JP2017103340A - 回路基板の取付構造 - Google Patents

Abstract

【課題】 放熱性能を向上させて回路基板に実装されている各種電子部品の健全性の維持を図ることができる制御回路基板の取付構造を提供すること。【解決手段】 少なくとも表面と裏面の何れか一方に銅箔パターンを備える回路基板の取付構造において、上記回路基板に複数の発熱電子部品を実装し、上記回路基板に上記銅箔パターンの上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッド及び／又は上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッドと導通された放熱パッドを露出させ、上記露出されたパッド及び／又は放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付け、上記回路基板を上記熱伝導性絶縁シートを介して筐体の内面に押圧・設置するようにしたもの。【選択図】 図１

Description

本発明は、例えば、アクチュエータのコントローラ内に内装される回路基板の取付構造に係り、特に、放熱性能を向上させて回路基板に実装されている各種電子部品の健全性の維持を図ることができるように工夫したものに関する。

スイッチング素子等の発熱電子部品を実装した回路基板の取付構造であって、特に、放熱の為の構成を開示するものとして、例えば、特許文献１、特許文献２、特許文献３、特許文献４、等がある。

まず、特許文献１に記載された発明による放熱部材及び放熱電子部品によると、ＩＣチップの表面に放熱シートを介してアルミ箔を設置し、そのアルミ箔を介して大気中に放熱するようにしている。

次に、特許文献２に記載された発明による放熱部品及び電子機器の場合には、
半導体デバイスの表面に放熱シートを設置しその上にフィンを備えた放熱部品を設置する。そして、半導体デバイスから発せられた熱を放熱シート及び放熱部品を介して大気に放出するようにしている。

次に、特許文献３に記載された考案による電子部品の取付け構造の場合には、基板に実装された電子部品をケース蓋にねじにより固定している。そして、電子部品から発せられた熱はケース蓋に直接、又は、ねじを介して伝導されて放出される。

さらに、特許文献４に記載された発明による制御装置の冷却構造の場合には、半導体モジュールから発せられた熱はネジを介してシャーシに伝導されて放出されるように構成されている。

特開２００１−１１０９５５号公報 特開２００８−２４３９９９号公報 実開平５−９３０９１号公報 実開平５−４５８５号公報

上記従来の構成によると次のような問題があった。
すなわち、上記特許文献１〜特許文献４に記載されている放熱構造は、何れも、基本的には発熱電子部品で発生した熱を放熱シートやネジを介して筐体に伝導させて放熱する構成になっているが、何れの場合も決して十分とはいえず、その改良が要求されていた。

本発明はこのような点に基づいてなされたものでその目的とするところは、放熱性能を向上させて回路基板に実装されている各種電子部品の健全性の維持を図ることができる回路基板の取付構造を提供することにある。

上記目的を達成するべく本願発明の請求項１による回路基板の取付構造は、少なくとも表面と裏面の何れか一方に銅箔パターンを備える回路基板の取付構造において、上記回路基板に複数の発熱電子部品を実装し、上記回路基板に上記銅箔パターンの上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッド及び／又は上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッドと導通された放熱パッドを露出させ、上記露出されたパッド及び／又は放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付け、上記回路基板を上記熱伝導性絶縁シートを介して筐体の内面に押圧・設置するようにしたことを特徴とするものである。
また、請求項２による回路基板の取付構造は、請求項１記載の回路基板の取付構造において、上記銅箔パターンは上記回路基板の表面と裏面のそれぞれに備えられており、上記回路基板の表面に複数の発熱電子部品を集合・実装し、上記回路基板の裏面であって上記発熱電子部品が実装されたパッドに対応する部位において上記放熱パッドを露出させ、上記発熱電子部品が半田付けされたパッドと上記露出された放熱パッドをスルーホールを介して電気的に導通させたことを特徴とするものである。
また、請求項３による回路基板の取付構造は、請求項２記載の回路基板の取付構造において、上記スルーホール内に導電性材料を充填するようにしたことを特徴とするものである。
また、請求項４による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項３の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記回路基板は上記筐体に締結部材によって締結・固定され、上記熱伝導性絶縁シートは上記回路基板の締結・固定部に寄った位置に配置されていることを特徴とするものである。
また、請求項５による回路基板の取付構造は、請求項２又は請求項３記載の回路基板の取付構造において、上記回路基板はグラウンド層を備えた多層構造をなしていて、上記放熱パッドは上記グラウンド層に導通されていることを特徴とするものである。
また、請求項６による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記発熱電子部品はスイッチング素子であることを特徴とするものである。
また、請求項７による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記発熱電子部品はスイッチング素子とインダクションコイルであることを特徴とするものである。
また、請求項８による回路基板の取付構造は、請求項６又は請求項７記載の回路基板の取付構造において、上記スイッチング素子は電界効果トランジスタであることを特徴とするものである。
また、請求項９による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項８の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記複数個のスイッチング素子に対して等距離の位置に温度センサが実装されていることを特徴とするものである。
また、請求項１０による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項９の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記筐体はコントローラの筐体であることを特徴とするものである。
また、請求項１１による回路基板の取付構造は、請求項１〜請求項１０の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記筐体はコントローラ内装型のアクチュエータの筐体であることを特徴とするものである。

以上述べたように、本願発明の請求項１による回路基板の取付構造によると、
少なくとも表面と裏面の何れか一方に銅箔パターンを備える回路基板の取付構造において、上記回路基板に複数の発熱電子部品を実装し、上記回路基板に上記銅箔パターンの上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッド及び／又は上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッドと導通された放熱パッドを露出させ、上記露出されたパッド及び／又は放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付け、上記回路基板を上記熱伝導性絶縁シートを介して筐体の内面に押圧・設置するようにしたので、上記発熱電子部品から発生される熱を上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッドや上記放熱パッド及び上記熱伝導性絶縁シートを介して上記筐体側に効率よく放出させることができ、これにより上記発熱電子部品の発熱による温度の上昇を緩やかにして、上記発熱電子部品が破壊される温度に達する前に、例えば、上記発熱電子部品の動作を停止させて、確実に上記発熱電子部品を保護し、上記発熱電子部品の健全性の維持を図ることができる。
また、請求項２による回路基板の取付構造によると、請求項１記載の回路基板の取付構造において、上記銅箔パターンは上記回路基板の表面と裏面のそれぞれに備えられており、上記回路基板の表面に複数の発熱電子部品を集合・実装し、上記回路基板の裏面であって上記発熱電子部品が実装されたパッドに対応する部位において上記放熱パッドを露出させ、上記発熱電子部品が実装されたパッドと上記露出された放熱パッドをスルーホールを介して電気的に導通させたので、上記発熱電子部品を実装した面と反対側の面に上記熱伝導性絶縁シートを貼り付ける場合でも、上記発熱電子部品から発生される熱を効率よく放出させることができる。
また、請求項３による回路基板の取付構造によると、請求項２記載の回路基板の取付構造において、上記スルーホール内に導電性材料を充填するようにしたので、上記スルーホール内の導電性材料を介して、より効果的に熱を伝導させることができる。
また、請求項４による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項３の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記回路基板は上記筐体に締結部材によって締結・固定され、上記熱伝導性絶縁シートは上記回路基板の締結・固定部に寄った位置に配置されているので、上記熱伝導性絶縁シートをより高い圧力で上記筐体に押し当てることができ、これにより、より効果的に熱を放出させることができる。
また、請求項５による回路基板の取付構造によると、請求項２又は請求項３記載の回路基板の取付構造において、上記回路基板はグラウンド層を備えた多層構造をなしていて、上記放熱パッドは上記グラウンド層に導通されているので、上記グラウンド層からも効果的に熱を放出させることができる。
また、請求項６による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記発熱電子部品はスイッチング素子であるので、上記スイッチング素子を熱による破壊から確実に保護することができる。
また、請求項７による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記発熱電子部品はスイッチング素子とインダクションコイルであるので、上記スイッチング素子とインダクションコイルを熱による破壊から確実に保護することができる。
また、請求項８による回路基板の取付構造によると、請求項６又は請求項７記載の回路基板の取付構造において、上記スイッチング素子は電界効果トランジスタであるので、上記電界効果トランジスタを熱による破壊から確実に保護することができる。
また、請求項９による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項８の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記複数個のスイッチング素子に対して等距離の位置に温度センサが実装されているので、どのスイッチング素子についても確実に温度を検出することができる。
また、請求項１０による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項９の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記筐体はコントローラの筐体であるので、上記コントローラについて、上記発熱素子を熱による破壊から保護することができる。
また、請求項１１による回路基板の取付構造によると、請求項１〜請求項１０の何れかに記載の回路基板の取付構造において、上記筐体はコントローラ内装型のアクチュエータの筐体であるので、上記コントローラ内装型のアクチュエータについて、上記発熱素子を熱による破壊から保護することができる。

本発明の第１の実施の形態を示す図で、図１（ａ）は回路基板をコントローラの筐体のベースフレームに取り付けた状態を示す正面図、図１（ｂ）は回路基板をコントローラの筐体のベースフレームに取り付けた状態を示す平面図、図１（ｃ）は図１（ｂ）のＩｃ−Ｉｃ断面図、図１（ｄ）は図１（ｃ）のＩｄ部分の拡大図である。 本発明の第１の実施の形態を示す図で、コントローラの筐体のベースフレームを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態を示す図で、電界効果トランジスタとインダクションコイルが実装される回路基板の表面の一部を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態を示す図で、図３に示す回路基板の表面の一部の裏側を示す裏面図である。 本発明の第１の実施の形態を示す図で、図５（ａ）は図３のＶａ−Ｖａ断面図、図５（ｂ）は半田充填工程の第１工程を模式的に示す断面図、図５（ｃ）は半田充填工程の第２工程を模式的に示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態を示す図で、横軸に発熱素子からの距離をとり縦軸に温度をとり、上記発熱素子からの距離と温度との関係を示したグラフである。 本発明の第２の実施の形態を示す図で、回路基板の表面の一部を示す平面図である。 本発明の第２の実施の形態を示す図で、図７に示す回路基板の表面の一部の裏側を示す裏面図である。 本発明の第２の実施の形態を示す図で、図７に示す回路基板の表面の一部に発熱電子部品と温度センサを実装した状態を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態を示す図で、回路基板の表面の一部を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態を示す図で、図１０に示す回路基板の表面の一部の裏側を示す裏面図である。

以下、図１〜図６を参照して、本発明の第１の実施の形態による回路基板の取付構造について説明する。この第１の実施の形態は、回路基板をアクチュエータの制御に用いられるコントローラの筐体に取り付けた場合を例に挙げて示すものである。
まず、図１（ａ）〜図１（ｃ）に示すように、ベースフレーム１があり、このベースフレーム１は、上記コントローラの筐体の一部であって、例えば、ダイカスト製の部材である。上記ベースフレーム１は、図２に示すように、略板状の基部３と、この基部３の端から立設された放熱部５とから構成されている。
なお、図２はベースフレーム１を内側から視た斜視図である。

上記基部３の一端側（図２中左上側）には、回路基板締結・固定部７が設けられている。この回路基板締結・固定部７には、回路基板締結・固定用貫通孔９が内外方向（図２中左下から右上に向かう方向）に延長・形成されている。上記回路基板締結・固定部７の近傍には、回路基板位置決め用凸部１１が設けられている。
また、上記基部３の他端側（図２中右下側）には、回路基板締結・固定部１３が設けられている。この回路基板締結・固定部１３には、回路基板締結・固定用貫通孔１５が内外方向（図２中左下から右上に向かう方向）に延長・形成されている。上記回路基板締結・固定部１３の近傍には、回路基板位置決め用凸部１７が設けられている。

また、上記基部３の内側端（図２中左下端側）には、取付用係合部１９が設けられている。上記ベースフレーム１は、この取付用係合部１９を介してコントローラの筐体の他の部分に取り付けられる。
また、上記基部３の一端側（図２中左上側）には、固定用貫通孔２１が形成されており、他端側（図２中右下側）には、固定用凹部２３が形成されている。上記ベースフレーム１は、これら固定用貫通孔２１と固定用凹部２３に図示しないボルトを通してコントローラの筐体の他の部分に螺合することにより固定される。

また、上記放熱部５の基端側（図２中下側）であって、上記回路基板締結・固定部１３側（図２中右側）には、熱伝導性絶縁シート当接部２５が内側に向けて突設されている。

また、図１（ｃ）に示すように、上記放熱部５の外側面（図１（ｃ）中右側）には、複数（この第１の実施の形態では１０個）の放熱フィン２７が突出・形成されている。

また、図１（ｂ）〜図１（ｄ）に示すように、上記熱伝導性絶縁シート当接部２５には、熱伝導性絶縁シート３１が設置されている。この熱伝導性絶縁シート３１は、例えば、シリコンゴム製のシート状の部材であり、一例として、富士高分子工業株式会社製のサーコン（商品名）が挙げられる。

図１（ａ）〜図１（ｄ）に示すように、上記ベースフレーム１の内側には、回路基板３３が取り付けられる。この回路基板３３は、例えば、４層基板であり、表面と裏面、及び、内部の２層に、銅箔パターンが設けられている。また、上記内部の２層のうちの一方が、グラウンド（ＧＮＤ）層となっている。また、図１（ａ）に示すように、上記回路基板３３の一端側（図１（ａ）中左側）には締結・固定用貫通孔３５が形成されており、他端側（図１（ａ）中右側）には締結・固定用貫通孔３７が形成されている。
上記回路基板３３は、上記締結・固定用貫通孔３５を上記ベースフレーム１の回路基板締結・固定用貫通孔９に合わせ、且つ、上記締結・固定用貫通孔３７を上記ベースフレーム１の回路基板締結・固定用貫通孔１５に合わせる位置に実装される。
なお、上記回路基板３３の図１（ａ）中下側の隅を回路基板位置決め用凸部１１、１７に当接させることで、上記回路基板３３の位置決めがされる。
そして、上記回路基板３３は、上記締結・固定用貫通孔３５と回路基板締結・固定用貫通孔９に図示しないボルトを通し、且つ、上記締結・固定用貫通孔３７と回路基板締結・固定用貫通孔１５に図示しない別のボルトを通し、反対側に配置される図示しないナットに螺合することにより、上記ベースフレーム１に固定される。

また、上記熱伝導性絶縁シート３１は、上記回路基板３３と上記ベースフレーム１の熱伝導性絶縁シート当接部２５との間に圧縮された状態で介挿されている。

上記回路基板３３の表面（図１（ａ）中紙面垂直方向手前側の面）側であって、締結・固定用貫通孔３７側（図１（ａ）中右下側）には、図３に示すように、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄが、図３中左側から右側に向かって一列に設けられている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａは上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。
上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａの上端側（図３中上側）には、複数（この第１の実施の形態の場合は５個）のスルーホール４３、４３、４３、４３、４３が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａの上端側（図３中上側）は、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３の縁部を除いてレジスト４５で覆われている。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａの図３中上側には、ソース側電極用パッド４７とドレイン側電極用パッド４９が設けられている。このソース側電極用パッド４７とドレイン側電極用パッド４９も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂも上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの上端側（図３中上側）には、複数（この第１の実施の形態の場合は５個）のスルーホール５１、５１、５１、５１、５１が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの上端側（図３中上側）は、上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１の縁部を除いてレジスト５３で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの図３中上側には、ソース側電極用パッド５５とドレイン側電極用パッド５７が設けられている。このソース側電極用パッド５５とドレイン側電極用パッド５７も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃも上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃの上端側（図３中上側）には、複数（この第１の実施の形態の場合は５個）のスルーホール５９、５９、５９、５９、５９が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃの上端側（図３中上側）は、上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９の縁部を除いてレジスト６１で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃの図３中上側には、ソース側電極用パッド６３とドレイン側電極用パッド６５が設けられている。このソース側電極用パッド６３とドレイン側電極用パッド６５も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄも上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの上端側（図３中上側）には、複数（この第１の実施の形態の場合は５個）のスルーホール６７、６７、６７、６７、６７が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの上端側（図３中上側）は、上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７の縁部を除いてレジスト６９で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの図３中上側には、ソース側電極用パッド７１とドレイン側電極用パッド７３が設けられている。このソース側電極用パッド７１とドレイン側電極用パッド７３も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａの図３中左側には、インダクションコイル第１電極用パッド８１とインダクションコイル第２電極用パッド８３が設けられている。これらインダクションコイル第１電極用パッド８１とインダクションコイル第２電極用パッド８３も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。上記インダクションコイル第１電極用パッド８１の図３中左側には複数（この第１の実施の形態の場合は６個）のスルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５が形成されている。また、上記インダクションコイル第１電極用パッド８１の図３中左側は、上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５の縁部を除いてレジスト８７で覆われている。

上記インダクションコイル第１電極用パッド８１の図３中左側には、電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１が設けられている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１は上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１の図３中左端側には、複数（この第１の実施の形態の場合は５個）のスルーホール９３、９３、９３、９３、９３が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１の図３中左端側は、上記スルーホール９３、９３、９３、９３、９３の縁部を除いてレジスト９５で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１の図３中上側には、ソース側電極用パッド９７とドレイン側電極用パッド９９が設けられている。このソース側電極用パッド９７とドレイン側電極用パッド９９も、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａ、４１ｂの間には、第１温度センサ用配線パターン９７ａが設けられている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃ、４１ｄの間には、第２温度センサ用配線パターン９７ｂが設けられている。これら第１温度センサ用配線パターン９７ａ及び第２温度センサ用配線パターン９７ｂも上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中下側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記回路基板３３の裏面（図１（ａ）中紙面垂直方向奥側の面）側であって、締結・固定用貫通孔３７側（図１（ａ）中右下側）には、図４に示すように、放熱パッド１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄが、上記回路基板３３の幅方向（図４中左右方向）に一列に設けられている。上記放熱パッド１０１ａは上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中上側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド１０１ａの上端側（図４中上側）には、既に説明した上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３が開口されている。
なお、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａと上記放熱パッド１０１ａ、及び、前記した回路基板３３内のグラウンド（ＧＮＤ）層は上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３を介して導通されている。

また、図５（ａ）に示すように、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３内には、導電性材料としての半田１０２が充填されている。この半田１０２は、次のようにして充填される。

まず、半田充填工程の第１工程について説明する。図５（ｂ）に示すように、回路基板３３の図５（ｂ）中上側にメタルマスク１００を設置する。このメタルマスク１００には、上記スルーホール４３の図５（ａ）中上側に配置・形成された開口部１００ａがある。
次に、上記メタルマスク１００の図５（ｂ）中上側に、フラックスに半田１０２を微粒子状に分散させたペースト半田１０５を、図示しないスキージを用いて塗布する。図５（ｂ）に示すように、上記塗布されたペースト半田１０５は、上記メタルマスク１００の開口部１００ａ内に入り込み、上記スルーホール４３の縁部まで到達する。
次に、半田充填工程の第２工程について説明する。ここでは、上記回路基板３３、上記メタルマスク１００、上記ペースト半田１０５を図示しないリフロー炉に入れて加熱する。上記ペースト半田１０５は溶解し、図５（ｃ）に示すように、上記スルーホール４３内に流れ込む。このとき、上記ペースト半田１０５中のフラックスは蒸発し、半田１０２のみが残留する。
その後、上記回路基板３３と上記半田１０２を冷却する。
なお、図５（ａ）、図５（ｂ）、図５（ｃ）では、上記回路基板３３の内部の層については省略している。また、図３、及び、図４では、上記半田１０２を図示していない。

また、前記したように、上記回路基板３３の表面側の上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３の縁部はレジスト４５で覆われていないため、銅箔が露出しており、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３の縁部には半田１０２が付着し易くなっており、これにより、上記半田１０２が上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３内に入り込み易くなっている。
また、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３の縁部のレジスト４５で覆われていない部分の径は、通常より大きめに設定されている。例えば、通常、上記スルーホール４３の径がφ１とすると、上記スルーホール４３の縁部のレジスト４５で覆われていない部分の径はφ１．１程度であるが、この第１の実施の形態の場合は、上記スルーホール４３の縁部のレジスト４５で覆われていない部分の径をφ１．３と設定している。これによって、上記スルーホール４３の縁部に上記半田１０２が付着しやすい部分を大きく確保していて、上記スルーホール４３内に上記半田１０２が入り込みやすくなっている。

また、上記放熱パッド１０１ｂは上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中上側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド１０１ｂの上端側（図４中上側）には、既に説明した上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１が開口されている。上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂと上記放熱パッド１０１ｂ、及び、前記した回路基板３３内のグラウンド（ＧＮＤ）層はこれらスルーホール５１、５１、５１、５１、５１を介して導通されている。上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド１０１ｃは上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中上側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド１０１ｃの上端側（図４中上側）には、既に説明した上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９が開口されている。上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃと上記放熱パッド１０１ｃ、及び、前記した回路基板３３内のグラウンド（ＧＮＤ）層はこれらスルーホール５９、５９、５９、５９、５９を介して導通されている。上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド１０１ｄは上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中上側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド１０１ｃの上端側（図４中上側）には、既に説明した上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７が開口されている。上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄと上記放熱パッド１０１ｄ、及び、前記した回路基板３３内のグラウンド（ＧＮＤ）層はこれらスルーホール６７、６７、６７、６７、６７を介して導通されている。上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド１０１ａの図４中右側には、放熱パッド１０３が設置されている。この放熱パッド１０３は、上記回路基板３３の表面（図１（ｂ）中上側の面）の上記インダクションコイル第１電極用パッド８１と上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１に対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド１０３の図４中左右方向中央には、既に説明した上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５が開口されており、上記放熱パッド１０３の図４中右端側には、既に説明した上記スルーホール９３、９３、９３、９３、９３が開口されている。上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５と上記スルーホール９３、９３、９３、９３、９３の内周面にも銅箔がある。上記インダクションコイル第１電極用パッド８１と上記放熱パッド１０３、及び、前記した回路基板３３内のグラウンド（ＧＮＤ）層は、これらスルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５を介して、導通されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１は、これらスルーホール９３、９３、９３、９３、９３を介して、上記放熱パッド１０３に導通されている。また、上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５と上記スルーホール９３、９３、９３、９３、９３内にも、図示しない半田が充填されている。

また、図１（ａ）に示すように、上記回路基板３３の表面（図１（ａ）中紙面垂直方向手前側の面）には、発熱電子部品として、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ：Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄが実装されている。上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄは、図示しないコントローラの制御対象であるアクチュエータ（図示せず）のモータを制御するスイッチング素子であり、大きな電流が流されるため発熱し易い電子部品である。
上記電界効果トランジスタ１１１ａは、例えば、耐熱樹脂製のパッケージ１１３を備えていて、このパッケージ１１３内に図示しない半導体チップが内装されている。また、上記パッケージ１１３の図１（ａ）中下側には放熱板１１５が設置されている。この放熱板１１５は、例えば、鉄とニッケルの合金から成り、上記電界効果トランジスタ１１１ａから発生した熱を放出するためのものである。また、上記パッケージ１１３の図１（ａ）中左上側にはソース側電極１１７が設置されており、上記パッケージ１１３の図１（ａ）中右上側にはドレイン側電極１１９が設置されている。

また、上記電界効果トランジスタ１１１ｂも、上記電界効果トランジスタ１１１ａと同様に、パッケージ１２１、図示しない半導体チップ、放熱板１２３、ソース側電極１２５、ドレイン側電極１２７から構成されている。
また、上記電界効果トランジスタ１１１ｃも、上記電界効果トランジスタ１１１ａと同様に、パッケージ１２９、図示しない半導体チップ、放熱板１３１、ソース側電極１３３、ドレイン側電極１３５から構成されている。
また、上記電界効果トランジスタ１１１ｄも、上記電界効果トランジスタ１１１ａと同様に、パッケージ１３７、図示しない半導体チップ、放熱板１３９、ソース側電極１４１、ドレイン側電極１４３から構成されている。

上記電界効果トランジスタ１１１ａの上記放熱板１１５は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａに半田付けされており、上記ソース側電極１１７はソース側電極用パッド４７に半田付けされており、上記ドレイン側電極１１９はドレイン側電極用パッド４９に半田付けされている。
また、上記電界効果トランジスタ１１１ｂの上記放熱板１２３は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂに半田付けされており、上記ソース側電極１２５はソース側電極用パッド５５に半田付けされており、上記ドレイン側電極１２７はドレイン側電極用パッド５７に半田付けされている。
また、上記電界効果トランジスタ１１１ｃの上記放熱板１３１は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃに半田付けされており、上記ソース側電極１３３はソース側電極用パッド６３に半田付けされており、上記ドレイン側電極１３５はドレイン側電極用パッド６５に半田付けされている。
また、上記電界効果トランジスタ１１１ｄの上記放熱板１３９は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄに半田付けされており、上記ソース側電極１４１はソース側電極用パッド７１に半田付けされており、上記ドレイン側電極１４３はドレイン側電極用パッド７３に半田付けされている。

また、図１（ａ）に示すように、上記回路基板３３の表面（図１（ａ）中紙面垂直方向手前側の面）であって、上記電界効果トランジスタ１１１ａの図１中左側には、インダクションコイル１４５が実装されている。このインダクションコイル１４５は、電圧を変換する際に用いられ、同じく発熱し易い部品である。上記インダクションコイル１４５は、コイル本体１４７と、第１電極１４９と第２電極１５１とから構成されている。上記第１電極１４９はインダクションコイル第１電極用パッド８１に半田付けされており、上記第２電極１５１はインダクションコイル第２電極用パッド８３に半田付けされている。

また、図１（ａ）に示すように、上記回路基板３３の表面（図１（ａ）中紙面垂直方向手前側の面）であって、上記インダクションコイル１４５の図１中左側には、電界効果トランジスタ１５５が実装されている。この電界効果トランジスタ１５５もスイッチング素子であり、上記電界効果トランジスタ１１１ａと同様に、パッケージ１５７、図示しない半導体チップ、放熱板１５９、ソース側電極１６１、ドレイン側電極１６３から構成されている。
上記電界効果トランジスタ１５５の上記放熱板１５９は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１に半田付けされており、上記ソース側電極１６１はソース側電極用パッド９７に半田付けされており、上記ドレイン側電極１６３はドレイン側電極用パッド９９に半田付けされている。

また、熱伝導性絶縁シート３１は、放熱パッド１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄ、１０３に当接されるように配置されている。

また、上記電界効果トランジスタ１１１ａと上記電界効果トランジスタ１１１ｂの間には、第１温度センサ１７１ａが実装されており、上記電界効果トランジスタ１１１ｃと上記電界効果トランジスタ１１１ｄの間には、第２温度センサ１７１ｂが実装されている。上記第１温度センサ１７１ａの図示しない電極は、第１温度センサ用配線パターン９７ａに半田付けされており、上記第２温度センサ１７１ｂの図示しない電極は、第２温度センサ用配線パターン９７ｂに半田付けされている。上記第１温度センサ１７１ａによって上記電界効果トランジスタ１１１ａと上記電界効果トランジスタ１１１ｂの温度を監視し、上記第２温度センサ１７１ｂによって上記電界効果トランジスタ１１１ｃと上記電界効果トランジスタ１１１ｄの温度を監視し、それらの検出された温度に基づいて、図示しないコントローラを制御することにより、アクチュエータを適宜停止させて、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄの自身の発熱及び外部からの熱による破損を防止している。

また、上記第１温度センサ１７１ａは、その中心が、上記電界効果トランジスタ１１１ａの放熱板１１５が半田付けされる電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａ、及び上記電界効果トランジスタ１１１ｂの放熱板１２３が半田付けされる電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの端部から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されている。
同様に、上記第２温度センサ１７１ｂは、その中心が、上記電界効果トランジスタ１１１ｃの放熱板１３１が半田付けされる電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃ及び、上記電界効果トランジスタ１１１ｄの放熱板１３９が半田付けされる電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの端部から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されている。
このような位置に、上記第１温度センサ１７１ａと上記第２温度センサ１７１ｂを設置することで、上記第１温度センサ１７１ａによって、上記電界効果トランジスタ１１１ａ及び上記電界効果トランジスタ１１１ｂの発熱による温度変化が確実に検出され、上記第２温度センサ１７１ｂによって、上記電界効果トランジスタ１１１ｃ及び上記電界効果トランジスタ１１１ｄの発熱による温度変化が確実に検出される。

なお、本件特許出願人は上記作用・効果を確認するべく次のような条件で熱解析を行った。まず、５０ｍｍ×５０ｍｍの基板の中央に熱源となる電子部品としての３ｍｍ×３ｍｍの抵抗を設置し、０．５Ｗで発熱させたと仮定する。その状態で上記電気抵抗の中心を通る直線上の複数の場所での温度を算出した。その結果を図６に示す。
図６は、横軸に上記電気抵抗の中心からの距離をとるとともに縦軸に測定温度をとり、上記電気抵抗の中心からの距離と測定温度との関係を示したグラフである。

上記図６のグラフによると、上記電気抵抗の中心の温度が４５℃程度であるのに対して、測定位置が電気抵抗の中心からの離れれば離れる程、温度は下がっていく。例えば、上記電気抵抗の中心から５ｍｍ離れた場所の温度は３９℃程度であった。位置がそれ以上離れると、その温度は電気抵抗の中心の温度に対して大きく低下してしまう。そこで、この第１の実施の形態では、発熱中心から５ｍｍ以内の位置に、上記第１温度センサ１７１ａと上記第２温度センサ１７１ｂを設置するようにしている。

ところで、この第１の実施の形態では、電界効果トランジスタ１１１ａの放熱板１１５が電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａに半田付けされているので、この電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａの温度が上記電界効果トランジスタ１１１ａの熱源温度と略同じであると考えられる。電界効果トランジスタ１１１ｂについても同様であり、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの温度が上記電界効果トランジスタ１１１ｂの熱源温度と略同じであると考えられる。

そこで、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａと上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの端から５ｍｍ以内の位置に、第１温度センサ１７１ａの中心が位置するようにしている。同様に、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃと上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの端から５ｍｍ以内の位置に、第２温度センサ１７１ｂの中心が位置するようにしている。

このように設定することにより、例えば、高温雰囲気中であっても、そのような高温雰囲気に影響されることなく所望の制御を行うことができる。
因みに、高温雰囲気中において、第１温度センサ１７１ａ、第２温度センサ１７１ｂを、５ｍｍよりも大きく離間した場所に設置した場合には、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ自体の温度は破損するような温度にまで上昇していないにもかかわらず、高温雰囲気の影響を受けて、第１温度センサ１７１ａ、第２温度センサ１７１ｂの検出温度が所定の設定温度に達してしまい、その結果、アクチュエータが不必要に停止されてしまうという不具合が発生することが予想される。

次に、この第１の実施の形態による作用について説明する。
まず、コントローラによってアクチュエータが制御される。その際、電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄやインダクションコイル１４５、電界効果トランジスタ１５５に大きな電流が流れ、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、上記インダクションコイル１４５、上記電界効果トランジスタ１５５が発熱する。

上記電界効果トランジスタ１１１ａから発生した熱は、放熱板１１５を介して電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａに伝達され、スルーホール４３、４３、４３、４３、４３を介して放熱パッド１０１ａに伝達される。また、上記回路基板３３全体から、内部のグラウンド（ＧＮＤ）層に熱が伝達されるが、このグラウンド（ＧＮＤ）層の熱も、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３を介して上記放熱パッド１０１ａに伝達される。上記放熱パッド１０１ａに伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介してベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

上記電界効果トランジスタ１１１ｂから発生した熱は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂに伝達され、スルーホール５１、５１、５１、５１、５１を介して放熱パッド１０１ｂに伝達される。また、上記回路基板３３内部のグラウンド（ＧＮＤ）層の熱も、上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１を介して上記放熱パッド１０１ｂに伝達される。上記放熱パッド１０１ｂに伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介して、ベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

上記電界効果トランジスタ１１１ｃから発生した熱は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃに伝達され、スルーホール５９、５９、５９、５９、５９を介して放熱パッド１０１ｃに伝達される。また、上記回路基板３３内部のグラウンド（ＧＮＤ）層の熱も、上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９を介して上記放熱パッド１０１ｃに伝達される。上記放熱パッド１０１ｃに伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介して、ベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

上記電界効果トランジスタ１１１ｄから発生した熱は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄに伝達され、スルーホール６７、６７、６７、６７、６７を介して放熱パッド１０１ｄに伝達される。また、上記回路基板３３内部のグラウンド（ＧＮＤ）層の熱も、上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７を介して上記放熱パッド１０１ｄに伝達される。上記放熱パッド１０１ｄに伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介して、ベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

上記インダクションコイル１４５から発生した熱は、インダクションコイル第１電極用パッド８１に伝達され、スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５を介して放熱パッド１０３に伝達される。また、上記回路基板３３内部のグラウンド（ＧＮＤ）層の熱も、上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５を介して上記放熱パッド１０３に伝達される。上記放熱パッド１０３に伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介して、ベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

上記電界効果トランジスタ１５５から発生した熱は、電界効果トランジスタ放熱板用パッド９１に伝達され、スルーホール９３、９３、９３、９３、９３を介して放熱パッド１０３に伝達される。この放熱パッド１０３に伝達された熱は、更に熱伝導性絶縁シート３１を介して、ベースフレーム１に伝達され、複数の放熱フィン２７を介して外部に放出される。

このような放熱により、電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄやインダクションコイル１４５、電界効果トランジスタ１５５の急激な温度上昇が抑えられる。

上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂの温度は第１温度センサ１７１ａによって検出され、上記電界効果トランジスタ１１１ｃ、１１１ｄの温度は第２温度センサ１７１ｂによって検出される。そして、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄの温度が、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄが破損してしまう温度に至る前に、アクチュエータを停止させ、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄの発熱に起因した破損を未然に防止している。
なお、電界効果トランジスタ１５５やインダクションコイル１４５については、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄほどの発熱はなく、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄが破損してしまう温度に至る前に、アクチュエータを停止させれば、その健全性は確実に維持される。

次に、この第１の実施の形態による効果について説明する。
まず、放熱性能を大幅に向上させることができる。例えば、電界効果トランジスタ１１１ａを例に挙げると、回路基板３３の表面（図３中紙面垂直方向手前側の面）に放熱板１１５が半田付けされる電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａが設けられており、上記回路基板３３の裏面（図４中紙面垂直方向手前側の面）に放熱パッド１０１ａが設けられていて、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａと上記放熱パッド１０１ａとが、スルーホール４３、４３、４３、４３、４３によって導通されていて、上記放熱パッド１０１ａが熱伝導性絶縁シート３１に当接されており、この熱伝導性絶縁シート３１がベースフレーム１に当接されているので、上記電界効果トランジスタ１１１ａから発生した熱を効率よく放出させることができる。これにより上記電界効果トランジスタ１１１ａの発熱による温度の上昇を緩やかにして、上記電界効果トランジスタ１１１ａが破壊される温度に達する前に、例えば、上記電界効果トランジスタ１１１ａの動作を停止させて、確実に上記電界効果トランジスタ１１１ａを保護し、上記電界効果トランジスタ１１１ａの健全性の維持を図ることができる。

また、電界効果トランジスタ１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ、１５５、インダクションコイル１４５についても同様である。
また、効果的に放熱されるため、電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄの温度のバラツキを小さくすることができ、第１温度センサ１７１ａによって上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂの正確な温度を検出できると共に、第２温度センサ１７１ｂによって、上記電界効果トランジスタ１１１ｃ、１１１ｄの正確な温度を検出できる。

また、上記スルーホール４３、４３、４３、４３、４３には、半田１０２が充填されており、上記スルーホール５１、５１、５１、５１、５１、上記スルーホール５９、５９、５９、５９、５９、上記スルーホール６７、６７、６７、６７、６７、上記スルーホール８５、８５、８５、８５、８５、８５、上記スルーホール９３、９３、９３、９３、９３にも、図示しない半田が充填されているため、スルーホールを介しての熱伝導が効率良く行われることになり、より効果的に熱を放出させることができる。
また、上記スルーホール４３等は、上記回路基板３３内部のグラウンド（ＧＮＤ）層に導通されているので、上記グラウンド（ＧＮＤ）層の熱も上記スルーホール４３等を介して上記放熱パッド１０１ａ等に伝達させることで、より効果的に放出させることができる。

また、ボルト及びナットによって上記回路基板３３を上記ベースフレーム１に締結・固定するようにしているので、熱伝導性絶縁シート３１が高い圧力で上記ベースフレーム１に圧接されることになり、それによって、熱伝導性絶縁シート３１を介しての熱伝導が効率良く行われることになり、より効果的に熱を放出させることができる。

また、第１温度センサ１７１ａは、その中心が電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ａ及び電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｂの端から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されており、同様に、第２温度センサ１７１ｂも、その中心が電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｃ及び電界効果トランジスタ放熱板用パッド４１ｄの端から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されているため、上記電界効果トランジスタ１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄ自体の実温度に対して大きくずれることなく検出することができ、それによって、所望の制御を高い精度で行うことができる。例えば、高温雰囲気中であっても高温雰囲気の影響を受けることなく、制御することができる。

次に、図７〜図９を参照しながら、本発明の第２の実施の形態による回路基板２０１の取付構造を説明する。

図７に示すように、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）であって、図７中左下側には、電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ、２０３ｄが、上記回路基板２０１の図７中左側から右側に向かって一列に設けられている。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａは上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａの上端側（図７中上側）には、複数（この第２の実施の形態の場合は５個）のスルーホール２０５、２０５、２０５、２０５、２０５が形成されている。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａの上端側（図７中上側）は、上記スルーホール２０５、２０５、２０５、２０５、２０５の縁部を除いてレジスト２０７で覆われている。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａの図７中上側には、ソース側電極用パッド２０９とドレイン側電極用パッド２１１が設けられている。このソース側電極用パッド２０９とドレイン側電極用パッド２１１も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂも上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂの上端側（図７中上側）には、複数（この第２の実施の形態の場合は５個）のスルーホール２１３、２１３、２１３、２１３、２１３が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂの上端側（図７中上側）は、上記スルーホール２１３、２１３、２１３、２１３、２１３の縁部を除いてレジスト２１５で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂの図７中上側には、ソース側電極用パッド２１７とドレイン側電極用パッド２１９が設けられている。このソース側電極用パッド２１７とドレイン側電極用パッド２１９も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃも上記回路基板３３の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃの上端側（図７中上側）には、複数（この第２の実施の形態の場合は５個）のスルーホール２２１、２２１、２２１、２２１、２２１が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃの上端側（図７中上側）は、上記スルーホール２２１、２２１、２２１、２２１、２２１の縁部を除いてレジスト２２３で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃの図７中上側には、ソース側電極用パッド２２５とドレイン側電極用パッド２２７が設けられている。このソース側電極用パッド２２５とドレイン側電極用パッド２２７も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄも上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄの上端側（図７中上側）には、複数（この第２の実施の形態の場合は５個）のスルーホール２２９、２２９、２２９、２２９、２２９が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄの上端側（図７中上側）は、上記スルーホール２２９、２２９、２２９、２２９、２２９の縁部を除いてレジスト２３１で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄの図７中上側には、ソース側電極用パッド２３３とドレイン側電極用パッド２３５が設けられている。このソース側電極用パッド２３３とドレイン側電極用パッド２３５も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄの図７右側には、インダクションコイル第１電極用パッド２３７とインダクションコイル第２電極用パッド２３９が設けられている。これらインダクションコイル第１電極用パッド２３７とインダクションコイル第２電極用パッド２３９も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

上記インダクションコイル第２電極用パッド２３９の図７中右側には、電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５が設けられている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５も上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５の図７中上側には、複数（この第２の実施の形態の場合は５個）のスルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５の図７中上端側は、上記スルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７の縁部を除いてレジスト２４９で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５の図７中上側には、ソース側電極用パッド２５１とドレイン側電極用パッド２５３が設けられている。このソース側電極用パッド２５１とドレイン側電極用パッド２５３も、上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａ、２０３ｂの間であって上記回路基板２０１の外周側（図７中下側）には、第１温度センサ用配線パターン２５５ａが設けられている。この第１温度センサ用配線パターン２５５ａも上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃ、２０３ｄの間であって上記回路基板２０１の外周側（図７中下側）には、第２温度センサ用配線パターン２５５ｂが設けられている。この第２温度センサ用配線パターン２５５ｂも上記回路基板２０１の表面（図７中紙面垂直方向手前側の面）に露出された銅箔パターンである。

また、図８に示すように、上記回路基板２０１の裏面（図８中紙面垂直方向手前側の面）には、放熱パッド２６１ａ、２６１ｂ、２６１ｃ、２６１ｄが、上記回路基板２０１の幅方向（図８中左右方向）に一列に設けられている。
上記放熱パッド２６１ａは上記回路基板２０１の裏面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａに対応した位置に露出された銅箔パターンである。上記放熱パッド２６１ａの上端側（図８中上側）には、上記スルーホール２０５、２０５、２０５、２０５、２０５が開口されている。上記スルーホール２０５、２０５、２０５、２０５、２０５の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａと上記放熱パッド２６１ａ、及び、回路基板２０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。また、上記スルーホール２０５、２０５、２０５、２０５、２０５内には、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド２６１ｂは上記回路基板２０１の表面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂに対応した位置に露出された銅箔パターンである。上記放熱パッド２６１ｂの上端側（図８中上側）には、上記スルーホール２１３、２１３、２１３、２１３、２１３が開口されている。上記スルーホール２１３、２１３、２１３、２１３、２１３の内周面にも銅箔パターンがあり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂと上記放熱パッド２６１ｂ、及び、回路基板２０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール２１３、２１３、２１３、２１３、２１３内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド２６１ｃは上記回路基板２０１の表面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃに対応した位置に露出された銅箔パターンである。上記放熱パッド２６１ｃの上端側（図８中上側）には、上記スルーホール２２１、２２１、２２１、２２１、２２１が開口されている。上記スルーホール２２１、２２１、２２１、２２１、２２１の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃと上記放熱パッド２６１ｃ、及び、回路基板２０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール２２１、２２１、２２１、２２１、２２１内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド２６１ｄは上記回路基板２０１の表面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄに対応した位置に露出された銅箔パターンである。上記放熱パッド２６１ｃの上端側（図８中上側）には、上記スルーホール２２９、２２９、２２９、２２９、２２９が開口されている。上記スルーホール２２９、２２９、２２９、２２９、２２９の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄと上記放熱パッド２６１ｄ、及び、回路基板２０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール２２９、２２９、２２９、２２９、２２９内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド２６１ｄの図８中左側には、放熱パッド２６３が設置されている。この放熱パッド２６３は、上記回路基板２０１の表面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記インダクションコイル第２電極用パッド２３９に対応した位置に露出された銅箔パターンである。

また、上記放熱パッド２６３の図８中左側には、放熱パッド２６５が設置されている。この放熱パッド２６５は、上記回路基板２０１の表面（図８中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５に対応した位置に露出された銅箔パターンである。上記放熱パッド２６５の図８中上側には上記スルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７が開口されている。上記スルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５と上記放熱パッド２６５、及び、回路基板２０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が上記スルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７を介して導通されている。上記スルーホール２４７、２４７、２４７、２４７、２４７内にも、図示しない半田が充填されている。

また、図９に示すように、回路基板２０１の表面（図９中紙面垂直方向手前側の面）には、電界効果トランジスタ２７１ａ、２７１ｂ、２７１ｃ、２７３と、インダクションコイル２７５と、第１温度センサ２７７ａと、第２温度センサ２７７ｂが実装されている。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａに上記電界効果トランジスタ２７１ａの放熱板２７９ａが半田付けされ、ソース側電極用パッド２０９に上記電界効果トランジスタ２７１ａのソース側電極２７９ｂが半田付けされ、ドレイン側電極用パッド２１１に上記電界効果トランジスタ２７１ａのドレイン側電極２７９ｃが半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂに上記電界効果トランジスタ２７１ｂの放熱板２８１ａが半田付けされ、ソース側電極用パッド２１７に上記電界効果トランジスタ２７１ｂのソース側電極２８１ｂが半田付けされ、ドレイン側電極用パッド２１９に上記電界効果トランジスタ２７１ｂのドレイン側電極２８１ｃが半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃに上記電界効果トランジスタ２７１ｃの放熱板２８３ａが半田付けされ、ソース側電極用パッド２２５に上記電界効果トランジスタ２７１ｃのソース側電極２８３ｂが半田付けされ、ドレイン側電極用パッド２２７に上記電界効果トランジスタ２７１ｃのドレイン側電極２８３ｃが半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄに上記電界効果トランジスタ２７１ｄの放熱板２８５ａが半田付けされ、ソース側電極用パッド２３３に上記電界効果トランジスタ２７１ｄのソース側電極２８５ｂが半田付けされ、ドレイン側電極用パッド２３５に上記電界効果トランジスタ２７１ｄのドレイン側電極２８５ｃが半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２４５に上記電界効果トランジスタ２７３の放熱板２８７ａが半田付けされ、ソース側電極用パッド２５１に上記電界効果トランジスタ２７３のソース側電極２８７ｂが半田付けされ、ドレイン側電極用パッド２５３に上記電界効果トランジスタ２７３のドレイン側電極２８７ｃが半田付けされる。
また、上記インダクションコイル第１電極用パッド２３７には上記インダクションコイル２７５の図示しない第１電極が半田付けされ、上記インダクションコイル第２電極用パッド２３９には上記インダクションコイル２７５の図示しない第２電極が半田付けされる。

また、第１温度センサ用配線パターン２５５ａに上記第１温度センサ２７７ａが実装され、第２温度センサ用配線パターン２５５ｂに上記第２温度センサ２７７ｂが実装される。
また、上記第１温度センサ２７７ａは、その中心が上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａの端と上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂの端から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するようにに設置されている。
また、上記第２温度センサ２７７ｂも、その中心が上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃの端と上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄの端から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されている。

また、上記第１温度センサ２７７ａは、図９に示すように、その外筐の外形が略四角形を成しており、その一角を電界効果トランジスタ２７１ａと電界効果トランジスタ２７１ｂの間に差し込むように設置されていて、電界効果トランジスタ２７１ａと電界効果トランジスタ２７１ｂに対してより接近した状態で設置されている。ここで、図９に示すように、上記電界効果トランジスタ２７１ａの放熱板２７９ａと上記電界効果トランジスタ２７１ｂの放熱板２８１ａの角は切り欠かれており、上記第１温度センサ２７７ａを、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ａや上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｂに近接させて設置しても干渉しないようになっている。
同様に、上記第２温度センサ２７７ｂも、図９に示すように、その外筐の外形が略四角形を成しており、その一角を電界効果トランジスタ２７１ｃと電界効果トランジスタ２７１ｄの間に差し込むように設置されていて、電界効果トランジスタ２７１ｃと電界効果トランジスタ２７１ｄに対してより接近した状態で設置されている。ここで、上記電界効果トランジスタ２７１ｃの放熱板２８３ａと上記電界効果トランジスタ２７１ｄの放熱板２８５ａの角は切り欠かれており、上記第２温度センサ２７７ｂを、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｃや上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド２０３ｄに近接させて設置しても干渉しないようになっている。

また、図示しない熱伝導性絶縁シートは、上記放熱パッド２６１ａ、２６１ｂ、２６１ｃ、２６１ｄ、２６３、２６５に当接された状態で、上記回路基板２０１と図示しない筐体のベースフレームとの間に介挿されることになる。

この第２の実施の形態の場合も、前記第１の実施の形態の場合と同様の作用・効果を奏することができる。
また、上記第１温度センサ２７７ａを、その一角を電界効果トランジスタ２７１ａと電界効果トランジスタ２７１ｂの間に差し込むようにして、電界効果トランジスタ２７１ａと電界効果トランジスタ２７１ｂに対してより接近した位置に設置されており、同様に、上記第２温度センサ２７７ｂも、その一角を電界効果トランジスタ２７１ｃと電界効果トランジスタ２７１ｄの間に差し込むようにして、電界効果トランジスタ２７１ｃと電界効果トランジスタ２７１ｄに対してより接近した状態で設置されているので、電界効果トランジスタ２７１ａと電界効果トランジスタ２７１ｂの温度、電界効果トランジスタ２７１ｃと電界効果トランジスタ２７１ｄの温度を小さなずれで検出することができ、例えば、高温雰囲気中で使用されるような場合にも、それらに影響されることなく高い精度で制御することができる。

次に、図１０及び図１１を参照しながら、本発明の第３の実施の形態による回路基板３０１の取付構造を説明する。

図１０に示すように、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）であって、図１０中左側には、電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄが、縦・横二列に設けられている。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａは上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａの上端側（図７中上側）には、複数（この第３の実施の形態の場合は５個）のスルーホール３０５、３０５、３０５、３０５、３０５が形成されている。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａの上端側（図１０中上側）は、上記スルーホール３０５、３０５、３０５、３０５、３０５の縁部を除いてレジスト３０７で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａの図１０中上側には、ソース側電極用パッド３０９とドレイン側電極用パッド３１１が設けられている。このソース側電極用パッド３０９とドレイン側電極用パッド３１１も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂも上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂの下端側（図１０中下側）には、複数（この第３の実施の形態の場合は５個）のスルーホール３１３、３１３、３１３、３１３、３１３が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂの上端側（図１０中上側）は、上記スルーホール３１３、３１３、３１３、３１３、３１３の縁部を除いてレジスト３１５で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂの図１０中下側には、ソース側電極用パッド３１７とドレイン側電極用パッド３１９が設けられている。このソース側電極用パッド３１７とドレイン側電極用パッド３１９も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃも上記回路基板３３の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃの下端側（図１０中下側）には、複数（この第３の実施の形態の場合は５個）のスルーホール３２１、３２１、３２１、３２１、３２１が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃの下端側（図１０中下側）は、上記スルーホール３２１、３２１、３２１、３２１、３２１の縁部を除いてレジスト３２３で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃの図１０中下側には、ソース側電極用パッド３２５とドレイン側電極用パッド３２７が設けられている。このソース側電極用パッド３２５とドレイン側電極用パッド３２７も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄも上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄの上端側（図１０中上側）には、複数（この第３の実施の形態の場合は５個）のスルーホール３２９、３２９、３２９、３２９、３２９が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄの上端側（図１０中上側）は、上記スルーホール３２９、３２９、３２９、３２９、３２９の縁部を除いてレジスト３３１で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄの図１０中上側には、ソース側電極用パッド３３３とドレイン側電極用パッド３３５が設けられている。このソース側電極用パッド３３３とドレイン側電極用パッド３３５も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃの図１０右側には、インダクションコイル第１電極用パッド３３７とインダクションコイル第２電極用パッド３３９が設けられている。これらインダクションコイル第１電極用パッド３３７とインダクションコイル第２電極用パッド３３９も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記インダクションコイル第１電極用パッド３３７の図１０中上側には複数（この第３の実施の形態の場合は６個）のスルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１が形成されている。また、上記インダクションコイル第１電極用パッド３３７の図１０中上側は、上記スルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１の縁部を除いてレジスト３４３で覆われている。
また、上記インダクションコイル第２電極用パッド３３９の図１０中上側にも複数（この第３の実施の形態では３個）のスルーホール３４０、３４０、３４０が形成されている。上記インダクションコイル第２電極用パッド３３９の図１０中上側は、上記スルーホール３４０、３４０、３４０の縁部を除いてレジスト３４２で覆われている。

上記インダクションコイル第２電極用パッド３３７の図１０中上側には、電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５が設けられている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５は上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５の図１０中上側には、複数（この第３の実施の形態の場合は５個）のスルーホール３４７、３４７、３４７、３４７、３４７が形成されている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５の図７中上端側は、上記スルーホール３４７、３４７、３４７、３４７、３４７の縁部を除いてレジスト３４９で覆われている。また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５の図１０中上側には、ソース側電極用パッド３５１とドレイン側電極用パッド３５３が設けられている。このソース側電極用パッド３５１とドレイン側電極用パッド３５３も、上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａ、３０３ｂ、３０３ｃ、３０３ｄに囲まれた場所には、温度センサ用配線パターン３５５が設けられている。この温度センサ用配線パターン３５５も上記回路基板３０１の表面（図１０中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、図１１に示すように、上記回路基板３０１の裏面（図１１中紙面垂直方向手前側の面）には、放熱パッド３６１ａ、３６１ｂ、３６１ｃ、３６１ｄが、縦・横二列に設けられている。上記放熱パッド３６１ａは上記回路基板３０１の裏面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６１ａの上端側（図１１中上側）には、上記スルーホール３０５、３０５、３０５、３０５、３０５が開口されている。上記スルーホール３０５、３０５、３０５、３０５、３０５の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａと上記放熱パッド３６１ａ、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。
また、上記スルーホール３０５、３０５、３０５、３０５、３０５内には、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６１ｂは上記回路基板３０１の表面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６１ｂの下端側（図１１中下側）には、上記スルーホール３１３、３１３、３１３、３１３、３１３が開口されている。上記スルーホール３１３、３１３、３１３、３１３、３１３の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂと上記放熱パッド３６１ｂ、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール３１３、３１３、３１３、３１３、３１３内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６１ｃは上記回路基板３０１の表面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６１ｃの下端側（図１１中下側）には、上記スルーホール３２１、３２１、３２１、３２１、３２１が開口されている。上記スルーホール３２１、３２１、３２１、３２１、３２１の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃと上記放熱パッド３６１ｃ、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール３２１、３２１、３２１、３２１、３２１内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６１ｄは上記回路基板３０１の表面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄに対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６１ｃの上端側（図１１中上側）には、上記スルーホール３２９、３２９、３２９、３２９、３２９が開口されている。上記スルーホール３２９、３２９、３２９、３２９、３２９の内周面にも銅箔があり、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄと上記放熱パッド３６１ｄ、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール３２９、３２９、３２９、３２９、３２９内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６１ｄの図１１中左側には、放熱パッド３６３が設置されている。この放熱パッド３６３は、上記回路基板３０１の表面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記インダクションコイル第１電極用パッド３３７と電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５に対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６３の中央には上記スルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４７、３４７、３４７、３４７、３４７が開口されている。上記スルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４７、３４７、３４７、３４７、３４７の内周面にも銅箔があり、上記インダクションコイル第１電極用パッド３３７、電界効果トランジスタ放熱板用パッド３４５、上記放熱パッド３６３、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が上記スルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４７、３４７、３４７、３４７、３４７を介して導通されている。上記スルーホール３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４１、３４７、３４７、３４７、３４７、３４７内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６３の図１１中左側には、放熱パッド３６５が設置されている。この放熱パッド３６５は、上記回路基板３０１の表面（図１１中紙面垂直方向奥側の面）の上記インダクションコイル第２電極用パッド３３９に対応した位置に露出した銅箔パターンである。上記放熱パッド３６５の図１１中上側には上記スルーホール３４０、３４０、３４０が開口されている。上記スルーホール３４０、３４０、３４０の内周面にも銅箔があり、上記インダクションコイル第２電極用パッド３３９と上記放熱パッド３６５、及び、回路基板３０１内のグラウンド（ＧＮＤ）層が導通されている。上記スルーホール３４０、３４０、３４０内にも、図示しない半田が充填されている。

また、上記放熱パッド３６５の図１１中上側にも、放熱パッド３６６が設置されている。この放熱パッド３６６も、上記回路基板３０１の裏面（図１１中紙面垂直方向手前側の面）に露出した銅箔パターンである。

また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａに図示しない電界効果トランジスタの放熱板が半田付けされ、ソース側電極用パッド３０９に上記図示しない電界効果トランジスタのソース側電極が半田付けされ、ドレイン側電極用パッド３１１に上記図示しない電界効果トランジスタのドレイン側電極が半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂに図示しない電界効果トランジスタの放熱板が半田付けされ、ソース側電極用パッド３１７に上記図示しない電界効果トランジスタのソース側電極が半田付けされ、ドレイン側電極用パッド３１９に上記図示しない電界効果トランジスタのドレイン側電極が半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃに図示しない電界効果トランジスタの放熱板が半田付けされ、ソース側電極用パッド３２５に上記図示しない電界効果トランジスタのソース側電極が半田付けされ、ドレイン側電極用パッド３２７に上記図示しない電界効果トランジスタのドレイン側電極が半田付けされる。
また、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄに図示しない電界効果トランジスタの放熱板が半田付けされ、ソース側電極用パッド３３３に上記図示しない電界効果トランジスタのソース側電極が半田付けされ、ドレイン側電極用パッド３３５に上記図示しない電界効果トランジスタのドレイン側電極が半田付けされる。

また、温度センサ用配線パターン３５５に図示しない温度センサが実装される。
また、上記温度センサは、その中心が上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ａの端、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｂの端、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｃの端、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッド３０３ｄの端、から等距離であって、５ｍｍ以内の位置に位置するように設置されている。

また、図示しない熱伝導性絶縁シートが、上記放熱パッド３６１ａ、３６１ｂ、３６１ｃ、３６１ｄ、３６３、３６５、３６６に当接された状態で、上記回路基板３０１と図示しない筐体のベースフレームの間に介挿される。

この第３の実施の形態の場合は、前記した第１の実施の形態の場合と同様の作用・効果を得ることができる。
また、４個の電界効果トランジスタを縦・横二列に設置するようにしたので、１個の温度センサで事足りることになり、構成の簡略化を図ることができる。

次に、第４の実施の形態を説明する。
この第４の実施の形態の場合は、回路基板の裏面側に、発熱電子部品としての電界効果トランジスタが実装されている。この電界効果トランジスタの放熱板は、裏面側の銅箔パターンの一部である電界効果トランジスタ放熱板用パッドに半田付けされている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッドは、同じく上記回路基板の裏面側に設けられた放熱パッドに導通されている。この放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付け、この熱伝導性絶縁シートを、筐体のベースフレームに押し付けるようにして、上記回路基板を筐体に設置する。
このようにすることで、上記電界効果トランジスタから発生した熱が、上記放熱パッドと上記熱伝導性絶縁シートと介して上記筐体に伝達され、上記筐体外部に放出される。
この場合も、前記第１〜第３の実施の形態の場合と同様の効果を奏することができる。
なお、この実施の形態では上記放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付けたが、電界効果トランジスタ放熱板用パッドの一部も露出しており、上記放熱パッドとこの電界効果トランジスタ放熱板用パッドの一部の両方に、熱伝導性絶縁シートを貼り付けるようにする場合も考えられる。

次に、第５の実施の形態を説明する。
この第５の実施の形態の場合は、回路基板の裏面側に、発熱電子部品としての電界効果トランジスタが実装されている。この電界効果トランジスタの放熱板は、裏面側の銅箔パターンの一部である電界効果トランジスタ放熱板用パッドに半田付けされている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッドは、上記電界効果トランジスタの放熱板の外形よりも大きいものであり、上記電界効果トランジスタの放熱板が半田付けされても、その一部が露出された状態になっている。この電界効果トランジスタ放熱板用パッドの露出された部位に熱伝導性絶縁シートを貼り付け、この熱伝導性絶縁シートを、筐体のベースフレームに押し付けるようにして、上記回路基板を筐体に設置する。
このようにすることで、上記電界効果トランジスタから発生した熱が、上記電界効果トランジスタ放熱板用パッドと上記熱伝導性絶縁シートと介して上記筐体に伝達され、上記筐体外部に放出される。
この場合も、前記第１〜第４の実施の形態の場合と同様の効果を奏することができる。

なお、本発明は前記第１〜第５の実施の形態に限定されない。
まず、発熱電子部品としては、電界効果トランジスタ、インダクションコイルに限定されるものではなく、他の発熱電子部品であってもよい。
また、発熱電子部品の数や配置については様々な場合が考えられ、放熱パッドの数や配置もそれに対応させて様々な場合が考えられる。
また、回路基板も４層に限定されるものでなく、表裏何れかのみに銅箔パターンが設けられた単層、表裏両面に銅箔パターンが設けられた２層、その他、３層、５層以上のものであってもよい。
また、前記第１〜第５の実施の形態の場合は、スルーホールに導電性材料としての半田を充填したが、例えば、銅等の導電性材料を充填することも考えられる。
また、前記第１〜第５の実施の形態の場合は、アクチュエータの制御に用いられるコントローラの筐体に回路基板を取り付ける場合を例に挙げて説明したが、コントローラ内装型のアクチュエータの筐体に回路基板を取り付ける場合にも同様に適用可能である。
その他、図示した構成は一例であり様々な場合が考えられる。

本発明は、例えば、アクチュエータのコントローラの制御回路基板の取付構造に係り、特に、放熱性能を向上させて回路基板に実装されている各種電子部品の健全性の維持を図ることができるように工夫したものに関し、特に、産業用ロボットに用いられるアクチュエータのコントローラに好適である。

３１ 熱伝導性絶縁シート
３３ 回路基板
４１ａ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
４１ｂ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
４１ｃ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
４１ｄ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
４３ スルーホール
５１ スルーホール
５９ スルーホール
６７ スルーホール
８１ インダクションコイル第１電極用パッド
８５ スルーホール
９１ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
９３ スルーホール
１０１ａ 放熱パッド
１０１ｂ 放熱パッド
１０１ｃ 放熱パッド
１０１ｄ 放熱パッド
１０２ 半田
１０３ 放熱パッド（銅箔）
１１１ａ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
１１１ｂ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
１１１ｃ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
１１１ｄ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
１４５ インダクションコイル（発熱電子部品）
１５５ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
２０１ 回路基板
２０３ａ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
２０３ｂ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
２０３ｃ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
２０３ｄ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
２０５ スルーホール
２１３ スルーホール
２２１ スルーホール
２２９ スルーホール
２４５ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
２４７ スルーホール
２６１ａ 放熱パッド
２６１ｂ 放熱パッド
２６１ｃ 放熱パッド
２６１ｄ 放熱パッド
２６５ 放熱パッド
２７１ａ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
２７１ｂ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
２７１ｃ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
２７１ｄ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
２７３ 電界効果トランジスタ（発熱電子部品）
３０１ 回路基板
３０３ａ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
３０３ｂ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
３０３ｃ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
３０３ｄ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
３０５ スルーホール
３１３ スルーホール
３２１ スルーホール
３２９ スルーホール
３３７ インダクションコイル第１電極用パッド
３３９ インダクションコイル第２電極用パッド
３４０ スルーホール
３４１ スルーホール
３４５ 電界効果トランジスタ放熱板用パッド
３４７ スルーホール
３６１ａ 放熱パッド
３６１ｂ 放熱パッド
３６１ｃ 放熱パッド
３６１ｄ 放熱パッド
３６３ 放熱パッド
３６５ 放熱パッド

Claims (11)

1. 少なくとも表面と裏面の何れか一方に銅箔パターンを備える回路基板の取付構造において、
   上記回路基板に複数の発熱電子部品を実装し、
   上記回路基板に上記銅箔パターンの上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッド及び／又は上記発熱電子部品の放熱板又は電極が実装されたパッドと導通された放熱パッドを露出させ、
   上記露出されたパッド及び／又は放熱パッドに熱伝導性絶縁シートを貼り付け、
   上記回路基板を上記熱伝導性絶縁シートを介して筐体の内面に押圧・設置するようにしたことを特徴とする回路基板の取付構造。
2. 請求項１記載の回路基板の取付構造において、
   上記銅箔パターンは上記回路基板の表面と裏面のそれぞれに備えられており、
   上記回路基板の表面に複数の発熱電子部品を集合・実装し、
   上記回路基板の裏面であって上記発熱電子部品が実装されたパッドに対応する部位において上記放熱パッドを露出させ、
   上記発熱電子部品が実装されたパッドと上記露出された放熱パッドをスルーホールを介して電気的に導通させたことを特徴とする回路基板の取付構造。
3. 請求項２記載の回路基板の取付構造において、
   上記スルーホール内に導電性材料を充填するようにしたことを特徴とする回路基板の取付構造。
4. 請求項１〜請求項３の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
   上記回路基板は上記筐体に締結部材によって締結・固定され、
   上記熱伝導性絶縁シートは上記回路基板の締結・固定部に寄った位置に配置されていることを特徴とする回路基板の取付構造。
5. 請求項２又は請求項３記載の回路基板の取付構造において、
   上記回路基板はグラウンド層を備えた多層構造をなしていて、上記放熱パッドは上記グラウンド層に導通されていることを特徴とする回路基板の取付構造。
6. 請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
   上記発熱電子部品はスイッチング素子であることを特徴とする回路基板の取付構造。
7. 請求項１〜請求項５の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
   上記発熱電子部品はスイッチング素子とインダクションコイルであることを特徴とする回路基板の取付構造。
8. 請求項６又は請求項７記載の回路基板の取付構造において、
   上記スイッチング素子は電界効果トランジスタであることを特徴とする回路基板の取付構造。
9. 請求項１〜請求項８の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
   上記複数個のスイッチング素子に対して等距離の位置に温度センサが実装されていることを特徴とする回路基板の取付構造。
10. 請求項１〜請求項９の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
    上記筐体はコントローラの筐体であることを特徴とする回路基板の取付構造。
11. 請求項１〜請求項１０の何れかに記載の回路基板の取付構造において、
    上記筐体はコントローラ内装型のアクチュエータの筐体であることを特徴とする回路基板の取付構造。

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