JP2693477B2 - 分解能評価試料およびそれを用いた分解能評価方法ならびにそれを備えた走査電子顕微鏡 - Google Patents
分解能評価試料およびそれを用いた分解能評価方法ならびにそれを備えた走査電子顕微鏡Info
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、分解能評価技術に関し、特に、走査電子顕
微鏡などの分解能の評価に好適な分解能評価技術に関す
る。
微鏡などの分解能の評価に好適な分解能評価技術に関す
る。
たとえば、半導体装置の製造プロセスにおいては、素
子構造の微細化などに伴い、回路パターンの観察および
寸法測定などによるプロセス評価技術に一層の高精度化
が要求されつつあり、これに呼応して従来の光学顕微鏡
の代わりに、より高倍率の観察が可能な走査電子顕微鏡
が使用されるに至っている。
子構造の微細化などに伴い、回路パターンの観察および
寸法測定などによるプロセス評価技術に一層の高精度化
が要求されつつあり、これに呼応して従来の光学顕微鏡
の代わりに、より高倍率の観察が可能な走査電子顕微鏡
が使用されるに至っている。
ところで、このような走査電子顕微鏡などの分解能を
評価する技術としては、たとえば、金蒸着した無数のラ
テックスなどの微粒子の走査電子顕微鏡による高倍率の
画像を写真に撮り、作業者が粒子間の識別可能な最小の
間隙を写真上で計測することにより、当該走査電子顕微
鏡の分解能を決定することが知られている。
評価する技術としては、たとえば、金蒸着した無数のラ
テックスなどの微粒子の走査電子顕微鏡による高倍率の
画像を写真に撮り、作業者が粒子間の識別可能な最小の
間隙を写真上で計測することにより、当該走査電子顕微
鏡の分解能を決定することが知られている。
なお、走査電子顕微鏡などにおける分解能について
は、共立出版株式会社、昭和60年５月25日発行、「走査
電子顕微鏡の基礎と応用」P49〜P52に記載されている。
は、共立出版株式会社、昭和60年５月25日発行、「走査
電子顕微鏡の基礎と応用」P49〜P52に記載されている。
ところが、上記のような従来技術においては、作業者
の個人差などによる誤差が大きく、高倍率の走査電子顕
微鏡などの分解能の評価に用いるには信頼度が劣るとい
う問題がある。
の個人差などによる誤差が大きく、高倍率の走査電子顕
微鏡などの分解能の評価に用いるには信頼度が劣るとい
う問題がある。
たとえば、倍率を25000倍に設定した場合、写真上で
の２点間の距離の計測における0.1mmの誤差は40Åに相
当し、一般的な走査電子顕微鏡の分解能が数十〜数百Å
程度であることを考慮すれば上述のような従来技術では
信頼度が不十分であることが明らかである。
の２点間の距離の計測における0.1mmの誤差は40Åに相
当し、一般的な走査電子顕微鏡の分解能が数十〜数百Å
程度であることを考慮すれば上述のような従来技術では
信頼度が不十分であることが明らかである。
また、微粒子を構成する物質の種類によっては写真上
における輪郭などが不明瞭となって任意の２点を明瞭に
特定することが困難となり寸法測定自体が難しくなるな
ど、種々の問題がある。
における輪郭などが不明瞭となって任意の２点を明瞭に
特定することが困難となり寸法測定自体が難しくなるな
ど、種々の問題がある。
そこで、本発明の目的は、分解能の評価を容易に高精
度で行うことが可能な分解能評価技術を提供することに
ある。
度で行うことが可能な分解能評価技術を提供することに
ある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、本発明の分解能評価試料は、第１の物質か
らなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜と
を交互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうち
の少なくとも一方の膜厚は所定の厚さに形成され、該膜
厚を測定手段によって測定してその測定値を記録され、
多重に形成された第１および第２の薄膜を厚さ方向に切
断してなるものである。
らなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜と
を交互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうち
の少なくとも一方の膜厚は所定の厚さに形成され、該膜
厚を測定手段によって測定してその測定値を記録され、
多重に形成された第１および第２の薄膜を厚さ方向に切
断してなるものである。
また、本発明の分解能評価方法は、第１の物質からな
る第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜とが交
互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうちの少
なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに形成され、
該膜厚を測定手段によって測定してその測定値を記録さ
れ、多重に形成された第１および第２の薄膜を厚さ方向
に切断してなる分解能評価試料を所定の倍率で観測し、
観測にて得られる画像において、試料の膜厚が確認し得
るか否かによって顕微鏡の分解能を評価するものであ
る。
る第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜とが交
互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうちの少
なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに形成され、
該膜厚を測定手段によって測定してその測定値を記録さ
れ、多重に形成された第１および第２の薄膜を厚さ方向
に切断してなる分解能評価試料を所定の倍率で観測し、
観測にて得られる画像において、試料の膜厚が確認し得
るか否かによって顕微鏡の分解能を評価するものであ
る。
また、本発明の走査型電子顕微鏡は、第１の物質から
なる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜とが
交互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうちの
少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに形成さ
れ、該膜厚を測定手段によって測定してその測定値を記
録され、多重に形成された前記第１および第２の薄膜を
厚さ方向に切断してなる分解能評価試料を備え、この分
解能評価試料を所定の倍率で観測して、確認し得る分解
能評価試料の膜厚によって分解能を評価する手段を備え
たものである。
なる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜とが
交互に多重に形成され、第１および第２の薄膜のうちの
少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに形成さ
れ、該膜厚を測定手段によって測定してその測定値を記
録され、多重に形成された前記第１および第２の薄膜を
厚さ方向に切断してなる分解能評価試料を備え、この分
解能評価試料を所定の倍率で観測して、確認し得る分解
能評価試料の膜厚によって分解能を評価する手段を備え
たものである。
上記した手段によれば、たとえば、膜厚を高精度で制
御することが可能な薄膜形成技術などによって第１の物
質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の薄膜
とを交互に多重に形成し、その厚さ方向の切断面の観察
において既知の膜厚が確認できるか否かによって、走査
電子顕微鏡などにおける比較的高い分解能を容易に精度
良く評価することができる。
御することが可能な薄膜形成技術などによって第１の物
質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の薄膜
とを交互に多重に形成し、その厚さ方向の切断面の観察
において既知の膜厚が確認できるか否かによって、走査
電子顕微鏡などにおける比較的高い分解能を容易に精度
良く評価することができる。
第１図は、本発明の一実施例である分解能評価試料の
一例を示す断面図であり、第３図（ａ）〜（ｅ）は、そ
の製造工程の一例を工程順に示す断面図である。
一例を示す断面図であり、第３図（ａ）〜（ｅ）は、そ
の製造工程の一例を工程順に示す断面図である。
たとえば、シリコン（Si）（第２の物質）などからな
る基板１の表面には、熱酸化などによって酸化シリコン
（SiO2）（第１の物質）などからなる第１の薄膜２が所
定の厚さｔに形成される。
る基板１の表面には、熱酸化などによって酸化シリコン
（SiO2）（第１の物質）などからなる第１の薄膜２が所
定の厚さｔに形成される。
この第１の薄膜２の厚さｔは、たとえば目的の図示し
ない走査電子顕微鏡の評価しようとする分解能程度に設
定される。
ない走査電子顕微鏡の評価しようとする分解能程度に設
定される。
そして、基板１の表面に形成された第１の薄膜２の複
数箇所の厚さを、たとえばエリプソメータなどによって
計測し、平均値を当該第１の薄膜２の厚さとして記録す
る。（第３図（ａ）） その後、第１の薄膜２の上には、たとえば化学気相成
長技術などによって、導電性の多結晶シリコン（Si）
（第２の物質）などからなる第２の薄膜３が被着され
る。（第３図（ｂ）） さらに、この第２の薄膜３の表面に熱酸化を施すこと
によって、所定の厚さｔの第１の薄膜２を形成し、その
厚さを測定・記録する。
数箇所の厚さを、たとえばエリプソメータなどによって
計測し、平均値を当該第１の薄膜２の厚さとして記録す
る。（第３図（ａ）） その後、第１の薄膜２の上には、たとえば化学気相成
長技術などによって、導電性の多結晶シリコン（Si）
（第２の物質）などからなる第２の薄膜３が被着され
る。（第３図（ｂ）） さらに、この第２の薄膜３の表面に熱酸化を施すこと
によって、所定の厚さｔの第１の薄膜２を形成し、その
厚さを測定・記録する。
上記の一連の操作を繰り返すことにより、第３図
（ｃ）に示されるように、厚さｔが既知の第１の薄膜２
と第２の薄膜３とが基板１の上に多重に形成された状態
にされる。（第１の段階） 次に、第３図（ｂ）に示されるように、基板１および
この基板１の上に多重に形成された第１の薄膜２および
第２の薄膜３を厚さ方向に切断して切断片6aを作製し
（第２の段階）、その切断面４を、たとえばアルミナの
微粒子などを用いて研磨する。（第３の段階）。
（ｃ）に示されるように、厚さｔが既知の第１の薄膜２
と第２の薄膜３とが基板１の上に多重に形成された状態
にされる。（第１の段階） 次に、第３図（ｂ）に示されるように、基板１および
この基板１の上に多重に形成された第１の薄膜２および
第２の薄膜３を厚さ方向に切断して切断片6aを作製し
（第２の段階）、その切断面４を、たとえばアルミナの
微粒子などを用いて研磨する。（第３の段階）。
さらに、研磨された切断面４を、たとえば、1:6のフ
ッ酸（HF）液中に浸漬することにより、切断面４に露出
した酸化シリコンからなる第１の薄膜２を選択的にエッ
チングする。
ッ酸（HF）液中に浸漬することにより、切断面４に露出
した酸化シリコンからなる第１の薄膜２を選択的にエッ
チングする。
これにより、第３図（ｅ）および第１図に示されるよ
うに、切断面４において、エッチングされて後退した第
１の薄膜２の部位と、エッチングされることなく鋭利な
角部3aをなして残存した第２の薄膜３とによって、既知
の第１の薄膜２の厚さｔに相当する幅寸法を有する凹状
の溝５を形成し、分解能評価試料６とする。（第４の段
階） その後、前述のようにして製造された分解能評価試料
６の切断面４を、たとえば分解能を評価しようとする目
的の走査電子顕微鏡などで所定の倍率で観察する。
うに、切断面４において、エッチングされて後退した第
１の薄膜２の部位と、エッチングされることなく鋭利な
角部3aをなして残存した第２の薄膜３とによって、既知
の第１の薄膜２の厚さｔに相当する幅寸法を有する凹状
の溝５を形成し、分解能評価試料６とする。（第４の段
階） その後、前述のようにして製造された分解能評価試料
６の切断面４を、たとえば分解能を評価しようとする目
的の走査電子顕微鏡などで所定の倍率で観察する。
この時、観察画像において溝５の幅ｔが確認できるか
否かによって当該走査電子顕微鏡の分解能が評価され
る。
否かによって当該走査電子顕微鏡の分解能が評価され
る。
ここで、本実施例の場合には、溝５を構成する第１の
薄膜２と第２の薄膜３とが、異なる物質で構成され、さ
らに第１の薄膜２に対する選択性の良好なエッチングに
よって第２の薄膜３が鋭利な角部3aをなしているため、
たとえば試料を電子線で走査する際に発生する二次電子
などによって観察画像を構成する走査電子顕微鏡におい
ては、二次電子の放出量に差異をもたらす原子番号効果
およびエッジ効果などがあいまって、第１の薄膜２と第
２の薄膜３とで構成される溝５を良好なコントラストで
明瞭に観察することができる。
薄膜２と第２の薄膜３とが、異なる物質で構成され、さ
らに第１の薄膜２に対する選択性の良好なエッチングに
よって第２の薄膜３が鋭利な角部3aをなしているため、
たとえば試料を電子線で走査する際に発生する二次電子
などによって観察画像を構成する走査電子顕微鏡におい
ては、二次電子の放出量に差異をもたらす原子番号効果
およびエッジ効果などがあいまって、第１の薄膜２と第
２の薄膜３とで構成される溝５を良好なコントラストで
明瞭に観察することができる。
また、シリコンの熱酸化などによって形成される第１
の薄膜２の厚さｔ、すなわち溝５の幅ｔは、熱酸化の諸
条件を適宜制御することで、走査電子顕微鏡の分解能と
同程度に制御性良く得ることができる。
の薄膜２の厚さｔ、すなわち溝５の幅ｔは、熱酸化の諸
条件を適宜制御することで、走査電子顕微鏡の分解能と
同程度に制御性良く得ることができる。
これにより、溝５の既知の幅ｔに基づいて目的の走査
電子顕微鏡の分解能を高精度に評価することができる。
電子顕微鏡の分解能を高精度に評価することができる。
また、第２の薄膜３が導電性の多結晶シリコンなどで
構成されているので、分解能評価試料６の帯電などに起
因して観察中に画像が不明瞭になったり観察が不能にな
るなどの不具合が回避され、走査電子顕微鏡などにおけ
る分解能などの評価を円滑かつ迅速に遂行することがで
きる。
構成されているので、分解能評価試料６の帯電などに起
因して観察中に画像が不明瞭になったり観察が不能にな
るなどの不具合が回避され、走査電子顕微鏡などにおけ
る分解能などの評価を円滑かつ迅速に遂行することがで
きる。
〔実施例２〕 第２図は、本発明の他の実施例である分解能評価試料
７の断面図である。
７の断面図である。
本実施例２においては、第２の薄膜３と交互に多重に
配置される第１の薄膜2a,2b,2cの厚さt1,t2,t3、すなわ
ち溝5a,5b,5cの幅寸法t1,t2,t3を段階的に変化させるよ
うにしたものである。
配置される第１の薄膜2a,2b,2cの厚さt1,t2,t3、すなわ
ち溝5a,5b,5cの幅寸法t1,t2,t3を段階的に変化させるよ
うにしたものである。
これにより、必要以上に多数の分解能評価試料６を作
成することなく、多様な性能の走査電子顕微鏡などの分
解能の評価を迅速に行うことができる。
成することなく、多様な性能の走査電子顕微鏡などの分
解能の評価を迅速に行うことができる。
〔実施例３〕 第４図は、本発明のさらに他の実施例である分解能評
価試料８の外観斜視図である。
価試料８の外観斜視図である。
本実施例３の場合には、第２の段階において得られる
切断片8aを、最上部の第２の薄膜３または、基板１の側
において複数個張り合わせた後に、切断面４の研磨およ
びエッチングによる溝5a,5b,5cの形成などを行ようにし
たものである。
切断片8aを、最上部の第２の薄膜３または、基板１の側
において複数個張り合わせた後に、切断面４の研磨およ
びエッチングによる溝5a,5b,5cの形成などを行ようにし
たものである。
これにより、分解能評価試料８の全体の寸法を比較的
大きくすることができ、図示しない走査電子顕微鏡の試
料台などに装着する際の取扱いなどが容易になる。
大きくすることができ、図示しない走査電子顕微鏡の試
料台などに装着する際の取扱いなどが容易になる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、第１および第２の薄膜をそれぞれ構成する
物質としては、シリコンおよび酸化シリコンなどの組み
合わせに限らず、他のいかなる物質の組み合わせであっ
てもよい。
物質としては、シリコンおよび酸化シリコンなどの組み
合わせに限らず、他のいかなる物質の組み合わせであっ
てもよい。
また、第１および第２の薄膜の形成方法としては、熱
酸化や化学気相成長技術などに限らず、蒸着その他膜厚
の制御性の良好な技術であればいかなる技術でもよい。
酸化や化学気相成長技術などに限らず、蒸着その他膜厚
の制御性の良好な技術であればいかなる技術でもよい。
さらに、切断面は第１および第２の薄膜の平面に垂直
な方向に限らず、適当な角度に傾斜させてもよい。
な方向に限らず、適当な角度に傾斜させてもよい。
また、走査電子顕微鏡の分解能の判定に限らず、一般
の荷電粒子ビームを用いる観察装置、さらには光学機器
の分解能の判定に広く適用できる。
の荷電粒子ビームを用いる観察装置、さらには光学機器
の分解能の判定に広く適用できる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りであ
る。
すなわち、本発明の分解能評価試料によれば、複数の
異なる第１および第２の物質を多重にしてなる分解能評
価試料であるので、たとえば、膜厚を高精度で制御する
ことが可能な薄膜形成技術などによって第１の物質から
なる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の薄膜とを交
互に多重に形成し、その厚さ方向の切断面の観察におい
て既知の膜厚を確認できるか否かにより、走査電子顕微
鏡などにおける比較的高い分解能を容易に精度良く評価
することができる。しかも、本発明の分解能評価試料に
おいては、第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一
方は所定の厚さに形成され、該膜厚を測定手段によって
測定してその測定値を記録されているので、膜厚は走査
型電子顕微鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物
理的な寸法が定義されていることになり、２つの異なる
原理で分解能評価パターンの寸法を測定できる結果、さ
らに高い精度で分解能を評価することができる。
異なる第１および第２の物質を多重にしてなる分解能評
価試料であるので、たとえば、膜厚を高精度で制御する
ことが可能な薄膜形成技術などによって第１の物質から
なる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の薄膜とを交
互に多重に形成し、その厚さ方向の切断面の観察におい
て既知の膜厚を確認できるか否かにより、走査電子顕微
鏡などにおける比較的高い分解能を容易に精度良く評価
することができる。しかも、本発明の分解能評価試料に
おいては、第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一
方は所定の厚さに形成され、該膜厚を測定手段によって
測定してその測定値を記録されているので、膜厚は走査
型電子顕微鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物
理的な寸法が定義されていることになり、２つの異なる
原理で分解能評価パターンの寸法を測定できる結果、さ
らに高い精度で分解能を評価することができる。
また、本発明の分解能評価方法によれば、第１の物質
からなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜
とを交互に多重に形成され、前記第１および第２の薄膜
のうちの少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに
形成され、該膜厚を測定手段によって測定してその測定
値を記録されており、多重に形成された前記第１および
第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる分解能評価試料を
所定の倍率で観測し、前記観測にて得られる画像におい
て、前記試料の前記膜厚が確認し得るか否かによって顕
微鏡の分解能を評価するので、たとえば、膜厚を高精度
で制御することが可能な薄膜形成技術などによって第１
の物質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の
薄膜とを交互に多重に形成することで、膜厚が既知の第
１および第２の薄膜の観察に基づいて走査電子顕微鏡な
どにおける比較的高い分解能を容易に高精度で評価する
ことができる。しかも、本発明の分解能評価方法におい
ては、第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方は
所定の厚さに形成され、該膜厚は測定手段によって測定
してその測定値を記録されているので、膜厚は走査型電
子顕微鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物理的
な寸法が定義されていることになり、２つの異なる原理
で分解能評価パターンの寸法を測定できる結果、さらに
高い精度で分解能を評価することができる。
からなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄膜
とを交互に多重に形成され、前記第１および第２の薄膜
のうちの少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さに
形成され、該膜厚を測定手段によって測定してその測定
値を記録されており、多重に形成された前記第１および
第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる分解能評価試料を
所定の倍率で観測し、前記観測にて得られる画像におい
て、前記試料の前記膜厚が確認し得るか否かによって顕
微鏡の分解能を評価するので、たとえば、膜厚を高精度
で制御することが可能な薄膜形成技術などによって第１
の物質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２の
薄膜とを交互に多重に形成することで、膜厚が既知の第
１および第２の薄膜の観察に基づいて走査電子顕微鏡な
どにおける比較的高い分解能を容易に高精度で評価する
ことができる。しかも、本発明の分解能評価方法におい
ては、第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方は
所定の厚さに形成され、該膜厚は測定手段によって測定
してその測定値を記録されているので、膜厚は走査型電
子顕微鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物理的
な寸法が定義されていることになり、２つの異なる原理
で分解能評価パターンの寸法を測定できる結果、さらに
高い精度で分解能を評価することができる。
また、本発明の走査型電子顕微鏡によれば、第１の物
質からなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄
膜とが交互に多重に形成され、前記第１および第２の薄
膜のうちの少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さ
に形成され、該膜厚を測定手段によって測定してその測
定値を記録されており、多重に形成された前記第１およ
び第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる分解能評価試料
を備え、前記分解能評価試料を所定の倍率で観測して、
確認し得る前記分解能評価試料の膜厚によって分解能を
評価する手段を備えているので、たとえば、膜厚を高精
度で制御することが可能な薄膜形成技術などによって第
１の物質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２
の薄膜とを交互に多重に形成することで、膜厚が既知の
第１および第２の薄膜の観察に基づいて走査電子顕微鏡
の比較的高い分解能を容易に高精度で評価することがで
きる。しかも、本発明の走査型電子顕微鏡においては、
第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方は所定の
厚さに形成され、該膜厚を測定手段によって測定してそ
の測定値を記録されているので、膜厚は走査型電子顕微
鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物理的な寸法
が定義されていることになり、２つの異なる原理で分解
能評価パターンの寸法を測定できる結果、さらに高い精
度で分解能を評価することができる。
質からなる第１の薄膜と、第２の物質からなる第２の薄
膜とが交互に多重に形成され、前記第１および第２の薄
膜のうちの少なくとも一方の膜厚は段階的に所定の厚さ
に形成され、該膜厚を測定手段によって測定してその測
定値を記録されており、多重に形成された前記第１およ
び第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる分解能評価試料
を備え、前記分解能評価試料を所定の倍率で観測して、
確認し得る前記分解能評価試料の膜厚によって分解能を
評価する手段を備えているので、たとえば、膜厚を高精
度で制御することが可能な薄膜形成技術などによって第
１の物質からなる第１の薄膜と第２の物質からなる第２
の薄膜とを交互に多重に形成することで、膜厚が既知の
第１および第２の薄膜の観察に基づいて走査電子顕微鏡
の比較的高い分解能を容易に高精度で評価することがで
きる。しかも、本発明の走査型電子顕微鏡においては、
第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方は所定の
厚さに形成され、該膜厚を測定手段によって測定してそ
の測定値を記録されているので、膜厚は走査型電子顕微
鏡とは別の前記測定手段で測定されてその物理的な寸法
が定義されていることになり、２つの異なる原理で分解
能評価パターンの寸法を測定できる結果、さらに高い精
度で分解能を評価することができる。
第１図は本発明の一実施例である分解能評価試料の断面
図、 第２図は本発明の他の実施例である分解能評価試料の断
面図、 第３図（ａ）〜（ｅ）は分解能評価試料の製造工程の一
例を工程順に示す断面図、 第４図は本発明のさらに他の実施例である分解能評価試
料の外観斜視図である。 １……基板、2,2a,2b,2c……第１の薄膜、３……第２の
薄膜、3a……角部、４……切断面、5,5a,5b,5c……溝、
6a,7a,8a……切断片、6,7,8……分解能評価試料、t,t1,
t2,t3……第１の薄膜の厚さ（溝の幅）。
図、 第２図は本発明の他の実施例である分解能評価試料の断
面図、 第３図（ａ）〜（ｅ）は分解能評価試料の製造工程の一
例を工程順に示す断面図、 第４図は本発明のさらに他の実施例である分解能評価試
料の外観斜視図である。 １……基板、2,2a,2b,2c……第１の薄膜、３……第２の
薄膜、3a……角部、４……切断面、5,5a,5b,5c……溝、
6a,7a,8a……切断片、6,7,8……分解能評価試料、t,t1,
t2,t3……第１の薄膜の厚さ（溝の幅）。
フロントページの続き (72)発明者 高本 健治 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 石川 勝彦 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (56)参考文献 特開 昭63−58229（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−183539（ＪＰ，Ａ)
Claims (6)
- 【請求項１】第１の物質からなる第１の薄膜と、第２の
物質からなる第２の薄膜とが交互に多重に形成され、前
記第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方の膜厚
は所定の厚さに形成され、該膜厚を測定手段によって測
定してその測定値を記録され、多重に形成された前記第
１および第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる分解能評
価試料。 - 【請求項２】前記第１および第２の薄膜の切断面を研磨
して選択的にエッチングすることにより、前記切断面に
おける前記第１の薄膜と第２の薄膜とが段差をなすよう
にしたことを特徴とする請求項１記載の分解能評価試
料。 - 【請求項３】前記第１または第２の薄膜の厚さを段階的
に変化させてなる請求項１記載の分解能評価試料。 - 【請求項４】前記分解能評価試料の切断面を揃えて厚さ
方向に複数個張り合わせ、前記第１および第２の薄膜の
前記切断面を研磨して選択的にエッチングすることによ
り、前記切断面における前記第１の薄膜と第２の薄膜と
が段差をなすようにしたことを特徴とする請求項１記載
の分解能評価試料。 - 【請求項５】第１の物質からなる第１の薄膜と、第２の
物質からなる第２の薄膜とが交互に多重に形成され、前
記第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方の膜厚
は段階的に所定の厚さに形成され、該膜厚を測定手段に
よって測定してその測定値を記録され、多重に形成され
た前記第１および第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる
分解能評価試料を所定の倍率で観測し、 前記観測にて得られる画像において、前記分解能評価試
料の前記膜厚が確認し得るか否かによって顕微鏡の分解
能を評価することを特徴とする分解能評価方法。 - 【請求項６】第１の物質からなる第１の薄膜と、第２の
物質からなる第２の薄膜とが交互に多重に形成され、前
記第１および第２の薄膜のうちの少なくとも一方の膜厚
は段階的に所定の厚さに形成され、該膜厚を測定手段に
よって測定してその測定値を記録され、多重に形成され
た前記第１および第２の薄膜を厚さ方向に切断してなる
分解能評価試料を備え、 前記分解能評価試料を所定の倍率で観測して、確認し得
る前記分解能評価試料の膜厚によって分解能を評価する
手段を備えたことを特徴とする走査型電子顕微鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083752A JP2693477B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 分解能評価試料およびそれを用いた分解能評価方法ならびにそれを備えた走査電子顕微鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63083752A JP2693477B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 分解能評価試料およびそれを用いた分解能評価方法ならびにそれを備えた走査電子顕微鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01254836A JPH01254836A (ja) | 1989-10-11 |
| JP2693477B2 true JP2693477B2 (ja) | 1997-12-24 |
Family
ID=13811269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63083752A Expired - Fee Related JP2693477B2 (ja) | 1988-04-05 | 1988-04-05 | 分解能評価試料およびそれを用いた分解能評価方法ならびにそれを備えた走査電子顕微鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2693477B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2705338B2 (ja) * | 1991-03-18 | 1998-01-28 | 富士通株式会社 | 測長ｓｅｍ用基準サンプルの製造方法 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB8403128D0 (en) * | 1984-02-07 | 1984-03-14 | Amersham Int Plc | Standard for analysis |
| JPS6358229A (ja) * | 1986-08-29 | 1988-03-14 | Shinku Device:Kk | 走査型電子顕微鏡分解能測定用試料作製方法 |
-
1988
- 1988-04-05 JP JP63083752A patent/JP2693477B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01254836A (ja) | 1989-10-11 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |