JP2021040088A - 固体撮像装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】光の散乱による混色を防止することができる固体撮像装置を提供すること。【解決手段】複数の画素が配列され、該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材、又は該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、固体撮像装置を提供する。【選択図】図１

Description

本技術は、固体撮像装置及び電子機器に関する。

近年、デジタルカメラは、益々、普及が進んでおり、その中心部品である固体撮像装置（イメージセンサ）の需要はますます高まっている。また、固体撮像装置の性能面では高画質化及び高機能化を実現するための技術開発が続けられている。例えば、入射光に対する感度低下や位相差検出精度の低下などの不具合を回避するために、画像の画素信号を生成する通常画素と、ＡＦ機能の一方式である像面位相差ＡＦを制御するための位相差信号算出に用いられる画素信号を生成する位相差検出画素とが混載された固体撮像素子に関する技術が提案されている（特許文献１を参照。）。

国際公開第２０１６／０９８６４０号

しかしながら、特許文献１で提案された技術では、複数の光電変換部（フォトダイオード）間（画素の中央分離帯であって、オンチップレンズの集光部）付近で光の散乱が生じやすく、散乱した光による混色が増えるおそれがある。

そこで、本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、光の散乱による混色を防止することができる固体撮像装置、及びその固体撮像装置が搭載された電子機器を提供することを主目的とする。

本発明者は、上述の目的を解決するために鋭意研究を行った結果、混色の防止に成功し、本技術を完成するに至った。

すなわち、本技術では、第１の側面として、 複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられている、固体撮像装置を提供する。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光吸収部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光吸収部材と絶縁膜とが設けられていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、光吸収部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
前記光吸収部材が、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含んでもよい。

本技術に係る第１の側面の固体撮像装置において、
２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられていてもよい。

また、本技術では、第２の側面として、
複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、固体撮像装置を提供する。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、光反射部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光反射部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光反射部材と絶縁膜とが設けられていてもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
前記光反射部材が金（Ａｕ）及び／又は銀（Ａｇ）を含んでもよい。

本技術に係る第２の側面の固体撮像装置において、
２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられていてもよい。

さらに、本技術では、本技術に係る固体撮像装置が搭載された、電子機器を提供する。

本技術によれば、光の散乱による混色を防止することができる。なお、ここに記載された効果は、必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。

本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。 本技術を適用した第１〜第４の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。 本技術を適用した第５の実施形態に係る電子機器の一例の機能ブロック図である。 内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。 カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。 車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。 車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。

以下、本技術を実施するための好適な形態について説明する。以下に説明する実施形態は、本技術の代表的な実施形態の一例を示したものであり、これにより本技術の範囲が狭く解釈されることはない。なお、特に断りがない限り、図面において、「上」とは図中の上方向又は上側を意味し、「下」とは、図中の下方向又は下側を意味し、「左」とは図中の左方向又は左側を意味し、「右」とは図中の右方向又は右側を意味する。また、図面については、同一又は同等の要素又は部材には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

説明は以下の順序で行う。
１．本技術の概要
２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）
３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）
４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）
５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）
６．第５の実施形態（電子機器の例）
７．本技術を適用した固体撮像装置の使用例
８．内視鏡手術システムへの応用例
９．移動体への応用例

＜１．本技術の概要＞
まず、本技術の概要について説明をする。

位相差ＡＦやＨＤＲ機能のため、同一のフォトダイオード内に単一のオンチップレンズを作製し、画素間を掘り込み酸化膜などで分離する画素構造がある。しかしながら、この画素構造は中央帯の絶縁膜（ＳｉＯ_２）に集光されるため光が散乱し、混色が増えるというおそれがある。またモスアイ構造は形成されていないため感度が増幅されない。

本技術では、位相差ＡＦ機能及びＨＤＲ機能の両者を実現しながら、光吸収部材及び／又は光反射部材を用いて、複数の光電変換部（フォトダイオード）間（画素の中央分離帯であって、オンチップレンズの集光部）付近の混色要因となる光を吸収及び／又は反射をして、混色を防止することができる。さらに本技術では、モスアイ構造を組み合わせることで、光の散乱増加と光路長が伸びることで感度を増加させることができる。本技術では、可視光に加えて、近赤外などの長波長側の感度を増加させることができる。

以下に、本技術に係る実施の形態について詳細に説明をする。

＜２．第１の実施形態（固体撮像装置の例１）＞
本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置は、複数の画素が配列され、画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、複数の光電変換部の間には、１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられている、固体撮像装置である。本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置においては、複数の光電変換部の間にはトレンチが形成されて、トレンチ内の少なくとも一部に、光吸収部材が設けられていてもよく、トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光吸収部材と絶縁膜とが設けられていてもよく、さらに、トレンチの光入射側である上方に、光吸収部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置について、図１〜図３及び図５〜図７を用いて説明をする。図１〜図３及び図５〜図７は、本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。

まず、図１を用いて説明をする。図１は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置１００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置１００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図１中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１ａ及び５−１ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１ａとフォトダイオード５−１ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光（スポットＰ１に集光された光）の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１が設けられている。図１に示されるように、光吸収部材１−１により、スポットＰ１に集光された光Ｌ１（混色成分）は吸収されて、光Ｌ１は、矢印（×印）Ｓ１のように、フォトダイオード５−１ａにも到達せず、散乱しないので混色を防止することができる。

光吸収部材１−１は、半導体基板７の受光面（図１中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に充填されている。光吸収部材１−１はタングステン（Ｗ）から構成されている。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図１中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−１が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、光吸収部材１−１（図１ではタングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−１（図１ではタングステン（Ｗ））が充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図２を用いて説明をする。図２は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置２００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置２００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図２中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−２ａ及び５−２ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−２ａとフォトダイオード５−２ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−２が設けられている。

光吸収部材１−２は、半導体基板７の受光面（図２中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−２は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されている。金属酸化膜２は、例えば、ピニング膜として機能し、半導体基板７との界面部分において正電荷（ホール）蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されてよい。負の固定電荷を有するように金属酸化膜２（ピニング膜）を形成することで、その負の固定電荷によって、半導体基板７との界面に電界が加わるので、正電荷蓄積領域が形成される。金属酸化膜２（ピニング膜）は、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）を用いて形成される。また、金属酸化膜２（ピニング膜）は、例えば、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等を用いて形成されてもよい。そして、金属酸化膜２（ピニング膜）は、単層から形成された単層膜の構成を有してもよいし、複数の層から形成された積層膜の構成を有してもよい。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図２中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−２が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、トレンチ構造８が形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、光吸収部材１−２（図２では、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種）が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−２（図２では例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種）が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図３を用いて説明をする。図３は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置３００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置３００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図３中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−３ａ及び５−３ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−３ａとフォトダイオード５−３ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−３が設けられている。

光吸収部材１−３は、半導体基板７の受光面（図３中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して、絶縁膜４−１（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）上に充填されている。すなわち、トレンチ構造８には、光入射側から順（図３中の上側から下側への方向）に、光吸収部材１−３と絶縁膜４−１とが充填されている。光吸収部材１−３と絶縁膜４−１との充填量は、光の波長によって変更することができる。例えば、短波の光（Ｂ光）を吸収する場合は、光の集光点は浅いので、光吸収部材１−３の充填量を少なくして、光吸収部材１−３の長さ（図３中の上下方向）を短くしたりすることもできるし、長波の光（Ｒ光）を吸収する場合は、光の集光点は深いので、光吸収部材１−３の充填量を多くして、光吸収部材１−３の長さ（図３中の上下方向）を長くしたりすることができる。光吸収部材１−３は、図３中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図３中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−３が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、トレンチ構造８が形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、まずは、絶縁膜４−１が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成されて、光吸収部材１−３（図３では、タングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光入射側から順に、光吸収部材１−３（図３では、タングステン（Ｗ））が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図５を用いて説明をする。図５（ａ）は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置５００（５００ａ−Ｒ及び５００ａ−Ｇ）の２画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置５００（５００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された１画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置５００（５００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された１画素分の平面レイアウト図である。図５（ｂ）は、図５（ａ）に示されるＡ１−Ｂ１における、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置５００（５００ｂ）の１画素分の断面構成例を示す図である。

図５（ｂ）に示されるように、固体撮像装置５００（５００ｂ）（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−５Ｒと、カラーフィルタ６Ｒ（図５（ｂ）中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−５ａ及び５−５ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−５ａとフォトダイオード５−５ｂとの間には、オンチップレンズ１０−５Ｒによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−５Ｒが設けられている。

光吸収部材１−５Ｒは、半導体基板７の受光面（図５（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−５Ｒは、図５（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図５（ｂ）中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−５Ｒが充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、トレンチ構造８が形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、光吸収部材１−５Ｒ（図５では、タングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−５Ｒ（図５では、タングステン（Ｗ））が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図６を用いて説明をする。図６（ａ）は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置６００（６００ａ−Ｒ及び６００ａ−Ｇ）の７画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置６００（６００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置６００（６００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された３画素分の平面レイアウト図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）に示されるＡ２−Ｂ２における、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置６００（６００ｂ）の２画素分の断面構成例を示す図である。

図６（ｂ）に示されるように、固体撮像装置６００（６００ｂ）（２画素分）の図６（ｂ）中の右側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−６Ｇと、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタ６Ｇと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−６ａ及び５−６ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−６ａとフォトダイオード５−６ｂとの間には、オンチップレンズ１０−６Ｇによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−６Ｇが設けられている。固体撮像装置６００（６００ｂ）（２画素分）の図６（ｂ）中の左側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−６Ｒと、レッド（Ｒ）のカラーフィルタ６Ｒと、絶縁膜３と、半導体基板７に形成された１つの光電変換部５−６ｃ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−６ａとフォトダイオード５−６ｃとの間（２つの画素間）には、トレンチ構造が形成され、そして、トレンチ構造の内部に充填された絶縁膜４（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）が形成されている。ところで、固体撮像装置６００（６００ｂ）（２画素分）の図６（ｂ）中の右側の画素は、ＡＦ機能の一方式である像面位相差ＡＦを制御するための位相差信号算出に用いられる画素信号を生成する位相差検出画素（像面位相差画素）でよく、固体撮像装置６００（６００ｂ）（２画素分）の図６（ｂ）中の左側の画素は、画像の画素信号を生成する通常画素（撮像画素）でよい。

光吸収部材１−６Ｇは、半導体基板７の受光面（図６（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−６Ｇは、図６（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。光吸収部材１−６Ｇの製造方法は、上記で述べた光吸収部材１−５Ｒの製造方法と同様であるので、ここでは説明を省略する。

図７を用いて説明をする。図７（ａ）は、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置７００（７００ａ−Ｒ及び７００ａ−Ｇ）の８画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置７００（７００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置７００（７００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）に示されるＡ３−Ｂ３における、本技術に係る第１の実施形態である固体撮像装置７００（７００ｂ）の２画素分の断面構成例を示す図である。

図７（ｂ）に示されるように、固体撮像装置７００（７００ｂ）（２画素分）の図７（ｂ）中の右側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−７Ｇと、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタ６Ｇと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−７ｃ及び５−７ｄ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−７ｃとフォトダイオード５−７ｄとの間には、オンチップレンズ１０−７Ｇによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−７Ｇが設けられている。固体撮像装置７００（７００ｂ）（２画素分）の図７（ｂ）中の左側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−７Ｒと、レッド（Ｒ）のカラーフィルタ６Ｒと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−７ａ及び５−７ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−７ａとフォトダイオード５−７ｂとの間には、オンチップレンズ１０−７Ｒによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−７Ｒが設けられている。フォトダイオード５−７ｂとフォトダイオード５−７ｃとの間（２つの画素間）には、トレンチ構造が形成され、そして、トレンチ構造の内部に充填された絶縁膜４（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）が形成されている。ところで、固体撮像装置７００（７００ｂ）（２画素分）の図７（ｂ）中の右側及び左側の画素（２画素分の画素）は、ＡＦ機能の一方式である像面位相差ＡＦを制御するための位相差信号算出に用いられる画素信号を生成する位相差検出画素（像面位相差画素）でよい。

光吸収部材１−７Ｇ及び１−７Ｒは、半導体基板７の受光面（図６（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８のそれぞれに、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−７Ｇ及び１−７Ｒは、図７（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。光吸収部材１−７Ｇ及び１−７Ｒの製造方法は、上で述べた光吸収部材１−５Ｒの製造方法と同様であるので、ここでは説明を省略する。

以上、本技術に係る第１の実施形態（固体撮像装置の例１）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、後述する本技術に係る第２〜第４の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜３．第２の実施形態（固体撮像装置の例２）＞
本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置は、複数の画素が配列され、画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、複数の光電変換部の間には、１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、固体撮像装置である。本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置においては、複数の光電変換部の間にはトレンチが形成されて、トレンチの光入射側である上方に、光反射部材が設けられていてもよく、トレンチ内の少なくとも一部に、光反射部材が設けられていてもよく、さらに、トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、光反射部材と絶縁膜とが設けられていてもよい。

本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置について、図４を用いて説明をする。図４は、本技術に係る第２の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。より詳しくは、図４（ａ）は、本技術に係る第２の実施形態である固体撮像装置４００の１画素分の断面構成例を示す図である。図４（ｂ）は、本技術に係る第２の実施形態である固体撮像装置４００に設けられ得るエッジ構造Ｅを有する光反射部材９−１の断面構成例を示す図である。図４（ｃ）は、本技術に係る第２の実施形態である固体撮像装置４００に設けられ得る曲面構造Ｒを有する光反射部材９−２の断面構成例を示す図である。図４（ｄ）は、本技術に係る第２の実施形態である固体撮像装置４００に設けられ得る平坦構造を有する光反射部材９−３の断面構成例を示す図である。図４（ｅ）は、本技術に係る第２の実施形態である固体撮像装置４００に設けられ得る平坦構造を有する光反射部材９−４の断面構成例を示す図である。なお、光反射部材９−４の平坦構造の幅（図４（ｅ）中の左右方向の長さ）は、光反射部材９−３の平坦構造の幅（図４（ｄ）中の左右方向の長さ）より大きい。

図４に示されるように、固体撮像装置４００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図４中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−４ａ及び５−４ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−４ａとフォトダイオード５−４ｂとの間には、トレンチ構造８の内部に充填された絶縁膜４−２が設けられている。トレンチ構造８の光入射側である上方には、光反射部材９が形成されている。固体撮像装置４００は、例えば、上記で述べた固体撮像装置１００の製造方法を用いて製造され得る。

入射光Ｌ２が矢印Ｓ２方向に進行し、光反射部材９により、光Ｌ２は反射して（図４中のＱ１部）、矢印Ｓ３方向に進行して、固体撮像装置４００の外に放出されるので、フォトダイオード５−４ａとフォトダイオード５−４ｂとの間（画素の中央分離帯）付近の入射光が、フォトダイオード５−４ａ又はフォトダイオード５−４ｂにも吸収されずに、混色を防止することができる。光反射部材９は例えば、絶縁膜３の屈折率よりも低い屈折率を有する材料であれば限定されないが、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等から構成される。

図４（ｂ）に示されるように、光反射部材は、光反射部材の表面を加工したエッジ構造Ｅを有する光反射部材９−１でもよいし、図４（ｃ）に示されるように、光反射部材は、光反射部材の表面を加工した曲面構造Ｒを有する光反射部材９−２でもよい。光反射部材９−１及び光反射部材９−２により、光を反射することができる。

図４（ｄ）及び（ｅ）に示されるように、光反射部材９−４の平坦構造の幅（図４（ｅ）中の左右方向の長さ）は、光反射部材９−３の平坦構造の幅（図４（ｄ）中の左右方向の長さ）より大きいので、光反射性を高くすることができ混色をより防止することができるが、反射性を高くした反射分の光に比例して感度は低下することがある。したがって、光反射部材の平坦構造の幅は、混色防止と感度アップとのバランスを考慮して決定する必要がある。

以上、本技術に係る第２の実施形態（固体撮像装置の例２）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第３〜第４の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜４．第３の実施形態（固体撮像装置の例３）＞
本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置は、複数の画素が配列され、画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、複数の光電変換部の間には、１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられ、光電変換部の上方であって、半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、固体撮像装置である。本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置においては、複数の光電変換部の間にはトレンチが形成されて、トレンチ内の少なくとも一部に、光吸収部材が設けられていてもよく、トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光吸収部材と絶縁膜とが設けられていてもよく、さらに、トレンチの光入射側である上方に、光吸収部材が設けられていてもよい。

本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置について、図８〜図１０及び図１２〜図１４を用いて説明をする。図８〜図１０及び図１２〜図１４は、本技術に係る第３の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。

まず、図８を用いて説明をする。図８は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置８００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置８００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図１中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−８ａ及び５−８ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−８ａとフォトダイオード５−８ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光（スポットＰ２に集光された光）の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−８が設けられている。図８に示されるように、光吸収部材１−８により、スポットＰ２に集光された光Ｌ３（混色成分）は吸収されて、光Ｌ３は、矢印Ｓ４のように、フォトダイオード５−８ａに到達しないので、混色を防止することができる。

固体撮像装置８００には、２つの光電変換部５−８ａ及び５−８ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−８が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−８により、光吸収部材１−９による混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

図８に示されるように、入射光Ｌ４は矢印Ｓ５、矢印Ｓ６及び矢印Ｓ７の順で進行するが、モスアイ構造の反射防止部２０−８のＴ１地点で、光屈折が生じにくく、光の反射が低減されて、矢印Ｓ６方向に光は進行し、画素間に形成されるトレンチ構造の絶縁膜４で反射し（Ｔ２地点）、フォトダイオード５−８ｃで吸収されて（Ｔ３地点）、感度が増幅される。

光吸収部材１−８は、半導体基板７の受光面（図８中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に充填されている。光吸収部材１−８はタングステン（Ｗ）から構成されている。

半導体基板７の裏面側の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、反射防止部２０−８のモスアイ構造の凹部となる部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対してドライエッチング処理を施すことにより、反射防止部２０−８のモスアイ構造の凹部が形成され、その後、フォトレジストが除去される。なお、反射防止部２０−８のモスアイ構造は、ドライエッチング処理ではなく、ウェットエッチング処理により形成することもできる。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図８中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−８が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

モスアイ構造の反射防止部２０−８が形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。なお、図８では図示されていないが、トレンチ構造８が形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成されてもよい。

上述したように、金属酸化膜２は、例えば、ピニング膜として機能し、半導体基板７との界面部分において正電荷（ホール）蓄積領域が形成されて暗電流の発生が抑制されるように、負の固定電荷を有する高誘電体を用いて形成されてよい。負の固定電荷を有するように金属酸化膜２（ピニング膜）を形成することで、その負の固定電荷によって、半導体基板７との界面に電界が加わるので、正電荷蓄積領域が形成される。金属酸化膜２（ピニング膜）は、例えば、酸化ハフニウム（ＨｆＯ_２）を用いて形成される。また、金属酸化膜２（ピニング膜）は、例えば、二酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）、酸化タンタル（Ｔａ_２Ｏ_５）等を用いて形成されてもよい。そして、金属酸化膜２（ピニング膜）は、単層から形成された単層膜の構成を有してもよいし、複数の層から形成された積層膜の構成を有してもよい。

次に、光吸収部材１−８（図８ではタングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−８（図８ではタングステン（Ｗ））が充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図９を用いて説明をする。図９は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置９００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置９００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図９中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−９ａ及び５−９ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−９ａとフォトダイオード５−９ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−９が設けられている。

固体撮像装置９００には、２つの光電変換部５−９ａ及び５−９ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−９が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−９により、光吸収部材１−９による混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

光吸収部材１−９は、半導体基板７の受光面（図９中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−９は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されている。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図９中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−９が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、モスアイ構造の反射防止部２０−９とトレンチ構造８とが形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、光吸収部材１−９（図９では、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種）が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−９（図９では例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種）が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図１０を用いて説明をする。図１０は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１０００の１画素分の断面構成例を示す図である。

固体撮像装置１０００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図３中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１０ａ及び５−１０ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１０ａとフォトダイオード５−１０ｂとの間には、オンチップレンズ１０によって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１０が設けられている。

固体撮像装置１０００には、２つの光電変換部５−１０ａ及び５−１０ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−１０が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−１０により、光吸収部材１−１０による混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

光吸収部材１−１０は、半導体基板７の受光面（図１０中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して、絶縁膜４−１（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）上に充填されている。すなわち、トレンチ構造８には、光入射側から順（図１０中の上側から下側への方向）に、光吸収部材１−１０と絶縁膜４−１とが充填されている。光吸収部材１−１０は、図１０中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図１０中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−１０が充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、モスアイ構造の反射防止部２０−１０とトレンチ構造８とが形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、まずは、絶縁膜４−１が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成されて、光吸収部材１−１０（図１０では、タングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光入射側から順に、光吸収部材１−１０（図１０では、タングステン（Ｗ））が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図１２を用いて説明をする。図１２（ａ）は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１２００（１２００ａ−Ｒ及び１２００ａ−Ｇ）の２画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置１２００（１２００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された１画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置１２００（１２００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された１画素分の平面レイアウト図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）に示されるＡ４−Ｂ４における、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１２００（１２００ｂ）の１画素分の断面構成例を示す図である。

図１２（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１２００（１２００ｂ）（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−１２Ｒと、カラーフィルタ６Ｒ（図１２（ｂ）中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１２ａ及び５−１２ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１２ａとフォトダイオード５−１２ｂとの間には、オンチップレンズ１０−１２Ｒによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１２Ｒが設けられている。

固体撮像装置１２００（１２００ｂ）には、２つの光電変換部５−１２ａ及び５−１２ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−１２が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−１２により、光吸収部材１−１２Ｒによる混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

光吸収部材１−１２Ｒは、半導体基板７の受光面（図１２（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−１２Ｒは、図１２（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。

トレンチ構造８は、半導体基板７の受光面側（裏面側、図１２（ｂ）中では上側）の上面にフォトレジストが塗布され、リソグラフィ技術により、トレンチ構造８に対応する掘り込み部分が開口するようにフォトレジストがパターン加工される。

そして、パターン加工されたフォトレジストに基づいて、半導体基板７に対して異方性のドライエッチング処理を施すことにより、トレンチ構造８が形成され、その後、フォトレジストが除去される。これにより、トレンチ構造８が形成される。

半導体基板７の深い位置まで掘り込む必要があるトレンチ構造８は、異方性エッチング処理で形成される。これにより、トレンチ構造８をテーパのない掘り込み形状とすることができる。なお、トレンチ構造８は、光吸収部材１−１２Ｒが充填されれば、テーパのない掘り込み形状に限定されず、テーパ形状でもよいし、逆テーパ形状でもよい。

次に、モスアイ構造の反射防止部２０−１２とトレンチ構造８とが形成された半導体基板７の表面（裏面）全体に、例えばＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法により、金属酸化膜２が形成される。

そして、金属酸化膜２の上面に、光吸収部材１−１２Ｒ（図１２（ｂ）では、タングステン（Ｗ））が、例えば、ＣＶＤ法などの埋め込み性の高い成膜方法を用いて形成される。これにより、掘り込まれたトレンチ構造８の内部には、光吸収部材１−１２Ｒ（図５では、タングステン（Ｗ））が、金属酸化膜２を介して充填される。そして、画素間となる領域に、リソグラフィ技術により遮光膜３４が形成された後、絶縁膜３、カラーフィルタ６Ｒ（及び６Ｇ）、オンチップレンズ１０が、その順で形成される。

図１３を用いて説明をする。図１３（ａ）は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１３００（１３００ａ−Ｒ及び１３００ａ−Ｇ）の７画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置１３００（１３００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置１３００（１３００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された３画素分の平面レイアウト図である。図１３（ｂ）は、図１３（ａ）に示されるＡ５−Ｂ５における、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１３００（１３００ｂ）の２画素分の断面構成例を示す図である。

図１３（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１３００（１３００ｂ）（２画素分）の図１３（ｂ）中の右側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−１３Ｇと、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタ６Ｇと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１３ａ及び５−１３ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１３ａとフォトダイオード５−１３ｂとの間には、オンチップレンズ１０−１３Ｇによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１３Ｇが設けられている。固体撮像装置１３００（１３００ｂ）（２画素分）の図１３（ｂ）中の左側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−１３Ｒと、レッド（Ｒ）のカラーフィルタ６Ｒと、絶縁膜３と、半導体基板７に形成された１つの光電変換部５−１３ｃ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１３ａとフォトダイオード５−１３ｃとの間（２つの画素間）には、トレンチ構造が形成され、そして、トレンチ構造の内部に充填された絶縁膜４（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）が形成されている。ところで、固体撮像装置１３００（１３００ｂ）（２画素分）の図１３（ｂ）中の右側の画素は、ＡＦ機能の一方式である像面位相差ＡＦを制御するための位相差信号算出に用いられる画素信号を生成する位相差検出画素（像面位相差画素）でよく、固体撮像装置１３００（１３００ｂ）（２画素分）の図１３（ｂ）中の左側の画素は、画像の画素信号を生成する通常画素（撮像画素）でよい。

固体撮像装置１３００（１３００ｂ）には、２つの光電変換部５−１３ａ及び５−１３ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−１３が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−１３により、光吸収部材１−１３Ｇによる混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

光吸収部材１−１３Ｇは、半導体基板７の受光面（図１３（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８に、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−１３Ｇは、図１３（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。光吸収部材１−１３Ｇの製造方法は、上記で述べた光吸収部材１−１２Ｒの製造方法と同様であるので、ここでは説明を省略する。

図１４を用いて説明をする。図１４（ａ）は、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１４００（１４００ａ−Ｒ及び１４００ａ−Ｇ）の８画素分の光入射側から見た平面レイアウト図である。より詳しくは、固体撮像装置１４００（１４００ａ−Ｒ）は、レッド（Ｒ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図であり、固体撮像装置１４００（１４００ａ−Ｇ）は、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタが形成された４画素分の平面レイアウト図である。図１４（ｂ）は、図１４（ａ）に示されるＡ６−Ｂ６における、本技術に係る第３の実施形態である固体撮像装置１４００（１４００ｂ）の２画素分の断面構成例を示す図である。

図１４（ｂ）に示されるように、固体撮像装置１４００（１４００ｂ）（２画素分）の図１４（ｂ）中の右側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−１４Ｇと、グリーン（Ｇ）のカラーフィルタ６Ｇと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１４ｃ及び５−１４ｄ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１４ｃとフォトダイオード５−１４ｄとの間には、オンチップレンズ１０−１４Ｇによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１４Ｇが設けられている。固体撮像装置１４００（７００ｂ）（２画素分）の図１４（ｂ）中の左側の画素は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０−１４Ｒと、レッド（Ｒ）のカラーフィルタ６Ｒと、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１４ａ及び５−１４ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１４ａとフォトダイオード５−１４ｂとの間には、オンチップレンズ１０−１４Ｒによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材１−１４Ｒが設けられている。フォトダイオード５−１４ｂとフォトダイオード５−１４ｃとの間（２つの画素間）には、トレンチ構造が形成され、そして、トレンチ構造の内部に充填された絶縁膜４（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）が形成されている。ところで、固体撮像装置１４００（１４００ｂ）（２画素分）の図１４（ｂ）中の右側及び左側の画素（２画素分の画素）は、ＡＦ機能の一方式である像面位相差ＡＦを制御するための位相差信号算出に用いられる画素信号を生成する位相差検出画素（像面位相差画素）でよい。

固体撮像装置１４００（１４００ｂ）には、２つの光電変換部５−１４ａ及び５−１４ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））並びに２つの光電変換部５−１４ｃ及び５−１４ｄ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−１４が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−１４により、光吸収部材１−１４Ｇ及び１−１４Ｒによる混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

光吸収部材１−１４Ｇ及び１−１４Ｒは、半導体基板７の受光面（図１４（ｂ）中では上側）に対して掘り込まれた部分（トレンチ構造）８のそれぞれに、金属酸化膜２を介して充填されている。光吸収部材１−１４Ｇ及び１−１４Ｒは、図１４（ｂ）中では、タングステン（Ｗ）から構成されているが、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種から構成されていてもよい。光吸収部材１−１４Ｇ及び１−１４Ｒの製造方法は、上で述べた光吸収部材１−１２Ｒの製造方法と同様であるので、ここでは説明を省略する。

以上、本技術に係る第３の実施形態（固体撮像装置の例３）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜２の実施形態の固体撮像装置及び後述する本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜５．第４の実施形態（固体撮像装置の例４）＞
本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置は、複数の画素が配列され、画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、複数の光電変換部の間には、１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられ、光電変換部の上方であって、半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、固体撮像装置である。本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置においては、複数の光電変換部の間にはトレンチが形成されて、トレンチの光入射側である上方に、光反射部材が設けられていてもよく、トレンチ内の少なくとも一部に、光反射部材が設けられていてもよく、さらに、トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、光反射部材と絶縁膜とが設けられていてもよい。

本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置について、図１１を用いて説明をする。図１１は、本技術に係る第４の実施形態の固体撮像装置の構成例を示す図である。より詳しくは、図１１（ａ）は、本技術に係る第４の実施形態である固体撮像装置１１００の１画素分の断面構成例を示す図である。図１１（ｂ）は、本技術に係る第４の実施形態である固体撮像装置１１００に設けられ得るエッジ構造Ｅを有する光反射部材９０−１の断面構成例を示す図である。図１１（ｃ）は、本技術に係る第４の実施形態である固体撮像装置１１００に設けられ得る曲面構造Ｒを有する光反射部材９０−２の断面構成例を示す図である。図１１（ｄ）は、本技術に係る第４の実施形態である固体撮像装置１１００に設けられ得る平坦構造を有する光反射部材９０−３の断面構成例を示す図である。図１１（ｅ）は、本技術に係る第４の実施形態である固体撮像装置１１００に設けられ得る平坦構造を有する光反射部材９０−４の断面構成例を示す図である。なお、光反射部材９０−４の平坦構造の幅（図１１（ｅ）中の左右方向の長さ）は、光反射部材９０−３の平坦構造の幅（図１１（ｄ）中の左右方向の長さ）より大きい。

図１１に示されるように、固体撮像装置１１００（１画素分）は、光入射側から順に、入射光を集光するためのオンチップレンズ１０と、カラーフィルタ６Ｒ（図１１中ではレッド（Ｒ）のカラーフィルタであるが、レッド（Ｒ）のカラーフィルタに限定されることはない。）と、絶縁膜３（例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）膜）と、半導体基板７に形成された２つの光電変換部５−１１ａ及び５−１１ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））とが設けられている。フォトダイオード５−１１ａとフォトダイオード５−１１ｂとの間には、トレンチ構造８の内部に充填された絶縁膜４−２が設けられている。そして、トレンチ構造８の光入射側である上方には、光反射部材９０が形成されている。固体撮像装置１１００は、例えば、上記で述べた固体撮像装置８００の製造方法を用いて製造され得る。

入射光Ｌ５が矢印Ｓ８方向に進行し、光反射部材９０により、光Ｌ５は反射して（図１１（ａ）中のＱ２部分）、矢印Ｓ９方向に進行して、固体撮像装置１１００の外に放出されるので、フォトダイオード５−１１ａとフォトダイオード５−１１ｂとの間（画素の中央分離帯）付近の入射光が、フォトダイオード５−１１ａ又はフォトダイオード５−１１ｂに吸収されずに、混色を防止することができる。光反射部材９０は例えば、絶縁膜３の屈折率よりも低い屈折率を有する材料であれば限定されないが、例えば、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）等から構成される。固体撮像装置１１００には、２つの光電変換部５−１１ａ及び５−１１ｂ（フォトダイオード（ＰＤ））の上方であって、半導体基板７の受光面側に、微細な凹凸構造を有するモスアイ構造の反射防止部２０−１１が形成されている。モスアイ構造の反射防止部２０−１１により、光反射部材９０による混色の防止によって減衰した感度分を増幅させることができる。

図１１（ｂ）に示されるように、光反射部材は、光反射部材の表面を加工したエッジ構造Ｅを有する光反射部材９０−１でもよいし、図１１（ｃ）に示されるように、光反射部材は、光反射部材の表面を加工した曲面構造Ｒを有する光反射部材９０−２でもよい。光反射部材９０−１及び光反射部材９０−２により、光を反射することができる。

図１１（ｄ）及び（ｅ）に示されるように、光反射部材９０−４の平坦構造の幅（図１１（ｅ）中の左右方向の長さ）は、光反射部材９０−３の平坦構造の幅（図４（ｄ）中の左右方向の長さ）より大きいので、光反射性を高くすることができ混色をより防止することができるが、反射性を高くした反射分の光に比例して感度は低下することがある。したがって、光反射部材の平坦構造の幅は、混色防止と感度アップとのバランスを考慮して決定する必要がある。

以上、本技術に係る第４の実施形態（固体撮像装置の例４）の固体撮像装置について説明した内容は、特に技術的な矛盾がない限り、前述した本技術に係る第１〜４の実施形態の固体撮像装置に適用することができる。

＜６．第５の実施形態（電子機器の例）＞
本技術に係る第５の実施形態の電子機器は、本技術に係る第１の実施形態〜第４の実施形態の固体撮像装置のうち、いずれか一つ実施形態の固体撮像装置が搭載された電子機器である。

＜７．本技術を適用した固体撮像装置の使用例＞
図１５は、イメージセンサ（固体撮像装置）としての本技術に係る第１〜第４の実施形態の固体撮像装置の使用例を示す図である。

上述した第１〜第４の実施形態の固体撮像装置は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングするさまざまなケースに使用することができる。すなわち、図１５に示すように、例えば、鑑賞の用に供される画像を撮影する鑑賞の分野、交通の分野、家電の分野、医療・ヘルスケアの分野、セキュリティの分野、美容の分野、スポーツの分野、農業の分野等において用いられる装置（例えば、上述した第５の実施形態の電子機器）に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

具体的には、鑑賞の分野においては、例えば、デジタルカメラやスマートフォン、カメラ機能付きの携帯電話機等の、鑑賞の用に供される画像を撮影するための装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

交通の分野においては、例えば、自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

家電の分野においては、例えば、ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、テレビ受像機や冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置で、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

医療・ヘルスケアの分野においては、例えば、内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

セキュリティの分野においては、例えば、防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

美容の分野においては、例えば、肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

スポーツの分野において、例えば、スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラプルカメラ等の、スポーツの用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

農業の分野においては、例えば、畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置に、第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置を使用することができる。

次に、本技術に係る第１〜第４の実施形態の固体撮像装置の使用例を具体的に説明する。例えば、上述で説明をした第１〜第４の実施形態のいずれか１つの実施形態の固体撮像装置が用いられる。具体的には、固体撮像装置１０１として、例えばデジタルスチルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話など、撮像機能を備えたあらゆるタイプの電子機器に適用することができる。図１６に、その一例として、電子機器１０２（カメラ）の概略構成を示す。この電子機器１０２は、例えば静止画または動画を撮影可能なビデオカメラであり、固体撮像装置１０１と、光学系（光学レンズ）３１０と、シャッタ装置３１１と、固体撮像装置１０１およびシャッタ装置３１１を駆動する駆動部３１３と、信号処理部３１２とを有する。

光学系３１０は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１０１の画素部１０１ａへ導くものである。この光学系３１０は、複数の光学レンズから構成されていてもよい。シャッタ装置３１１は、固体撮像装置１０１への光照射期間および遮光期間を制御するものである。駆動部３１３は、固体撮像装置１０１の転送動作およびシャッタ装置３１１のシャッタ動作を制御するものである。信号処理部３１２は、固体撮像装置１０１から出力された信号に対し、各種の信号処理を行うものである。信号処理後の映像信号Ｄｏｕｔは、メモリなどの記憶媒体に記憶されるか、あるいは、モニタ等に出力される。

＜８．内視鏡手術システムへの応用例＞
本技術は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術（本技術）は、内視鏡手術システムに適用されてもよい。

図１７は、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。

図１７では、術者（医師）１１１３１が、内視鏡手術システム１１０００を用いて、患者ベッド１１１３３上の患者１１１３２に手術を行っている様子が図示されている。図示するように、内視鏡手術システム１１０００は、内視鏡１１１００と、気腹チューブ１１１１１やエネルギー処置具１１１１２等の、その他の術具１１１１０と、内視鏡１１１００を支持する支持アーム装置１１１２０と、内視鏡下手術のための各種の装置が搭載されたカート１１２００と、から構成される。

内視鏡１１１００は、先端から所定の長さの領域が患者１１１３２の体腔内に挿入される鏡筒１１１０１と、鏡筒１１１０１の基端に接続されるカメラヘッド１１１０２と、から構成される。図示する例では、硬性の鏡筒１１１０１を有するいわゆる硬性鏡として構成される内視鏡１１１００を図示しているが、内視鏡１１１００は、軟性の鏡筒を有するいわゆる軟性鏡として構成されてもよい。

鏡筒１１１０１の先端には、対物レンズが嵌め込まれた開口部が設けられている。内視鏡１１１００には光源装置１１２０３が接続されており、当該光源装置１１２０３によって生成された光が、鏡筒１１１０１の内部に延設されるライトガイドによって当該鏡筒の先端まで導光され、対物レンズを介して患者１１１３２の体腔内の観察対象に向かって照射される。なお、内視鏡１１１００は、直視鏡であってもよいし、斜視鏡又は側視鏡であってもよい。

カメラヘッド１１１０２の内部には光学系及び撮像素子が設けられており、観察対象からの反射光（観察光）は当該光学系によって当該撮像素子に集光される。当該撮像素子によって観察光が光電変換され、観察光に対応する電気信号、すなわち観察像に対応する画像信号が生成される。当該画像信号は、ＲＡＷデータとしてカメラコントロールユニット（ＣＣＵ：Ｃａｍｅｒａ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ）１１２０１に送信される。

ＣＣＵ１１２０１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）やＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等によって構成され、内視鏡１１１００及び表示装置１１２０２の動作を統括的に制御する。さらに、ＣＣＵ１１２０１は、カメラヘッド１１１０２から画像信号を受け取り、その画像信号に対して、例えば現像処理（デモザイク処理）等の、当該画像信号に基づく画像を表示するための各種の画像処理を施す。

表示装置１１２０２は、ＣＣＵ１１２０１からの制御により、当該ＣＣＵ１１２０１によって画像処理が施された画像信号に基づく画像を表示する。

光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源から構成され、術部等を撮影する際の照射光を内視鏡１１１００に供給する。

入力装置１１２０４は、内視鏡手術システム１１０００に対する入力インタフェースである。ユーザは、入力装置１１２０４を介して、内視鏡手術システム１１０００に対して各種の情報の入力や指示入力を行うことができる。例えば、ユーザは、内視鏡１１１００による撮像条件（照射光の種類、倍率及び焦点距離等）を変更する旨の指示等を入力する。

処置具制御装置１１２０５は、組織の焼灼、切開又は血管の封止等のためのエネルギー処置具１１１１２の駆動を制御する。気腹装置１１２０６は、内視鏡１１１００による視野の確保及び術者の作業空間の確保の目的で、患者１１１３２の体腔を膨らめるために、気腹チューブ１１１１１を介して当該体腔内にガスを送り込む。レコーダ１１２０７は、手術に関する各種の情報を記録可能な装置である。プリンタ１１２０８は、手術に関する各種の情報を、テキスト、画像又はグラフ等各種の形式で印刷可能な装置である。

なお、内視鏡１１１００に術部を撮影する際の照射光を供給する光源装置１１２０３は、例えばＬＥＤ、レーザ光源又はこれらの組み合わせによって構成される白色光源から構成することができる。ＲＧＢレーザ光源の組み合わせにより白色光源が構成される場合には、各色（各波長）の出力強度及び出力タイミングを高精度に制御することができるため、光源装置１１２０３において撮像画像のホワイトバランスの調整を行うことができる。また、この場合には、ＲＧＢレーザ光源それぞれからのレーザ光を時分割で観察対象に照射し、その照射タイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御することにより、ＲＧＢそれぞれに対応した画像を時分割で撮像することも可能である。当該方法によれば、当該撮像素子にカラーフィルタを設けなくても、カラー画像を得ることができる。

また、光源装置１１２０３は、出力する光の強度を所定の時間ごとに変更するようにその駆動が制御されてもよい。その光の強度の変更のタイミングに同期してカメラヘッド１１１０２の撮像素子の駆動を制御して時分割で画像を取得し、その画像を合成することにより、いわゆる黒つぶれ及び白とびのない高ダイナミックレンジの画像を生成することができる。

また、光源装置１１２０３は、特殊光観察に対応した所定の波長帯域の光を供給可能に構成されてもよい。特殊光観察では、例えば、体組織における光の吸収の波長依存性を利用して、通常の観察時における照射光（すなわち、白色光）に比べて狭帯域の光を照射することにより、粘膜表層の血管等の所定の組織を高コントラストで撮影する、いわゆる狭帯域光観察（Ｎａｒｒｏｗ Ｂａｎｄ Ｉｍａｇｉｎｇ）が行われる。あるいは、特殊光観察では、励起光を照射することにより発生する蛍光により画像を得る蛍光観察が行われてもよい。蛍光観察では、体組織に励起光を照射し当該体組織からの蛍光を観察すること（自家蛍光観察）、又はインドシアニングリーン（ＩＣＧ）等の試薬を体組織に局注するとともに当該体組織にその試薬の蛍光波長に対応した励起光を照射し蛍光像を得ること等を行うことができる。光源装置１１２０３は、このような特殊光観察に対応した狭帯域光及び／又は励起光を供給可能に構成され得る。

図１８は、図１７に示すカメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１の機能構成の一例を示すブロック図である。

カメラヘッド１１１０２は、レンズユニット１１４０１と、撮像部１１４０２と、駆動部１１４０３と、通信部１１４０４と、カメラヘッド制御部１１４０５と、を有する。ＣＣＵ１１２０１は、通信部１１４１１と、画像処理部１１４１２と、制御部１１４１３と、を有する。カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１とは、伝送ケーブル１１４００によって互いに通信可能に接続されている。

レンズユニット１１４０１は、鏡筒１１１０１との接続部に設けられる光学系である。鏡筒１１１０１の先端から取り込まれた観察光は、カメラヘッド１１１０２まで導光され、当該レンズユニット１１４０１に入射する。レンズユニット１１４０１は、ズームレンズ及びフォーカスレンズを含む複数のレンズが組み合わされて構成される。

撮像部１１４０２は、撮像素子で構成される。撮像部１１４０２を構成する撮像素子は、１つ（いわゆる単板式）であってもよいし、複数（いわゆる多板式）であってもよい。撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、例えば各撮像素子によってＲＧＢそれぞれに対応する画像信号が生成され、それらが合成されることによりカラー画像が得られてもよい。あるいは、撮像部１１４０２は、３Ｄ（Ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌ）表示に対応する右目用及び左目用の画像信号をそれぞれ取得するための１対の撮像素子を有するように構成されてもよい。３Ｄ表示が行われることにより、術者１１１３１は術部における生体組織の奥行きをより正確に把握することが可能になる。なお、撮像部１１４０２が多板式で構成される場合には、各撮像素子に対応して、レンズユニット１１４０１も複数系統設けられ得る。

また、撮像部１１４０２は、必ずしもカメラヘッド１１１０２に設けられなくてもよい。例えば、撮像部１１４０２は、鏡筒１１１０１の内部に、対物レンズの直後に設けられてもよい。

駆動部１１４０３は、アクチュエータによって構成され、カメラヘッド制御部１１４０５からの制御により、レンズユニット１１４０１のズームレンズ及びフォーカスレンズを光軸に沿って所定の距離だけ移動させる。これにより、撮像部１１４０２による撮像画像の倍率及び焦点が適宜調整され得る。

通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４０４は、撮像部１１４０２から得た画像信号をＲＡＷデータとして伝送ケーブル１１４００を介してＣＣＵ１１２０１に送信する。

また、通信部１１４０４は、ＣＣＵ１１２０１から、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を受信し、カメラヘッド制御部１１４０５に供給する。当該制御信号には、例えば、撮像画像のフレームレートを指定する旨の情報、撮像時の露出値を指定する旨の情報、並びに／又は撮像画像の倍率及び焦点を指定する旨の情報等、撮像条件に関する情報が含まれる。

なお、上記のフレームレートや露出値、倍率、焦点等の撮像条件は、ユーザによって適宜指定されてもよいし、取得された画像信号に基づいてＣＣＵ１１２０１の制御部１１４１３によって自動的に設定されてもよい。後者の場合には、いわゆるＡＥ（Ａｕｔｏ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ）機能、ＡＦ（Ａｕｔｏ Ｆｏｃｕｓ）機能及びＡＷＢ（Ａｕｔｏ Ｗｈｉｔｅ Ｂａｌａｎｃｅ）機能が内視鏡１１１００に搭載されていることになる。

カメラヘッド制御部１１４０５は、通信部１１４０４を介して受信したＣＣＵ１１２０１からの制御信号に基づいて、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御する。

通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２との間で各種の情報を送受信するための通信装置によって構成される。通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２から、伝送ケーブル１１４００を介して送信される画像信号を受信する。

また、通信部１１４１１は、カメラヘッド１１１０２に対して、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を送信する。画像信号や制御信号は、電気通信や光通信等によって送信することができる。

画像処理部１１４１２は、カメラヘッド１１１０２から送信されたＲＡＷデータである画像信号に対して各種の画像処理を施す。

制御部１１４１３は、内視鏡１１１００による術部等の撮像、及び、術部等の撮像により得られる撮像画像の表示に関する各種の制御を行う。例えば、制御部１１４１３は、カメラヘッド１１１０２の駆動を制御するための制御信号を生成する。

また、制御部１１４１３は、画像処理部１１４１２によって画像処理が施された画像信号に基づいて、術部等が映った撮像画像を表示装置１１２０２に表示させる。この際、制御部１１４１３は、各種の画像認識技術を用いて撮像画像内における各種の物体を認識してもよい。例えば、制御部１１４１３は、撮像画像に含まれる物体のエッジの形状や色等を検出することにより、鉗子等の術具、特定の生体部位、出血、エネルギー処置具１１１１２の使用時のミスト等を認識することができる。制御部１１４１３は、表示装置１１２０２に撮像画像を表示させる際に、その認識結果を用いて、各種の手術支援情報を当該術部の画像に重畳表示させてもよい。手術支援情報が重畳表示され、術者１１１３１に提示されることにより、術者１１１３１の負担を軽減することや、術者１１１３１が確実に手術を進めることが可能になる。

カメラヘッド１１１０２及びＣＣＵ１１２０１を接続する伝送ケーブル１１４００は、電気信号の通信に対応した電気信号ケーブル、光通信に対応した光ファイバ、又はこれらの複合ケーブルである。

ここで、図示する例では、伝送ケーブル１１４００を用いて有線で通信が行われていたが、カメラヘッド１１１０２とＣＣＵ１１２０１との間の通信は無線で行われてもよい。

以上、本開示に係る技術が適用され得る内視鏡手術システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１０４０２に適用することができる。内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等に本開示に係る技術を適用することにより、内視鏡１１１００や、カメラヘッド１１１０２（の撮像部１１４０２）等の性能を向上させることが可能となる。

ここでは、一例として内視鏡手術システムについて説明したが、本開示に係る技術は、その他、例えば、顕微鏡手術システム等に適用されてもよい。

＜９．移動体への応用例＞
本開示に係る技術（本技術）は、様々な製品へ応用することができる。例えば、本開示に係る技術は、自動車、電気自動車、ハイブリッド電気自動車、自動二輪車、自転車、パーソナルモビリティ、飛行機、ドローン、船舶、ロボット等のいずれかの種類の移動体に搭載される装置として実現されてもよい。

図１９は、本開示に係る技術が適用され得る移動体制御システムの一例である車両制御システムの概略的な構成例を示すブロック図である。

車両制御システム１２０００は、通信ネットワーク１２００１を介して接続された複数の電子制御ユニットを備える。図１９に示した例では、車両制御システム１２０００は、駆動系制御ユニット１２０１０、ボディ系制御ユニット１２０２０、車外情報検出ユニット１２０３０、車内情報検出ユニット１２０４０、及び統合制御ユニット１２０５０を備える。また、統合制御ユニット１２０５０の機能構成として、マイクロコンピュータ１２０５１、音声画像出力部１２０５２、及び車載ネットワークＩ／Ｆ（ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１２０５３が図示されている。

駆動系制御ユニット１２０１０は、各種プログラムにしたがって車両の駆動系に関連する装置の動作を制御する。例えば、駆動系制御ユニット１２０１０は、内燃機関又は駆動用モータ等の車両の駆動力を発生させるための駆動力発生装置、駆動力を車輪に伝達するための駆動力伝達機構、車両の舵角を調節するステアリング機構、及び、車両の制動力を発生させる制動装置等の制御装置として機能する。

ボディ系制御ユニット１２０２０は、各種プログラムにしたがって車体に装備された各種装置の動作を制御する。例えば、ボディ系制御ユニット１２０２０は、キーレスエントリシステム、スマートキーシステム、パワーウィンドウ装置、あるいは、ヘッドランプ、バックランプ、ブレーキランプ、ウィンカー又はフォグランプ等の各種ランプの制御装置として機能する。この場合、ボディ系制御ユニット１２０２０には、鍵を代替する携帯機から発信される電波又は各種スイッチの信号が入力され得る。ボディ系制御ユニット１２０２０は、これらの電波又は信号の入力を受け付け、車両のドアロック装置、パワーウィンドウ装置、ランプ等を制御する。

車外情報検出ユニット１２０３０は、車両制御システム１２０００を搭載した車両の外部の情報を検出する。例えば、車外情報検出ユニット１２０３０には、撮像部１２０３１が接続される。車外情報検出ユニット１２０３０は、撮像部１２０３１に車外の画像を撮像させるとともに、撮像された画像を受信する。車外情報検出ユニット１２０３０は、受信した画像に基づいて、人、車、障害物、標識又は路面上の文字等の物体検出処理又は距離検出処理を行ってもよい。

撮像部１２０３１は、光を受光し、その光の受光量に応じた電気信号を出力する光センサである。撮像部１２０３１は、電気信号を画像として出力することもできるし、測距の情報として出力することもできる。また、撮像部１２０３１が受光する光は、可視光であっても良いし、赤外線等の非可視光であっても良い。

車内情報検出ユニット１２０４０は、車内の情報を検出する。車内情報検出ユニット１２０４０には、例えば、運転者の状態を検出する運転者状態検出部１２０４１が接続される。運転者状態検出部１２０４１は、例えば運転者を撮像するカメラを含み、車内情報検出ユニット１２０４０は、運転者状態検出部１２０４１から入力される検出情報に基づいて、運転者の疲労度合い又は集中度合いを算出してもよいし、運転者が居眠りをしていないかを判別してもよい。

マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車内外の情報に基づいて、駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置の制御目標値を演算し、駆動系制御ユニット１２０１０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両の衝突回避あるいは衝撃緩和、車間距離に基づく追従走行、車速維持走行、車両の衝突警告、又は車両のレーン逸脱警告等を含むＡＤＡＳ（Ａｄｖａｎｃｅｄ Ｄｒｉｖｅｒ Ａｓｓｉｓｔａｎｃｅ Ｓｙｓｔｅｍ）の機能実現を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０又は車内情報検出ユニット１２０４０で取得される車両の周囲の情報に基づいて駆動力発生装置、ステアリング機構又は制動装置等を制御することにより、運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

また、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で取得される車外の情報に基づいて、ボディ系制御ユニット１２０２０に対して制御指令を出力することができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車外情報検出ユニット１２０３０で検知した先行車又は対向車の位置に応じてヘッドランプを制御し、ハイビームをロービームに切り替える等の防眩を図ることを目的とした協調制御を行うことができる。

音声画像出力部１２０５２は、車両の搭乗者又は車外に対して、視覚的又は聴覚的に情報を通知することが可能な出力装置へ音声及び画像のうちの少なくとも一方の出力信号を送信する。図１９の例では、出力装置として、オーディオスピーカ１２０６１、表示部１２０６２及びインストルメントパネル１２０６３が例示されている。表示部１２０６２は、例えば、オンボードディスプレイ及びヘッドアップディスプレイの少なくとも一つを含んでいてもよい。

図２０は、撮像部１２０３１の設置位置の例を示す図である。

図２０では、車両１２１００は、撮像部１２０３１として、撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５を有する。

撮像部１２１０１，１２１０２，１２１０３，１２１０４，１２１０５は、例えば、車両１２１００のフロントノーズ、サイドミラー、リアバンパ、バックドア及び車室内のフロントガラスの上部等の位置に設けられる。フロントノーズに備えられる撮像部１２１０１及び車室内のフロントガラスの上部に備えられる撮像部１２１０５は、主として車両１２１００の前方の画像を取得する。サイドミラーに備えられる撮像部１２１０２，１２１０３は、主として車両１２１００の側方の画像を取得する。リアバンパ又はバックドアに備えられる撮像部１２１０４は、主として車両１２１００の後方の画像を取得する。撮像部１２１０１及び１２１０５で取得される前方の画像は、主として先行車両又は、歩行者、障害物、信号機、交通標識又は車線等の検出に用いられる。

なお、図２０には、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮影範囲の一例が示されている。撮像範囲１２１１１は、フロントノーズに設けられた撮像部１２１０１の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１２，１２１１３は、それぞれサイドミラーに設けられた撮像部１２１０２，１２１０３の撮像範囲を示し、撮像範囲１２１１４は、リアバンパ又はバックドアに設けられた撮像部１２１０４の撮像範囲を示す。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４で撮像された画像データが重ね合わせられることにより、車両１２１００を上方から見た俯瞰画像が得られる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、距離情報を取得する機能を有していてもよい。例えば、撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、複数の撮像素子からなるステレオカメラであってもよいし、位相差検出用の画素を有する撮像素子であってもよい。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を基に、撮像範囲１２１１１ないし１２１１４内における各立体物までの距離と、この距離の時間的変化（車両１２１００に対する相対速度）を求めることにより、特に車両１２１００の進行路上にある最も近い立体物で、車両１２１００と略同じ方向に所定の速度（例えば、０ｋｍ／ｈ以上）で走行する立体物を先行車として抽出することができる。さらに、マイクロコンピュータ１２０５１は、先行車の手前に予め確保すべき車間距離を設定し、自動ブレーキ制御（追従停止制御も含む）や自動加速制御（追従発進制御も含む）等を行うことができる。このように運転者の操作に拠らずに自律的に走行する自動運転等を目的とした協調制御を行うことができる。

例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４から得られた距離情報を元に、立体物に関する立体物データを、２輪車、普通車両、大型車両、歩行者、電柱等その他の立体物に分類して抽出し、障害物の自動回避に用いることができる。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、車両１２１００の周辺の障害物を、車両１２１００のドライバが視認可能な障害物と視認困難な障害物とに識別する。そして、マイクロコンピュータ１２０５１は、各障害物との衝突の危険度を示す衝突リスクを判断し、衝突リスクが設定値以上で衝突可能性がある状況であるときには、オーディオスピーカ１２０６１や表示部１２０６２を介してドライバに警報を出力することや、駆動系制御ユニット１２０１０を介して強制減速や回避操舵を行うことで、衝突回避のための運転支援を行うことができる。

撮像部１２１０１ないし１２１０４の少なくとも１つは、赤外線を検出する赤外線カメラであってもよい。例えば、マイクロコンピュータ１２０５１は、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在するか否かを判定することで歩行者を認識することができる。かかる歩行者の認識は、例えば赤外線カメラとしての撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像における特徴点を抽出する手順と、物体の輪郭を示す一連の特徴点にパターンマッチング処理を行って歩行者か否かを判別する手順によって行われる。マイクロコンピュータ１２０５１が、撮像部１２１０１ないし１２１０４の撮像画像中に歩行者が存在すると判定し、歩行者を認識すると、音声画像出力部１２０５２は、当該認識された歩行者に強調のための方形輪郭線を重畳表示するように、表示部１２０６２を制御する。また、音声画像出力部１２０５２は、歩行者を示すアイコン等を所望の位置に表示するように表示部１２０６２を制御してもよい。

以上、本開示に係る技術（本技術）が適用され得る車両制御システムの一例について説明した。本開示に係る技術は、以上説明した構成のうち、例えば、撮像部１２０３１等に適用され得る。具体的には、本技術に係る固体撮像装置は、撮像部１２０３１に適用することができる。撮像部１２０３１に本開示に係る技術を適用することにより、撮像部１２０３１の性能を向上させることが可能となる。

なお、本技術は、上述した実施形態及び使用例並びに応用例に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。

また、本明細書に記載された効果はあくまでも例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。

また、本技術は、以下のような構成も取ることができる。
［１］
複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられている、固体撮像装置。
［２］
前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、［１］に記載の固体撮像装置。
［３］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光吸収部材が設けられている、［１］又は［２］に記載の固体撮像装置。
［４］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光吸収部材と絶縁膜とが設けられている、［１］又は［２］に記載の固体撮像装置。
［５］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、光吸収部材が設けられている、［１］又は［２］に記載の固体撮像装置。
［６］
前記光吸収部材が、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、［１］から［５］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［７］
２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられている、［１］から［６］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［８］
複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、固体撮像装置。
［９］
前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、［８］に記載の固体撮像装置。
［１０］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、光反射部材が設けられている、［８］又は［９］に記載の固体撮像装置。
［１１］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光反射部材が設けられている、［８］又は［９］に記載の固体撮像装置。
［１２］
前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光反射部材と絶縁膜とが設けられている、［８］又は［９］に記載の固体撮像装置。
［１３］
前記光反射部材が金（Ａｕ）及び／又は銀（Ａｇ）を含む、［８］から［１２］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１４］
２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられている、［８］から［１３］のいずれか１つに記載の固体撮像装置。
［１５］
［１］から［１４］のいずれか１つに記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
［１６］
固体撮像装置が搭載され、
該固体撮像装置には、複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられている、電子機器。
［１７］
固体撮像装置が搭載され、
該固体撮像装置には、複数の画素が配列され、
該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、電子機器。

１（１−１、１−２、１−３、１−５Ｇ、１−５Ｒ、１−６Ｇ、１−６Ｒ、１−７Ｇ、１−７Ｒ、１−８、１−９、１−１０、１−１２Ｇ、１−１２Ｒ、１−１３Ｇ、１−１４Ｇ、１−１４Ｒ）・・・光吸収部材、
２・・・金属酸化膜（ピニング膜）、
３・・・絶縁膜、
４・・・絶縁膜（トレンチ構造の絶縁膜）、
５（５−１ａ、５−１ｂ、５−２ａ、５−２ｂ、５−３ａ、５−３ｂ、５−４ａ、５−４ｂ、５−５ａ、５−５ｂ、５−６ａ、５−６ｂ、５−６ｃ、５−７ａ、５−７ｂ、５−７ｃ、５−７ｄ、５−８ａ、５−８ｂ、５−９ａ、５−９ｂ、５−１０ａ、５−１０ｂ、５−１１ａ、５−１１ｂ、５−１２ａ、５−１２ｂ、５−１３ａ、５−１３ｂ、５−１３ｃ、５−１４ａ、５−１４ｂ、５−１４ｃ、５−１４ｄ）・・・光電変換部（フォトダイオード）、
６（６Ｇ、６Ｒ）・・・カラーフィルタ、
７・・・半導体基板、
８・・・トレンチ、
９（９−１、９−２、９−３、９−４）、９０（９０−１、９０−２、９０−３、９０−４）・・・光反射部材、
１０（１０−５Ｇ、１０−５Ｒ、１０−６Ｇ、１０−６Ｇ−１、１０−６Ｒ、１０−７Ｇ、１０−７Ｒ、１０−１２Ｇ、１０−１２Ｒ、１０−１３Ｇ、１０−１３Ｇ−１、１０−１３Ｒ、１０−１４Ｇ、１０−１４Ｒ）・・・オンチップレンズ、
２０（２０−８、２０−９、２０−１０、２０−１１、２０−１１−１、２０−１１−２、２０−１２、２０−１３、２０−１４）・・・モスアイ構造（反射防止部）、
１００、２００、３００、４００、５００（５００ａ−Ｒ、５００ａ−Ｇ、５００ｂ）、６００（６００ａ−Ｒ、６００ａ−Ｇ、６００ｂ）、７００（７００ａ−Ｒ、７００ａ−Ｇ、７００ｂ）、８００、９００、１０００、１１００、１２００（１２００ａ−Ｒ、１２００ａ−Ｇ、１２００ｂ）、１３００（１３００ａ−Ｒ、１３００ａ−Ｇ、１３００ｂ）、１４００（１４００ａ−Ｒ、１４００ａ−Ｇ、１４００ｂ）・・・固体撮像装置。

Claims (16)

1. 複数の画素が配列され、
   該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
   該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
   該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を吸収する光吸収部材が設けられている、固体撮像装置。
2. 前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、請求項１に記載の固体撮像装置。
3. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光吸収部材が設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
4. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光吸収部材と絶縁膜とが設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
5. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、前記光吸収部材が設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
6. 前記光吸収部材が、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）及びカーボン系材料からなる群から選ばれる少なくとも１種を含む、請求項１に記載の固体撮像装置。
7. ２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられている、請求項１に記載の固体撮像装置。
8. 複数の画素が配列され、
   該画素毎に、光入射側から順に、入射光を集光するための１つのオンチップレンズと、半導体基板に形成された少なくとも１つの光電変換部とが設けられ、
   該複数の画素のうち、少なくとも１つの画素は、該１つのオンチップレンズと、複数の該光電変換部と、を有し、
   該複数の光電変換部の間には、該１つのオンチップレンズによって集光された光の少なくとも一部を反射する光反射部材が設けられている、固体撮像装置。
9. 前記光電変換部の上方であって、前記半導体基板の受光面側にモスアイ構造が形成されている、請求項８に記載の固体撮像装置。
10. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチの光入射側である上方に、光反射部材が設けられている、請求項８に記載の固体撮像装置。
11. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、前記光反射部材が設けられている、請求項８に記載の固体撮像装置。
12. 前記複数の光電変換部の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に、光入射側から順に、前記光反射部材と絶縁膜とが設けられている、請求項８に記載の固体撮像装置。
13. 前記光反射部材が金（Ａｕ）及び／又は銀（Ａｇ）を含む、請求項８に記載の固体撮像装置。
14. ２つ前記画素の間にはトレンチが形成され、該トレンチ内の少なくとも一部に絶縁膜が設けられている、請求項８に記載の固体撮像装置。
15. 請求項１に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。
16. 請求項８に記載の固体撮像装置が搭載された、電子機器。