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JP2017044564A - 放射線検出器及びその製造方法 - Google Patents

放射線検出器及びその製造方法 Download PDF

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JP2017044564A JP2015166848A JP2015166848A JP2017044564A JP 2017044564 A JP2017044564 A JP 2017044564A JP 2015166848 A JP2015166848 A JP 2015166848A JP 2015166848 A JP2015166848 A JP 2015166848A JP 2017044564 A JP2017044564 A JP 2017044564A
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幸司 鷹取
克久 本間
Katsuhisa Honma
克久 本間
弘 堀内
Hiroshi Horiuchi
弘 堀内
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Abstract

【課題】防湿性能の向上と、温度変化や外力に対する耐性の向上を図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む枠状の壁体と、前記壁体の内面と、前記シンチレータ層の側面と、の間に設けられ、前記壁体と接着され、前記シンチレータ層と接着されていない充填部と、前記壁体、前記シンチレータ層、および前記充填部の上方を覆う防湿体と、を備えている。
【選択図】図3

Description

本発明の実施形態は、放射線検出器及びその製造方法に関する。
放射線検出器の一例にX線検出器がある。X線検出器においては、X線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換し、この蛍光をアモルファスシリコン(a−Si)フォトダイオード、あるいはCCD(Charge Coupled Device)などの光電変換素子を用いて信号電荷に変換することでX線画像を取得している。
また、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、シンチレータ層の上に反射層をさらに設ける場合もある。
ここで、水蒸気などに起因する解像度特性の劣化を抑制するために、シンチレータ層と反射層は、外部雰囲気から隔離する必要がある。特に、シンチレータ層が、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)やヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)などからなる場合には、湿度などによる解像度特性の劣化が大きくなるおそれがある。
そのため、シンチレータ層を囲む枠状の壁体を設け、壁体の上端にアルミニウムなどからなるカバーを接着する技術が提案されている。
しかしながら、シンチレータ層の側面と壁体の内面との間に大きな空間があると、壁体の内側に侵入した水蒸気がシンチレータ層に到達し易くなる。
また、シンチレータ層の側面と壁体の内面との間にシリカゲルのような乾燥剤を充填する技術が提案されている。
しかしながら、乾燥剤が吸湿できる水の質量には限度があるので、壁体の内側に侵入した水蒸気が粒状の乾燥剤の間を通過してシンチレータ層に到達するおそれがある。
この場合、シンチレータ層の側面と壁体の内面との間に樹脂などを充填すれば、壁体の内側に侵入した水蒸気がシンチレータ層に到達し難くなる。
ところが、単に、シンチレータ層の側面と壁体の内面との間に樹脂などを充填すれば、環境温度が変化するなどした際に、アルミニウムなどからなるカバーの熱膨張率と、樹脂からなる壁体および充填部の熱膨張率との差により発生した熱応力がシンチレータ層などに伝わり、シンチレータ層が基板から剥離したり、壁体、充填部、シンチレータ層、および反射層などが破損したりするおそれがある。
また、カバーや壁体に加えられた外力が、充填部を介してシンチレータ層などに伝わり、シンチレータ層が基板から剥離したり、壁体、充填部、シンチレータ層、および反射層などが破損したりするおそれがある。
そこで、防湿性能の向上と、温度変化や外力に対する耐性の向上を図ることができる技術の開発が望まれていた。
特開2001−188086号公報 特開平5−242841号公報
本発明が解決しようとする課題は、防湿性能の向上と、温度変化や外力に対する耐性の向上を図ることができる放射線検出器及びその製造方法を提供することである。
実施形態に係る放射線検出器は、基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む枠状の壁体と、前記壁体の内面と、前記シンチレータ層の側面と、の間に設けられ、前記壁体と接着され、前記シンチレータ層と接着されていない充填部と、前記壁体、前記シンチレータ層、および前記充填部の上方を覆う防湿体と、を備えている。
第1の実施形態に係るX線検出器1を例示するための模式斜視図である。 X線検出器1の模式断面図である。 図2における充填部8の近傍を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る充填部8aの近傍を例示するための模式断面図である。 他の実施形態に係る充填部8bの近傍を例示するための模式断面図である。
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
また、本発明の実施形態に係る放射線検出器は、X線のほかにもγ線などの各種放射線に適用させることができる。ここでは、一例として、放射線の中の代表的なものとしてX線に係る場合を例にとり説明をする。したがって、以下の実施形態の「X線」を「他の放射線」に置き換えることにより、他の放射線にも適用させることができる。
(第1の実施形態)
まず、第1の実施形態に係るX線検出器1について例示をする。
図1は、第1の実施形態に係るX線検出器1を例示するための模式斜視図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図1においては、反射層6、防湿体7、充填部8、壁体9、接着層10などを省いて描いている。
図2は、X線検出器1の模式断面図である。
なお、煩雑となるのを避けるために、図2においては、制御ライン(又はゲートライン)2c1、データライン(又はシグナルライン)2c2、信号処理部3、画像伝送部4などを省いて描いている。
放射線検出器であるX線検出器1は、放射線画像であるX線画像を検出するX線平面センサである。X線検出器1は、例えば、一般医療用途などに用いることができる。ただし、X線検出器1の用途は、一般医療用途に限定されるわけではない。
図1および図2に示すように、X線検出器1には、アレイ基板2、信号処理部3、画像伝送部4、シンチレータ層5、反射層6、防湿体7、充填部8、壁体9、および接着層10が設けられている。
アレイ基板2は、基板2a、光電変換部2b、制御ライン2c1、データライン2c2、および保護層2fを有する。
基板2aは、板状を呈し、無アルカリガラスなどの透光性材料から形成されている。
光電変換部2bは、基板2aの一方の表面に複数設けられている。
光電変換部2bは、矩形状を呈し、制御ライン2c1とデータライン2c2とで画された領域に設けられている。複数の光電変換部2bは、マトリクス状に並べられている。
なお、1つの光電変換部2bは、1つの画素(pixel)に対応する。
複数の光電変換部2bのそれぞれには、光電変換素子2b1と、スイッチング素子である薄膜トランジスタ(TFT;Thin Film Transistor)2b2が設けられている。
また、光電変換素子2b1において変換した信号電荷を蓄積する図示しない蓄積キャパシタを設けることができる。図示しない蓄積キャパシタは、例えば、矩形平板状を呈し、各薄膜トランジスタ2b2の下に設けることができる。ただし、光電変換素子2b1の容量によっては、光電変換素子2b1が図示しない蓄積キャパシタを兼ねることができる。
光電変換素子2b1は、例えば、フォトダイオードなどとすることができる。
薄膜トランジスタ2b2は、蛍光が光電変換素子2b1に入射することで生じた電荷の蓄積および放出のスイッチングを行う。薄膜トランジスタ2b2は、アモルファスシリコン(a−Si)やポリシリコン(P−Si)などの半導体材料を含むものとすることができる。薄膜トランジスタ2b2は、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有している。薄膜トランジスタ2b2のゲート電極は、対応する制御ライン2c1と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のソース電極は、対応するデータライン2c2と電気的に接続される。薄膜トランジスタ2b2のドレイン電極は、対応する光電変換素子2b1と図示しない蓄積キャパシタとに電気的に接続される。
制御ライン2c1は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。制御ライン2c1は、例えば、行方向に延びている。
複数の制御ライン2c1は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d1とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド2d1には、フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e1に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部3に設けられた図示しない制御回路とそれぞれ電気的に接続されている。
データライン2c2は、所定の間隔を開けて互いに平行に複数設けられている。データライン2c2は、例えば、列方向に延びている。
複数のデータライン2c2は、基板2aの周縁近傍に設けられた複数の配線パッド2d2とそれぞれ電気的に接続されている。複数の配線パッド2d2には、フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の一端がそれぞれ電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板2e2に設けられた複数の配線の他端は、信号処理部3に設けられた図示しない増幅・変換回路とそれぞれ電気的に接続されている。
保護層2fは、光電変換部2b、制御ライン2c1、およびデータライン2c2を覆うように設けられている。保護層2fは、シンチレータ層5が設けられる領域に設けられていてもよいし、シンチレータ層5が設けられる領域の外側にまで設けられていてもよい。
保護層2fは、窒化ケイ素(SiN)やアクリル系樹脂などの絶縁性材料から形成することができる。
信号処理部3は、基板2aの、光電変換部2bが設けられる側とは反対側に設けられている。
信号処理部3には、図示しない制御回路と、図示しない増幅・変換回路とが設けられている。
図示しない制御回路は、各薄膜トランジスタ2b2の動作、すなわちオン状態およびオフ状態を制御する。例えば、図示しない制御回路は、フレキシブルプリント基板2e1と配線パッド2d1と制御ライン2c1とを介して、制御信号S1を各制御ライン2c1毎に順次印加する。制御ライン2c1に印加された制御信号S1により薄膜トランジスタ2b2がオン状態となり、光電変換部2bからの画像データ信号S2が受信できるようになる。
図示しない増幅・変換回路は、例えば、複数の電荷増幅器、並列−直列変換器、およびアナログ−デジタル変換器を有している。
複数の電荷増幅器は、各データライン2c2にそれぞれ電気的に接続されている。
複数の並列−直列変換器は、複数の電荷増幅器にそれぞれ電気的に接続されている。
複数のアナログ−デジタル変換器は、複数の並列−直列変換器にそれぞれ電気的に接続されている。
図示しない複数の電荷増幅器は、データライン2c2と配線パッド2d2とフレキシブルプリント基板2e2とを介して、各光電変換部2bからの画像データ信号S2を順次受信する。
そして、図示しない複数の電荷増幅器は、受信した画像データ信号S2を順次増幅する。
図示しない複数の並列−直列変換器は、増幅された画像データ信号S2を順次直列信号に変換する。
図示しない複数のアナログ−デジタル変換器は、直列信号に変換された画像データ信号S2をデジタル信号に順次変換する。
画像伝送部4は、配線4aを介して、信号処理部3の図示しない増幅・変換回路と電気的に接続されている。なお、画像伝送部4は、信号処理部3と一体化されていてもよい。
画像伝送部4は、図示しない複数のアナログ−デジタル変換器によりデジタル信号に変換された画像データ信号S2に基づいて、X線画像を構成する。構成されたX線画像のデータは、画像伝送部4から外部の機器に向けて出力される。
シンチレータ層5は、複数の光電変換素子2b1の上に設けられ、入射するX線を可視光すなわち蛍光に変換する。
シンチレータ層5は、例えば、ヨウ化セシウム(CsI):タリウム(Tl)、ヨウ化セシウム(CsI):ナトリウム(Na)、ヨウ化ナトリウム(NaI):タリウム(Tl)などを用いて形成することができる。
シンチレータ層5は、柱状結晶の集合体となっている。
柱状結晶の集合体からなるシンチレータ層5は、例えば、真空蒸着法などを用いて形成することができる。
シンチレータ層5の厚み寸法は、例えば、600μm程度とすることができる。柱状結晶の柱(ピラー)の太さ寸法は、例えば、最表面で8μm〜12μm程度とすることができる。
また、シンチレータ層5は、例えば、酸硫化ガドリニウム(GdS)などを用いて形成することもできる。この場合、例えば、以下のようにしてシンチレータ層5を形成することができる。まず、酸硫化ガドリニウムからなる粒子をバインダ材と混合する。次に、混合された材料を、基板2a上の複数の光電変換部2bが設けられた領域を覆うように塗布する。次に、塗布された材料を焼成する。次に、ブレードダイシング法などを用いて、焼成された材料に溝部を形成する。この際、複数の光電変換部2bごとに四角柱状のシンチレータ層5が設けられるように、マトリクス状の溝部を形成することができる。溝部には、大気(空気)、あるいは酸化防止用の窒素ガスなどの不活性ガスが満たされるようにすることができる。また、溝部が真空状態となるようにしてもよい。
反射層6は、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために設けられている。すなわち、反射層6は、シンチレータ層5において生じた蛍光のうち、光電変換部2bが設けられた側とは反対側に向かう光を反射させて、光電変換部2bに向かうようにする。
反射層6は、シンチレータ層5のX線の入射側を覆っている。
反射層6は、防湿体7とシンチレータ層5との間に設けられ、シンチレータ層5において発生した蛍光を反射する。
反射層6は、例えば、酸化チタン(TiO)などの光散乱性粒子を含む樹脂をシンチレータ層5上に塗布することで形成することができる。また、反射層6は、例えば、銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる層をシンチレータ層5上に成膜することで形成することもできる。
また、反射層6は、例えば、表面が銀合金やアルミニウムなどの光反射率の高い金属からなる板を用いて形成することもできる。
なお、図2に例示をした反射層6は、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層5のX線の入射側に塗布し、これを乾燥させることで形成したものである。
この場合、反射層6の厚み寸法は、120μm程度とすることができる。
なお、反射層6は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて設けるようにすればよい。
以下においては、反射層6が設けられる場合を例示する。
防湿体7は、空気中に含まれる水蒸気により、反射層6の特性やシンチレータ層5の特性が劣化するのを抑制するために設けられている。
防湿体7は、壁体9、反射層6(シンチレータ層5)、および充填部8の上方を覆っている。この場合、防湿体7と、反射層6の表面との間に隙間があってもよいし、防湿体7と反射層6の表面が接触するようにしてもよい。
例えば、大気圧よりも減圧された環境において、防湿体7と、充填部8の表面および壁体9の上端とを接着すれば、大気圧により防湿体7と反射層6の表面とが接触する。
防湿体7は、周縁部近傍が充填部8の表面および壁体9の上端と接着されている。
防湿体7は、膜状または箔状または薄板状を呈している。
防湿体7は、透湿係数の小さい材料から形成することができる。
防湿体7は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、あるいは、樹脂膜と無機材料(アルミニウムやアルミニウム合金などの金属、SiO、SiON、Alなどのセラミック系材料)からなる膜とが積層された低透湿防湿膜(水蒸気バリアフィルム)などから形成することができる。
この場合、実効的な透湿係数がほとんどゼロであるアルミニウムやアルミニウム合金などを用いて防湿体7を形成すれば、防湿体7を透過する水蒸気をほぼ完全になくすことができる。
また、防湿体7の厚み寸法は、X線の吸収や剛性などを考慮して決定することができる。
この場合、防湿体7の厚み寸法を長くしすぎるとX線の吸収が大きくなりすぎる。防湿体7の厚み寸法を短くしすぎると剛性が低下して破損しやすくなる。
防湿体7は、例えば、厚み寸法が0.1mmのアルミニウム箔を用いて形成することができる。
充填部8は、シンチレータ層5の側面と、壁体9の内面9aとの間に設けられている。
充填部8の表面(上面)の位置は、反射層6の表面(上面)の位置と同程度とすることができる。
充填部8の表面の位置は、壁体9の上端の位置より少し低くすることができる。
充填部8の表面の位置が、壁体9の上端の位置より少し低くなるようにすれば、充填部8を形成するための材料を塗布する際に、充填部8を形成するための材料が壁体9の上端を超えてあふれ出ないようにすることができる。
充填部8は、壁体9と接着されている。
また、充填部8は、基板2aおよび保護層2fの少なくともいずれかと接着されている。
なお、図2に例示をしたものの場合には、保護層2fはシンチレータ層5が設けられる領域の外側にまで設けられていないので、充填部8は基板2aと接着されている。
また、充填部8は、接着層10により防湿体7と接着されている。
これに対して、充填部8は、シンチレータ層5と接着されていない。例えば、充填部8は、シンチレータ層5と、接触しているか、離隔しているか、一部分が離隔し他の部分が接触している。
この場合、充填部8がシンチレータ層5と接触していることには、後述する熱応力が発生したり、壁体9や防湿体7の周縁部近傍に外力が加わったりした際に、充填部8とシンチレータ層5との間で滑りが生じる程度に、充填部8がシンチレータ層5に付着している場合も含むものとする。
なお、充填部8と他の要素との接着関係に関する詳細は後述する。
充填部8は、低い透湿係数を有するものとすることができる。充填部8は、例えば、無機材料からなるフィラー材と、樹脂(例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂など)を含むものとすることができる。
この場合、充填部8がエポキシ系樹脂を含むものとすれば、充填部8のX線に対する耐性を向上させることができる。
フィラー材は、例えば、タルク(滑石:MgSi10(OH))などを含むものとすることができる。
ここで、充填部8に含ませる無機材料は、透湿量を少なくするためのものである。そのため、無機材料の濃度を余り低くしすぎると、透湿量が多くなって、解像度特性が劣化するおそれがある。
そのため、無機材料は、含有濃度を高くしても不具合が生じにくいものとすることが好ましい。
タルクは、低硬度の無機材質であり、滑り性が高い。そのため、タルクを高い濃度で含有させても、充填部8の形状変形が困難となることがない。
この場合、タルクからなるフィラー材の粒径が、数μmから数十μm程度となるようにすれば、タルクの濃度(充填密度)を高めることができる。
タルクの濃度を高めれば、樹脂のみの場合に比較して透湿係数を1ケタ程度低くすることができる。
例えば、充填部8に含まれるタルクからなるフィラー材の濃度は、50重量%以上とすることができる。
また、充填部8は、吸湿材と、樹脂(例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂など)を含むものとすることもできる。
充填部8を形成するための材料は、例えば、吸湿材である塩化カルシウムと、バインダ樹脂(例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂など)と、溶媒を混合して作成したものとすることができる。
また、エポキシ化亜麻仁油などのエポキシ化植物油をさらに加えて、可撓性を有する充填部8が形成されるようにすることができる。
可撓性を有する充填部8とすれば、熱応力や外力により、充填部8が壁体9、基板2a、防湿体7などから剥がれるのを抑制することができる。
壁体9は、枠状を呈している。壁体9は、基板2aの一方の面側に設けられ、シンチレータ層5を囲んでいる。壁体9は、平面視において、シンチレータ層5よりは外側であって、配線パッド2d1、2d2が設けられる領域よりは内側に設けられている。
壁体9は、低い透湿係数を有するものとすることができる。
壁体9は、例えば、無機材料からなるフィラー材と、樹脂(例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂など)を含む。
壁体9の材料は、充填部8の材料と同様とすることができる。
また、壁体9は、金属などからなる枠状体とすることもできる。
また、壁体9は、金属などからなる枠状の板を積層したものとすることもできる。
接着層10は、防湿体7と、充填部8の表面および壁体9の上端との間に設けられ、防湿体7の周縁近傍と、充填部8の表面および壁体9の上端とを接着している。
接着層10は、例えば、遅延硬化型接着剤、常温(自然)硬化型接着剤、および加熱硬化型接着剤のいずれかが硬化することで形成されたものとすることができる。
次に、充填部8と他の要素との接着関係についてさらに説明する。
図3は、図2における充填部8の近傍を例示するための模式断面図である。
図3に示すように、充填部8は壁体9と接着されている。例えば、充填部8は、壁体9の内面9aと接着されている。
前述したように、充填部8は、基板2aおよび保護層2fの少なくともいずれかと接着されている。なお、図3に例示をしたものの場合には、充填部8は基板2aと接着されている。
充填部8が、壁体9および基板2a(保護層2f)と接着されていれば、充填部8と壁体9の界面、充填部8と基板2a(保護層2f)の界面を介してシンチレータ層5に到達する水蒸気を低減させることができる。すなわち、防湿性能の向上を図ることができる。
また、後述する熱応力、および壁体9や防湿体7の周縁部近傍に加わった外力を、壁体9と充填部8とが協働して受け止めることができるので、温度変化や外力に対する耐性のさらなる向上を図ることができる。
これに対して、充填部8はシンチレータ層5と接着されていない。図3に例示をしたものの場合には、充填部8は、シンチレータ層5から離隔している。すなわち、充填部8とシンチレータ層5との間には隙間が設けられている。
ここで、防湿体7がアルミニウムなどの金属からなり、充填部8および壁体9が樹脂を含むものであれば、熱膨張率の差により熱応力が発生する。
充填部8とシンチレータ層5との間に隙間が設けられていれば、発生した熱応力がシンチレータ層5に伝わるのを抑制することができる。
また、充填部8とシンチレータ層5との間に隙間が設けられていれば、壁体9や防湿体7の周縁部近傍に加わった外力がシンチレータ層5に伝わるのを抑制することができる。
そのため、シンチレータ層5が基板2a(保護層2f)から剥離したり、壁体9、充填部8、シンチレータ層5、保護層2f、および反射層6などが破損したりするのを抑制することができる。
すなわち、温度変化や外力に対する耐性の向上を図ることができる。
なお、充填部8がシンチレータ層5から離隔している場合を例示したが、充填部8がシンチレータ層5と接触しているか、一部分が離隔し他の部分が接触していてもよい。
また、熱応力が発生したり、壁体9や防湿体7の周縁部近傍に外力が加わったりした際に、充填部8とシンチレータ層5との間で滑りが生じる程度に、充填部8がシンチレータ層5に付着していてもよい。
すなわち、充填部8はシンチレータ層5と接着されていなければよい。
この場合、接着と、接触または付着とは、例えば、以下の様にして判別することができる。
熱応力や外力が加わった際にシンチレータ層5が基板2a(保護層2f)から剥離したり、シンチレータ層5が破損したりした場合には、充填部8はシンチレータ層5と接着されていたと判断することができる。
これに対して、熱応力や外力が加わってもシンチレータ層5が基板2a(保護層2f)から剥離しなかったり、シンチレータ層5が破損しなかったりした場合には、充填部8はシンチレータ層5と接触または付着していたと判断することができる。
充填部8を形成するための材料は、壁体9と接着し易く、かつ、シンチレータ層5と接着し難くなるものとすることが好ましい。
例えば、壁体9がエポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含み、シンチレータ層5がヨウ化セシウム:タリウム、ヨウ化セシウム:ナトリウム、ヨウ化ナトリウム:タリウム、および酸硫化ガドリニウムなどからなる場合には、充填部8はエポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含むものとすることが好ましい。
この場合、充填部8がエポキシ系樹脂を含むものとすれば、充填部8のX線に対する耐性を向上させることができる。
また、充填部8を形成するための材料は、壁体9と接着し易く、かつシンチレータ層5と接着し難く、さらに硬化時に体積が収縮するものとすることがさらに好ましい。
この様な材料とすれば、硬化時に充填部8がシンチレータ層5から離隔しやすくなるので、充填部8とシンチレータ層5との接着を抑制したり、充填部8とシンチレータ層5との間に隙間を設けたりするのが容易となる。
この様な材料は、例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む紫外線硬化型接着剤、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む常温硬化型接着剤、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む加熱硬化型接着剤などとすることができる。
図4は、他の実施形態に係る充填部8aの近傍を例示するための模式断面図である。
図4に示すように、充填部8aは壁体9と接着されている。例えば、充填部8aは、壁体9の内面9aと接着されている。
また、前述した充填部8と同様に、充填部8aは、基板2aおよび保護層2fの少なくともいずれかと接着されている。なお、図4に例示をしたものの場合には、充填部8aは基板2aと接着されている。
充填部8aが、壁体9および基板2a(保護層2f)と接着されていれば、前述した充填部8と同様の防湿性能や外力に対する耐性を得ることができる。
また、前述した充填部8と同様に、充填部8aはシンチレータ層5と接着されていない。
充填部8aが、シンチレータ層5と接着されていななければ、前述した充填部8と同様の温度変化や外力に対する耐性を得ることができる。
充填部8aの表面8a1の位置は、壁体9の上端の位置と同じ位置か、壁体9の上端の位置よりも若干低い位置(基板2a側の位置)にある。
この様にすれば、充填部8aの表面8a1がより平坦となるようにすることができる。
充填部8aの表面8a1がより平坦となれば、接着層10と防湿体7との接着面積を増加させることができる。そのため、防湿性能の向上を図ることができる。
ここで、充填部8aの表面8a1の位置が、壁体9の上端の位置と同じ位置か、壁体9の上端の位置よりも若干低い位置となるようにすれば、充填部8aの表面8a1の位置が、反射層6の下面の位置よりも高くなる。
そのため、充填部8aは反射層6とも接着されていない。例えば、図4に例示をしたように、充填部8aは、反射層6から離隔している。すなわち、充填部8aと反射層6との間には隙間が設けられている。なお、充填部8aは、反射層6と接触していてもよいし、反射層6と付着していてもよい。
この様にすれば、熱応力や外力が反射層6に伝わるのを抑制することができる。
図5は、他の実施形態に係る充填部8bの近傍を例示するための模式断面図である。
図5に示すように、充填部8bは壁体9と接着されている。例えば、充填部8bは、壁体9の内面9aと接着されている。
充填部8bが、壁体9と接着されていれば、充填部8bと壁体9の界面を介してシンチレータ層5に到達する水蒸気を低減させることができる。すなわち、防湿性能の向上を図ることができる。
また、前述した充填部8aと同様に、充填部8bはシンチレータ層5および反射層6と接着されていない。
充填部8bが、シンチレータ層5および反射層6と接着されていなければ、前述した充填部8aと同様の温度変化や外力に対する耐性を得ることができる。
また、前述した充填部8aと同様に、充填部8bの表面8b1の位置は、壁体9の上端の位置と同じ位置か、壁体9の上端の位置よりも若干低い位置(基板2a側の位置)にある。
そのため、接着層10と防湿体7との接着面積を増加させることができるので、防湿性能の向上を図ることができる。
ここで、充填部8bは、基板2aおよび保護層2fと接着されていない。例えば、図5に例示をしたように、充填部8bは、基板2a(保護層2f)から離隔している。すなわち、充填部8bと基板2a(保護層2f)との間には隙間が設けられている。なお、充填部8bは、基板2a(保護層2f)と接触していてもよいし、基板2a(保護層2f)と付着していてもよい。
この様にすれば、熱応力や外力に対する耐性をさらに向上させることができる。
(第2の実施形態)
次に、第2の実施形態に係るX線検出器1の製造方法について例示をする。
まず、アレイ基板2を作成する。
アレイ基板2は、例えば、基板2aの上に光電変換部2b、制御ライン2c1、データライン2c2、配線パッド2d1、配線パッド2d2、および保護層2fなどを順次形成することで作成することができる。
アレイ基板2は、例えば、半導体製造プロセスを用いて作成することができる。
次に、アレイ基板2上に、複数の光電変換部2bが形成された領域を覆うようにシンチレータ層5を形成する。
シンチレータ層5は、例えば、真空蒸着法などを用いて、ヨウ化セシウム:タリウム、ヨウ化セシウム:ナトリウム、ヨウ化ナトリウム:タリウムなどからなる膜を成膜することで形成することができる。この場合、シンチレータ層5の厚み寸法は、600μm程度とすることができる。また、シンチレータ層5は、柱状結晶の集合体となる。柱状結晶の柱の太さ寸法は、最表面で8〜12μm程度とすることができる。
次に、シンチレータ層5の表面(X線の入射側の面)を覆うように反射層6を形成する。
反射層6は、例えば、酸化チタンからなるサブミクロン粉体と、バインダ樹脂と、溶媒を混合して作成した材料をシンチレータ層5上に塗布し、これを乾燥させることで形成することができる。
次に、アレイ基板2の上に、フィラー材と、樹脂とを含み、シンチレータ層5を囲む枠状の壁体9を形成する。
壁体9は、例えば、フィラー材(例えば、タルクからなるフィラー材)と、樹脂(例えば、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂など)と、溶媒を混合して作成した材料を、シンチレータ層5の周囲に塗布し、これを硬化させることで形成することができる。
なお、壁体9を形成するための材料の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。
この場合、フィラー材が添加された樹脂の塗布と、硬化とを複数回繰り返すことで、壁体9を形成することができる。
また、金属や樹脂などからなる枠状の壁体9をアレイ基板2の上に接着することもできる。
金属や樹脂などからなる板状の部材をアレイ基板2の上に接着することで壁体9を形成することもできる。
この場合、壁体9の上端の位置が、反射層6の表面の位置よりも若干高い位置となるようにすることができる。
次に、壁体9の内面9aと、シンチレータ層5の側面との間に充填部8を形成する。
充填部8は、例えば、フィラー材および吸湿材の少なくともいずれかと、樹脂と、溶媒を混合して作成した材料を、壁体9の内面9aに塗布し、これを硬化させることで形成することができる。
なお、充填部8を形成するための材料の塗布は、例えば、ディスペンサー装置などを用いて行うことができる。
この場合、充填部8を形成するための材料の塗布と、硬化とを複数回繰り返すことで、充填部8を形成することができる。
また、充填部8を形成する際に、充填部8が壁体9と接着され、かつ、充填部8がシンチレータ層5と接着されないようにする。
例えば、充填部8を形成するための材料を壁体9の内面9aに塗布する際に、充填部8を形成するための材料がシンチレータ層5に塗布されないようにする。
また、充填部8を形成するための材料は、壁体9と接着し易く、かつ、シンチレータ層5と接着し難くなるものとすることもできる。
例えば、壁体9がエポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含み、シンチレータ層5がヨウ化セシウム:タリウム、ヨウ化セシウム:ナトリウム、ヨウ化ナトリウム:タリウム、および酸硫化ガドリニウムなどからなる場合には、充填部8を形成するための材料は、エポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含むものとすることができる。
この場合、充填部8を形成するための材料がエポキシ系樹脂を含むものとすれば、充填部8のX線に対する耐性を向上させることができる。
またさらに、充填部8を形成するための材料は、壁体9と接着し易く、かつシンチレータ層5と接着し難く、さらに硬化時に体積が収縮するものとすることがさらに好ましい。 この様な材料とすれば、硬化時に充填部8がシンチレータ層5から離隔しやすくなるので、充填部8とシンチレータ層5との接着を抑制したり、充填部8とシンチレータ層5との間に隙間を設けたりするのが容易となる。
例えば、充填部8を形成するための材料は、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む紫外線硬化型接着剤、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む常温硬化型接着剤、エポキシ系樹脂やアクリル系樹脂を含む加熱硬化型接着剤などとすることができる。
次に、壁体9、反射層6(シンチレータ層5)、および充填部8の上方を覆う防湿体7の周縁部近傍を、壁体9および充填部8に接着する。
例えば、壁体9の上端および充填部8の表面に紫外線照射後に遅延して硬化が進行する遅延硬化型接着剤を塗布し、紫外線照射後に、防湿体7を載せるようにする。
遅延硬化型接着剤が硬化することで接着層10が形成され、防湿体7と、壁体9の上端および充填部8の表面とが接着される。
なお、接着剤は、常温硬化型接着剤や加熱硬化型接着剤などであってもよい。
また、大気圧よりも減圧された環境(例えば、10KPa程度)において、防湿体7の周縁部近傍を、壁体9の上端および充填部8の表面に接着することもできる。
次に、フレキシブルプリント基板2e1、2e2を介して、アレイ基板2と信号処理部3を電気的に接続する。
また、配線4aを介して、信号処理部3と画像伝送部4を電気的に接続する。
その他、回路部品などを適宜実装する。
次に、図示しない筐体の内部にアレイ基板2、信号処理部3、画像伝送部4などを格納する。
そして、必要に応じて、光電変換素子2b1の異常や電気的な接続の異常の有無を確認する電気試験、X線画像試験、高温高湿試験、冷熱サイクル試験などを行う。
以上のようにして、X線検出器1を製造することができる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
1 X線検出器、2 アレイ基板、2a 基板、2b 光電変換部、3 信号処理部、4 画像伝送部、5 シンチレータ層、6 反射層、7 防湿体、8 充填部、8a 充填部、8b 充填部、9 壁体、10 接着層

Claims (7)

  1. 基板と、前記基板の一方の面側に設けられた複数の光電変換素子と、を有するアレイ基板と、
    前記複数の光電変換素子の上に設けられ、放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
    前記基板の一方の面側に設けられ、前記シンチレータ層を囲む枠状の壁体と、
    前記壁体の内面と、前記シンチレータ層の側面と、の間に設けられ、前記壁体と接着され、前記シンチレータ層と接着されていない充填部と、
    前記壁体、前記シンチレータ層、および前記充填部の上方を覆う防湿体と、
    を備えた放射線検出器。
  2. 前記充填部は、前記基板と接着されていない請求項1記載の放射線検出器。
  3. 前記防湿体と、前記シンチレータ層と、の間に設けられ、前記蛍光を反射する反射層をさらに備え、
    前記充填部は、前記反射層と接着されていない請求項1または2に記載の放射線検出器。
  4. 前記充填部は、前記防湿体と接着されている請求項1〜3のいずれか1つに記載の放射線検出器。
  5. 複数の光電変換素子を有するアレイ基板の上に、シンチレータ層を形成する工程と、
    前記アレイ基板の上に、前記シンチレータ層を囲む枠状の壁体を形成する工程と、
    前記壁体の内面と、前記シンチレータ層の側面と、の間に、前記壁体と接着され、前記シンチレータ層と接着されていない充填部を形成する工程と、
    前記壁体、前記シンチレータ層、および前記充填部の上方を覆う防湿体の周縁部近傍を、前記壁体および前記充填部に接着する工程と、
    を備えた放射線検出器の製造方法。
  6. 前記充填部を形成する工程において、硬化時に体積が収縮する材料を用いて前記充填部を形成する請求項5記載の放射線検出器の製造方法。
  7. 前記壁体は、エポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含み、
    前記シンチレータ層は、ヨウ化セシウム:タリウム、ヨウ化セシウム:ナトリウム、ヨウ化ナトリウム:タリウム、および酸硫化ガドリニウムのいずれかを含み、
    前記充填部を形成する工程において、エポキシ系樹脂およびアクリル系樹脂の少なくともいずれかを含む材料を用いて前記充填部を形成する請求項5または6に記載の放射線検出器の製造方法。

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2018155699A (ja) * 2017-03-21 2018-10-04 コニカミノルタ株式会社 放射線検出器
CN114586110A (zh) * 2019-10-31 2022-06-03 株式会社东芝 闪烁器阵列、闪烁器阵列的制造方法、放射线检测器及放射线检查装置

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