JP2019083292A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
12、312:モールド樹脂
14、16、314、315、316:電力用リード
14a、114a、214a、314a:電力用リードの接触面
14b、16b、114b、214b、314b、315b、316b:電力用リードの接合面
18、118、218、317、318:信号用リード
18a、118a、218a、318a:信号用リードの接触面
18b、118b、218b、317b、318b:信号用リードの接合面
19:リードフレーム
20、320、340:半導体素子
20a、320a:上面電極
20b、320b、340b:下面電極
20c、320c、340c:信号パッド
22、322:上側放熱板
24、324:下側放熱板
26、32、326、332:絶縁基板
28、34、328、334:内側導体層
30、36、330、336:外側導体層
60、62、64、66、68、360、362、364:はんだ層
214c、218c:凸部
Claims (1)
- 半導体素子と、
前記半導体素子を挟んで対向している上側放熱板及び下側放熱板と、
平面視したときに半導体装置の両側に位置するとともに、前記半導体素子に電気的に接続されている第1リード及び第2リードと、を備え、
前記上側放熱板及び前記下側放熱板の各々は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方側に位置するととともに前記半導体素子へ電気的に接続された内側導体層と、前記絶縁基板の他方側に位置する外側導体層とを有し、
前記第1リード及び前記第2リードの各々は、前記上側放熱板と前記下側放熱板との一方の前記内側導体層に接合されているとともに、他方の前記絶縁基板に接触している、
半導体装置。
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JP2017211324A JP2019083292A (ja) | 2017-10-31 | 2017-10-31 | 半導体装置 |
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2017
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