JP2014135511A - 基板処理システム、基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させる。
【解決手段】塗布現像処理システムのインターフェイスステーション５は、ウェハを露光装置に搬入する前に少なくともウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００と、洗浄後のウェハの裏面について、当該ウェハの露光が可能かどうかを露光装置に搬入前に検査する検査ユニット１０１と、検査ユニット１０１で検査後のウェハを一時的に収容するバッファユニット１１１と、各ユニット１００、１０１、１１１の間で基板を搬送するアームを備えたウェハ搬送機構１２０、１３０を有している。
【選択図】図４

Description

本発明は、基板の処理を行う基板処理システム、基板処理システムにおける基板搬送方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体に関する。

例えば半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー工程では、ウェハ上にレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布処理、レジスト膜を所定のパターンに露光する露光処理、露光されたレジスト膜を現像する現像処理などの一連の処理が順次行われ、ウェハ上に所定のレジストパターンが形成されている。これらの一連の処理は、ウェハを処理する各種処理ユニットやウェハを搬送する搬送ユニットなどを搭載した基板処理システムである塗布現像処理システムで行われている。

例えば図１６に示すように塗布現像処理システム２００は、従来、外部からカセットＣを搬入出するためのカセットステーション２０１と、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理ユニットが正面と背面に設けられた処理ステーション２０２と、塗布現像処理システム２００の外部に隣接して設けられた露光装置Ａと処理ステーション２０２との間でウェハの受け渡しを行うインターフェイスステーション２０３を一体に備えている。

ところで近年、ウェハ上に形成される回路パターンの微細化がますます進行し、露光処理時のデフォーカスマージンがより厳しくなっている。それに伴い、露光装置Ａにはパーティクルを極力持ち込まないことが求められる。特に、ウェハ裏面のパーティクルが問題となってきている。そのため、インターフェイスステーション２０３には、露光装置Ａへのパーティクルの持ち込みを極力少なくするために、露光装置Ａに搬入される前のウェハの裏面を洗浄する洗浄ユニット２１０や、洗浄後のウェハを検査する検査ユニット２１１、各ユニット２１０、２１１間でウェハを受け渡すための多段に設けられた受け渡しユニット２１２や、ウェハ搬送装置２１３などが設けられることがある（特許文献１）。

特開２００８−１３５５８３号公報

ところで、上述の塗布現像処理システム２００では、検査ユニット２１１で異常有りと判定されるウェハが少ないほど塗布現像処理システム２００の歩留まりは向上する。

本発明者らが検証したところ、検査ユニット２１１で異常有りと判定されたウェハであっても、洗浄ユニット２１０で再度洗浄することで、露光装置Ａに搬入可能な状態になるものが多数含まれていることがわかった。

しかしながら、上述の特許文献１の塗布現像処理システム２００では、異常有りと判定されたウェハはカセットステーション２０１に回収されるため、歩留まりを向上させることができなかった。仮に、例えば検査ユニット２１１で異常有りと判定されたウェハを、洗浄ユニット２１０で再度洗浄したとしても、再洗浄中のウェハを追い越して次のウェハが露光装置Ａに搬送される場合がある。かかる場合、例えばロット単位で処理レシピに設定されているウェハの搬送スケジュールと異なった順序でウェハが露光装置Ａに搬送されるので、露光装置Ａがこのウェハを認識できず、搬送エラーが発生する可能性もある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させることを目的としている。

前記の目的を達成するため、本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、前記基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部と、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、を有することを特徴としている。

本発明によれば、検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部と、洗浄ユニットと検査ユニットとバッファ収容部との間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構を有しているので、例えば基板の状態が、現状では露光不可であるものの洗浄ユニットでの再洗浄により露光が可能になるものと判定された場合、再洗浄を行う次の基板をバッファ収容部で待機させることができる。したがって、次の基板をバッファ収容部で待機させる時間を調整することで、再洗浄となった基板との搬送順序が逆転することなく、予め定められた所定の順序で搬送できる。そのため本発明では、必要に応じて基板の再洗浄を行うことができるので、従来は露光不可と判断されていた基板であっても、基板処理を継続することができる。したがって、露光不可と判断された全ての基板について処理を途中で停止してカセットに回収していた従来の塗布現像処理システムと比較して、処理を途中で停止してカセットに回収される基板の数を低減できる。その結果、基板処理システムによる基板処理の歩留まりを向上させることができる。

前記バッファ収容部は、前記検査後の基板の検査結果が判明するまで当該検査後の基板を収容してもよい。

前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに搬送する第１の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに搬送し、さらに前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第２の搬送アームとを備えていてもよい。

前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに受け渡す第１の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに受け渡す第２の搬送アームと、前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第３の搬送アームとを備えていてもよい。

前記洗浄ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に設けられ、前記検査ユニットは、前記洗浄ユニットの反対の側に設けられ、前記バッファ収容部は、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間に設けられていてもよい。

前記洗浄ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に設けられ、前記検査ユニットは、前記洗浄ユニットの反対側に設けられ、前記バッファ収容部は、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間に、上下方向に多段に設けられ、前記第１の搬送アームは、前記洗浄ユニットと前記バッファ収容部との間に、上下方向に沿って移動自在に設けられ、前記第２の搬送アームは、前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間に、上下方向に沿って移動自在に設けられていてもよい。

前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整する温度調整機構を有していてもよい。

別な観点による本発明は、基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、前記インターフェイスステーションは、基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、少なくとも前記洗浄後の基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部と、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、を有し、前記洗浄ユニットで裏面を洗浄された前記基板が、前記基板搬送機構により前記検査ユニットに搬送され、その後、前記基板搬送機構により前記バッファ収容部に搬送され、前記検査ユニットでの検査結果が判明するまで収容されることを特徴としている。

さらに別な観点による本発明によれば、前記基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラムが提供される。

また別な観点による本発明によれば、前記プログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体が提供される。

本発明によれば、露光前に基板の裏面洗浄を行う機能を備えた基板処理システムにおいて、基板処理の歩留まりを向上させることができる。

本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの内部構成の概略を示す平面図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの正面側の内部構成の概略を示す説明図である。 本実施の形態にかかる塗布現像処理システムの背面側の内部構成の概略を示す説明図である。 本実施の形態にかかるインターフェイスステーションの構成の概略を示す説明図である。 洗浄ユニットの構成の概略を示す平面図である。 洗浄ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 洗浄ユニットにウェハを受け渡す様子を示す説明図である。 洗浄ユニットにウェハが受け渡された状態を示す説明図である。 洗浄ユニット内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。 洗浄ユニット内でウェハが水平方向に移動される様子を示す説明図である。 洗浄ユニットでウェハの周縁部が洗浄される様子を示した説明図である。 検査ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 脱水ユニットの構成の概略を示す平面図である。 脱水ユニットの構成の概略を示す縦断面図である。 塗布現像処理装置で行われるウェハ処理の主な工程を示すフロー図である。 従来の塗布現像処理システムの構成の概略を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について説明する。図１は、本実施の形態にかかる基板処理システムとしての塗布現像処理システム１の内部構成の概略を示す説明図である。図２及び図３は、各々塗布現像処理システム１の内部構成の概略を正面側及び背面側から示す説明図である。

塗布現像処理システム１は、図１に示すように例えば外部との間で、複数枚のウェハＷが収容されたカセットＣが搬入出されるカセットステーション２と、フォトリソグラフィー処理の中でウェハＷに所定の処理を施す処理ユニットを複数備えた処理ステーション３と、露光装置４との間でウェハＷの受け渡しを行うインターフェイスステーション５とを一体に接続した構成を有している。また、塗布現像処理システム１は、各種処理ユニットなどの制御を行う制御装置６を有している。

カセットステーション２は、例えばカセット搬入出部１０とウェハ搬送部１１により構成されている。カセット搬入出部１０は、例えば塗布現像処理システム１のＹ方向負方向（図１の左方向）側の端部に設けられている。カセット搬入出部１０には、カセット載置部としてのカセット載置台１２が設けられている。カセット載置台１２上には、カセット載置板１３が例えば４つ設けられている。カセット載置板１３は、水平方向のＸ方向（図１の上下方向）に一列に並べて設けられている。これらのカセット載置板１３には、塗布現像処理システム１の外部に対してカセットＣを搬入出する際に、カセットＣを載置することができる。

ウェハ搬送部１１には、図１に示すようにＸ方向に延びる搬送路２０上を移動自在なウェハ搬送装置２１が設けられている。ウェハ搬送装置２１は、上下方向及び鉛直軸周り（θ方向）にも移動自在であり、各カセット載置板１３上のカセットＣと、後述する処理ステーション３の第３のブロックＧ３の受け渡し装置との間でウェハＷを搬送できる。

カセットステーション２に隣接する処理ステーション３には、各種ユニットを備えた複数例えば４つのブロックＧ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４が設けられている。処理ステーション３の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第１のブロックＧ１が設けられ、処理ステーション３の背面側（図１のＸ方向正方向側）には、第２のブロックＧ２が設けられている。また、処理ステーション３のカセットステーション２側（図１のＹ方向負方向側）には、第３のブロックＧ３が設けられ、処理ステーション３のインターフェイスステーション５側（図１のＹ方向正方向側）には、第４のブロックＧ４が設けられている。

例えば第１のブロックＧ１には、図２に示すように複数の液処理ユニット、例えばウェハＷのレジスト膜の下層に反射防止膜（以下「下部反射防止膜」という）を形成する下部反射防止膜形成ユニット３０、ウェハＷにレジスト液を塗布してレジスト膜を形成するレジスト塗布ユニット３１、ウェハＷのレジスト膜の上層に反射防止膜（以下「上部反射防止膜」という）を形成する上部反射防止膜形成ユニット３２、ウェハＷを現像処理する現像処理ユニット３３が、下から順に４段に重ねられている。

これら第１のブロックＧ１の各ユニット３０〜３３は、処理時にウェハＷを収容するカップＦを水平方向に複数有し、複数のウェハＷを並行して処理することができる。

例えば第２のブロックＧ２には、図３に示すようにウェハＷの熱処理を行う熱処理ユニット４０や、ウェハＷを疎水化処理する疎水化処理装置としてのアドヒージョンユニット４１、ウェハＷの外周部を露光する周辺露光ユニット４２が上下方向と水平方向に並べて設けられている。熱処理ユニット４０は、ウェハＷを載置して加熱する熱板と、ウェハＷを載置して冷却する冷却板を有し、加熱処理と冷却処理の両方を行うことができる。なお、熱処理ユニット４０、アドヒージョンユニット４１及び周辺露光ユニット４２の数や配置は、任意に選択できる。

例えば第３のブロックＧ３には、複数の受け渡しユニット５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６が下から順に設けられている。また、第４のブロックＧ４には、複数の受け渡しユニット６０、６１、６２が下から順に設けられている。

図１に示すように第１のブロックＧ１〜第４のブロックＧ４に囲まれた領域には、ウェハ搬送領域Ｄが形成されている。ウェハ搬送領域Ｄには、例えばウェハ搬送装置７０が複数、例えば３台配置されている。各ウェハ搬送装置７０はそれぞれ同じ構造である。

ウェハ搬送装置７０は、例えばＹ方向、前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム７０ａを有している。搬送アーム７０ａは、ウェハ搬送領域Ｄ内を移動し、周囲の第１のブロックＧ１、第２のブロックＧ２、第３のブロックＧ３及び第４のブロックＧ４内の所定のユニットにウェハＷを搬送できる。ウェハ搬送装置７０は、例えば図３に示すように上下に複数台配置され、例えば各ブロックＧ１〜Ｇ４の同程度の高さの所定のユニットにウェハＷを搬送できる。

また、ウェハ搬送領域Ｄには、第３のブロックＧ３と第４のブロックＧ４との間で直線的にウェハＷを搬送するシャトル搬送装置８０が設けられている。

シャトル搬送装置８０は、例えば図３のＹ方向に直線的に移動自在になっている。シャトル搬送装置８０は、ウェハＷを支持した状態でＹ方向に移動し、第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５２と第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２との間でウェハＷを搬送できる。

図１に示すように第３のブロックＧ３のＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置９０が設けられている。ウェハ搬送装置９０は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム９０ａを有している。ウェハ搬送装置９０は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第３のブロックＧ３内の各受け渡しユニットに当該ウェハＷを搬送できる。

第４のブロックＧ４の例えばＸ方向正方向側には、ウェハ搬送装置８５が設けられている。ウェハ搬送装置８５は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在な搬送アーム８５ａを有している。ウェハ搬送装置８５は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、インターフェイスステーション５にウェハＷを搬送できる。

インターフェイスステーション５には、各種ユニットを備えた３つのブロックＧ５、Ｇ６、Ｇ７が設けられている。例えばインターフェイスステーション５の正面側（図１のＸ方向負方向側）には、第５のブロックＧ５が設けられている。第６のブロックＧ６は、例えばインターフェイスステーション５の背面側（図１のＸ方向正方向側）に設けられている。また、第７のブロックＧ７は、第５のブロックＧ５と第６のブロックＧ６の間の領域に設けられている。

例えば第５のブロックＧ５には、図４に示すように、ウェハＷを露光装置４に搬入する前にウェハＷの裏面を洗浄する洗浄ユニット１００が、例えば上下方向に４段重ねて設けられている。

第６のブロックＧ６には、洗浄ユニット１００で洗浄された後のウェハＷの裏面が、露光装置４で露光可能な状態かどうかを露光装置４に搬入する前に検査する検査ユニット１０１と、洗浄ユニット１００で洗浄した後のウェハＷに付着した水分を除去する脱水ユニット１０２が、下から上にこの順に２段ずつ重ねて設けられている。なお、図４は、カセットステーション２側からインターフェイスステーション５を見た場合の、インターフェイスステーション５の内部構成の概略を示す説明図である。

第７のブロックＧ７には、ウェハ搬送装置８５を介して処理ステーション３との間でウェハＷの受け渡しを行う受け渡しユニット１１０と、検査ユニット１０１で検査した後のウェハＷを一時的に収容する、バッファ収容部としてのバッファユニット１１１と、検査後のウェハＷを露光装置４に搬入する前に所定の温度に調整する温度調整機構としての温度調整ユニット１１２が上下方向に多段に重ねて設けられている。より具体的には、第７のブロックＧ７の上部には、受け渡しユニット１１０とバッファユニット１１１が上からこの順で交互に３段ずつ重ねて配置されている。第７のブロックＧ７の下部には、受け渡しユニット１１０と温度調整ユニット１１２が上からこの順で交互に２段ずつ重ねて配置されている。温度調整ユニット１１２は、ペルチェ素子などの温度調整部材を備えた温度調整板を有し、当該温度調整板に載置されたウェハＷを所定の温度、例えば常温に温度調整できる。

第５のブロックＧ５と第７のブロックＧ７との間であって、第５のブロックＧ５に隣接した領域には、基板搬送機構としてのウェハ搬送機構１２０が設けられている。ウェハ搬送機構１２０は複数の搬送アームとして、第1の搬送アーム１２１、第２の搬送アーム１２２を有している。各搬送アーム１２１、１２２は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより各搬送アーム１２１、１２２は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、各ブロックＧ５、Ｇ７の各ユニットの間でウェハＷを搬送できる。

第６のブロックＧ６と第７のブロックＧ７との間であって、第６のブロックに隣接した領域には、ウェハ搬送機構１３０が設けられている。ウェハ搬送機構１３０には、第３の搬送アーム１２３と、第４の搬送アーム１２４が設けられている。各搬送アーム１２３、１２４は、例えば前後方向、θ方向及び上下方向に移動自在に構成されている。これにより、各搬送アーム１２３、１２４は、ウェハＷを支持した状態で上下に移動して、第６のブロックＧ６の各ユニットの間、第６のブロックと第７のブロックＧ７との間及び第６のブロックＧ６と露光装置４との間でウェハＷを搬送できる。なお、図４では、ウェハ搬送機構１２０として、独立して移動する複数の搬送アーム１２１、１２２を描図しているが、例えば複数の搬送アームに代えて、１の搬送アームにウェハＷを保持するピンセットを複数、例えば２本設けたものを用いてもよい。ウェハ搬送機構１３０についても同様である。

ウェハ搬送機構１２０、１３０によるウェハＷの搬送は、図１に示した制御装置６の基板搬送制御部としてのウェハ搬送制御部１２５により制御される。ウェハ搬送制御部１２５は、第１の搬送アーム１２１により、洗浄ユニット１００と受け渡しユニット１１０との間でウェハＷを搬送し、第２の搬送アーム１２２により洗浄後のウェハＷを受け渡しユニット１１０に搬送するようにウェハ搬送機構１２０を制御する。また、ウェハ搬送制御部１２５は、第３の搬送アーム１２３により、洗浄ユニット１００で洗浄した後のウェハＷの受け渡しユニット１１０から脱水ユニット１０２への搬送、脱水ユニット１０２から検査ユニット１０１への搬送、検査ユニットからバッファユニット１１１への搬送、及びバッファユニット１１１から温度調整ユニット１１２への搬送を行うようにウェハ搬送機構１３０を制御する。

また、ウェハ搬送制御部１２５は、ウェハ搬送機構１３０の第４の搬送アーム１２４により、温度調整ユニット１１２と受け渡しユニット１１０と露光装置４との間でウェハＷを搬送するように制御する。なお、ウェハ搬送制御部１２５は、塗布現像処理システム１内の他のウェハ搬送装置の動作の制御も行っている。

次に、洗浄ユニット１００の構成について説明する。図５は洗浄ユニット１００の構成の概略を示す平面図、図６は洗浄ユニット１００の構成の概略を示す縦断面図である。

洗浄ユニット１００は、第１の搬送アーム１２１を介して搬送されたウェハＷを水平に吸着保持する２つの吸着パッド１４０、１４０と、この吸着パッド１４０から受け取ったウェハＷを水平に吸着保持するスピンチャック１４１と、ウェハＷの裏面を洗浄するブラシ１４２と、上面が開口した筐体１４３を有している。

図５に示されるように、２つの吸着パッド１４０、１４０は、ウェハＷ裏面の周縁部を保持できるように、平面視においてスピンチャック１４１を挟んで略平行に設けられている。各吸着パッド１４０、１４０は、駆動機構（図示せず）により水平方向及び上下方向に移動自在な枠体１４４によりその両端部を支持されている。

枠体１４４の上面には、上部カップ１４５が設けられている。上部カップ１４５の上面には、ウェハＷの直径より大きな径の開口部１４５ａが形成されており、この開口部１４５ａを介して第１の搬送アーム１２１と吸着パッド１４０との間でウェハＷの受け渡しが行われる。

図６に示すように、スピンチャック１４１はシャフト１５０を介して駆動機構１５１に接続されており、スピンチャック１４１は、この駆動機構１５１により回転及び昇降自在に構成されている。

スピンチャック１４１の周囲には昇降機構（図示せず）により昇降自在な昇降ピン１５２が設けられている。

ブラシ１４２は、例えば多数のプラスチック繊維を円柱状に束ねて構成されており、支持体１５３により支持されている。支持体１５３は、駆動機構１５４に接続されている。駆動機構１５４は筐体１４３に接続され、図５のＸ方向であって且つ筐体１４３に沿って水平方向に移動できる。したがって、駆動機構１５４をＸ方向に移動させることで、支持体１５３を介してブラシ１４２を図５のＸ方向に移動させることができる。ブラシ１４２は、支持体１５３に内蔵された駆動機構（図示せず）により回転自在に構成されており、その上面をウェハＷの裏面に押し付けた状態で回転させて当該ブラシ１４２をウェハＷの裏面で摺動させることにより、ウェハＷの裏面に付着したパーティクルを除去することができる。

また、支持体１５３の先端にはブラシで除去されたパーティクルを洗い流す洗浄液を供給する洗浄液ノズル１５３ａと、洗浄後にウェハＷの裏面に付着している洗浄液を乾燥させるための、例えば窒素等の気体を供給するパージノズル１５３ｂが設けられている。

筐体１４３の底部には、洗浄液を排出するドレン管１６０と、洗浄ユニット１００内に下方向の気流を形成し、且つ当該気流を排気する排気管１６１が設けられている。

次に、洗浄ユニット１００におけるウェハＷの洗浄について説明する。ウェハＷの洗浄にあたっては、先ず図７に示すように、第１の搬送アーム１２１によりウェハＷが上部カップ１４５の上方に搬送される。次いで、昇降ピン１５２が上昇して、ウェハＷが昇降ピン１５２に受け渡される。この際、吸着パッド１４０はその上面がブラシ１４２の上面よりも高い位置で待機し、スピンチャック１４１はブラシ１４２の上面より低い位置まで退避している。その後、昇降ピン１５２が下降して、図８に示されるように、ウェハＷが吸着パッド１４０に受け渡されて保持される。

次いで、図９に示されるように、吸着パッド１４０でウェハＷを吸着保持した状態で、例えばブラシ１４２がウェハＷ裏面の中央部に対応する領域に位置するように枠体１４４を水平方向に移動させる。その後、吸着パッド１４０を下降させ、ウェハＷの裏面がブラシ１４２の上面に押し当てられる。

次いで、洗浄液ノズル１５３ａから洗浄液を供給すると共にブラシ１４２を回転させて、ウェハＷ裏面の中央部が洗浄される。この際、支持体１５３が図５のＸ方向に往復動し、枠体１４４がＹ方向に往復動することで、ウェハＷ裏面の中央部が万遍なく洗浄される。

ウェハＷ裏面の中央部の洗浄が終わると、図１０に示すように、ウェハＷの中心とスピンチャック１４１の中心とが平面視において一致するように枠体１４４を水平方向に移動させる。次いで、スピンチャック１４１を上昇させて、ウェハＷが吸着パッド１４０からスピンチャック１４１に受け渡される。

その後、図１１に示すように、ウェハＷの裏面にブラシ１４２を押し当てた状態でウェハＷが回転されると共に、支持体１５３を介してブラシをＸ方向に摺動させることで、ウェハＷ裏面の周縁部が洗浄される。これにより、ウェハＷの裏面全体のパーティクルが除去される。

ウェハＷ裏面の洗浄が完了すると、ブラシ１４２の回転や洗浄液の供給を停止し、スピンチャック１４１を高速で回転させることで、ウェハＷ裏面に付着している洗浄液が振り切り乾燥される。この際、パージノズル１５３ｂによるパージも並行して行われる。

そして、乾燥が終了すると、洗浄ユニット１００に搬送された際とは逆の順序でウェハＷが第２の搬送アーム１２２に受け渡される。

次に、検査ユニット１０１の構成について説明する。図１２は、検査ユニット１０１の構成の概略を示す縦断面図である。

検査ユニット１０１は、筐体１７０を備え、筐体１７０の内部には、ウェハＷの少なくとも裏面を下方に向けて開放した状態で保持する保持アーム１７１と、保持アーム１７１に保持されたウェハＷの裏面に対してライン状の平行光線を照射する光源１７２と、ウェハＷの裏面に照射された光を撮像するカメラ１７３が設けられている。保持アーム１７１は、駆動機構（図示せず）により水平方向に移動自在に構成されている。

保持アーム１７１の先端部には、下方に突出した係止部１７１ａが形成され、また、保持アーム１７１の下面には、図示しない駆動機構によりウェハＷの直径方向に移動自在な可動保持部１７１ｂが設けられている。保持アーム１７１は、この係止部１７１ａと可動保持部１７１ｂにより、筐体１７０の開口部１７０ａを介して筐体１７０内に進入する第３の搬送アーム１２３から受け渡されるウェハＷを挟み込み、その裏面が下方を向いた状態でウェハＷを保持することができる。

光源１７２は保持アーム１７１の下方に、ウェハＷの裏面に対して所定の角度θで光線を照射するように配置されている。カメラ１７３は、ウェハＷの裏面に照射された光線の画像を撮像するように、保持アーム１７１の下方に、ウェハＷの裏面に対して光源１７２と同様所定の角度θ傾けた状態で配置されている。

光源１７２、カメラ１７３は図示しない回動機構により照射角度及び撮像角度が調整可能となっている。これにより、ある角度で照射した光線では観察できなかったパーティクルに対して、異なる角度で光線を照射して観察することができる。

検査ユニット１０１では、保持アーム１７１がウェハＷを保持した状態で水平方向に移動し、ウェハＷの裏面に照射された光線をカメラ１７３により連続的に撮像することでウェハＷの裏面の全体が撮像される。カメラ１７３で撮像された画像は制御装置６に入力され、制御装置６により当該ウェハＷの裏面の状態が、露光装置４での露光が可能かどうか判定される。なお、制御装置６では、例えばウェハＷの裏面に付着したパーティクルの数や付着した範囲、あるいはパーティクルの高さや大きさなどに基づいて当該ウェハＷの露光装置４での露光の可否が判定される。

次に、脱水ユニット１０２の構成について説明する。図１３は、脱水ユニット１０２の構成の概略を示す平面図であり、図１４は、脱水ユニット１０２の構成の概略を示す縦断面図である。

脱水ユニット１０２は、内部でウェハＷを脱水処理する処理容器１８０と、ウェハＷ裏面の外周部を保持する保持部材１８１と、保持部材１８１をシャフト１８２を介して上下方向に昇降させる昇降機構１８３を有している。

保持部材１８１は、例えば図１３に示すように、平面視において略円弧状に形成され、同心円状に複数、本実施の形態では同心円状に４つ設けられている。保持部材１８１は、図１４に示すように、略Ｕ字形状の断面形状である。保持部材１８１の外周側の上端部１８１ａは、内周側の上端部１８１ｂより高くなるように形成されている。これにより、保持部材１８１の外周側は、内周側の上端部１８１ｂでウェハＷを保持した際にウェハＷが脱落するのを防止するガイドとして機能する。

各保持部材１８１と第３の搬送アーム１２３との間のウェハＷの受け渡しにあたっては、例えば図１３に示すように、処理容器１８０のシャッタ１８０ａから第３の搬送アーム１２３を進入させ、当該第３の搬送アーム１２３で保持するウェハＷの中心部と複数の保持部材１８１により形成される円弧の中心とが一致するように第３の搬送アーム１２３を移動させる。次いで、その状態で、昇降機構１８３により保持部材１８１を上昇させる。これにより、搬送アーム１２３から保持部材１８１にウェハＷが受け渡される。その後、第３の搬送アーム１２３は、処理容器１８０の外部に退避する。なお、第３の搬送アーム１２３と保持部材１８１との間のウェハＷの受け渡しは、例えば第３の搬送アーム１２３を昇降動させて行ってもよい。

処理容器１８０の底部には、排気機構１８４に接続された排気管１８５と、処理容器１８０内に例えば窒素ガスを送りこんで処理容器１８０内をパージするパージ管１８６が設けられている。パージ管１８６には、窒素ガスを供給するガス供給源１８７が接続されている。

脱水ユニット１０２でウェハＷの脱水処理を行うにあたっては、先ず、第３の搬送アーム１２３により処理容器１８０内にウェハＷが搬入され、次いでこのウェハＷが保持部材１８１に受け渡される。その後、第３の搬送アーム１２３が処理容器１８０外に退避してシャッタ１８０ａが閉止される。次いで、排気機構１８４により処理容器１８０内が減圧される。これによりウェハＷに付着した水分が蒸発し、ウェハＷの脱水処理が行われる。

ウェハＷの脱水処理が終了すると、パージ管１８６により処理容器１８０内のパージと昇圧が行われる。その後、シャッタ１８０ａを開放し、第３の搬送アーム１２３によりウェハＷが検査ユニット１０１に搬送される。

制御装置６は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成されている。この制御装置６には、例えば塗布現像処理システム１の各種処理ユニットでのウェハ処理の内容や各ウェハＷの搬送ルートを定めた処理レシピが、プログラムとして例えばメモリに記憶されている。このプログラムを実行することによって、塗布現像処理システム１の各種処理ユニットの制御や上述したウェハ搬送制御部１２５によるウェハ搬送機構１２０及び各ウェハ搬送装置の動作を制御し、塗布現像処理システム１におけるウェハＷの各種処理や搬送制御を行う。なお、前記プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどのコンピュータで読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、その記憶媒体Ｈから制御装置６にインストールされたものであってもよい。

以上のように構成された塗布現像処理システム１では、例えば次のようなウェハ処理が行われる。図１５は、かかるウェハ処理の主な工程の例を示すフロー図である。

ウェハＷの処理にあたっては、先ず、複数枚のウェハＷを収容したカセットＣがカセット搬入出部１０の所定のカセット載置板１３に載置される。その後、ウェハ搬送装置２１によりカセットＣ内の各ウェハＷが順次取り出され、処理ステーション３の第３のブロックＧ３の例えば受け渡しユニット５３に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、温度調節される（図１５の工程Ｓ１）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって例えば第１のブロックＧ１の下部反射防止膜形成ユニット３０に搬送され、ウェハＷ上に下部反射防止膜が形成される（図１５の工程Ｓ２）。その後ウェハＷは、第２のブロックＧ２の熱処理ユニット４０に搬送され、加熱処理が行われる。その後第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５３に戻される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって同じ第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５４に搬送される。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第２のブロックＧ２のアドヒージョンユニット４１に搬送され、アドヒージョン処理される（図１５の工程Ｓ３）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によってレジスト塗布ユニット３１に搬送され、ウェハＷ上にレジスト膜が形成される。（図１５の工程Ｓ４）。

その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、プリベーク処理される（図１５の工程Ｓ５）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５５に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって上部反射防止膜形成ユニット３２に搬送され、ウェハＷ上に上部反射防止膜が形成される（図１５の工程Ｓ６）。その後ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送されて、加熱され、温度調節される。その後、ウェハＷは、周辺露光ユニット４２に搬送され、周辺露光処理される（図１５の工程Ｓ７）。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５６に搬送される。

次にウェハＷは、ウェハ搬送装置９０によって受け渡しユニット５２に搬送され、シャトル搬送装置８０によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６２に搬送される。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置８５によって第７のブロックＧ７の受け渡しユニット１１０に搬送される。次にウェハＷは、第１の搬送アーム１２１により洗浄ユニット１００に搬送され、ウェハＷの裏面が洗浄される（図１５の工程Ｓ８）。

裏面が洗浄されたウェハＷは、第２の搬送アーム１２２により第７のブロックの受け渡しユニット１１０に搬送される。次にウェハＷは第３の搬送アーム１２３により脱水ユニット１０２に搬送され、脱水処理される（図１５の工程Ｓ９）。

脱水処理されたウェハＷは、第３の搬送アーム１２３により検査ユニット１０１に搬送され、ウェハＷの裏面が検査される（図１５の工程Ｓ１０）。次にウェハＷは第３の搬送アーム１２３によりバッファユニット１１１に搬送され、検査ユニット１０１でのウェハＷの検査結果が判明するまで一時的に当該バッファユニット１１１に収容される。

検査ユニット１０１での検査結果が判明すると、ウェハ搬送制御部１２５は所定のルールに基づきウェハ搬送機構１２０を制御してウェハＷの搬送を行う。即ち、検査ユニット１０１での検査の結果、ウェハＷの状態が、露光装置４で露光可能と判定されれば、ウェハＷは第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送され、次いで第４の搬送アーム１２４により露光装置４に搬送される。また、検査の結果、ウェハＷの状態が、露光装置４で露光不可と判定されれば、当該ウェハＷの以後の処理を中止し、第３の搬送アーム１２３により受け渡しユニット１１０に搬送する。その後、以後の処理が中止されたウェハＷは、ウェハ搬送装置８５により処理ステーション３へ搬送されて、次いで所定のカセット載置板１３のカセットＣに回収される（図１５の工程Ｓ１１）。なお、露光不可と判定されたウェハＷを回収する際のルートとしては、例えばシャトル搬送装置８０を用いるルートであってもよいし、第１のブロックＧ１における現像処理ユニット３３の段を介して回収するルートであってもよい。現像処理ユニット３３の段を用いるのは、当該現像処理ユニット３３の段における露光後のウェハＷの搬送方向が、露光不可と判定されたウェハＷの搬送方向と同じく、露光装置４からカセットステーション２側向きであり、通常のウェハＷ搬送と干渉することなく露光不可なウェハＷを搬送できるためである。

また、検査の結果、ウェハＷの状態が、現状では露光できないものの、洗浄ユニット１００で再洗浄することで露光装置４での露光が可能なものであると判定されれば、ウェハＷを第３の搬送アーム１２３により受け渡しユニット１１０に受け渡し、第１の搬送アーム１２１により再度洗浄ユニット１００に搬送する。そして、洗浄ユニット１００で再度洗浄されたウェハＷは、再度検査ユニット１０１に搬送される。その後、検査ユニット１０１で露光可能と判定されると、ウェハＷは第３の搬送アーム１２３により温度調整ユニット１１２に搬送され、次いでウェハ搬送機構１３０により露光装置４に搬送されて露光処理される（図１５の工程Ｓ１２）。

露光処理されたウェハＷは第４の搬送アーム１２４により第７のブロックＧ７の受け渡しユニット１１０に搬送される。その後、ウェハＷはウェハ搬送装置８５によって第４のブロックＧ４の受け渡しユニット６０に搬送される。次いで、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、露光後ベーク処理される（図１５の工程Ｓ１３）。その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって現像処理ユニット３３に搬送され、現像処理される（図１５の工程Ｓ１４）。現像終了後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって熱処理ユニット４０に搬送され、ポストベーク処理される（図１５の工程Ｓ１５）。

その後、ウェハＷは、ウェハ搬送装置７０によって第３のブロックＧ３の受け渡しユニット５０に搬送され、その後カセットステーション２のウェハ搬送装置２１によって所定のカセット載置板１３のカセットＣに搬送される。こうして、一連のフォトリソグラフィー工程が終了する。

以上の実施の形態によれば、検査ユニット１０１で洗浄後のウェハＷを検査した結果、当該ウェハＷの状態が、現状では露光不可であるものの洗浄ユニット１００での再洗浄により露光が可能なものであると判定された場合、ウェハ搬送制御部１２５がウェハ搬送機構１２０を制御して、当該ウェハＷを再度洗浄ユニット１００に搬送している。この場合、露光不可と判断された全てのウェハＷについて以後の処理を中止してカセットＣに回収していた従来の塗布現像処理システム２００と比較して、以後の処理を中止してカセットＣに回収するウェハＷの数を低減できる。その結果、塗布現像処理システム１によるウェハＷ処理の歩留まりを向上させることができる。

特に、検査ユニット１０１で検査した後のウェハＷを一時的に収容するバッファユニット１１１が設けられているので、検査後のウェハＷを、検査ユニット１０１での検査結果が判明するまで当該バッファユニット１１１に待機させることができる。仮に、検査の結果が判明していない状態でウェハＷを搬送した場合、その後に判明する検査結果により搬送中のウェハＷの搬送先を変更する必要が生じ、ウェハＷの搬送に大きな影響をあたえるおそれがある。しかしながら、検査後のウェハＷを検査結果が判明するまでバッファユニット１１１に待機させることで、搬送先が確定してからウェハＷを搬送することができるので、そのような影響が生じることがない。

なお、検査ユニット１０１で検査した後のウェハＷをバッファユニット１１１に待機させる時間は、必ずしも当該ウェハＷの検査結果が判明するまでとする必要はなく、それ以上の時間待機させてもよい。例えば、バッファユニット１１１に複数の検査後のウェハＷが収容されているときに、最先に検査結果が判明するウェハＷの検査結果が、上述の「再洗浄」であった場合、このウェハＷが洗浄ユニット１００で再度洗浄される過程で、バッファユニット１１１に収容されている他のウェハＷの検査結果が判明する場合がある。かかる場合に、検査結果が判明した次のウェハＷを露光装置４側に搬送すると、当該ウェハＷは、再洗浄されるウェハＷを追い越して露光装置４に搬送されることとなる。その場合、例えばロット単位で処理レシピに設定されているウェハＷの搬送スケジュールと異なった順序でウェハＷが露光装置４に搬送されるので、露光装置４がこのウェハＷを認識できず、搬送エラーが発生する可能性がある。

したがって、上述のように任意のウェハＷが「再洗浄」と判定された場合には、当該ウェハＷの再洗浄後に再度検査ユニット１０１で検査し、再度バッファユニット１１１に収容後に再洗浄の検査結果が判明するまで、次のウェハＷをバッファユニット１１１で待機させておくことが好ましい。このように、バッファユニット１１１でウェハＷを待機させる時間を調整することで、「再洗浄」となった場合でもウェハＷを予め定められた所定の順序で搬送できる。なお、バッファユニット１１１は、複数のウェハＷを、例えば多段に収容できる構成であってもよい。かかる場合、例えばバッファユニット１１１内のウェハＷが露光不可と判定された際に、ウェハ搬送機構１２０によるウェハ搬送のスケジュールに影響を与えないタイミングとなるまで当該ウェハＷをバッファユニット１１１に収容しておくことで、搬送スケジュールに影響を与えることなくウェハＷを回収することが可能となる。また、例えばバッファユニット１１１に、露光可能と判定されたウェハＷを例えば複数枚待機させておくようにしてもよい。かかる場合、例えば「再洗浄」と判定されたウェハＷを再度洗浄する間に、待機させていた露光可能なウェハＷを露光装置４に搬送するようにすれば、常に露光装置４に搬送するウェハＷを確保できるので、露光装置４が待ち状態になることを防止できる。

以上の実施の形態では、洗浄後のウェハＷは各搬送アーム１２２、１２３、１２４により各ユニットへ搬送するので、洗浄後のウェハＷを搬送する各搬送アーム１２２、１２３、１２４が、ウェハＷの裏面に付着したパーティクルにより汚染されることを抑制できる。その結果、各搬送アーム１２２、１２３、１２４を清浄に保つことができ、洗浄後のウェハＷを搬送する際に、ウェハＷの裏面が各搬送アーム１２２、１２３、１２４に付着したパーティクルに汚染される可能性を低減できる。

なお、検査ユニット１０１による検査の結果、ウェハＷの状態が、例えば露光装置４での露光が不可と判定された場合、第２の搬送アーム１２２及び第３の搬送アーム１２３は、例えば裏面にパーティクルが付着した状態のウェハＷを搬送していたことになる。そうすると、ウェハＷに付着したパーティクルが各搬送アーム１２２、１２３に付着してしまい、次に搬送するウェハＷの裏面を汚染してしまうおそれがある。したがって、検査ユニット１０１での検査の結果、ウェハＷの状態が露光装置４での露光不可、または再洗浄により露光可能であると判定された場合、当該ウェハＷを搬送した後に、第２の搬送アーム１２２及び第３の搬送アーム１２３を洗浄してもよい。かかる第２の搬送アーム１２２の洗浄は、例えば洗浄ユニット１００で行ってもよい。かかる場合、洗浄ユニット１００のブラシ１４２を上下に反転自在に構成しておき、洗浄ユニット１００内に進入させた第2の搬送アーム１２２の上面を反転させたブラシ１４２により洗浄してもよい。また、洗浄ユニット１００とは別に、搬送アーム１２２の洗浄を行うアーム洗浄機構としての他の洗浄ユニットを第５のブロックＧ５または第７のブロックＧ７に設けてもよい。なお、第３の搬送アーム１２３の洗浄を行う場合には、第６のブロックＧ６または第７のブロックＧ７に他の洗浄ユニットを設けてもよい。また、バッファユニット１１１に搬送アーム１２２、１２３の洗浄機構を設けてもよい。

以上の実施の形態では、例えば塗布現像処理システム１の正面側に洗浄ユニット１００を配置し、背面側に検査ユニット１０１と脱水ユニット１０２を配置していたが、例えば洗浄ユニット１００と脱水ユニット１０２をインターフェイスステーション５の正面側、即ち第５のブロックＧ５に多段に設け、第６のブロックＧ６に検査ユニット１０１のみを設けるようにしてもよい。こうすることで、洗浄後のウェハＷと搬送アームとの接触回数を最小限にできる。即ち、洗浄ユニット１００と脱水ユニット１０２が正面側と背面側に分けて設けられている場合、洗浄ユニット１００から脱水ユニット１０２にウェハＷを搬送するには、先ず洗浄ユニット１００から受け渡しユニット１１０に搬送し、次いで受け渡しユニット１１０から脱水ユニット１０２に搬送する必要がある。この場合、洗浄後のウェハＷの裏面は、ウェハ搬送機構１２０、１３０の各搬送アーム１２２、１２３と最低１回ずつ接触する。それに対して、洗浄ユニット１００と脱水ユニット１０２を上下方向に配置すれば、受け渡しユニット１１０を介する必要がないので、ウェハＷとウェハ搬送機構１２０の第２の搬送アーム１２２との接触回数を１回に抑えることができる。その結果、ウェハＷの裏面がウェハ搬送機構１２０に付着したパーティクルにより汚染される可能性を、従来よりも低減できる。

また、洗浄ユニット１００と検査ユニット１０１をインターフェイスステーション５の正面側、即ち第５のブロックＧ５に多段に設け、第６のブロックＧ６に脱水ユニット１０２のみを設けるようにしてもよい。背面側に脱水ユニット１０２のみを配置することで、脱水ユニット１０２に付随して設けられる排気機構１８４や処理容器１８０といった大型で重量の大きい機器の設置場所を、背面側に確保することができる。

なお、以上の実施の形態では、インターフェイスステーション５に脱水ユニット１０２を設けていたが、本発明においては、必ずしも脱水ユニット１０２を設ける必要はなく、その設置の有無については、任意に選択できる。

また、ウェハ搬送機構１２０、１３０に複数の搬送アーム１２１、１２２、１２３、１２４を設けたことにより、各搬送アーム１２１、１２２、１２３、１２４による搬送工程数を均等化することができる。これにより、ウェハＷの搬送時間管理が容易となる。

以上の実施の形態では、温度調整ユニット１１２により露光装置４に搬送する前のウェハＷの温度調整を行ったが、例えば検査ユニット１０１内の雰囲気を所定の温度に調整する温調機構を検査ユニット１０１に設け、当該検査ユニット１０１でウェハＷを検査している間に当該ウェハＷの温度調整を行うようにしてもよい。こうすることで、温度調整ユニット１１２での処理時間や温度調整ユニット１１２への搬送時間を短縮できるので、塗布現像処理システム１のスループットを向上させることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。本発明は、基板がウェハ以外のＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）、フォトマスク用のマスクレチクルなどの他の基板である場合にも適用できる。

本発明は、例えば半導体ウェハ等の基板に対して処理を行う際に有用である。

１ 塗布現像処理システム
２ カセットステーション
３ 処理ステーション
４ 露光装置
５ インターフェイスステーション
６ 制御装置
１０ カセット搬入出部
１１ ウェハ搬送部
１２ カセット載置台
１３ カセット載置板
２０ 搬送路
２１ ウェハ搬送装置
３０ 下部反射防止膜形成ユニット
３１ レジスト塗布ユニット
３２ 上部反射防止膜形成ユニット
３３ 現像処理ユニット
４０ 熱処理ユニット
４１ アドヒージョンユニット
４２ 周辺露光ユニット
５０〜５６ 受け渡しユニット
６０〜６２ 受け渡しユニット
７０ ウェハ搬送装置
８５ ウェハ搬送装置
９０ ウェハ搬送装置
１００ 洗浄ユニット
１０１ 検査ユニット
１０２ 脱水ユニット
１１０ 受け渡しユニット
１１１ バッファユニット
１１２ 温度調整ユニット
１２０ ウェハ搬送機構
１２１ 第１の搬送アーム
１２２ 第２の搬送アーム
１２３ 第３の搬送アーム
１２５ ウェハ搬送制御部
１３０ ウェハ搬送装置
１４０ 吸着パッド
１４１ スピンチャック
１４２ ブラシ
１４３ 筐体
１４４ 枠体
１４５ 上部カップ
１４５ａ 開口部
１５０ シャフト
１５１ 駆動機構
１５２ 昇降ピン
１５３ 支持体
１５３ａ 洗浄液ノズル
１５３ｂ パージノズル
１５４ 駆動機構
１６０ ドレン管
１７０ 筐体
１７１ 保持アーム
１７２ 光源
１７３ カメラ
１８０ 処理容器
１８１ 保持部材
１８２ シャフト
１８３ 昇降機構
１８４ 排気機構
１８５ 排気管
１８６ パージ管
Ｃ カセット
Ｄ ウェハ搬送領域
Ｆ カップ
Ｗ ウェハ

Claims (10)

1. 基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムであって、
   前記インターフェイスステーションは、
   基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、
   前記基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、
   前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部と、
   前記洗浄ユニットと前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、を有することを特徴とする、基板処理システム。
2. 前記バッファ収容部は、前記検査後の基板の検査結果が判明するまで当該検査後の基板を収容することを特徴とする、請求項１に記載の基板処理システム。
3. 前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに搬送する第１の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに搬送し、さらに前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第２の搬送アームとを備えていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理システム。
4. 前記基板搬送機構は、前記インターフェイスステーションに搬入された基板を前記洗浄ユニットに搬送する第１の搬送アームと、前記洗浄ユニットで洗浄した後の基板を前記検査ユニットに搬送する第２の搬送アームと、前記検査ユニットで検査した後の基板を前記バッファ収容部に搬送する第３の搬送アームとを備えていることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の基板処理システム。
5. 前記洗浄ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に設けられ、
   前記検査ユニットは、前記洗浄ユニットの反対の側に設けられ、
   前記バッファ収容部は、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間に設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
6. 前記洗浄ユニットは、前記インターフェイスステーションの正面側または背面側のいずれかの側に設けられ、
   前記検査ユニットは、前記洗浄ユニットの反対側に設けられ、
   前記バッファ収容部は、前記洗浄ユニットと前記検査ユニットとの間に、上下方向に多段に設けられ、
   前記第１の搬送アームは、前記洗浄ユニットと前記バッファ収容部との間に、上下方向に沿って移動自在に設けられ、
   前記第２の搬送アームは、前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間に、上下方向に沿って移動自在に設けられていることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理システム。
7. 前記検査ユニットで検査された後であって且つ前記露光装置に搬入前の基板を所定の温度に調整する温度調整機構を有することを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理システム。
8. 基板を処理する複数の処理ユニットが設けられた処理ステーションと、前記処理ステーションと外部に設けられた露光装置との間で基板の受け渡しを行うインターフェイスステーションと、を備えた基板処理システムにおける基板の搬送方法であって、
   前記インターフェイスステーションは、
   基板を前記露光装置に搬入する前に少なくとも基板の裏面を洗浄する洗浄ユニットと、
   前記基板の裏面について、当該基板の露光が可能かどうかを前記露光装置に搬入する前に検査する検査ユニットと、
   前記検査ユニットで検査後の基板を一時的に収容するバッファ収容部と、
   前記洗浄ユニットと前記検査ユニットと前記バッファ収容部との間で基板を搬送するアームを備えた基板搬送機構と、を有し、
   前記洗浄ユニットで裏面を洗浄された前記基板が、前記基板搬送機構により前記検査ユニットに搬送され、その後、前記基板搬送機構により前記バッファ収容部に搬送され、前記検査ユニットでの検査結果が判明するまで収容されることを特徴とする、基板搬送方法。
9. 請求項８に記載の基板搬送方法を基板処理システムによって実行させるように、当該基板処理システムを制御する制御装置のコンピュータ上で動作するプログラム。
10. 請求項９に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
    

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