JP2016091793A - 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の課題は、フレキシブル部材で構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の側面封止技術で、狭いベゼル幅であっても、高温高湿環境下での耐久性及び折り曲げ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスとその製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、フレキシブル基板上に、少なくとも、有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有し、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に側面封止層を有し、当該側面封止層が、主成分として表面エネルギーが３０×１０−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されていることを特徴とする。【選択図】図３

Description

本発明は、有機エレクトロルミネッセンスデバイスとその製造方法に関し、詳しくは、折り曲げ耐久性に優れる有機エレクトロルミネッセンスデバイスとその製造方法に関する。

現在、薄型の発光デバイスとして、有機材料のエレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ、以下、「ＥＬ」と略記する。）を利用した有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子ともいう。）が、数Ｖ〜数十Ｖ程度の低電圧で発光が可能な薄膜型の完全固体素子であり、高輝度、高発光効率、薄型、軽量といった多くの優れた特徴を有しており、各種ディスプレイのバックライト、看板や非常灯等の表示板、照明光源等の面発光体として注目されている。

有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を含む有機機能層群を陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・リン光）を利用して発光する素子であり、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、近年では、フレキシブル基板、例えば、樹脂フィルムや薄膜ガラス等を用いることにより、フレキシビリティーを備えた有機ＥＬ素子が、その特性を生かして、広い分野で用いられている。

上記のようなフレキシブル有機ＥＬ素子は、例えば、ロールｔｏロール方式により連続的に長尺の有機ＥＬ素子積層体を作製した後、次工程で、所定のサイズに断裁して、枚葉状態で使用される場合が多い。

このようなシート状に断裁され有機ＥＬ素子では、それぞれの側面が露出した状態となるため、その側面部より、水分や酸素が侵入し、それらに対する耐性が低い発光層をはじめとする有機機能性材料を失活させることにより、側面部から発光不良領域が拡大するという問題が生じる。

上記問題に対しては、断裁により露出した側面部に、水分や酸素の侵入を防止するための封止部材を設ける方法が提案されている。

フレキシブル基板層、有機ＥＬ素子層及びフレキシブル封止層から構成され、有機ＥＬデバイスの側面部に、ポリマー（例えば、ポリビニルアルコール、ポリイミド、ポリアミド等）と無機粒子（例えば、二酸化ケイ素、酸化チタン等）を含有する側面封止層を設け、この側面封止層の線膨張係数を、フレキシブル基板とフレキシブル封止層のそれぞれの線膨張率係数の間に設定することにより、カール耐性とフレキシブル性の両立を図る方法が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。しかしながら、側面封止部を形成する有機ＥＬ素子端部のベゼル（表示部の周囲に設ける額縁部）を狭くすると、封止材料の封止性能が不十分であり、外部環境からの酸素や水分の影響を受けやすいという問題を抱えている。

また、液晶表示素子における側面封止方法として、複数の構成部材を固定するシール部の外周部に防湿部を有し、防湿部がフッ素系樹脂と多孔質二酸化珪素を含有する方法が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。しかしながら、特許文献２では、対象が液晶表示素子であり、液晶表示素子に対してはその効果として十分であっても、酸素や水分に対する感度が高く、より高い耐性が求められている有機ＥＬ素子に対する封止部材としては極めて不十分であった。加えて、フレキシブル基板を備えた表示素子に適用するには、柔軟性が不十分で、折り曲げ耐性にも問題を有していた。

また、封止層、防湿層及び非平坦構造より構成され、表示素子の液晶部の外周部に設ける封止構造が開示されている（例えば、特許文献３参照。）。しかしながら、封止構造の非平坦構造の形成が煩雑であり、生産性に劣り、かつフレキシブル基板を備えた表示素子に適用するには、柔軟性が不十分で、折り曲げ耐性にも問題を有していた。

したがって、簡易な方法で防湿性に優れた封止を行うことができ、かつフレキシブル基板を備えた表示素子に適性を有し、柔軟性に優れ、狭いベゼルを実現できる側面封止方法の開発が切望されている。

特開２０１４−０２２１５８号公報 特開２００９−０８０３９６号公報 特開２０１４−１１９７０５号公報

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、その解決課題は、フレキシブル部材で構成する有機エレクトロルミネッセンス素子の側面封止技術で、狭いベゼル幅であっても、高温高湿環境下での耐久性及び折り曲げ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスとその製造方法を提供することである。

本発明者は、上記課題に鑑み鋭意検討を進めた結果、フレキシブル基板上に、少なくとも、有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有し、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に、主成分として表面エネルギーが特定の条件以下である撥水性のポリマーにより形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスにより、狭いベゼル幅であっても、高温高湿環境下での耐久性及び折り曲げ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを得ることができることを見出し、本発明に至った。

すなわち、本発明の上記課題は、下記の手段により解決される。

１．フレキシブル基板上に、少なくとも、有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に側面封止層を有し、
前記側面封止層が、主成分として表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

２．前記側面封止層が含有する前記ポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであることを特徴とする第１項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

３．前記側面封止層の少なくとも一部が、前記フレキシブル基板に接着固定されていることを特徴とする第１項又は第２項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

４．前記フレキシブル基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を有し、前記側面封止層の少なくとも一部が、前記ガスバリアー層に接着固定されていることを特徴とする第１項から第３項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

５．前記ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であることを特徴とする第４項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。

６．フレキシブル基板上に、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板をこの順で積層して積層体を作製した後、
前記積層体の少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される側面部に、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを主成分とする側面封止層形成材料を用いて側面封止層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

７．前記側面封止層の形成に用いる前記ポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであることを特徴とする第６項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

８．前記側面封止層の少なくとも一部を、前記フレキシブル基板に接着固定することを特徴とする第６項又は第７項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

９．前記フレキシブル基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を形成し、前記側面封止層の少なくとも一部が、前記ガスバリアー層に接着固定することを特徴とする第６項から第８項までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

１０．前記ガスバリアー層を、ポリシラザンを含有する塗布液を用い、真空紫外光照射による改質処理を施して形成することを特徴とする第９項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

本発明の上記手段により、狭いベゼル幅であっても、高温高湿環境下での耐久性及び折り曲げ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスとその製造方法を提供することができる。

本発明で規定する構成により、上記問題を解決することができたのは、以下の理由によるものと推測している。

前述のように、有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法としては、生産性を考慮して、ロールｔｏロール方式で、長尺の有機エレクトロルミネッセンスを作製した後、その使用する目的に応じて、所望のサイズの枚葉形態に断裁されている。このような枚葉形態に断裁する際、端部が垂直応力を受け、有機エレクトロルミネッセンスの端部に微小なクラックや層間剥離が発生し、生じたクラックや剥離部より水分や酸素の侵入が容易になってしまう。それを抑制するには、断裁した後に、端部表面への水分の吸着と溶解、拡散等を抑える必要がある。

従来の方法として、ポリマーと無機粒子を含有する側面封止層や、蒸着ガスバリアー層を端部に形成する方法があるが、端部の形状因子により難しいこと、端部へ応力が集中した場合、そのような封止部材では、フレキシビリティーに乏しいために割れやすいこと、などから手段としての有効性が見いだせなかった。

本発明者は、上記問題を踏まえ、端部における水分の侵入を防止するためには、端部における水分の吸着と溶解とそれに伴う層内への拡散を抑制する方法が有効であることを見出した。上記特性を達成するための表面特性について、更に詳細な検討を進めた結果、側面封止層を、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下という特性を備えたポリマーにより形成することで、側面封止層表面部において、高度の撥水性や防汚性を発揮し、側面部における水分の吸着、溶解及び膜内への拡散を防止することができ、その結果、高湿高温環境下で保存した際に、優れた耐湿性を発揮することができることを見出した。更に、端部は非発光領域（ベゼル部）であるため、側面封止層を厚膜設計とすることで十分な拡散距離を得ることができ、柔軟性を備えるとともに、水分の吸着と溶解を効率的に抑制することができ、本発明に至った。

比較例の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成の一例を示す概略断面図 本発明に係る側面封止層を具備した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成の一例を示す概略断面図 本発明に係る側面封止層を具備した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成の他の一例を示す概略断面図 積層体の側面部に本発明に係る側面封止層を形成する製造方法の一例を示した概略図 積層体の側面部に本発明に係る側面封止層を形成する製造方法の他の一例を示した概略図

本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスは、フレキシブル基板上に、少なくとも、有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有し、少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に側面封止層を有し、当該側面封止層が、主成分として表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されていることを特徴とし、狭いベゼル幅であっても、高温高湿環境下での耐久性及び折り曲げ耐性に優れた有機エレクトロルミネッセンスデバイスを実現することができる。この特徴は、請求項１から請求項１０に係る発明に共通する技術的特徴である。

本発明の実施態様としては、本発明の目的とする効果をより発現できる観点から、側面封止層が含有するポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであることが、優れた撥水効果を発現することによる側面部からの水分の侵入を効果的に防止することができ、より優れた高温高湿環境下での耐久性を得ることができ、好ましい。

また、側面封止層の少なくとも一部が、前記フレキシブル基板に接着固定されていることが、より優れた封止効果を発現することができる観点から好ましい。

また、フレキシブル基板と有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を形成し、側面封止層の少なくとも一部が、ガスバリアー層に接着固定されている構成とすることにより、側面部に加え、更に、フレキシブル基板側からの酸素や水分の侵入をより効果的に防止することができる観点から、好ましい態様である。

また、ガスバリアー層が、湿式塗布方式で形成するポリシラザン改質層であることが、簡易的な装置で、緻密なガスバリアー層を形成することができる観点から好ましい。

更に、本発明の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法は、フレキシブル基板上に、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板をこの順で積層して積層体を作製した後、前記積層体の少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される側面部に、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを主成分とする側面封止層形成材料を用いて側面封止層を形成することを特徴とする。

以下、本発明とその構成要素、及び本発明を実施するための形態・態様について詳細な説明をする。なお、本発明において示す「〜」は、その前後に記載される数値を下限値及び上限値として含む意味で使用する。

《有機ＥＬ素子デバイスの基本的な構成》
本発明の有機ＥＬデバイスの基本的な構成について、図を交えて説明する。なお、各構成要素のあとの括弧内に記載の数字は、各図に記載した構成要素の符号を表す。

図１は、比較例である従来型の有機ＥＬデバイスの構成の一例を示す概略断面図である。

図１に記載の比較例である有機ＥＬデバイス（１）では、フレキシブル基板（２）上に、陽極、発光層を含む有機機能層群、陰極等から構成される有機ＥＬ素子ユニット（３）及びフレキシブル封止板（４）で構成されている積層体（Ｍ）と、有機ＥＬ素子ユニット（３）とフレキシブル封止板（４）との間に、これらを密着させるための封止用接着剤（６）により構成されている。

図１に示すような構成よりなる有機ＥＬデバイス（１）においては、有機ＥＬ素子ユニット（３）の端部に対する外部からの影響を防ぐための機能は、主には、封止用接着剤（６）が担っているが、この封止用接着剤（６）は十分な封止機能を有していないため、外界から有機ＥＬ素子ユニット（３）の端部での幅（ベゼル幅（Ｌ））を厚く設計する必要がある。その結果、有機ＥＬ素子の発光面積が縮小するという問題がある。

本発明の有機ＥＬ素子デバイスでは、上記問題を踏まえ、フレキシブル基板上に、有機ＥＬ素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有し、少なくとも有機ＥＬ素子ユニット及びフレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に側面封止層を有し、当該側面封止層が、主成分として表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されていることを特徴とする。

図２及び図３は、本発明に係る側面封止層を具備した有機エレクトロルミネッセンスデバイスの構成の一例を示す概略断面図である。

図２の（ａ）は、本発明の第１の実施態様であり、図１に示す有機ＥＬデバイス（１）に対し、有機ＥＬ素子ユニット（３）及びフレキシブル基板（４）で構成されている積層体（Ｍ）の外周部に、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されている側面封止層（５）が設けられ、有機ＥＬ素子ユニット（３）の端部、あるいは積層体の側面部から水分等の侵入を効果的に防止する効果を発揮する。

本発明に係る側面封止層（５）を構成するポリマーは、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下という特性を備えており、側面封止層（５）表面部における撥水性や防汚性に優れた特性を有しており、側面における水分の吸着、溶解及び膜内への拡散を防止することができ、高湿高温環境下で保存した際に、優れた耐湿性を発揮する。また、このような優れた防湿効果を有しているため、図２の（ａ）に示すように、ベゼル幅（Ｌ）としても狭く設計することができる。本発明においては、ベゼル幅（Ｌ）としては、２．０ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、０．１〜１．０ｍｍの範囲内であり、さらに好ましく、０．１〜０．５ｍｍの範囲内である。

本発明においては、更に、側面封止層が含有する前記ポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであること、あるいは、図２の（ａ）で示すように、側面封止層（５）の少なくとも一部、例えば、下端部が、フレキシブル基板（２）に接着固定されていることが、好ましい態様である。

これは、本発明の有機ＥＬデバイスを構成する基板及び封止板がいずれもフレキシブルな材料から形成されており、側面封止層に防湿性及び柔軟性に優れたフッ素含有ポリマーを側面部に配置することにより、折り曲げ等の応力を受けた際にも、膜面破断を生じることなく、応力緩和をスムーズに行うことができる観点から好ましい態様である。

本発明の有機ＥＬデバイスとして好ましい第２の実施態様は、図２の（ｂ）に示すように、フレキシブル基板（２）と有機ＥＬ素子ユニット（３）との間にガスバリアー層（７）を設ける構成である。このような構成とすることにより、有機ＥＬに対し影響を与える水分や有害ガスのフレキシブル基板面側からの侵入を防止することができる。

更には、必要に応じて、図２の（ｃ）で示すように、図２の（ｂ）の構成に加えて、フレキシブル封止板（４）の下面側に第２のガスバリアー層（７Ｂ）を設ける構成であってもよい。特に、有機ＥＬ素子の発光を、両面より取り出す方式の場合には、フレキシブル封止板（４）として、金属薄膜等に代えて、樹脂基板を用いる場合には、耐湿性等を向上させる観点から、第２のガスバリアー層（７Ｂ）を設ける構成であることが好ましい。

上記ガスバリアー層の形成方法としては、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、プラズマＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法等の一般的な気相成膜法や、ポリシラザンを用いて真空紫外線により改質処理を施す方法があるが、本発明においては、大型な真空設備等を必要としない後者の方法が好ましい。

また、本発明の有機ＥＬデバイスの第３の実施態様としては、図３の（ａ）〜（ｃ）に示すように、有機ＥＬデバイスの側面部の全面に側面封止層（５）を設ける構成も好ましい。

また、本発明の有機ＥＬデバイスの第４の実施態様としては、図３の（ｄ）に示すように、フレキシブル基板（２）、ガスバリアー層（７）、有機ＥＬ素子ユニット（７）、封止用接着剤層（３）及びフレキシブル封止板（４）を同一面積で構成し、その断面を所定のサイズで断裁した後、その全側面領域に側面封止層（５）を形成する方法も好ましく用いることができる。このような構成の場合には、側面封止層（５）の厚さが、ベゼル幅（Ｌ）となる。

《有機ＥＬデバイスの各構成要素》
次いで、本発明の有機ＥＬデバイスの各構成要素の詳細について説明する。

〔側面封止層〕
本発明の有機ＥＬデバイスにおいては、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に、主成分として表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されている側面封止層を有していることを特徴とする。

本発明でいう「主成分」とは、側面封止層の全質量に対し、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーの比率が７０質量％以上であることをいい、好ましくは８０質量％以上であり、より好ましくは９０質量％以上であり、特に好ましくは、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーのみ（１００質量％）の構成である。

（表面エネルギーの測定方法）
本発明でいう表面エネルギーの測定には、ＪＩＳ−Ｋ６７６８：１９９９に準拠したぬれ試薬による表面エネルギーの測定方法を適用することができる。具体的には、下記に記載の方法に従って、測定して求めることができる。

予め、平面のガラス基板上に、測定対象のポリマー薄膜を、乾燥後の厚さが５０μｍとなる条件で塗布及び乾燥し、２５℃、５５％ＲＨの環境下で、１日間調湿して、測定用プレートを作製する。

次いで、ＦＡＣＥ接触角計ＣＡ−Ｄ型（協和界面科学株式会社製）を用い、２５℃、５５％ＲＨの環境下で、測定用プレート上にエチレングリコール、ｎ−ヘキサデカン、ヨウ化メチレンを、それぞれ液滴量として３μｌ滴下し各接触角を測定し、その値とＹｏｕｎｇ−Ｆｏｗｋｅｓ式により、表面エネルギー（ｍＮ／ｍ）を算出する。

（ポリマー材料）
一般に、撥水撥油材料や防汚材料としては、フッ素系界面活性剤又はシリコン系化合物等が用いられてきたが、本発明では、主成分として、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを適応することを特徴とする。

本発明でいうポリマーとは、重量平均分子量が０．２万以上の材料であり、好ましくは１万〜５００万の範囲内であり、より好ましくは２万〜２００万の範囲内であり、特に好ましくは５万〜８０万の範囲内である。

本発明に係る側面封止層の形成に適用可能なポリマーとしては、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下であれば特に制限はなく、疎水性ポリマーや撥水性ポリマーから選択して用いることができ、例えば、ポリプロピレン系ポリマー、ポリエチレン系ポリマー、ポリビニル系ポリマー、ポリビニリデン系ポリマー、フッ素系ポリマー、シリコン系ポリマー等を挙げることができるが、本発明においては、その中でも表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素系ポリマーであることが好ましい。

本発明で適用可能なフッ素系ポリマーとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル重合体、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体、テトラフルオロエチレンとヘテロ環含有フッ素系モノマーの共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、フルオロアルキル（メタ）アクリレート重合体、フルオロアルキル（メタ）アクリレートとその他アルキル（メタ）アクリレート共重合体、フッ化ビニリデン、フッ化ビニリデンとテトラフロロエチレン共重合体、フッ化ビニリデンとパーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体等が挙げられる。

また、２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素系ポリマーは、市販品を用いることができ、例えば、フロロテクノロジー社製のフロロサーフ（登録商標）ＦＧ-３０３０３シリーズ等を挙げることができる。

本発明においては、本発明で規定する表面エネルギー条件を持たす範囲内において、フッ素系ポリマーと共に、他のポリマー等を併用することができる。

（側面封止層の形成方法）
本発明に係る側面封止層の形成方法としては、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマー、より好ましくは、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素系ポリマーを、ポリマー可溶性の溶媒に所定の濃度で溶解して、側面封止層形成用塗布液（９）を調製した後、例えば、図４に示すように所定のサイズに断裁した有機ＥＬデバイス（１）の積層体（Ｍ）の側面部の４辺を、例えば、湿式コーター（８）として、インクジェット吐出方式のヘッドを用いて、所定の領域に側面封止層形成用塗布液（９）をＡ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順に吐出及び乾燥して、図２の（ａ）に例示した実施態様１の側面封止層（５）、あるいは図２の（ｂ）に例示した実施態様２の側面封止層（５）を形成することができる。

また、実施態様３の形成方法としては、図５に示すように、所定のサイズに断裁した有機ＥＬデバイス（１）の側面部全面に対し、上記側面封止層形成用塗布液（９）を、湿式コーター（８）を用いて、Ａ→Ｂ→Ｃ→Ｄの順に塗布乾燥して、図３の（ａ）〜図３の（ｄ）に例示した実施態様３及び実施態様４の側面封止層（５）を形成する方法も適用することができる。

上記側面封止層形成用塗布液（９）の調製において、本発明に係る表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーの含有量としては、塗布液全質量に対し、１０〜７０質量％の範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは１０〜５０質量％の範囲内である。当該ポリマーの含有量が１０質量％以上であれば、高膜厚の側面封止層を効率よく形成することができる。また、当該ポリマーの含有量が７０質量％以下であれば、過度に塗布液が高粘度化することがなく、安定して均一な側面封止層を形成することができる。

上記側面封止層形成用塗布液（９）の調製に適用可能な溶媒としては、当該ポリマーの溶解能を有している溶媒であれば特に制限はないが、不燃性のフッ素系溶媒であることが好まししく、例えば、ハイドロフルオロエーテル、パーフルオロポリエーテル、パーフルオロアルカン、ハイドロフルオロポリエーテル、ハイドロフルオロカーボン等が挙げられる。更に、その他の溶媒を併用することができ、例えば、トリフルオロプロパノール、メタキシレンヘキサフロライドなどの引火性を持つフッ素系溶剤やアルコール、パラフィン系溶剤、エステル系溶剤などの有機溶剤を混合することができる。

上記側面封止層形成用塗布液（９）における溶媒の比率としては、塗布液全質量に対し、２０〜９０質量％の範囲で含有することが好ましい。

本発明に係る側面封止層の形成に用いる湿式コーター（８）としては、湿式塗布が可能なコーターであれば、制限なく用いることができ、例えば、スピンコート法、ロールコート法、フローコート法、インクジェット法、スプレーコート法、プリント法、ディップコート法、バーコート法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、リバースコート法、ダイコート法等が挙げられる。

本発明に係る側面封止層の層厚としては、所望の効果を発現できる範囲内であれば特に制限はないが、５〜３００μｍの範囲内であることが好ましく、１０〜２００μｍの範囲内であることがより好ましく、１５〜１００μｍの範囲内であることが特に好ましい、
側面封止層の層厚が５μｍ以上であれば、十分な水分等に対する封止効果を発現することができ、側面封止層によるベゼル幅の拡大を抑制し、十分な発光面積を確保することができる。また、３００μｍ以下であれば、応力を受けた際の膜面破壊(クラック等の発生)を防止することができ、上記の層厚範囲に設定することが好ましい。

〔フレキシブル基板〕
本発明でいうフレキシブル基板とは、φ（直径）５０ｍｍロールに巻き付け、一定の張力で巻取る前後で割れ等が生じることのない基板をいい、より好ましくはφ３０ｍｍロールに巻き付け可能な基板をいう。

本発明に係るフレキシブル基板は、光透過性であっても、光不透過性であってもよい。本発明に適用可能なフレキシブル基板としては、特に制限されず、例えば、樹脂基板、薄膜金属箔、薄板フレキシブルガラス等が挙げられる。

本発明に適用可能な樹脂基板としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（略称：ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（略称：ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類及びそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（略称：ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル及びポリアリレート類、アートン（商品名、ＪＳＲ社製）及びアペル（商品名、三井化学社製）等のシクロオレフィン系樹脂等Ｘを挙げることができる。

これら樹脂基板のうち、コストや入手の容易性の点では、ポリエチレンテレフタレート（略称：ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（略称：ＰＥＮ）、ポリカーボネート（略称：ＰＣ）等のフィルムが可撓性の樹脂基板として好ましく用いられる。

また、上記の樹脂基板は、未延伸フィルムでもよく、延伸フィルムでもよい。

本発明に適用可能な樹脂基板は、従来公知の一般的な製膜方法により製造することが可能である。例えば、材料となる樹脂を押出機により溶融し、環状ダイやＴダイにより押し出して急冷することにより、実質的に無定形で配向していない未延伸の樹脂基板を製造することができる。また、未延伸の樹脂基板を一軸延伸、テンター式逐次二軸延伸、テンター式同時二軸延伸、チューブラー式同時二軸延伸等の公知の方法により、樹脂基板の搬送方向（縦軸方向、ＭＤ方向）、又は樹脂基板の搬送方向と直角の方向（横軸方向、ＴＤ方向）に延伸することにより、延伸樹脂基板を製造することができる。この場合の延伸倍率は、樹脂基板の原料となる樹脂に合わせて適宜選択することできるが、縦軸方向及び横軸方向にそれぞれ２〜１０倍の範囲内であることが好ましい。

樹脂基板の厚さとしては、３〜２００μｍの範囲内にある薄膜の樹脂基板であることが好ましいが、より好ましくは１０〜１５０μｍの範囲内であり、特に好ましくは、２０〜１２０μｍの範囲内である。

また、本発明に係るフレキシブル基板として適用可能な薄板フレキシブルガラスは、湾曲できるほど薄くしたガラス板である。薄板フレキシブルガラスの厚みは、薄板フレキシブルガラスが可撓性を示す範囲で適宜設定できる。

薄板フレキシブルガラスとしては、ソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等を挙げることができる。薄板フレキシブルガラスの厚さとしては、例えば、５〜３００μｍの範囲であり、好ましくは２０〜１５０μｍの範囲である。

また、薄膜金属箔の形成材料としては、例えば、ステンレス、鉄、銅、アルミニウム、マグネシウム、ニッケル、亜鉛、クロム、チタン、モリブテン、シリコン、ゲルマニウム及びタンタルからなる群から選ばれる１種以上の金属又は合金からなるものが挙げられる。薄膜金属箔の厚さは、薄膜金属箔がフレキシビリティーを示す範囲で適宜設定することができ、例えば、１０〜１００μｍの範囲内であり、好ましくは２０〜６０μｍの範囲内である。

〔ガスバリアー層〕
本発明においては、フレキシブル基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を有し、本発明に係る側面封止層の少なくとも一部が、前記ガスバリアー層に接着固定されている形態が好ましい。

本発明においては、ガスバリアー層の形成の第１の方法としては、気相成膜法が挙げられ、更に詳しくは、物理気相成長法（ＰＶＤ法）または化学気相成長法（ＣＶＤ法）が挙げられる。

物理気相成長法（Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＰＶＤ法）は、気相中で物質の表面に物理的手法により、目的とする物質、例えば、炭素膜等の薄膜を堆積する方法であり、例えば、スパッタ法（ＤＣスパッタ法、ＲＦスパッタ法、イオンビームスパッタ法、およびマグネトロンスパッタ法等）、真空蒸着法、イオンプレーティング法などが挙げられる。

化学気相成長法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ法）は、基材上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを供給し、基材表面または気相での化学反応により膜を堆積する方法である。また、化学反応を活性化する目的で、プラズマなどを発生させる方法などがあり、熱ＣＶＤ法、触媒化学気相成長法、光ＣＶＤ法、真空プラズマＣＶＤ法、大気圧プラズマＣＶＤ法など公知のＣＶＤ方式等が挙げられる。特に限定されるものではないが、製膜速度や処理面積の観点から、真空プラズマＣＶＤ法または大気圧プラズマＣＶＤ法等のプラズマＣＶＤ法を適用することが好ましい。

例えば、ケイ素化合物を原料化合物として用い、分解ガスに酸素を用いれば、ケイ素酸化物が生成する。これはプラズマ空間内では非常に活性な荷電粒子・活性ラジカルが高密度で存在するため、プラズマ空間内では多段階の化学反応が非常に高速に促進され、プラズマ空間内に存在する元素は熱力学的に安定な化合物へと非常な短時間で変換されるためである。

本発明において適用可能な化学気相成長法（ＣＶＤ法）としては、例えば、特開２００６−３２１１２７号公報、特開２００７−５９２４４号公報、特開２０１２−１３１１９４号公報、２０１３−２８１７０号公報、特開２０１４−１４１７０７号公報、特開２０１４−１８９８９１号公報等に記載されている方法を参考にすることができる、また、スパッタ法としても、従来公知のスパッタ法を適用することができ、例えば、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、ＳｉＯ_２をターゲットとして形成する方法等を挙げることができる。

ガスバリアー層の形成の第２の方法としては、ポリシラザンを含むガスバリアー層形成用塗布液を塗布して塗膜を形成した後、真空紫外線を照射して改質処理を施してポリシラザン改質層を形成する方法（以下、ポリシラザン改質法と称す。）等が挙げられる。本発明においては、大型の真空設備等を必要としない、ポリシラザン改質法が、特に好ましい。

（ポリシラザン改質法によるガスバリアー層の形成方法）
次いで、本発明において、ガスバリアー層の好ましい形成方法であるポリシラザン改質法について、その詳細を説明する。

本発明に係るガスバリアー層は、ガスバリアー前駆体層としてポリシラザン含有層を形成した後、真空紫外線等を用いた改質処理を施して、ポリシラザン改質層を形成する。

なお、本発明に係るポリシラザン含有層においては、構成しているポリシラザンであるセラミック前駆体無機ポリマーの全てがそのままの状態でポリシラザン改質層を形成していることは無く、ポリシラザン含有層の形成段階での乾燥工程等での加熱処理、あるいは強制的なアニール処理、紫外線照射処理、あるいは真空紫外線照射処理等の改質処理により、ポリシラザンがシリカ等に改質されている。この際、ポリシラザンの全てを改質する必要はなく、少なくとも一部が改質されていれば良い。

〈ポリシラザンの構成材料〉
本発明に係る「ポリシラザン」とは、ケイ素−窒素結合を持つポリマーで、Ｓｉ−Ｎ、Ｓｉ−Ｈ、Ｎ−Ｈ等からなるＳｉＯ_２、Ｓｉ_３Ｎ_４及び両方の中間固溶体ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ等のセラミック前駆体無機ポリマーである。

ポリシラザンとしては、薄膜の樹脂基板の形状や平面性を損なわないように塗布するために、比較的低温でセラミック化してシリカに変性する化合物が好ましく、例えば、特開平８−１１２８７９号公報に記載の下記一般式（Ｉ）で表される単位からなる主骨格を有する化合物が好ましい。

上記一般式（Ｉ）において、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルケニル基、シクロアルキル基、アリール基、アルキルシリル基、アルキルアミノ基又はアルコキシ基等を表す。

本発明においては、更に、得られるポリシラザン含有層の緻密性の観点からは、Ｒ_１、Ｒ_２及びＲ_３の全てが水素原子であるパーヒドロポリシラザン（略称：ＰＨＰＳ）が特に好ましい。

また、そのＳｉと結合する水素原子部分の一部がアルキル基等で置換されたオルガノポリシラザンは、メチル基等のアルキル基を有することにより、下地であるフレキシブル基板と、ポリシラザン含有層との接着性が改善され、かつ硬くてもろいポリシラザンによるセラミック膜に靭性を持たせることができ、より膜厚（平均膜厚）を厚くした場合でもクラックの発生が抑えられる利点がある。そこで用途に応じて適宜、パーヒドロポリシラザンとオルガノポリシラザンを選択してよく、混合して使用することもできる。

パーヒドロポリシラザンは、直鎖構造と、６及び８員環を中心とする環構造が存在した構造と推定されている。その分子量は、数平均分子量（Ｍｎ）で約６００〜２０００程度（ポリスチレン換算）で、液体又は固体の物質があり、その状態は分子量により異なる。これらは有機溶媒に溶解した溶液状態で市販されており、市販品をそのままポリシラザン含有塗布液として使用することができる。

低温でセラミック化するポリシラザン化合物の他の例としては、上記一般式（Ｉ）で表される単位からなる主骨格を有するポリシラザンに、ケイ素アルコキシドを反応させて得られるケイ素アルコキシド付加ポリシラザン（例えば、特開平５−２３８８２７号公報参照。）、グリシドールを反応させて得られるグリシドール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−１２２８５２号公報参照。）、アルコールを反応させて得られるアルコール付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２４０２０８号公報参照。）、金属カルボン酸塩を反応させて得られる金属カルボン酸塩付加ポリシラザン（例えば、特開平６−２９９１１８号公報参照。）、金属を含むアセチルアセトナート錯体を反応させて得られるアセチルアセトナート錯体付加ポリシラザン（例えば、特開平６−３０６３２９号公報参照。）、金属微粒子を添加して得られる金属微粒子添加ポリシラザン（例えば、特開平７−１９６９８６号公報参照。）等が挙げられる。

ポリシラザンを含有するポリシラザン含有層形成用塗布液を調製する有機溶媒としては、ポリシラザンと容易に反応するようなアルコール系有機溶媒や水分を含有する有機溶媒の使用は避けることが好ましい。したがって、具体的には、脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素、芳香族炭化水素等の炭化水素溶媒、ハロゲン化炭化水素溶媒や、脂肪族エーテル、脂環式エーテル等のエーテル類が使用できる。詳しくは、ペンタン、ヘキサン、シクロヘキサン、トルエン、キシレン、ソルベッソ、ターベン等の炭化水素類、塩化メチレン、トリクロロエタン等のハロゲン炭化水素類、ジブチルエーテル、ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等がある。これらの有機溶媒は、ポリシラザンの溶解度や有機溶媒の蒸発速度等の特性にあわせて選択し、複数の有機溶媒を混合してもよい。

ポリシラザンを含有するポリシラザン含有層形成用塗布液中におけるポリシラザン濃度は、目的とするポリシラザン含有層の膜厚や塗布液のポットライフによっても異なるが、０．２〜３５質量％の範囲内であることが好ましい。

ポリシラザンを含有するポリシラザン含有層形成用塗布液には、酸化ケイ素化合物への改質を促進するため、アミンや金属の触媒を添加することもできる。具体的には、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）製のアクアミカ ＮＡＸ１２０−２０、ＮＮ１１０、ＮＮ３１０、ＮＮ３２０、ＮＬ１１０Ａ、ＮＬ１２０Ａ、ＮＬ１５０Ａ、ＮＰ１１０、ＮＰ１４０、ＳＰ１４０等が挙げられる。

〈ポリシラザン含有層の形成〉
ポリシラザン含有層の形成は、上記のような構成のポリシラザン含有層形成用塗布液を用い、ウェットプロセスにより成膜する方法が好ましい。例えば、スピンコート法、キャスト法、ダイコート法、ブレードコート法、ロールコート法、インクジェット法、印刷法、スプレーコート法、カーテンコート法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット（Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法））等を挙げることができる。

本発明において、ポリシラザン含有層の層厚は、目的に応じて適切に設定することができる。例えば、乾燥後の厚さとしては、１ｎｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、さらに好ましくは１０ｎｍ〜１０μｍの範囲内であり、最も好ましくは１０ｎｍ〜１μｍの範囲内である。

〈ポリシラザン含有層の改質処理〉
本発明においては、ポリシラザン含有層に対し改質処理を施してポリシラザン改質層とする。

改質処理は、ポリシラザン含有層を構成するポリシラザンに対して行われ、これにより、ポリシラザン含有層中に含有されるポリシラザンの一部又は全部がポリシラザン改質体に改質される。

具体的な改質処理としては、ポリシラザンの転化反応に基づく公知の方法を選ぶことができる。シラザンの置換反応による酸化ケイ素膜又は酸窒化ケイ素膜への改質には、４５０℃以上の加熱処理が必要であり、本発明に適用する薄膜の樹脂基板においては適用が難しい。本発明に係る薄膜の樹脂基板へ適用するためには、低温で転化反応を進行させることが可能なプラズマ処理やオゾン処理、紫外線照射処理、真空紫外線照射処理等の方法を用いることができる。

なお、ポリシラザン含有層に対して改質処理を行う場合には、当該改質処理の前に、上述のように水分が除去されていることが好ましい。

本発明に適用可能な改質処理としては、上記紫外線照射、真空紫外線照射、プラズマ照射が望ましく、特に、ポリシラザンの改質効果の点で真空紫外線照射が好ましい。

以下、代表的な改質方法として、紫外線照射処理及び真空紫外線照射処理について説明する。

〈紫外線照射処理〉
以下、改質処理の一つの方法である紫外線照射処理について説明する。

紫外線（紫外光と同義）によって生成されるオゾンや活性酸素原子は高い酸化能力を有しており、低温で高い緻密性と絶縁性を有する酸化ケイ素又は酸窒化ケイ素を形成することが可能である。

本発明では、常用されているいずれの紫外線発生装置でも使用することが可能である。

なお、本発明でいう「紫外線」とは、一般には、１０〜４００ｎｍの領域に波長を有する電磁波をいうが、後述する真空紫外線（波長として１０〜２００ｎｍの範囲内）処理と適用する波長範囲を区分するため、紫外線照射処理の場合は、好ましくは波長が２１０〜３５０ｎｍの範囲内にある紫外線を用いる。

紫外線の照射条件は、照射されるポリシラザン含有層を担持している薄膜の樹脂基板がダメージを受けない範囲に、照射強度や照射時間を設定する。

このような紫外線の発生光源としては、例えば、メタルハライドランプ、高圧水銀ランプ、低圧水銀ランプ、キセノンアークランプ、カーボンアークランプ、エキシマランプ（２２２ｎｍ、３０８ｎｍの単一波長、例えば、ウシオ電機（株）製）、ＵＶ光レーザー等が挙げられ、特に限定されるものではない。また、発生させた紫外線を、塗布層に照射する際には、均一な照射を達成して効率を向上させるため、発生源からの紫外線を反射板で反射させてから塗布層に当てることが望ましい。

紫外線照射は、バッチ処理にも連続処理にも適合可能であり、フレキシブル基板の形状によって適宜選定することができる。

〈真空紫外線照射処理；エキシマ照射処理〉
本発明において、更に好ましい改質処理方法は、真空紫外線照射による処理方法である。

真空紫外線照射による処理方法では、ポリシラザン化合物を構成する原子間結合力より大きい１００〜２００ｎｍの光エネルギー、好ましくは１００〜１８０ｎｍの波長の光のエネルギーを用い、原子の結合を光量子プロセスと呼ばれる光子のみによる作用で、直接切断しながら活性酸素やオゾンによる酸化反応を進行させることで、比較的低温環境下で、酸化ケイ素膜等の形成を行う方法である。

これに必要な真空紫外光源としては、希ガスエキシマランプが好ましく用いられる。

なお、真空紫外線照射処理（エキシマ照射処理）の詳細な内容及び具体的な条件としては、特に制限はないが、例えば、特開２０１１−０３１６１０号公報の段落番号〔００７９〕〜同〔００９１〕に記載されている内容、あるいは特開２０１２−０１６８５４号公報の段落番号〔００８６〕〜同〔００９８〕に記載されている内容を参照することができる。

〔有機ＥＬ素子ユニット〕
次いで、上記作製したフレキシブル基板（２）上、あるいはフレキシブル基板（２）／ガスバリアー層（７）上に形成する有機ＥＬ素子ユニット（３）の詳細について説明する。

本発明に係る有機ＥＬ素子ユニット（３）の構成は、フレキシブル基板（２）、あるいはフレキシブル基板（２）／ガスバリアー層（７）上に、様々な層構成を適用することが可能で、例えば、下記（ｉ）〜（ｖ）に記載する構成される層構造を有していてもよい。また、下記の発光層は、青色発光層、緑色発光層および赤色発光層からなるものが好ましい。

（ｉ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ii）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（iii）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極
（iv）陽極／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極 （ｖ）陽極／陽極バッファー層／正孔輸送層／発光層／正孔阻止層／電子輸送層／陰極バッファー層／陰極
次いで、有機ＥＬ素子ユニットの各構成要素について説明する。

（陽極：第１電極）
第１電極は、フレキシブル基板の一方の面側に備えられている場合、陽極として機能する透明電極となる。

第１電極（透明電極）を構成する材料としては、Ａｇ、Ａｕ等の金属又は金属を主成分とする合金、ＣｕＩ、あるいはインジウム−スズの複合酸化物（ＩＴＯ）、ＳｎＯ_２及びＺｎＯ等の金属酸化物を挙げることができるが、本発明の目的効果、特に、電荷注入層との屈折率の差を所望の条件に制御することができる観点からは、金属又は金属を主成分とする合金であることが好ましく、更に好ましくは、銀又は銀を主成分とする合金である。

第１電極として透明電極を構成する銀の純度は、９９％以上であることが好ましい。また、銀の安定性を確保するためにパラジウム（Ｐｄ）、銅（Ｃｕ）及び金（Ａｕ）等が添加されていてもよい。

また、透明電極が銀を主成分とする合金から構成される場合には、銀の含有率が５０％以上であることが好ましい。このような合金の一例として、銀マグネシウム（ＡｇＭｇ）、銀−銅（Ａｇ−Ｃｕ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−パラジウム−銅（Ａｇ−Ｐｄ−Ｃｕ）、銀−インジウム（Ａｇ−Ｉｎ）、銀−金（Ａｇ−Ａｕ）、銀−アルミ（Ａｇ−Ａｌ）、銀−亜鉛（Ａｇ−Ｚｎ）、銀−錫（Ａｇ−Ｓｎ）、銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）、銀−チタン（Ａｇ−Ｔｉ）及び銀−ビスマス（Ａｇ−Ｂｉ）等が挙げられる。

このような透明電極の成膜方法としては、塗布法、インクジェット法、コーティング法、ディップ法などのウェットプロセスを用いる方法や、蒸着法（抵抗加熱、ＥＢ法など）、スパッタリング法、ＣＶＤ法などのドライプロセスを用いる方法などが挙げられる。なかでも蒸着法が好ましく適用される。また、透明電極と、透明基材との間に下地層として、窒素原子を含有する層を成膜しても良い。また、銀又は銀を主成分とする合金から構成される透明電極は、アニール処理等がなくても十分に導電性を有することを特徴とするが、必要に応じて、成膜後に高温アニール処理等を行ってもよい。

（中間電極）
有機ＥＬ素子ユニットにおいては、第１電極と第２電極との間に、有機機能層群を二つ以上積層した構造を有し、二つ以上の有機機能層ユニット間を、電気的接続を得るための独立した接続端子を有する中間電極層ユニットで分離した構造をとることができる。

次いで、発光層を含む有機機能層群の構成について説明する。

（電荷注入層）
本発明に係る有機ＥＬ素子ユニットにおいて、電荷注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、電極と発光層の間に設けられる層のことで、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）にその詳細が記載されており、正孔注入層と電子注入層とがある。

電荷注入層としては、一般には、正孔注入層であれば、透明陽極と発光層又は正孔輸送層との間、電子注入層であれば陰極と発光層又は電子輸送層との間に存在させることができる。

本発明において、正孔注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、本発明に係る透明陽極に隣接して配置される層であることが好ましく、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。

正孔注入層は、特開平９−４５４７９号公報、同９−２６００６２号公報、同８−２８８０６９号公報等にもその詳細が記載されており、正孔注入層に用いられる材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、フタロシアニン誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、トリアリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、インドロカルバゾール誘導体、イソインドール誘導体、アントラセンやナフタレン等のアセン系誘導体、フルオレン誘導体、フルオレノン誘導体、及びポリビニルカルバゾール、芳香族アミンを主鎖又は側鎖に導入した高分子材料又はオリゴマー、ポリシラン、導電性ポリマー又はオリゴマー（例えば、ＰＥＤＯＴ（ポリエチレンジオキシチオフェン）：ＰＳＳ（ポリスチレンスルホン酸）、アニリン系共重合体、ポリアニリン、ポリチオフェン等）等が挙げられる。

トリアリールアミン誘導体としては、α−ＮＰＤ（４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル）に代表されるベンジジン型や、ＭＴＤＡＴＡ（４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン）に代表されるスターバースト型、トリアリールアミン連結コア部にフルオレンやアントラセンを有する化合物等が挙げられる。

また、特表２００３−５１９４３２号公報や特開２００６−１３５１４５号公報等に記載されているようなヘキサアザトリフェニレン誘導体も同様に正孔輸送材料として用いることができる。

電子注入層は、駆動電圧低下や発光輝度向上のために、陰極と発光層との間に設けられる層のことであり、陰極が本発明に係る透明電極で構成されている場合には、当該透明電極に隣接して設けられ、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の第２編第２章「電極材料」（１２３〜１６６頁）に詳細に記載されている。

電子注入層は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、電子注入層に好ましく用いられる材料の具体例としては、ストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属、フッ化リチウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム等に代表されるアルカリ金属化合物、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等に代表されるアルカリ金属ハライド層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物層、酸化モリブデン、酸化アルミニウム等に代表される金属酸化物、リチウム８−ヒドロキシキノレート（Ｌｉｑ）等に代表される金属錯体等が挙げられる。また、本発明における透明電極が陰極の場合は、金属錯体等の有機材料が特に好適に用いられる。電子注入層はごく薄い膜であることが望ましく、構成材料にもよるが、その層厚は１ｎｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。

本発明においては、透明電極との屈折率の差（絶対値）の平均値Δｎを、０．５〜２．０の範囲内とするため、適用する透明電極の金属又は金属を主成分とする合金の有する屈折率との関係で適宜、上記条件を満たす電荷注入層の材料を選択する。

（発光層）
本発明に係る有機ＥＬ素子ユニットにおいて、有機機能層群を構成する発光層は、発光材料としてリン光発光化合物が含有されている構成が好ましい。

この発光層は、電極又は電子輸送層から注入された電子と、正孔輸送層から注入された正孔とが再結合して発光する層であり、発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接する層との界面であってもよい。

このような発光層としては、含まれる発光材料が発光要件を満たしていれば、その構成には特に制限はない。また、同一の発光スペクトルや発光極大波長を有する層が複数層あってもよい。この場合、各発光層間には非発光性の中間層を有していることが好ましい。

発光層の厚さの総和は、１〜１００ｎｍの範囲内にあることが好ましく、より低い駆動電圧を得ることができることから１〜３０ｎｍの範囲内がさらに好ましい。なお、発光層の厚さの総和とは、発光層間に非発光性の中間層が存在する場合には、当該中間層も含む厚さである。

以上のような発光層は、後述する発光材料やホスト化合物を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、ＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）及びインクジェット法等の公知の方法により形成することができる。

また発光層は、複数の発光材料を混合してもよく、リン光発光材料と蛍光発光材料（蛍光ドーパント、蛍光性化合物ともいう）とを同一発光層中に混合して用いてもよい。発光層の構成としては、ホスト化合物（発光ホスト等ともいう）及び発光材料（発光ドーパント化合物ともいう。）を含有し、発光材料より発光させることが好ましい。

〈ホスト化合物〉
発光層に含有されるホスト化合物としては、室温（２５℃）におけるリン光発光のリン光量子収率が０．１未満の化合物が好ましい。さらにリン光量子収率が０．０１未満であることが好ましい。また、発光層に含有される化合物の中で、その層中での体積比が５０％以上であることが好ましい。

ホスト化合物としては、公知のホスト化合物を単独で用いてもよく、あるいは、複数種のホスト化合物を用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機電界発光素子を高効率化することができる。また、後述する発光材料を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。

発光層に用いられるホスト化合物としては、従来公知の低分子化合物でも、繰り返し単位をもつ高分子化合物でもよく、ビニル基やエポキシ基のような重合性基を有する低分子化合物（蒸着重合性発光ホスト）でもよい。

本発明に適用可能なホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報、米国特許出願公開第２００３／０１７５５５３号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２８０９６５号明細書、米国特許出願公開第２００５／０１１２４０７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００１７３３０号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３０２０２号明細書、米国特許出願公開第２００５／２３８９１９号明細書、国際公開第２００１／０３９２３４号、国際公開第２００９／０２１１２６号、国際公開第２００８／０５６７４６号、国際公開第２００４／０９３２０７号、国際公開第２００５／０８９０２５号、国際公開第２００７／０６３７９６号、国際公開第２００７／０６３７５４号、国際公開第２００４／１０７８２２号、国際公開第２００５／０３０９００号、国際公開第２００６／１１４９６６号、国際公開第２００９／０８６０２８号、国際公開第２００９／００３８９８号、国際公開第２０１２／０２３９４７号、特開２００８−０７４９３９号公報、特開２００７−２５４２９７号公報、ＥＰ第２０３４５３８号明細書等に記載されている化合物を挙げることができる。

〈発光材料〉
本発明で用いることのできる発光材料としては、リン光発光性化合物（リン光性化合物、リン光発光材料又はリン光発光ドーパントともいう。）及び蛍光発光性化合物（蛍光性化合物又は蛍光発光材料ともいう。）が挙げられる。

〈リン光発光性化合物〉
リン光発光性化合物とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、具体的には室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が２５℃において０．０１以上の化合物であると定義されるが、好ましいリン光量子収率は０．１以上である。

上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は、種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明においてリン光発光性化合物を用いる場合、任意の溶媒のいずれかにおいて、上記リン光量子収率として０．０１以上が達成されればよい。

リン光発光性化合物は、一般的な有機ＥＬ素子の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができるが、好ましくは元素の周期表で８〜１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、白金化合物（白金錯体系化合物）又は希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。

本発明においては、少なくとも一つの発光層が、二種以上のリン光発光性化合物が含有されていてもよく、発光層におけるリン光発光性化合物の濃度比が発光層の厚さ方向で変化している態様であってもよい。

本発明に使用できる公知のリン光発光性化合物の具体例としては、以下の文献に記載されている化合物等が挙げられる。

Ｎａｔｕｒｅ ３９５，１５１ （１９９８）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７８， １６２２ （２００１）、Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ． １９， ７３９ （２００７）、Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ． １７， ３５３２ （２００５）、Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ． １７， １０５９ （２００５）、国際公開第２００９／１００９９１号、国際公開第２００８／１０１８４２号、国際公開第２００３／０４０２５７号、米国特許出願公開第２００６／８３５４６９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２０２１９４号明細書、米国特許出願公開第２００７／００８７３２１号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２４４６７３号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。

また、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ４０， １７０４ （２００１）、Ｃｈｅｍ．
Ｍａｔｅｒ． １６， ２４８０ （２００４）、Ａｄｖ． Ｍａｔｅｒ． １６， ２００３ （２００４）、Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． ｌｎｔ． Ｅｄ． ２００６， ４５， ７８００、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ８６， １５３５０５ （２００５）、Ｃｈｅｍ． Ｌｅｔｔ． ３４， ５９２ （２００５）、Ｃｈｅｍ． Ｃｏｍｍｕｎ． ２９０６ （２００５）、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ４２， １２４８ （２００３）、国際公開第２００９／０５０２９０号、国際公開第２００２／０１５６４５号、国際公開第２００９／０００６７３号、米国特許出願公開第２００２／００３４６５６号明細書、米国特許第７３３２２３２号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１０８７３７号明細書、米国特許出願公開第２００９／００３９７７６号、米国特許第６９２１９１５号、米国特許第６６８７２６６号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００６／０００８６７０号明細書、米国特許出願公開第２００９／０１６５８４６号明細書、米国特許出願公開第２００８／００１５３５５号明細書、米国特許第７２５０２２６号明細書、米国特許第７３９６５９８号明細書、米国特許出願公開第２００６／０２６３６３５号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１３８６５７号明細書、米国特許出願公開第２００３／０１５２８０２号明細書、米国特許第７０９０９２８号明細書等に記載の化合物を挙げることができる。

また、Ａｎｇｅｗ． Ｃｈｅｍ． ｌｎｔ． Ｅｄ． ４７， １ （２００８）、Ｃｈｅｍ． Ｍａｔｅｒ． １８， ５１１９ （２００６）、Ｉｎｏｒｇ． Ｃｈｅｍ． ４６， ４３０８ （２００７）、Ｏｒｇａｎｏｍｅｔａｌｌｉｃｓ ２３， ３７４５ （２００４）、Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． ７４， １３６１ （１９９９）、国際公開第２００２／００２７１４号、国際公開第２００６／００９０２４号、国際公開第２００６／０５６４１８号、国際公開第２００５／０１９３７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００５／１２３８７３号、国際公開第２００７／００４３８０号、国際公開第２００６／０８２７４２号、米国特許出願公開第２００６／０２５１９２３号明細書、米国特許出願公開第２００５／０２６０４４１号明細書、米国特許第７３９３５９９号明細書、米国特許第７５３４５０５号明細書、米国特許第７４４５８５５号明細書、米国特許出願公開第２００７／０１９０３５９号明細書、米国特許出願公開第２００８／０２９７０３３号明細書、米国特許第７３３８７２２号明細書、米国特許出願公開第２００２／０１３４９８４号明細書、米国特許第７２７９７０４号明細書、米国特許出願公開第２００６／０９８１２０号明細書、米国特許出願公開第２００６／１０３８７４号明細書等に記載の化合物も挙げることができる。

さらには、国際公開第２００５／０７６３８０号、国際公開第２０１０／０３２６６３号、国際公開第２００８／１４０１１５号、国際公開第２００７／０５２４３１号、国際公開第２０１１／１３４０１３号、国際公開第２０１１／１５７３３９号、国際公開第２０１０／０８６０８９号、国際公開第２００９／１１３６４６号、国際公開第２０１２／０２０３２７号、国際公開第２０１１／０５１４０４号、国際公開第２０１１／００４６３９号、国際公開第２０１１／０７３１４９号、特開２０１２−０６９７３７号公報、特開２００９−１１４０８６号公報、特開２００３−８１９８８号公報、特開２００２−３０２６７１号公報、特開２００２−３６３５５２号公報等である。

本発明においては、好ましいリン光発光性化合物としてはＩｒを中心金属に有する有機金属錯体が挙げられる。さらに好ましくは、金属−炭素結合、金属−窒素結合、金属−酸素結合、金属−硫黄結合の少なくとも１つの配位様式を含む錯体が好ましい。

上記説明したリン光発光性化合物（リン光発光性金属錯体ともいう）は、例えば、Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｅｔｔｅｒ誌、ｖｏｌ３、Ｎｏ．１６、２５７９〜２５８１頁（２００１）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第３０巻、第８号、１６８５〜１６８７頁（１９９１年）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１２３巻、４３０４頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４０巻、第７号、１７０４〜１７１１頁（２００１年）、Ｉｎｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４１巻、第１２号、３０５５〜３０６６頁（２００２年）、Ｎｅｗ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ．，第２６巻、１１７１頁（２００２年）、Ｅｕｒｏｐｅａｎ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ，第４巻、６９５〜７０９頁（２００４年）、さらにこれらの文献中の参考文献等に記載されている方法を適用することにより合成できる。

〈蛍光発光性化合物〉
蛍光発光性化合物としては、クマリン系色素、ピラン系色素、シアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、オキソベンツアントラセン系色素、フルオレセイン系色素、ローダミン系色素、ピリリウム系色素、ペリレン系色素、スチルベン系色素、ポリチオフェン系色素又は希土類錯体系蛍光体等が挙げられる。

（正孔輸送層）
正孔輸送層とは正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層及び電子阻止層も正孔輸送層の機能を有する。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。

正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、導電性高分子オリゴマー及びチオフェンオリゴマー等が挙げられる。

正孔輸送材料としては、上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物を用いることができ、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。

芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル、１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン、ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン、ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン、Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル、４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル、Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン、４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン、３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン及びＮ−フェニルカルバゾール等が挙げられる。

正孔輸送層は、上記正孔輸送材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法（ラングミュア・ブロジェット、Ｌａｎｇｍｕｉｒ Ｂｌｏｄｇｅｔｔ法）等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。正孔輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲である。この正孔輸送層は、上記材料の一種又は二種以上からなる一層構造であってもよい。

また、正孔輸送層の材料に不純物をドープすることにより、ｐ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報及びＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。

このように、正孔輸送層のｐ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。

（電子輸送層）
電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料から構成され、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も電子輸送層に含まれる。電子輸送層は、単層構造又は複数層の積層構造として設けることができる。

単層構造の電子輸送層及び積層構造の電子輸送層において、発光層に隣接する層部分を構成する電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）としては、カソードより注入された電子を発光層に伝達する機能を有していれば良い。このような材料としては、従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した高分子材料又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。

また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（略称：Ｚｎｑ）等及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。

電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法及びＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することで形成することができる。電子輸送層の層厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲内である。電子輸送層は上記材料の一種又は二種以上からなる単一構造であってもよい。

（阻止層）
阻止層としては、正孔阻止層及び電子阻止層が挙げられ、上記説明した有機機能層ユニット３の各構成層の他に、必要に応じて設けられる層である。例えば、特開平１１−２０４２５８号公報、同１１−２０４３５９号公報、及び「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」の２３７頁等に記載されている正孔阻止（ホールブロック）層等を挙げることができる。

正孔阻止層とは、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、電子輸送層の構成を必要に応じて、正孔阻止層として用いることができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。

一方、電子阻止層とは、広い意味では、正孔輸送層の機能を有する。電子阻止層は、正孔を輸送する機能を有しつつ、電子を輸送する能力が著しく小さい材料からなり、正孔を輸送しつつ電子を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。また、正孔輸送層の構成を必要に応じて電子阻止層として用いることができる。本発明に適用する正孔阻止層の層厚としては、好ましくは３〜１００ｎｍの範囲であり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍの範囲である。

（陰極）
陰極は、有機機能層ユニットに正孔を供給するために機能する電極膜であり、金属、合金、有機又は無機の導電性化合物若しくはこれらの混合物が用いられる。具体的には、金、アルミニウム、銀、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属、ＩＴＯ、ＺｎＯ、ＴｉＯ_２及びＳｎＯ_２等の酸化物半導体などが挙げられる。

陰極は、これらの導電性材料を用い、蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させて作製することができる。また、陰極としてのシート抵抗は、数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常５ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。

なお、有機ＥＬ素子が、陰極側からも発光光を取り出す、両面発光型の場合には、光透過性の良好な陰極を選択して構成すればよい。

〔封止部材〕
本発明の有機ＥＬデバイスでは、陰極、及び陰極と透明陽極との間に形成される有機機能層ユニットを外気から遮断するため、フレキシブル封止板による封止構成とすることを特徴とする。

具体的には、図２及び図３で例示したように、本発明に適用する封止手段としては、側面封止層（５）の形成に加えて、封止材料として、有機ＥＬ素子ユニット（３）を、封止用接着剤層（６）及びフレキシブル封止板（４）による封止構造を形成して接着する方法を挙げることができる。

フレキシブル封止板としては、有機ＥＬ素子ユニットの表示領域を覆うように配置されておればよく、凹板状でも平板状でもよい。また、透明性、電気絶縁性は特に問わない。

また、本発明に係るフレキシブル封止板（４）においては、図２の（ｃ）あるいは図３の（ｃ）で示すように、封止用接着剤層（６）に接する面側に、第２のガスバリアー層（７Ｂ）を有する構成であってもよい、ガスバリアー層の形成方法は、前記フレキシブル基板上にガスバリアー層（７、７Ａ）を形成する方法と同様の方法を用いることができる。

封止に用いる封止材料としては、具体的には、フレキシブル性を備えたガラス板、樹脂基板、薄膜金属箔、あるいは金属箔をラミネートした金属複合樹脂フィルム、例えば、アルペット（アルミニウム箔／ポリエチレンテレフタレートフィルム）等が挙げられる。具体的には、前記フレキシブル基板で例示した各材料を、同様に用いることができる。

本発明においては、有機ＥＬ素子を薄膜化できるということから樹脂基板、薄膜金属箔、金属複合樹脂フィルムを好ましく使用することができる。更には、樹脂基板は、ＪＩＳ Ｋ ７１２６−１９８７に準拠した方法で測定された酸素透過度が１×１０^−３ｍｌ／（ｍ^２・２４ｈ・ａｔｍ）以下、ＪＩＳ Ｋ ７１２９−１９９２に準拠した方法で測定された水蒸気透過度（２５±０．５℃、相対湿度（９０±２）％ＲＨ）が１×１０^−３ｇ／（ｍ^２・２４ｈ）以下のものであることが好ましい。

封止部材を凹状に加工するのは、サンドブラスト加工、化学エッチング加工等が使われる。

封止用接着剤層（６）を形成する接着剤の具体例としては、アクリル酸系オリゴマー、メタクリル酸系オリゴマーの反応性ビニル基を有する光硬化及び熱硬化型接着剤、２−シアノアクリル酸エステル等の湿気硬化型等の接着剤を挙げることができる。また、エポキシ系等の熱及び化学硬化型（二液混合）を挙げることができる。また、ホットメルト型のポリアミド、ポリエステル、ポリオレフィンを挙げることができる。また、カチオン硬化タイプの紫外線硬化型エポキシ樹脂接着剤を挙げることができる。

尚、有機ＥＬ素子ユニットは熱処理により劣化する場合があるので、室温から８０℃までの温度範囲で接着硬化できるものが好ましい。また、前記接着剤中に乾燥剤を分散させておいてもよい。

封止材料への接着剤の塗布は市販のディスペンサーを使ってもよいし、スクリーン印刷のように印刷してもよい。

《有機ＥＬデバイスの製造方法》
本発明の有機ＥＬデバイスの製造方法は、フレキシブル基板上に、少なくとも有機ＥＬ素子ユニット及びフレキシブル封止板をこの順で積層して積層体を作製した後、当該積層体の少なくとも有機ＥＬ素子ユニット及びフレキシブル封止板で構成される側面部に、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを主成分とする側面封止層形成材料を用いて側面封止層を形成することを特徴とする。

更に好ましい態様としては、フレキシブル基板と有機ＥＬ素子ユニットとの間にガスバリアー層を形成し、前記側面封止層の少なくとも一部が、ガスバリアー層に接着固定されている構成とすること、更には、ガスバリアー層が、ポリシラザンを含有する塗布液を用い、真空紫外光照射による改質処理を施して形成することである。

以下、図２の（ｃ）で例示した構成の有機ＥＬデバイス（１）の製造プロセスについて、順次説明する。

（１）フレキシブル基板（２）上に、ポリシラザン改質法によりガスバリアー層（７）を形成する。

（２）マスク部材を用いて、所定の発光面積を有する有機ＥＬ素子ユニット（３）を形成する。

（３）有機ＥＬ素子ユニット（３）上及びその周辺部に、封止用接着剤を付与して封止用接着剤層（６）を形成する。

（４）封止用接着剤層（６）上に、フレキシブル封止板（４）を付与して、有機ＥＬデバイス（１）を作製する。

（５）作製した有機ＥＬデバイス（１）の４辺を、最終的なベゼル幅がＬ（ｍｍ）となる条件で、断裁する。この状態で、端部から有機ＥＬ素子ユニット端部までの距離は、Ｌ−側面封止層の厚さ（ｍｍ）となっている。

（６）最後に、図５に記載の方法で、断裁した４つの側面部に湿式コーター（８）を用いて、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを含む側面封止層形成用塗布液を、少なくともフレキシブル基板に接着固定される状態で、順次塗布、乾燥して、側面封止層（５）を形成する。

以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。

実施例１
《有機ＥＬデバイスの作製》
〔有機ＥＬデバイス１の作製〕
下記の方法に従って、図３の（ａ）に記載の構成からなる有機ＥＬデバイス１を作製した。なお、括弧内の数字は、各図に記載した各構成要素の符号番号に対応する。

（工程１）フレキシブル基板（２）の準備
フレキシブル基板（２）として、薄板フレキシブルガラス（厚さ：５０μｍ、コーニング社製、表１には薄板ガラスと記載。）を用いた。

（工程２）有機ＥＬ素子ユニット１の形成
下記の方法に従って、マスク部材を用いて、フレキシブル基板（２）上に、図３の（ａ）に示すように、ベゼル幅（Ｌ）が２ｍｍとなる条件で、有機ＥＬ素子ユニット１（３）を形成した。

〈２．１：透明陽極の形成〉
上記フレキシブル基板（２）上に、マスク部材を用いて、銀薄膜より構成される透明陽極を下記の方法に従って形成した。

フレキシブル基板（２）である薄板フレキシブルガラスを、市販の真空蒸着装置の基板ホルダーに固定し、タングステン製の抵抗加熱ボートに銀（Ａｇ）を入れ、真空蒸着装置の第１真空槽内に取り付けた。

次に、第１真空槽を４×１０^−４Ｐａまで減圧した後、銀の入った抵抗加熱ボートを通電して加熱した。これにより、蒸着速度０．１ｎｍ／秒〜０．２ｎｍ／秒で厚さ１５ｎｍの銀からなる透明陽極を、所定のサイズからなるマスクを介して形成し、透明陽極を形成した。

〈２．２：有機機能層ユニットの形成〉
引き続き、市販の真空蒸着装置を用い、真空度１×１０^−４Ｐａまで減圧した後、透明陽極を形成したフレキシブル基板（２）を移動させながら、下記に示す化合物ＨＴ−１を、蒸着速度０．１ｎｍ／秒で蒸着し、２０ｎｍの正孔輸送層（ＨＴＬ）を設けた。

次に、下記に示す化合物Ａ−３（青色発光ドーパント）、化合物Ａ−１（緑色発光ドーパント）、化合物Ａ−２（赤色発光ドーパント）及び化合物Ｈ−１（ホスト化合物）を、化合物Ａ−３が膜厚に対し線形に３５質量％から５質量％になるように、成膜領域により蒸着速度を変化させ、化合物Ａ−１と化合物Ａ−２は膜厚に依存することなく各々０．２質量％の濃度になるように、蒸着速度０．０００２ｎｍ／秒で、化合物Ｈ−１は６４．６質量％から９４．６質量％になるように、成膜領域により蒸着速度を変化させて、総層厚が７０ｎｍになるよう共蒸着して発光層を形成した。

その後、下記化合物ＥＴ−１を膜厚３０ｎｍで蒸着して電子輸送層を形成し、更にフッ化カリウム（ＫＦ）を厚さ２ｎｍで形成して、有機機能層ユニットを形成した。

〈２．３：陰極の形成〉
次いで、アルミニウム１１０ｎｍを蒸着して陰極を形成し、有機ＥＬ素子ユニット１（３）を形成した。

なお、上記化合物ＨＴ−１、化合物Ａ−１〜３、化合物Ｈ−１、及び、化合物ＥＴ−１は、以下に示す化合物である。

（工程３）封止部材の付与
次に、フレキシブル封止板（４）として、厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムにアルミニウム箔を厚さ３０μｍでラミネートしたアルペットを使用し、このフレキシブル封止板（４）の片面に、封止用接着剤層（６）として熱硬化型の液状接着剤（エポキシ系樹脂）を厚さ２５μｍで付与し、陰極までを形成した有機ＥＬ素子ユニット１（３）に重ね合わせた。このとき、透明陽極及び陰極（６）の引き出し電極の端部が外に出るように、封止用接着剤層（６）形成面と、有機ＥＬ素子ユニット１（３）面とを連続的に重ね合わせた。

次に、上記積層体を減圧装置内に配置し、９０℃で０．１ＭＰａの減圧条件下で、重ね合わせたフレキシブル基板（２）〜陰極（６）まで形成したユニットと封止部材ユニットとに押圧をかけて５分間保持した。続いて、積層体を大気圧環境に戻し、さらに９０℃で３０分間加熱して接着剤を硬化させて、側面封止層形成前の有機ＥＬデバイスユニットを作製した。

上記封止工程は、大気圧下、含水率１ｐｐｍ以下の窒素雰囲気下で、ＪＩＳ Ｂ ９９２０に準拠し、測定した清浄度がクラス１００で、露点温度が−８０℃以下、酸素濃度０．８ｐｐｍ以下の大気圧で行った。

（工程４）側面封止層の形成
上記作製した有機ＥＬデバイスユニットの４辺の全面を、下記側面封止層形成用塗布液を用い、図５に記載の塗布方法に従って、乾燥後の層厚が２０μｍの側面封止層を形成し、有機ＥＬデバイス１を作製した。有機ＥＬデバイス１における有機ＥＬ素子ユニット端部から側面封止層の外周部までの距離（ベゼル幅（Ｌ））は、２ｍｍとした。

（側面封止層形成用塗布液）
フロロテクノロジー社製のフッ素系樹脂であるフロロサーフ ＦＧ−３０３０Ｃ−３０（主成分：パーフルオロオクチルエチルアクリレート）を使用した。なお、後述の方法で測定したフロロサーフ ＦＧ−３０３０Ｃ−３０の表面エネルギーは、１２×１０^−３Ｎ／ｍである。

〔有機ＥＬデバイス２の作製〕
（工程１）フレキシブル基板（２）の準備
フレキシブル基板（２）として、ステンレス箔（厚さ：７０μｍ、新日鉄マテリアルズ社製）を準備した。

（工程２）絶縁層の形成
上記フレキシブル基板（２）であるステンレス箔上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度２．５ｎｍ／ｓで、ターゲットとして多結晶ＳｉＯ_２を用い、層厚が２００ｎｍとなる条件でＤＣパルススパッタし、絶縁層を形成した。

（工程３）有機ＥＬ素子ユニット２の形成
上記有機ＥＬデバイス１に記載の有機ＥＬ素子ユニット１の形成（工程２）において、陰極の形成方法として、アルミニウム（１１０ｎｍ）に代えて、銀を厚さ１０ｎｍで蒸着して、光透過性を有する陰極を形成した以外は同様にして、有機ＥＬ素子ユニット２を形成した。

（工程４）封止部材の付与
次に、フレキシブル封止板（４）として、厚さ２０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上、下記の方法によりガスバリアー層を厚さ２５０ｎｍで形成したガスバリアーフィルムを使用し、このフレキシブル封止板（４）の片面に、封止用接着剤層（６）として熱硬化型の液状接着剤（エポキシ系樹脂）を厚さ２５μｍで付与し、陰極までを形成した有機ＥＬ素子ユニット２（３）に重ね合わせた。このとき、透明陽極及び陰極（６）の引き出し電極の端部が外に出るように、封止用接着剤層（６）形成面と、有機ＥＬ素子ユニット２（３）面とを連続的に重ね合わせた。

（ガスバリアー層の形成）
下記のポリシラザン含有塗布液を塗布して塗膜を形成した後、真空紫外線照射による改質処理を行って、ポリシラザン改質法によりガスバリアー層を形成した。

〈ポリシラザン含有塗布液の調製〉
パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン（ＴＭＤＡＨ））を含むパーヒドロポリシラザン２０質量％のジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＡＸ１２０−２０）とを、４：１（質量比）の割合で混合し、さらに乾燥膜厚調整のためジブチルエーテルで適宜希釈し、ポリシラザン含有塗布液を調製した。

〈塗膜形成及び改質処理〉
上記調製したポリシラザン含有塗布液を、ＰＥＴフィルム上に、スピンコート法により塗布液を、乾燥膜厚が２５０ｎｍとなる条件で塗布し、８０℃で２分間乾燥した。次いで、乾燥した塗膜に対して、波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用い、酸素濃度：０．１体積％、照射エネルギー：６．０Ｊ／ｍ^２の条件で、真空紫外線照射処理を施して、ガスバリアー層（７）を形成した。

次に、上記積層体を減圧装置内に配置し、９０℃で０．１ＭＰａの減圧条件下で、重ね合わせたフレキシブル基板（２）〜陰極（６）まで形成したユニットと封止部材ユニットとに押圧をかけて５分間保持した。続いて、積層体を大気圧環境に戻し、さらに９０℃で３０分間加熱して接着剤を硬化させて、側面封止層形成前の有機ＥＬデバイスユニットを作製した。

（工程５）側面封止層の形成
上記作製した有機ＥＬデバイスユニットに、有機ＥＬデバイス１で用いた方法と同様にして、フッ素系樹脂（フロロサーフ ＦＧ−３０３０Ｃ−３０）より構成される厚さ２０μｍの側面封止部を形成して、有機ＥＬデバイス２を作製した。

〔有機ＥＬデバイス３の作製〕
（工程１）フレキシブル基板（２）の準備
フレキシブル基板（２）として、両面ハードコート付きポリエチレンテレフタレートフィルム（全厚:１３６μｍ、ポリエチレンテレフタレート厚さ：１２５μｍ、株式会社きもと製、商品名：ＫＢフィルム（商標）１２５Ｇ１ＳＢＦ、以下、ＰＥＴフィルムと略記する。）を用いた。

（工程２）ガスバリアー層（７）の形成
下記の方法で調製したポリシラザン含有塗布液を塗布して塗膜を形成した後、真空紫外線照射による改質処理を行って、ポリシラザン改質法によりガスバリアー層（７）を形成した。

〈ポリシラザン含有塗布液の調製〉
パーヒドロポリシラザン（ＰＨＰＳ）を２０質量％含むジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＮ１２０−２０）と、アミン触媒（Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラメチル−１，６−ジアミノヘキサン（ＴＭＤＡＨ））を含むパーヒドロポリシラザン２０質量％のジブチルエーテル溶液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ株式会社製、ＮＡＸ１２０−２０）とを、４：１（質量比）の割合で混合し、さらに乾燥膜厚調整のためジブチルエーテルで適宜希釈し、ポリシラザン含有塗布液を調製した。

〈塗膜形成及び改質処理〉
上記調製したポリシラザン含有塗布液を、ＰＥＴフィルム上に、スピンコート法により塗布液を、乾燥膜厚が２５０ｎｍとなる条件で塗布し、８０℃で２分間乾燥した。次いで、乾燥した塗膜に対して、波長１７２ｎｍのＸｅエキシマランプを用い、酸素濃度：０．１体積％、照射エネルギー：６．０Ｊ／ｍ^２の条件で、真空紫外線照射処理を施して、層厚が２００ｎｍのガスバリアー層（７）を形成した。

（工程３）〜(工程５)
上記有機ＥＬデバイス２の作製と同様にして、（工程３）有機ＥＬ素子ユニットの形成、（工程４）封止部材の付与、及び（工程５）側面封止層の形成を行い、有機ＥＬデバイス３を作製した。

〔有機ＥＬデバイス４の作製〕
上記有機ＥＬデバイス３の作製において、（工程２）ガスバリアー層（７）の形成を、ポリシラザン改質法に代えて、下記スパッタ法により行った以外は同様にして、有機ＥＬデバイス４を作製した。

（工程２）ガスバリアー層（７）の形成：スパッタ法
フレキシブル基板（２）である上ＰＥＴフィルム上に、アネルバ社のＬ−４３０Ｓ−ＦＨＳスパッタ装置を用い、Ａｒ ２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２ ０ｓｃｃｍ、スパッタ圧０．２５Ｐａ、室温（２５℃）下、形成速度２．５ｎｍ／ｓで、ターゲットとして多結晶ＳｉＯ_２を用い、層厚が２００ｎｍとなる条件でＤＣパルススパッタし、ガスバリアー層（７）を形成した。

〔有機ＥＬデバイス５の作製〕
上記有機ＥＬデバイス４の作製において、（工程５）側面封止層の形成を下記の方法に変更した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス５を作製した。

（工程５）側面封止層の形成
ポリビニルアルコール（クラレ工業社製：ＰＶＡ２３５）を１０質量部、水９０質量部を混合し、１０分間静置後、温度を９０℃に加熱して、ポリビニルアルコール塗布液（ＰＶＡ塗布液）を調製した。

次いで、図３の（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイスユニットの側面部全面に、上記ＰＶＡ塗布液を、乾燥後の層厚が５０μｍとなる条件で、スプレーコート法により塗布し、次いで、形成した塗膜を１００℃で、乾燥及び硬化させて、ＰＶＡより構成される側面封止層（５）を形成した。

〔有機ＥＬデバイス６の作製〕
上記有機ＥＬデバイス４の作製において、（工程５）側面封止層の形成を下記の方法に変更した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス６を作製した。

（工程５）側面封止層の形成
ポリビニルアルコール（クラレ工業社製：ＰＶＡ２３５）を７質量部、気相法シリカ（アエロジル２００Ｖ、日本アエロジル社製）を３質量部、水９０質量部を混合し、１０分間静置後、温度を９０℃に加熱した後分散処理を施して、ポリビニルアルコール／シリカ混合塗布液（ＰＶＡ／シリカ塗布液）を調製した。

次いで、図３の（ｂ）に示すように、有機ＥＬデバイスユニットの側面部全面に、上記ＰＶＡ／シリカ塗布液を、乾燥後の層厚が５０μｍとなる条件で、スプレーコート法により塗布し、次いで、形成した塗膜を１００℃で、乾燥及び硬化させて、ＰＶＡ及びシリカ（ＳｉＯ_２）より構成される側面封止層（５）を形成した。

〔有機ＥＬデバイス７の作製〕
上記有機ＥＬデバイス３の作製において、（工程５）側面封止層の形成を、有機ＥＬデバイス６の作製と同様にして、ＰＶＡ及びシリカ（ＳｉＯ_２）より構成される側面封止層（５）を形成した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス７を作製した。

《各特性の測定及び評価》
〔側面封止層形成部材の表面エネルギーの測定〕
下記の方法に従って、各ポリマーの表面エネルギーを測定した。

（測定用の試料プレートの作製）
測定対象であるフッ素系樹脂（フロロサーフ ＦＧ−３０３０Ｃ−３０）及びポリビニルアルコール（クラレ工業社製：ＰＶＡ２３５）を、それぞれ適当な溶媒で溶解したポリマー溶液を調製した後、当該ポリマー溶液を、平面のガラス基板上に、乾燥後の厚さが５０μｍとなる条件で塗布及び乾燥した後、２５℃、５５％ＲＨの環境下で、１日間調湿して、測定用プレートを作製した。

（表面エネルギーの測定）
表面エネルギーの測定は、ＦＡＣＥ接触角計ＣＡ−Ｄ型（協和界面科学株式会社製）を用い、２５℃、５５％ＲＨの環境下で、測定用プレート上にエチレングリコール、ｎ−ヘキサデカン、ヨウ化メチレンを、それぞれ液滴量として３μｌ滴下し各接触角を測定し、その値とＹｏｕｎｇ−Ｆｏｗｋｅｓ式により、表面エネルギー（ｍＮ／ｍ）を算出した。

（保存性の評価：高温高湿環境下でのダークスポット耐性）
各有機ＥＬ素子デバイスを、８５℃、８５％ＲＨの環境下で、５０時間保存した。その後、１ｍＡ／ｃｍ^２の電流を印加して発光させた。次いで、１００倍の光学顕微鏡（株式会社モリテックス製 ＭＳ−８０４、レンズＭＰ−ＺＥ２５−２００）で、有機ＥＬ素子の端部から幅２ｃｍの領域について撮影した。次いで、端部から幅２ｃｍ×長さ２ｃｍの領域におけるダークスポット発生面積比率を４辺でランダムに１２か所測定し、その平均値を求め、下記の基準に従って、端部からの水分浸透によるダークスポット耐性を評価した。

５：ダークスポットの発生面積が、０．１％未満である
４：ダークスポットの発生面積が、０．１％以上、１．０％未満である
３：ダークスポットの発生面積が、１．０％以上、２．５％未満である
２：ダークスポットの発生面積が、２．５％以上、５．０％未満である
１：ダークスポットの発生面積が、５．０％以上である
〔折り曲げ耐性の評価〕
各有機ＥＬ素子デバイスを、曲率が６ｍｍφのプラスチック製ローラーに、有機ＥＬ素子形成面が外側になるように巻き付けた状態で、８５℃、８５％ＲＨの環境下で、５０時間保存した。その後、１ｍＡ／ｃｍ^２の電流を印加して発光させた。次いで、１００倍の光学顕微鏡（株式会社モリテックス製 ＭＳ−８０４、レンズＭＰ−ＺＥ２５−２００）で、有機ＥＬ素子の端部から幅２ｃｍの領域について撮影した。次いで、端部から幅２ｃｍ×長さ２ｃｍの領域におけるダークスポット発生面積比率を４辺でランダムに１２か所測定し、その平均値を求め、下記の基準に従って、折り曲げ耐性を評価した。

５：ダークスポットの発生面積が、０．１％未満である
４：ダークスポットの発生面積が、０．１％以上、１．０％未満である
３：ダークスポットの発生面積が、１．０％以上、２．５％未満である
２：ダークスポットの発生面積が、２．５％以上、５．０％未満である
１：ダークスポットの発生面積が、５．０％以上である
以上により得られた結果を、表１に示す。

表１に記載の結果より明らかなように、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより側面封止層を形成した本発明の有機ＥＬデバイスは、比較例に対し、端部からの水分の侵入を防止することによる保存性と、フレキシブル基板及びフレキシブル封止板を有する有機ＥＬデバイスにおいて、柔軟性に優れたポリマーによる側面封止層を設けることにより、折り曲げ等に対する追従性が高く、優れた折り曲げ耐性を有していることが分かる。

実施例２
《有機ＥＬデバイスの作製》
〔有機ＥＬデバイス８及び９の作製〕
実施例１に記載の有機ＥＬデバイス３の作製において、側面封止層外周部から有機ＥＬ素子ユニットの端部までのベゼル幅を、２．０ｍｍからそれぞれ１．０ｍｍ、０．５ｍｍに変更した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス８及び９を作製した。

〔有機ＥＬデバイス１０及び１１の作製〕
実施例１に記載の有機ＥＬデバイス７の作製において、側面封止層外周部から有機ＥＬ素子ユニットの端部までのベゼル幅を、２．０ｍｍからそれぞれ１．０ｍｍ、０．５ｍｍに変更した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス１０及び１１を作製した。

《有機ＥＬデバイスの評価》
上記作製した有機ＥＬデバイス８〜１１と、実施例１で作製した有機ＥＬデバイス３及び７について、実施例１に記載の方法と同様にして、保存性及び折り曲げ耐性の評価を行い、得られた結果を、表２に示す。

表２に記載の結果より明らかなように、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより側面封止層を形成した本発明の有機ＥＬデバイスは、比較例に対し、ベゼル幅を狭くしても、保存性及び折り曲げ耐性に優れた効果を有していることが分かる。

実施例３
《有機ＥＬデバイスの作製》
〔有機ＥＬデバイス１２〜２１の作製〕
実施例１に記載の有機ＥＬデバイス３の作製において、側面封止層の形成材料を、表３に記載のポリマーに変更した以外は同様にして、有機ＥＬデバイス１２〜２１を作製した。

《有機ＥＬデバイスの評価》
上記作製した有機ＥＬデバイス１２〜２１と、実施例１で作製した有機ＥＬデバイス３について、実施例１に記載の方法と同様にして、保存性及び折り曲げ耐性の評価を行い、得られた結果を、表３に示す。

表３に記載の結果より明らかなように、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより側面封止層を形成した本発明の有機ＥＬデバイスは、比較例に対し、保存性及び折り曲げ耐性に優れた効果を有していることが分かる。その中でも、特に、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素系ポリマーにより側面封止層を形成した本発明の有機ＥＬデバイスにおいて、より優れた効果を発現していることが分かる。

１ 有機ＥＬデバイス
２ フレキシブル基板
３ 有機ＥＬ素子ユニット
４ フレキシブル封止板
５ 側面封止層
６ 封止用接着剤層
７、７Ａ、７Ｂ ガスバリアー層
８ 湿式コーター
９ 側面封止層形成用塗布液
Ｌ ベゼル幅
Ｍ 積層体

Claims (10)

1. フレキシブル基板上に、少なくとも、有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板を、この順で積層した積層体を有する有機エレクトロルミネッセンスデバイスであって、
   少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される積層体の側面部に側面封止層を有し、
   当該側面封止層が、主成分として表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーにより形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
2. 前記側面封止層が含有する前記ポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
3. 前記側面封止層の少なくとも一部が、前記フレキシブル基板に接着固定されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
4. 前記フレキシブル基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を有し、前記側面封止層の少なくとも一部が、前記ガスバリアー層に接着固定されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
5. 前記ガスバリアー層が、ポリシラザン改質層であることを特徴とする請求項４に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイス。
6. フレキシブル基板上に、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及びフレキシブル封止板をこの順で積層して積層体を作製した後、
   当該積層体の少なくとも前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニット及び前記フレキシブル封止板で構成される側面部に、表面エネルギーが３０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のポリマーを主成分とする側面封止層形成材料を用いて側面封止層を形成することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
7. 前記側面封止層の形成に用いる前記ポリマーが、表面エネルギーが２０×１０^−３Ｎ／ｍ以下のフッ素含有ポリマーであることを特徴とする請求項６に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
8. 前記側面封止層の少なくとも一部を、前記フレキシブル基板に接着固定することを特徴とする請求項６又は請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
9. 前記フレキシブル基板と前記有機エレクトロルミネッセンス素子ユニットとの間にガスバリアー層を形成し、前記側面封止層の少なくとも一部を、前記ガスバリアー層に接着固定することを特徴とする請求項６から請求項８までのいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。
10. 前記ガスバリアー層を、ポリシラザンを含有する塗布液を用い、真空紫外光照射による改質処理を施して形成することを特徴とする請求項９に記載の有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法。

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