器
の直径、厚さのそれぞれ約４倍であり、厚みは５ｍｍで
ある。ベクトルネットワークアナライザーによる測定か
ら共振周波数とＱu 値を求めた。なお、直径７ｍｍの成
形体の場合共振周波数は８〜９ＧＨｚであり、１６ｍｍ
では３〜４ＧＨｚ、４２ｍｍでは１〜２ＧＨｚ、７０ｍ
ｍでは０．６〜０．９ＧＨｚであった。
の直径、厚さのそれぞれ約４倍であり、厚みは５ｍｍで
ある。ベクトルネットワークアナライザーによる測定か
ら共振周波数とＱu 値を求めた。なお、直径７ｍｍの成
形体の場合共振周波数は８〜９ＧＨｚであり、１６ｍｍ
では３〜４ＧＨｚ、４２ｍｍでは１〜２ＧＨｚ、７０ｍ
ｍでは０．６〜０．９ＧＨｚであった。
【００７９】このようにして得られた共振周波数（ｆ）
およびｆ×Ｑｕ値を（表１４）に示す。なお、（表１
４）において* 印のついたものは本発明範囲外の比較例
である。
およびｆ×Ｑｕ値を（表１４）に示す。なお、（表１
４）において* 印のついたものは本発明範囲外の比較例
である。
【００８０】
【表１４】
【００８１】（表１４）に示す結果から明らかなよう
に、本発明の前記（８）項に記載のＴＥ01δモード誘電
体共振器はマイクロ波周波数帯において高い無負荷Ｑ値
を有し、特に比較的低い周波数帯において著しく高い無
負荷Ｑ値を有する。
に、本発明の前記（８）項に記載のＴＥ01δモード誘電
体共振器はマイクロ波周波数帯において高い無負荷Ｑ値
を有し、特に比較的低い周波数帯において著しく高い無
負荷Ｑ値を有する。
【００８２】また、共振周波数０．８ＧＨｚにおける誘
電体磁器の体積は、例えばＺｒＯ2−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器（εr =37.0 ）では約１１３ｃｃ、Ｂａ（Ｍｇ
1/3Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系磁器（εr =24.0 ）では約２００
ｃｃであるのに対し、例えば本発明の試料番号２１１の
体積は約９８ｃｃである。ＴＥ01δモード誘電体共振器
の体積は誘電体磁器の体積に応じたものとなるため、本
発明の前記（８）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振
器は比較的低い周波数領域で著しく小型なものとなる。
また、従来のものと比較して誘電体磁器が著しく小型か
つ軽量であるため、誘電体共振器としての原料コスト及
び製造コストが安価になると言う利点を有する。
電体磁器の体積は、例えばＺｒＯ2−ＳｎＯ2 −ＴｉＯ
2 系磁器（εr =37.0 ）では約１１３ｃｃ、Ｂａ（Ｍｇ
1/3Ｔａ2/3 ）Ｏ3 系磁器（εr =24.0 ）では約２００
ｃｃであるのに対し、例えば本発明の試料番号２１１の
体積は約９８ｃｃである。ＴＥ01δモード誘電体共振器
の体積は誘電体磁器の体積に応じたものとなるため、本
発明の前記（８）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振
器は比較的低い周波数領域で著しく小型なものとなる。
また、従来のものと比較して誘電体磁器が著しく小型か
つ軽量であるため、誘電体共振器としての原料コスト及
び製造コストが安価になると言う利点を有する。
【００８３】なお、本実施例４及び５においては、誘電
体磁器として円柱状のものを用いているが、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、例えばリング状の誘電体
磁器を用いても、同等かそれ以上の高い無負荷Ｑ値を有
するＴＥ01δモード誘電体共振器を構成し得ることを、
本発明者等は確認した。
体磁器として円柱状のものを用いているが、必ずしもこ
れに限定されるものではなく、例えばリング状の誘電体
磁器を用いても、同等かそれ以上の高い無負荷Ｑ値を有
するＴＥ01δモード誘電体共振器を構成し得ることを、
本発明者等は確認した。
【００８４】また、実施例１において示したように、Ｚ
ｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝
からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と、
｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも
一種の成分との複合酸化物を主成分とする誘電体磁器
は、ＺｒＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系
磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変
動を低減することができるため、このような誘電体磁器
よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器、すなわち本発明
の前記（６）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振器は
有用である。
ｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝
からなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と、
｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも
一種の成分との複合酸化物を主成分とする誘電体磁器
は、ＺｒＴｉＯ4 系及びＺｒＯ2−ＳｎＯ2−ＴｉＯ2系
磁器の焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数の変
動を低減することができるため、このような誘電体磁器
よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器、すなわち本発明
の前記（６）項に記載のＴＥ01δモード誘電体共振器は
有用である。
【００８５】また、本発明の実施例１〜５における誘電
体磁器の粉末Ｘ線回折より、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結
晶学的にＺｒＴｉＯ4 相である相が確認された。さら
に、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相
である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨
面の局所Ｘ線回折装置による組成分析により、単一結晶
粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃｏ，
Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎからなる群から選ばれた少なくとも一
種の元素、ＢはＮｂ，Ｔａからなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素を示す）成分の全てが存在することが
確認され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主
相を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単
一粒内に、配合した全てのＡ及びＢ成分が存在すること
が確認された。
体磁器の粉末Ｘ線回折より、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結
晶学的にＺｒＴｉＯ4 相である相が確認された。さら
に、ＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相
である相を主成分とする誘電体磁器の、破断面及び研磨
面の局所Ｘ線回折装置による組成分析により、単一結晶
粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ（ただし、ＡはＭｇ，Ｃｏ，
Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎからなる群から選ばれた少なくとも一
種の元素、ＢはＮｂ，Ｔａからなる群から選ばれた少な
くとも一種の元素を示す）成分の全てが存在することが
確認され、その組成比は、同一誘電体磁器内において主
相を構成する他の結晶粒の組成比と一致した。また、単
一粒内に、配合した全てのＡ及びＢ成分が存在すること
が確認された。
【００８６】さらに、単一粒内にＺｒ，Ｔｉ，Ａ，Ｂ成
分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条件で得られた
ＺｒＴｉＯ4 磁器と比較して格子定数が大きくなってい
ることが確認された。これらのことより、ＺｒＴｉＯ4
相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相にＡ，Ｂ成分が固
溶置換していることが確認された。
分が存在する誘電体磁器では、同一焼成条件で得られた
ＺｒＴｉＯ4 磁器と比較して格子定数が大きくなってい
ることが確認された。これらのことより、ＺｒＴｉＯ4
相もしくは結晶学的にＺｒＴｉＯ4 相にＡ，Ｂ成分が固
溶置換していることが確認された。
【００８７】このような誘電体磁器は、特に無負荷Ｑ値
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したＡ成分とＢ成分のモル分率の比ａ
／ｂが０．５以上１．０以下である場合はさらに無負荷
Ｑ値が高かった。すなわち、このような誘電体磁器より
なる本発明の前記（９）項ならびに（１０）項に記載の
ＴＥ01δモード誘電体共振器は、マイクロ波周波数帯に
おいて比誘電率を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値
を有し、共振周波数の温度安定性が優れていると言う利
点を有する。
が高く、比誘電率が大きく、共振周波数の温度安定性が
優れており、前述したＡ成分とＢ成分のモル分率の比ａ
／ｂが０．５以上１．０以下である場合はさらに無負荷
Ｑ値が高かった。すなわち、このような誘電体磁器より
なる本発明の前記（９）項ならびに（１０）項に記載の
ＴＥ01δモード誘電体共振器は、マイクロ波周波数帯に
おいて比誘電率を大きな値に保ちながら高い無負荷Ｑ値
を有し、共振周波数の温度安定性が優れていると言う利
点を有する。
【００８８】
【発明の効果】本発明に係る誘電体磁器ならびに磁器組
成物の構成によれば、Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器とすることにより、従来のＺｒＴｉＯ 4
系及びＺｒＯ 2 −ＳｎＯ 2 −ＴｉＯ 2 系磁器が持ってい
た、焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数が変動
するという問題を低減できる。また、無負荷Ｑ値が高
く、しかも、比誘電率を落とすことなく共振周波数の温
度係数を任意に変化させることができる。
成物の構成によれば、Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃ
ｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少
なくとも一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)
から選ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物から
なる誘電体磁器とすることにより、従来のＺｒＴｉＯ 4
系及びＺｒＯ 2 −ＳｎＯ 2 −ＴｉＯ 2 系磁器が持ってい
た、焼成時の熱履歴による共振周波数の温度係数が変動
するという問題を低減できる。また、無負荷Ｑ値が高
く、しかも、比誘電率を落とすことなく共振周波数の温
度係数を任意に変化させることができる。
【００８９】また、前記本発明に係るＴＥ01δモード誘
電体共振器の構成によれば、０．８〜５ＧＨｚの周波数
領域で高い無負荷Ｑ値を有し、しかも、小型のＴＥ01δ
モード誘電体共振器を実現することができる。
電体共振器の構成によれば、０．８〜５ＧＨｚの周波数
領域で高い無負荷Ｑ値を有し、しかも、小型のＴＥ01δ
モード誘電体共振器を実現することができる。
【００９０】また、前記本発明に係る誘電体磁器ならび
に磁器組成物の構成にＮｂ元素を用いたものは、より安
価な誘電体磁器ならびに磁器組成物とすることができ
る。
に磁器組成物の構成にＮｂ元素を用いたものは、より安
価な誘電体磁器ならびに磁器組成物とすることができ
る。
Claims (10)
- 【請求項１】 Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくと
も一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)から選
ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物からなる誘
電体磁器。 - 【請求項２】 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＡ
(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/ 3 Ｏ2 で表わしたとき、記号Ａが
｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，ｙ，
ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器組成
物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表され
る数値を示す。）。 【数１】 - 【請求項３】 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＡ
(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/ 3 Ｏ2 で表わしたとき、記号Ａが
｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，ｙ，
ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器組成
物（ただし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表され
る数値を示す。）。 【数２】 - 【請求項４】 ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝から
なる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と｛Ｎ
ｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶
学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする請求項１に記載の
誘電体磁器。 - 【請求項５】 ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝から
なる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と｛Ｎ
ｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶
学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ（ただ
し、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A)及び(B) の成分
のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以下であ
る請求項１に記載の誘電体磁器。 - 【請求項６】 Ｚｒ，Ｔｉ両成分と、｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚ
ｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から選ばれた少なくと
も一種の成分と、｛Ｎｂ，Ｔａ｝からなる群(B)から選
ばれた少なくとも一種の成分との複合酸化物からなる誘
電体磁器よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。 - 【請求項７】 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＡ
(1+w)/3 Ｎｂ(2-w)/ 3 Ｏ2 で表わしたとき、記号Ａが
｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，ｙ，
ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器（た
だし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される数値
を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。 【数３】 - 【請求項８】 組成式をｘＺｒＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＡ
(1+w)/3 Ｔａ(2-w)/ 3 Ｏ2 で表わしたとき、記号Ａが
｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝からなる群(A) から
選ばれた少なくとも一種の成分であり、且つｘ，ｙ，
ｚ，ｗが次の数式で示される範囲にある誘電体磁器（た
だし、ｘ，ｙ，ｚはモル分率、ｗは下記で表される数値
を示す。）よりなるＴＥ01δモード誘電体共振器。 【数４】 - 【請求項９】 ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝から
なる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と｛Ｎ
ｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶
学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とする誘電体磁器よりな
る請求項６に記載のＴＥ01δモード誘電体共振器。 - 【請求項１０】 ｛Ｍｇ，Ｃｏ，Ｚｎ，Ｎｉ，Ｍｎ｝か
らなる群(A) から選ばれた少なくとも一種の成分と｛Ｎ
ｂ，Ｔａ｝からなる群(B) から選ばれた少なくとも一種
の成分が固溶置換しているＺｒＴｉＯ4 相もしくは結晶
学的にＺｒＴｉＯ4 相を主成分とし、且つａ／ｂ（ただ
し、記号ａ及びｂはそれぞれ前記群(A) 及び(B) の成分
のモル分率の合計を示す）が０．５以上１．０以下であ
る誘電体磁器よりなる請求項６に記載のＴＥ01δモード
誘電体共振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5213873A JP2768455B2 (ja) | 1992-09-10 | 1993-08-30 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-241640 | 1992-09-10 | ||
| JP24164092 | 1992-09-10 | ||
| JP2528493 | 1993-02-15 | ||
| JP5-25284 | 1993-02-15 | ||
| JP5213873A JP2768455B2 (ja) | 1992-09-10 | 1993-08-30 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06295619A JPH06295619A (ja) | 1994-10-21 |
| JP2768455B2 true JP2768455B2 (ja) | 1998-06-25 |
Family
ID=27284969
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5213873A Expired - Fee Related JP2768455B2 (ja) | 1992-09-10 | 1993-08-30 | 誘電体磁器及び誘電体共振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2768455B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762142B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic and dielectric device |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4688008B2 (ja) * | 2000-08-21 | 2011-05-25 | 日立金属株式会社 | 電子デバイス用誘電体磁器組成物 |
| EP1216974A1 (en) | 2000-12-20 | 2002-06-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic-glass composite and dielectric device |
| CN103492346B (zh) * | 2011-04-25 | 2015-05-27 | 京瓷株式会社 | 介电陶瓷及具备其的介质滤波器 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256775A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPS61259405A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPH03263707A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04106807A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPH04118806A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP5213873A patent/JP2768455B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61256775A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-14 | Murata Mfg Co Ltd | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPS61259405A (ja) * | 1985-05-10 | 1986-11-17 | 株式会社村田製作所 | 高周波用誘電体磁器組成物 |
| JPH03263707A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-25 | Tdk Corp | 誘電体磁器組成物 |
| JPH04118806A (ja) * | 1990-05-15 | 1992-04-20 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
| JPH04106807A (ja) * | 1990-08-21 | 1992-04-08 | Sanyo Electric Co Ltd | マイクロ波用誘電体磁器組成物 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6762142B2 (en) | 2001-09-26 | 2004-07-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dielectric ceramic and dielectric device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06295619A (ja) | 1994-10-21 |
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