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JP2584050B2 - I / O conversion buffer memory - Google Patents

I / O conversion buffer memory

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Publication number
JP2584050B2
JP2584050B2 JP1077564A JP7756489A JP2584050B2 JP 2584050 B2 JP2584050 B2 JP 2584050B2 JP 1077564 A JP1077564 A JP 1077564A JP 7756489 A JP7756489 A JP 7756489A JP 2584050 B2 JP2584050 B2 JP 2584050B2
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JP
Japan
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address
data
port
read
write
Prior art date
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JP1077564A
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Japanese (ja)
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JPH02254696A (en
Inventor
健 大木
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特に画像処理等のデータ処理分野で使用す
る入出力変換バッファメモリに関するものである。
Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an input / output conversion buffer memory particularly used in the field of data processing such as image processing.

従来の技術 従来のバッファメモリとしては、例えば「富士通半導
体デバイスデータブック,1987・メモリ」,p645−654に
記載されている2ポートSRAMのMB8421/8422等がある。
2. Description of the Related Art As a conventional buffer memory, for example, there is a two-port SRAM MB8421 / 8422 described in "Fujitsu Semiconductor Device Data Book, 1987, Memory", pp. 645-654.

第7図は従来のバッファメモリを使用したデータ処理
装置の構成図である。第7図おいて、11はX方向に処理
をするデータ処理装置、12は処理の中間結果を格納する
1チップ48ピンの大きさで2K×8のメモリ容量の2ポー
トスタティックラム(以下、スタティックラムについて
はSRAMと略記)によるバッファメモリ、13はY方向に処
理をするデータ処理装置である。
FIG. 7 is a configuration diagram of a data processing device using a conventional buffer memory. In FIG. 7, reference numeral 11 denotes a data processing device for processing in the X direction, and 12 denotes a two-port static ram (hereinafter referred to as a static RAM) having a memory capacity of 2K × 8 and a size of 48 pins per chip for storing an intermediate result of the processing. A ram is abbreviated as SRAM), and a data processing device 13 performs processing in the Y direction.

以上のように2ポートSRAMのバッファメモリを使用し
て構成されたデータ処理装置おいては、データ処理装置
11がX方向に処理をした中間結果を2ポートSRAMのバッ
ファメモリ12のL側ポートからX方向順に書き込み、デ
ータ処理装置13が2ポートSRAMのバッファメモリ12のR
側ポートからY方向順に中間結果を読みだしてY方向に
処理をする。
As described above, in the data processing device configured using the buffer memory of the two-port SRAM, the data processing device
11 writes the intermediate result processed in the X-direction in the X-direction from the L-side port of the buffer memory 12 of the 2-port SRAM, and the data processor 13 writes the R
The intermediate results are read out from the side ports in the order of the Y direction and processed in the Y direction.

発明が解決しようとする課題 しかしながら上記のような構成では、バッファメモリ
の書き込み順と読みだし順が異なるため、データ処理装
置11またはデータ処理装置13側に書き込みまたは読みだ
しアドレス計算機構が必要であり、またSRAMで構成して
いるため、1チップ当りのピン数が多く、またダイナミ
ックラム(以下、DRAMと略記)に比べて非常に小容量で
あり、大容量が必要な画像処理向きの入出力変換バッフ
ァメモリとしては適していないという問題点を有してい
た。
However, in the above-described configuration, since the writing order and reading order of the buffer memory are different, a writing or reading address calculation mechanism is required on the data processing device 11 or the data processing device 13 side. Also, since it is composed of SRAM, the number of pins per chip is large, and the capacity is very small compared to the dynamic ram (hereinafter abbreviated as DRAM). There is a problem that it is not suitable as a conversion buffer memory.

本発明はかかる点に鑑み、データ処理をしやすいよう
に、入力時のデータ順と出力時のデータ順を変換するこ
とができ、大容量でしかも高速に書き込み読みだしので
きる入出力変換バッファメモリを提供することを目的と
する。
In view of the foregoing, the present invention provides a large-capacity input / output conversion buffer memory capable of converting the order of data at the time of input and the order of data at the time of output so as to facilitate data processing. The purpose is to provide.

課題を解決するための手段 本発明は書き込み指定アドレスをアドレスとして入力
し、書き込みアドレスをデータとして出力するアドレス
変換メモリと、書き込みアドレスと読みだしアドレスを
入力し、どちらか一方を選択した後、行アドレスと列ア
ドレスに分離して出力するセレクタと、書き込み時は書
き込みアドレスで指定された行列に書き込みデータ群を
ランダムポートを介して順次入力し、読みだし時は読み
だしアドレスで指定された行から読みだしデータ群をシ
リアルポートを介して順次出力する2ポートダイナミッ
クメモリ群とを備えた入出力変換バッファメモリであ
る。
Means for Solving the Problems The present invention provides an address conversion memory for inputting a write designation address as an address, outputting a write address as data, and inputting a write address and a read address. A selector that separates and outputs addresses and column addresses, and a write data group is sequentially input to the matrix specified by the write address via the random port at the time of writing, and from the row specified by the read address at the time of reading This is an input / output conversion buffer memory including a two-port dynamic memory group for sequentially outputting read data groups via a serial port.

また他の発明は読みだし指定アドレスをアドレスとし
て入力し、読みだしアドレスをデータとして出力するア
ドレス変換メモリと、書き込みアドレスと読みだしアド
レスを入力とし、どちらか一方を選択した後、行アドレ
スと列アドレスに分離して出力するセレクタと、書き込
み時は書き込みアドレスで指定された行に書き込みデー
タ群をシリアルポートを介して順次入力し、読みだし時
は読みだしアドレスで指定された行列から読みだしデー
タ群をランダムポートを介して順次出力する2ポートダ
イナミックメモリ群とを備えた入出力変換バッファメモ
リである。
In another invention, an address conversion memory for inputting a read designation address as an address and outputting the read address as data, and a write address and a read address as inputs, selecting one of them, and then selecting a row address and a column. A selector that separates and outputs addresses, and a write data group is sequentially input to the row specified by the write address via the serial port at the time of writing, and at the time of reading, data is read from the matrix specified by the read address And a two-port dynamic memory group for sequentially outputting groups via random ports.

作用 本発明は前記した構成により、アドレス変換メモリで
指定された書き込みアドレス順にデータ群をランダムポ
ートから順次入力し、指定した読みだしアドレス行の列
方向にデータ群をシリアルポートから順次出力する。
According to the present invention, the data group is sequentially input from the random port in the order of the write address specified by the address conversion memory, and the data group is sequentially output from the serial port in the column direction of the specified read address row.

また他の発明は前記した構成により、指定した書き込
みアドレス行の列方向にデータ群をシリアルポートから
順次入力し、アドレス変換メモリで指定された読みだし
アドレス順にデータ群をランダムポートから順次出力す
る。
According to another aspect of the present invention, a data group is sequentially input from a serial port in the column direction of a specified write address row, and the data group is sequentially output from a random port in the order of a read address specified by the address conversion memory.

実 施 例 第1図は本発明の実施例における入出力変換バッファ
メモリの構成図である。第1図において、1は指定アド
レスをアドレスとして入力し、実際のアドレスをデータ
として出力するアドレス変換メモリ、2は書き込みアド
レスと読みだしアドレスを入力し、どちらか一方を選択
した後、行アドレスと列アドレスに分離して出力するセ
レクタ、31〜34はランダムポートからデータを入力し、
シリアルポートからデータを出力する2オートダイナミ
ックメモリである。
FIG. 1 is a configuration diagram of an input / output conversion buffer memory according to an embodiment of the present invention. In FIG. 1, 1 is an address conversion memory for inputting a designated address as an address, and outputting an actual address as data. 2 is for inputting a write address and a read address. A selector that separates and outputs a column address, 31 to 34 input data from random ports,
This is a two-auto dynamic memory that outputs data from a serial port.

以上のように構成された本実施例の入出力変換バッフ
ァメモリについて、以下その動作を説明する。
The operation of the input / output conversion buffer memory of the present embodiment configured as described above will be described below.

まず書き込み時について第3図のタイミング図を用い
て説明する。アドレス変換メモリ1にはあらかじめアド
レス変換データが入力されているものとする。書き込み
指定アドレスはアドレス変換メモリ1で書き込みアドレ
スに変換され、セレクタ2を介して行アドレスR1と列ア
ドレスC1に分離されて2ポートダイナミックメモリ群31
〜34に書き込みアドレスとして入力される。そして、2
ポートダイナミックメモリ群31〜34に書き込み制御信号
WE1〜WE4と共に書き込みデータD11〜D14が順次入力さ
れ、1サイクル内でn個のデータが書き込まれる。同様
にして、次のサイクルでは2ポートダイナミックメモリ
群31〜34の行アドレスR2、列アドレスC2にデータD21〜D
24がそれぞれ書き込まれる。
First, writing will be described with reference to the timing chart of FIG. It is assumed that address conversion data is input to the address conversion memory 1 in advance. The write designation address is converted into a write address by the address conversion memory 1, separated into a row address R 1 and a column address C 1 via the selector 2, and is divided into a two-port dynamic memory group 31.
To 34 are input as write addresses. And 2
Write control signal to port dynamic memory group 31-34
Write data D11 to D14 are sequentially input together with WE1 to WE4, and n data are written in one cycle. Similarly, in the next cycle, the data D21 to D21 are stored in the row address R2 and the column address C2 of the two-port dynamic memory groups 31 to 34.
24 are written respectively.

次に読みだし時について第4図のタイミング図を用い
て説明する。線等の読みだしアドレスはセレクタ2を介
して行アドレスR3と列アドレスC3に分離されて2ポート
ダイナミックメモリ群31〜34に読みだしアドレスとして
入力される。そして、2ポートダイナミックメモリ群31
〜34に共通のシリアルクロック信号SCが入力された後、
シリアルイネーブル信号SE1〜SE4が順次イネーブルにな
り、データD31〜D34が読みだされる。以後は共通のシリ
アルクロック信号SCと別々のスリアルイネーブル信号SE
1〜SE4が順次入力されて、各2ポートダイナミックメモ
リ群31〜34からは同一行のデータが列方向に順次読みだ
される。
Next, the reading time will be described with reference to the timing chart of FIG. A read address of a line or the like is separated into a row address R3 and a column address C3 via the selector 2 and input to the two-port dynamic memory groups 31 to 34 as a read address. And the two-port dynamic memory group 31
After the common serial clock signal SC is input to ~ 34,
The serial enable signals SE1 to SE4 are sequentially enabled, and the data D31 to D34 are read. After that, the common serial clock signal SC and separate serial enable signal SE
1 to SE4 are sequentially input, and data of the same row is sequentially read from the two-port dynamic memory groups 31 to 34 in the column direction.

以上説明した書き込みと読みだしは、アドレス入力時
の競合がない範囲で同時に行える。
The above-described writing and reading can be performed simultaneously within a range where there is no conflict at the time of address input.

以上のように本実施例によれば2ポートのDRAMを使用
し、その周辺にアドレス変換メモリを設けて、書き込み
時にランダムポートから1サイクル内で複数のデータを
連続して入力することにより、少ないハードウェア量で
大容量メモリを実現し、入力順と出力順を変換して高速
に書き込み読みだしができる。
As described above, according to the present embodiment, a two-port DRAM is used, an address conversion memory is provided around the DRAM, and a plurality of data are continuously input within one cycle from a random port at the time of writing. A large-capacity memory is realized by the amount of hardware, and the input order and the output order can be converted to perform high-speed writing and reading.

なお、本実施例においてアドレス変換メモリにはあら
かじめ変換アドレスが格納されているとしたが、書き込
み時に変換アドレスを更新しながら使用してもよい。
In the present embodiment, the translation address is stored in advance in the address translation memory. However, the translation address may be updated and used during writing.

第2図は他の発明の実施例における入出力変換バッフ
ァメモリの構成図である。第2図において、1はアドレ
ス変換メモリ、2はセレクタで、第1図と同一のもので
ある。41〜44はシリアルポートからデータを入力し、ラ
ンダムポートからデータを出力する2ポートダイナミッ
クメモリ、5はデータを取り込み、出力イネーブル信号
によってデータを順次出力するラッチである。
FIG. 2 is a configuration diagram of an input / output conversion buffer memory according to another embodiment of the present invention. In FIG. 2, reference numeral 1 denotes an address conversion memory, and reference numeral 2 denotes a selector, which is the same as that in FIG. Numerals 41 to 44 denote a two-port dynamic memory for inputting data from a serial port and outputting data from a random port, and a latch for fetching data and sequentially outputting data by an output enable signal.

以上のように構成された本実施例の入出力変換バッフ
ァメモリについて、以下その動作を説明する。
The operation of the input / output conversion buffer memory of the present embodiment configured as described above will be described below.

まず書き込み時について第5図のタイミング図を用い
て説明する。先頭の書き込みアドレスはセレクタ2を介
して行アドレスR5と列アドレスC5に分離されて2ポート
ダイナミックメモリ群41〜44に書き込みアドレスとして
入力される。そして、2ポートダイナミックメモリ群41
〜44にシリアルクロック信号SC1〜SC4と共に、データD3
1〜D34が順次書き込まれる。以後はシリアルクロック信
号SC1〜SC4が順次入力されて、各2ポートダイナミック
メモリ群41〜44には同一行の列方向にデータが順次書き
込まれる。
First, writing will be described with reference to the timing chart of FIG. The first write address is separated into a row address R5 and a column address C5 via the selector 2 and input to the two-port dynamic memory groups 41 to 44 as write addresses. And the two-port dynamic memory group 41
~ 44 together with the serial clock signals SC1 ~ SC4 and the data D3
1 to D34 are sequentially written. Thereafter, the serial clock signals SC1 to SC4 are sequentially input, and data is sequentially written to the two-port dynamic memory groups 41 to 44 in the column direction of the same row.

次に読みだし時について第6図のタイミング図を用い
て説明する。アドレス変換メモリ1にはあらかじめアド
レス変換データが入力されているものとする。読みだし
指定アドレスはアドレス変換メモリ1で読みだしアドレ
スに変換され、セレクタ2を介して行アドレスR7と列ア
ドレスC7に分離されて2ポートダイナミックメモリ群41
〜44に読みだしアドレスとして入力される。そして、2
ポートダイナミックメモリ群41〜44から1サイクル内で
n個のデータが同時に読みだされ、クロック信号CKによ
りラッチ群51〜54に一旦取り込まれる。その後出力イネ
ーブル信号OE1〜OE4が順次イネーブルになり、データD7
1〜D74が読みだされる。同時にして、次のサイクルでは
2ポートダイナミックメモリ群41〜44の行アドレスR8、
列アドレスC8からデータD81〜D84がラッチ群51〜54を介
してそれぞれ読みだされる。
Next, the reading operation will be described with reference to the timing chart of FIG. It is assumed that address conversion data is input to the address conversion memory 1 in advance. The read designation address is converted into a read address by the address conversion memory 1 and separated into a row address R7 and a column address C7 via the selector 2 to be separated into a two-port dynamic memory group 41.
~ 44 is input as the read address. And 2
The n pieces of data are simultaneously read from the port dynamic memory groups 41 to 44 within one cycle, and are temporarily taken into the latch groups 51 to 54 by the clock signal CK. After that, the output enable signals OE1 to OE4 are sequentially enabled, and the data D7
1 to D74 are read. At the same time, in the next cycle, the row addresses R8,
Data D81 to D84 are read from the column address C8 via the latch groups 51 to 54, respectively.

以上説明した書き込みと読みだしは、アドレス入力時
の競合がない範囲で同時に行える。
The above-described writing and reading can be performed simultaneously within a range where there is no conflict at the time of address input.

以上のように本実施例によれば2ポートのDRAMを使用
し、その周辺にアドレス変換メモリとラッチを設けて、
読みだし時にランダムポートから1サイクル内で複数の
データをラッチに取り込むことにより、大容量のメモリ
で、入力順と出力順を変換して高速に書き込み読みだし
ができる。
As described above, according to the present embodiment, a two-port DRAM is used, and an address translation memory and a latch are provided around the DRAM.
By taking in a plurality of data from a random port into a latch at the time of reading in a single cycle, it is possible to convert the input order and the output order with a large-capacity memory and write and read at high speed.

なお、本実施例においてアドレス変換メモリにはあら
かじめ変換アドレスが格納されているとしたが、読みだ
し時に変換アドレスを更新しながら使用してもよい。
In the present embodiment, the translation address is stored in advance in the address translation memory. However, the translation address may be used while updating the translation address when reading.

また、前記2つの実施例においては2ポートダイナミ
ックメモリ郡を4つのダイナミックメモリで構成した
が、ダイナミックメモリの数は用途に合わせて任意に構
成できることはいうまでもない。
Further, in the above two embodiments, the two-port dynamic memory group is constituted by four dynamic memories, but it goes without saying that the number of dynamic memories can be arbitrarily constituted according to the application.

発明の効果 以上説明したように、本発明によれば、大容量のデー
タを高速に入力順と出力順を変換することができ、その
実用的効果は大きい。
Effect of the Invention As described above, according to the present invention, the order of input and output of large-volume data can be converted at high speed, and the practical effect is large.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

第1,2図は本発明における一実施例の入出力変換バッフ
ァメモリの構成図、第3,5図は同実施例の書き込み時の
タイミング図、第4,6図は同実施例の読みだし時のタイ
ミング図、第7図は従来のバッファメモリを用いたデー
タ処理装置の構成図である。 1……アドレス変換メモリ、2……セレクタ、 31〜34……2ポートダイナミックメモリ、 41〜44……2ポートダイナミックメモリ、 5……ラッチ。
FIGS. 1 and 2 are diagrams showing the configuration of an input / output conversion buffer memory according to an embodiment of the present invention, FIGS. 3 and 5 are timing diagrams at the time of writing in the embodiment, and FIGS. FIG. 7 is a configuration diagram of a data processing apparatus using a conventional buffer memory. 1 ... Address conversion memory, 2 ... Selector, 31-34 ... 2-port dynamic memory, 41-44 ... 2-port dynamic memory, 5 ... Latch.

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】書き込み指定アドレスをアドレスとして入
力し、書き込みアドレスをデータとして出力するアドレ
ス変換メモリと、書き込みアドレスと読みだしアドレス
を入力とし、どちらか一方を選択した後、行アドレスと
列アドレスに分離して出力するセレクタと、書き込み時
は書き込みアドレスで指定された行列に書き込みデータ
群をランダムポートを介して順次入力し、読みだし時は
読みだしアドレスで指定された行から読みだしデータ群
をシリアルポートを介して順次出力する2ポートダイナ
ミックメモリ群とを備えたことを特徴とする入出力変換
バッファメモリ。
An address conversion memory for inputting a write designation address as an address and outputting the write address as data, a write address and a read address as inputs, selecting one of the addresses, and then selecting a row address and a column address. A selector that separates and outputs, and at the time of writing, the write data group is sequentially input to the matrix specified by the write address via the random port, and at the time of reading, the read data group is read from the row specified by the read address A two-port dynamic memory group for sequentially outputting data via a serial port.
【請求項2】2ポートダイナミックメモリ群は、データ
群の中のn個のデータをそれぞれ格納するn個のメモリ
からなり、アドレス線、データ線、RAS信号線、CAS信号
線は共通で、書き込み時は1サイクル内で各々別々の書
き込み制御信号で別々のデータをランダムポートから順
次入力し、読みだし時は各々別々のシリアル制御信号で
別々のデータをシリアルポートから順次出力する請求項
1記載の入出力変換バッファメモリ。
2. The two-port dynamic memory group comprises n memories for respectively storing n data in the data group, and has a common address line, data line, RAS signal line, and CAS signal line, and 2. The method according to claim 1, wherein different data are sequentially input from the random port by different write control signals within one cycle, and different data are sequentially output from the serial port by different serial control signals during reading. Input / output conversion buffer memory.
【請求項3】読みだし指定アドレスをアドレスとして入
力し、読みだしアドレスをデータとして出力するアドレ
ス変換メモリと、書き込みアドレスと読みだしアドレス
を入力とし、どちらか一方を選択した後、行アドレスと
列アドレスに分離して出力するセレクタと、書き込み時
は書き込みアドレスで指定された行に書き込みデータ群
をシリアルポートを介して順次入力し、読みだし時は読
みだしアドレスで指定された行列から読みだしデータ群
をランダムポートを介して順次出力する2ポートダイナ
ミックメモリ群とを備えたことを特徴とする入出力変換
バッファメモリ。
3. An address conversion memory for inputting a read designation address as an address and outputting the read address as data, a write address and a read address as inputs, and selecting either one of the address, a row address and a column. A selector that separates and outputs addresses, and a write data group is sequentially input to the row specified by the write address via the serial port at the time of writing, and at the time of reading, data is read from the matrix specified by the read address A two-port dynamic memory group for sequentially outputting groups via random ports.
【請求項4】2ポートダイナミックメモリ群は、データ
群の中のn個のデータをそれぞれ格納するn個のメモリ
とn個のラッチからなり、アドレス線、データ線、RAS
信号線、CAS信号線は共通で、書き込み時は各々別々の
シリアル制御信号で別々のデータをシリアルポートから
順次入力し、読みだし時は1サイクル内で別々のデータ
をランダムポートから一旦ラッチに格納し、ラッチから
順次出力する請求項3記載の入出力変換バッファメモ
リ。
4. The two-port dynamic memory group comprises n memories for storing n data in the data group and n latches, respectively.
The signal line and the CAS signal line are common. When writing, separate data is sequentially input from the serial port with separate serial control signals, and when reading, separate data is temporarily stored in the latch from the random port within one cycle from the random port 4. The input / output conversion buffer memory according to claim 3, wherein the data is sequentially output from the latch.
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