JP2018074147A - Circuit board and electronic device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、金属板を有する回路基板および電子装置に関するものである。 The present invention relates to a circuit board having a metal plate and an electronic device.
従来、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等の電子部品が搭載された電
子装置に用いられる回路基板として、例えば、セラミック板の上面に金属回路板が接合されたものが用いられている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a circuit board used in an electronic device on which an electronic component such as an IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) is mounted, for example, a circuit board in which a metal circuit board is bonded to the upper surface of a ceramic board is used.
金属回路板は、電子部品を外部電気回路に電気的に接続するための回路を形成している。このような電子装置においては、金属回路板を介して電子部品と外部電気回路とが互いに電気的に接続される。 The metal circuit board forms a circuit for electrically connecting the electronic component to an external electric circuit. In such an electronic device, an electronic component and an external electric circuit are electrically connected to each other through a metal circuit board.
これらの回路基板では、冷熱サイクルの付加による熱応力に起因したセラミック板の破壊等の信頼性低下を防止するために、例えば、金属回路板の外周縁部に溝または貫通孔が形成されたものが用いられる(特許文献1、特許文献2を参照)。
In these circuit boards, in order to prevent a decrease in reliability such as destruction of a ceramic plate due to thermal stress due to the addition of a thermal cycle, for example, a groove or a through hole is formed in the outer peripheral edge of a metal circuit plate Is used (see
上記従来技術の回路基板および電子装置においては、金属回路板の外周縁部に設けた溝または貫通孔で、金属回路板の外周縁部への熱応力の集中を低減している。しかし、近年、回路基板およびそれを含む電子装置では、例えば車載用途においては、より一層の信頼性向上が求められている。 In the circuit board and the electronic device of the prior art described above, the concentration of thermal stress on the outer peripheral edge of the metal circuit board is reduced by the grooves or through holes provided in the outer peripheral edge of the metal circuit board. However, in recent years, in a circuit board and an electronic device including the circuit board, for example, in a vehicle-mounted application, further improvement in reliability is required.
本発明の1つの態様の回路基板は、第1主面および該第1主面と反対側の第2主面を有するセラミック板と、第1金属材料からなり、第3主面および該第3主面と反対側の第4主面を有しており、該第4主面が前記第1主面に対向して配置されているとともに、前記第3主面に該第3主面の外周に沿って設けられた溝および貫通孔の少なくとも一方である空隙部を有する金属回路板と、前記第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい材料からなり前記第3主面の空隙部内に配置された充填物とを備えている。また、前記金属回路板は、前記空隙部より内側部分と外側部分とが一体的につながっている。 A circuit board according to one aspect of the present invention includes a ceramic plate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, a first metal material, and a third main surface and the third main surface. A fourth main surface opposite to the main surface, the fourth main surface being disposed opposite to the first main surface, and an outer periphery of the third main surface on the third main surface And a metal circuit board having a gap portion that is at least one of a groove and a through-hole provided along the surface, and a material having a smaller thermal expansion coefficient than the first metal material, and disposed in the gap portion of the third main surface. Filling. In the metal circuit board, an inner portion and an outer portion are integrally connected to the gap portion.
本発明の1つの態様の電子装置は、上記構成の回路基板と、前記金属回路板上に搭載されており、前記金属回路板電気的接続された端子を有する電子部品とを備える。 An electronic device according to an aspect of the present invention includes a circuit board having the above-described configuration and an electronic component that is mounted on the metal circuit board and has terminals that are electrically connected to the metal circuit board.
本発明の1つの態様の回路基板によれば、上記構成であることから、セラミック板の破壊の抑制およびセラミック板からの金属回路板の剥離等を効果的に抑制することができる。すなわち、この態様の回路基板では、金属回路板の外周に沿って、熱膨張係数が比較的小さい充填物が配置されているため、金属回路板の外周縁部におけるみかけの熱膨張係数が小さくなる。そのため、金属回路板とセラミック板との熱膨張係数の差が従来よりも小さくなり、発生する熱応力自体が効果的に小さくなる。したがって、熱応力に起因したセ
ラミック板からの金属回路板の剥離等の機械的な破壊等を効果的に抑制することができる。
According to the circuit board of one aspect of the present invention, because of the above configuration, it is possible to effectively suppress the destruction of the ceramic plate and the peeling of the metal circuit plate from the ceramic plate. That is, in the circuit board of this aspect, since the filler having a relatively small thermal expansion coefficient is disposed along the outer periphery of the metal circuit board, the apparent thermal expansion coefficient at the outer peripheral edge of the metal circuit board is reduced. . Therefore, the difference in thermal expansion coefficient between the metal circuit board and the ceramic board becomes smaller than before, and the generated thermal stress itself is effectively reduced. Therefore, mechanical destruction such as peeling of the metal circuit board from the ceramic plate due to thermal stress can be effectively suppressed.
本発明の1つの態様の電子装置によれば、上記構成の回路基板を含むことから、金属回路板のセラミック板に対する長期の接続信頼性等の信頼性向上に有効な電子装置を提供することができる。 According to the electronic device of one aspect of the present invention, since the circuit board having the above-described configuration is included, it is possible to provide an electronic device effective for improving reliability such as long-term connection reliability of the metal circuit board to the ceramic board. it can.
以下、図面を参照して本発明の回路基板および電子装置について説明する。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に回路基板および電子装置が使用されるときの上下を限定するものではない。また、以下における熱膨張係数は、特に断りがない限り、線膨張係数である。 The circuit board and electronic device of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, the distinction between the upper and lower sides in the following description is for convenience, and does not limit the upper and lower sides when the circuit board and the electronic device are actually used. Moreover, the thermal expansion coefficient in the following is a linear expansion coefficient unless otherwise specified.
図1(a)は本発明の第1の実施形態の回路基板20を含む電子装置30を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A線における断面図であり、図1(c)は下面から見た平面図(底面図)である。図2(a)は図1の回路基板の変形例を示す平面図であり、図2(b)は図2(a)のA−A線における断面図であり、図2(c)は下面から見た平面図(底面図)である。図3(a)は本発明の第2の実施形態の回路基板を含む電子装置を示す平面図であり、図3(b)は図3(a)のA−A線における断面図であり、図3(c)は下面から見た平面図(底面図)である。また、図4(a)は図1(b)の要部(A部)の拡大図であり、図4(b)は図2(b)の要部(B部)の拡大図であり、図4(c)は図3(b)の要部(C部)の拡大図である。また、図5は、図3(a)の要部(A部)の拡大図である。
FIG. 1A is a plan view showing an
以下に説明する回路基板は、電子部品を搭載して電子装置30を作製するものである。電子装置は、各種の電子機器等が備える外部電気回路に電気的に接続されて使用される。回路基板は、電子部品と外部電気回路とを電気的に接続する導電路等を構成する金属部分と、金属回路板を保持する絶縁体部分とを有している。
The circuit board described below is for manufacturing the
(第1の実施形態)
まず、図1および図4(a)を参照して、本発明の第1の実施形態の回路基板およびこれを含む電子装置を説明する。
(First embodiment)
First, a circuit board according to a first embodiment of the present invention and an electronic device including the circuit board will be described with reference to FIGS. 1 and 4A.
回路基板20は、絶縁体部分として平板状のセラミック板1を有している。また金属部分として金属回路板2を有している。セラミック板1は第1主面(図1の例では上面)および第1主面と反対側の第2主面(図1の例では下面)を有している。金属回路板2は、第1金属材料(詳細は後述)からなり、第3主面(図1の例では上面)および第3主面と反対側の第4主面(図1の例では下面)を有している。なお、以下において、便宜上、第1〜第4主面を上面または下面という場合がある。
The
金属回路板2は、その第4主面がセラミック板1の第1主面に対向して配置されている。また、金属回路板2の第3主面には、その第3主面の外周に沿って、溝2aおよび貫通孔2bの少なくとも一方である空隙部(空隙部としては符号なし)が設けられている。図1の例では、空隙部として溝2aが設けられている。
The
この空隙部内には、第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい材料からなる充填物3が配置されている。言い換えれば、金属回路板2は、その上面の外周部に、金属回路板2本体よりも熱膨張係数が小さい充填物3が配置された孔部分または溝部分を有している。そのため、金属回路板2の外周部分は、この充填物3が含まれている外周部分において、その他の部分よりもみかけの熱膨張係数が小さくなっている。充填物3は、例えば第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい金属材料(第2金属材料)、セラミック材料等の、第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい無機材料の粒子を含有する金属材料またはガラス材料等である。第2金属材料および充填物3の詳細については後述する。
A
金属回路板2は、セラミック板1の第1主面に複数個が配置されている。複数個の金属回路板2のうち第1主面の中央部に配置されたものが電子部品4の搭載用である。また、これを挟んで第1主面の外周部分に配列された6個の金属回路板2が、電子部品4と電気的に接続されて導電路を形成するものである。
A plurality of
第1主面の中央部に配置された金属回路板2の第3主面に電子部品4が搭載され、他の金属回路板2と電子部品4とがボンディングワイヤ5を介して互いに電気的に接続されて、実施形態の電子装置30が基本的に構成されている。
The
電子部品4の金属回路板2に対する接合は、例えばスズ−銀系はんだ、金−シリコン系ろう材等の、いわゆる低融点ろう材(符号なし)によって行なわれる。あらかじめ金属回路板2の上面の所定部位に低融点ろう材のフィルムまたはペースト等を配置しておいて、その部分に電子部品4の下面を位置合わせしてセットし、加熱してろう付けする。以上によって電子部品4が金属回路板2に接合される。
The
ボンディングワイヤ5は、例えばいわゆる金ワイヤまたはアルミニウムワイヤであり、一方の端部が電子部品4に接続され、他方の端部が金属回路板2の所定部位に接続される。
The
なお、図1および図4(a)に示す例において、セラミック板1の第2主面に金属板6が配置されている。金属板6は、例えば電子部品4で発生する熱を外部に伝導または放射する放熱の機能を有している。
In the example shown in FIG. 1 and FIG. 4A, the
また、図1および図4(a)に示す例において、金属板6の外周部にも、金属板6の外周に沿って下部の空隙部が設けられている。図1の例では、空隙部として溝6aが設けられている。溝6a内には、下部の充填物(符号なし)が配置されている。下部の充填物は、金属板6よりも熱膨張係数が小さいものであってもよい。この場合には、金属板6の外周部分も、金属回路板2の外周部分と同様に、充填物が含まれている外周部分において、その他の部分よりもみかけの熱膨張係数を小さくすることができる。
Further, in the example shown in FIG. 1 and FIG. 4A, a lower gap is provided along the outer periphery of the
金属板6が放熱材として機能する場合には、例えば、金属板6の下面が放熱材(図示せず)に接合される。金属板6から放熱材に熱が伝導され、放熱材から外部に効果的に熱が放散される。この熱は、回路基板20に搭載される電子部品4の作動に伴って発生するものである。電子部品4で発生した熱が、金属回路板2、セラミック板1および金属板6、さらに放熱材を通って外部に効果的に放散される。
When the
また、金属板6は、外部電気回路に対する電気的な接続用の端子として機能することもできる。この場合には、金属板6の下面が外部電気回路の所定部位に対向して接合され、金属板6を介して回路基板20および電子装置30と外部電気回路との電気的な接続が行なわれる。この電気的な接続は、例えば金属板6を接地電位とするために行なわれる。
The
上記のように、第1の実施形態の回路基板20は、下側から順次積層された、金属板6、セラミック板1および金属回路板2によって基本的に構成されている。また、この回路基板20に電子部品4が搭載されて実施形態の電子装置30が基本的に構成されている。
As described above, the
セラミック板1は、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス、ムライト質セラミックス、炭化ケイ素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスおよび窒化ケイ素質セラミックス等のセラミック材料によって形成されている。これらセラミック材料の中では、放熱性に影響する熱伝導性に関しては、炭化ケイ素質セラミックス、窒化アルミニウム質セラミックスおよび窒化ケイ素質セラミックスがより高い。また、機械的強度の点に関しては、窒化ケイ素質セラミックスおよび炭化ケイ素質セラミックスがより高い。
The
セラミック板1の厚みは、例えば約0.1mm〜1mmであり、回路基板20および電子装
置30の所定の外形寸法および機械的強度等の条件に応じて適宜設定すればよい。
The thickness of the
セラミック板1は、例えば窒化ケイ素質セラミックスからなる場合であれば、次のような方法で製作することができる。まず、窒化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化マグネシウムおよび酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー、可塑剤および溶剤を添加混合して泥漿物(スラリー)にする。次に、このスラリーをドクターブレード法またはカレンダーロール法等の成形方法でシート状に加工してセラミックグリーンシート(セラミック生シート)を作製する。次に、このセラミックグリーンシートに適当な打抜き加工等を施して所定形状に成形するとともに、必要に応じて複数枚を積層して積層体を作製する。その後、この積層体(セラミックグリーンシート)を窒素雰囲気等の非酸化性雰囲気において約1600〜2000℃の温度で焼成する。以上の工程によってセラミック板1を製作することができる。
If the
金属回路板2は、例えば銅またはアルミニウム等の金属材料(第1金属材料)によって形成されている。また、金属回路板2は、銅またはアルミニウム等を主成分とする合金の金属材料によって形成されていてもよい。金属回路板2は、例えば銅からなる場合であれ
ば、銅の板材に対して切断、圧延またはエッチング等の金属加工を施して、金属回路板2としての所定の形状および寸法に加工することによって製作することができる。
The
金属板6についても、金属回路板2と同様の材料を用い、同様の方法で作製することができる。なお、金属板6は、放熱性または接地電位の安定を考慮すれば、金属回路板2のように複数に分かれている形態よりも、平面視における面積が比較的大きいものが1つ配置されている方が望ましい。
The
複数の金属回路板2および金属板6は、セラミック板1の第1主面または第2主面に、例えば銀(Ag)−銅(Cu)系のろう材7を介して接合されている。このろう材7は、セラミック板1に対して濡れることによって強固に接合されるために、例えば、チタン、ハフニウムおよびジルコニウムのうち少なくとも1種の活性金属材料を含有していてもよい。また、このろう材7は、例えばインジウムおよびスズのうち少なくとも1種の金属材料を有していてもよい。銀−銅ろう材に対して融点を下げることができるので、回路基板20の作製時に発生する熱応力による残留応力を低減することができる。このろう材7の厚みは、例えば約5〜100μm程度である。
The plurality of
上記形態の回路基板20によれば、セラミック板1の破壊の抑制、およびセラミック板1からの金属回路板2の剥離等を効果的に抑制することができる。すなわち、このような回路基板20では、前述したように、金属回路板2の外周に沿って、熱膨張係数が比較的小さい充填物3が配置されているため、金属回路板2の外周縁部におけるみかけの熱膨張係数が、平面視における中央部等の他の部分よりも小さくなっている。そのため、金属回路板2とセラミック板1との熱膨張係数の差を効果的に低減することができる。これによって、セラミック板1と金属回路板2との間に発生する熱応力自体が効果的に小さくなる。したがって、熱応力に起因したセラミック板1からの金属回路板2の剥離等の機械的な破壊を効果的に抑制することができる。
According to the
溝2a(空隙部)を有し、その空隙部内に充填物3が配置された金属回路板2は、例えば次のような工程によって製作することができる。例えば、まず、酸化アルミニウム質セラミックス等からなるセラミック板1の上面に、回路形状に共晶銀ロウに活性金属を1〜3%程度添加した活性ろう材ペーストを印刷する。また、第1金属材料として銅を用い、銅の平板を活性ろう材ペースト上に載置して加熱することでセラミック板1の第1主面のほぼ全面等の広い範囲に接合する。その後、エッチングで上記銅の平板の一部を除去して金属回路板2を形成する時に同時に、マスキングパターンを適宜調整してエッチング加工することで溝2aを形成することができる。
The
その後、溝2aに活性ろう材より低温の第2のろう材を配置して、銅またはアルミニウム等を含む第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい第2金属材料からなる充填物3を配置することができる。このように、充填物3が第1金属材料と異なる第2金属材料である場合には、充填物3と金属回路板2とはろう材で接合することで、容易にかつ強固に固定することができる。充填物3が第1金属材料と異なる第2金属材料であり、充填物3と金属回路板2とがろう材で接合されている回路基板20は、充填物3が強固に固定されている。そのため、繰り返しの熱応力が加わっても、充填物3が金属回路板2から外れ難く、金属回路板2のセラミック回路板1からの剥離が抑制された、信頼性の高い回路基板20となる。この場合の第2金属材料は、例えば鉄−ニッケル合金(いわゆる42アロイ等)であり、その熱膨張係数が約4.2×10−6/℃(30−300℃)で、比較的小さい。この第2金属材料は、ヤング率が例えば約135GPaであり、その細線を充填物3として埋め込み、加熱し
て接合すること上記構成の回路基板20を作製することができる。
Thereafter, a second brazing material having a lower temperature than the active brazing material is disposed in the
また、上記の金属回路板2の形成工程において、次のようにしてもよい。すなわち、金
属回路板2の所定形状に金属板をエッチング加工で除去する加工を施しながら、同時に溝2aは金属板の厚み方向の途中までの深さでエッチングする必要がある。このときに、2回に分けてエッチングすればよい。この場合、金属回路板2の第3主面となる金属板の表面(おもて面)から2回に分けてエッチングしてもよい。
Moreover, in the formation process of said
また、先にセラミック板1の第1主面と接合する面(うら面)に、除去する予定の部分にハーフエッチングしておき、その後、金属板をセラミック板1の第1主面に接合する。その接合後に、金属板の上記主面から溝2aを形成する所定部位等にエッチングする。このようにすると、溝2aを、ハーフエッチングの深さまでエッチングして形成する時に、あらかじめうら面にハーフエッチングした部分では金属板を厚み方向の全域で除去して、各々の金属回路板2に分割できる.したがって、金属回路板2間の隙間を狭く形成できるようになり、複数の金属回路板2で構成される回路をより高密度に形成できるようになる。また、通常おもて面からだけエッチングした場合には金属回路板の上面寸法はセラミックと接合している面の寸法より小さくなってしまうが、このようにおもて面およびうら面からエッチング加工する方法で溝2aを形成した場合には、金属回路板2の上面の寸法とセラミックと接合している面の寸法とが互いにほぼ近い寸法となるので、同じ電流を流すために必要な断面積の配線をより狭い配線幅(セラミック板と接合している面の幅)で確保できるようになる。
In addition, a part to be removed is half-etched on the surface (back surface) to be bonded to the first main surface of the
図2および図4(b)に示す例(図1の変形例)において、金属回路板3の第3主面に設けられた溝2aは不連続になっている。つまり、図1に示す例のような連続した溝2aの代わりに不連続な溝2a(2aa)が形成されている。この形態は、第3主面の外周に沿って複数の窪みが互いに間をあけて配置されている形態とみなすこともできる。複数の窪みのそれぞれは、例えば図2に示すように平面視で円形状等でもよく、線状(線分状)つまり長方形状等であってもよい。以下、単に溝2aaとも表記する。
In the example shown in FIGS. 2 and 4B (modified example of FIG. 1), the
この例においても、複数の窪みである溝2aaのそれぞれに充填物3が配置されている。これらの充填物3は、例えば次のようにして溝2aa内に配置することができる。まず、上記のような第2のろう材を、例えばペーストまたはプレフォームの形態で溝2aa内に配置する。次に、第2金属材料を用いて作製したボールまたは金属柱を溝2aa内にそれぞれ埋め込む。その後、第2のろう材を加熱してボールまたは金属柱等を窪み2aaの内面に接合して配置する。以上の工程で、この形態の回路基板20を作製することができる。
Also in this example, the
空隙部として設けられた溝部2aおよび不連続な溝2aaは金属回路板2を厚み方向に貫通していないため、空隙部より内側部分と外側部分とは、互いに別体になることなく一体的につながっている。そのため、回路としての導電性は良好に確保されている。
Since the
この形態の回路基板20においても、金属回路板2の外周縁部(第3主面の外周に沿った部分)に、金属回路板2を形成している第1金属材料よりも熱膨張係数の小さい充填物3が埋め込まれている。これによって、金属回路板2の外周縁部におけるみかけの熱膨張係数が小さくなる。そのため、金属回路板2とセラミック板1との熱膨張係数の差を従来よりも小さくするこができ、発生する熱応力自体を効果的に低減することができる。したがって、熱応力に起因したセラミック板1からの金属回路板2の剥離等の機械的な破壊等を効果的に抑制することができる。
Also in the
この場合、金属回路板2の外縁部には、温度が低下するほど、熱膨張係数が相対的に小さい充填物3との熱膨張係数の差により圧縮応力が加わる。その結果として、平面透視において金属回路板2の外周縁部と重なる部分においてセラミック板1に加わる引っ張り応力が低減されるようになる。したがって、温度サイクルの応力が加わった場合でも金属回
路板2がセラミック板1から剥離しにくくなるい。すなわち、高信頼性の回路基板20となる。なお、前述したように、セラミック板1を形成するセラミック材料は、酸化アルミニウム質セラミックスには限定されず、上記各種の材料、すなわち窒化珪素質セラミックス(熱膨張係数が約2.8×10−6/℃)、窒化アルミニウム質セラミックス(熱膨張係数4.6×10−6/℃)でもよい。
In this case, compressive stress is applied to the outer edge portion of the
また、第1金属材料として銅(いわゆる純銅であって熱膨張係数が約16.7×10−6/℃
であるもの)の代わりに銅合金を用いてもよい。ただし、純銅を使用した場合は、300℃
以上では塑性変形することで残留応力は300℃以下の範囲となるので残留応力が小さくな
る。金属回路板2(および金属板6)をろう材の融点以上に加熱して接合した後、常温まで冷却することにより発生する熱応力が、回路基板20に残留応力として存在している。この残留応力は、主に金属回路板2(および金属板6)が弾性変形する際に生じるものである。ここで、純銅は300℃以上では塑性変形するものであり、残留応力となる弾性変形は300℃未満で発生する。これに対して、銅合金では、一般的に塑性変形を開始する温度が純銅より高く(300℃より高く)なる。つまり、銅合金は純銅に比較して弾性変形する温度
域が大きくなるので、残留応力が大きくなってしまう。すなわち、残留応力の低減の観点では純銅が適している。この残留応力にさらに冷熱サイクル(の特に冷却時)による熱応力が付加されることで回路基板が破壊しやすくなるが、残留応力が低減されることで熱応力の付加によって回路基板が破壊する可能性が低減される。よって、第1金属材料が銅であり、ろう材7が300℃以上の融点を有する回路基板20は信頼性に優れたものとなる。
In addition, copper (so-called pure copper having a thermal expansion coefficient of about 16.7 × 10 −6 / ° C. as the first metal material.
Instead of this, a copper alloy may be used. However, when pure copper is used, 300 ° C
In the above, since the residual stress falls within the range of 300 ° C. or less due to plastic deformation, the residual stress is reduced. Thermal stress generated by heating the metal circuit board 2 (and the metal board 6) to a temperature equal to or higher than the melting point of the brazing material and then cooling the
第2金属材料として、42アロイ(熱膨張係数が約4.2×10−6/℃(30−300℃)、ヤン
グ率が約135GPa)の代わりに、Fe−Ni36%(鉄−ニッケル36%合金)(熱膨張係
数が約4.4×10−6/℃(30−300℃) 、ヤング率が約145GPa)、タングステン(熱膨張係数が約4.5×10−6/℃(30-300℃) 、ヤング率が約375GPa)、モリブデン(熱膨張
係数が約5.3×10−6/℃(30−300℃)、ヤング率が約300GPa)、鉄−ニッケル−コバ
ルト合金(熱膨張係数が5.1×10−6/℃(30−300℃) 、ヤング率が約160GPa)等を用いてもよい。
As the second metal material, instead of 42 alloy (thermal expansion coefficient is about 4.2 × 10 −6 / ° C (30-300 ° C), Young's modulus is about 135 GPa), Fe-Ni 36% (iron-nickel 36% alloy) (Thermal expansion coefficient is about 4.4 × 10 −6 / ° C. (30-300 ° C.), Young's modulus is about 145 GPa), Tungsten (thermal expansion coefficient is about 4.5 × 10 −6 / ° C. (30-300 ° C.), Young's modulus Is about 375 GPa), molybdenum (coefficient of thermal expansion is about 5.3 × 10 −6 / ° C. (30 to 300 ° C.), Young's modulus is about 300 GPa), iron-nickel-cobalt alloy (coefficient of thermal expansion is 5.1 × 10 −6 / ° C (30-300 ° C), Young's modulus is about 160 GPa, or the like may be used.
なお、第2金属材料として、Fe−Ni36%のように、キュリー点以下で熱膨張係数が小さくなる金属を用いた場合には、30−300℃の熱膨張係数が同様な値である42アロイ
よりも、低温側での熱膨張係数が小さい。そのため、よりセラミック板に加わる引っ張り応力が大きくなる低温側で、より応力緩和の効果が高くなる。したがって、温度サイクルの応力が加わった場合でも、金属回路板2がセラミック板1から剥離しにくくなる。
When a metal having a low thermal expansion coefficient below the Curie point, such as Fe-Ni 36%, is used as the second metal material, a 42 alloy having a similar thermal expansion coefficient at 30-300 ° C. The coefficient of thermal expansion on the low temperature side is smaller than that. Therefore, the effect of stress relaxation becomes higher on the low temperature side where the tensile stress applied to the ceramic plate becomes larger. Therefore, even when the stress of the temperature cycle is applied, the
充填物3が上記のような第2金属材料であるときには、次のような点で有利である。すなわち、この場合には、回路基板20およびこれを含む電子装置30(以下、製品ともいう)の使用される用途、環境または経済性等の条件に応じた多様な形態の空隙部内に充填物3を配置することが容易である。具体的には、この場合には、充填物3としての第2金属材料に弾性がある。そのため、たとえ空隙部としての溝2aまたは後述する図3における貫通孔2bの断面形状が多様な形状をしていたとしても、その形状に起因する応力を第2金属材料の変形によって効果的に吸収することができる。つまり、応力で充填物3に機械的な破壊が生じる可能性を低減することができる。したがって、回路基板20および電子装置30としての設計等の自由度を効果的に高めることができる。
When the
(第2の実施形態)
例えば図3および図4(c)に示すような、本発明の第2の実施形態の回路基板20およびこれを含む電子装置30は、空隙部として、金属回路板2を厚み方向に貫通し、第3主面および第4主面に開口部を有する貫通孔2bが設けられている。貫通孔2bは複数個が設けられていて、それらの第3主面側の開口は、第3主面の外周に沿って配列されている。
すなわち、空隙部は、金属回路板の第3主面の外周縁部に、不連続に形成された複数の貫通孔2bを含んでいてもよい。
(Second Embodiment)
For example, as shown in FIG. 3 and FIG. 4C, the
That is, the gap portion may include a plurality of through holes 2b formed discontinuously on the outer peripheral edge portion of the third main surface of the metal circuit board.
また、これらの貫通孔内2b内にも、充填物3がそれぞれに配置されている。また、この例における充填物3は、金属回路板2の第4主面側の開口部においてセラミック板1と直接に接合されている。このような場合には、セラミック板1に直接に接合された第2金属材料等の充填物3が、金属回路板2内に入り込んだ、いわゆるくさびの役割も果たす。これによってセラミック板1と金属回路板2との間に生じる応力を緩和する効果が加わる。そのため、金属回路板2の外周縁部に加わる応力がより小さくなる。したがって、温度サイクルの応力が加わった場合でも、金属回路板2がセラミック板1から剥離するような機械的な破壊の可能性を効果的に低減することができる。
Further, the
空隙部として複数の貫通孔2bが設けられている構成においても、これらの貫通孔2bは不連続であるため、空隙部より内側部分と外側部分とは、互いに別体になることなく一体的につながっている。そのため、回路としての導電性は良好に確保されている。 Even in the configuration in which a plurality of through-holes 2b are provided as the gaps, these through-holes 2b are discontinuous, and therefore, the inner part and the outer part from the gaps are integrated without being separated from each other. linked. Therefore, good electrical conductivity as a circuit is ensured.
また、前述したように、第1金属材料が銅(純銅等)である場合は、次のような点で有利である。すなわち、第2のろう材として低融点のSn−Ag半田を使用してもよいが、Ag−Cuろう材にインジウム(In)を添加し融点を600℃程度まで低下させたたろう
材を用いたとする。このときに、貫通孔2bと同寸法の径(直径)を持つ円柱状等の充填物3を用いることで、あらかじめ金属回路板2の外周縁部に圧縮応力を生じさせることができるようになる。このようにあらかじめ圧縮応力を含んだ状態で第2のろう材の融点まで第2のろう材等を加熱すれば、応力が互いに打ち消され、金属回路板2の外周縁部に加わる応力を効果的に低下させることができる。
Further, as described above, when the first metal material is copper (pure copper or the like), it is advantageous in the following points. In other words, Sn-Ag solder having a low melting point may be used as the second brazing material, but when a brazing material having a melting point lowered to about 600 ° C. by adding indium (In) to the Ag—Cu brazing material is used. To do. At this time, a compressive stress can be generated in advance on the outer peripheral edge of the
第2金属材料は、例えば約300℃以上の融点を持つろう材で前記金属回路板2(第1金
属材料)と接続している。そのため、熱伝導率の高い銅を金属回路板2に使用した場合に300℃以下の銅の塑性変形しない温度領域の全域で第2金属材料の小さい熱膨張係数によ
る応力緩和の効果を発揮できる。そのため、応力緩和の効果が高くなり、温度サイクルの応力が加わった場合でも、金属回路板2がセラミック板1から剥離するような可能性を効果的に低減することができる。
The second metal material is connected to the metal circuit board 2 (first metal material) with a brazing material having a melting point of about 300 ° C. or more, for example. Therefore, when copper having high thermal conductivity is used for the
上記実施の形態の回路基板20および電子装置30は、図5のように、第2金属材料の前記セラミック板1との接合面が直径φの円形状であるとし、互いに隣り合う前記貫通孔2b同士の間で前記充填物3同士の間の距離(隣接間隔)をdとし、セラミック板1、第1金属材料および第2金属材料の300℃以下における熱膨張係数をそれぞれ、αc、α1、α
2とし、第1金属材料および第2金属材料のヤング率をそれぞれE1、E2とした場合に、(α1×E1×φ+α2×E2×d)/(E1×φ+E2×d)≦αcの関係式を満たすものであってよい。
As shown in FIG. 5, the
2 and when the Young's moduli of the first metal material and the second metal material are E1 and E2, respectively, the relational expression of (α1 × E1 × φ + α2 × E2 × d) / (E1 × φ + E2 × d) ≦ αc It may satisfy.
上記式を満足した場合には、第2金属材料からなる充填物3(貫通孔2b)の中心部を結んだ領域では、セラミック板1よりも、金属回路板2と第2金属材料とを合成した見かけの熱膨張係数が小さくなる。このときには、第2金属材料、すなわち充填物3のセラミック板1との接合縁部ではセラミック板1に圧縮応力が加わるようになる。そのため、回路基板20が冷却された場合に、第2金属材料による応力の低減効果だけでなく、回路基板20が冷却された場合の応力を小さくする効果が含まれるようになる。したがって、金属回路板2の外周縁部に加わる応力がより緩和されるようになり、温度サイクルの応力が加わった場合でも、金属回路板2がセラミック板1から剥離するような可能性を効果的に低減することができる。
When the above formula is satisfied, the
図2、6(b)および、図3、図4(c)のように、空隙部として、不連続な溝2aaまたは貫通孔2bを形成した構成において、充填物3として低融点ガラスを空隙部内に充填するようにしてもよい。この場合には、例えば、金属回路板2に不連続な溝2aaまたは貫通孔2bを形成した後に、ビスマスガラス(例えば、組成としてBi2O3を55〜80質量%、B2O35〜25質量%、ZnOを5〜25質量%であるもの)に低熱膨張性フィラーとしてリン酸ジルコニウム(熱膨張係数1.7×10−6/℃(30−300℃))を20質量%添加しペースト状としたものを不連続な溝2aaまたは貫通孔2bに充填する。その後ペースト状のものを加熱して溶融させることで、熱膨張係数が約4.8×10−6/℃(30−300℃)
のガラスからなる充填物3を形成する。以上のようにして、回路基板20を作製できる。なお、ビスマスガラスの代わりに、よりガラス自体の熱膨張係数の小さいバナジウムガラスに低熱膨張性フィラーを添加してもよい。
As shown in FIGS. 2, 6 (b), 3, and 4 (c), in the configuration in which the
The
充填物3は低融点ガラスであり、上面視で円形の溝2aaまたは貫通孔2bが金属回路板2の第3主面の外周縁部に不連続に形成されていることから、低融点ガラスの固化温度以下では常に周囲の金属回路板に圧縮応力が加わるようになる。そのため、結果として金属回路板2の外周縁部のセラミック板1に加わる引っ張り応力が低減されるようになる。したがって、温度サイクルの応力が加わった場合でも金属回路板2がセラミック板1から剥離する可能性を効果的に低減することができる。
The
(第3の実施形態)
図6(a)は本発明の第3の実施形態の回路基板の要部を示す平面図であり、図6(b)は図6(a)のB−B線における断面図であり、図6(c)は図6(a)のC−C線における断面図である。図6に示す例のように、空隙部は、溝2aと貫通孔2bとで構成されているものとすることができる。この例では、金属回路板2の第3主面に、第3主面の外周に沿って溝2aが設けられ、この溝2aの底面から金属回路板2の第4主面にかけて貫通する貫通孔2bが設けられている。貫通孔2bは、溝2aの長さ方向に互いに間をあけて複数個配置されており、言い換えれば貫通孔2bは第3主面の外周に沿って配列されている。このときの充填物3は、溝2a内には配置されているが、貫通孔2b内には配置されておらず、貫通孔2bは空隙のままとした構造とすることができる。このような構造であると、金属回路板2の第3主面の外周縁部では、充填物3によってみかけの熱膨張係数が小さくなるとともに、貫通孔2bが空隙であることによって金属回路板2の内側から外縁部に加わる熱応力が緩和される。そのため、金属回路板2の外周端とセラミック板1との接合部に発生する熱応力が効果的に小さくなる。したがって、温度サイクルの応力が加わった場合でも金属回路板2がセラミック板1から剥離する可能性をより効果的に低減することができる。
(Third embodiment)
FIG. 6A is a plan view showing an essential part of a circuit board according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line BB in FIG. 6 (c) is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 6 (a). As in the example illustrated in FIG. 6, the gap portion may be configured by the
(第4の実施形態)
図8(a)は図7(a)の要部(A部)を拡大図であり、図8(b)は図8(a)のB−B線における断面図である。図9(a)は本発明の第4の実施形態の回路基板の他の例の要部を示す平面図であり、図9(b)は図9(a)のB−B線における断面図であり、図9(c)は図9(a)のC−C線における断面図である。図10(a)は本発明の第4の実施形態の回路基板の他の例の要部を示す平面図であり、図10(b)は図10(a)のB−B線における断面図であり、図10(c)は図10(a)のC−C線における断面図である。
(Fourth embodiment)
8A is an enlarged view of the main part (A part) of FIG. 7A, and FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 8A. FIG. 9A is a plan view showing the main part of another example of the circuit board according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 9B is a sectional view taken along line BB in FIG. 9A. FIG. 9C is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG. 9A. FIG. 10A is a plan view showing the main part of another example of the circuit board according to the fourth embodiment of the present invention, and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 10A. FIG.10 (c) is sectional drawing in the CC line | wire of Fig.10 (a).
第4の実施形態の回路基板20およびこれを含む電子装置30は、図8に示す例のように、第3主面における、空隙部より内側に第2の空隙部を有しており、第2の空隙部には充填物3が配置されていないものである。図8に示す例では、空隙部は溝2aであり、溝2a内には金属回路板2より低熱膨張係数の充填物3が配置されている。また、この空隙部(溝2a)より内側に、全周にわたって溝2aに沿っている、第2の空隙部である第2の溝
2cを有している。そして、第2の空隙部(第2の溝2c)には充填物が配置されていない構造である。このような回路基板20であると、金属回路板2の内側から外縁部に加わる熱応力が第2の溝2cで緩和されるため、セラミック板1と金属回路板2との間の熱応力がより減少するようになるので、より温度サイクル信頼性に優れた回路基板となる。
The
第4の実施形態構成において、空隙部は溝部に限られるものではない。図9に示す例のように、空隙部は第2実施形態で説明した貫通孔2bであってもよい。あるいは、第1実施形態において説明したような、不連続な溝2aaであってもよい。なお、図9に示す例おいては、金属回路板2の溝2aの幅より金属板6の溝6a幅の方が大きい。このように金属回路板2の溝2aと金属板6の溝6aとでは幅が異なっていてもよい。金属板6に設ける溝6aを大きくすることで、大きさの大きい金属板6においても熱応力低減の効果がより顕著なものとなる。金属回路板2の第2の溝2cの幅と金属板6の第2の溝6cの幅との関係についても同様である。また、金属回路板2の貫通孔2bの径と金属板6の貫通孔6bの径との関係についても同様のことがいえる。
In the configuration of the fourth embodiment, the gap is not limited to the groove. As in the example illustrated in FIG. 9, the gap portion may be the through hole 2 b described in the second embodiment. Alternatively, it may be a discontinuous groove 2aa as described in the first embodiment. In the example shown in FIG. 9, the width of the
また、第2の溝2cは、図10に示す例のように金属回路板2の特に応力の大きくなりやすいコーナー部付近だけに設けることができる。このような場合には、例えばボンディングワイヤ5を複数接続するような場合でもボンディングワイヤの接続領域が確保しやすくなる。なお、第2の溝2cは連続した溝に限るものではなく、不連続な溝2aや貫通孔2bと同様な形状である不連続な第2の溝2cや第2の貫通孔とした場合でも同様な応力緩和効果が得られる。
Further, the second groove 2c can be provided only in the vicinity of the corner portion of the
1・・・セラミック板
2・・・金属回路板
2a・・・溝
2b・・・貫通孔
2c・・・第2の溝
3・・・充填物
4・・・電子部品
5・・・ボンディングワイヤ
6・・・金属板
6a・・・溝
6b・・・貫通孔
6c・・・第2の溝
7・・・ろう材
20・・・回路基板
30・・・電子装置
DESCRIPTION OF
20 ... Circuit board
30 ・ ・ ・ Electronic device
Claims (8)
第1金属材料からなり、第3主面および該第3主面と反対側の第4主面を有しており、該第4主面が前記第1主面に対向して配置されているとともに、前記第3主面に該第3主面の外周に沿って設けられた溝および貫通孔の少なくとも一方である空隙部を有する金属回路板と、
前記第1金属材料よりも熱膨張係数が小さい材料からなり前記第3主面の前記空隙部内に配置された充填物とを備えており、
前記金属回路板は、前記空隙部より内側部分と外側部分とが一体的につながっていることを特徴とする回路基板。 A ceramic plate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface;
It consists of a 1st metal material, has a 3rd main surface and the 4th main surface on the opposite side to this 3rd main surface, and this 4th main surface is arrange | positioned facing the said 1st main surface. And a metal circuit board having a void portion that is at least one of a groove and a through hole provided along the outer periphery of the third main surface on the third main surface;
A filler made of a material having a smaller coefficient of thermal expansion than the first metal material and disposed in the gap portion of the third main surface,
The circuit board according to claim 1, wherein an inner part and an outer part of the metal circuit board are integrally connected to the gap.
請求項2または請求項3に記載の回路基板。 The circuit board according to claim 2, wherein the first metal material is copper, and the brazing material has a melting point of 300 ° C. or higher.
張係数をそれぞれ、αc、α1、α2とし、前記第1金属材料および前記第2金属材料のヤング率をそれぞれE1、E2とし、前記第2金属材料の前記セラミック板との接合面が直径φの円形状であるとし、互いに隣り合う前記貫通孔同士の間で前記充填物間の距離をdとした場合に、(α1×E1×φ+α2×E2×d)/(E1×φ+E2×d)≦αcであることを特徴とする請求項3に記載の回路基板。 The thermal expansion coefficients of the ceramic plate, the first metal material, and the second metal material at 300 ° C. or lower are αc, α1, and α2, respectively, and the Young's moduli of the first metal material and the second metal material are E1. , E2, and the joint surface of the second metal material with the ceramic plate is circular with a diameter φ, and the distance between the fillers between the through holes adjacent to each other is d, 4. The circuit board according to claim 3, wherein (α1 × E1 × φ + α2 × E2 × d) / (E1 × φ + E2 × d) ≦ αc.
前記金属回路板上に搭載されており、前記金属回路板電気的接続された端子を有する電子部品とを備えることを特徴とする電子装置。
A circuit board according to any one of claims 1 to 7,
An electronic device comprising: an electronic component mounted on the metal circuit board and having a terminal electrically connected to the metal circuit board.
Applications Claiming Priority (2)
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