JP2022092093A - Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 - Google Patents
Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022092093A JP2022092093A JP2020204658A JP2020204658A JP2022092093A JP 2022092093 A JP2022092093 A JP 2022092093A JP 2020204658 A JP2020204658 A JP 2020204658A JP 2020204658 A JP2020204658 A JP 2020204658A JP 2022092093 A JP2022092093 A JP 2022092093A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- coating material
- grain size
- plating
- material according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 title claims abstract description 246
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 92
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 92
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 79
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 177
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 38
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 35
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 32
- NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N potassium cyanide Chemical compound [K+].N#[C-] NNFCIKHAZHQZJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 30
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 20
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 19
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 14
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 9
- GLWABLOURKHFSE-UHFFFAOYSA-M [O-]C(C1[Se]C=CC=CC=C1)=O.[K+] Chemical compound [O-]C(C1[Se]C=CC=CC=C1)=O.[K+] GLWABLOURKHFSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 337
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 27
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 26
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 22
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 14
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 5
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 5
- 238000001887 electron backscatter diffraction Methods 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N potassium argentocyanide Chemical compound [K+].[Ag+].N#[C-].N#[C-] HKSGQTYSSZOJOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 5
- LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N silver cyanide Chemical compound [Ag+].N#[C-] LFAGQMCIGQNPJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229940098221 silver cyanide Drugs 0.000 description 5
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 5
- VDMJCVUEUHKGOY-JXMROGBWSA-N (1e)-4-fluoro-n-hydroxybenzenecarboximidoyl chloride Chemical compound O\N=C(\Cl)C1=CC=C(F)C=C1 VDMJCVUEUHKGOY-JXMROGBWSA-N 0.000 description 4
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N Cyanide Chemical compound N#[C-] XFXPMWWXUTWYJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011135 tin Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021586 Nickel(II) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000001174 ascending effect Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000009429 electrical wiring Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L nickel dichloride Chemical compound Cl[Ni]Cl QMMRZOWCJAIUJA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);disulfamate;tetrahydrate Chemical compound O.O.O.O.[Ni+2].NS([O-])(=O)=O.NS([O-])(=O)=O TXRHHNYLWVQULI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/01—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic
- B32B15/018—Layered products comprising a layer of metal all layers being exclusively metallic one layer being formed of a noble metal or a noble metal alloy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/46—Electroplating: Baths therefor from solutions of silver
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/10—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals
- C25D5/12—Electroplating with more than one layer of the same or of different metals at least one layer being of nickel or chromium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/60—Electroplating characterised by the structure or texture of the layers
- C25D5/615—Microstructure of the layers, e.g. mixed structure
- C25D5/617—Crystalline layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B28/00—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B28/04—Production of homogeneous polycrystalline material with defined structure from liquids
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R13/00—Details of coupling devices of the kinds covered by groups H01R12/70 or H01R24/00 - H01R33/00
- H01R13/02—Contact members
- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R2201/00—Connectors or connections adapted for particular applications
- H01R2201/26—Connectors or connections adapted for particular applications for vehicles
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
Abstract
【課題】耐熱密着性及び曲げ加工性に優れた銀被覆材及びその製造方法を提供する。【解決手段】素材、及び該素材上に形成されたAg皮膜を有するAg被覆素材であって、Ag皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする、Ag被覆素材及びその関連技術を提供する。【選択図】図1
Description
本発明は、Ag被覆素材及びその製造方法等に関し、特に、車載用や民生用の電気配線に使用されるコネクタ、スイッチ、リレーなどの接点や端子部品の材料として使用されるAg被覆素材及びその製造方法等に関する。
従来、コネクタやスイッチなどの接点や端子部品などの材料として、銅又は銅合金やステンレス鋼などの比較的安価で耐食性や機械的特性などに優れた素材に、電気特性や半田付け性などの必要な特性に応じて、錫、銀、金などのめっきを施しためっき材が使用されている。めっきにより形成された金属皮膜は素材との密着性に優れ、まためっきは製造コストが低いといった利点がある。
銅又は銅合金やステンレス鋼などの素材に錫めっきを施した錫めっき材は、安価であるが、高温環境下における耐食性に劣っている。また、これらの素材に金めっきを施した金めっき材は、耐食性に優れ、信頼性が高いが、原料コストが高くなる。一方、これらの素材に銀めっきを施した銀めっき材は、金めっき材と比べて安価であり、錫めっき材と比べて耐食性に優れている。
また、コネクタやスイッチなどの接点や端子部品などの材料には、コネクタの挿抜やスイッチの摺動に伴う耐摩耗性も要求される。
特許文献1には、素材上に優先配向面が{111}面であるAgめっきからなる表層が形成されたAgめっき材により、高い硬度(耐摩耗性)を維持したまま、接触抵抗の増加を防止することができることが開示されている。同文献には、素材と表層の間にニッケルからなる下地層を形成することが好ましく、この下地層により、素材と表層との密着性を高めることができる旨が開示されている。
また、Agめっき材を用いて端子等をプレス加工により所定形状に打ち抜いた後、曲げ加工して製品形状に成形することが多いが、この曲げ加工の際にクラックが発生して材料が破断したり、素材が露出するクラックが発生して素材が腐食し、製品としての寿命が著しく短くなる場合がある。
このような曲げ加工性に関して特許文献2には、銅又は銅合金からなる素材の表面、又は素材上に形成された銅又は銅合金からなる下地層の表面に、銀からなる表層が形成された銀めっき材において、表層の{111}面と{200}面と{220}面と{311}面の各々のX線回折強度の和に対する{200}面のX線回折強度の占める割合が40%以上である銀めっき材が開示されている。同文献には、この銀めっき材は曲げ加工性が良好であり且つ高温環境下で使用しても接触抵抗の上昇を抑制することができる旨開示されている。
特許文献3には、金属基材と銀めっき層の積層体である銀めっき積層体であって、前記銀めっき層は、金属基材の表面に形成された軟質銀めっき層と、軟質銀めっき層の表面に形成された硬質銀めっき層と、を有し、軟質銀めっき層のビッカース硬度が硬質銀めっき層のビッカース硬度よりも30HV以上低いこと、を特徴とする銀めっき積層体が開示され、この銀めっき積層体が、優れた耐摩耗性と加工性とを両立することについて開示されている。
特許文献4には、コンタクトの接触部が、銅又は銅合金からなる基材と、基材上に形成された第2めっき層と、第2めっき層上に形成された第1めっき層とを有しており、第1めっき層は、銀又は銀合金からなるものであり、且つ、90Hv以下のビッカース硬度を有しており、第2めっき層は、銀又は銀合金からなるものであり、且つ、100Hv以上のビッカース硬度を有していることが開示されている。同文献は、このようなコンタクトを備えたコネクタが、低い接触抵抗を有する旨開示している。
上述の通り、接点や端子部品などの材料には、耐摩耗性及び曲げ加工性といった特性が求められる。
ところで、近年環境規制の問題からEV(Electric Vehicle)、PHV(Plug-in Hybrid Vehicle)などの電動車両のニーズが増えており、電動車両の接点や端子部品の材料には、導電性、接触信頼性の観点から銀からなる層で被覆した伸銅材等が基材として使用されることが多い。
電動車両においてはその使用環境(通電によるジュール熱の発生等)を考慮して、素材と銀層の間、或いは下地Ni層と銀層の間の耐熱密着性に優れることが求められる。具体的には銀層が形成されたコネクタ同士が接触(嵌合)した状態で加熱された後、両者を離したときに基材と銀層或いはニッケル層と銀層の間で剥離が生じないようにしたいという課題がある。
特許文献1~4に開示された構成はいずれも耐熱密着性が十分でなく、また特許文献1、4に開示された構成は曲げ加工性も十分でない。
したがって、本発明は、このような従来の問題点に鑑み、耐熱密着性及び曲げ加工性に優れた銀被覆素材及びその製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の態様は、
素材、及び該素材上に形成されたAg皮膜を有するAg被覆素材であって、
前記Ag皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする、Ag被覆素材である。
素材、及び該素材上に形成されたAg皮膜を有するAg被覆素材であって、
前記Ag皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする、Ag被覆素材である。
本発明の第2の態様は、第1の態様に記載の態様であって、
前記Ag皮膜は、4層以上積層されたAg層を有することを特徴とする。
前記Ag皮膜は、4層以上積層されたAg層を有することを特徴とする。
本発明の第3の態様は、第1又は第2の態様に記載の態様であって、
前記Ag皮膜は、前記素材に近い側から、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2が交互に積層されたAg層を有することを特徴とする。
前記Ag皮膜は、前記素材に近い側から、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2が交互に積層されたAg層を有することを特徴とする。
本発明の第4の態様は、第3の態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.2μm以下であることを特徴とする。
前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.2μm以下であることを特徴とする。
本発明の第5の態様は、第3又は第4の態様に記載の態様であって、
前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上であることを特徴とする。
前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上であることを特徴とする。
本発明の第6の態様は、第3~第5のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする。
前記Ag層1の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする。
本発明の第7の態様は、第3~第6のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層2の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする。
前記Ag層2の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする。
本発明の第8の態様は、第3~第7のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の優先配向面が{111}面であり、前記Ag層2の優先配向面が{100}面であることを特徴とする。
前記Ag層1の優先配向面が{111}面であり、前記Ag層2の優先配向面が{100}面であることを特徴とする。
本発明の第9の態様は、第3~第8のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag被覆素材の最表層が、前記Ag層2で構成されていることを特徴とする。
前記Ag被覆素材の最表層が、前記Ag層2で構成されていることを特徴とする。
本発明の第10の態様は、第1~第9のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記素材と前記Ag皮膜との間にNiからなる下地層が形成されていることを特徴とする。
前記素材と前記Ag皮膜との間にNiからなる下地層が形成されていることを特徴とする。
本発明の第11の態様は、第1~第10のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする。
前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする。
本発明の第12の態様は、第1~第11のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag被覆素材のビッカース硬さHVが100以上であることを特徴とする。
前記Ag被覆素材のビッカース硬さHVが100以上であることを特徴とする。
本発明の第13の態様は、
素材上に、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層を交互に少なくとも3層積層してAg皮膜を形成することを特徴とする、Ag被覆素材の製造方法である。
素材上に、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層を交互に少なくとも3層積層してAg皮膜を形成することを特徴とする、Ag被覆素材の製造方法である。
本発明の第14の態様は、第13の態様に記載の態様であって、
前記Ag層を4層以上積層して前記Ag皮膜を形成することを特徴とする。
前記Ag層を4層以上積層して前記Ag皮膜を形成することを特徴とする。
本発明の第15の態様は、第13又は第14の態様に記載の態様であって、
前記素材上に、
平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2を交互に形成することを特徴とする。
前記素材上に、
平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2を交互に形成することを特徴とする。
本発明の第16の態様は、第15の態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.2μm以下とすることを特徴とする。
前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.2μm以下とすることを特徴とする。
本発明の第17の態様は、第15又は第16の態様に記載の態様であって、
前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.3μm以上とすることを特徴とする。
前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.3μm以上とすることを特徴とする。
本発明の第18の態様は、第15~第17のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする。
前記Ag層1の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする。
本発明の第19の態様は、第15~第18のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層2の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする。
前記Ag層2の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする。
本発明の第20の態様は、第15~第19のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層1の優先配向面を{111}面とし、前記Ag層2の優先配向面を{100}面とすることを特徴とする。
前記Ag層1の優先配向面を{111}面とし、前記Ag層2の優先配向面を{100}面とすることを特徴とする。
本発明の第21の態様は、第15~第20のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag被覆素材の最表層として、前記Ag層2を形成することを特徴とする。
前記Ag被覆素材の最表層として、前記Ag層2を形成することを特徴とする。
本発明の第22の態様は、第15~第21のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層1を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含むAgめっき液1を用い、液温10~35℃、電流密度3~15A/dm2の条件で電気めっきを行うことで形成し、
前記Agめっき液1は、
80~130g/Lの銀と、
60~160g/Lのシアン化カリウムと、
50~80mg/Lのセレンを含む水溶液であることを特徴とする。
前記Ag層1を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含むAgめっき液1を用い、液温10~35℃、電流密度3~15A/dm2の条件で電気めっきを行うことで形成し、
前記Agめっき液1は、
80~130g/Lの銀と、
60~160g/Lのシアン化カリウムと、
50~80mg/Lのセレンを含む水溶液であることを特徴とする。
本発明の第23の態様は、第22の態様に記載の態様であって、
前記セレンが55~70mg/Lであることを特徴とする。
前記セレンが55~70mg/Lであることを特徴とする。
本発明の第24の態様は、第22又は第23の態様に記載の態様であって、
前記Agめっき液1中のシアン化カリウムの濃度と電流密度の積が840g・A/L・dm2以下となる条件で前記電気めっきを行うことを特徴とする。
前記Agめっき液1中のシアン化カリウムの濃度と電流密度の積が840g・A/L・dm2以下となる条件で前記電気めっきを行うことを特徴とする。
本発明の第25の態様は、第15~第24のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記Ag層2を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含む銀めっき液2を用い、液温10~40℃、電流密度3~10A/dm2で電気めっきを行うことで形成し、
前記銀めっき液2は、
80~110g/Lの銀と、
70~160g/Lのシアン化カリウムと、
1~15mg/Lのセレンを含有する水溶液であることを特徴とする。
前記Ag層2を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含む銀めっき液2を用い、液温10~40℃、電流密度3~10A/dm2で電気めっきを行うことで形成し、
前記銀めっき液2は、
80~110g/Lの銀と、
70~160g/Lのシアン化カリウムと、
1~15mg/Lのセレンを含有する水溶液であることを特徴とする。
本発明の第26の態様は、第13~第25のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記素材上にNiからなる下地層を形成し、該下地層上に、前記Ag皮膜を形成することを特徴とする。
前記素材上にNiからなる下地層を形成し、該下地層上に、前記Ag皮膜を形成することを特徴とする。
本発明の第27の態様は、第13~第26のいずれかの態様に記載の態様であって、
前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする。
前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする。
本発明の第28の態様は、
第1~第12のいずれかの態様に記載のAg被覆素材を構成材料として用いたことを特徴とする、端子部品である。
第1~第12のいずれかの態様に記載のAg被覆素材を構成材料として用いたことを特徴とする、端子部品である。
本発明は、耐熱密着性及び曲げ加工性に優れた銀被覆材及びその製造方法を提供することができる。
以下、本実施形態について説明する。本明細書における「~」は所定の数値以上かつ所定の数値以下を指す。以下、本発明のAg被覆素材及びその製造方法等の実施の形態について説明する。
[Ag被覆素材]
以下、本発明のAg被覆素材の実施の形態の各構成について、説明する。
以下、本発明のAg被覆素材の実施の形態の各構成について、説明する。
<素材>
本発明のAg被覆素材の実施の形態は、素材と、その素材上に形成されたAg皮膜を有している。前記素材としては、接点又は端子部品等の材料における素材として従来用いられているものを広く採用可能である。耐食性や機械的特性の点から、Cu(銅)、Cu合金又はステンレス鋼で形成された素材が好ましく、前記の点に加えて導電性の点から、Cu又はCu合金で形成された素材が好ましい。Cu合金は、Cuを好ましくは90質量%以上含んでおり、またCu合金を構成する他の金属元素としては、Ni、Sn、P、Si、Co、Fe、Mg、Zn、Ti等が挙げられる。
本発明のAg被覆素材の実施の形態は、素材と、その素材上に形成されたAg皮膜を有している。前記素材としては、接点又は端子部品等の材料における素材として従来用いられているものを広く採用可能である。耐食性や機械的特性の点から、Cu(銅)、Cu合金又はステンレス鋼で形成された素材が好ましく、前記の点に加えて導電性の点から、Cu又はCu合金で形成された素材が好ましい。Cu合金は、Cuを好ましくは90質量%以上含んでおり、またCu合金を構成する他の金属元素としては、Ni、Sn、P、Si、Co、Fe、Mg、Zn、Ti等が挙げられる。
<Ag皮膜>
素材上に形成されたAg皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする。更には、4層以上積層されたAg層を有することが好ましい。
素材上に形成されたAg皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする。更には、4層以上積層されたAg層を有することが好ましい。
上記「平均結晶粒径が3倍以上異なる」とは、隣接する平均結晶粒径の異なるAg層において、平均結晶粒径の大きいAg層の平均結晶粒径(D2とする)を、平均結晶粒径の小さいAg層の平均結晶粒径(D1とする)で除したとき3以上となる、すなわちD2/D1≧3であることを意味する。平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に3層積層されたAg層とは、平均結晶粒径の小さいAg層(平均結晶粒径=D1a)と平均結晶粒径の大きいAg層(平均結晶粒径=D2)と平均結晶粒径の小さいAg層(平均結晶粒径=D1b)が順に積層され、D2/D1a、D2/D1bがともに3以上であるものをいう。上記の積層の順序は、平均結晶粒径の大きいAg層、平均結晶粒径の小さいAg層、平均結晶粒径の大きいAg層の順序としてもよい。
また、前記Ag皮膜は、前記素材に近い側から、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の(3倍以上)大きいAgからなるAg層2が交互に積層されたAg層を有することが好ましい。
素材(又は後述する下地層)上に形成されるAg皮膜は、所定の優先配向面を有するAg(銀)からなる層である、Ag層1及びAg層2が交互に2層ずつ積層されてなる、4層構成の積層体であるのが好ましい。なお、Ag層の厚さが非常に薄いなどにより、複数のAg層として区別困難なもの(例えば、後述のAgストライクめっき層のように非常に膜厚が小さい。例えば膜厚が0.1μm以下のAg層)は、複数の層としてカウントしない。
(Ag層1)
Ag層1は、後述のAg層2よりも平均結晶粒径が小さいAgからなる層である。この記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.005μm以上であることが好ましく、0.2μm以下であることが好ましい。更には0.15μm以下であることが好ましい。
Ag層1は、後述のAg層2よりも平均結晶粒径が小さいAgからなる層である。この記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.005μm以上であることが好ましく、0.2μm以下であることが好ましい。更には0.15μm以下であることが好ましい。
また、Ag層1は、優先配向面が{111}面のAgで構成されていることが好ましい。優先配向面とは、Ag層1の表面をX線回折分析したときの、111回折ピーク、200回折ピーク、110回折ピーク及び311回折ピークの各々のX線回折ピークについて、最も強度が高い回折ピークに対応する結晶面である。優先配向面の求め方の詳細については、実施例にて後述する。
Ag層1は、高い硬度を有すると考えられ、本発明のAg被覆素材の優れた耐摩耗性に寄与している。
Ag層1の厚みは特に限定されないが、その機能発揮、コストや曲げ加工性の観点から、0.5~5μmであることが好ましく、0.7~3μmであることがより好ましい。
なおAg層1は、例えば1.0質量%以下、あるいは0.5質量以下のSeやSb等の元素や不可避不純物を含有してもよい。導電性の観点などからはAg層1は99.9質量%以上のAgを含むことが好ましい。
(Ag層2)
Ag層2は、Ag層1よりも平均結晶粒径が3倍以上(好ましくは4倍以上、更に好ましくは5倍以上)の大きい結晶粒径を有するAgからなる層である。このAg層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上であることが好ましく、0.4μm以上であることがより好ましく、1.0μm以下であることが好ましい。
Ag層2は、Ag層1よりも平均結晶粒径が3倍以上(好ましくは4倍以上、更に好ましくは5倍以上)の大きい結晶粒径を有するAgからなる層である。このAg層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上であることが好ましく、0.4μm以上であることがより好ましく、1.0μm以下であることが好ましい。
Ag層2の平均結晶粒径とAg層1の平均結晶粒径との差が所定の値以上(或いは所定の範囲内)であるのが好ましい。例えば0.2μm以上、更には0.3μm以上の差を有するのが好ましく、2μm以下、更には1μm以下の差を有するのが好ましい。
また、Ag皮膜を構成するAg層2の表面は、優先配向面が{100}面のAgで構成されていることが好ましい。
Ag層2は、曲げ加工を受けた際に変形しやすく、本発明のAg被覆素材の優れた曲げ加工性に寄与している。
Ag層2の厚みは特に限定されないが、その機能発揮、コストや曲げ加工性の観点から、0.5~5μmであることが好ましく、0.7~3μmであることがより好ましい。
なおAg層2は、例えば1.0質量%以下、あるいは0.5質量以下のSeやSb等の元素や不可避不純物を含有してもよい。導電性の観点などからはAg層1は99.9質量%以上のAgを含むことが好ましい。
(Ag層1とAg層2の積層)
Ag皮膜は、以上説明したAg層1とAg層2を交互に積層してなる積層体である。前記積層体とすることにより、Ag層1又はAg層2のいずれか1層であるめっき層の場合と比べて、素材(又は後述する下地層)との耐熱密着性に優れ、Ag皮膜と素材(又は後述する下地層)の間での剥離が生じにくいと考えられる。
Ag皮膜は、以上説明したAg層1とAg層2を交互に積層してなる積層体である。前記積層体とすることにより、Ag層1又はAg層2のいずれか1層であるめっき層の場合と比べて、素材(又は後述する下地層)との耐熱密着性に優れ、Ag皮膜と素材(又は後述する下地層)の間での剥離が生じにくいと考えられる。
曲げ加工性に関して、クラックは、曲げ加工時にAg皮膜中の層のいずれかの箇所で亀裂の起点が発生し、これが上下に伸びて(亀裂の伝播)上下に貫通することで発生するものと考えられる。そして、Ag被覆素材が折り曲げられる場合、Ag皮膜の各構成層のうち素材から遠い(表面に近い)層ほど発生する引張応力が大きく、亀裂の起点が生じやすいと考えられる。本発明においては、Ag皮膜は3層以上、好ましくは4層以上のAg層の積層体であるため、各層の界面のところで亀裂の伝播が食い止められ、これが本発明のAg被覆素材の優れた曲げ加工性に寄与しているものと考えられる。
以上説明した優れた耐熱密着性及び曲げ加工性は、Ag層1及びAg層2を1層ずつ、合計2層の積層体としたのでは発揮されず、効果の発揮には3層以上、好ましくは4層以上の積層体とすることが必要である。
以上説明したAg皮膜におけるAg層1及び2の、素材(下地層)との位置関係を含めた積層構造の具体例を挙げると、以下のとおりである。
素材(下地層)-Ag層1-Ag層2-Ag層1-Ag層2
素材(下地層)-Ag層2-Ag層1-Ag層2-Ag層1
Ag被覆素材の最表層が、前記Ag層2で構成されていることが好ましい。
素材(下地層)-Ag層1-Ag層2-Ag層1-Ag層2
素材(下地層)-Ag層2-Ag層1-Ag層2-Ag層1
Ag被覆素材の最表層が、前記Ag層2で構成されていることが好ましい。
Ag層1とAg層2の厚さの比には限定は無いが、0.5≦(Ag層1厚さ/Ag層2厚さ)≦5.0であるのが好ましい。
<他の層>
本発明のAg被覆素材の実施の形態は、以上説明した素材及びAg皮膜を有しており、更に目的に応じて他の層を有していてもよい。
本発明のAg被覆素材の実施の形態は、以上説明した素材及びAg皮膜を有しており、更に目的に応じて他の層を有していてもよい。
例えば、特に素材がCu又はCu合金で構成される場合には、素材中のCuや合金成分がAg皮膜に拡散して耐熱性が劣化することを防止するため、素材とAg皮膜の間にNi(ニッケル)からなる下地層が形成されていることが望ましい。下地層の厚みは特に限定されないが、その機能発揮とコストの観点から、0.3~2μmであることが好ましく、0.5~1.5μmであることがより好ましい。
例えば、後述するAg被覆素材の製造方法によりAg被覆素材を製造する場合には、素材又は下地とAg皮膜の間に、Agからなる非常に薄い中間層が形成されていてもよい。
<Ag被覆素材のビッカース硬さ>
本発明のAg被覆素材のビッカース硬さは、好ましくは98以上であり、より好ましくは100以上である(単位:kgf/mm2)。なお、硬さがあまりに高いと曲げ加工性に悪影響する場合があるので、ビッカース硬さは135以下であることが好ましい。
本発明のAg被覆素材のビッカース硬さは、好ましくは98以上であり、より好ましくは100以上である(単位:kgf/mm2)。なお、硬さがあまりに高いと曲げ加工性に悪影響する場合があるので、ビッカース硬さは135以下であることが好ましい。
なお、Ag被覆素材のビッカース硬さは、Ag被覆素材の表面について求めたビッカース硬さであり、前記表面とは、Ag被覆素材の、Ag皮膜が形成されている箇所の表面のことである。ビッカース硬さの測定方法の詳細は、実施例にて後述する。
<Ag皮膜中のAg層1及び2の確認方法>
本発明のAg被覆素材において、Ag皮膜が以上説明した構成(結晶粒径、優先配向面など)を備えていることは、例えば以下の方法により確認することができる。
本発明のAg被覆素材において、Ag皮膜が以上説明した構成(結晶粒径、優先配向面など)を備えていることは、例えば以下の方法により確認することができる。
まず、3層以上の構成のAg皮膜であることは、Ag被覆素材の表面に垂直な断面試料を作成し、この試料を走査型顕微鏡や走査イオン顕微鏡などにより観察することで確認することができる。Ag層1はAg層2と比べて結晶粒径が小さいため、結晶粒径の大小で区別することができる。
また、Ag被覆材の表面をX線回折法(XRD)又はEBSD(Electron BackScatter Diffraction Pattern)解析法によりAg皮膜の最表層の優先配向面を求めることができる。次に、最表層を公知の方法(例えば研磨やミリング、スパッタ、エッチングなど)により除去し、上から2番目の層について、同様に優先配向面を求める。これを繰り返すことで、本発明で規定するAg層1及び2の3層以上の構成のAg皮膜であることを確認することができる。
[Ag被覆素材の製造方法]
次に、本発明のAg被覆素材の製造方法の実施の形態について説明する。
次に、本発明のAg被覆素材の製造方法の実施の形態について説明する。
当該製造方法では、素材上に、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層を交互に少なくとも3層積層してAg皮膜を形成することを特徴とする。前記Ag層を4層以上積層して前記Ag皮膜を形成するのが好ましい。
また、素材上に、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1とAg層1よりも平均結晶粒径が3倍以上大きいAgからなるAg層2を交互に形成して、3層以上のAg層で構成されるAg皮膜を形成する製造方法であることが好ましい。更にはAg層1の優先配向面を{111}面とし、Ag層2の優先配向面を{100}面とするAg被覆素材を形成するのが好ましい。素材は、本発明のAg被覆素材の実施の形態について上記で説明したのと同様である。
<Ag皮膜>
前記の通り、Ag皮膜はAg層1とAg層2が交互に積層してなる、3層以上のAg層で構成される。Ag層1及び2については、本発明のAg被覆素材の実施の形態について上記で説明したのと同様である。以下では、Ag層1及び2の形成方法について説明する。なおAg皮膜の形成の前に、必要に応じて下地層が形成された素材を前処理(電解脱脂や酸洗等)してもよい。
前記の通り、Ag皮膜はAg層1とAg層2が交互に積層してなる、3層以上のAg層で構成される。Ag層1及び2については、本発明のAg被覆素材の実施の形態について上記で説明したのと同様である。以下では、Ag層1及び2の形成方法について説明する。なおAg皮膜の形成の前に、必要に応じて下地層が形成された素材を前処理(電解脱脂や酸洗等)してもよい。
(Ag層1の形成)
Ag層1は、公知の方法(例えば特許文献1に開示された方法)により形成することができる。Ag層1の形成方法としては、素材、下地層又はAg層2との密着性、及び製造コストの観点から、めっきが好ましい。
Ag層1は、公知の方法(例えば特許文献1に開示された方法)により形成することができる。Ag層1の形成方法としては、素材、下地層又はAg層2との密着性、及び製造コストの観点から、めっきが好ましい。
より具体的には、シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含むAgめっき液1を用いて、液温10~35℃、電流密度3~15A/dm2の条件で、(素材、下地層又はAg層2に対して)電気めっきを行うことでAg層1を形成することが好ましい。前記Agめっき液1は、80~130g/L(好ましくは80~110g/L)の銀と、60~160g/L(好ましくは70~160g/L)のシアン化カリウムと、50~80mg/L(好ましくは55~70mg/L)のセレンを含む水溶液である。(なお、シアン化銀カリウムとセレノシアン酸カリウムは電離するとシアンイオンとカリウムイオンを生じるが、これらは前記シアン化カリウムの濃度に含めない。)このようにセレン濃度の高いAgめっき液を用いて電気めっきを行うと、優先配向面が{111}面の銀層を好適に形成することができる。また、優先配向面が{111}面の銀層を好適に形成する観点から、この電気めっきは、前記Agめっき液1中のシアン化カリウムの濃度と電流密度の積が840g・A/L・dm2以下となる条件で行うことが好ましく、同様な観点で、前記積が250g・A/L・dm2以上となる条件で行うことが好ましい。
また、上記Agめっき液1を、74~203g/Lのシアン化銀カリウムと70~160g/Lのシアン化カリウムと73~128mg/Lのセレノシアン酸カリウムを含む水溶液からなるAgめっき液としてもよい。
(Ag層2の形成)
Ag層2は、公知の方法(例えば特許文献2に開示された方法)により形成することができる。Ag層2の形成方法としては、素材、下地層又はAg層1との密着性、及び製造コストの観点から、めっきが好ましい。
Ag層2は、公知の方法(例えば特許文献2に開示された方法)により形成することができる。Ag層2の形成方法としては、素材、下地層又はAg層1との密着性、及び製造コストの観点から、めっきが好ましい。
より具体的には、シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含む銀めっき液2を用いて、液温10~40℃、電流密度3~10A/dm2の条件で、(素材、下地層又はAg層1に対して)電気めっきを行うことでAg層2を形成することが好ましい。前記銀めっき液2は、80~110g/Lの銀と、70~160g/Lのシアン化カリウムと、1~15mg/Lのセレンを含有する水溶液である。(なお、シアン化銀カリウムとセレノシアン酸カリウムは電離するとシアンイオンとカリウムイオンを生じるが、これらは前記シアン化カリウムの濃度に含めない。)このように少量のセレンを含むAgめっき液を用いて電気めっきを行うと、優先配向面が{100}面の銀層を好適に形成することができる。
また、上記Agめっき液1を、74~203g/Lのシアン化銀カリウムと70~160g/Lのシアン化カリウムと3~30mg/Lのセレノシアン酸カリウムを含む水溶液からなるAgめっき液としてもよい。
(平均結晶粒径)
上記のような具体的なAg層1及びAg層2の製造方法により、素材上に、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1とAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2を交互に形成して、3層以上のAg層で構成されるAg皮膜を形成する製造方法を提供することができる。このときAg層1の平均結晶粒径をD1、Ag層2の平均結晶粒径をD2としたときに、D2/D1≧3である。
上記のような具体的なAg層1及びAg層2の製造方法により、素材上に、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1とAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2を交互に形成して、3層以上のAg層で構成されるAg皮膜を形成する製造方法を提供することができる。このときAg層1の平均結晶粒径をD1、Ag層2の平均結晶粒径をD2としたときに、D2/D1≧3である。
また、Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.2μm以下、Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上とするAg被覆素材の製造方法を提供することができる。
また、前記Ag層1の厚さを0.5~5μmとすることが好ましく、前記Ag層2の厚さを0.5~5μmとすることが好ましい。
(Agストライクめっき)
素材又は下地層上にAg皮膜を形成する前に、Agストライクめっきにより非常に薄い中間層を形成して、素材又は下地層とAg皮膜との密着性を高めることが好ましい。
素材又は下地層上にAg皮膜を形成する前に、Agストライクめっきにより非常に薄い中間層を形成して、素材又は下地層とAg皮膜との密着性を高めることが好ましい。
<他の層>
Ag被覆素材の実施の形態の説明で上述した通り、本発明においては、素材及びAg皮膜以外に他の層(ニッケルからなる下地層等)を形成してもよい。
Ag被覆素材の実施の形態の説明で上述した通り、本発明においては、素材及びAg皮膜以外に他の層(ニッケルからなる下地層等)を形成してもよい。
素材上にニッケルからなる下地層を形成する場合、この下地層の形成方法としては公知の方法を特に制限なく採用可能であり、素材との密着性及びコストの観点から、電気めっきによる方法が好ましい。
また、製造されるAg被覆素材において耐摩耗性を重視する場合は、最表層としてAg層1(形成方法は上記と同様)を形成することが好ましく、曲げ加工性を重視する場合は、最表層としてAg層2(形成方法は上記と同様)を形成することが好ましい。
[端子部品]
以上説明した本発明のAg被覆素材の実施の形態、及びAg被覆素材の製造方法の実施の形態により製造されたAg被覆素材は、耐熱密着性、曲げ加工性及び耐摩耗性に優れることから、接点や端子部品の構成材料として好適である。
以上説明した本発明のAg被覆素材の実施の形態、及びAg被覆素材の製造方法の実施の形態により製造されたAg被覆素材は、耐熱密着性、曲げ加工性及び耐摩耗性に優れることから、接点や端子部品の構成材料として好適である。
本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
例えば、本実施形態では、Ag皮膜は、前記素材に近い側からAg層1及びAg層2が交互に2層ずつ積層されたAg層を有する場合を例示した。その一方、平均結晶粒径の異なるAg層が交互に積層されていれば少なくとも3層積層しても構わない。例えば、素材に近い側からAg層1、Ag層2、Ag層1と積層してもよいし、Ag層2、Ag層1、Ag層2と積層してもよい。また、Ag皮膜は、4層以上のAg層を有してもよい。例えば、素材に近い側からAg層1、Ag層2、Ag層1、Ag層2、Ag層1、Ag層2と積層してもよいし、Ag層2、Ag層1、Ag層2、Ag層1、Ag層2、Ag層1と積層してもよい。
次に実施例を示し、本発明について具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。なお、以下に記載のない内容は、本実施形態で述べた内容と同様とする。
以下、本発明による銀めっき材及びその製造方法の実施例について詳細に説明する。
[実施例1]
(前処理:電解脱脂と酸洗)
まず、素材(被めっき材)として67mm×50mm×0.3mmの純銅(C1020)からなる圧延板を用意し、この被めっき材とSUS板をアルカリ脱脂液に入れ、被めっき材を陰極とし、SUS板を陽極として、電圧5Vで30秒間電解脱脂を行い、15秒間水洗した後、3%硫酸水溶液中で15秒間酸洗し、15秒間水洗した。
(前処理:電解脱脂と酸洗)
まず、素材(被めっき材)として67mm×50mm×0.3mmの純銅(C1020)からなる圧延板を用意し、この被めっき材とSUS板をアルカリ脱脂液に入れ、被めっき材を陰極とし、SUS板を陽極として、電圧5Vで30秒間電解脱脂を行い、15秒間水洗した後、3%硫酸水溶液中で15秒間酸洗し、15秒間水洗した。
(Niめっき)
次に、25g/Lの塩化ニッケルと35g/Lのホウ酸と540g/Lのスルファミン酸ニッケル四水和物を含む水溶液からなるニッケルめっき液中において、前処理した被めっき材を陰極とし、SKニッケル電極板を陽極として、マグネチックスターラにより500rpmで撹拌しながら、液温55℃で電流密度7A/dm2の条件で、厚さが1μmになるまで電気めっき(ニッケルめっき)を行ってニッケルからなる下地層を形成した後、15秒間水洗した。
次に、25g/Lの塩化ニッケルと35g/Lのホウ酸と540g/Lのスルファミン酸ニッケル四水和物を含む水溶液からなるニッケルめっき液中において、前処理した被めっき材を陰極とし、SKニッケル電極板を陽極として、マグネチックスターラにより500rpmで撹拌しながら、液温55℃で電流密度7A/dm2の条件で、厚さが1μmになるまで電気めっき(ニッケルめっき)を行ってニッケルからなる下地層を形成した後、15秒間水洗した。
(Agストライクめっき)
次に、3g/Lのシアン化銀カリウムと90g/Lのシアン化カリウムを含む水溶液からなるAgストライクめっき液中において、下地層を形成した被めっき材を陰極とし、白金で被覆したチタン電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃、電流密度2A/dm2の条件で10秒間電気めっき(銀ストライクめっき)を行った後、15秒間水洗した。
次に、3g/Lのシアン化銀カリウムと90g/Lのシアン化カリウムを含む水溶液からなるAgストライクめっき液中において、下地層を形成した被めっき材を陰極とし、白金で被覆したチタン電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃、電流密度2A/dm2の条件で10秒間電気めっき(銀ストライクめっき)を行った後、15秒間水洗した。
(Agめっき工程A)
次に、175g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)(銀の濃度は95g/L)と、95g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、55mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなるAgめっき液中において、Agストライクめっきされた被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃で電流密度5A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが1.25μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行い、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥して、1層目のAgめっき皮膜(層)が形成された被めっき材を得た。なお、本願明細書中においてこのAgめっき工程を「Agめっき工程A」という。なお、Agめっき液中のSeは、セレノシアン酸カリウムの添加により供給された。
次に、175g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)(銀の濃度は95g/L)と、95g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、55mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなるAgめっき液中において、Agストライクめっきされた被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃で電流密度5A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが1.25μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行い、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥して、1層目のAgめっき皮膜(層)が形成された被めっき材を得た。なお、本願明細書中においてこのAgめっき工程を「Agめっき工程A」という。なお、Agめっき液中のSeは、セレノシアン酸カリウムの添加により供給された。
(結晶配向性の評価)
このようにして得られた1層目のAgめっき皮膜の表面についてX線回折分析装置(理学電気株式会社製の全自動多目的水平型X線回折装置Smart Lab)により、Cu管球、Kβフィルター法により評価した。走査範囲2θを5~120deg、走査速度50deg/minで走査して得られたX線回折パターンから、Agめっき皮膜の111回折ピーク、200回折ピーク、220回折ピーク及び311回折ピークの各々のX線回折ピーク強度(X線回折ピークの強度)をJCPDSカードNo.40783に記載された各々の相対強度比(粉末測定時の相対強度比)(111:200:220:311=100:40:25:26)で割ることにより補正して得られる値(補正強度)を求めた。この補正強度が最も強いX線回折ピークに対応する結晶面を、上記1層目のAgめっき皮膜の優先配向面とした。その結果、優先配向面は{111}面であった。
このようにして得られた1層目のAgめっき皮膜の表面についてX線回折分析装置(理学電気株式会社製の全自動多目的水平型X線回折装置Smart Lab)により、Cu管球、Kβフィルター法により評価した。走査範囲2θを5~120deg、走査速度50deg/minで走査して得られたX線回折パターンから、Agめっき皮膜の111回折ピーク、200回折ピーク、220回折ピーク及び311回折ピークの各々のX線回折ピーク強度(X線回折ピークの強度)をJCPDSカードNo.40783に記載された各々の相対強度比(粉末測定時の相対強度比)(111:200:220:311=100:40:25:26)で割ることにより補正して得られる値(補正強度)を求めた。この補正強度が最も強いX線回折ピークに対応する結晶面を、上記1層目のAgめっき皮膜の優先配向面とした。その結果、優先配向面は{111}面であった。
(Agめっき工程B)
次に、175g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)(銀の濃度は95g/L)と、95g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、6mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなる銀めっき液中において、前記1層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃で電流密度5A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが1.25μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、2層目のAgめっき皮膜(層)が形成された被めっき材を得た。
次に、175g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)(銀の濃度は95g/L)と、95g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、6mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなる銀めっき液中において、前記1層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温18℃で電流密度5A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが1.25μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、2層目のAgめっき皮膜(層)が形成された被めっき材を得た。
なお、本願明細書中においてこのAgめっき工程を「Agめっき工程B」という。Agめっき液中のSeは、セレノシアン酸カリウムの添加により供給された。
また、後述する比較例2で同様の条件で作製されるAgめっき皮膜のX線回折による評価の結果より、本工程の2層目のAgめっき皮膜の優先配向面は{100}面となる。
(Agめっき工程A(2回目))
次に、前記2層目のAgめっき皮膜が形成された試料を被めっき材とし、前記「Agめっき工程A」と同様に電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、3層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材を得た。
次に、前記2層目のAgめっき皮膜が形成された試料を被めっき材とし、前記「Agめっき工程A」と同様に電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、3層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材を得た。
(Agめっき工程B(2回目))
次に、前記3層目のAgめっき皮膜が形成された試料を被めっき材とし、前記「Agめっき工程B」と同様に電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、4層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材(すなわちAg被覆素材)を得た。
次に、前記3層目のAgめっき皮膜が形成された試料を被めっき材とし、前記「Agめっき工程B」と同様に電気めっき(Agめっき)を行った後、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、4層目のAgめっき皮膜が形成された被めっき材(すなわちAg被覆素材)を得た。
このようにして、各層の厚さが1.25μm、合計厚さが5μmの4層のAgめっき皮膜が形成されたAg被覆素材を得た。また、これらAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
このAg被覆素材について、各Ag層の断面の結晶粒径、曲げ加工性、耐熱密着性、ビッカース硬さ、接触抵抗、耐摩耗性を評価した。
図1は、実施例1のAg被覆素材の断面のSIM(走査イオン顕微鏡)像を示す写真である。
図1に示すように、下から、素材、Niめっき層、Agめっき工程Aによる1層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Bによる2層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Aによる3層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Bによる4層目のAgめっき皮膜が確認される。Agストライクめっき層は薄いため、図1では視認困難である。
図1に示すように、下から、素材、Niめっき層、Agめっき工程Aによる1層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Bによる2層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Aによる3層目のAgめっき皮膜、Agめっき工程Bによる4層目のAgめっき皮膜が確認される。Agストライクめっき層は薄いため、図1では視認困難である。
(結晶粒径)
Ag被覆素材を切断してその断面をEBSD解析におけるArea Fraction法で平均結晶粒径(エリア平均粒径)を測定した。
詳しくは、以下の通りである。
Ag被覆素材を切断した断面を、クロスセクションポリッシャー(日本電子株式会社製のIB-09010CP)によりミリング処理して鏡面とした。この断面について、電子線後方散乱回折(Electron BackScatter Diffraction(EBSD))分析装置(株式会社TSLソリューションズ製のOIM Analysis)を備えたフィールドエミッションオージェマイクロプローブ(日本電子株式会社製のJAMP-9500F)を使用して、加速電圧15kV、倍率20000倍、測定視野5.0μm×10.0μm、ステップサイズ20nmとしてEBSD測定を行った。
この測定結果から、データ収集用ソフト(株式会社TSLソリューションズ製のOIM-DC)とデータ解析用ソフト(株式会社TSLソリューションズ製のOIM)を用いて、逆極点図(Inverse Pole Figure(IPF))マップを作成した。
このIPFマップに基づいて、上記のデータ解析用ソフトにより解析された信頼性指数(Confidence Index(CI)値)が0.1以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の結晶方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなして、上記のデータ解析用ソフトによりArea Fraction法に基づいて、平均結晶粒径(エリア平均粒径)を算出した。
その結果、平均結晶粒径(エリア平均粒径)の値は、基材に近い側から第1層では0.080μm、第2層では0.420μm、第3層では0.080μm、第4層では0.563μmであった。すなわち隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
Ag被覆素材を切断してその断面をEBSD解析におけるArea Fraction法で平均結晶粒径(エリア平均粒径)を測定した。
詳しくは、以下の通りである。
Ag被覆素材を切断した断面を、クロスセクションポリッシャー(日本電子株式会社製のIB-09010CP)によりミリング処理して鏡面とした。この断面について、電子線後方散乱回折(Electron BackScatter Diffraction(EBSD))分析装置(株式会社TSLソリューションズ製のOIM Analysis)を備えたフィールドエミッションオージェマイクロプローブ(日本電子株式会社製のJAMP-9500F)を使用して、加速電圧15kV、倍率20000倍、測定視野5.0μm×10.0μm、ステップサイズ20nmとしてEBSD測定を行った。
この測定結果から、データ収集用ソフト(株式会社TSLソリューションズ製のOIM-DC)とデータ解析用ソフト(株式会社TSLソリューションズ製のOIM)を用いて、逆極点図(Inverse Pole Figure(IPF))マップを作成した。
このIPFマップに基づいて、上記のデータ解析用ソフトにより解析された信頼性指数(Confidence Index(CI)値)が0.1以下である測定点を除き、隣接するピクセル間の結晶方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなして、上記のデータ解析用ソフトによりArea Fraction法に基づいて、平均結晶粒径(エリア平均粒径)を算出した。
その結果、平均結晶粒径(エリア平均粒径)の値は、基材に近い側から第1層では0.080μm、第2層では0.420μm、第3層では0.080μm、第4層では0.563μmであった。すなわち隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
(曲げ加工性)
Ag被覆素材の曲げ加工性は、JIS Z2248のVブロック法に準じて、Ag被覆素材を素材の圧延方向に対して垂直方向に曲げ半径R=1.0mm及びR=0.5mmの2水準で90度に折り曲げた後、その折り曲げた箇所を顕微鏡(キーエンス社製のデジタルマイクロスコープVHX-1000)により500倍に拡大して観察し、曲げ部(山折り部)の素地(Niめっき又はCu素材)の露出の有無によって評価した。なお、曲げ半径Rは、Ag被覆素材に押し当てて折り曲げる押し子の湾曲部の半径であり、曲げ半径Rを板厚tで除した値R/tはそれぞれ3.3(R=1.0の場合)、1.67(R=0.5の場合)である。
Ag被覆素材の曲げ加工性は、JIS Z2248のVブロック法に準じて、Ag被覆素材を素材の圧延方向に対して垂直方向に曲げ半径R=1.0mm及びR=0.5mmの2水準で90度に折り曲げた後、その折り曲げた箇所を顕微鏡(キーエンス社製のデジタルマイクロスコープVHX-1000)により500倍に拡大して観察し、曲げ部(山折り部)の素地(Niめっき又はCu素材)の露出の有無によって評価した。なお、曲げ半径Rは、Ag被覆素材に押し当てて折り曲げる押し子の湾曲部の半径であり、曲げ半径Rを板厚tで除した値R/tはそれぞれ3.3(R=1.0の場合)、1.67(R=0.5の場合)である。
その結果、いずれの曲げ半径で折り曲げた場合においても素地の露出は観察されず、曲げ加工性が良好であった。
(耐熱密着性)
このAg被覆素材から2枚の試験片(50mm×10mm)を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を接触させた後、ゼムクリップ(TANOSEEゼムクリップ 大 サイズ28mm、形式 TG-2G)により両者を挟んで固定し、200℃の恒温槽(アズワン株式会社製恒温槽OF-450)に入れて120時間保持した後に取り出し、ゼムクリップを外して、二つの試験片を分離した。このような試験片を3組作製して評価した。
このAg被覆素材から2枚の試験片(50mm×10mm)を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を接触させた後、ゼムクリップ(TANOSEEゼムクリップ 大 サイズ28mm、形式 TG-2G)により両者を挟んで固定し、200℃の恒温槽(アズワン株式会社製恒温槽OF-450)に入れて120時間保持した後に取り出し、ゼムクリップを外して、二つの試験片を分離した。このような試験片を3組作製して評価した。
この分離した平板状試験片及びエンボス付き試験片の接触していた部分を、顕微鏡(株式会社キーエンス製形状解析レーザ顕微鏡VK-X150)を使用して、対物レンズ×50で観察し、3組中いずれか1組の試験片において下地層であるNiめっき層の露出が観察された場合(すなわちAgめっきの剥離が観察された場合)をNG、3組全て下地層が観察されない場合をGoodと判定した。Niめっき層の露出の有無がわかりにくい場合は、EPMA(電子プローブマイクロアナライザー)で確認することができる。
上記評価の結果、3組の試験片は全てGoodであり、耐熱密着性は良好であった。
なお、実施例1に限り200℃で1000時間保持する条件でも耐熱密着性を評価したが、3組の試験片は全てGoodであり、耐熱密着性は良好であった。
(ビッカース硬さ)
Ag被覆素材の表面のビッカース硬さHVは、微小硬さ試験機(株式会社ミツトヨ製のHM-221)を使用し、測定荷重10gfを下降時間3秒、保持時間10秒、上昇時間3秒として圧痕を形成し、JIS Z2244に準じて測定した。その結果、ビッカース硬さHVは110であった。ビッカース硬さHVが98以上であれば、良好な耐摩耗性が期待される。
Ag被覆素材の表面のビッカース硬さHVは、微小硬さ試験機(株式会社ミツトヨ製のHM-221)を使用し、測定荷重10gfを下降時間3秒、保持時間10秒、上昇時間3秒として圧痕を形成し、JIS Z2244に準じて測定した。その結果、ビッカース硬さHVは110であった。ビッカース硬さHVが98以上であれば、良好な耐摩耗性が期待される。
(接触抵抗)
Ag被覆素材から2枚の試験片を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を荷重5Nで接触させ、測定電流を10mAとし、株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験機CRS-G2050-DWA型を用いて接触抵抗値を測定した。その結果、接触抵抗は0.4mΩであった。
Ag被覆素材から2枚の試験片を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を荷重5Nで接触させ、測定電流を10mAとし、株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験機CRS-G2050-DWA型を用いて接触抵抗値を測定した。その結果、接触抵抗は0.4mΩであった。
(耐摩耗性)
Ag被覆素材から2枚の試験片を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を荷重5Nで接触させ、株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験機CRS-G2050-DWA型を用いて、摺動速度1.67mm/s、摺動距離5mmで往復摺動させ、摺動回数10回終了後ごとに銅素地が露出の有無を確認し、銅素地が露出するまでの回数を測定した。その結果、80回の往復摺動動作後まで銅素地が露出せず、耐摩耗性は良好であった。
Ag被覆素材から2枚の試験片を切り出して、一方の試験片を平板状試験片とするとともに、他方の試験片をエンボス加工(内側R=1.5mmの半球状の打ち出し加工)してエンボス付き試験片(圧子)とし、平板状試験片にエンボス付き試験片の凸部を荷重5Nで接触させ、株式会社山崎精機研究所製の精密摺動試験機CRS-G2050-DWA型を用いて、摺動速度1.67mm/s、摺動距離5mmで往復摺動させ、摺動回数10回終了後ごとに銅素地が露出の有無を確認し、銅素地が露出するまでの回数を測定した。その結果、80回の往復摺動動作後まで銅素地が露出せず、耐摩耗性は良好であった。
[実施例2]
Agめっき工程Aにおいて厚さ2.5μmのAgめっき層を形成し、Agめっき工程Bにおいて厚さ2.5μmのAgめっき層を形成して、合計厚さ10μmのAgめっき皮膜を形成した以外は、実施例1と同様の製造方法で4層のAgめっきからなるAg被覆素材を作製した。また、これらAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
また、実施例1と同様に、隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
Agめっき工程Aにおいて厚さ2.5μmのAgめっき層を形成し、Agめっき工程Bにおいて厚さ2.5μmのAgめっき層を形成して、合計厚さ10μmのAgめっき皮膜を形成した以外は、実施例1と同様の製造方法で4層のAgめっきからなるAg被覆素材を作製した。また、これらAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
また、実施例1と同様に、隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
このAgめっき材について、実施例1と同様に曲げ加工性の評価を行った。その結果、曲げ半径Rが1.0mmにおいて素地の露出は観察されず曲げ加工性は良好であった。また、曲げ半径を0.5mmとした条件においては素地の露出が確認された。
また、実施例1と同様に耐熱密着性を評価したところ、3組の試験片は全てGoodであり、良好であった。
[実施例3]
素材側から1層目としてAgめっき工程Aにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成し、2層目としてAgめっき工程Bにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成して、3層目としてAgめっき工程Aにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成し、4層目としてAgめっき工程Bにおいて厚さ2μmのAgめっき層を形成して、Agめっき層合計厚さ5μmのAgめっき皮膜を形成した以外は、実施例1と同様の製造方法で4層のAgめっきからなるAg被覆素材を作製した。また、これらAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
また、実施例1と同様に、隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
素材側から1層目としてAgめっき工程Aにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成し、2層目としてAgめっき工程Bにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成して、3層目としてAgめっき工程Aにおいて厚さ1μmのAgめっき層を形成し、4層目としてAgめっき工程Bにおいて厚さ2μmのAgめっき層を形成して、Agめっき層合計厚さ5μmのAgめっき皮膜を形成した以外は、実施例1と同様の製造方法で4層のAgめっきからなるAg被覆素材を作製した。また、これらAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
また、実施例1と同様に、隣接するAgめっきの層の平均結晶粒径の比は3以上であった。
このAgめっき材について、実施例1と同様に曲げ加工性の評価を行った。その結果、曲げ半径Rが1.0mmにおいて素地の露出は観察されず曲げ加工性は良好であった。また、曲げ半径を0.5mmとした条件においては素地の露出が確認された。
また、実施例1と同様に耐熱密着性を評価したところ、3組の試験片は全てGoodであり、良好であった。
[比較例1]
1層目のAgめっき層を(「Agめっき工程A」によって)厚さが5μmとなるように形成し、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
1層目のAgめっき層を(「Agめっき工程A」によって)厚さが5μmとなるように形成し、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
このAg被覆素材の表面を実施例1の結晶配向性の評価と同様の方法で評価したところ、優先配向面は{111}面であった。
このAgめっき材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性、ビッカース硬さ、接触抵抗、耐摩耗性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mm、0.5mmのどちらも素地の露出が確認され曲げ加工性が悪く、耐熱密着性はNGであった。また、ビッカース硬さHVは140、接触抵抗は0.6mΩ、耐摩耗性は80回の往復摺動動作後まで銅素地が露出せず、耐摩耗性は良好であった。
[比較例2]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが5μmとなるように形成し、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAgめっき材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが5μmとなるように形成し、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAgめっき材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
このAg被覆素材の表面を実施例1の結晶配向性の評価と同様の方法で評価したところ、優先配向面は{100}面であった。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性、ビッカース硬さ、接触抵抗、耐摩耗性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mmの条件では素地の露出が確認されず良好であった。0.5mmの条件では素地の露出が確認された。また、耐熱密着性はNGであった。また、ビッカース硬さHVは90、接触抵抗は0.2mΩ、耐摩耗性は50回の往復摺動動作後に銅素地が露出し、耐摩耗性は劣っていた。
[比較例3]
Agストライクめっきの後に、115g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)と、60g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、32mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなるAgめっき液中において、Agストライクめっきされた被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温30℃において電流密度2A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが5μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行い、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、1層目のAgめっき層を得、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
Agストライクめっきの後に、115g/Lのシアン化銀カリウム(KAg(CN)2)と、60g/Lのシアン化カリウム(KCN)と、32mg/LのSe(セレン)を含む水溶液からなるAgめっき液中において、Agストライクめっきされた被めっき材を陰極とし、純度99.99質量%以上のAgからなるAg電極板を陽極として、スターラにより500rpmで撹拌しながら液温30℃において電流密度2A/dm2の条件でAgめっき皮膜の厚さが5μmになるまで電気めっき(Agめっき)を行い、15秒間水洗し、エアガンによる風圧で乾燥し、1層目のAgめっき層を得、2層目、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は1層目のみの単層である。
なお、本願明細書中においてこの1層目のAgめっき層の形成工程を「Agめっき工程C」という。
このAg被覆素材の表面を実施例1の結晶配向性の評価と同様の方法で評価したところ、優先配向面は{110}面であった。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性、ビッカース硬さの評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mm、0.5mmのどちらも素地の露出が確認され曲げ加工性が悪く、また、耐熱密着性はNGであった。また、ビッカース硬さHVは110であった。
[比較例4]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mmの条件では素地の露出が確認されず良好であった。曲げ半径Rが0.5mmの条件では素地の露出が確認された。また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例5]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mmの条件では素地の露出が確認されず良好であった。曲げ半径Rが0.5mmの条件では素地の露出が確認された。また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例6]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき皮膜の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき皮膜の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mmの条件では素地の露出が確認されず良好であった。曲げ半径Rが0.5mmの条件では素地の露出が確認された。また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例7]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mmの条件では素地の露出が確認されず良好であった。曲げ半径Rが0.5mmの条件では素地の露出が確認された。また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例8]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mm、0.5mmのどちらも素地の露出が確認され曲げ加工性が悪く、また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例9]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程A」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって厚さが2.5μmとなるように形成し、3層目及び4層目のAgめっき層の形成を行わなかった以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は2層のAgめっき層からなる。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mm、0.5mmのどちらも素地の露出が確認され曲げ加工性が悪く、また、耐熱密着性はNGであった。
[比較例10]
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって形成し、3層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって形成し、4層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって形成した以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は4層のAgめっき層からなり、各層のAgめっき層の厚さは1.25μmで、全Agめっき皮膜の合計の厚さは5μmである。
1層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって形成し、2層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって形成し、3層目のAgめっき層を「Agめっき工程C」によって形成し、4層目のAgめっき層を「Agめっき工程B」によって形成した以外は実施例1と同様の方法でAg被覆素材の作製を行った。すなわちAg皮膜は4層のAgめっき層からなり、各層のAgめっき層の厚さは1.25μmで、全Agめっき皮膜の合計の厚さは5μmである。
このAg被覆素材の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を実施例1と同様に測定した結果、基材に近い側から第1層は0.213μm、第2層は0.265μm、第3層は0.119μm、第4層は0.251μmであった。すなわち、隣接する各層平均結晶粒径の比は3未満であった。
このAg被覆素材について、実施例1と同様に曲げ加工性、耐熱密着性の評価を行った。その結果、曲げ加工性は曲げ半径Rが1.0mm、0.5mmのどちらも素地の露出が確認され曲げ加工性が悪く、また、耐熱密着性はNGであった。
また、比較例1~10のAgめっき層のAgの純度(濃度)はいずれも99.9質量%以上であった。
これらの実施例及び比較例のAg被覆素材の製造条件及び特性を表1に示す。
表1からわかるように、実施例1で製造したAg被覆素材は、曲げ加工性、耐摩耗性及び耐熱密着性が良好である。
Claims (28)
- 素材、及び該素材上に形成されたAg皮膜を有するAg被覆素材であって、
前記Ag皮膜は、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層が交互に少なくとも3層積層されたAg層を有することを特徴とする、Ag被覆素材。 - 前記Ag皮膜は、4層以上積層されたAg層を有することを特徴とする、請求項1に記載のAg被覆素材。
- 前記Ag皮膜は、前記素材に近い側から、平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2が交互に積層されたAg層を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載のAg被覆素材。
- 前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.2μm以下であることを特徴とする、請求項3に記載のAg被覆素材。
- 前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)が0.3μm以上であることを特徴とする、請求項3又は4に記載のAg被覆素材。
- 前記Ag層1の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする、請求項3~5のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記Ag層2の厚さが0.5~5μmであることを特徴とする、請求項3~6のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記Ag層1の優先配向面が{111}面であり、前記Ag層2の優先配向面が{100}面であることを特徴とする、請求項3~7のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記Ag被覆素材の最表層が、前記Ag層2で構成されていることを特徴とする、請求項3~8のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記素材と前記Ag皮膜との間にNiからなる下地層が形成されていることを特徴とする、請求項1~9のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする、請求項1~10のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 前記Ag被覆素材のビッカース硬さHVが100以上であることを特徴とする、請求項1~11のいずれかに記載のAg被覆素材。
- 素材上に、平均結晶粒径が3倍以上異なるAg層を交互に少なくとも3層積層してAg皮膜を形成することを特徴とする、Ag被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層を4層以上積層して前記Ag皮膜を形成することを特徴とする、請求項13に記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記素材上に、
平均結晶粒径の小さいAgからなるAg層1及びAg層1よりも平均結晶粒径の大きいAgからなるAg層2を交互に形成することを特徴とする、請求項13又は14に記載のAg被覆素材の製造方法。 - 前記Ag層1の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.2μm以下とすることを特徴とする、請求項15に記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層2の平均結晶粒径(エリア平均粒径)を0.3μm以上とすることを特徴とする、請求項15又は16に記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層1の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする、請求項15~17のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層2の厚さを0.5~5μmとすることを特徴とする、請求項15~18のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層1の優先配向面を{111}面とし、前記Ag層2の優先配向面を{100}面とすることを特徴とする、請求項15~19のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag被覆素材の最表層として、前記Ag層2を形成することを特徴とする、請求項15~20のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層1を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含むAgめっき液1を用い、液温10~35℃、電流密度3~15A/dm2の条件で電気めっきを行うことで形成し、
前記Agめっき液1は、
80~130g/Lの銀と、
60~160g/Lのシアン化カリウムと、
50~80mg/Lのセレンを含む水溶液であることを特徴とする、請求項15~21のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。 - 前記セレンが55~70mg/Lであることを特徴とする、請求項22に記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Agめっき液1中のシアン化カリウムの濃度と電流密度の積が840g・A/L・dm2以下となる条件で前記電気めっきを行うことを特徴とする、請求項22又は23に記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記Ag層2を、
シアン化銀カリウムと、シアン化カリウムと、セレノシアン酸カリウムを含む銀めっき液2を用い、液温10~40℃、電流密度3~10A/dm2で電気めっきを行うことで形成し、
前記銀めっき液2は、
80~110g/Lの銀と、
70~160g/Lのシアン化カリウムと、
1~15mg/Lのセレンを含有する水溶液であることを特徴とする、請求項15~24のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。 - 前記素材上にNiからなる下地層を形成し、該下地層上に、前記Ag皮膜を形成することを特徴とする、請求項13~25のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 前記素材がCu又はCu合金からなることを特徴とする、請求項13~26のいずれかに記載のAg被覆素材の製造方法。
- 請求項1~12のいずれかに記載のAg被覆素材を構成材料として用いたことを特徴とする、端子部品。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020204658A JP2022092093A (ja) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 |
US18/265,096 US20240018680A1 (en) | 2020-12-10 | 2021-07-14 | Ag-coated material, method for producing ag-coated material, and terminal component |
MX2023006775A MX2023006775A (es) | 2020-12-10 | 2021-07-14 | Material recubierto de plata, metodo para manufacturar el material recubierto de plata y componente terminal. |
CN202180082261.0A CN116568865A (zh) | 2020-12-10 | 2021-07-14 | 覆Ag坯料、覆Ag坯料的制造方法及端子部件 |
EP21902924.6A EP4261329A4 (en) | 2020-12-10 | 2021-07-14 | AG-COATED MATERIAL, MANUFACTURING PROCESS FOR AG-COATED MATERIAL AND END DEVICE COMPONENT |
PCT/JP2021/026418 WO2022123818A1 (ja) | 2020-12-10 | 2021-07-14 | Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2020204658A JP2022092093A (ja) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2022092093A true JP2022092093A (ja) | 2022-06-22 |
Family
ID=81974365
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020204658A Pending JP2022092093A (ja) | 2020-12-10 | 2020-12-10 | Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20240018680A1 (ja) |
EP (1) | EP4261329A4 (ja) |
JP (1) | JP2022092093A (ja) |
CN (1) | CN116568865A (ja) |
MX (1) | MX2023006775A (ja) |
WO (1) | WO2022123818A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023079476A (ja) * | 2021-11-29 | 2023-06-08 | 矢崎総業株式会社 | 端子用めっき材並びにそれを用いた端子及び端子付き電線 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1966779A (zh) * | 2005-11-17 | 2007-05-23 | 中国科学院兰州化学物理研究所 | 镍-铜-银多层膜的制备方法 |
JP4887533B2 (ja) * | 2006-09-29 | 2012-02-29 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき金属部材およびその製造法 |
JP2008169408A (ja) * | 2007-01-09 | 2008-07-24 | Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk | コネクタ用銀めっき端子 |
JP5209550B2 (ja) * | 2009-03-23 | 2013-06-12 | 国立大学法人 熊本大学 | 銀めっき材の製造方法 |
JP5667543B2 (ja) | 2011-09-30 | 2015-02-12 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
JP5848168B2 (ja) * | 2012-03-14 | 2016-01-27 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材 |
JP2014095139A (ja) | 2012-11-12 | 2014-05-22 | Oriental Mekki Kk | 銀めっき積層体 |
JP6086532B2 (ja) * | 2013-03-21 | 2017-03-01 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材 |
JP6395560B2 (ja) | 2013-11-08 | 2018-09-26 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
JP6472191B2 (ja) * | 2014-02-07 | 2019-02-20 | 神鋼リードミック株式会社 | 差し込みコネクタ |
JP6309372B2 (ja) | 2014-07-01 | 2018-04-11 | 日本航空電子工業株式会社 | コネクタ |
WO2016121312A1 (ja) * | 2015-01-30 | 2016-08-04 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
JP6611602B2 (ja) * | 2015-01-30 | 2019-11-27 | Dowaメタルテック株式会社 | 銀めっき材およびその製造方法 |
-
2020
- 2020-12-10 JP JP2020204658A patent/JP2022092093A/ja active Pending
-
2021
- 2021-07-14 CN CN202180082261.0A patent/CN116568865A/zh active Pending
- 2021-07-14 EP EP21902924.6A patent/EP4261329A4/en active Pending
- 2021-07-14 WO PCT/JP2021/026418 patent/WO2022123818A1/ja active Application Filing
- 2021-07-14 MX MX2023006775A patent/MX2023006775A/es unknown
- 2021-07-14 US US18/265,096 patent/US20240018680A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
MX2023006775A (es) | 2023-06-20 |
EP4261329A1 (en) | 2023-10-18 |
US20240018680A1 (en) | 2024-01-18 |
WO2022123818A1 (ja) | 2022-06-16 |
EP4261329A4 (en) | 2024-10-09 |
CN116568865A (zh) | 2023-08-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
AU2012310742B2 (en) | Metal material for electronic components and method for producing same | |
JP6304447B2 (ja) | 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
US9966163B2 (en) | Electric contact material for connector and method for producing same | |
JP5848168B2 (ja) | 銀めっき材 | |
JP4986499B2 (ja) | Cu−Ni−Si合金すずめっき条の製造方法 | |
CA2863505A1 (en) | Press-fit terminal and electronic component using the same | |
CN110997985A (zh) | 附银皮膜端子材及附银皮膜端子 | |
JP2015110833A (ja) | 銀めっき材およびその製造方法 | |
WO2018139628A1 (ja) | コネクタ用端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
JP2017150055A (ja) | めっき付銅端子材及びその製造方法並びに端子 | |
WO2022123818A1 (ja) | Ag被覆素材、Ag被覆素材の製造方法及び端子部品 | |
JP2018159125A (ja) | Snめっき材およびその製造方法 | |
JP7335679B2 (ja) | 導電材 | |
JP6193687B2 (ja) | 銀めっき材およびその製造方法 | |
JP6086531B2 (ja) | 銀めっき材 | |
JPWO2019022188A1 (ja) | 錫めっき付銅端子材及び端子並びに電線端末部構造 | |
JP2014095139A (ja) | 銀めっき積層体 | |
JP6825360B2 (ja) | めっき付銅端子材及び端子 | |
JP2020056056A (ja) | 銅端子材、銅端子及び銅端子材の製造方法 | |
JP2020128575A (ja) | コネクタ用端子材、コネクタ用端子及びコネクタ用端子材の製造方法 | |
JP2018016878A (ja) | 錫めっき付銅端子材の製造方法 | |
EP3916133A1 (en) | Connector terminal material and connector terminal | |
WO2021199526A1 (ja) | 銀めっき材およびその製造方法、並びに、端子部品 | |
WO2024116940A1 (ja) | 銀被覆材の製造方法、銀被覆材および通電部品 | |
JP2020196909A (ja) | 電気接点用材料およびその製造方法、コネクタ端子、コネクタならびに電子部品 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20231011 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20240820 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20241016 |