JP2554377B2 - 透明性単結晶ウェーハの製造方法 - Google Patents
透明性単結晶ウェーハの製造方法Info
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- JP2554377B2 JP2554377B2 JP1311585A JP31158589A JP2554377B2 JP 2554377 B2 JP2554377 B2 JP 2554377B2 JP 1311585 A JP1311585 A JP 1311585A JP 31158589 A JP31158589 A JP 31158589A JP 2554377 B2 JP2554377 B2 JP 2554377B2
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- striae
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明はフィルター、レゾネーターなどの弾性表面波
デバイス用基板などのような透明性単結晶ウエハーの製
造方法に関するものである。
デバイス用基板などのような透明性単結晶ウエハーの製
造方法に関するものである。
［従来の技術］ ウエーハについては円筒状ブールの一部にデバイスプ
ロセスに必要なオリエンテーションフラット（以下OFと
略記する）のほかにサブフラットをつけるか、またはノ
ッチをつけてその方位が容易に判別できるようにする
か、ウエーハ加工工程の面取り、ラップ、エッチング、
鏡面研磨工程の直前にマジックインクまたは硬質材料、
レーザーなど用いてその一方の面または他方の面に印を
つけて方位を識別する方法が汎用されている。
ロセスに必要なオリエンテーションフラット（以下OFと
略記する）のほかにサブフラットをつけるか、またはノ
ッチをつけてその方位が容易に判別できるようにする
か、ウエーハ加工工程の面取り、ラップ、エッチング、
鏡面研磨工程の直前にマジックインクまたは硬質材料、
レーザーなど用いてその一方の面または他方の面に印を
つけて方位を識別する方法が汎用されている。
［発明によって解決されるべき課題］ しかし、サブフラットやノッチの無い場合このウエー
ハに印をつける方法にはかなりの時間が必要で、ウエー
ハの方位に誤りなく印をつけることが難しく品質管理上
の問題となっており、ウエーハに間違って印をつけると
製品が不良品になるので、ウエーハの方位識別およびそ
の管理を容易に行なう方法が求められている。
ハに印をつける方法にはかなりの時間が必要で、ウエー
ハの方位に誤りなく印をつけることが難しく品質管理上
の問題となっており、ウエーハに間違って印をつけると
製品が不良品になるので、ウエーハの方位識別およびそ
の管理を容易に行なう方法が求められている。
［課題を解決するための手段］ 本発明はこのような不利を解決した透明性単結晶ウエ
ーハの製造方法に関するもので、これはチョクラルスキ
ー法により単結晶棒を製造し、該棒の一部にオリエンテ
ーションフラットを作成し、これを所定の厚さに切断し
たのち片面加工してなる透明性単結晶ウエーハの製造方
法において、該ウェーハの脈理方向を偏光板を用いて観
察し、該ウェーハのオリエンテーションフラットと脈理
とのなす角度より該ウエーハの方位を判別してそろえる
ことを特徴とする透明性単結晶ウエーハの製造方法であ
る。
ーハの製造方法に関するもので、これはチョクラルスキ
ー法により単結晶棒を製造し、該棒の一部にオリエンテ
ーションフラットを作成し、これを所定の厚さに切断し
たのち片面加工してなる透明性単結晶ウエーハの製造方
法において、該ウェーハの脈理方向を偏光板を用いて観
察し、該ウェーハのオリエンテーションフラットと脈理
とのなす角度より該ウエーハの方位を判別してそろえる
ことを特徴とする透明性単結晶ウエーハの製造方法であ
る。
すなわち、本発明者らはウエーハのデバイス加工に先
立つウエーハの方位の簡易な判別法について種々検討し
た結果、ウエーハを偏光板を用いて観察すると特定の結
晶方位に沿って線状の脈理が観察され、脈理の方向がOF
と平行でない場合にはOFと脈理のなす角度から容易にウ
エーハの方位を判別できるということを見出し、これに
よれば時間も経費もかけることなく簡単にウエーハの方
位を識別することができ、方位の品質管理もできるの
で、これを用いてデバイス加工すればウエーハおよびそ
れを用いてなる素子の品質管理も安価に容易に行なうこ
とができることを確認して本発明を完成させた。
立つウエーハの方位の簡易な判別法について種々検討し
た結果、ウエーハを偏光板を用いて観察すると特定の結
晶方位に沿って線状の脈理が観察され、脈理の方向がOF
と平行でない場合にはOFと脈理のなす角度から容易にウ
エーハの方位を判別できるということを見出し、これに
よれば時間も経費もかけることなく簡単にウエーハの方
位を識別することができ、方位の品質管理もできるの
で、これを用いてデバイス加工すればウエーハおよびそ
れを用いてなる素子の品質管理も安価に容易に行なうこ
とができることを確認して本発明を完成させた。
以下にこれをさらに詳述する。
［作用］ 本発明による透明性単結晶ウエーハの製造方法は透明
性単結晶ウエーハの脈理方向を偏光板を用いて観察し、
脈理の方向がOFとなる角度より方位を判別するものであ
る。
性単結晶ウエーハの脈理方向を偏光板を用いて観察し、
脈理の方向がOFとなる角度より方位を判別するものであ
る。
単結晶ウエーハの製造は一般に原料を溶融し、融液に
所定の結晶方位をもつ種結晶を浸し、これを引上げる、
いわゆるチョクラルスキー法によって単結晶棒を製造
し、この単結晶棒を所定の厚さに切断することによって
行なわれるが、ウエーハは偏光板で検査をするときにOF
に対する脈理の角度を目視して方位を判別するものであ
るため透明性単結晶から作られたものである必要があ
り、この点からタンタル酸リチウム（LiTaO3）、ニオブ
酸リチウム（LiNbO3）などが例示される。
所定の結晶方位をもつ種結晶を浸し、これを引上げる、
いわゆるチョクラルスキー法によって単結晶棒を製造
し、この単結晶棒を所定の厚さに切断することによって
行なわれるが、ウエーハは偏光板で検査をするときにOF
に対する脈理の角度を目視して方位を判別するものであ
るため透明性単結晶から作られたものである必要があ
り、この点からタンタル酸リチウム（LiTaO3）、ニオブ
酸リチウム（LiNbO3）などが例示される。
このウエーハの方位の判別はウエーハを２枚の偏光板
の間に挿入し、ウエーハ内に存在している脈理のOFに対
する角度を目視し、脈理がOFとなす角度より方位を判別
することによって行なわれるが、これは偏光板を用いた
歪検出器を使用するのがよい。この歪検出器を用いてウ
エーハを観察するとウエーハの内部にはOFと平行でない
脈理があり、脈理とOFとの角度を目視し、その角度によ
り判別すれば容易にウエーハの方位を判別することがで
きる。なお、この方法によるウエーハの方位の判別は結
晶棒よりウエーハを作ってからデバイス加工するまでの
どの段階で実施してもよいが、ウエーハのラップ、研磨
は通常片面について加工が行なわれるので、面取り、ラ
ップ、研磨のあとに行なわれるデバイス加工の前に行な
うことがよい。
の間に挿入し、ウエーハ内に存在している脈理のOFに対
する角度を目視し、脈理がOFとなす角度より方位を判別
することによって行なわれるが、これは偏光板を用いた
歪検出器を使用するのがよい。この歪検出器を用いてウ
エーハを観察するとウエーハの内部にはOFと平行でない
脈理があり、脈理とOFとの角度を目視し、その角度によ
り判別すれば容易にウエーハの方位を判別することがで
きる。なお、この方法によるウエーハの方位の判別は結
晶棒よりウエーハを作ってからデバイス加工するまでの
どの段階で実施してもよいが、ウエーハのラップ、研磨
は通常片面について加工が行なわれるので、面取り、ラ
ップ、研磨のあとに行なわれるデバイス加工の前に行な
うことがよい。
このようにして方位判別されたウエーハを用いたデバ
イス加工は、方位が明確に判断されたものだけがデバイ
ス加工の対象とされるので、方位面を間違えた不良品の
発生を完全に防止することができるし、方位判別のため
に単結晶棒から切断されたウエーハに予めマーキングす
るという手間と時間が節約されるので目的とするウエー
ハを安価に得ることができる。
イス加工は、方位が明確に判断されたものだけがデバイ
ス加工の対象とされるので、方位面を間違えた不良品の
発生を完全に防止することができるし、方位判別のため
に単結晶棒から切断されたウエーハに予めマーキングす
るという手間と時間が節約されるので目的とするウエー
ハを安価に得ることができる。
［実施例］ つぎに本発明の実施例および比較例をあげる。
実施例 直径が80mmのタンタル酸リチウム単結晶棒から直径が
76.2mmφでＸカット、112゜Ｙ伝搬のウエーハをスライ
スして2,000枚のSAW（弾性表面波）デバイス用ウエーハ
を作った。
76.2mmφでＸカット、112゜Ｙ伝搬のウエーハをスライ
スして2,000枚のSAW（弾性表面波）デバイス用ウエーハ
を作った。
つぎにこのウエーハを面取りし、ラップ、エッチング
し、鏡面研磨してから洗浄し、これについて偏光板を用
いた歪検査器を用いてクラック、ボイド、キズを調べる
と共にその方位の判断を行なったところ、スライス時の
上側の面および下側の面には第１図および第２図に示す
ようにＺ軸方向に平行でOFに対して約22度の角度をなす
脈理を示し、この中からスライス時下側の面を研磨をし
たものが７枚見出されたものでこれは不良品としてデバ
イスプロセスに回さず、残り1,993枚の良品ウエーハを
用いてフィルターを作製したところ、これにはいずれも
特性不良は認められなかった。
し、鏡面研磨してから洗浄し、これについて偏光板を用
いた歪検査器を用いてクラック、ボイド、キズを調べる
と共にその方位の判断を行なったところ、スライス時の
上側の面および下側の面には第１図および第２図に示す
ようにＺ軸方向に平行でOFに対して約22度の角度をなす
脈理を示し、この中からスライス時下側の面を研磨をし
たものが７枚見出されたものでこれは不良品としてデバ
イスプロセスに回さず、残り1,993枚の良品ウエーハを
用いてフィルターを作製したところ、これにはいずれも
特性不良は認められなかった。
なお、その歪検査器によるウエーハ方位の判定は瞬間
に行なわれるので、これには手間も時間も殆ど必要では
なかった。
に行なわれるので、これには手間も時間も殆ど必要では
なかった。
比較例 実施例１と同様の方法でSAW（弾性表面波）デバイス
用タンタル酸リチウム単結晶ウエーハを1,000枚作っ
た。
用タンタル酸リチウム単結晶ウエーハを1,000枚作っ
た。
ついで、このウエーハのスライス時下側の面に黒色マ
ジックで印をつけ面取りを行なってから印をつけた面を
上にして両面ラップを行ない、ラップ機から取り出す工
程でウエーハの上になっている側にマジックで印をつけ
ながらウエーハボックスに格納してエッチング工程に廻
し、エッチング工程でマジックが消えかかったもの、消
えてしまったものに再びマジックで印をつけ、鏡面研磨
工程ではマジック面を接着剤でガラスプレートに貼りつ
けて研磨を行なったのち洗浄し、これをデバイス加工工
程に廻して加工してフィルターとしての特性をしらべた
ところ、特性不良のものが32枚見出された。
ジックで印をつけ面取りを行なってから印をつけた面を
上にして両面ラップを行ない、ラップ機から取り出す工
程でウエーハの上になっている側にマジックで印をつけ
ながらウエーハボックスに格納してエッチング工程に廻
し、エッチング工程でマジックが消えかかったもの、消
えてしまったものに再びマジックで印をつけ、鏡面研磨
工程ではマジック面を接着剤でガラスプレートに貼りつ
けて研磨を行なったのち洗浄し、これをデバイス加工工
程に廻して加工してフィルターとしての特性をしらべた
ところ、特性不良のものが32枚見出された。
つぎにこの不良品についてＸ線、エッチング法による
エッチピット、そのへき開方向などをしらべたところ、
これらはいずれも何らかの間違いでスライス時下側の面
を研磨したものであることが判った。
エッチピット、そのへき開方向などをしらべたところ、
これらはいずれも何らかの間違いでスライス時下側の面
を研磨したものであることが判った。
なお、この工程でマジックで印をつけるための時間は
全体で56時間であり、この不良品発生による損失経費は
64,000円であり、これには可成りの時間、経費のかかる
ことが判った。
全体で56時間であり、この不良品発生による損失経費は
64,000円であり、これには可成りの時間、経費のかかる
ことが判った。
［発明の効果］ 本発明によれば透明性単結晶ウエーハの方位が偏光板
にウエーハを挿入したときにウエーハ内に現れる脈理か
ら目視によって瞬間的に簡単に判別でき、ウエーハの方
位判別を時間と手間をかけることなく容易に行なうこと
ができる。この判別をウエーハへのデバイス加工前に行
なえばウエーハの方位面の間違いにより不良品を製造す
るというミスを完全に防止できる。
にウエーハを挿入したときにウエーハ内に現れる脈理か
ら目視によって瞬間的に簡単に判別でき、ウエーハの方
位判別を時間と手間をかけることなく容易に行なうこと
ができる。この判別をウエーハへのデバイス加工前に行
なえばウエーハの方位面の間違いにより不良品を製造す
るというミスを完全に防止できる。
第１図は偏光板を用いて目視したときのウエーハスライ
ス時上側の面側から見た脈理、第２図は同じく偏光板を
用いて目視したときのウエーハスライス時下側の面側か
ら見た脈理を示したものである。
ス時上側の面側から見た脈理、第２図は同じく偏光板を
用いて目視したときのウエーハスライス時下側の面側か
ら見た脈理を示したものである。
Claims (3)
- 【請求項１】チョクラルスキー法により単結晶棒を製造
し、該棒の一部にオリエンテーションフラットを作成
し、これを所定の厚さに切断したのち片面加工してなる
透明性単結晶ウエーハの製造方法において、該ウェーハ
の脈理方向を偏光板を用いて観察し、該ウェーハのオリ
エンテーションフラットと脈理とのなす角度より該ウエ
ーハの方位を判別してそろえることを特徴とする透明性
単結晶ウエーハの製造方法。 - 【請求項２】ウエーハがタンタル酸リチウムである請求
項１に記載の透明性単結晶ウエーハの製造方法。 - 【請求項３】ウエーハがニオブ酸リチウムである請求項
１に記載の透明性単結晶ウエーハの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311585A JP2554377B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 透明性単結晶ウェーハの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1311585A JP2554377B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 透明性単結晶ウェーハの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03173148A JPH03173148A (ja) | 1991-07-26 |
| JP2554377B2 true JP2554377B2 (ja) | 1996-11-13 |
Family
ID=18019012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1311585A Expired - Fee Related JP2554377B2 (ja) | 1989-11-30 | 1989-11-30 | 透明性単結晶ウェーハの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2554377B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6212926B2 (ja) * | 2013-04-26 | 2017-10-18 | 住友金属鉱山株式会社 | 物体検査装置及び物体検査方法 |
| JP6393958B2 (ja) * | 2013-05-15 | 2018-09-26 | 住友金属鉱山株式会社 | 圧電性の円柱状の結晶体の極性を判定できるように、又は、結晶体としてのウエハの分極方向に依存する表裏を判定できるようにする装置 |
-
1989
- 1989-11-30 JP JP1311585A patent/JP2554377B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03173148A (ja) | 1991-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |