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JP2014220401A - 光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 - Google Patents

光デバイス、光走査装置及び画像形成装置 Download PDF

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JP2014220401A JP2013099122A JP2013099122A JP2014220401A JP 2014220401 A JP2014220401 A JP 2014220401A JP 2013099122 A JP2013099122 A JP 2013099122A JP 2013099122 A JP2013099122 A JP 2013099122A JP 2014220401 A JP2014220401 A JP 2014220401A
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Toshishige Fujii
俊茂 藤井
俊英 佐々木
Shunei Sasaki
俊英 佐々木
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Abstract

【課題】受光素子の寸法を大きくすることなく、受光素子の出力を大きくすることができる光デバイスを提供する。
【解決手段】 光デバイス10は、面発光レーザアレイチップ60、フォトダイオードPD、フラットパッケージ20、ガラス板42などを有している。ガラス板42は、面発光レーザアレイチップ60から射出された光束の一部がガラス板42で反射され、モニタ用光束としてフォトダイオードPDで受光されるように、c軸方向に直交する面に対して15°〜23°の範囲内で傾斜して、フラットパッケージ20に取り付けられている。また、面発光レーザアレイチップ60は、フォトダイオードPDに対してモニタ用光束がs偏光となるように配置されている。
【選択図】図16

Description

本発明は、光デバイス、光走査装置及び画像形成装置に係り、更に詳しくは、パッケージ部材を有する光デバイス、該光デバイスを有する光走査装置、及び該光走査装置を備える画像形成装置に関する。
一般に、電子部品や半導体素子等を保持するためのパッケージ部材として、放熱性に優れたセラミックパッケージが使用されている(例えば、特許文献1参照)。
特許文献2には、発光素子と受光素子を備えた光モジュール用のシールド部品が開示されている。
特許文献3には、垂直共振器型の面発光レーザ(Vertical Cavity Surface Emitting Laser:VCSEL)素子と受光素子と透明部材とを備えた光デバイスが開示されている。なお、以下では、垂直共振器型の面発光レーザを単に「面発光レーザ」ともいう。
しかしながら、発光素子と受光素子と透明部材とを備えた従来の光デバイスでは、受光素子の出力が小さいという不都合があった。
本発明は、複数の発光部を有する発光素子と、前記発光素子から射出された光の光量をモニタするための受光素子と、前記発光素子から射出された光の一部を前記受光素子に向けて反射する透明部材とを備え、前記透明部材で反射された光は、前記受光素子に対してs偏光である光デバイスである。
本発明の光デバイスによれば、受光素子の寸法を大きくすることなく、受光素子の出力を大きくすることができる。
本発明の一実施形態に係るカラープリンタの概略構成を説明するための図である。 図1における光走査装置を説明するための図(その1)である。 図1における光走査装置を説明するための図(その2)である。 図1における光走査装置を説明するための図(その3)である。 図1における光走査装置を説明するための図(その4)である。 従来の光源ユニットを説明するための図である。 図7(A)及び図7(B)は、それぞれ光デバイスを説明するための図である。 図7(A)のA−A断面図である。 面発光レーザアレイチップを説明するための図である。 フラットパッケージの平面図である。 フラットパッケージの側面図である。 図10のA−A断面図である。 シールリングを説明するための図である。 図13の側面図である。 図13のA−A断面図である。 リッドを説明するための図(その1)である。 図17(A)及び図17(B)は、それぞれリッドを説明するための図(その2)である。 配列中心とフォトダイオードの受光面との関係を説明するための図である。 発光部v5のモニタ用光束とフォトダイオードの受光面との関係を説明するための図である。 図20(A)及び図20(B)は、それぞれ発光部の構造を説明するための図である。 図21(A)及び図21(B)は、それぞれ傾斜基板を説明するための図である。 フォトダイオードの受光面に対してモニタ用光束がp偏光となる場合を説明するための図である。 フォトダイオードの受光面に対してモニタ用光束がs偏光となる場合を説明するための図である。 反射率と入射角との関係のシミュレーション結果を説明するための図である。 図25(A)及び図25(B)は、それぞれ反射率の実測方法を説明するための図である。 モニタ用光束がp偏光の場合の、反射率の実測結果を説明するための図である。 モニタ用光束がs偏光の場合の、反射率の実測結果を説明するための図である。 発光部間偏差及び書き込み不良判定率と傾斜角との関係を説明するための図である。 図24の一部を拡大した図である。 傾斜角と反射率の関係の実測結果を説明するための図である。 ガラス板に設けられている反射防止膜を説明するための図である。 ガラス板で反射される光を説明するための図である。
以下、本発明の一実施形態を図1〜図32に基づいて説明する。図1には、一実施形態に係るカラープリンタ2000の概略構成が示されている。
このカラープリンタ2000は、4色(ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー)を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、光走査装置2010、4つの感光体ドラム(2030a、2030b、2030c、2030d)、4つのクリーニングユニット(2031a、2031b、2031c、2031d)、4つの帯電装置(2032a、2032b、2032c、2032d)、4つの現像ローラ(2033a、2033b、2033c、2033d)、4つのトナーカートリッジ(2034a、2034b、2034c、2034d)、転写ベルト2040、転写ローラ2042、定着装置2050、給紙コロ2054、排紙ローラ2058、給紙トレイ2060、排紙トレイ2070、通信制御装置2080、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置2090などを備えている。
通信制御装置2080は、ネットワークなどを介した上位装置(例えばパソコン)との双方向の通信を制御する。
プリンタ制御装置2090は、CPU、該CPUにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び該プログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているROM、作業用のメモリであるRAM、アナログ信号をデジタル信号に変換するA/D変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置2090は、通信制御装置2080を介して受信した上位装置からの多色の画像情報を光走査装置2010に通知する。
感光体ドラム2030a、帯電装置2032a、現像ローラ2033a、及びクリーニングユニット2031aは、組として使用され、ブラックの画像を形成する画像形成ステーション(以下では、便宜上「Kステーション」ともいう)を構成する。
感光体ドラム2030b、帯電装置2032b、現像ローラ2033b、及びクリーニングユニット2031bは、組として使用され、シアンの画像を形成する画像形成ステーション(以下では、便宜上「Cステーション」ともいう)を構成する。
感光体ドラム2030c、帯電装置2032c、現像ローラ2033c、及びクリーニングユニット2031cは、組として使用され、マゼンタの画像を形成する画像形成ステーション(以下では、便宜上「Mステーション」ともいう)を構成する。
感光体ドラム2030d、帯電装置2032d、現像ローラ2033d、及びクリーニングユニット2031dは、組として使用され、イエローの画像を形成する画像形成ステーション(以下では、便宜上「Yステーション」ともいう)を構成する。
各感光体ドラムはいずれも、その表面に感光層が形成されている。なお、各感光体ドラムは、不図示の回転機構により、図1における面内で矢印方向に回転する。
各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面をそれぞれ均一に帯電させる。
光走査装置2010は、プリンタ制御装置2090からの多色の画像情報(ブラック画像情報、シアン画像情報、マゼンタ画像情報、イエロー画像情報)に基づいて色毎に変調された光束で、対応する帯電された感光体ドラムの表面を走査する。これにより、画像情報に対応した潜像が各感光体ドラムの表面にそれぞれ形成される。すなわち、ここでは、各感光体ドラムが像担持体であり、各感光体ドラムの表面が被走査面である。ここで形成された潜像は、感光体ドラムの回転に伴って対応する現像装置の方向に移動する。なお、光走査装置の構成については後述する。
各現像ローラは、回転に伴って、対応するトナーカートリッジ(図示省略)からのトナーが、その表面に薄く均一に塗布される。そして、各現像ローラの表面のトナーは、対応する感光体ドラムの表面に接すると、該表面における光が照射された部分にだけ移行し、そこに付着する。すなわち、各現像ローラは、対応する感光体ドラムの表面に形成された潜像にトナーを付着させて顕像化させる。ここでトナーが付着した像(トナー画像)は、感光体ドラムの回転に伴って転写ベルト2040の方向に移動する。
イエロー、マゼンタ、シアン、ブラックの各トナー画像は、所定のタイミングで転写ベルト2040上に順次転写され、重ね合わされてカラー画像が形成される。
給紙トレイ2060には記録紙が格納されている。この給紙トレイ2060の近傍には給紙コロ2054が配置されており、該給紙コロ2054は、記録紙を給紙トレイ2060から1枚ずつ取り出す。該記録紙は、所定のタイミングで転写ベルト2040と転写ローラ2042との間隙に向けて送り出される。これにより、転写ベルト2040上のカラー画像が記録紙に転写される。カラー画像が転写された記録紙は、定着装置2050に送られる。
定着装置2050では、熱と圧力とが記録紙に加えられ、これによってトナーが記録紙上に定着される。トナーが定着された記録紙は、排紙ローラ2058を介して排紙トレイ2070に送られ、排紙トレイ2070上に順次積み重ねられる。
各クリーニングユニットは、対応する感光体ドラムの表面に残ったトナー(残留トナー)を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラムの表面は、再度対応する帯電装置に対向する位置に戻る。
次に、前記光走査装置2010の構成について説明する。
光走査装置2010は、一例として図2〜図5に示されるように、4つの光源(2200a、2200b、2200c、2200d)、4つのカップリングレンズ(2201a、2201b、2201c、2201d)、4つの開口板(2202a、2202b、2202c、2202d)、4つのシリンドリカルレンズ(2204a、2204b、2204c、2204d)、光偏向器2104、4つの走査レンズ(2105a、2105b、2105c、2105d)、6枚の折り返しミラー(2106a、2106b、2106c、2106d、2108b、2108c)、及び不図示の走査制御装置などを備えている。
なお、ここでは、XYZ3次元直交座標系において、各感光体ドラムの長手方向(回転軸方向)に沿った方向をX軸方向、光偏向器2104の回転軸に平行な方向をZ軸方向として説明する。
また、以下では、各光学部材において、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
光源2200aとカップリングレンズ2201aと開口板2202aとシリンドリカルレンズ2204aと走査レンズ2105aと折り返しミラー2106aは、感光体ドラム2030aに潜像を形成するための光学部材である。
光源2200bとカップリングレンズ2201bと開口板2202bとシリンドリカルレンズ2204bと走査レンズ2105bと折り返しミラー2106bと折り返しミラー2108bは、感光体ドラム2030bに潜像を形成するための光学部材である。
光源2200cとカップリングレンズ2201cと開口板2202cとシリンドリカルレンズ2204cと走査レンズ2105cと折り返しミラー2106cと折り返しミラー2108cは、感光体ドラム2030cに潜像を形成するための光学部材である。
光源2200dとカップリングレンズ2201dと開口板2202dとシリンドリカルレンズ2204dと走査レンズ2105dと折り返しミラー2106dは、感光体ドラム2030dに潜像を形成するための光学部材である。
各カップリングレンズは、対応する光源から射出された光束の光路上に配置され、該光束を略平行光束とする。
各開口板は、開口部を有し、対応するカップリングレンズを介した光束を整形する。
各シリンドリカルレンズは、対応する開口板の開口部を通過した光束を、光偏向器2104の偏向反射面近傍にY軸方向に関して結像する。
各光源と光偏向器2104との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。
光偏向器2104は、2段構造のポリゴンミラーを有している。各ポリゴンミラーは、4面の偏向反射面を有している。そして、1段目(下段)のポリゴンミラーではシリンドリカルレンズ2204aからの光束及びシリンドリカルレンズ2204dからの光束がそれぞれ偏向され、2段目(上段)のポリゴンミラーではシリンドリカルレンズ2204bからの光束及びシリンドリカルレンズ2204cからの光束がそれぞれ偏向されるように配置されている。なお、1段目のポリゴンミラー及び2段目のポリゴンミラーは、互いに位相が略45°ずれて回転し、書き込み走査は1段目と2段目とで交互に行われる。
光偏向器2104で偏向されたシリンドリカルレンズ2204aからの光束は、走査レンズ2105a、及び折り返しミラー2106aを介して、感光体ドラム2030aに導光される。
また、光偏向器2104で偏向されたシリンドリカルレンズ2204bからの光束は、走査レンズ2105b、及び2枚の折り返しミラー(2106b、2108b)を介して、感光体ドラム2030bに導光される。
また、光偏向器2104で偏向されたシリンドリカルレンズ2204cからの光束は、走査レンズ2105c、及び2枚の折り返しミラー(2106c、2108c)を介して、感光体ドラム2030cに導光される。
また、光偏向器2104で偏向されたシリンドリカルレンズ2204dからの光束は、走査レンズ2105d、及び折り返しミラー2106dを介して、感光体ドラム2030dに導光される。
各感光体ドラム表面の光スポットは、光偏向器2104の回転に伴って感光体ドラムの長手方向に沿って移動する。
各感光体ドラムにおける光スポットの移動方向が「主走査方向」であり、感光体ドラムの回転方向が「副走査方向」である。
光偏向器2104と各感光体ドラムとの間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。
ところで、発光素子が保持されるパッケージ部材は、発光素子が搭載される搭載部、及び該搭載部あるいは該搭載部の周辺から下方に導出された一対のメタライズ配線部材を有する基体と、この基体の上面に積層され、キャビティ領域を形成するための開口が設けられた枠体とを有している。また、キャビティ領域の底面には発光素子に電力を供給するための配線パターンがめっき金属層によって形成されている。このパッケージ部材は、以下の工程を経て作製される。
最初に、セラミックからなる基体用グリーンシートを準備し、該基体用グリーンシートに上記メタライズ配線部材を通すための貫通孔をあける。
次に、セラミックからなる枠体用グリーンシートを準備し、該枠体用グリーンシートにキャビティ領域となる貫通孔をあける。
続いて、基体用グリーンシートの上面から下面にかけて、メタライズ配線部材用の金属ペーストをスクリーン印刷法等により塗布する。なお、該金属ペーストは、タングステンやモリブデンなどの金属粉末と有機バインダ及び溶剤等とを混練したものである。
また、枠体用グリーンシートの貫通孔の内面に、上記メタライズ金属層用の金属ペーストをスクリーン印刷法等により塗布する。なお、貫通孔への印刷では、一般に、貫通孔の一端に金属ペーストを塗布しておき、他端から吸引しながら貫通孔の内部を印刷する方式が採用されている。
そして、基体用グリーンシートに枠体用グリーンシートをのせ、加圧と加熱によってセラミック基板を作製し、さらに高温で焼成する。
そして、搭載部、メタライズ配線導体及びメタライズ金属層の露出表面に、ニッケルや銀等をめっきする。
このようにして作製されたパッケージ部材に保持される発光素子の一例として面発光レーザがある。面発光レーザは、基板表面に直交する方向に光を射出する半導体レーザであり、従来の端面発光レーザに比べて低コストで高性能であること、さらにはアレイ化が容易であるという特徴を有している。このため、光インターコネクション等の光通信の光源、光ピックアップ用の光源、レーザプリンタ等の画像形成装置の光源としての検討が行われており、一部において実用化されている。
図6には、レーザモジュール500と光学モジュール600とを有する従来の光源ユニット14が示されている。
レーザモジュール500は、面発光レーザアレイチップがパッケージ部材に保持されている光デバイス510、該面発光レーザアレイチップを駆動制御するレーザ制御装置(図示省略)、前記光デバイス510及びレーザ制御装置が実装されているPCB(Printed Circuit Board)基板580を有している。
光学モジュール600は、第1の部分610と第2の部分630から構成されている。第1の部分610は、ハーフミラー611、集光レンズ612、及び受光素子613を有している。また、第2の部分630は、カップリングレンズ631、及び開口板632を有している。
第1の部分610は、光デバイス510の+c側であって、光デバイス510から射出された光の光路上にハーフミラー611が位置するように配置されている。ハーフミラー611に入射した光の一部は−b方向に反射され、集光レンズ612を介して受光素子613で受光される。受光素子613は、受光光量に応じた信号(光電変換信号)をレーザモジュール500のレーザ制御装置に出力する。
第2の部分630は、第1の部分610の+c側であって、ハーフミラー611を透過した光の光路上にカップリングレンズ631が位置するように配置されている。カップリングレンズ631は、ハーフミラー611を透過した光を略平行光とする。開口板632は、開口部を有し、カップリングレンズ631を介した光を整形する。開口板632の開口部を通過した光が、光源ユニット14から射出される光となる。
しかしながら、この光源ユニット14は、製造コストが高いという不都合があった。
そこで、面発光レーザアレイチップから射出された光束の一部を、リッドに固定されている傾斜した透明部材の表面で反射させ、モニタ用光束として利用することが考案された。この場合は、モニタ用光束を受光するフォトダイオードを面発光レーザアレイチップとともにパッケージ部材のキャビティ領域内に収容することとなる。
本実施形態では、各光源は、一例として図7(A)〜図8に示されるように、光デバイス10を有している。なお、図8は、図7(A)のA−A断面図である。
この光デバイス10は、フラットパッケージ20、シールリング30、リッド40、面発光レーザアレイチップ60、及びフォトダイオードPDなどを有している。
ここでは、フラットパッケージ20の底面に直交する方向をc軸方向とし、c軸方向に直交する面内における互いに直交する2つの方向をa軸方向及びb軸方向とする。そして、a軸方向が主走査対応方向となり、b軸方向が副走査対応方向となるように設定されている。
面発光レーザアレイチップ60は、一例として図9に示されるように、2次元的に配列されている40個の発光部を有している。なお、発光部の数は40個に限定されるものではない。
40個の発光部は、全ての発光部を副走査対応方向(ここでは、b軸方向と同じ)に延びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等しく(図9では「d1」)なるように配置されている。なお、本明細書では、「発光部間隔」とは2つの発光部の中心間距離をいう。
各発光部は、発振波長が780nm帯の面発光レーザである。すなわち、面発光レーザアレイチップ60は、40個の面発光レーザが集積されたものである。
面発光レーザアレイチップ60は、40個の発光部を有しており、端子の数が多いため、面発光レーザアレイチップ60をいわゆるキャンパッケージに収容するのは、極めて困難である。そこで、面発光レーザアレイチップ60は、平面実装が可能で、リードとなる端子の取り出しが容易なフラットパッケージ20に収容されている。
フラットパッケージ20は、CLCC(Ceramic leaded chip carrier)と呼ばれるフラットパッケージであり、一例として、図10〜図12に示されるように、チップマウント部21、PDマウント部22、複数の接続端子23、金めっき部24などを有するセラミックパッケージである。なお、図12は、図10のA−A断面図である。このフラットパッケージ20は、複数のセラミック層が積層されている。
フラットパッケージ20は、+c側の面にキャビティ領域と呼ばれる凹部を有している。
チップマウント部21は、面発光レーザアレイチップ60が実装される部分であり、上記キャビティ領域の底面である。このチップマウント部21には、金属膜が設けられている。この金属膜は、ダイアタッチエリアとも呼ばれており、共通電極になっている。
面発光レーザアレイチップ60は、チップマウント部21のほぼ中央であって、上記金属膜上にAuSn等の半田材を用いてダイボンドされている(図8参照)。すなわち、面発光レーザアレイチップ60は、周囲が壁で囲まれているキャビティ領域の底面上に保持されている。
チップマウント部21からは、不図示の複数のリード端子が、フラットパッケージ20の外周に向かって放射状に伸びている。該複数のリード端子は、ボンディングワイヤによって、面発光レーザアレイチップ60の複数の端子と電気的に接続されている。なお、以下では、チップマウント部21が設けられているセラミック層を、「セラミック層A」ともいう。
PDマウント部22は、上記セラミック層Aの+c側に積層されているセラミック層(以下では、「セラミック層B」ともいう)に設けられている。
フォトダイオードPDは、PDマウント部22にダイボンドされている。フォトダイオードPDのアノード電極は、ボンディングワイヤによって上記リード端子と電気的に接続されている。フォトダイオードPDの裏面のカソードは、導電性接着剤を介してグラウンド(GND)と電気的に接続されている。すなわち、面発光レーザアレイチップ60とフォトダイオードPDは、異なるセラミック層上に保持されている。
複数の接続端子23は、面発光レーザアレイチップ60をプリント基板等と電気的に接続するための端子であり、キャステレーションとも呼ばれている。該複数の接続端子23は、上記複数のリード端子と個別に電気的に接続されている。
金めっき部24は、キャビティ領域を取り囲むように設けられている。この金めっき部24は、無電解めっきよりも緻密で密着性に優れた電気めっきにより形成されている。これにより、リッド40内部の気密性をより高めることができる。ここでは、金めっき部24のめっき厚は約1μmである。
フラットパッケージ20の外形は、一辺の長さC(図11参照)が約13mmの正方形である。また、フラットパッケージ20の厚さD(図11参照)は、約2mmである。
シールリング30は、一例として、図13〜図15に示されるように、金めっき部24の+c側に取り付けられている。なお、図14は図13の側面図であり、図15は図13のA−A断面図である。このシールリング30は、キャビティ領域を取り囲むように開口部が形成された略正方形状の金属部材である。
シールリング30は、フラットパッケージ20の材料であるセラミックと熱膨張率の近いコバールでできている。シールリング30の表面には金めっきが施されている。シールリング30は、銀ロウを用いて金めっき部24に固着されている。
リッド40は、一例として図16に示されるように、金属で形成されているリッド本体41、及びガラス板42を有している。リッド本体41は、図17(A)及び図17(B)に示されるように、c軸方向に延びる立ち上がり部41aと、立ち上がり部41aの−c側の端部に設けられたフランジ部41bと、立ち上がり部41aの+c側の端部に設けられた傾斜部41cとを有している。ここでは、一例として、図17(A)における符号Hを0.1mm、符号h1を2.5mm、符号h2を0.5mmとしている。
フランジ部41bは、シールリング30と接続される平坦状の部分である。傾斜部41cは、ガラス板42が取り付けられる部分である。
ガラス板42は、面発光レーザアレイチップ60における複数の発光部の配列中心(図9参照)に発光部があると仮定したときに、該発光部から射出されガラス板42で反射されてフォトダイオードPDで受光される光束の中心が、フォトダイオードPDの受光面の中心と略一致する(図18参照)ように、c軸方向に直交する面に対して、所定の角度だけ傾斜して傾斜部41cに取り付けられている。なお、ガラス板42は、リッド本体41の内側から、低融点ガラス43で傾斜部41cに固定される(図16参照)。
本実施形態では、ガラス板42の傾斜角は15°〜23°の範囲内にあることが重要である。
なお、以下では、面発光レーザアレイチップ60から射出されガラス板42で反射された光束を「モニタ用光束」ともいう。また、面発光レーザアレイチップ60から射出されガラス板42を透過した光束が、光デバイス10から射出される光束であり、対応する感光体ドラムを光走査するための「書き込み用光束」となる。
フォトダイオードPDは、受光面に入射した光束の光量に応じた大きさの電流をモニタ電流として生成する。
ところで、本実施形態のように、面発光レーザアレイチップとフォトダイオードとをパッケージ内の小さなキャビティ領域内に収容する場合、フォトダイオードは極力小さなサイズのものを選択する必要がある。そのような小さなフォトダイオードでは受光面も自ずと小さな面積となり、小さなモニタ電流しか生成されないということになる。フォトダイオードのモニタ電流があまりに小さいと、APC(Auto Power Control)が困難になる。
ここでAPCについて説明する。画像形成装置では、温度変化や経時変化に伴って走査用光束の光量が変化し、最終的に出力される画像(出力画像)に濃度むらが発生するおそれがある。そこで、これを抑制するため、通常、光走査装置では、光源から射出される光束の一部をモニタ用光束としてフォトダイオード等の光検出器で受光し、その結果に基づいて、光源の出力レベルを制御するAPCを実施している。
端面発光レーザを用いた光走査装置では、端面発光レーザから後方に射出される光をモニタし、APCを行っていた。しかしながら、面発光レーザではその構造上、後方への射出光が生じないため、面発光レーザを用いた光走査装置では、面発光レーザから射出された光束の一部を分岐させて光検出器に導き、その光検出器の出力に基づいてAPCを行うという方法が考えられた。
この方法の場合、あまり多くの光束を分岐させてフォトダイオードに導くと、書き込み用光束の光量が少なくなって好ましくない。従って、フォトダイオードへ分岐させる光束をできるだけ少なくしたいが、それでは光量が少なく、小さなフォトダイオードで生成されるモニタ電流では効率的で安定したAPCができない。また、光源の発光パワーは、所定の範囲内で変動し、最大値は最小値の5〜6倍となることが多く、小さなフォトダイオードを用いると光源が最小値の発光パワーで点灯されるときに精度良く制御するのが困難である。通常、APCを行うには少なくとも10μAのモニタ電流が必要とされている。
また、面発光レーザアレイチップのように複数の発光部を有していると、配列中心からの距離が大きい発光部が存在する。そして、該発光部から射出されガラス板42で反射されてフォトダイオードPDで受光される光束の中心は、フォトダイオードPDの受光面の中心とは一致しない(図19参照)。このとき、フォトダイオードで生成されるモニタ電流はさらに小さくなることが懸念される。
面発光レーザアレイチップ60の各発光部の構造が図20(A)及び図20(B)に示されている。ここでは、レーザ発振方向をz軸方向とし、z軸方向に垂直な面内における互いに直交する2つの方向をx軸方向及びy軸方向として説明する。
各発光部は、基板101、バッファ層102、下部半導体DBR103、下部スペーサ層104、活性層105、上部スペーサ層106、上部半導体DBR107、被選択酸化層108、コンタクト層109、保護層111、p側電極113、n側電極114、及びモードフィルタ(115A、115B)などを有している。
基板101は、表面が鏡面研磨面であり、図21(A)に示されるように、鏡面研磨面(主面)の法線方向が、結晶方位[1 0 0]方向に対して、結晶方位[1 1 1]A方向に向かって15度(θ=15度)傾斜したn−GaAs単結晶基板である。すなわち、基板101はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図21(B)に示されるように、結晶方位[0 −1 1]方向が+x方向、結晶方位[0 1 −1]方向が−x方向となるように配置されている。
図20(A)に戻り、バッファ層102は、基板101の+z側の面上に積層され、n−GaAsからなる層である。
下部半導体DBR103は、バッファ層102の+z側に積層され、n−AlAsからなる低屈折率層と、n−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを40.5ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ20nmの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、発振波長をλとするとλ/4の光学的厚さとなるように設定されている。なお、光学的厚さがλ/4のとき、その層の実際の厚さDは、D=λ/4n(但し、nはその層の媒質の屈折率)である。
下部スペーサ層104は、下部半導体DBR103の+z側に積層され、ノンドープの(Al0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。
活性層105は、下部スペーサ層104の+z側に積層され、GaInAsP/GaInPの3重量子井戸構造の活性層である。各量子井戸層は0.7%の圧縮歪みを誘起する組成であるGaInAsPからなり、各障壁層は0.6%の引張歪みを誘起する組成であるGaInPからなる。
上部スペーサ層106は、活性層105の+z側に積層され、ノンドープの(Al0.1Ga0.90.5In0.5Pからなる層である。
下部スペーサ層104と活性層105と上部スペーサ層106とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、その厚さが1波長の光学的厚さとなるように設定されている。なお、活性層105は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
上部半導体DBR107は、上部スペーサ層106の+z側に積層され、p−Al0.9Ga0.1Asからなる低屈折率層とp−Al0.3Ga0.7Asからなる高屈折率層のペアを24ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の1/2を含んで、λ/4の光学的厚さとなるように設定されている。
被選択酸化層108は、p−AlAsからなる厚さ30nmの層であり、上部半導体DBR107内に挿入されている。この被選択酸化層108の挿入位置は、電界の定在波分布において、活性層105から3番目となる節に対応する位置である。
被選択酸化層108は、製造工程の一つである水蒸気中での熱処理工程で、被選択酸化層108中のAl(アルミニウム)がメサの外周部から選択的に酸化され、メサの中央部に、Alの酸化物108aによって囲まれた酸化されていない領域108bが残留する。すなわち、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、いわゆる酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域108bが電流通過領域(電流注入領域)である。
コンタクト層109は、上部半導体DBR107の+z側に積層され、p−GaAsからなる層である。
保護層111は、SiNからなる層である。
p側電極113は、Cr/AuZn/Auからなる多層膜、もしくはTi/Pt/Auからなる多層膜である。このp側電極113で囲まれた領域が射出領域である。
n側電極114は、AuGe/Ni/Auからなる多層膜である。
モードフィルタ(115A、115B)は、コンタクト層109の+z側であって、射出領域内でその中心部から外れた部分に設けられ、該部分の反射率を中心部の反射率よりも低くする誘電体膜からなる。ここでは、モードフィルタ(115A、115B)は、SiNからなり、光学的厚さがλ/4である。
この発光部は、基本横モードの光出力を低下させることなく、高次横モードの発振を抑制するとともに、偏光方向がx軸方向の直線偏光を安定して射出することができる(例えば、特許文献3参照)。
ところで、面発光レーザは、基板表面に直交する方向に光を射出するものであり、基板表面に平行な方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザ素子(以下では、「端面発光レーザ素子」ともいう)よりも低価格、低消費電力、小型、2次元デバイスに好適、かつ高性能であることから、近年注目されている。
面発光レーザ素子の応用分野としては、プリンタにおける光書き込み系の光源(発振波長:780nm帯)、光ディスク装置における書き込み用光源(発振波長:780nm帯、850nm帯)、光ファイバを用いるLAN(Local Area Network)などの光伝送システムの光源(発振波長:1.3μm帯、1.5μm帯)が挙げられる。さらには、ボード間、ボード内、集積回路(LSI:Large Scale Integrated circuit)のチップ間、及び集積回路のチップ内の光伝送用光源としても期待されている。
これらの応用分野においては、面発光レーザ素子から射出される光(以下では、「射出光」ともいう)は、(1)断面形状が円形、(2)偏光方向が一定、であることが必要とされる場合が多い。
射出光の断面形状を円形とするには、高次横モードの発振を抑制することが必要であり、様々な試みがなされている(例えば、特許第3566902号公報参照)。
また、射出光の偏光方向を制御する様々な試みがなされている(例えば、特許第3955925号公報参照)。
さらに、高次横モードの発振制御と偏光方向の制御とを両立させることが検討された(例えば、特開2007−201398号公報及び特開2004−289033号公報参照)。
面発光レーザアレイチップ60における複数の発光部は、基本横モードで偏光方向が揃った直線偏光のレーザ光を射出することができる。
ところで、電場の振動方向が入射面に平行な直線偏光は「p偏光」と呼ばれ、電場の振動方向が入射面に直交する直線偏光は「s偏光」と呼ばれている。
そこで、図22に示されるように、面発光レーザアレイチップ60から射出される光束の偏光方向がa軸方向と平行になるように面発光レーザアレイチップ60が配置されると、フォトダイオードPDの受光面に対してモニタ用光束はp偏光となる。
そして、図23に示されるように、面発光レーザアレイチップ60から射出される光束の偏光方向がa軸方向に直交するように面発光レーザアレイチップ60が配置されると、フォトダイオードPDの受光面に対してモニタ用光束はs偏光となる。
図24には、ガラスに入射するp偏光及びs偏光について、フレネルの式を用いて計算した入射角と反射率との関係が示されている。なお、ガラスの屈折率は1.51、反射角を19°とした。これによると、「s偏光の反射強度」/「p偏光の反射強度」は約1.36であった。そこで、モニタ用光束がs偏光の場合は、モニタ用光束がp偏光の場合に比べ、フォトダイオードPDへの入射光量が約1.36倍になることが予想される。
次に、複数の発光部(v4、v5、v36、v37)について、図25(A)及び図25(B)に示されるように、ガラス板42がないときのレーザ光の光強度、及び反射膜が設けられていないガラス板42を透過したレーザ光の光強度をパワーメータ(HP 8153A)で実測した。なお、ガラス板42を透過したレーザ光の光強度は、モニタ用光束がs偏光の場合と、モニタ用光束がp偏光の場合とについて実測した。また、ガラス板42の傾斜角は19°、レーザ光の発光電流は2mAとし、同一条件での測定回数を2回とした。
そして、ガラス板42がないときのレーザ光の光強度とガラス板42を透過したレーザ光の光強度との差から、ガラス板42による光強度の減衰量を求め、該減衰量に基づいてガラス板42での反射率を算出した。
モニタ用光束がp偏光の場合についての測定結果が図26に示されている。また、モニタ用光束がs偏光の場合についての測定結果が図27に示されている。
これらの実測結果によると、ガラス板42では、「s偏光の反射率」/「p偏光の反射率」は、約1.24であった。そこで、モニタ用光束がs偏光となるように設定することで、フォトダイオードPDに入射する光量を、モニタ用光束がp偏光の場合の約1.24倍にできることがわかった。
ところで、ガラス板42の傾斜角が小さいと、フォトダイオードPDと面発光レーザアレイチップ60との中心間距離が短くなり、実装の際に干渉する恐れが生じる。例えば、面発光レーザアレイチップ60の複数の端子とフラットパッケージ20の複数のリード端子とをワイヤーボンディングする際に、フォトダイオードPDがキャピラリーに接触する不具合が多発する。
図28には、40個の発光部についてAPCを行ったときの発光パワーの最大値と最小値の差異(発光部間偏差)及び書き込み不良判定率とガラス板42の傾斜角との関係が示されている。これによると、ガラス板42の傾斜角が15°以下であれば、発光部間偏差が3%以上となる。なお、3%という発光部間偏差の値は、画質安定性を維持できる上限の値である。
図29は、図24の一部を拡大したものである。p偏光では入射角(=ガラス板42の傾斜角)が大きくなると反射率が低くなっていくが、s偏光では入射角が大きくなると反射率も大きくなることがわかる。
このように、モニタ用光束をp偏光ではなくs偏光にすることで、反射膜が設けられていないガラス板であっても充分な反射光を得ることが可能となった。そして、反射膜が設けられていないガラス板を使うことで、波長依存性がなくなり、コスト低下を図ることができる。特にガラス板は、コスト的に非常に有利な部材であり、発明者らの納入実績として70%までコストを下げることが可能となった。
このように、s偏光ではガラス板42の傾斜角が大きくなると反射率が大きくなることが確かめられた。しかしながら、図29に示されるように、ガラス板42の傾斜角が23°を超えると、反射率は、傾斜角が0°のときの1.2倍以上になってしまう。反射率があまりに大きいとガラス板42を透過するレーザ光の光量が低下してしまい、書き込みに必要なパワーの光を得ることができなくなってしまう。
また、ガラス板42の傾斜角が大きくなるとフォトダイオードPDへの入射角が大きくなり、そのため表面反射でのケラレが大きくなってフォトダイオードPDでのモニタ電流が不足してくる。ガラス板42の傾斜角が大きくなると、これらの相乗効果によって、書き込み不良と判定される許容基準値を超える率が1.5%を超えてしまうことになった。
ガラス板42での反射率があまりに小さいと、モニタ電流が小さくなるため、フォトダイオードPDの出力信号のS/Nが低下し、APCが困難になる。
そこで、更にフォトダイオード30へ導入する光量を上げたい場合は、反射層をガラス表面に形成しても構わない。ガラスだけよりも更に反射率を上げ、安定した反射率が期待できるのだが、その際はコストが上がってしまうことは勘案されるべきである。
ガラス板42は、一例として図31に示されるように、+c側の面に反射防止膜46が形成されている。これにより、面発光レーザアレイチップ60から射出された光を高い反射率で反射させて、フォトダイオードPDに入射させることができ、フォトダイオードPDにモニタ光として十分な光量の光を入射させることができる。また、反射防止膜46を設けることにより、+c側の面での界面反射を減らし、エタロン効果の影響を低減することができる。
また、反射防止膜46は、反射率が1%以下であることが好ましく、更には、0.5%以下であることが好ましい。
反射防止膜46は、ガラス板42の屈折率よりも低い屈折率を有する誘電体膜、または、所定の膜厚の高屈折率材料と低屈折率材料とが交互に積層された誘電体多層膜により構成されている。
本実施形態では、ガラス板42は、図32における領域Aに含まれる光の一部を反射させてフォトダイオードPDに入射させることができる。
なお、ガラス板42の−c側の面に反射膜を設ける場合、該反射膜は、所定の透過率で光を透過させる薄い金(Au)等からなる金属膜、あるいは、誘電体多層膜からなるミラーにより構成されている。該誘電体多層膜は、ミラーとしての機能を有するように、所定の厚さの高屈折率材料と低屈折率材料とが交互に積層されている。高屈折率材料としては、ZnS−SiO、TiO等が挙げられ、低屈折率材料としては、SiO等が挙げられる。
走査制御装置は、所定のタイミング毎に、フォトダイオードPDの出力信号に基づいて、各発光部のAPCを実施する。
ところで、面発光レーザ素子と受光素子とがパッケージ部材に実装され、p偏光のモニタ用光束をブリュースター角で受光素子に入射させる光デバイスが特許文献3に開示されている。これは、受光素子の表面での反射率を非常に小さくすることを目的としており、本実施形態の光デバイス10とは全く異なるものである。
以上説明したように、本実施形態に係る光走査装置2010は、4つの光源(2200a、2200b、2200c、2200d)、4つの偏向器前光学系、光偏向器2104、4つの走査光学系、及び走査制御装置などを備えている。
各光源は、面発光レーザアレイチップ60と、該面発光レーザアレイチップ60の発光光量をモニタするためのフォトダイオードPDと、面発光レーザアレイチップ60及びフォトダイオードPDがキャビティ領域に保持されているフラットパッケージ20と、面発光レーザアレイチップ60から射出された光束の一部をフォトダイオードPDに向けて反射するガラス板42を有するリッド40と、フラットパッケージ20とリッド40との間に設けられ、キャビティ領域を密閉するためのシールリング30とを備えた光デバイス10を有している。
面発光レーザアレイチップ60は、フォトダイオードPDに対してモニタ用光束がs偏光となるように配置されている。また、ガラス板42の傾斜角は15°〜23°の範囲内にあり、反射防止膜46の反射率は1%以下である。
この場合は、フォトダイオードPDを大きくすることなく、フォトダイオードPDのモニタ電流を大きくすることができる。
そこで、光走査装置2010は、高品質の潜像を安定して形成することができる。また、カラープリンタ2000は、光走査装置2010を備えているため、その結果として、高品質の画像を安定して形成することができる。
なお、上記実施形態では、発光部の発振波長が780nm帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
また、上記光デバイスは、画像形成装置以外の用途にも用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、650nm帯、850nm帯、980nm帯、1.3μm帯、1.5μm帯等の波長帯であっても良い。
また、上記実施形態では、画像形成装置としてカラープリンタの場合について説明したが、これに限定されるものではなく、単色のプリンタであっても良い。
また、上記実施形態では、トナー画像を記録紙に転写する画像形成装置について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、レーザ光によって発色する媒体(例えば、用紙)に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、CTスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
10…光デバイス、20…フラットパッケージ(パッケージ部材)、30…シールリング、40…リッド、41…リッド本体、41a…立ち上がり部、41b…フランジ部、41c…傾斜部、42…ガラス板(透明部材)、46…反射防止膜、60…面発光レーザアレイチップ(発光素子)、2000…カラープリンタ(画像形成装置)、2010…光走査装置、2030a〜2030d…感光体ドラム(像担持体)、2104…光偏向器、2105a〜2105d…走査レンズ(走査光学系の一部)、2200a〜2200d…光源、PD…フォトダイオード(受光素子)。
特開平11−260949号公報 特開2007−300031号公報 特開2011−233549号公報

Claims (7)

  1. 複数の発光部を有する発光素子と、
    前記発光素子から射出された光の光量をモニタするための受光素子と、
    前記発光素子から射出された光の一部を前記受光素子に向けて反射する透明部材とを備え、
    前記透明部材で反射された光は、前記受光素子に対してs偏光である光デバイス。
  2. 前記発光素子及び受光素子をキャビティ領域に保持するパッケージ部材と、
    前記透明部材を保持するリッドと、
    前記パッケージ部材と前記リッドとの間に設けられ、前記キャビティ領域を密閉するためのシールリングとを備えることを特徴とする請求項1に記載の光デバイス。
  3. 前記発光素子は、垂直共振器型の面発光レーザアレイチップであり、
    前記複数の発光部は、偏光方向が揃った直線偏光を射出することを特徴とする請求項1又は2に記載の光デバイス。
  4. 前記透明部材は、前記発光素子の光射出面に対して傾斜しており、その傾斜角は14°〜23°の範囲内であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の光デバイス。
  5. 前記透明部材は、該透明部材を透過した光が射出される面に反射防止膜が設けられていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の光デバイス。
  6. 光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
    請求項1〜5のいずれか一項に記載の光デバイスを有する光源と、
    前記光源からの光を偏向する光偏向器と、
    前記光偏向器により偏向された光を前記被走査面に導光する走査光学系とを備える光走査装置。
  7. 像担持体と、
    前記像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項6に記載の光走査装置とを備える画像形成装置。
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