JP2015185832A5 - - Google Patents

Description

そして、リードフレームの一部分が他の部分に対して曲げ加工されて、裏面（３４ｂ）において、アイランドの第２半導体チップを搭載する面が、第１ヒートシンクの第１半導体チップを搭載する面及び制御端子の受動部品実装部分よりも、樹脂成形体の第１ヒートシンク側の表面（３２ａ）に近い位置とされており、受動部品が、一面（３４ａ）における制御端子の受動部品実装部分に実装されていることを特徴とする。

本発明では、リードフレームの裏面において、アイランドの第２半導体チップを搭載する面が、第１ヒートシンクの第１半導体チップを搭載する面及び制御端子の受動部品実装部分よりも、樹脂成形体の第１ヒートシンク側表面に近い位置となるように曲げ加工されたリードフレームを用いる。これにより、積層方向において、第１ボンディングワイヤの接続面を、第１半導体チップと第２半導体チップで近づけることができる。

そして、裏面（３４ｂ）において、アイランドの第２半導体チップを搭載する面が、第１ヒートシンクの第１半導体チップを搭載する面及び制御端子の受動部品実装部分よりも、樹脂成形体の第１ヒートシンク側表面（３２ａ）に近い位置となるように曲げ加工されたリードフレームを用い、第１ヒートシンクと第１半導体チップとの間のはんだ（４４）をリフローして、リードフレーム及び半導体チップが一体化されてなる接続体（７６）を形成するとともに、アイランド上に第２半導体チップを固定する第１リフロー工程と、第１リフロー工程後、制御電極と第２半導体チップを第１ボンディングワイヤを介して接続するとともに、第２半導体チップと各制御端子とを第２ボンディングワイヤを介して接続するワイヤボンディング工程と、ワイヤボンディング工程後、第１リフロー工程の状態から接続体を反転させて第２ヒートシンク上に接続体を配置し、第２ヒートシンクと接続体との間のはんだ（５２）をリフローするとともに、一面（３４ａ）における制御端子の受動部品実装部分に、接合部材を介して受動部品を実装する第２リフロー工程と、第２リフロー工程後、樹脂成形体を成形する成形工程と、を備えることを特徴とする。

Claims (2)

1. 一面（３４ａ）及び該一面と反対の裏面（３４ｂ）を有し、第１ヒートシンク（３６Ｕ，３６Ｌ）と、該第１ヒートシンクと分離されたアイランド（３８Ｕ，３８Ｌ）及び制御端子（４２Ｕ，４２Ｌ）とが形成されたリードフレーム（３４）と、
   前記裏面との対向面に第１主電極（１６Ｕ，１６Ｌ）を有し、前記対向面と反対の面に制御電極（３０Ｕ，３０Ｌ）及び前記第１主電極と対をなす第２主電極（１８Ｕ，１８Ｌ）を有し、前記第１主電極が前記第１ヒートシンクと接続された第１半導体チップ（１０Ｕ，１０Ｌ）と、
   前記第１半導体チップの制御電極形成面に対向配置され、前記第２主電極と接続された第２ヒートシンク（４８Ｕ，４８Ｌ）と、
   前記第１半導体チップの駆動を制御するために前記裏面における前記アイランドに固定され、第１ボンディングワイヤ（６２）を介して前記制御電極と接続されるとともに、第２ボンディングワイヤ（６４）を介して前記制御端子と接続された第２半導体チップ（６０Ｕ，６０Ｌ）と、
   接合部材（６６）を介して前記制御端子に実装された受動部品（６８）と、
   各ヒートシンクと前記第１半導体チップとの積層方向において、前記第１ヒートシンク側の表面（３２ａ）と前記第２ヒートシンク側の表面（３２ｂ）を有し、各半導体チップ、前記受動部品、各ヒートシンクの少なくとも一部、各ボンディングワイヤ、前記アイランド、及び受動部品実装部分を含む前記制御端子の一部を一体的に封止する樹脂成形体（３２）と、を備え
   前記リードフレームの一部分が他の部分に対して曲げ加工されて、前記裏面（３４ｂ）において、前記アイランドの前記第２半導体チップを搭載する面が、前記第１ヒートシンクの前記第１半導体チップを搭載する面及び前記制御端子の受動部品実装部分よりも、前記樹脂成形体の第１ヒートシンク側表面（３２ａ）に近い位置とされており、
   前記受動部品が、前記一面（３４ａ）における前記制御端子の受動部品実装部分に実装されていることを特徴とする半導体装置。
2. 一面（３４ａ）及び該一面と反対の裏面（３４ｂ）を有し、第１ヒートシンク（３６Ｕ，３６Ｌ）と、該第１ヒートシンクと分離されたアイランド（３８Ｕ，３８Ｌ）及び制御端子（４２Ｕ，４２Ｌ）とが形成されたリードフレーム（３４）と、
   前記裏面との対向面に第１主電極（１６Ｕ，１６Ｌ）を有し、前記対向面と反対の面に制御電極（３０Ｕ，３０Ｌ）及び前記第１主電極と対をなす第２主電極（１８Ｕ，１８Ｌ）を有し、前記第１主電極が、はんだ（４４）を介して前記第１ヒートシンクと接続された第１半導体チップ（１０Ｕ，１０Ｌ）と、
   前記第１半導体チップの制御電極形成面に対向配置され、はんだ（５２）を介して前記第２主電極と接続された第２ヒートシンク（４８Ｕ，４８Ｌ）と、
   前記第１半導体チップの駆動を制御するために前記裏面における前記アイランドに固定され、第１ボンディングワイヤ（６２）を介して前記制御電極と接続されるとともに、第２ボンディングワイヤ（６４）を介して前記制御端子と接続された第２半導体チップ（６０Ｕ，６０Ｌ）と、
   接合部材（６６）を介して前記制御端子に実装された受動部品（６８）と、
   各ヒートシンクと前記第１半導体チップとの積層方向において、前記第１ヒートシンク側の表面（３２ａ）と前記第２ヒートシンク側の表面（３２ｂ）を有し、各半導体チップ、前記受動部品、各ヒートシンクの少なくとも一部、各ボンディングワイヤ、前記アイランド、及び受動部品実装部分を含む前記制御端子の一部を一体的に封止する樹脂成形体（３２）と、を備える半導体装置の製造方法であって、
   前記裏面（３４ｂ）において、前記アイランドの前記第２半導体チップの搭載面が、前記第１ヒートシンクの前記第１半導体チップの搭載面及び前記制御端子の受動部品実装部分よりも、前記樹脂成形体の第１ヒートシンク側表面（３２ａ）に近い位置となるように曲げ加工された前記リードフレームを用い、
   前記第１ヒートシンクと前記第１半導体チップとの間のはんだ（４４）をリフローして、前記リードフレーム及び前記半導体チップが一体化されてなる接続体（７６）を形成するとともに、前記アイランド上に前記第２半導体チップを固定する第１リフロー工程と、
   前記第１リフロー工程後、前記制御電極と前記第２半導体チップを前記第１ボンディングワイヤを介して接続するとともに、前記第２半導体チップと各制御端子とを前記第２ボンディングワイヤを介して接続するワイヤボンディング工程と、
   前記ワイヤボンディング工程後、前記第１リフロー工程の状態から前記接続体を反転させて前記第２ヒートシンク上に前記接続体を配置し、前記第２ヒートシンクと前記接続体との間のはんだ（５２）をリフローするとともに、前記一面（３４ａ）における前記制御端子の受動部品実装部分に、前記接合部材を介して前記受動部品を実装する第２リフロー工程と、
   前記第２リフロー工程後、前記樹脂成形体を成形する成形工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。