JP2020097761A - 導電性フィルムの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】比較的厚い導電層を形成する際にも樹脂フィルムのシワの発生を抑制可能な導電性フィルムの製造方法を提供する。【解決手段】樹脂フィルムの一方の面に第１導電層を形成する工程Ａ、前記第１導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程Ｂ、及び前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２導電層をスパッタリング法で形成する工程Ｃを含む導電性フィルムの製造方法。【選択図】図１

Description

本発明は、導電性フィルムの製造方法に関する。

従来、樹脂フィルムの両面に導電層を形成した導電性フィルムが、フレキシブル回路基板、電磁波シールドフィルム、フラットパネルディスプレイ、タッチセンサ、非接触式ＩＣカード、太陽電池等に用いられている（例えば、特許文献１）。導電性フィルムの主な機能は電気伝導であり、高分子フィルムの表面に設けられる導電層の組成や厚みは用途目的にあった電気伝導性を得られるように適宜選択される。

特開２０１１−８２８４８号公報

近年のデバイスの高機能化や用途拡大を図るために、導電層の低抵抗化が要求されることがある。一般的に、導電層の低抵抗化は、少なくとも一方の導電層の厚みの増大により達成可能である。ところが、厚手の導電層をスパッタリング法にて形成する際、樹脂フィルムにシワが生じることがあり、これが生産性や信頼性を低下させる原因の一つとなっている。

本発明の目的は、比較的厚い導電層を形成する際にも樹脂フィルムのシワの発生を抑制可能な導電性フィルムの製造方法を提供することにある。

本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討したところ、下記構成を採用することにより上記目的を達成し得ることを見出し、本発明を完成するにいたった。

本発明は、一実施形態において、
樹脂フィルムの一方の面に第１導電層を形成する工程Ａ、
前記第１導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程Ｂ、及び
前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２導電層をスパッタリング法で形成する工程Ｃ
を含む導電性フィルムの製造方法に関する。

当該製造方法では、樹脂フィルムの一方の面に形成した第１導電層に保護フィルムを貼り合わせた上で、樹脂フィルムの他方の面に厚手の第２導電層を形成している。いわば、保護フィルムが第２導電層形成時の樹脂フィルムの補強材として機能することで、樹脂フィルムのシワの発生を抑制することができる。

前記工程Ａにおいて、前記第１導電層をスパッタリング法で形成することが好ましい。均質な導電層を効率的に形成することができる。また、工程Ａから工程Ｃまでロール・トゥ・ロール法で連続的に行うことができ、歩留まりの向上を図ることができる。

前記第１導電層厚みが、８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であることが好ましい。これにより両面とも厚手の導電層とすることができ、導電性フィルムの低抵抗化や高機能化を達成することができる。

前記保護フィルムの厚みが２０μｍ以上２００μｍ以下であることが好ましい。保護フィルムの厚みを該範囲とすることで、ハンドリング性を維持しつつ、十分な樹脂フィルム補強性を発揮することができる。

前記工程Ｃにおいて、前記スパッタリング法における下記式で表される総電力密度が１５００ｋＷ／ｍ^２以下であることが好ましい。
総電力密度＝Ｎ×Ｔ×Ｐ
（式中、Ｎは工程繰り返し回数であり、Ｔは１工程あたりのターゲット数であり、Ｐは１ターゲットあたりの電力密度［ｋＷ／ｍ^２］である。）

工程Ｃのスパッタリング時における総電力密度を所定値以下とすることで、樹脂フィルムへの負荷が低減し、シワの発生をより高いレベルで抑制することができる。また、厚手の導電層を形成するには、高い電力密度でのスパッタリングを少数回行う手順や、低い電力密度でのスパッタリングを多数回行ったりする手順を採用することができる。いずれの手順であっても、上記式で求められる総電力密度を所定範囲に制御することで、樹脂フィルムのシワを抑制しつつ、生産効率良く導電性フィルムを製造することができる。

前記工程Ｃにおいて、前記樹脂フィルムのＭＤ方向での引張応力が１ＭＰａ以上であることが好ましい。第２導電層形成時に樹脂フィルムのＭＤ方向の所定の引張応力を負荷させることで、樹脂フィルムのシワの発生をより低減することができる。

本発明の一実施形態に係る導電性フィルムの模式的断面図である。 本発明の一実施形態に係る真空成膜装置の構成を説明する概念図である。

本発明の導電性フィルムの製造方法の実施形態について、図面を参照しながら以下に説明する。ただし、図の一部又は全部において、説明に不要な部分は省略し、また説明を容易にするために拡大又は縮小等して図示した部分がある。上下等の位置関係を示す用語は、単に説明を容易にするために用いられており、本発明の構成を限定する意図は一切ない。

≪第１実施形態≫
＜導電性フィルムの製造方法＞
本実施形態に係る導電性フィルムの製造方法は、樹脂フィルムの一方の面に第１導電層を形成する工程Ａ、前記第１導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程Ｂ、及び前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２導電層をスパッタリング法で形成する工程Ｃを含む。

図１は、本実施形態の導電性フィルムの製造方法により得られる導電性フィルムの模式的断面図である。図１に示す導電性フィルム１００は、樹脂フィルム１と、樹脂フィルム１の一方の面に形成された第１導電層２１と、樹脂フィルム１の他方の面に形成された第２導電層２２とを備える（以下、第１導電層と第２導電層とを区別しない場合は、単に「導電層」と称することがある。）。さらに、本実施形態では、第１導電層２１の樹脂フィルム１とは反対側に第１保護フィルム３１が配置され、第２導電層２２の樹脂フィルム１とは反対側に第２保護フィルム３２が配置されている（以下、第１保護フィルムと第２保護フィルムとを区別しない場合は、単に「保護フィルム」と称することがある。）。

《工程Ａ》
工程Ａでは、樹脂フィルム１の一方の面に第１導電層２１を形成する。

（樹脂フィルム）
樹脂フィルム１としては、絶縁性を確保できるものであれば特に制限されず、各種のプラスチックフィルムが用いられる。樹脂フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等のポリイミド系樹脂、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）等のポリオレフィン系樹脂、アセテート系樹脂、ポリエーテルスルホン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアミド系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ塩化ビニリデン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリアリレート系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂等が挙げられる。これらの中でも、耐熱性、耐久性、柔軟性、生産効率、コスト等の観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル系樹脂、ポリイミド（ＰＩ）等のポリイミド系樹脂が好ましい。特に、コストパフォーマンスの観点から、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）が好ましい。

樹脂フィルムには、表面に予めスパッタリング、コロナ放電、火炎、紫外線照射、電子線照射、化成、酸化などのエッチング処理や下塗り処理を施して、樹脂フィルム上に形成される導電層との密着性を担保させるようにしてもよい。また、導電層を形成する前に、必要に応じて溶剤洗浄や超音波洗浄などにより、樹脂フィルム表面を除塵、清浄化してもよい。

樹脂フィルムの厚みは、２〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、１０〜２５０μｍの範囲内であることがより好ましく、２０〜２００μｍの範囲内であることが更に好ましい。一般的には、樹脂フィルムの厚みが厚い方が、加熱時の熱収縮等の影響を受けにくくなるため望ましい。しかし、電子部品等のコンパクト化により、樹脂フィルムの厚みもある程度薄くすることが望ましい。一方、樹脂フィルムの厚みが薄すぎると、樹脂フィルムの透湿性や透過性が上昇して、水分やガス等を透過させてしまい、導電層が酸化されやすくなる。従って、本実施形態では、樹脂フィルムの厚みをある程度の厚みをもたしつつ薄くすることで、導電性フィルム自体も薄くでき、電磁波シールドシートやセンサ等に用いた場合の厚みを抑えることが可能となる。そのため、電磁波シールドシートやセンサ等の薄型化に対応できる。さらに、樹脂フィルムの厚みが前記の範囲内であると、樹脂フィルムの柔軟性を確保できつつ機械的強度が十分であり、フィルムをロール状にして下地層や導電層を連続的に形成する操作が可能である。

（第１導電層）
樹脂フィルム１の一方の面側に設けられる第１導電層２１は、電磁波シールド効果やセンサ機能等を充分に得るため、電気抵抗率が１００μΩｃｍ以下であることが好ましい。第１導電層２１の構成材料としては、このような電気抵抗率を満足し導電性を有するものであれば特に限定されないが、例えば、Ｃｕ，Ａｌ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ｔｉ，Ｓｉ，Ｎｂ，Ｉｎ，Ｚｎ，Ｓｎ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｏ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｐｂ，Ｐｄ，Ｐｔ，Ｗ，Ｚｒ，Ｔａ，Ｈｆ、Ｍｏ，Ｍｎ，Ｍｇ，Ｖ等の金属が好適に用いられる。また、これらの金属の２種以上を含有するものや、これらの金属を主成分とする合金や酸化物等も用いることができる。これらの導電性化合物の中でも、電磁波シールド特性やセンサ機能に寄与する導電率が高く、比較的低価格である観点から、Ｃｕ，Ａｌを含むことが好ましい。特に、コストパフォーマンスと生産効率の観点から、Ｃｕを含むことが好ましいが、Ｃｕ以外の元素が不純物程度含まれていても良い。これにより、電気抵抗率が充分に小さく導電率が高いため、電磁波シールド特性やセンサ機能を向上できる。

第１導電層２１の厚みは、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましい。第１導電層２１の厚みの下限値は、２０ｎｍがより好ましく、８０ｎｍがさらに好ましい。一方、第１導電層２１の厚みの上限値は、２６０ｎｍがより好ましく、２４０ｎｍがさらに好ましい。第１導電層２１の厚みが上記上限値を超えると、加熱後の導電性フィルムのカールが発生しやすくなったり、デバイスの薄型化が困難になったりする。厚みが上記下限値より小さいと、加湿熱条件下で導電性フィルムの表面抵抗値が高抵抗化しやすくなり目標とする加湿熱信頼性が得られなかったり、導電層の強度の低下によるパターン配線の剥離が生じたりする。

第１導電層２１の形成方法は特に限定されず、従来公知の方法を採用することができる。具体的には、例えば、膜厚の均一性や成膜効率の観点から、スパッタリング法や化学気相成長法（ＣＶＤ）、物理気相成長法（ＰＶＤ）等の真空成膜法や、イオンプレーティング法、メッキ法（電解メッキ、無電解メッキ）、ホットスタンプ法、コーティング法等により成膜されることが好ましい。また、これらの製膜方法の複数を組み合わせてもよいし、必要とする膜厚に応じて適宜の方法を採用することもできる。中でも、スパッタリング法、真空成膜法が好ましく、スパッタリング法が特に好ましい。これにより、ロール・トゥ・ロール製法により連続生産でき生産効率を高めるとともに、成膜時の膜厚を制御することができるため、導電性フィルムの表面抵抗値の上昇を抑制できる。また、薄くて膜厚が均一で、緻密な導電層を形成することができる。ロール・トゥ・ロール製法を採用してフィルムを連続的に繰り出しながら真空成膜（特に、スパッタリング成膜）を行う場合には、後述の第２導電層の形成方法を好適に採用することができる。

（保護層）
保護層は、例えば第１導電層２１が大気中の酸素の影響を受けて自然に酸化することを防止するために、第１導電層２１の最表面側に形成することができる（図示せず）。保護層は、代表的には、第１導電層２１形成用の金属材料源（ターゲット）の下流に保護層形成用のターゲットを装着し、スパッタ成膜することで形成することができる。

保護層は、第１導電層２１の錆び防止効果を示すものである限り特に限定されないが、スパッタできる金属が好ましく、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉ，Ｓｉ、Ｚｎ，Ｓｎ，Ｃｒ，Ｆｅ、インジウム、ガリウム、アンチモン、ジルコニウム、マグネシウム、アルミニウム、金、銀、パラジウム、タングステンからなる中から選ばれるいずれか１種類以上の金属又はこれらの酸化物が用いられる。Ｎｉ，Ｃｕ，Ｔｉは，不動態層を形成するため腐食されにくく、Ｓｉは耐食性が向上するため腐食されにくく、Ｚｎ，Ｃｒは表面に緻密な酸化被膜を形成するため腐食されにくい金属であるため好ましい。

保護層の材料としては、第１導電層２１との密着性を担保させて確実に第１導電層２１の錆びを防止する観点から、２種の金属からなる合金を用いることはできるが、３種以上の金属からなる合金が好ましい。合金３種以上の金属からなる合金としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉ、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｆｅ，Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ等が挙げられ、防錆機能と生産効率の観点から、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｔｉが好ましい。なお、第１導電層２１との密着性を担保させる観点から、第１導電層２１の形成材料を含む合金であることが好ましい。これにより、第１導電層２１の酸化を確実に防ぐことができる。

また、保護層の材料としては、例えば、インジウムドープ酸化スズ（ＩＴＯ）、アンチモンを含有する酸化スズ（ＡＴＯ）、アルミドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）、インジウムドープ酸化亜鉛（ＩＺＯ）が含まれていても良い。導電性フィルムの初期の表面抵抗値の上昇を抑制するだけでなく、加湿熱条件下の表面抵抗値の上昇を抑制することができ、表面抵抗値の安定化を最適にできるため、好ましい。

前記金属の酸化物とは、ＳｉＯｘ（ｘ＝１．０〜２．０）、酸化銅、酸化銀、酸化チタン等の酸化物が好ましい。なお、前述の金属、合金、酸化物等の代わりに、第１導電層２１上にアクリル系樹脂やエポキシ系樹脂のような樹脂層を形成することで防錆効果をもたらすことも可能である。

保護層の膜厚は、１〜５０ｎｍが好ましく、２〜３０ｎｍがより好ましく、３〜２０ｎｍが好ましい。これにより、耐久性が向上し表面層から酸化を防ぐことができるため、加湿熱条件下での表面抵抗値は上昇を抑制できる。

《工程Ｂ》
工程Ｂでは、第１導電層２１上に第１保護フィルム３１を貼り合わせる。第１導電層２１の成膜直後に（第1導電層の成膜ラインと同一ライン内にて）第１保護フィルム３１を貼り合わせることが好ましい。これにより第１導電層２１の酸化や傷付き等を低減することができる。

（保護フィルム）
第１保護フィルム３１の第１導電層２１と接する側の面は粘着性を有する。第１保護フィルム３１の材質及び構造としては特に限定されるものではないが、ポリオレフィン系樹脂を含有する基材層と、熱可塑性エラストマーを含有する粘着層とを有することが望ましい。粘着層を形成する材料として、再剥離可能なアクリル系粘着剤等の公知の粘着剤も用いることができる。

前記基材層を形成するポリオレフィン系樹脂は特に制限されず、例えば、ポリプロピレン又はプロピレン成分とエチレン成分からなるブロック系、ランダム系等のプロピレン系ポリマー；低密度、高密度、リニア低密度ポリエチレン等のエチレン系ポリマー；エチレン−αオレフィン共重合体などのオレフィン系ポリマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−メタクリル酸メチル共重合体などのエチレン成分と他モノマーとのオレフィン系ポリマー等を例示できる。これらポリオレフィン系樹脂は１種を単独で又は２種以上を用いることができる。

前記基材層１はオレフィン系樹脂を主成分として含有するが、劣化防止等を目的に、例えば、酸化防止剤、紫外線吸収剤、ヒンダードアミン系光安定剤等の光安定剤、帯電防止剤、その他に、例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン等の充填剤、顔料、目ヤニ防止剤、滑剤、アンチブロッキング剤等の添加剤を適宜に配合することができる。

基材層１の厚さは、特に制限されないが、２０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、３０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、４０μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。また、基材層１は、単層でもよく二層以上の多層からなっていてもよい。

なお、基材層１の粘着層付設面と反対面には、例えば、コロナ放電処理、火炎処理、プラズマ処理や、スパッタエッチング処理、プライマー等の下塗り処理などの、表面処理を必要に応じて施すこともできる。

粘着層２を形成する熱可塑性エラストマーとしては、スチレン系エラストマー、ウレタン系エラストマー、エステル系エラストマー、オレフィン系エラストマーなどの粘着剤のベースポリマーとして用いられているものを特に制限なく使用できる。より具体的には、スチレン・ブタジエン・スチレン（ＳＢＳ）、スチレン・イソプレン・スチレン（ＳＩＳ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・スチレン（ＳＥＢＳ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体・スチレン（ＳＥＰＳ）等のＡ−Ｂ−Ａ型ブロックポリマー；スチレン・ブタジエン（ＳＢ）、スチレン・イソプレン（ＳＩ）、スチレン・エチレン−ブチレン共重合体（ＳＥＢ）、スチレン・エチレン−プロピレン共重合体（ＳＥＰ）等のＡ−Ｂ型ブロックポリマー；スチレン・ブタジエンラバー（ＳＢＲ）等のスチレン系ランダム共重合体；スチレン・エチレン−ブチレン共重合体・オレフィン結晶（ＳＥＢＣ）等のＡ−Ｂ−Ｃ型のスチレン・オレフィン結晶系ブロックポリマー；オレフィン結晶・エチレン−ブチレン共重合体・オレフィン結晶（ＣＥＢＣ）等のＣ−Ｂ−Ｃ型のオレフィン結晶系ブロックポリマー；エチレン−αオレフィン、エチレン−プロピレン−αオレフィン、プロピレン−αオレフィン等のオレフィン系エラストマー、さらにはこれらの水添物等があげられる。これら熱可塑性エラストマーは１種を単独で又は２種以上を用いることができる。

粘着層２の形成に際しては、前記熱可塑性エラストマーに、粘着特性の制御等を目的に、必要に応じて、例えば、軟化剤、オレフィン系樹脂、シリコーン系ポリマー、液状アクリル系共重合体、リン酸エステル系化合物、粘着付与剤、老化防止剤、ヒンダードアミン系光安定剤、紫外線吸収剤、その他に、例えば、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン等の充填剤や顔料などの添加剤を適宜に配合することができる。

粘着層２の厚さは、特に制限定されず、要求される密着力などに応じて適宜に決定すればよいが、通常０．１〜５０μｍ程度であり、好ましくは０．２〜４０μｍ、さらに好ましく０．３〜２０μｍである。

なお、粘着層２の表面には、例えば、コロナ放電処理、紫外線照射処理、火炎処理、プラズマ処理やスパッタエッチング処理などの、粘着性の制御や貼付作業性等を目的とした表面処理を必要に応じて施すこともできる。さらに、粘着層２には必要に応じて、実用に供されるまでの間、セパレータなどを仮着して保護することもできる。

また、基材層の粘着層の付設面と反対の面には必要に応じて、離型性を付与するための離型層を形成することができる。離型層は基材層及び粘着層と共に共押し出しにより形成してもよいし、塗布により形成してもよい。

離型層を共押し出しにより形成する際は２種以上のポリオレフィン系樹脂からなる混合物を用いて形成することが好ましい。２種以上のポリオレフィン系樹脂からなる混合物を用いることにより、２種のポリオレフィン系樹脂の相溶性を制御することにより、適度な表面粗さを形成し、適度な離型性が付与されるためである。離型層を共押し出しにより形成する際、その厚みは通常１〜５０μｍ程度であり、好ましくは２〜４０μｍ、さらに好ましく３〜２０μｍである。

離型層を塗布により形成する際の離型剤としては、離型性を付与しうるものを特に制限なく使用できる。例えば、離型剤としては、シリコーン系ポリマーや長鎖アルキル系ポリマーからなるものがあげられる。離型剤は、無溶剤型、有機溶剤に溶解させ溶剤型、水中で乳化した乳化型のいずれであってもよいが、溶剤型、乳化型の離型剤は安定して離型層３を基材層１に付設することができる。その他に、離型剤としては紫外線硬化型のものなどがあげられる。離型剤の具体的としては、ピーロイル（一方社油脂社製）、信越シリコーン（信越化学工業社製）等が入手可能である。

離型層３の厚さは、特に制限定されないが、前述の通り、薄膜化形成した場合に汚染低減効果が大きいことから、通常１〜１０００ｎｍ程度、さらには５〜５００ｎｍ、特に１０〜１００ｎｍであるのが好ましい。

《工程Ｃ》
工程Ｃでは、樹脂フィルム１を繰り出しながら樹脂フィルム１の他方の面に厚みが８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２導電層をスパッタリング法で形成する。これにより、保護フィルム３１が第２導電層２２形成時の樹脂フィルム１の補強材として機能することで、樹脂フィルム１のシワの発生を抑制することができる。第２導電層の厚みによっては、スパッタリング工程である工程Ｃを１回に限らず、２回以上の複数回行ってもよい。以下、第２導電層の性状及びスパッタリング法による成膜手順を説明する。

第２導電層２２の構成材料や電気抵抗率は第１導電層２１と同様のものを好適に採用することができる。

第２導電層２２の厚みは、低抵抗化及び薄型化の観点から、８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である。第２導電層２２の厚みの下限値は、９０ｎｍが好ましく、１００ｎｍがより好ましい。一方、第２導電層２２の厚みの上限値は、２８０ｎｍが好ましく、２５０ｎｍがより好ましい。なお、両面の導電層の厚みは互いに同じであってもよく、異なっていてもよい。

第１導電層２１の厚みと第２導電層２２の厚みとの差の絶対値は５ｎｍ以下であることが好ましく、３ｎｍ以下であることがより好ましい。両面の導電層の厚みを互いに近づけることで導電層に生じる応力が相殺され、導電性フィルムのカールや導電層の剥離等を防止することができる。

（成膜装置の構成）
第２導電層２２は、ロール・トゥ・ロール法により、樹脂フィルム１を繰り出しながら成膜することが好ましい。ロール・トゥ・ロール法による第２導電層の成膜は、図２に模式的に示すような巻取式の真空成膜装置３００を用いて行われる。真空成膜装置３００は、繰り出しロール３０１および巻取ロール３０２を備え、繰り出しロール３０１と巻取ロール３０２との間のフィルム搬送経路に、成膜ロール３１０および搬送ロール３０３、３０４を備える。なお、搬送ロールの数は特に限定されない。各搬送ロールは自由回転式のものであってもよく、駆動回転式のものであってもよい。成膜箇所におけるＭＤ方向での引張応力を制御する観点からは、成膜ロール３１０と巻取ロール３０２との間の搬送ロールの少なくとも１本は、駆動回転ロールであることが好ましい。また、繰り出しロール３０１と成膜ロール３１０との間に駆動回転ロールが配置されていてもよい。なお、成膜箇所におけるＭＤ方向での引張応力とは、成膜ロールと、フィルムの搬送経路上で成膜ロールに最も近い駆動ロールとの間の張力を指す。駆動ロールは、単独の駆動回転ロールであってもよく、２本のロールを１対としてフィルムを挟持するニップロールであってもよい。

さらに、成膜箇所における引張応力を制御する観点から、真空成膜装置は搬送経路にテンションピックアップロールやダンサロール等の引張応力検出手段を備えていることが好ましい。また、フィルムの搬送を安定させる観点からは、引張応力制御機構を有し、成膜箇所における引張応力が一定となるように制御できるような構成が好ましい。引張応力制御機構は、テンションピックアップロール等の引張応力検出手段によって検出された引張応力が、設定値よりも高い場合には、引張応力検出手段よりも搬送経路の下流側に位置する駆動回転ロールの周速を小さくし、引張応力が設定値よりも低い場合には、駆動回転ロールの周速を大きくするように、フィードバックを行う機構である。

成膜箇所における引張応力と、巻取ロール３０２におけるフィルム巻取応力とを独立に制御する観点からは、成膜ロール３１０と巻取ロール３０２との間のフィルム搬送経路に、テンションカット手段を備えることが好ましい。また、成膜箇所における引張応力と繰り出しロール３０１からの繰り出し応力とを独立に制御する観点からは、繰り出しロール３０１と成膜ロール３１０との間のフィルム搬送経路に、テンションカット手段を備えることが好ましい。

テンションカット手段としては、ニップロールの他、サクションロール、あるいは、フィルム搬送経路がＳ字状となるように配置されたロール群等を用いることができる。さらに、テンションカット手段と巻取ロール３０２との間の搬送経路にテンションピックアップロール等の適宜の引張応力検出手段が配置され、適宜の引張応力制御機構によって巻取応力が一定となるように巻取ロール３０２の回転トルクが調整されることが好ましい。このように、成膜箇所における引張応力と巻取応力および／または繰り出し応力とを独立に制御することによって、巻取応力が小さいことによる巻状態の不良や、巻取応力が大きいことによるフィルムのブロッキング等の不具合の発生を抑止し得る。

成膜ロール３１０は、温調可能に構成されていることが好ましい。ロールを温調する手段としては、ロール内部に温媒（および冷媒）を循環可能とした構成、ロール内に電気ヒータ等の加熱手段を備える構成、赤外線ヒータ等の加熱手段によりロールの外部からロール表面を加熱可能とした構成等が挙げられる。成膜ロールの近傍には、ターゲット３２０が装着され、このターゲット３２０から気化した金属原子が基材上に堆積することによって成膜が行われる。ターゲット３２０の数は特に限定されず、導電層の膜質や生産性を考慮して適宜設定可能であり、図２に示すように１個でもよく、複数個であってもよい。複数個のターゲットを用いる場合は、ラインの上流から下流に向かって順に設置していけばよい。

（成膜条件）
樹脂フィルム１と第１導電層２１と保護フィルム３１との積層体Ｌは、繰り出しロール３０１から繰り出され、複数の搬送ロール３０３、３０４と成膜ロール３１０を経由して緩まないように連続的に搬送される。成膜ロール３１０上で第２導電層２２が真空成膜された導電性フィルム１００は、巻取ロール３０２で巻取られる。

成膜箇所における樹脂フィルム１のＭＤ方向での引張応力は、１ＭＰａ以上が好ましく、１ＭＰａ以上３ＭＰａ以下であることがより好ましく、１．５ＭＰａ以上２．５ＭＰａ以下であることがさらに好ましい。引張応力を上記範囲とすることによって、シワの発生を抑制することができる。上記引張応力が小さ過ぎるとシワが発生しやすく、大き過ぎると樹脂フィルム１自体の変形につながるおそれがある。

第２導電層２２成膜時の成膜ロール３１０の温度は、４０℃〜１５０℃であることが好ましく、５０℃〜１４０℃であることがより好ましく、６０℃〜１３０℃であることがさらに好ましい。成膜ロールの温度が過度に低いと、樹脂フィルム１の成膜ロールとの接触面側と成膜面側との温度差が大きくなる、すなわち、フィルム厚み方向の温度分布が大きくなるために、樹脂フィルム１にシワが発生しやすくなるものと推定される。一方、成膜ロールの温度が過度に高いと、成膜ロール上でのフィルムの熱変形が大きくなるために、シワを生じ易くなるものと推定される。

その他の成膜条件は特に限定されず、例えば、スパッタリング法により、銅からなる第１導電層２１を成膜する場合には、ターゲットとして銅（無酸素銅が好ましい）を用い、まず、スパッタ装置内の真空度（到達真空度）を好ましくは１×１０^−３Ｐａ以下となるまで排気して、スパッタ装置内の水分や樹脂フィルムから発生する有機ガスなどの不純物を取り除いた雰囲気とすることが好ましい。

このように排気したスパッタ装置内に、Ａｒ等の不活性ガスを導入して、前記範囲の引張応力付与下で樹脂フィルムを搬送させながら、前記範囲の温度に成膜ロール温度を調整して、減圧下でスパッタ成膜を行う。成膜時の圧力は０．０５Ｐａ〜１．０Ｐａであることが好ましく、０．１Ｐａ〜０．７Ｐａであることがより好ましい。成膜圧力が高すぎると成膜速度が低下する傾向があり、逆に圧力が低すぎると放電が不安定となる傾向がある。

フィルムの搬送速度及び１つのターゲットあたりの電力密度は導電層の膜質や膜厚、生産効率等を考慮して設定することができる。フィルムの搬送速度は、２ｍ／ｍｉｎ以上２０ｍ／ｍｉｎ以下が好ましく、３ｍ／ｍｉｎ以上１８ｍ／ｍｉｎ以下がより好ましい。また、１つのターゲットあたりの電力密度は、２０ｋＷ／ｍ^２以上１００ｋＷ／ｍ^２以下が好ましく、２５ｋＷ／ｍ^２以上９０ｋＷ／ｍ^２以下がより好ましい。

工程Ｃにおいて、スパッタリング法における下記式で表される総電力密度は１５００ｋＷ／ｍ^２以下であることが好ましく、１２００ｋＷ／ｍ^２以下であることがより好ましい。
総電力密度＝Ｎ×Ｔ×Ｐ
（式中、Ｎは工程繰り返し回数であり、Ｔは１工程あたりのターゲット数であり、Ｐは１ターゲットあたりの電力密度［ｋＷ／ｍ^２］である。）

工程Ｃのスパッタリング時における総電力密度を所定値以下とすることで、樹脂フィルムへの負荷が低減し、シワの発生をより高いレベルで抑制することができる。また、厚手の導電層を形成するには、高い電力密度でのスパッタリングを少数回行う手順や、低い電力密度でのスパッタリングを多数回行ったりする手順を採用することができる。いずれの手順であっても、上記式で求められる総電力密度を所定範囲に制御することで、樹脂フィルムのシワを抑制しつつ、生産効率良く導電性フィルムを製造することができる。生産性を考慮すると、８０ｋＷ／ｍ^２以上であることが好ましく、１００ｋＷ／ｍ^２以上であることがより好ましい。

《工程Ｄ》
本実施形態では、工程Ｃに続いて、第２導電層２２上に第２保護フィルム３２を貼り合わせる工程Ｄをさらに含んでいてもよい。第２保護フィルム３２としては、第１保護フィルム３１と同様の構成のものを好適に採用することができる。第１保護フィルム３１の貼り合わせと同様に、第２導電層２２の酸化や傷付き等を低減の点から、第２導電層２２の成膜直後に（第２導電層の成膜ラインと同一ライン内にて）第２保護フィルム３２を貼り合わせることが好ましい。この工程Ｄを経ることで、樹脂フィルムの両面に導電層及び保護フィルムが順に積層された保護フィルム付きの導電性フィルムを製造することができる。

なお、導電性フィルムを各種デバイスに組み込む際には、通常、用途に応じて片面又は両面の保護フィルムを剥離して用いることになる。

（導電性フィルム）
導電性フィルム１００の初期の表面抵抗値Ｒ１は、０．００１Ω／□〜１０．０Ω／□であることが好ましく、０．０１Ω／□〜７．５Ω／□であることがより好ましく、０．１Ω／□〜５．０Ω／□であることが更に好ましい。これにより生産効率に優れた実用的な導電性フィルムを提供できる。

導電性フィルム１００全体の厚みは、２〜３００μｍの範囲内であることが好ましく１０〜２５０μｍの範囲内であることがより好ましく、２０〜２００μｍの範囲内であることが更に好ましい。これにより、導電性フィルムの低抵抗化を図りつつ、それ自体も薄くでき、電磁波シールドシートやセンサ等に用いた場合の厚みを抑えることが可能となる。そのため、電磁波シールドシートやセンサ等の薄型化に対応できる。さらに、導電性フィルムの厚みが前記の範囲内であると、柔軟性を確保しつつ機械的強度が十分とすることができ、フィルムをロール状にしてＳｉ含有層や導電層等を連続的に形成する操作が容易となり、生産効率が向上する。

導電性フィルムは、搬送性や取扱いの観点からロール状に巻回されていてもよい。樹脂フィルムに下地層、導電層をロール・トゥ・ロール法で連続的に形成することで、効率良く導電性フィルムを製造することができる。

（導電性フィルムの用途）
導電性フィルムは様々な用途に適用可能であり、例えば、電磁波シールドシートや面状センサ等に応用され得る。電磁波シールドシートは、導電性フィルムを用いたものであり、タッチパネル等の形態で好適に使用することができる。前記電磁波シールドシートの厚みは、２０〜２００μｍであることが好ましい。なお、保護フィルムが貼り合わされている場合は、保護フィルムを剥離してから用いることができる。

また電磁波シールドシートの形状は、特には限定されず、設置する対象物の形状などに応じて、積層方向（シートの厚み方向と同じ方向）からみた形状が方形状、円形状、三角形状、多角形状など、適宜の形状に選択できる。

面状センサは、導電性フィルムを用いたものであり、モバイル機器のタッチパネルやコントローラ等のユーザーインターフェース用途に加え、様々な物理量等をセンシングするセンサを含む。前記面状センサの厚みは、２０〜２００μｍであることが好ましい。

≪第２実施形態≫
（下地層）
本実施形態では、導電性フィルム１００は、樹脂フィルム１と第１導電層２１との間、及び樹脂フィルム１と第２導電層２２との間のいずれか一方に下地層（図示せず）を備えていてもよい。導電層の樹脂フィルムへの密着性や導電性フィルムへの強度付与、電気的特性の制御等、目的に応じた下地層を設けることで導電性フィルムの高機能化を図ることができる。下地層としては特に限定されず、易接着層、ハードコート層（アンチブロッキング層等として機能するものを含む。）、誘電体層等が挙げられる。

（易接着層）
易接着層は、接着性樹脂組成物の硬化膜である。易密着層は、導電層に対して良好な密着性を有する。

接着性樹脂組成物としては、易密着層形成後の硬化膜として十分な接着性と強度とを持つものを特に制限なく使用できる。用いる樹脂としては熱硬化型樹脂、熱可塑型樹脂、紫外線硬化型樹脂、電子線硬化型樹脂、二液混合型樹脂、及びこれらの混合物などがあげられるが、これらのなかでも紫外線照射による硬化処理にて、簡単な加工操作にて効率よく易密着層を形成することができる紫外線硬化型樹脂が好適である。紫外線硬化型樹脂を含むことで、紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物が容易に得られる。

接着性樹脂組成物としては、硬化の際に架橋構造を形成する材料が好ましい。易密着層での架橋構造が促進されると、それまで緩やかだった膜内部構造が強固となり、膜強度が向上される。こうした膜強度の向上が密着性の向上に寄与していると推察されるからである。

接着性樹脂組成物は、（メタ）アクリレートモノマー及び（メタ）アクリレートオリゴマーのうちの少なくとも１種を含むことが好ましい。これにより、アクリロイル基に含まれるＣ＝Ｃ二重結合に起因する架橋構造の形成が容易となり、膜強度の向上を効率的に図ることができる。なお、本明細書において、（メタ）アクリレートとは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。

本実施形態で用いる、主成分としての（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレートモノマー及び／又はアクリレートオリゴマーは塗膜を形成させる役目を有し、具体的にはトリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、エチレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド変性トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンテトラ（メタ）アクリレート、トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、カプロラクトン変性トリス（アクリロキシエチル）イソシアヌレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、アルキル変性ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、カプロラクトン変性ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、及びこれら２種以上の混合物が挙げられる。

前記の（メタ）アクリレートの中でも、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、或いはこれらの混合物が、耐摩耗性、硬化性の点からとりわけ好ましい。

また、ウレタンアクリレートオリゴマーを用いることもできる。ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーは、ポリオールと、ポリイソシアネートとを反応させた後に、水酸基を有する（メタ）アクリレートを反応させる方法や、ポリイソシアネートと、水酸基を有する（メタ）アクリレートとを反応させた後に、ポリオールを反応させる方法や、ポリイソシアネート、ポリオール、水酸基を有する（メタ）アクリレートを反応させる方法などが挙げられるが特に限定はない。

ポリオールとしては、例えば、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレンエーテルグリコール及びこれらの共重合物、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，４−ブタンジオール、２，２’−チオジエタノール等が挙げられる。

ポリイソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、水添ジフェニルメタンジイソシアネート、１，３−キシリレンジイソシアネート、１，４−キシリレンジイソシアネート等が挙げられる。

架橋密度が高すぎるとプライマーとしての性能が落ち導電層密着性が低下しやすくなるため、水酸基を有する低官能（メタ）アクリレート（以下、水酸基含有（メタ）アクリレートという）を用いても良い。水酸基含有（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、１，４−シクロヘキサンジメタノールモノ（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−アクリロイロキシプロピル（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートなどがあげられる。上述した（メタ）アクリレートモノマー成分及び／又は（メタ）アクリレートオリゴマー成分は単独で用いても２種以上を用いても良い。

本実施形態の紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物は、（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤を配合することによりアンチブロッキング性が向上する。（メタ）アクリル基含有シランカップリング剤としては、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、市販品としては、ＫＲ−５１３、ＫＢＭ−５１０３（信越化学株式会社製、商品名）が挙げられる。

シランカップリング剤の配合量は、前記（メタ）アクリレートモノマー及び／又は（メタ）アクリレートオリゴマー１００重量部に対して、０．１重量部〜５０重量部、より好ましくは１〜２０重量部とする。この範囲であると導電層との密着性が向上し、塗膜物性を維持することができる。

本実施形態の易密着層は、ナノシリカ微粒子を含んでいてもよい。ナノシリカ微粒子としては、アルキルシランから合成されたオルガノシリカゾルあるいはプラズマアークにより合成されたナノシリカを用いることができる。市販品としては前者であればＰＬ−７−ＰＧＭＥ（扶桑化学製、商品名）、後者であればＳＩＲＭＩＢＫ１５ＷＴ％−Ｍ３６（ＣＩＫナノテック製、商品名）などが挙げられる。ナノシリカ微粒子の配合割合は前記（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレートモノマー及び／又はアクリレートオリゴマーとシランカップリング剤との総重量１００重量部に対し、５〜３０重量部が好ましく、５〜１０重量部がより好ましい。下限以上とすることで表面凹凸が形成されてアンチブロッキング性を付与可能となり、ロール・トゥ・ロールでの生産が可能となる。上限以下とすることで導電層との密着性の低下を防止することができる。

ナノシリカ微粒子の平均粒径は１００〜５００ｎｍが好ましい。平均粒径１００ｎｍ未満では表面に凹凸を形成するのに必要な添加量が多くなるために導電層との密着性が得られないのに対し、５００ｎｍを越えると表面凹凸が大きくなり、ピンホールの問題が発生する。

接着性樹脂組成物は紫外線硬化性を付与するために光重合開始剤を含むことが好ましい。光重合開始剤としては、ベンゾインノルマルブチルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル類、ベンジルジメチルケタール、ベンジルジエチルケタール等のベンジルケタール類、２，２−ジメトキシアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、［２−ヒドロキシ−２−メチル−１−（４−エチレンフェニル）プロパン−１−オン］、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−（４−イソプロピルフェニル）プロパン−１−オン等のα−ヒドロキシアルキルフェノン類、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−１−モルフォリノプロパン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−１−ブタノン等のα−アミノアルキルフェノン類、２，４，６−トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキサイド、２，４，６−トリメチルベンゾイルフェニルエトキシホスフィンオキサイド等のモノアシルホスフィンオキサイド類、ビス（２，６−ジメトキシベンゾイル）−２，４，４−トリメチルペンチルホスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキサイド等のモノアシルホスフィンオキサイド類などが挙げられる。

樹脂の硬化性、光安定性、樹脂との相溶性、低揮発、低臭気という点から、アルキルフェノン系光重合開始剤が好ましく、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニル−プロパン−１−オン、（２−ヒドロキシ−１−｛４−［４−（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロピオニル）−ベンジル］フェニル｝−２−メチル−プロパン−１−オン、１−［４−（２−ヒドロキシエトキシ）−フェニル］−２−ヒドロキシ−２−メチル−１−プロパン−１−オンがより好ましい。市販品としてはＩｒｇａｃｕｒｅ１２７、１８４、３６９、６５１、５００、８９１、９０７、２９５９、Ｄａｒｏｃｕｒｅ１１７３、ＴＰＯ（ＢＡＳＦジャパン株式会社製、商品名）などが挙げられる。光重合開始剤は（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレートモノマー及び／又はアクリレートオリゴマー１００重量部に対して、固形分３〜１０重量部配合する。

易密着層の形成の際には、分子内に（メタ）アクリロイル基を有する（メタ）アクリレート及び／あるいは（メタ）アクリレートオリゴマーを主成分とする接着性樹脂組成物を、トルエン、酢酸ブチル、イソブタノール、酢酸エチル、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、ヘキサン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジエチルエーテル、エチレングリコールなどの溶剤に希釈し、固形分が３０〜５０％のワニスとして調製する。

易密着層は、シクロオレフィン系樹脂フィルム１上に、上記ワニスを塗布することにより形成される。ワニスの塗布方法は、ワニス及び塗装工程の状況に応じて適時選択することができ、例えばディップコート法、エアーナイフコート法、カーテンコート法、ローラーコート法、ワイヤーバーコート法、グラビアコート法、ダイコート法やエクストルージョンコート法などにより塗布することができる。

ワニスを塗布後、塗膜を硬化させることによって、易密着層を形成することができる。紫外線硬化性を有する接着性樹脂組成物の硬化処理としては、ワニスが溶剤を含む場合は乾燥（例えば８０℃で１分間）による溶媒除去後、紫外線照射機を用いて５００ｍＷ／ｃｍ^２〜３０００ｍＷ／ｃｍ^２の照射強度で、仕事量が５０〜４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線処理を行い硬化させるという手順が挙げられる。紫外線発生源としては一般的に紫外線ランプが用いられており、具体的には、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、キセノンランプ、メタルハライドランプなどが挙げられ、照射する場合は空気中でもよいし、窒素、アルゴンなどの不活性ガス中でもよい。

紫外線硬化処理の際に加熱を行うことが好ましい。紫外線照射により接着性樹脂組成物の硬化反応が進行し、同時に架橋構造が形成される。このとき加熱を行うことにより、低紫外線量でも十分に架橋構造の形成を促進させることができる。加熱温度は、架橋度に応じて設定可能であり、好ましくは５０℃〜８０℃である。加熱手段は特に限定されず、温風乾燥機、輻射熱乾燥機、フィルム搬送ロールの加熱等を適宜採用することができる。

易密着層の厚みとしては特に限定されないものの、０．２μｍ〜２μｍであることが好ましく、０．５μｍ〜１．５μｍであることがより好ましく、０．８μｍ〜１．２μｍであることがさらに好ましい。易密着層の厚みを上記範囲とすることで、導電層の密着性とフィルムの柔軟性とを向上させることができる。

（ハードコート層）
下地層として、ハードコート層を設けてもよい。さらに、導電性フィルム同士のブロッキングを防止してロール・トゥ・ロール法による製造を可能にするために、ハードコート層に粒子を配合してもよい。

ハードコート層の形成には、易密着層と同様の接着性組成物を好適に用いることができる。アンチブロッキング性を付与するには、前記接着性組成物に粒子を配合することが好ましい。これによりハードコート層の表面に凹凸を形成することができ、導電性フィルム１００にアンチブロッキング性を好適に付与することができる。

上記粒子としては、各種金属酸化物、ガラス、プラスチックなどの透明性を有するものを特に制限なく使用することができる。例えばシリカ、アルミナ、チタニア、ジルコニア、酸化カルシウム等の無機系粒子、ポリメチルメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、アクリル系樹脂、アクリル−スチレン共重合体、ベンゾグアナミン、メラミン、ポリカーボネート等の各種ポリマーからなる架橋又は未架橋の有機系粒子やシリコーン系粒子などがあげられる。前記粒子は、１種又は２種以上を適宜に選択して用いることができる。

上記粒子の平均粒径や配合量は、表面凹凸の程度を考慮しつつ、適宜設定することができる。平均粒径としては、０．５μｍ〜２．０μｍが好ましく、配合量としては、組成物の樹脂固形分１００重量部に対して０．２〜５．０重量部が好ましい。

（誘電体層）
下地層として、１層以上の誘電体層を備えていてもよい。誘電体層は、無機物、有機物、あるいは無機物と有機物との混合物により形成される。誘電体層を形成する材料としては、ＮａＦ、Ｎａ_３ＡｌＦ_６、ＬｉＦ、ＭｇＦ_２、ＣａＦ_２、ＳｉＯ_２、ＬａＦ_３、ＣｅＦ_３、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、ＺｒＯ_２、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＳｉＯ_ｘ（ｘは１．５以上２未満）などの無機物や、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、メラミン樹脂、アルキド樹脂、シロキサン系ポリマーなどの有機物が挙げられる。特に、有機物として、メラミン樹脂とアルキド樹脂と有機シラン縮合物の混合物からなる熱硬化型樹脂を使用することが好ましい。誘電体層は、上記の材料を用いて、グラビアコート法やバーコート法などの塗工法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などにより形成できる。

誘電体層の厚さは、１０ｎｍ〜２５０ｎｍであることが好ましく、２０ｎｍ〜２００ｎｍであることがより好ましく、２０ｎｍ〜１７０ｎｍであることがさらに好ましい。誘電体層の厚さが過度に小さいと連続被膜となりにくい。また、誘電体層の厚さが過度に大きいと、誘電体層にクラックが生じ易くなったりする傾向がある。

誘電体層は、平均粒径が１ｎｍ〜５００ｎｍのナノ微粒子を有していてもよい。誘電体層中のナノ微粒子の含有量は０．１重量％〜９０重量％であることが好ましい。誘電体層に用いられるナノ微粒子の平均粒径は、上述のように１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲であることが好ましく、５ｎｍ〜３００ｎｍであることがより好ましい。また、誘電体層中のナノ微粒子の含有量は１０重量％〜８０重量％であることがより好ましく、２０重量％〜７０重量％であることがさらに好ましい。

ナノ微粒子を形成する無機酸化物としては、例えば、酸化ケイ素（シリカ）、中空ナノシリカ、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ニオブ等の微粒子があげられる。これらの中でも、酸化ケイ素（シリカ）、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ジルコニウム、酸化ニオブの微粒子が好ましい。これらは１種を単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。

以下、本発明に関して実施例を用いて詳細に説明するが、本発明はその要旨を超えない限り、以下の実施例に限定されるものではない。

＜実施例１、２：片面保護フィルム付き両面導電性フィルムの作製＞
先ず、幅１．１００ｍ、長さ２５００ｍ、表１に示す厚さのポリエチレンテレフタレートフィルム（東レフィルム加工株式会社製、品名「１５０−ＴＴ００Ａ」、以下、ＰＥＴフィルムという。）からなる長尺状樹脂フィルムを送り出しロールに巻いて図２に示すようなスパッタ装置内に設置した。その後、スパッタ装置内を３．０×１０^−３Ｔｏｒｒの高真空にし、その状態で、長尺状樹脂フィルムを送り出しロールから巻き取りロールへ送りながら、スパッタ成膜を行った。Ａｒガス１００体積％からなる３．０×１０^−３Ｔｏｒｒの雰囲気中で、メタルターゲット材料としてＣｕを用いて、焼結体ＤＣマグネトロンスパッタ法により、第１導電層を片面にスパッタ成膜をし、送り出しロールにフィルムを巻き取ることで、一方の面に導電層を形成した片面導電性フィルムの巻回体を作製した。スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数Ｎ、１ラインあたりのターゲット数Ｔ及び１ターゲットあたりの電力密度Ｐ［ｋＷ／ｍ^２］を表１に示す値とした。また、スパッタ成膜の際の総電力密度を下記式に基づき算出した。
総電力密度＝Ｎ×Ｔ×Ｐ
（Ｎはスパッタ成膜の繰り返し回数であり、Ｔは１ラインあたりのターゲット数であり、Ｐは１ターゲットあたりの電力密度［ｋＷ／ｍ^２］である。）

作製した片面導電性フィルムの巻回体の第１導電層面側に、表１に示す厚みの保護フィルム（フタムラ化学社製、「ＦＳＡ０２０Ｍ」）の粘着層面側を貼り合わせて、一方の面に保護フィルムを貼り合わせた片面保護フィルム付き片面導電性フィルムの巻回体を作製した。

作製した片面保護フィルム付き片面導電性フィルムの巻回体の保護フィルム配設面とは反対側に第１導電層と同条件で第２導電層をスパッタ成膜することで、両面に導電層が形成され、一方の面に保護フィルムが配設された片面保護フィルム付き両面導電性フィルムを作製した。なお、第１導電層及び第２導電層はともに表１に示す厚みで成膜した。また、実施例１での樹脂フィルムのＭＤ方向に加えた張力は２９０Ｎであり、フィルム幅と厚みから算出した引張応力は１．７６ＭＰａであった。

＜比較例１〜４：両面導電性フィルムの作製（保護フィルム無し）＞
実施例１と同様の方法で片面導電性フィルムの巻回体を作製した。次に、片面導電性フィルムの巻回体の第１導電層と反対側に第１導電層と同条件で第２導電層をスパッタ成膜し、両面に導電層が形成された両面導電性フィルムを作製した。なお、第１導電層及び第２導電層はともに表１に示す厚みで成膜した。また、スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数Ｎ、１ラインあたりのターゲット数Ｔ及び１ターゲットあたりの電力密度Ｐ［ｋＷ／ｍ^２］を表１に示す値とした。

＜参考例１：両面導電性フィルムの作製（保護フィルム無し）＞
実施例１と同様の方法で片面導電性フィルムの巻回体を作製した。次に、片面導電性フィルムの巻回体の第１導電層と反対側に第１導電層と同条件で第２導電層をスパッタ成膜し、両面に導電層が形成された両面導電性フィルムを作製した。なお、第１導電層及び第２導電層はともに表１に示す厚みで成膜した。また、スパッタ成膜の際のライン搬送速度、スパッタ成膜の繰り返し回数Ｎ、１ラインあたりのターゲット数Ｔ及び１ターゲットあたりの電力密度Ｐ［ｋＷ／ｍ^２］を表１に示す値とした。

＜評価＞
作製した導電性フィルムについて、以下の評価を行った。それぞれの結果を表１に示す。

（１）厚みの測定
導電層の厚みは、透過型電子顕微鏡（日立製作所製、製品名「Ｈ−７６５０」）を用いて、保護フィルム付きの導電性フィルムの断面を観察して測定した。

（２）シワの評価
作製した保護フィルム付きの導電性フィルムについて、シワの発生の評価を行った。導電性フィルムの巻回体から約１０ｍ分引き出し、蛍光灯を導電性フィルムに照射して、目視にて第２導電層のシワの有無を観察した。シワが観察されなかった場合を「○」、シワが観察された場合を「×」として評価した。

（結果）
表１より、第１導電層に保護フィルムを貼り合わせた状態で第２導電層を形成した実施例では、シワの発生が抑制されたことが分かる。一方、保護フィルムなしで第２導電層を形成した比較例１〜４ではシワが発生したことが分かる。なお、厚みの小さい導電層を形成した参考例１ではシワの発生がなかった。これにより、シワの発生は厚手の導電層の形成の際に特徴的に見られる現象であることが分かる。

１ 樹脂フィルム
２１ 第１導電層
２２ 第２導電層
３１ 第１保護フィルム
３２ 第２保護フィルム
１００ 導電性フィルム
３００ 成膜装置
３０１ 繰り出しロール
３０２ 巻取ロール
３０３、３０４ 搬送ロール
３１０ 成膜ロール
３２０ ターゲット

Claims (6)

1. 樹脂フィルムの一方の面に第１導電層を形成する工程Ａ、
   前記第１導電層上に保護フィルムを貼り合わせる工程Ｂ、及び
   前記樹脂フィルムを繰り出しながら前記樹脂フィルムの他方の面に厚みが８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の第２導電層をスパッタリング法で形成する工程Ｃ
   を含む導電性フィルムの製造方法。
2. 前記工程Ａにおいて、前記第１導電層をスパッタリング法で形成する請求項１に記載の導電性フィルムの製造方法。
3. 前記第１導電層厚みが、８０ｎｍ以上３００ｎｍ以下である請求項１又は２に記載の導電性フィルムの製造方法。
4. 前記保護フィルムの厚みが２０μｍ以上２００μｍ以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。
5. 前記工程Ｃにおいて、前記スパッタリング法における下記式で表される総電力密度が１５００ｋＷ／ｍ^２以下である請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。
   総電力密度＝Ｎ×Ｔ×Ｐ
   （式中、Ｎは工程繰り返し回数であり、Ｔは１工程あたりのターゲット数であり、Ｐは１ターゲットあたりの電力密度［ｋＷ／ｍ^２］である。）
6. 前記工程Ｃにおいて、前記樹脂フィルムのＭＤ方向での引張応力が１ＭＰａ以上である請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性フィルムの製造方法。

Images