JP2657008B2 - セラミックス用メタライズ組成物 - Google Patents
セラミックス用メタライズ組成物Info
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Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、低温焼成セラミックス
に金属面を形成することによって、例えば高密度多層配
線基板,IC又はトランジスタパッケージ,電気絶縁用
電子部品等に利用できるセラミックス用メタライズ組成
物に関するものである。
に金属面を形成することによって、例えば高密度多層配
線基板,IC又はトランジスタパッケージ,電気絶縁用
電子部品等に利用できるセラミックス用メタライズ組成
物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来より、低温焼成セラミックスに用い
られるメタライズ組成物は、セラミックスと同時焼成す
ることによって、セラミックス上に金属面を形成するも
のであり、この低温焼成セラミックス用メタライズ組成
物として、各種のものが提案されている。
られるメタライズ組成物は、セラミックスと同時焼成す
ることによって、セラミックス上に金属面を形成するも
のであり、この低温焼成セラミックス用メタライズ組成
物として、各種のものが提案されている。
【0003】例えば、低温焼成セラミックス用Cuメタ
ライズ組成物としては、CuO−Cu粉末の混合割合や
粒度配合を工夫したり、TiO2,MnO2,Pt,A
u,Ag2O等の添加によって、Cuメタライズ層の導
通や気密性等の特性の向上が図られている(特開昭63
−295491号公報参照)。
ライズ組成物としては、CuO−Cu粉末の混合割合や
粒度配合を工夫したり、TiO2,MnO2,Pt,A
u,Ag2O等の添加によって、Cuメタライズ層の導
通や気密性等の特性の向上が図られている(特開昭63
−295491号公報参照)。
【0004】また、この様なメタライズ組成物を使用
し、同時焼成によって例えばCuメタライズ層を形成す
る場合には、次の様な工程で行われている。即ち、大気
中にて脱バインダーを行う工程(脱バインダー工程)、
H2又は分解ガス中でCuOをCuに還元する工程(還
元焼成工程)、非酸化ガス中でセラミックスとCuを一
体に焼結する工程(本焼成工程)等である。
し、同時焼成によって例えばCuメタライズ層を形成す
る場合には、次の様な工程で行われている。即ち、大気
中にて脱バインダーを行う工程(脱バインダー工程)、
H2又は分解ガス中でCuOをCuに還元する工程(還
元焼成工程)、非酸化ガス中でセラミックスとCuを一
体に焼結する工程(本焼成工程)等である。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
メタライズ層の形成方法では、上述した焼成工程を必要
とするために、下記の様な問題が生ずることがあった。
つまり、上記脱バインダー工程や焼成還元工程では、C
u粉の酸化と還元とを避けることが不可能であり、それ
によって、Cuの酸化による体積増加や還元による体積
減少等の体積変動が生じていた。更に、この体積変動に
よって、メタライズに粗密部を生じ易くなり、この粗部
から図4に示す様な蜂の巣状のひび割れP1を生じて、
ブロックP2に分離してしまうことがあった。その結
果、後の本焼成工程で、ブロックP2に局部焼結現象が
発生してしまい、導通が取れなくなったり気密性が損な
われるという問題があった。
メタライズ層の形成方法では、上述した焼成工程を必要
とするために、下記の様な問題が生ずることがあった。
つまり、上記脱バインダー工程や焼成還元工程では、C
u粉の酸化と還元とを避けることが不可能であり、それ
によって、Cuの酸化による体積増加や還元による体積
減少等の体積変動が生じていた。更に、この体積変動に
よって、メタライズに粗密部を生じ易くなり、この粗部
から図4に示す様な蜂の巣状のひび割れP1を生じて、
ブロックP2に分離してしまうことがあった。その結
果、後の本焼成工程で、ブロックP2に局部焼結現象が
発生してしまい、導通が取れなくなったり気密性が損な
われるという問題があった。
【0006】また、従来は、気密性の向上のために、メ
タライズの主組成であるCuO/Cuの配合比率のCu
を高めていたが、このCuの配合比率を高めると、脱バ
インダー焼成工程で、Cu→CuOによって生じる体積
増加が大きくなるので、メタライズ層がセラミックスか
ら捲れ上がる危険性が生ずるという問題があった。
タライズの主組成であるCuO/Cuの配合比率のCu
を高めていたが、このCuの配合比率を高めると、脱バ
インダー焼成工程で、Cu→CuOによって生じる体積
増加が大きくなるので、メタライズ層がセラミックスか
ら捲れ上がる危険性が生ずるという問題があった。
【0007】本発明は、上記課題を解決し、Cuの配合
比率を高めることなく捲れ上がりを防止するとともに、
局部焼結現象を防止して優れた特性のメタライズ層を形
成するセラミックス用メタライズ組成物を提供すること
を目的とする。
比率を高めることなく捲れ上がりを防止するとともに、
局部焼結現象を防止して優れた特性のメタライズ層を形
成するセラミックス用メタライズ組成物を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
の請求項1の発明は、低温焼成セラミックスのメタライ
ズ組成物において、主成分のCuO−Cu混合物又はC
uO−Cu2O混合物に対して、MoO3を0.1〜5重
量%又はCr2O3を0.1〜2重量%添加したことを特
徴とするセラミックス用メタライズ組成物を要旨とす
る。
の請求項1の発明は、低温焼成セラミックスのメタライ
ズ組成物において、主成分のCuO−Cu混合物又はC
uO−Cu2O混合物に対して、MoO3を0.1〜5重
量%又はCr2O3を0.1〜2重量%添加したことを特
徴とするセラミックス用メタライズ組成物を要旨とす
る。
【0009】また、請求項2の発明は、低温焼成セラミ
ックスのメタライズ組成物において、主成分のCuO−
Cu混合物又はCuO−Cu2O混合物に対して、Bi2
O3:1〜8重量%,MoO3:0.1〜5重量%及びC
r2O3:0.1〜2重量%のうち、少なくともを2種類
以上を組合せて主成分に添加したことを特徴とするセラ
ミックス用メタライズ組成物を要旨とする。
ックスのメタライズ組成物において、主成分のCuO−
Cu混合物又はCuO−Cu2O混合物に対して、Bi2
O3:1〜8重量%,MoO3:0.1〜5重量%及びC
r2O3:0.1〜2重量%のうち、少なくともを2種類
以上を組合せて主成分に添加したことを特徴とするセラ
ミックス用メタライズ組成物を要旨とする。
【0010】更に、請求項3の発明は、前記セラミック
ス用メタライズ組成物の主成分に対して、Agを0.1
〜0.5重量%又は/及びガラスを1〜10重量%添加
したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のセラ
ミックス用メタライズ組成物を要旨とする。
ス用メタライズ組成物の主成分に対して、Agを0.1
〜0.5重量%又は/及びガラスを1〜10重量%添加
したことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のセラ
ミックス用メタライズ組成物を要旨とする。
【0011】ここで、前記CuO−Cu混合物として
は、CuO粉末30〜100重量部、Cu粉末70〜0
重量部からなるものが望ましく、またCuO−Cu2O
混合物としては、CuO10〜100重量部、Cu2O
を90〜0重量部からなるものが望ましい。
は、CuO粉末30〜100重量部、Cu粉末70〜0
重量部からなるものが望ましく、またCuO−Cu2O
混合物としては、CuO10〜100重量部、Cu2O
を90〜0重量部からなるものが望ましい。
【0012】更に、使用するCuO粉末の粒径が、0.
5〜5μmの範囲のものが好ましく、特にその範囲で異
なる平均粒径のCuO粉末を組み合わせてもよい。また
Cu2O粉末の粒径が、0.5〜10μmの範囲のものが
好ましく、その範囲で異なる平均粒径のCu2O粉末を
組み合わせてもよい。或いはCu粉末の粒径が、0.5
〜20μmの範囲のものが好ましく、その範囲で異なる
平均粒径のCu粉末を組み合わせてもよい。
5〜5μmの範囲のものが好ましく、特にその範囲で異
なる平均粒径のCuO粉末を組み合わせてもよい。また
Cu2O粉末の粒径が、0.5〜10μmの範囲のものが
好ましく、その範囲で異なる平均粒径のCu2O粉末を
組み合わせてもよい。或いはCu粉末の粒径が、0.5
〜20μmの範囲のものが好ましく、その範囲で異なる
平均粒径のCu粉末を組み合わせてもよい。
【0013】上記Bi2O3は1重量%未満では局部焼結
抑制作用がなく、8重量%を超えると導通抵抗が大きく
なりすぎる。このBi2O3の粒径は、0.3〜1.0μm
が望ましい。MoO3は0.1重量%未満では局部焼結抑
制作用がなく、5重量%を超えるとMoが多量にセラミ
ックスに拡散してセラミックスが黒色に変色する。この
MoO3の粒径は、3〜5μmが望ましい。
抑制作用がなく、8重量%を超えると導通抵抗が大きく
なりすぎる。このBi2O3の粒径は、0.3〜1.0μm
が望ましい。MoO3は0.1重量%未満では局部焼結抑
制作用がなく、5重量%を超えるとMoが多量にセラミ
ックスに拡散してセラミックスが黒色に変色する。この
MoO3の粒径は、3〜5μmが望ましい。
【0014】Cr2O3は0.1重量%未満では局部焼結
抑制作用がなく、2重量%を超えるとメタライズの気密
性が低下する。このCr2O3の粒径は、0.3〜1.0μ
mが望ましい。
抑制作用がなく、2重量%を超えるとメタライズの気密
性が低下する。このCr2O3の粒径は、0.3〜1.0μ
mが望ましい。
【0015】
【作用】本発明は、セラミックス用メタライズ組成物と
して、その成分にBi2O3,MoO3,Cr2O3を含有
している。そして、この添加物が、下記の様に作用して
局部焼結現象を抑制すると考えられる。
して、その成分にBi2O3,MoO3,Cr2O3を含有
している。そして、この添加物が、下記の様に作用して
局部焼結現象を抑制すると考えられる。
【0016】メタライズペーストが印刷されたセラミ
ックスグリーンシートは、大気中で焼成されてバインダ
ーが除されるが、この時Cuが酸化されてCuOとなり
体積膨脹を引き起す。そして、次の還元焼成の工程でC
uOが還元されてCuになるが、このときに体積収縮し
てメタライズに粗密を生じて、ひび割れを起こし易くな
る。
ックスグリーンシートは、大気中で焼成されてバインダ
ーが除されるが、この時Cuが酸化されてCuOとなり
体積膨脹を引き起す。そして、次の還元焼成の工程でC
uOが還元されてCuになるが、このときに体積収縮し
てメタライズに粗密を生じて、ひび割れを起こし易くな
る。
【0017】ところがメタライズの組成中にBi2O3
が含まれていると、Bi2O3も同様に還元されてBiと
なり、このBiがCu粒子を濡らし、Cu同士を結合さ
せるので、BiがCu粒子を結合したところから先へク
ラックが進行してゆくのを抑制すると考えられる。
が含まれていると、Bi2O3も同様に還元されてBiと
なり、このBiがCu粒子を濡らし、Cu同士を結合さ
せるので、BiがCu粒子を結合したところから先へク
ラックが進行してゆくのを抑制すると考えられる。
【0018】また、MoO3も同様に還元されるが、
Moは融点が2622℃と高いために、Cu粒子を濡ら
さず、MoがCu粒子間に介在して、Cu粒子同士の焼
結を抑制する。その結果、ひび割れが生じにくくなる。
更に、本焼成時には、MoとCuが合金化して緻密なメ
タライズになる。この時には、下地のセラミックスの焼
結も始まるので、メタライズのクラックは発生しない。
Moは融点が2622℃と高いために、Cu粒子を濡ら
さず、MoがCu粒子間に介在して、Cu粒子同士の焼
結を抑制する。その結果、ひび割れが生じにくくなる。
更に、本焼成時には、MoとCuが合金化して緻密なメ
タライズになる。この時には、下地のセラミックスの焼
結も始まるので、メタライズのクラックは発生しない。
【0019】Cr2O3は還元されないで、そのままC
u粒子間に介在して、Moと同じ様にCu粒子同士の焼
結を抑制する。更に、本焼成時には、メタライズとセラ
ミックス界面に拡散して接着強度を高める効果も併せ持
つ。上記〜のメカニズムによって、ひび割れが防止
されるので、メタライズが多くのブロックに分離されな
い。従って、形成されたメタライズ層の導通や気密性が
損なわれず、捲れ上がりも防止される。特に、3種の添
加物のうち少なくとも2種を組み合わせて使用すると、
クラックが一層発生しにくくなり、しかも形成されるメ
タライズ層がより緻密化されるので、好適である。
u粒子間に介在して、Moと同じ様にCu粒子同士の焼
結を抑制する。更に、本焼成時には、メタライズとセラ
ミックス界面に拡散して接着強度を高める効果も併せ持
つ。上記〜のメカニズムによって、ひび割れが防止
されるので、メタライズが多くのブロックに分離されな
い。従って、形成されたメタライズ層の導通や気密性が
損なわれず、捲れ上がりも防止される。特に、3種の添
加物のうち少なくとも2種を組み合わせて使用すると、
クラックが一層発生しにくくなり、しかも形成されるメ
タライズ層がより緻密化されるので、好適である。
【0020】次に、Bi2O3,MoO3,Cr2O3の
他、適宜添加されるAg及びガラスの作用について説明
する。 a)Agは、0.1重量%以上添加すると、Cuと合金
化してメタライズの緻密化に寄与するが、必要以上
(0.5重量%を超える量)に混合すると、合金化が進
みすぎて互いに溶融して球状になるので好ましくない。
他、適宜添加されるAg及びガラスの作用について説明
する。 a)Agは、0.1重量%以上添加すると、Cuと合金
化してメタライズの緻密化に寄与するが、必要以上
(0.5重量%を超える量)に混合すると、合金化が進
みすぎて互いに溶融して球状になるので好ましくない。
【0021】b)ガラスは、1重量%以上10重量%以
下の範囲で添加すると、Cuとセラミックス界面との結
合を強固にし、気密性と接着強度に寄与する。また、C
u粒子間に介在して、還元焼成時のクラック抑制効果も
併せ持つ。このガラスとしては、コーディエライトを主
結晶とする主結晶化ガラス粉末を使用できるが、その他
に、TiO2,SiO2,Al2O3からなる粉末材料にも
クラック抑制作用がある。
下の範囲で添加すると、Cuとセラミックス界面との結
合を強固にし、気密性と接着強度に寄与する。また、C
u粒子間に介在して、還元焼成時のクラック抑制効果も
併せ持つ。このガラスとしては、コーディエライトを主
結晶とする主結晶化ガラス粉末を使用できるが、その他
に、TiO2,SiO2,Al2O3からなる粉末材料にも
クラック抑制作用がある。
【0022】
【実施例】次に、本発明の実施例を、セラミックスパッ
ケージを例にとり、図1の工程図に基づいて説明する。
本実施例のセラミックスパッケージは以下の様にして製
造される。
ケージを例にとり、図1の工程図に基づいて説明する。
本実施例のセラミックスパッケージは以下の様にして製
造される。
【0023】(グリーンシート製造工程)…I グリーンシートの原料となる、ZnO,MgCO3,A
l(OH)3,SiO2,H3BO3,H3PO4を所定量秤
量し、ライカイ機にて混合し、白金ルツボ又はアルミナ
質ルツボにて1400〜1500℃の適当な温度で溶融
する。この融液を水中に投入し、急冷してガラス化し、
その後アルミナ製ボールミルで粉砕して、粒径が2〜3
μmのフリット(ガラス粉末)を形成する。
l(OH)3,SiO2,H3BO3,H3PO4を所定量秤
量し、ライカイ機にて混合し、白金ルツボ又はアルミナ
質ルツボにて1400〜1500℃の適当な温度で溶融
する。この融液を水中に投入し、急冷してガラス化し、
その後アルミナ製ボールミルで粉砕して、粒径が2〜3
μmのフリット(ガラス粉末)を形成する。
【0024】この粉末とポリビニルブチラールと可塑剤
(ジエチレングリコール)とを用いて、常法に従って、
ドクターブレード法により厚さ約0.6mmのグリーンシ
ートを作成する。 (パンチング工程)…II この様にして形成したグリーンシートに、必要に応じて
パンチング加工を行なう。
(ジエチレングリコール)とを用いて、常法に従って、
ドクターブレード法により厚さ約0.6mmのグリーンシ
ートを作成する。 (パンチング工程)…II この様にして形成したグリーンシートに、必要に応じて
パンチング加工を行なう。
【0025】(メタライズペースト印刷工程)…III 次に、Cuメタライズペーストを用い、グリーンシート
表面に、スクリーン印刷によって焼結後の導電層となる
Cuメタライズ層を形成する。Cuメタライズペースト
の組成及び原料粉末としては、種々のものを採用できる
が、例えば下記の様なものである。
表面に、スクリーン印刷によって焼結後の導電層となる
Cuメタライズ層を形成する。Cuメタライズペースト
の組成及び原料粉末としては、種々のものを採用できる
が、例えば下記の様なものである。
【0026】CuO:80重量部(粉末粒径1μm),
CuO:20部(3μm),Bi2O3:1部(0.7μ
m),Cr2O3:0.5部(0.5μm),Ag:0.5部
(3μm),ガラス:1部(4μm),樹脂(バインダ
ー):5部,溶剤適量部。 (シート積層工程)…IV 印刷の終了した各層のグリーンシートを所定の順序で重
ねて加熱し、加圧して一体化する。そして所定の形状に
切断して外形寸法を揃えて製品形状とする。
CuO:20部(3μm),Bi2O3:1部(0.7μ
m),Cr2O3:0.5部(0.5μm),Ag:0.5部
(3μm),ガラス:1部(4μm),樹脂(バインダ
ー):5部,溶剤適量部。 (シート積層工程)…IV 印刷の終了した各層のグリーンシートを所定の順序で重
ねて加熱し、加圧して一体化する。そして所定の形状に
切断して外形寸法を揃えて製品形状とする。
【0027】尚、本工程ではグリーンシートを積層して
一体化したが、これ以外にも、絶縁層や導電層を印刷に
よって順次積層して形成してもよい。 (脱バインダー工程)…V その後、大気中にて約300℃で5時間かけて仮焼を行
ない、グリーンシート及び各メタライズ層等に含まれる
樹脂等の有機質成分を飛散・除去させる。そしてこの仮
焼成後、大気中にて600〜750℃で約1時間焼成
し、残存カーボンを消失させる。
一体化したが、これ以外にも、絶縁層や導電層を印刷に
よって順次積層して形成してもよい。 (脱バインダー工程)…V その後、大気中にて約300℃で5時間かけて仮焼を行
ない、グリーンシート及び各メタライズ層等に含まれる
樹脂等の有機質成分を飛散・除去させる。そしてこの仮
焼成後、大気中にて600〜750℃で約1時間焼成
し、残存カーボンを消失させる。
【0028】(還元焼成工程)…VI 次に、アンモニア分解ガス雰囲気中にて、350〜75
0℃に保って、CuOをCuに還元する。尚、この時、
アンモニア分解ガスに代えて水素ガスを使用してもよ
い。
0℃に保って、CuOをCuに還元する。尚、この時、
アンモニア分解ガスに代えて水素ガスを使用してもよ
い。
【0029】(本焼成工程)…VII 次いで、非酸化ガスの中性雰囲気中にて、900〜11
10℃で約1時間本焼成を行なう。即ち、メタライズ及
びセラミックスを同時に一体化に焼結する。この様に、
本実施例では、セラミックス用Cuメタライズ組成物と
して、その成分中にBi2O3,MoO3,Cr2O3を適
量添加している。従って、還元焼成の際にCuOからC
uへの体積変化が生じても、メタライズ層にひび割れが
生じることを防止できる。それによって、本焼成の際に
局部焼結現象が生ずることが抑止されるので、メタライ
ズ層は好適な導通を有し、また高い気密性を達成でき
る。また、Cuの配合比率は上昇しないので、メタライ
ズ層の捲れ上がりも防止できる。
10℃で約1時間本焼成を行なう。即ち、メタライズ及
びセラミックスを同時に一体化に焼結する。この様に、
本実施例では、セラミックス用Cuメタライズ組成物と
して、その成分中にBi2O3,MoO3,Cr2O3を適
量添加している。従って、還元焼成の際にCuOからC
uへの体積変化が生じても、メタライズ層にひび割れが
生じることを防止できる。それによって、本焼成の際に
局部焼結現象が生ずることが抑止されるので、メタライ
ズ層は好適な導通を有し、また高い気密性を達成でき
る。また、Cuの配合比率は上昇しないので、メタライ
ズ層の捲れ上がりも防止できる。
【0030】次に、本発明の効果を確認するために行っ
た実施例について説明する。 [実験例1]本実験例では、メタライズ組成物の試料と
して下記表1に示す材料を使用し、上述した実施例の製
造工程を経て、図2に示す様に、セラミックス板1,2
に挟まれたメタライズ層3を備えた1辺が15mmのセラ
ミックスパッケージ4を製造した。つまり添加物とし
て、Bi2O3,MoO3,Cr2O3のうち何れか1種を
使用したメタライズペーストを用いて、メタライズ層3
を形成した。そして、このメタライズ層3の気密性とク
ラック発生状況を調べ、その結果を同じく表1に記す。
た実施例について説明する。 [実験例1]本実験例では、メタライズ組成物の試料と
して下記表1に示す材料を使用し、上述した実施例の製
造工程を経て、図2に示す様に、セラミックス板1,2
に挟まれたメタライズ層3を備えた1辺が15mmのセラ
ミックスパッケージ4を製造した。つまり添加物とし
て、Bi2O3,MoO3,Cr2O3のうち何れか1種を
使用したメタライズペーストを用いて、メタライズ層3
を形成した。そして、このメタライズ層3の気密性とク
ラック発生状況を調べ、その結果を同じく表1に記す。
【0031】尚、表1及び後述する表2〜4,6におい
て、添加物の量は、CuO−Cu混合物又はCuO−C
u2O混合物に対する重量%である。また、表1では、
気密性として、セラミックスパッケージ4の外周部から
中央部へ気圧差を設け、メタライズ層3の体積中を経由
し通過して流入するHeガスの漏洩量が、3×10-8st
d.cc/sec 以下であるものを○で示し、それを上回るも
のをXで示した。更に、クラック発生状況については、
10μm幅程度の大きなクラックが連続して連なったも
のをXで示し、部分的にそのクラックが発生しているも
のを△で示し、ほとんどクラックが見られないものを○
で示した。尚、比較例として、添加物を加えないメタラ
イズ層も製造した。
て、添加物の量は、CuO−Cu混合物又はCuO−C
u2O混合物に対する重量%である。また、表1では、
気密性として、セラミックスパッケージ4の外周部から
中央部へ気圧差を設け、メタライズ層3の体積中を経由
し通過して流入するHeガスの漏洩量が、3×10-8st
d.cc/sec 以下であるものを○で示し、それを上回るも
のをXで示した。更に、クラック発生状況については、
10μm幅程度の大きなクラックが連続して連なったも
のをXで示し、部分的にそのクラックが発生しているも
のを△で示し、ほとんどクラックが見られないものを○
で示した。尚、比較例として、添加物を加えないメタラ
イズ層も製造した。
【0032】
【表1】
【0033】この表1から、明かな様に、添加物Bi2
O3,MoO3,Cr2O3のうち何れか1種を使用した実
施例のNo1-1〜8の試料では、クラックの発生が減少した
という効果が見られた。それに対して、添加物を加えな
かった比較例のNo1-9〜12の試料では、クラックが多く
発生し好ましくはなかった。尚、No1-10の試料は、クラ
ックの発生は部分的であったが、その数が多く、しかも
メタライズがポーラスな状態であり必ずしも好ましくは
ない。 [実験例2]本実験例では、主組成をCuOとして粒度
配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメタライズ組
成物の試料を作成した。そして、上記実験例1と同様に
して、クラックの発生状況の観察及び気密性の実験を行
った。その結果を下記表2に記す。
O3,MoO3,Cr2O3のうち何れか1種を使用した実
施例のNo1-1〜8の試料では、クラックの発生が減少した
という効果が見られた。それに対して、添加物を加えな
かった比較例のNo1-9〜12の試料では、クラックが多く
発生し好ましくはなかった。尚、No1-10の試料は、クラ
ックの発生は部分的であったが、その数が多く、しかも
メタライズがポーラスな状態であり必ずしも好ましくは
ない。 [実験例2]本実験例では、主組成をCuOとして粒度
配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメタライズ組
成物の試料を作成した。そして、上記実験例1と同様に
して、クラックの発生状況の観察及び気密性の実験を行
った。その結果を下記表2に記す。
【0034】
【表2】
【0035】この表2から明かな様に、2種以上の添加
物を組み合わせて使用した場合には、クラックの発生が
少なくしかも気密性にも優れているので、極めて優れた
メタライズ組成物であることが分かる。 [実験例3]本実験例では、主組成をCuO−Cu2O
として粒度配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメ
タライズ組成物の試料を作成した。そして、上記実験例
1と同様にして、クラックの発生状況の観察及び気密性
の実験を行った。その結果を下記表3に記す。
物を組み合わせて使用した場合には、クラックの発生が
少なくしかも気密性にも優れているので、極めて優れた
メタライズ組成物であることが分かる。 [実験例3]本実験例では、主組成をCuO−Cu2O
として粒度配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメ
タライズ組成物の試料を作成した。そして、上記実験例
1と同様にして、クラックの発生状況の観察及び気密性
の実験を行った。その結果を下記表3に記す。
【0036】
【表3】
【0037】この表3から明かな様に、主組成をCuO
−Cu2Oとし、2種以上の添加物を組み合わせて使用
した場合にも、クラックの発生が少なく殆どが気密性に
も優れているので、極めて優れたメタライズ組成物であ
ることが分かる。尚、No3-5とNo3-6の試料とを比較する
と、ガラスを添加することによって気密性が向上するこ
とが明かである。 [実験例4]本実験例では、主組成をCuO−Cuとし
て粒度配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメタラ
イズ組成物の試料を作成した。そして、上記実験例1と
同様にして、クラックの発生状況の観察及び気密性の実
験を行った。その結果を下記表4に記す。
−Cu2Oとし、2種以上の添加物を組み合わせて使用
した場合にも、クラックの発生が少なく殆どが気密性に
も優れているので、極めて優れたメタライズ組成物であ
ることが分かる。尚、No3-5とNo3-6の試料とを比較する
と、ガラスを添加することによって気密性が向上するこ
とが明かである。 [実験例4]本実験例では、主組成をCuO−Cuとし
て粒度配合し、2種以上の添加物を組み合わせてメタラ
イズ組成物の試料を作成した。そして、上記実験例1と
同様にして、クラックの発生状況の観察及び気密性の実
験を行った。その結果を下記表4に記す。
【0038】
【表4】
【0039】この表4から明かな様に、主組成をCuO
−Cuとし、添加物を組み合わせて使用した場合にも、
クラックの発生が少なくしかも気密性にも優れているの
で、極めて優れたメタライズ組成物であることが分か
る。 [実験例5]本実験例では、導通(体積)抵抗測定のた
めに、実施例のNo2-1,2-6,3-2,3-7のペーストと、比
較例のNo1-9のペーストとを使用し、図3に示す様に、
セラミックス基板10の表面に幅0.7mm,長さ25mm
のメタライズパターン11を形成した。そして、そのパ
ターン11の両端間の抵抗[μΩ・cm]を測定し、ま
た、1.6mm四方のパターンに直径0.5mmのCu線をハ
ンダ付けし、垂直方向に引張って接着強度[kg/mm2]
を測定した。その結果を下記表5に示す。
−Cuとし、添加物を組み合わせて使用した場合にも、
クラックの発生が少なくしかも気密性にも優れているの
で、極めて優れたメタライズ組成物であることが分か
る。 [実験例5]本実験例では、導通(体積)抵抗測定のた
めに、実施例のNo2-1,2-6,3-2,3-7のペーストと、比
較例のNo1-9のペーストとを使用し、図3に示す様に、
セラミックス基板10の表面に幅0.7mm,長さ25mm
のメタライズパターン11を形成した。そして、そのパ
ターン11の両端間の抵抗[μΩ・cm]を測定し、ま
た、1.6mm四方のパターンに直径0.5mmのCu線をハ
ンダ付けし、垂直方向に引張って接着強度[kg/mm2]
を測定した。その結果を下記表5に示す。
【0040】
【表5】
【0041】この表5から明かな様に、本実施例のメタ
ライズ組成物は、体積抵抗が小さく、しかも接着強度が
大きいので、極めて優れたものであることが分かる。そ
れに対して、添加物を加えなかった比較例では、断線が
生じ接着強度も低いので好ましくない。 [実験例6]本実験例では、Agやガラスの添加による
効果を確認した。そのため、主組成をCuOとして粒度
配合し、Agやガラスの添加量を違え、2種以上の添加
物を組み合わせてメタライズ組成物の試料を作成した。
そして、上記実験例1と同様にして、クラックの発生状
況の観察及び気密性の実験を行った。その結果を下記表
6に記す。尚、No2-1,2-4,2-5,2-6の試料が実施例で
あり、No2-14の試料が比較例である。
ライズ組成物は、体積抵抗が小さく、しかも接着強度が
大きいので、極めて優れたものであることが分かる。そ
れに対して、添加物を加えなかった比較例では、断線が
生じ接着強度も低いので好ましくない。 [実験例6]本実験例では、Agやガラスの添加による
効果を確認した。そのため、主組成をCuOとして粒度
配合し、Agやガラスの添加量を違え、2種以上の添加
物を組み合わせてメタライズ組成物の試料を作成した。
そして、上記実験例1と同様にして、クラックの発生状
況の観察及び気密性の実験を行った。その結果を下記表
6に記す。尚、No2-1,2-4,2-5,2-6の試料が実施例で
あり、No2-14の試料が比較例である。
【0042】更に、上記実験例4と同様に、体積抵抗及
び接着強度の実験を行った。その結果を下記表7に記
す。尚、この実験では、ガラスの添加による効果を確認
するために、ガラスを添加しないNo2-1の試料を比較例
とした。
び接着強度の実験を行った。その結果を下記表7に記
す。尚、この実験では、ガラスの添加による効果を確認
するために、ガラスを添加しないNo2-1の試料を比較例
とした。
【0043】
【表6】
【0044】
【表7】
【0045】この表6,7から明かな様に、Agやガラ
スを添加した場合は、気密性に優れているので好適であ
り、特にガラスを添加した場合には、断線することなく
接着強度が増加するので望ましい。
スを添加した場合は、気密性に優れているので好適であ
り、特にガラスを添加した場合には、断線することなく
接着強度が増加するので望ましい。
【0046】
【発明の効果】上述した様に、本発明のセラミックス用
メタライズ組成物は、その成分中にBi2O3,Mo
O3,Cr2O3を所定量含有している。それによって、
還元焼成の際にメタライズ層にひび割れが生じることを
防止できるので、本焼成の際に局部焼結現象が生ずるこ
とがない。その結果、高い導通性及び気密性を備えたメ
タライズ層を形成できるので、微細配線が可能になり、
配線密度の高い多層配線基板や各種のパッケージを製造
することができる。また、Cuの配合比率を増加しない
ので、メタライズ層が捲れ上がることもない。
メタライズ組成物は、その成分中にBi2O3,Mo
O3,Cr2O3を所定量含有している。それによって、
還元焼成の際にメタライズ層にひび割れが生じることを
防止できるので、本焼成の際に局部焼結現象が生ずるこ
とがない。その結果、高い導通性及び気密性を備えたメ
タライズ層を形成できるので、微細配線が可能になり、
配線密度の高い多層配線基板や各種のパッケージを製造
することができる。また、Cuの配合比率を増加しない
ので、メタライズ層が捲れ上がることもない。
【0047】特に、Agを所定量含むものは、メタライ
ズの緻密化が促進され、また、ガラスを所定量含むもの
は、気密性と接着強度が向上するという効果がある。
ズの緻密化が促進され、また、ガラスを所定量含むもの
は、気密性と接着強度が向上するという効果がある。
【図1】 本発明の実施例のメタライズ層を形成する手
順を示す工程図である。
順を示す工程図である。
【図2】 気密性の実験に使用したセラミックスパッケ
ージの平面及び断面を示す説明図である。
ージの平面及び断面を示す説明図である。
【図3】 接着強度の実験に使用した基板を示す平面図
である。
である。
【図4】 従来技術の問題点を示す説明図である。
3…メタライズ層 4…セラミックスパッケ
ージ
ージ
Claims (3)
- 【請求項1】 低温焼成セラミックスのメタライズ組成
物において、主成分のCuO−Cu混合物又はCuO−
Cu2O混合物に対して、MoO3を0.1〜5重量%又
はCr2O3を0.1〜2重量%添加したことを特徴とす
るセラミックス用メタライズ組成物。 - 【請求項2】 低温焼成セラミックスのメタライズ組成
物において、主成分のCuO−Cu混合物又はCuO−
Cu2O混合物に対して、Bi2O3:1〜8重量%,M
oO3:0.1〜5重量%及びCr2O3:0.1〜2重量
%のうち、少なくともを2種類以上を組合せて主成分に
添加したことを特徴とするセラミックス用メタライズ組
成物。 - 【請求項3】 前記セラミックス用メタライズ組成物の
主成分に対して、Agを0.1〜0.5重量%又は/及び
ガラスを1〜10重量%添加したことを特徴とする請求
項1又は請求項2記載のセラミックス用メタライズ組成
物。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3154960A JP2657008B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | セラミックス用メタライズ組成物 |
US07/903,933 US5261950A (en) | 1991-06-26 | 1992-06-26 | Composition for metalizing ceramics |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3154960A JP2657008B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | セラミックス用メタライズ組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH054884A JPH054884A (ja) | 1993-01-14 |
JP2657008B2 true JP2657008B2 (ja) | 1997-09-24 |
Family
ID=15595670
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3154960A Expired - Fee Related JP2657008B2 (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | セラミックス用メタライズ組成物 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5261950A (ja) |
JP (1) | JP2657008B2 (ja) |
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---|---|---|---|---|
JPH0817241A (ja) * | 1994-06-30 | 1996-01-19 | Mitsuboshi Belting Ltd | 銅導体ペーストおよび銅導体膜の製造方法 |
US5976628A (en) * | 1995-12-08 | 1999-11-02 | Mitsuboshi Belting Ltd. | Copper conductor paste and production method of copper conductor film |
US5686676A (en) * | 1996-05-07 | 1997-11-11 | Brush Wellman Inc. | Process for making improved copper/tungsten composites |
US6955984B2 (en) * | 2003-05-16 | 2005-10-18 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Surface treatment of metal interconnect lines |
FI120050B (fi) * | 2004-06-03 | 2009-06-15 | Luvata Oy | Menetelmä metallioksidipulverin pelkistämiseksi ja liittämiseksi lämmönsiirtopintaan ja lämmönsiirtopinta |
WO2014195097A1 (de) * | 2013-06-05 | 2014-12-11 | Ceramtec Gmbh | Metallisierung auf keramischen substraten |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4748085A (en) * | 1985-11-16 | 1988-05-31 | Narumi China Corporation | Multilayer ceramic circuit board fired at a low temperature |
US4687597A (en) * | 1986-01-29 | 1987-08-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Copper conductor compositions |
JPS62198198A (ja) * | 1986-02-26 | 1987-09-01 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
JPS62205692A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-10 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
JPS62232191A (ja) * | 1986-04-01 | 1987-10-12 | 松下電器産業株式会社 | セラミツク多層配線基板の製造方法 |
JPS63233090A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-09-28 | 日本電産コパル株式会社 | 銅回路低温焼成基板の製造方法 |
JPS63236784A (ja) * | 1987-03-23 | 1988-10-03 | 太陽誘電株式会社 | メタライズペ−スト組成物 |
US4906596A (en) * | 1987-11-25 | 1990-03-06 | E. I. Du Pont De Nemours & Co. | Die attach adhesive composition |
JPH075410B2 (ja) * | 1987-12-24 | 1995-01-25 | 日本特殊陶業株式会社 | セラミック用メタライズ組成物 |
JPH0728128B2 (ja) * | 1988-03-11 | 1995-03-29 | 松下電器産業株式会社 | セラミック多層配線基板とその製造方法 |
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JPH0734504B2 (ja) * | 1988-06-22 | 1995-04-12 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜セラミック多層基板の製造方法 |
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