JP2016153885A5 - 半導体装置 - Google Patents

Claims (5)

1. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに電気的に接続された第１の電極と、
   固定電位が与えられる第２の電極と、
   前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域と重なる領域を有する第４の電極を有し、
   前記第２の電極は、前記第４の電極と同じ材料を有し、
   前記第３の電極は、前記第１のトランジスタが有する酸化物半導体膜と同じ材料を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極が重なる領域に設けられた第１の容量を有し、
   前記第２の電極と前記第３の電極が重なる領域に設けられた第２の容量を有する半導体装置。
2. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極下方の第２の電極と、
   前記第２の電極下方の第３の電極と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域と重なる領域を有する第４の電極を有し、
   前記第２の電極は、前記第４の電極と同じ材料を有し、
   前記第３の電極は、前記第１のトランジスタが有する酸化物半導体膜と同じ材料を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極が重なる領域に設けられた第１の容量を有し、
   前記第２の電極と前記第３の電極が重なる領域に設けられた第２の容量を有する半導体装置。
3. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに電気的に接続された第１の電極と、
   固定電位が与えられる第２の電極と、
   前記第１の電極に電気的に接続された第３の電極と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域と重なる領域を有する第４の電極を有し、
   前記第２の電極は、前記第４の電極と同じ材料を有し、
   前記第３の電極は、低抵抗化された酸化物半導体膜を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極が重なる領域に設けられた第１の容量を有し、
   前記第２の電極と前記第３の電極が重なる領域に設けられた第２の容量を有する半導体装置。
4. 第１のトランジスタと、
   第２のトランジスタと、
   前記第１のトランジスタに電気的に接続された第１の電極と、
   前記第１の電極下方の第２の電極と、
   前記第２の電極下方の第３の電極と、を有し、
   前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域と重なる領域を有する第４の電極を有し、
   前記第２の電極は、前記第４の電極と同じ材料を有し、
   前記第３の電極は、低抵抗化された酸化物半導体膜を有し、
   前記第１の電極と前記第２の電極が重なる領域に設けられた第１の容量を有し、
   前記第２の電極と前記第３の電極が重なる領域に設けられた第２の容量を有する半導体装置。
5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
   前記第２の電極及び前記第４の電極は、透光性を有する導電性材料を有する半導体装置。