JP2023544877A - 振動センサ - Google Patents
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Abstract
Description
本願は、2020年12月28日に出願された出願番号PCT/CN2020/140180の国際出願、2021年4月23日に出願された出願番号202110445739.3の中国出願及び2021年7月22日に出願された出願番号PCT/CN2021/107978の国際出願の優先権を主張するものであり、そのすべての内容は参照により本明細書に組み込まれるものとする。
110 振動レシーバー
120 音響トランスデューサ
211 ハウジング
212 振動ユニット
213 第1の音響キャビティ
214 第2の音響キャビティ
2121 質量素子
2122 弾性素子
Claims (23)
- 音響キャビティを形成するハウジング、及び前記音響キャビティ内に位置し、前記音響キャビティを第1の音響キャビティと第2の音響キャビティに仕切る振動ユニットを含む振動レシーバーと、
前記第1の音響キャビティと音響的に連通する音響トランスデューサと、
を含み、
前記ハウジングは、外部振動信号に基づいて振動を発生させるように構成され、前記振動ユニットは、前記音響トランスデューサに電気信号を発生させるように、前記ハウジングの振動に応答して前記第1の音響キャビティ内の音圧を変更し、
前記振動ユニットは、質量素子及び弾性素子を含み、前記質量素子の前記音響トランスデューサから離れる側の面積は、前記質量素子の前記音響トランスデューサに近接する側の面積より小さく、前記弾性素子は、前記質量素子の側壁に周着される、振動センサ。 - 前記質量素子は、第1の質量素子及び第2の質量素子を含み、前記第2の質量素子は、前記音響トランスデューサに近接し、前記第1の質量素子は、前記第2の質量素子の前記音響トランスデューサから離れる側に位置し、前記第1の質量素子の前記質量素子の振動方向に垂直な断面の面積は、前記第2の質量素子の前記質量素子の振動方向に垂直な断面の面積より小さい、請求項1に記載の振動センサ。
- 前記第1の質量素子は、前記第2の質量素子の中部領域に位置し、前記第1の質量素子の側壁と前記第2の質量素子の側壁との間には、一定の間隔がある、請求項2に記載の振動センサ。
- 前記一定の間隔の範囲は、10um~500umである、請求項3に記載の振動センサ。
- 前記弾性素子は、第1の弾性部と、第2の弾性部とを含み、前記第1の弾性部の両端は、それぞれ前記第1の質量素子の側壁と前記第2の弾性部に接続され、前記第2の弾性部は、前記音響トランスデューサに向かって延在し、かつ前記音響トランスデューサに接続される、請求項3に記載の振動センサ。
- 前記第1の弾性部は、前記第1の質量素子の側壁に接続される第1の側面と、前記第2の質量素子の前記第2の音響キャビティに露出している表面に接続される第2の側面とを含む、請求項5に記載の振動センサ。
- 前記第2の質量素子の側壁は、前記第2の弾性部に接続される、請求項6に記載の振動センサ。
- 前記音響トランスデューサは、基板を含み、前記第2の弾性部は、基板に向かって延在し、かつ前記基板に接続され、前記基板、前記第2の質量素子及び前記第2の弾性部は、前記第1の音響キャビティを形成する、請求項5に記載の振動センサ。
- 前記質量素子の振動方向に沿って、前記第1の質量素子の厚さは、50um~1000umであり、前記第2の質量素子の厚さは、10um~150umである、請求項2に記載の振動センサ。
- 前記質量素子の振動方向に沿って、前記第1の質量素子の厚さは、前記第2の質量素子の厚さより大きい、請求項9に記載の振動センサ。
- 前記質量素子の振動方向に沿った断面において、前記質量素子の前記音響トランスデューサから離れる側の縁部と前記質量素子の前記音響トランスデューサに近接する側の縁部とを結ぶ線分と、前記質量素子の振動方向とは、範囲が10°~80°の夾角をなす、請求項1に記載の振動センサ。
- 前記質量素子は、前記第1の音響キャビティと前記第2の音響キャビティとを連通する第1の孔部を含む、請求項1に記載の振動センサ。
- 前記第1の孔部の半径は、1um~50umである、請求項12に記載の振動センサ。
- 前記ハウジングは、第3の孔部を含み、前記第2の音響キャビティは、前記第3の孔部により外部と連通する、請求項1に記載の振動センサ。
- 音響キャビティを形成するハウジング、及び前記音響キャビティ内に位置し、前記音響キャビティを第1の音響キャビティと第2の音響キャビティに仕切る振動ユニットを含む振動レシーバーと、
前記第1の音響キャビティと音響的に連通する音響トランスデューサと、
を含み、
前記ハウジングは、外部振動信号に基づいて振動を発生させるように構成され、前記振動ユニットは、前記音響トランスデューサに電気信号を発生させるように、前記ハウジングの振動に応答して前記第1の音響キャビティ内の音圧を変更し、
前記振動ユニットは、質量素子と、前記質量素子の側壁に周着される弾性素子とを含み、前記弾性素子と前記ハウジングとの間にストッパーがある、振動センサ。 - 前記質量素子の振動方向に沿って、前記ストッパーの高さは、100um~1000umである、請求項15に記載の振動センサ。
- 音響キャビティを形成するハウジング、及び前記音響キャビティ内に位置し、前記音響キャビティを第1の音響キャビティと第2の音響キャビティに仕切る振動ユニットを含む振動レシーバーと、
前記第1の音響キャビティと音響的に連通する音響トランスデューサと、
を含み、
前記ハウジングは、外部振動信号に基づいて振動を発生させるように構成され、前記振動ユニットは、前記音響トランスデューサに電気信号を発生させるように、前記ハウジングの振動に応答して前記第1の音響キャビティ内の音圧を変更し、
前記振動ユニットは、質量素子と、前記質量素子の側壁に周着される弾性素子とを含み、前記質量素子は、前記質量素子の振動方向に沿った側部に位置する凹溝を含む、振動センサ。 - 前記質量素子は、前記第1の音響キャビティと前記第2の音響キャビティとを連通し、前記凹溝に位置する第1の孔部を含む、請求項17に記載の振動センサ。
- 前記第1の孔部の半径は、1um~50umである、請求項18に記載の振動センサ。
- 前記凹溝のサイズは、前記第1の孔部のサイズより大きい、請求項19に記載の振動センサ。
- 音響キャビティを形成するハウジング、及び前記音響キャビティ内に位置し、前記音響キャビティを第1の音響キャビティと第2の音響キャビティに仕切る振動ユニットを含む振動レシーバーと、
前記第1の音響キャビティと音響的に連通する音響トランスデューサと、
を含み、
前記ハウジングは、外部振動信号に基づいて振動を発生させるように構成され、前記振動ユニットは、前記音響トランスデューサに電気信号を発生させるように、前記ハウジングの振動に応答して前記第1の音響キャビティ内の音圧を変更し、
前記振動ユニットは、質量素子と、前記質量素子の側壁に周着され、かつ前記ハウジングまで延在する弾性素子と含む、振動センサ。 - 前記質量素子の振動方向に沿って、前記弾性素子の厚さは、前記質量素子の厚さより大きい、請求項21に記載の振動センサ。
- 前記質量素子又は前記ハウジングには、半径が1um~50umの孔部が形成される、請求項21に記載の振動センサ。
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