JP2014038661A - タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するための積層体 - Google Patents

Abstract

【課題】意匠性の良いタッチパネルセンサを提供する。
【解決手段】タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２上にパターニングされた透明導電体４０と、を備えている。このうち基材フィルム３２は、透明なフィルム本体３３と、フィルム本体３３上に設けられたアンダーコート層７１と、アンダーコート層７１上に設けられたアンカー層７３と、を有している。そして、アンカー層７３の光屈折率は、基材フィルム３２の第１アンダーコート層７１およびフィルム本体３３の光屈折率よりも小さくなっている。また、アンダーコート層７１は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体３３の光屈折率−０．０５〜フィルム本体３３の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている。
【選択図】図４

Description

本発明は、タッチパネルセンサ、およびタッチパネルセンサを作製するための積層体に関する。

今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置において、タッチパネルセンサは表示装置の表示面上に配置され、これにより、タッチパネル装置は表示装置に対する極めて直接的な入力を可能にする。タッチパネルセンサのうちの表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。

タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別され得る。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）することにより、新たに奇生容量が発生し、この静電容量の変化を利用して、タッチパネルセンサ上における対象物の位置を検出するようになっている。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体の両側に異なるパターンでそれぞれ形成された第１センサ電極および第２センサ電極と、を有している。典型的には、第１センサ電極および第２センサ電極は、格子状に配列された透明導電体を有し、外部導体（典型的には、指）がタッチパネルセンサに接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化に基づき、透明導電体の位置を検出するようになっている。

このような投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、一般に、第１透明基板に第１アンダーコート層を介して第１透明導電層が形成された第１フィルムと、第２透明基板に第２アンダーコート層を介して第２透明導電層が形成された第２フィルムとを粘着層により接合することで作製されている（例えば、特許文献２）。特許文献２において、各アンダーコート層は、低屈折率層と、低屈折率層よりも光屈折率が高い高屈折率層とを含む積層体から構成されている。

投影型容量結合方式のタッチパネルセンサにおいて、一般に、透明導電体の光屈折率は比較的に大きく、このため、タッチパネルセンサのうち透明導電体が配列されている領域と透明導電体が配列されていない領域との間における光の透過率および反射率の差が大きくなる場合がある。このように領域間における光の透過率および反射率の差が大きい場合、透明導電体のパターンがタッチパネルセンサの使用者から視認されることになり、意匠上の観点から好ましくない。このような課題を解決するため、例えば特許文献２においては、粘着層として用いる材料の光屈折率を適宜調整することにより、領域間における光の反射率の差が低減されたタッチパネルセンサが提案されている。

特表２００７−５３３０４４号公報 特開２００８−９８１６９号公報

ところで、昨今においては、タッチパネル装置およびタッチパネルセンサに対して、薄型化および光学特性の向上が要望されている。しかしながら、特許文献２に記載のタッチパネルセンサにおいては、二枚のフィルムセンサが貼り合わされるとともに、二枚のフィルムセンサ間に粘着層（ＯＣＡ、Ｏｐｔｉｃａｌ Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｉｏｎ Ａｄｈｅｓｉｖｅ）が介在されているため、タッチパネルセンサの厚みが厚くなるだけでなく、透過光に対して光学的作用を及ぼし得る界面の数を増やしてしまう。この結果、表示装置からの映像光の透過率を低下させてしまうとともに、表示装置が表示する映像の画質を劣化させてしまう。また、粘着層を多く用いることにより製造コストも増大する。

本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサ、並びに、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体を提供することを目的とする。

本発明によるタッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第１透明導電体と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンカー層と、を有し、第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第１アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっていることを特徴とするタッチパネルセンサである。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記フィルム本体がＰＥＴから形成されている。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第１アンカー層は、その厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっており、かつその光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている。

本発明によるタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層の前記第１透明導電層側の面上に設けられた第１アンカー層と、を有し、第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第１アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっていることを特徴とする積層体である。

本発明によるタッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第１透明導電体と、基材フィルムの他方の側の面上にパターニングされた第２透明導電体と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンカー層と、フィルム本体の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンダーコート層と、第２アンダーコート層の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンカー層と、を有し、第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第２透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第２アンカー層、第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第２アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第１アンダーコート層および第２アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっていることを特徴とするタッチパネルセンサである。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記フィルム本体がＰＥＴから形成されている。

本発明によるタッチパネルセンサにおいて、好ましくは、前記第１アンカー層および前記第２アンカー層は、その厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっており、かつその光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている。

本発明によるタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体は、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層と、基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第２透明導電層と、を備え、基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、第１アンダーコート層の前記第１透明導電層側の面上に設けられた第１アンカー層と、フィルム本体の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンダーコート層と、第２アンダーコート層の前記第２透明導電層側の面上に設けられた第２アンカー層と、を有し、第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第２透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第２アンカー層、第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第２アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、第１アンダーコート層および第２アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっていることを特徴とする積層体である。

本発明によれば、タッチパネルセンサは、基材フィルムと、基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第１透明導電体とを備えている。このうち基材フィルムは、透明なフィルム本体と、フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層とを有している。また、第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きくなっている。また、第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さくなっている。そして、第１アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている。このため、フィルムセンサのうち第１透明導電体がパターニングされている領域とパターニングされていない領域との間における光の透過率および反射率の差を小さくすることができる。このことにより、第１透明導電体のパターンがフィルムセンサの外部から視認されるのを防ぐことができ、これによって、フィルムセンサの意匠性を向上させることができる。

図１は、本発明による一実施の形態を説明するための図であって、タッチパネル装置を表示装置とともに概略的に示す図である。 図２は、図１のタッチパネル装置のタッチパネルセンサを表示装置ともに示す断面図である。なお、図２に示された断面は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面に概ね対応している。 図３Ａは、タッチパネル装置のタッチパネルセンサを示す上面図である。 図３Ｂは、図３ＡのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。 図４（ａ）は、タッチパネルセンサに含まれる基材フィルムの具体例を示す図であり、図４（ｂ）は、基材フィルムのアンカー層により透過光のスペクトルが各波長域で平坦にされる様子を示す図である。 図５（ａ）（ｂ）（ｃ）（ｄ）は、タッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体を製造する方法を説明するための図である。 図６Ａは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｂは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｃは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｄは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｅは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｆは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｇは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｈは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｉは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｊは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｋは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図６Ｌは、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するための図である。 図７は、図３のタッチパネルセンサを製造する方法を説明するためのフローチャートである。 図８は、図６Ｆに示された工程におけるエッチングの進行を説明するための図である。 図９Ａは、図６Ｉ（ａ）に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図９Ｂは、図６Ｊ（ａ）に対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、図６Ｃ（ａ）および図６Ｃ（ｂ）にそれぞれ対応する図であって、タッチパネルセンサの製造方法の一変形例を説明するための図である。 図１１は、図３に対応する図であって、透明導電体の変形例を説明するための図である。 図１２は、図３Ｂに対応する図であって、従来のタッチパネルセンサを示す断面図である。 図１３は、本発明によるタッチパネルセンサのフィルム本体、アンダーコート層およびアンカー層の屈折率の一例を示す図である。 図１４Ａは、実施例１における反射スペクトルを示す図である。 図１４Ｂは、実施例１における反射率差を示す図である。 図１５Ａは、実施例１における透過スペクトルを示す図である。 図１５Ｂは、実施例１における透過率差を示す図である。 図１６Ａは、実施例２において、アンダーコート層の厚みを変化させた場合の反射率差を示す図である。 図１６Ｂは、実施例２において、アンダーコート層の厚みを変化させた場合の透過率差を示す図である。 図１６Ｃは、実施例２において、アンダーコート層の厚みと、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。 図１７Ａは、実施例３において、アンダーコート層の厚みを変化させた場合の反射率差を示す図である。 図１７Ｂは、実施例３において、アンダーコート層の厚みを変化させた場合の透過率差を示す図である。 図１７Ｃは、実施例３において、アンダーコート層の厚みと、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。 図１８は、実施例４において、アンダーコート層の光屈折率の変位量と、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。 図１９は、実施例５において、アンダーコート層の光屈折率と、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。 図１９Ａは、実施例５における反射率差を、実施例１における反射率差とあわせて示す図である。 図１９Ｂは、実施例５における透過率差を、実施例１における透過率差とあわせて示す図である。 図２０Ａは、実施例６において、アンカー層の厚みを変化させた場合の反射率差を示す図である。 図２０Ｂは、実施例６において、アンカー層の厚みを変化させた場合の透過率差を示す図である。 図２０Ｃは、実施例６において、アンカー層の厚みと、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。 図２１は、実施例７において、アンカー層の光屈折率と、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊との関係を示す図である。

以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。

なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。

また、本件において、「シート」、「フィルム」、「板」の用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。したがって、例えば、「シート」はフィルムや板等とも呼ばれ得るような部材や部分も含む概念である。

タッチパネル装置
はじめに図１および図２を参照して、タッチパネル装置２０全体について説明する。図１および図２に示されたタッチパネル装置２０は、投影型の静電容量結合方式として構成され、タッチパネル装置２０への外部導体（例えば、人間の指）の接触位置を検出可能に構成されている。なお、静電容量結合方式のタッチパネル装置２０の検出感度が優れている場合には、外部導体がタッチパネル装置に接近しただけで当該外部導体がタッチパネル装置のどの領域に接近しているかを検出することができる。このような現象にともなって、ここで用いる「接触位置」とは、実際には接触していないが位置を検出され得る接近位置を含む概念とする。

図１および図２に示すように、タッチパネル装置２０は、表示装置（例えば液晶表示装置）１５とともに組み合わせられて用いられ、入出力装置１０を構成している。図示された表示装置１５は、フラットパネルディスプレイとして構成されている。表示装置１５は、表示面１６ａを有した表示パネル１６と、表示パネル１６に接続された表示制御部１７と、を有している。表示パネル１６は、映像を表示することができる表示領域Ａ１と、表示領域Ａ１を取り囲むようにして表示領域Ａ１の外側に配置された非表示領域（額縁領域とも呼ばれる）Ａ２と、を含んでいる。表示制御部１７は、表示されるべき映像に関する情報を処理し、映像情報に基づいて表示パネル１６を駆動する。表示パネル１６は、表示制御部１７の制御信号により、所定の映像を表示面１６ａに表示するようになる。すなわち、表示装置１５は、文字や図等の情報を映像として出力する出力装置として役割を担っている。

図１に示すように、タッチパネル装置２０は、表示装置１５の表示面１６ａ上に配置されたタッチパネルセンサ３０と、タッチパネルセンサ３０に接続された検出制御部２５と、を有している。このうちタッチパネルセンサ３０は、図２に示すように、表示装置１５の表示面１６ａ上に接着層１９を介して接着されている。上述したように、タッチパネル装置２０は、投影型容量結合方式のタッチパネル装置として構成されており、情報を入力する入力装置としての役割を担っている。

また、図２に示すように、タッチパネル装置２０は、タッチパネルセンサ３０の観察者側、すなわち、表示装置１５とは反対の側に、誘電体として機能する透光性を有した保護カバー１２をさらに有している。保護カバー１２は、タッチパネルセンサ３０上に接着層１４を介して接着されている。この保護カバー１２は、タッチパネル装置２０への入力面（タッチ面、接触面）として機能するようになる。つまり、保護カバー１２に導体、例えば人間の指５を接触させることにより、タッチパネル装置２０に対して外部から情報を入力することができるようになっている。また、保護カバー１２は、入出力装置１０の最観察者側面をなしており、入出力装置１０において、タッチパネル装置２０および表示装置１５を外部から保護するカバーとしも機能する。

なお、上述した接着層１４，１９としては、種々の接着性を有した材料からなる層を用いることができる。また、本明細書において、「接着（層）」は粘着（層）をも含む概念として用いる。

タッチパネル装置２０の検出制御部２５は、タッチパネルセンサ３０に接続され、保護カバー１２を介して入力された情報を処理する。具体的には、検出制御部２５は、保護カバー１２へ導体（典型的には、人間の指）５が接触している際に、保護カバー１２への導体５の接触位置を特定し得るように構成された回路（検出回路）を含んでいる。また、検出制御部２５は、表示装置１５の表示制御部１７と接続され、処理した入力情報を表示制御部１７へ送信することもできる。この際、表示制御部１７は、入力情報に基づいた映像情報を作成し、入力情報に対応した映像を表示パネル１６に表示させることができる。

なお、「容量結合」方式および「投影型」の容量結合方式との用語は、タッチパネルの技術分野で用いられる際の意味と同様の意味を有するものとして、本件においても用いている。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネル装置は導電体層を含んでおり、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルに接触することにより、外部の導体とタッチパネル装置の導電体層との間でコンデンサ（静電容量）が形成されるようになる。そして、このコンデンサの形成にともなった電気的な状態の変化に基づき、タッチパネル上において外部導体が接触している位置の位置座標が特定されるようになる。また、「投影型」の容量結合方式は、タッチパネルの技術分野において「投影式」の容量結合方式等とも呼ばれており、本件では、この「投影式」の容量結合方式等と同義の用語として取り扱う。「投影型」の容量結合方式とは、典型的には、格子状に配列されたセンサ電極を有し、膜状の電極を有する「表面型」の容量結合方式と対比され得る。

タッチパネルセンサ
次に図２乃至図４を参照して、タッチパネルセンサ３０について詳述する。図２に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面３２ａ上に所定のパターンで設けられた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側（表示装置１５の側）の面３２ｂ上に所定のパターンで設けられた第２透明導電体４５と、を有している。

このうち基材フィルム３２は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。図３Ａに示すように、基材フィルム３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１に隣接する非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。このうちアクティブエリアＡａ１は、図１に示すように、表示装置１５の表示領域Ａ１に対面する領域を占めており、一方、非アクティブエリアＡａ２は、矩形状のアクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲むように、言い換えると、額縁状に形成されている。この非アクティブエリアＡａ２は、表示装置１５の非表示領域Ａ２に対面する領域に形成されている。

前述のとおり、基材フィルム３２には第１透明導電体４０および第２透明導電体４５が設けられており、このうち基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に設けられた第１透明導電体４０および第２透明導電体４５により、外部導体５との間で容量結合を形成し得る第１センサ電極３６ａおよび第２センサ電極３７ａがそれぞれ形成されている（図３Ａ参照）。後述するように、基材フィルム３２、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５はそれぞれ透光性を有しており、このため観察者は、これらを介して、表示装置１５に表示された映像を観察することができる。

一方、図３Ａに示すように、基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２に設けられた第１透明導電体４０および第２透明導電体４５により、第１センサ電極３６ａおよび第２センサ電極３７ａとの電気的接続を有する第１取出配線３６ｂおよび第２取出配線３７ｂがそれぞれ形成されている。取出配線３６ｂ，３７ｂは、その一端においてセンサ電極３６ａ，３７ａに接続され、また、その他端において、外部導体５の表示面１６ａへの接触位置を検出するように構成された検出制御部２５の検出回路に電気的に接続されている。

なお図３Ａおよび図３Ｂに示すように、第１取出配線３６ｂは、第１透明導電体４０の一部分上に設けられた第１取出導電体４３を更に含んでいてもよい。同様に、第２取出配線３７ｂは、第２透明導電体４５の一部分上に設けられた第２取出導電体４８（後に図５（ｄ）にて示す）を更に含んでいてもよい。ここで、第１取出導電体４３の比抵抗は第１透明導電体４０の比抵抗よりも小さくなっており、また第２取出導電体４８の比抵抗は第２透明導電体４５の比抵抗よりも小さくなっている。このため、第１取出配線３６ｂおよび第２取出配線３７ｂが第１取出導電体４３および第２取出導電体４８を更に含むことにより、センサ電極３６ａ，３７ａからの電気信号をより効率良く検出制御部２５の検出回路に伝導させることができる。

また図３Ｂに示すように、第１取出配線３６ｂにおいて、第１透明導電体４０と第１取出導電体４３との間に第１中間層６１が介在されていてもよい。同様に、第２取出配線３７ｂにおいて、第２透明導電体４５と第２取出導電体４８との間に第２中間層６６（後に図５（ｄ）にて示す）が介在されていてもよい。さらに、図３Ｂに示すように、第１取出配線３６ｂにおいて、第１取出導電体４３上に第１保護層６２が設けられていてもよい。同様に、第２取出配線３７ｂにおいて、第２取出導電体４８上に第２保護層６７（後に図５（ｄ）にて示す）が設けられていてもよい。

次に、タッチパネルセンサ３０を構成する各要素についてさらに詳述する。

透明導電体
はじめに、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５について詳述する。第１透明導電体４０および第２透明導電体４５は、導電性を有した材料から形成され、外部導体５の保護カバー１２への接触位置を検出するように構成された検出制御部２５の検出回路に電気的に接続されている。第１透明導電体４０は、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に配置された多数の第１センサ部（第１センサ導電体、センサ電極）４１と、各第１センサ部４１にそれぞれ接続され基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２に配置された多数の第１接続部（第１端子導電体）４２と、を有している。同様に、第２透明導電体４５は、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１に配置された多数の第２センサ部（第２センサ導電体、センサ電極）４６と、各第２センサ部４６にそれぞれ接続され基材フィルム３２の非アクティブエリアＡａ２に配置された多数の第２接続部（第２端子導電体）４７と、を有している。

第１透明導電体４０の第１センサ部４１は、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面３２ａ上に所定のパターンで配置されている。また、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、基材フィルム３２の他方の側（表示装置１５の側）の面３２ｂ上に、第１透明導電体４０の第１センサ部４１のパターンとは異なる所定のパターンで配置されている。より具体的には、図３Ａに示すように、第１透明導電体４０の第１センサ部４１は、基材フィルム３２のフィルム面に沿った一方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。また、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、前記一方向と交差する基材フィルム３２のフィルム面に沿った他方向に並べて配列された線状導電体として構成されている。図３Ａに示すように、第１センサ部４１の配列方向である一方向と、第２センサ部４６の配列方向である他方向と、は基材フィルム３２のフィルム面上において直交している。

図３Ａに示すように、第１センサ部４１をなす線状導電体の各々は、その配列方向（前記一方向）と交差する方向に線状に延びている。同様に、第２センサ部４６をなす線状導電体の各々は、その配列方向（前記他方向）と交差する方向に線状に延びている。とりわけ図示する例において、第１センサ部４１は、その配列方向（前記一方向）と直交する方向（前記他方向）に沿って直線状に延びており、第２センサ部４６は、その配列方向（前記他方向）と直交する方向（前記一方向）に沿って直線状に延びている。

本実施の形態において、各第１センサ部４１は、直線状に延びるライン部４１ａと、ライン部４１ａから膨出した膨出部４１ｂと、を有している。図示する例において、ライン部４１ａは、第１センサ部４１の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。膨出部４１ｂは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４１ａから膨らみ出ている部分である。したがって、各第１センサ部４１の幅は、膨出部４１ｂが設けられている部分において太くなっている。図３Ａに示すように、本実施の形態において、各第１センサ部４１は、膨出部４１ｂにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。

第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６も、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１と同様に構成されている。すなわち、第２透明導電体４５に含まれる各第２センサ４６は、直線状に延びるライン部４６ａと、ライン部４６ａから膨出した膨出部４６ｂと、を有している。図示する例において、ライン部４６ａは、第２センサ部４６の配列方向と交差する方向に沿って直線状に延びている。膨出部４６ｂは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４６ａから膨らみ出ている部分である。したがって、各第２センサ部４６の幅は、膨出部４６ｂが設けられている部分において太くなっている。図３Ａに示すように、本実施の形態において、各第２センサ部４６は、膨出部４６ｂにおいて平面視略正方形形状の外輪郭を有するようになっている。

なお、図３Ａに示すように、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合（すなわち、平面視において）、第１透明導電体４０に含まれる各第１センサ部４１は、第２透明導電体４５に含まれる多数の第２センサ部４６と交差している。そして、図３Ａに示すように、第１透明導電体４０の膨出部４１ｂは、第１センサ部４１上において、隣り合う二つの第２センサ部４６との交差点の間に配置されている。同様に、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合、第２透明導電体４５に含まれる各第２センサ部４６は、第１透明導電体４０に含まれる多数の第１センサ部４１と交差している。そして、第２透明導電体４５の膨出部４６ｂも、第２センサ部４６上において、隣り合う二つの第１センサ部４１との交差点の間に配置されている。さらに、本実施の形態において、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６の膨出部４６ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。つまり、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１と第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６とは、各センサ部４１，４６のライン部４１ａ、４６ａのみにおいて交わっている。

上述したように、第１透明導電体４０は、このような第１センサ部４１に接続された第１接続部４２を有している。第１接続部４２は、第１センサ部４１の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一端または両端に設けられている。各第１接続部４２は、対応する第１センサ部４１の端部からそれぞれ線状に延び出している。同様に、第２透明導電体４５は、第２センサ部４６に接続された第２接続部４７を有している。第２接続部４７は、第２センサ部４６の各々に対し、接触位置の検出方法に応じて一端または両端に設けられている。各第２接続部４７は、対応する第２センサ部４６の端部からそれぞれ線状に延び出している。図３Ａに示すように、本実施の形態において、第１接続部４２は第１センサ部４１と同一の材料から一体的に形成され、第２接続部４７は第１センサ部４６と同一の材料から一体的に形成されている。

第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の材料としては、透明性および所要の導電性を有するものが用いられる。このような材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を挙げることができ、また、これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の形成方法は特には限定されず、スパッタリング法、真空蒸着法、イオンプレーティング法、ＣＶＤ法、塗工法、印刷法などを用いることができる。本実施の形態においては、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５が、スパッタリング法により形成されたＩＴＯからなる。

なおＩＴＯからなる透明導電体４０、４５の光屈折率は、光波長５５０ｎｍ付近において例えば１．９４となっている。光屈折率の算出方法は特には限定されないが、例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。また後述する基材フィルム３２の各層においても、当該各層の光波長５５０ｎｍ付近における光屈折率が例えばエリプソメーターを用いた測定から算出される。

ＩＴＯからなる透明導電体４０、４５の厚みは、好ましくは２０ｎｍ以下となっており、例えば各々１８ｎｍとなっている。膜厚が小さい場合、例えば４０ｎｍ以下の場合、一般に、透明導電体４０、４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０、４５に由来する光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。

透明導電体４０、４５とフィルム本体３３との間にアンダーコート層およびアンカー層（後述）が介在されていない場合、一般に、透明導電体４０、４５における光の反射率が小さいほど、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差も小さくなる。このため、透明導電体４０、４５の厚みをより小さくすることにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、透明導電体４０、４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

一方、透明導電体４０、４５とフィルム本体３３との間にアンダーコート層およびアンカー層を介在させると、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域における反射率と、透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域における反射率とが変化する。この際、アンダーコート層およびアンカー層を適切に設計することにより、透明導電体４０、４５がパターニングされている領域における反射率、または、透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域における反射率のうちどちらか一方をより大きく変化させることができる。これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができる。すなわち、アンダーコート層およびアンカー層を透明導電体４０、４５とフィルム本体３３との間に介在させることにより、薄膜干渉の効果が生じ、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。

本実施の形態においては、透明導電体４０、４５の厚みをより小さくすること、および、透明導電体４０、４５とフィルム本体３３との間にアンダーコート層およびアンカー層を介在させることにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることを意図している。

ところで、一般に、透明導電体４０、４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０、４５の電気抵抗は大きくなる。透明導電体４０、４５の電気抵抗が大きくなると、透明導電体４０、４５からなるセンサ電極３６ａ，３７ａから検出制御部２５の検出回路に送られる電気信号が阻害されることが考えられる。このため、透明導電体４０、４５の厚みを従来よりも小さくする場合、透明導電体４０、４５の電気抵抗が過大にならないよう、透明導電体４０、４５の材料として従来よりも比抵抗の小さい材料を用いることが好ましい。例えば、透明導電体４０、４５の比抵抗は４×１０^−６Ωｍ（２３℃、５５％ＲＨ）以下であることが好ましい。

取出導電体
次に、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８について詳述する。上述したように、第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の一部分上に第１中間層６１を介して配置されており、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の一部分上に第２中間層６６を介して配置されている。より具体的には、第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の第１接続部４２の一部分上に第１中間層６１を介して配置されており、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の第２接続部４７の一部分上に第２中間層６６を介して配置されている。すなわち、第１取出導電体４３は、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａにおいて、非アクティブエリアＡａ２に配置されており、第２取出導電体４８は、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂにおいて、非アクティブエリアＡａ２に配置されている。

図３Ａに示すように、第１透明導電体４０の第１接続部４２および第２透明導電体４５の第２接続部４７は線状に形成されている。そして、第１取出導電体４３は、線状に形成された第１接続部４２のうちの第１センサ部４１への接続箇所近傍の部分以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。同様に、第２取出導電体４８は、線状に形成された第２接続部４７のうちの第２センサ部４６への接続箇所近傍以外の部分上を、当該部分と同一のパターンで線状に延びている。

また、図３Ｂに示すように、第１取出導電体４３は、基材フィルム３２から離間して、第１透明導電体４０上に配置されている。すなわち、第１取出導電体４３は基材フィルム３２に接触していない。この結果、第１透明導電体４０の第１取出導電体４３によって覆われている部分は、基材フィルム３２と第１取出導電体４３との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第１取出導電体４３の幅が、当該第１取出導電体４３によって覆われている第１透明導電体４０の第１接続部４２の部分の幅と同一または若干狭くなっている。

同様に、図示は省略しているが、第２取出導電体４８も第１取出導電体４３と同様に構成されている。すなわち、第２取出導電体４８は、基材フィルム３２から離間して第２透明導電体４５上に配置されており、基材フィルム３２には接触していない。この結果、第２透明導電体４５の第２取出導電体４８によって覆われている部分は、基材フィルム３２と第２取出導電体４８との間で側方に露出している。とりわけ、本実施の形態においては、第２取出導電体４８の幅が、当該第２取出導電体４８によって覆われている第２透明導電体４５の第２接続部４７の部分の幅と同一または若干狭くなっている。

第１取出導電体４３は、第１透明導電体４０の第１センサ部４１からなる第１センサ電極３６ａを検出制御部２５へ接続させるための第１取出配線３６ｂを、第１透明導電体４０の第１接続部４２とともに構成している。また、第２取出導電体４８は、第２透明導電体４５の第２センサ部４６からなる第２センサ電極３７ａを検出制御部２５へ接続させるための第２取出配線３７ｂを、第２透明導電体４５の第２接続部４７とともに構成している。このような第１取出導電体４３および第２取出導電体４８は非アクティブエリアＡａ２に配置されていることから、透光性を有した材料から形成される必要はなく、高い導電性を有した金属などの材料から形成され得る。なお図３Ａに示すように、第１接続部４２と第１取出導電体４３とを含む第１取出配線３６ｂの幅は、第１センサ電極３６ａとの接続部分において第１センサ電極３６ａの幅よりも大きくなるよう形成されている。同様に、第２接続部４７と第２取出導電体４８とを含む第２取出配線３７ｂは、第２センサ電極３７ａとの接続部分において、その幅が第２センサ電極３７ａの幅よりも大きくなるよう形成されている。また図３Ａに示すように、取出配線３６ｂ，３７ｂのうち検出制御部２５との接続端子部３６ｃ，３７ｃの幅は、取出配線３６ｂ，３７ｂのその他の部分の幅よりも大きくなっている。

このような構成からなるタッチパネルセンサ３０においては、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７からなる取出配線３６ｂ，３７ｂは、図示しない外部接続配線を介し、検出制御部２５に接続されている。この場合、タッチパネルセンサ３０が撓む等して変形した場合であっても、以下に説明するように、取出導電体４３，４８および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極３６ａ，３７ａと検出制御部２５との間に安定した導通を確保することができる。

高い導電率を有した金属等からなる取出導電体４３，４８は、中間層６１，６６に対してある程度の密着力を有するが、樹脂やガラス等からなる基材フィルム３２に対しては低い密着力しか有さない。したがって、例えば図１２のように、高導電率導電体が樹脂やガラス等からなる基材に接触している場合、この接触位置が剥離の起点を形成し、二点鎖線で示すように基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。とりわけ、高導電率導電体が透明導電体を全体から被覆している場合には、高導電率導電体および透明導電体の全体としての剛性が高くなり、基材の変形に追従して変形しにくくなる。この点からも、基材が変形した際に、高導電率導電体が基材から剥離しやすくなる。

一方、本実施の形態によれば、取出導電体４３，４８が基材フィルム３２から離間しているので、取出導電体４３，４８の基材フィルム３２からの剥離の基点は形成され得ない。また、取出導電層４３，４８は、中間層６１，６６上に載置されているだけで、透明導電体４０，４５および中間層６１，６６を側方から被覆していない。したがって、透明導電体４０，４５は、基材フィルム３２の変形に追従して変形しやすくなっており、透明導電体４０，４５も基材フィルム３２から剥離し辛くなっている。これらにより、本実施の形態のタッチパネルセンサ３０によれば、タッチパネルセンサ３０が撓む等して変形したとしても、取出導電体４３，４８、中間層６１，６６および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７が互いに連結された状態に保たれ、センサ電極３６ａ，３７ａと検出制御部２５との間に安定した導通を確保することができる。

また、図３Ｂに示すように、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０において、取出導電体４３，４８は、中間層６１，６６および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７上に配置されているだけで、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７の側方まで延びていない。したがって、保護層６２，６７、取出導電体４３，４８、中間層６１，６６、および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７からなる取出配線３６ｂ，３７ｂ全体としての線幅を細くすることができる。これにより、同一の導電率の取出配線３６ｂ，３７ｂをより短ピッチで配置することが可能となり、取出配線３６ｂ，３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

次に、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８を形成する材料について詳述する。第１取出導電体４３および第２取出導電体４８は、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５をなす材料よりも高い導電率（電気伝導率）を有する材料から形成されている。具体的には、遮光性を有するとともに、ＩＴＯ等の透明導電体４０，４５よりも格段に高い導電率を有する、例えばアルミニウム、モリブデン、パラジウム、銀、クロム、銅等の金属、または、これらの金属を２種以上混合してなる合金、例えば銀合金を材料として形成されている。このうち銀合金は、一般に配線材料として用いられるクロムよりも比抵抗が小さく、第１取出導電体４３および第２取出導電体４８の材料として好ましい。このような銀合金の一例として、銀、パラジウム、銅を含んでなるＡＰＣ合金を挙げることができる。

ところで、銀合金とＩＴＯ等の透明導電体からなる透明導電体４０，４５との間の密着力は、一般的な配線材料であるクロムと透明導電体４０，４５との間の密着力よりも概して小さい。銀合金からなる取出導電体４３，４８と透明導電体４０，４５との間の密着力が小さい場合、取出配線３６ｂ，３７ｂに何らかの衝撃が加えられたときに、銀合金からなる取出導電体４３，４８が透明導電体４０，４５から剥離することが考えられる。このため、透明導電体４０，４５上に銀合金からなる取出導電体４３，４８を設ける場合、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に、透明導電体４０，４５および取出導電体４３，４８の各々に対してある程度の密着力を有するとともに、導電性を有する層を介在させることが好ましい。本実施の形態においては、上述のように、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に中間層６１，６６を介在させている。

中間層
次に、中間層６１，６６について詳述する。上述のとおり、中間層６１，６６は、透明導電体４０，４５および取出導電体４３，４８の各々に対してある程度の密着力を有するとともに、導電性を有している。

まず中間層６１，６６の密着力に関して説明する。第１中間層６１と第１透明導電体４０との間の密着力、および第１中間層６１と第１取出導電体４３との間の密着力は、第１透明導電体４０と第１取出導電体４３との間の密着力よりも大きくなっている。同様に、第２中間層６６と第２透明導電体４５との間の密着力、および第２中間層６６と第２取出導電体４８との間の密着力は、第２透明導電体４５と第２取出導電体４８との間の密着力よりも大きくなっている。ここで「密着力が大きい」とは、例えば、取出配線３６ｂ，３７ｂの上面に所定の粘着テープ（図示せず）を貼り、その後、この粘着テープを所定のスピードで剥がすとき、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に中間層６１，６６が介在されている場合は取出導電体４３，４８が剥離しないが、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に中間層６１，６６が介在されていない場合は取出導電体４３，４８が剥離することを意味している。

次に中間層６１，６６の導電性に関して説明する。取出配線３６ｂ，３７ｂにおいてセンサ電極３６ａ，３７ａからの電気信号を検出制御部２５の検出回路に伝導する役割は主に取出導電体４３，４８により果たされている。このため中間層６１，６６は、取出導電体４３，４８よりも優れた導電性を有する必要はなく、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間を低抵抗で電気的に接続する程度の導電性を有していればよい。このため、中間層６１，６６の比抵抗は、それぞれ取出導電体４３，４８の比抵抗よりも大きくなっている。また、中間層６１，６６の厚みは、それぞれ取出導電体４３，４８の厚みよりも小さくなっており、例えば取出導電体４３，４８の厚みが１５〜２５ｎｍの範囲内となっているとき、中間層６１，６６の厚みは４〜６ｎｍの範囲内となっている。

中間層６１，６６の材料としては、透明導電体４０，４５および取出導電体４３，４８に対する密着力が良好な材料であれば特に限定されないが、例えばモリブデン（Ｍｏ）合金などの金属が用いられる。Ｍｏ合金としては、例えばＭｏとニオブ（Ｎｂ）の合金であるＭｏＮｂを挙げることができる。

保護層
次に、第１取出導電体４３の上に設けられた第１保護層６２、および第２取出導電体４８の上に設けられた第２保護層６７について詳述する。保護層６２，６７は、取出導電体４３，４８が酸化するのを防ぐために設けられた層であり、耐酸化性、耐水性などを有する層である。保護層６２，６７の材料としては、適度な耐酸化性を有する材料であれば特に限定されないが、例えばＭｏ合金などの金属が用いられる。Ｍｏ合金としては、例えばＭｏとＮｂの合金であるＭｏＮｂを挙げることができる。保護層６２，６７の厚みは、例えば１０〜３０ｎｍの範囲内となっている。

基材フィルム
次に図４（ａ）（ｂ）を参照して、基材フィルム３２について詳述する。本実施の形態において、基材フィルム３２は、後述するように複数の層から構成されている。ここで、基材フィルム３２の各層は、接着層を介しての接合を用いることなく、例えばスパッタリングにより一体に形成されている。なお、基材フィルム３２の各層を形成する方法がスパッタリングに限られることはなく、各層の構成などに応じて、塗布などの方法を適宜用いることができる。

図４（ａ）は、アクティブエリアＡａ１における基材フィルム３２の断面を示す図である。図４（ａ）に示すように、基材フィルム３２は、透明なフィルム本体３３と、フィルム本体３３の第１透明導電体４０側（一方の側）の面３３ａ上に設けられた第１アンダーコート層７１と、第１アンダーコート層７１の第１透明導電体４０側（一方の側）の面７１ａ上に設けられた第１アンカー層７３と、フィルム本体３３の第２透明導電体４５側（他方の側）の面３３ｂ上に設けられた第２アンダーコート層７６と、第２アンダーコート層７６の第２透明導電体４５側（他方の側）の面７６ｂ上に設けられた第２アンカー層７８と、を有している。

以下、基材フィルム３２を構成する各層について詳述する。はじめにフィルム本体３３について詳述する。

（フィルム本体）
フィルム本体３３の材料としては、透明性の高い材料が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネイト（ＰＣ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリアミド（ＰＡ）、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、脂肪族環状ポリオレフィン、ノルボルネン系の熱可塑性透明樹脂などの可撓性フィルムを挙げることができる。本実施の形態においては、フィルム本体３３が、１．６６の光屈折率を有するＰＥＴから形成されている。ＰＥＴからなるフィルム本体３３の厚みは特に限定されないが、例えば５０〜２００μｍの範囲内となっている。

（アンダーコート層）
次に第１アンダーコート層７１および第２アンダーコート層７６について詳述する。アンダーコート層７１，７６は、フィルム本体３３中に発生する低分子重合体（オリゴマー）がアンカー層７３，７８側に入り込むのを防ぐための層であり、例えばアクリル樹脂から形成されている。アンダーコート層７１，７６の光屈折率は、フィルム本体３３の光屈折率とほぼ同一か、若しくはフィルム本体３３の光屈折率よりも若干大きくなっており、例えば１．７１となっている。アンダーコート層７１，７６の厚みは例えば３０００ｎｍとなっている。

また、このようなアンダーコート層７１，７６をフィルム本体３３上に設けることにより、後述するように薄膜干渉を生じさせることができ、これによって、光の反射および透過スペクトルの周期的な乱れ（ハンチング）を適度に生じさせることができる。このことにより、後述するように、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と設けられていない領域との間における、光の反射率および透過率の差を低減することができる。

フィルム本体３３のオリゴマーは、一般に、後述する透明導電体４０、４５の形成工程において基材フィルム３２を加熱する際に発生する。

（アンカー層）
次に第１アンカー層７３および第２アンカー層７８について詳述する。はじめに、第１アンカー層７３および第２アンカー層７８を設ける目的について説明する。

（アンカー層の目的）
上述のように、アンダーコート層７１，７６をフィルム本体３３上に設けることにより薄膜干渉が生じ、これによって、光の反射および透過スペクトルの周期的な乱れ（ハンチング）が生じる。アンカー層７３，７８は、このようなハンチングの特性を制御するために設けられる層である。

アンカー層７３，７８の光屈折率は、フィルム本体３３およびアンダーコート層７１，７６の光屈折率よりも小さくなっている。このようなアンカー層７３，７８をフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間に設けることにより、光の反射および透過スペクトルのハンチングを制御することができ、これによって、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率（図４（ａ）において矢印（１），（３）で示す領域における光の反射率）と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率（図４（ａ）において矢印（２），（４）で示す領域における光の反射率）と、の差を小さくすることができる。同様に、アンカー層７３，７８を設けることにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過率と、の差を小さくすることもできる。

また上述のアンカー層７３，７８を設けることにより、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができる。図４（ｂ）において左側に示すスペクトルは、アンカー層７３，７８が設けられていない場合の透過光のスペクトルであり、図４（ｂ）において右側に示すスペクトルは、アンカー層７３，７８が設けられている場合の透過光のスペクトルである。図４（ｂ）に示すように、フィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間にアンカー層７３，７８を設けることにより、各波長域で均一な透過率を実現することが可能となる。このようにして、透過光において黄色の成分のみが過大となるのを防ぐことができ、この場合、透過光をＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で表したときのｂ＊の絶対値は例えば１．５以下となっている。

次に上述のアンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８を設計する方法について説明する。はじめに、タッチパネルセンサ３０における光学特性の目標を決定する。例えば、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率と、の差がそれぞれ１％以下であって、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のｂ＊の絶対値が１．５以下であることを光学特性の目標とする。

なお、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系において、Ｌ＊は明度を表し、ａ＊，ｂ＊は色相と彩度を表す量である。ａ＊およびｂ＊に関しては、その絶対値が小さい値領域にて、無彩色に近い色相となる。ｂ＊が＋１．５を超える領域では透過色が黄色味を帯びる様になり、またー１．５未満の領域では透過色が青味を帯びる様になる。これらの領域では、表示装置１５のカラー表示に透明導体４０、４５の透過色が悪影響を与える。従って、ｂ＊の絶対値が１．５以下である無彩色の領域の値を示す必要がある。

次に、基材フィルム３２の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体４０，４５の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより反射率、透過率およびｂ＊の値を求める。そして、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８の厚みと光屈折率とを可変のパラメータとして、上述の光学特性の目標を達成するパラメータを探索する。これによって、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８の厚みおよび光屈折率の適切な範囲を算出し、このようにして、目標とする光学特性を得ることができるアンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８を設計する。なおシミュレーション用のツールとしては、例えばサイバネットシステムズ（株）製の薄膜設計ソフトウェア（ＯＰＴＡＳ−ＦＩＬＭ）を用いることができる。

なお、本件発明者らが実験を重ねたところ、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８の設計において、フィルム本体３３の光屈折率と、アンダーコート層７１，７６の光屈折率との差を考慮すること、および、アンダーコート層７１，７６の光屈折率と、アンカー層７３，７８の光屈折率との差を考慮することが重要であることが知見された。より具体的に言えば、後述する実施例での実験結果で支持されているように、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内においてほぼ一律に、アンダーコート層７１，７６の光屈折率をフィルム本体３３の光屈折率から約＋０．０５とするとともに、アンカー層７３，７８の光屈折率をアンダーコート層７１，７６の光屈折率から約−０．２５とするのが重要であることが知見された。例えば、上述の目標とする光学特性を得ることができる基材フィルム３２および透明導電体４０，４５は、以下の表１に示す構成となっている。

次にアンカー層７３，７８の材料について詳述する。アンカー層７３，７８の材料としては、目標とする光学特性を達成することのできる光屈折率を有する材料であれば特に限定されず、例えば１．４６の光屈折率を有する二酸化珪素（ＳｉＯ_２）が用いられる。

次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を図７に示すフローチャートにしたがって製造していく方法について、図５および図６Ａ〜図６Ｌを参照しながら説明する。なお、図６Ａ〜図６Ｌの各図において、図（ａ）は、作製中のタッチパネルセンサ（積層体）を、図３ＡにおけるＶ−Ｖ線に沿った断面に対応する断面において示している。また、図６Ａ〜図６Ｌの各図において、図（ｂ）は、作製中のタッチパネルセンサ（積層体）を、一方の側（各図（ａ）の紙面における上側）から示す上面図である。

はじめに、図５を参照して、タッチパネルセンサ３０を作製するための元材としての積層体（ブランクスとも呼ばれる）５０を形成する工程（図７における工程Ｓ１）について説明する。後述するように、この積層体５０に成膜やパターニング等の処理（加工）を行っていくことにより、タッチパネルセンサ３０が得られるようになる。

積層体の形成工程
はじめに、フィルム本体３３を準備し、次に、フィルム本体３３の一方の側の面３３ａおよび他方の側の面３３ｂにそれぞれ第１アンダーコート層７１および第２アンダーコート層７６を形成する（図５（ａ）参照）。アンダーコート層７１，７６は、例えばコーティングにより形成される。この場合、フィルム本体３３とアンダーコート層７１，７６とが一体になっていてもよい。

次に図５（ｂ）に示すように、第１アンダーコート層７１の一方の側の面７１ａに第１アンカー層７３を形成し、第２アンダーコート層７６の他方の側の面７６ｂに第２アンカー層７８を形成する。アンカー層７３，７８は、例えばスパッタリングにより形成される。このようにして、フィルム本体３３と、アンダーコート層７１，７６と、アンカー層７３，７８とを有する基材フィルム３２が形成される。

（透明導電層の成膜工程）
次に図５（ｃ）を参照して、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａに第１透明導電層５２ａを形成し、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂに第２透明導電層５２ｂを形成する工程について説明する。ここで第１透明導電層５２ａ、第２透明導電層５２ｂはそれぞれ、後述するパターニングを行うことによって、透光性を有する第１透明導電体４０および第２透明導電体４５となる層である。第１透明導電層５２ａ、第２透明導電層５２ｂとしては、透光性および導電性を有する材料が用いられ、例えばＩＴＯが用いられる。ＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂは、例えばスパッタリングにより基材フィルム３２上に形成される。

（従来の課題）
ところで、ＩＴＯを基材フィルム３２にスパッタリングにより形成する際、従来は、まず常温に保持されている基材フィルム３２上にスパッタリングによりＩＴＯが形成される。その後、ＩＴＯが形成された基材フィルム３２が、ＩＴＯの結晶化温度よりも高い温度まで加熱される（アニール処理）。このように、ＩＴＯが形成された基材フィルム３２にアニール処理を施すことにより、ＩＴＯの結晶化を促進し、これによって、ＩＴＯの比抵抗の低減が図られている。

しかしながら、ＰＥＴからなるフィルム本体を有する基材フィルム３２の耐熱性は、ガラス基板などに比べて一般に低く、このため、基材フィルム３２およびＩＴＯを高温、例えば２００℃以上でアニール処理することは困難である。このため、ＩＴＯの基材としてフィルム状の基材フィルム３２が用いられる場合、スパッタリング後のアニール処理の温度は一般に１４０℃程度である。この場合、ＩＴＯの結晶化を十分に進行させることができず、このためＩＴＯの比抵抗を十分に下げることができない。従って、タッチパネルセンサ３０の透明導電体４０，４５の電気抵抗を十分に小さくするためには、透明導電体４０，４５の厚みを大きくする必要がある。しかしながら前述のように、透明導電体４０，４５の厚みが大きくなると、透明導電体４０，４５における光の反射率が大きくなり、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０、４５が設けられていない領域との間における光の反射率および透過率の差が大きくなることが考えられる。

（本実施の形態）
上述のような課題を解決するため、本実施の形態においては、ＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂをスパッタリングにより基材フィルム３２上に形成する際、基材フィルム３２の温度が１４０〜１７０℃の範囲内に保持されている。この場合、ＩＴＯを構成する元素の原子（分子）がスパッタリングにより基材フィルム３２上に到達する際、各原子（分子）がスパッタリングによる大きな運動エネルギーを有するとともに、各原子（分子）には基材フィルム３２から熱エネルギーが供給されることになる。このように基材フィルム３２上に到達した各原子（分子）が従来よりも大きなエネルギーを有するため、基材フィルム３２上におけるＩＴＯの結晶化を促進することができ、これによって、結晶化率の高いＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂを基材フィルム３２上に形成することができる。このことにより、形成される透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）の比抵抗を小さくすることができ、例えば４×１０^−６Ωｍ（２３℃、５５％ＲＨ）以下にすることができる。これによって、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）の厚みを小さくした場合であっても、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）の電気抵抗を十分に小さくすることができる。

このように本実施の形態によれば、ＩＴＯからなる透明導電層５２ａ，５２ｂをスパッタリングにより基材フィルム３２上に形成する際、基材フィルム３２の温度を１４０〜１７０℃の範囲内に保持することにより、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）の厚みを小さくすることができる。

前述のとおり、膜厚が小さい場合、例えば４０ｎｍ以下の場合、一般に、透明導電体４０、４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０、４５に由来する光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。これによって、透明導電体４０，４５における光の反射率を従来よりも小さくすることができる。このことにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。

また本実施の形態によれば、透明導電体４０、４５とフィルム本体３３との間に、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８が介在されている。このため、薄膜干渉の効果を生じさせるとともに、薄膜干渉の波長依存性を適宜制御することにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率および透過率の差をより小さくすることができる。

このようにして透明導電層５２ａ，５２ｂを基材フィルム３２上に形成することにより、図５（ｃ）に示すように、基材フィルム３２と透明導電層５２ａ，５２ｂとを含む中間積層体８０が得られる。なお、好ましくは、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０、４５）は、錫を２〜４重量％含むＩＴＯからなる。このような組成のＩＴＯを用いることにより、ＩＴＯの結晶化をより促進することができ、これによって、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）の厚みをより小さくすることが可能となる。

次に図５（ｄ）に示すように、中間積層体８０の一方の側の面８０ａに第１遮光導電層５４ａを形成し、透明導電層付フィルム８０の他方の側の面８０ｂに第２遮光導電層５４ｂを形成する。このうち第１遮光導電層５４ａは、第１中間層６１と第１取出導電体４３と第１保護層６２とを含んでおり、各々スパッタリングにより形成される。また第２遮光導電層５４ａは、第２中間層６６と第２取出導電体４８と第２保護層６７とを含んでおり、各々スパッタリングにより形成される。このようにして、タッチパネルセンサ３０を作製するために用いられる積層体５０であって、基材フィルム３２と透明導電層５２ａ，５２ｂと遮光導電層５４ａ，５４ｂとを含む積層体５０が形成される。

ここで、第１遮光導電層５４ａおよび第２遮光導電層５４ｂは、後述する感光層５６ａ，５６ｂの露光に用いられる光に対する遮光性を有する層、つまり、当該露光光を透過させない性質を有する層である。ただし、本実施の形態においては、感光層５６ａ，５６ｂの露光光に対してのみでなくその他の波長域の光に対する遮光性を有した層、より具体的には、自然光に含まれ得る可視光、紫外線、赤外線等に対する遮光性を有した層として形成されている。このような層を遮光導電層５４ａ，５４ｂとして用いれば、より確実に露光光を遮光することを期待することができる。

なお、積層体５０は枚葉状の積層体５０として準備されてもよいし、あるいは、細長いウェブ状の積層体５０、例えばロールに巻き取られた積層体５０が準備されてもよい。ただし、生産効率を考慮すると、異なる場所で作製されるとともにロールに巻き取られた積層体５０が準備され、ロール状の積層体５０を巻き戻していくことによってウェブ状の積層体５０が供給されていき、以下に説明する各工程が供給されていくウェブ状の積層体５０に対して施されていくことが好ましい。あるいは、基材フィルム３２を巻き取ったロールから当該基材フィルム３２が繰り出されていき、又は、基材フィルム３２並びに第１および第２の透明導電層５２ａ，５２ｂからなる中間積層体８０を巻き取ったロールから当該中間積層体８０が繰り出されていき、当該基材フィルム３２または当該中間積層体８０から積層体５０が作製されていくとともに、作製された積層体５０に対して以下に説明する各工程が施されていくことも好ましい。

タッチパネルセンサの製造工程
次にタッチパネルセンサ３０を製造する工程について、図６Ａ〜図６Ｌおよび図７を参照して説明する。

はじめに図６Ａに示すように、上述の工程により得られた積層体５０を準備する。

次に、図７および図６Ｂに示すように、積層体５０の一方の側の面５０ａ上に第１感光層５６ａを形成するとともに、積層体５０の他方の側の面５０ｂ上に第２感光層５６ｂを形成する（工程Ｓ２）。第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。具体的には、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって、感光層５６ａ，５６ｂを形成することができる。

その後、図７および図６Ｃに示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを同時に露光する（工程Ｓ３）。

具体的には、まず、図６Ｃ（ａ）に示すように、第１感光層５６ａ上に第１マスク５８ａを配置するとともに、第２感光層５６ｂ上に第２マスク５８ｂを配置する。第１マスク５８ａは、形成されるべき第１透明導電体４０のパターンに対応した所定のパターンを有し、第２マスク５８ｂは、形成されるべき第２透明導電体４５のパターンに対応した所定のパターンを有している。また、第１マスク５８ａのパターンと第２マスク５８ｂのパターンは、互いに異なるパターンとなっている。

なお、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂの位置決めは、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂのそれぞれに設けられたアライメントマーク５９ａを基準にして行われ得る。このような方法によれば、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に（したがって、短時間で）位置決めすることが可能となる。

次に、図６Ｃ（ａ）に示すように、この状態で、第１感光層５８ａおよび第２感光層５８ｂの感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、マスク５８ａ，５８ｂを介して感光層５６ａ，５６ｂに照射する。この結果、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが互いに異なるパターンで同時に露光される。

図示された例においては、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂがポジ型の感光層となっている。したがって、第１感光層５６ａは、第１透明導電体４０を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射され、第２感光層５６ｂは、第２透明導電体４５を形成するためにエッチングで除去される部分のパターンに対応したパターンで露光光を照射される。図６Ｃ（ａ）に示すように、第１感光層５６ａに照射された露光光は第１感光層５６ａを透過して積層体（ブランクス）５０に照射され、第２感光層５６ｂに照射された露光光は第２感光層５６ｂを透過して積層体５０に照射される。

ただし、積層体５０は露光光を遮光する第１遮光導電層５４ａおよび第２遮光導電層５４ｂを有している。したがって、第１感光層５６ａを透過した露光光源からの光は第１遮光導電層５４ａによって遮光され第２感光層５６ｂに到達することはなく、同様に、第２感光層５６ｂを透過した露光光源からの光は第２遮光導電層５４ｂによって遮光され第１感光層５６ａに到達することはない。つまり、第１感光層５６ａを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第１遮光導電層５４ａによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第２感光層５６ｂに照射されることはない。同様に、第２感光層５６ｂを露光するために所定のパターンで照射される露光光が第２遮光導電層５４ｂによって遮光されるため、当該所定のパターンの露光光が第１感光層５６ａに照射されることはない。この結果、この露光工程Ｓ３において、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを、それぞれ所望のパターンで精度良く同時に露光することができる。

次に、図７および図６Ｄに示すように、露光された第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する（工程Ｓ４）。具体的には、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを現像する。これにより、図６Ｄに示すように、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのうちの、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂによって遮光されることなく露光光源からの光を照射された部分が除去され、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが所定のパターンにパターニングされる。

その後、図７および図６Ｅに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａをマスクとして第１遮光導電層５４ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂをマスクとして第２遮光導電層５４ｂをエッチングする（工程Ｓ５）。このエッチングにより、第１遮光導電層５４ａおよび第２遮光導電層５４ｂが、それぞれ、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。例えば、遮光導電層５４ａ，５４ｂがアルミニウムやモリブデンからなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を５：５：５：１の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。また、遮光導電層５４ａ，５４ｂが銀または銀合金からなる場合には、燐酸、硝酸、酢酸、水を４：１：４：４の割合で配合してなる燐硝酢酸（水）をエッチング液として用いることができる。さらに、遮光導電層５４ａ，５４ｂがクロムからなる場合には、硝酸セリウムアンモニウム、過塩素酸、水を１７：４：７０の割合で配合してなるエッチング液を用いることができる。

次に、図７および図６Ｆに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａおよび第１遮光導電層５４ａをマスクとして、第１透明導電層５２ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂおよび第２遮光導電層５４ｂをマスクとして、第２透明導電層５２ｂをエッチングする（工程Ｓ６）。例えば、塩化第二鉄をエッチング液として用いることにより、ＩＴＯからなる第１透明導電層５２ａが第１感光層５６ａおよび第１遮光導電層５４ａのパターンと略同一のパターンにパターニングされるとともに、ＩＴＯからなる第２透明導電層５２ｂが第２感光層５６ｂおよび第２遮光導電層５４ｂのパターンと略同一のパターンにパターニングされる。すなわち、第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂが両面同時にエッチングされる。

その後、図７および図６Ｇに示すように、パターニングされて第１遮光導電層５４ａ上に残留している第１感光層５６ａ、および、パターニングされて第２遮光導電層５４ｂ上に残留している第２感光層５６ｂを除去する（工程Ｓ７）。例えば、２％水酸化カリウム等のアルカリ液を用いることにより、残留している第１感光層５６ａが除去され、パターニングされた第１遮光導電層５４ａが露出するとともに、残留している第２感光層５６ｂが除去され、パターニングされた第２遮光導電層５４ｂが露出するようになる。

次に、図７および図６Ｈに示すように、パターニングされた第１遮光導電層５４ａ上にさらなる感光層として第３の感光層５６ｃを形成するとともに、パターニングされた第２遮光導電層５４ｂ上にさらなる感光層として第４の感光層５６ｄを形成する（工程Ｓ８）。図示する例において、作製中のタッチパネルセンサ３０（積層体５０）を一方の側から覆うように第３感光層５６ｃが形成され、作製中のタッチパネルセンサ３０（積層体５０）を他方の側から覆うように第４感光層５６ｄが形成されている。第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂと同様に、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。また、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂと同様に、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることによって形成され得る。

その後、図７および図６Ｉに示すように、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを同時に露光する（工程Ｓ９）。

この工程では、まず図６Ｉ（ａ）に示すように、第３感光層５６ｃ上に第３のマスク５８ｃを配置するとともに、第４感光層５６ｄ上に第４のマスク５８ｄを配置する。第３マスク５８ｃは、パターニングされた第１遮光導電層５４ａのうちの、第１取出導電体４３を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有し、第３マスク５８ｃは、パターニングされた第２遮光導電層５４ｂのうちの、第２取出導電体４８を形成するために除去されるべき部分に対応した所定のパターンを有している。図示する例において、第３マスク５８ｃは、アクティブエリアＡａ１に対応して形成されたパターン、より詳細には、アクティブエリアＡａ１よりも少し大きめに形成された透光領域を有している。また、図示する例において、第４マスク５８ｄは、第３マスク５８ｃと同一のパターンを有している。

なお、第３マスク５８ｃの位置決めは、例えば、上述した第１遮光導電層５４ａをパターニングする際に位置決め用のアライメントマークを形成しておき、この第１遮光導電層５４ａから形成されたアライメントマークを基準として実施され得る。この方法によれば、第１遮光導電層５４ａおよび第１透明導電層５２ａのパターンに対して、第３マスク５８ｃを高精度に位置決めすることができる。また、同様の位置決め方法を第４マスク５８ｄの位置決めに採用することができ、これにより、第２遮光導電層５４ｂおよび第２透明導電層５２ｂのパターンに対して、第４マスク５８ｄを高精度に位置決めすることができる。

次に、図６Ｉ（ａ）に示すように、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄを配置した状態で、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄの感光特性に対応した露光光（例えば、紫外線）を、マスク５８ｃ，５８ｄを介して感光層５６ｃ，５６ｄに照射する。この結果、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄが同一のパターンで同時に露光される。図示された例においては、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄがポジ型の感光層となっている。そして、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域を含む透光領域を有している。したがって、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に露光光を照射される。図６Ｉ（ａ）に示すように、第３感光層５６ｃに照射される露光光源からの光のパターンは、第４感光層５６ｄに照射される露光光のパターンと同一になっている。したがって、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを予定したパターンで精度良く同時に露光することができる。

次に、図７および図６Ｊに示すように、露光された第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを現像する（工程Ｓ１０）。具体的には、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄに対応した現像液を用意し、この現像液を用いて、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを現像する。これにより、図６Ｊに示すように、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄのうちの、第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄによって遮光されることなく露光光を照射された部分が除去される。すなわち、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄのうちの、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲の領域が除去され、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄは非アクティブエリアＡａ２に対面する領域のみに残留するようになる。

その後、図７および図６Ｋに示すように、パターニングされた第３感光層５６ｃをマスクとしてパターニングされた第１遮光導電層５４ａをエッチングするとともに、パターニングされた第４感光層５６ｄをマスクとしてパターニングされた第２遮光導電層５４ｂをエッチングする（工程Ｓ１１）。この工程では、遮光導電層５４ａ，５４ｂに対して浸食性を有するエッチング液であって、透明導電層５２ａ，５２ｂに対して浸食性を有さない、または、透明導電層５２ａ，５２ｂに対して浸食性が弱いエッチング液が、用いられる。遮光導電層５４ａ，５４ｂを除去することによって露出する透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンを損なわないようにするためである。すなわち、この工程Ｓ１１で用いられるエッチング液は、所望の層（遮光導電層５４ａ，５４ｂ）を選択的にエッチングし得るように選択される。具体例として、上述した燐硝酢酸（水）や硝酸セリウム系のエッチング液は、所定の金属からなる遮光導電層５４ａ，５４ｂに対してエッチング性を有するものの、ＩＴＯ等からなる透明導電層５２ａ，５２ｂに対してエッチング性を有さないため、この工程において好適に用いられ得る。

この工程Ｓ１１でのエッチングにより、パターニングされた第１遮光導電層５４ａのうちの、少なくともアクティブエリアＡａ１に対面する位置に配置された部分が除去される。同様に、パターニングされた第２遮光導電層５４ｂのうちの、少なくともアクティブエリアＡａ１に対面する位置に配置された部分が除去される。これにより、図６Ｋ（ｂ）に示すように、基材フィルム３２および透明導電層５２ａ，５２ｂのみがアクティブエリアＡａ１に残留するようになり、アクティブエリアＡａ１はその全領域に亘って透光性を有するようになる。

このようにして、第１遮光導電層５４ａのうちの第３感光層５６ｃによって覆われていない部分が除去されることにより、第１透明導電層５２ａが露出する。露出した第１透明導電層５２ａは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアＡａ１に対面する領域に位置する第１透明導電層５２ａは、所定のパターンを有し第１透明導電体４０の第１センサ部４１を形成し、非アクティブエリアＡａ２に露出した第１透明導電層５２ａは、所定のパターンを有し第１透明導電体４０の第１接続部４２の一部分を形成するようになる。

同様に、第２遮光導電層５４ｂのうちの第４感光層５６ｄによって覆われていない部分が除去されることにより、第２透明導電層５２ｂが露出する。露出した第２透明導電層５２ｂは、アクティブエリアＡａ１に対面する領域およびその周囲に位置している。アクティブエリアＡａ１に対面する領域に位置する第２透明導電層５２ｂは、所定のパターンを有し第２透明導電体４５の第２センサ部４６を形成し、非アクティブエリアＡａ２に露出した第２透明導電層５２ｂは、所定のパターンを有し第２透明導電体４５の第２接続部４７の一部分を形成するようになる。

次に、図７および図６Ｌに示すように、パターニングされて第１遮光導電層５４ａ上に残留している第３感光層５６ｃ、および、パターニングされて第２遮光導電層５４ｂ上に残留している第４感光層５６ｂを除去する（工程Ｓ１２）。例えば、上述したアルカリ液を用いることにより、残留している第３感光層５６ｃが除去され、パターニングされた第１遮光導電層５４ａが露出するとともに、残留している第４感光層５６ｄが除去され、パターニングされた第２遮光導電層５４ｂが露出するようになる。

露出した第１遮光導電層５４ａは、所定のパターンを有し、第１中間層６１、第１取出導電体４３および第１保護層６２を形成するようになる。形成された第１中間層６１と基材フィルム３２との間には、第１透明導電層５２ａからなる第１透明導電体４０の第１接続部４２が形成されている。上述したように、また、図３Ｂに示すように、このようにして形成された第１中間層６１、第１取出導電体４３および第１保護層６２は基材フィルム３２から離間して第１接続部４２上に位置するようになる。このため、第１接続部４２は、第１中間層６１と基材フィルム３２との間で側方に露出されている。

同様に、露出した第２遮光導電層５４ｂは、所定のパターンを有し、第２中間層６６、第２取出導電体４８および第２保護層６７を形成するようになる。形成された第２中間層６６と基材フィルム３２との間には、第２透明導電層５２ｂからなる第２透明導電体４５の第２接続部４７が形成されている。このようにして形成された第２中間層６６、第２取出導電体４８および第２保護層６７は基材フィルム３２から離間して第２接続部４７上に位置するようになる。このため、第２接続部４７は、第２中間層６６と基材フィルム３２との間で側方に露出されている。

以上のようにして上述した構成のタッチパネルセンサ３０を得ることができる。

なお、上述したように、基材フィルム３２、積層体５０、あるいは、基材フィルム３２並びに第１および第２透明導電層５２ａ，５２ｂからなる中間積層体８０等の元材がウェブ状であるとともにロールに巻き取られた状態で準備される場合には、ロールからウェブ状の元材を繰り出すとともに、繰り出された元材に対して上述の各工程を施していくようにしてもよい。この場合、多数のタッチパネルセンサ３０が基材フィルム３２を介して互いに接続された状態で形成されていくようになる。そして、このようにして作製されたウェブ状のタッチパネルセンサ３０は、取り扱い（搬送や出荷等）の便宜上、保護用の合紙と重ね合わせてロールに巻き取られるようにしてもよい。ロールに巻き取られたタッチパネルセンサ３０は、必要に応じて、当該ロールから繰り出されるとともに枚葉状に断裁され得る。

なお、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０をロールに巻き取る際には、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０の両側に合紙を配置して巻き取ってもよいし、あるいは、ウェブ状のタッチパネルセンサ３０の片側だけに合紙を配置して巻き取ってもよい。

以上に説明した製造方法によれば、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂが同時に露光される。この感光層の両面同時露光プロセスにおいては、図６Ｃ（ａ）に示すように、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂのそれぞれにアライメントマーク５９ａを設けておくことにより、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して、例えばミクロン単位のオーダーで極めて精度良く、且つ、極めて容易に（したがって、短時間で）位置決めすることが可能となる。この結果、タッチパネルセンサ３０において、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方が基材フィルム３２上に極めて精度良く効率的に位置決めされるようになる。

その一方で、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを一つずつ順に露光する場合には、精度良く且つ容易に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を作製することができない。第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方を精度良く作製しようとすると、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の一方をアライメントマークとともに基材フィルム３２上に形成し、その後、この基材フィルム３２上に形成されたアライメントマークに対し、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の他方の形成に用いられるマスクを位置決めすることになる。すなわち、少なくとも露光工程および現像工程を、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂのそれぞれに対して別個に行う必要が生じる。このため、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を効率良く短時間で容易に形成することができない。

また、アライメントマークを用いることなく、例えば基材フィルム３２の端部を基準として第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを位置決めしながら第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を露光することも可能である。この方法によれば、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂに対する露光工程および現像工程を同時に行うことができる。しかしながら、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の位置決め精度は、基材フィルム３２の外形精度に依存してしまう。一般的に、この方法によれば、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の位置決め精度は、最高でも数十ミクロン単位でしか期待することができない。

これらのことから、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を互いに対して容易かつ精度良く位置決めすることができる。具体的には、本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ３０の上面視において、つまり、タッチパネルセンサ３０をその法線方向から観察した場合、第１センサ部４１の略正方形形状からなる膨出部４１ｂと、第２センサ部４６の略正方形形状からなる膨出部４６ｂと、の互いに平行な外輪郭の隙間Ｇ（パターンギャップとも呼ばれる、図３Ａ参照）を、安定して、１００μｍ以下とすることができた。その一方で、従来の二枚のフィルムを貼り合わせる方法では、このパターンギャップＧは、２００μｍ以上となってしまう。この結果、本実施の形態によれば、接触（接近）位置を検出し得るアクティブエリアＡａ１の全領域に対する、タッチパネルセンサ３０をその法線方向から観察した場合に第１センサ部４１および第２センサ部４６の少なくとも一方が配置されている領域の割合を、百分率で、９５％以上にすることができた。また本実施の形態によれば、二枚のフィルムを貼り合わせるための粘着層が不要となり、これによって、製造コストを低くすることができる。

また、取出配線３６ｂ，３７ｂが、導電率の低い透明導電体４０，４５の接続部４２，４７だけでなく、導電率の高い取出導電体４３，４８を含んでいる。したがって、取出配線３６ｂ，３７ｂの線幅を細くすることが可能となり、取出配線３６ｂ，３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

とりわけ、上述した方法によれば特別な位置決め処理等を行うことなく、図３Ｂに示すように、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７が、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７上に配置されているだけで、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７の側方まで延びていないようにすることができる。一方、例えば、従来頻繁に用いられてきたスクリーン印刷で、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７上に高導電率材料から取出導電体４３，４８を形成した場合、図１２に示すように、透明導電体４０，４５は接続部４２，４７の側方から基材フィルム３２上まで延び広がってしまう。このような従来の取出配線と比較して本実施の形態の取出配線３６ｂ，３７ｂによれば、同一量の高導電率材料を用いて取出導電体を形成すると、取出配線３６ｂ，３７ｂの導電率を同一に保ちながら線幅を大幅に狭くすることができる。

また、本実施の形態による中間層６１，６６、取出導電体４３，４８、保護層６２，６７および透明導電体４０，４５の接続部４２，４７は、フォトリソグラフィー技術により形成されているため、スクリーン印刷等による従来の方法と比較して、極めて精度良く所望の位置に所望の形状で形成することができる。さらに、本実施の形態によれば、図１２に示す従来の取出配線とは異なり、高導電率の取出導電体４３，４８が透明導電体４０，４５は接続部４２，４７の側方まで覆って基材フィルム３２上まで延びることはないので、エレクトロマイグレーションの可能性を低減することもできる。これらのことから、取出配線３６ｂ，３７ｂの配置ピッチを大幅に短くすることができ、これにより、取出配線３６ｂ，３７ｂの配置スペース、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

ところで、以上に説明してきた本実施の形態の製造方法によれば、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７が中間層６１，６６、取出導電体４３，４８または保護層６２，６７によって側方から遮光されないようにするだけでなく、図３Ｂに示すように、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７の幅が、中間層６１，６６によって覆われている透明導電体４０，４５の接続部４２，４７の部分の幅よりも狭くなるようにすることもできる。すなわち、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７は透明導電体４０，４５上のみに配置されている、言い換えると、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７は、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７が配置されている領域内のみに配置されているようにすることができる。このような構成によれば、上述したセンサ電極３６ａ，３７ａと検出制御部２５との間の導通の確保をより安定させることができる。また、エレクトロマイグレーションの可能性をさらに低減することができるため、取出配線３６ｂ，３７ｂの配置ピッチをさらに短くして、非アクティブエリアＡａ２の面積を小さくすることができる。

以下、上述した製造方法で取出配線３６ｂ，３７ｂを形成した場合に、取出配線３６ｂ，３７ｂの中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７の幅が、当該中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７によって覆われている透明導電体４０，４５の接続部４２，４７の部分の幅よりも狭くなるようになる推定メカニズムについて、主に図８を参照しながら、説明するが、本発明はこの推定メカニズムに限定されるものではない。

従来の二枚のフィルムを貼り合わせてタッチパネルセンサを作製する方法において、フォトリソグラフィー技術を用いてフィルム上に透明導電体の接続部を形成する場合、透明導電体をなすようになる透明導電層上に感光層が直接配置されるようになる。一方、本実施の形態によれば、透明導電体４０，４５をなすようになる透明導電層５２ａ，５２ｂ上に遮光導電層５４ａ，５４ｂが配置されている。一般的に、透明導電層をエッチングするためのエッチング液（例えば、塩化第二鉄）に対し、感光層（レジスト層）は高い耐浸食性を有している。しかしながら、金属等からなる遮光導電層５４ａ，５４ｂは、ＩＴＯ等の透明導電層５２ａ，５２ｂ用のエッチング液によって、エッチングされ得る。

したがって、図８に示すように、透明導電層５２ａ，５２ｂをエッチングする工程Ｓ６において、透明導電層５２ａ，５２ｂが縦方向（基材フィルムの法線方向）にエッチングされる際に、遮光導電層５４ａ，５４ｂは感光層５６ａ，５６ｂによって覆われていない側方から横方向（基材フィルム３２のシート面に沿った方向）にエッチングされ得る。その一方で、感光層は、この工程Ｓ６で用いられるエッチング液に対して高い耐浸食性を有しているため、横方向へ大きくエッチングされることはない。以上のような理由から、本実施の形態の製造方法で作製されたタッチパネルセンサ３０によれば、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７の幅を、当該中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７によって覆われている透明導電体４０，４５の接続部４２，４７の部分の幅よりも狭くすることが可能となる。

またさらに、第１感光層５２ａおよび第２感光層５２ｂを異なるパターンで同時露光する際に、互いの露光光パターンが影響し合うことを回避するために使用された遮光層（被覆導電層）５４ａ，５４ｂから中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７が作製されている。このような方法によれば、タッチパネルセンサ３０の作製に必要となる材料コスト低減させることが可能となる。さらに、タッチパネルセンサ３０の作製効率を極めて効果的に向上させることも可能となり、またこれにともなって、タッチパネルセンサ３０の作製コストを削減することが可能となる。すなわち、上述した優れたタッチパネル３０（タッチパネル装置２０）を高い生産効率および安い製造コストで作製することが可能となる。

また本実施の形態によれば、上述のように、透明導電層５２ａ、５２ｂをスパッタリングにより基材フィルム３２上に形成する際、基材フィルム３２の温度を１４０〜１７０℃の範囲内に保持することにより、基材フィルム３２上における透明導電層５２ａ、５２ｂの結晶化を促進することができ、これによって、結晶化率の高い透明導電層５２ａ、５２ｂを基材フィルム３２上に形成することができる。このことにより、形成される透明導電層５２ａ、５２ｂ（透明導電体４０，４５）の比抵抗を小さくすることができ、例えば透明導電層５２ａ、５２ｂ（透明導電体４０，４５）の材料としてＩＴＯが用いられる場合、当該比抵抗を４×１０^−６Ωｍ（２３℃、５５％ＲＨ）以下にすることができる。

このように透明導電層５２ａ、５２ｂ（透明導電体４０，４５）の比抵抗を小さくすることにより、タッチパネルセンサ３０における透明導電体４０，４５の厚みを小さくすることができ、これによって、透明導電体４０、４５における光の反射率を従来よりも小さくすることができる。このため、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０、４５がパターニングされている領域と透明導電体４０、４５がパターニングされていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、タッチパネルセンサ３０の意匠性を向上させることができる。

以上のようにして得られたタッチパネルセンサ３０を表示装置１５に接着層１９を介して接合するとともに、保護カバー１２をタッチパネルセンサ３０に接着層１５を介して接合することにより、図１および図２に示された入出力装置１０が得られる。次に、この入出力装置１０を使用する際の作用について説明する。

入出力装置の作用
まず、このような入出力装置１０においては、表示装置１５の表示パネル１６によって映像を表示することによって、観察者は、保護カバー１２およびタッチパネルセンサ３０を介して映像を観察することができる。

また、この入出力装置１０において、タッチパネルセンサ３０および保護カバー１２がタッチパネル装置２０の一部分を構成し、外部導体５、典型的には人間の指５が保護カバー１２上に接触（接近）したこと検知することができるとともに、保護カバー１２上における外部導体５が接触（接近）した位置を検出することができる。

具体的には、まず、外部の導体（例えば、人間の指）５が保護カバー１２に接触すると、当該外部導体５と、外部導体５による保護カバー１２への接触位置の近傍に位置する透明導電体４０，４５の各センサ部４１，４６と、が電極として機能し、電界が形成される。この際、センサ電極３６ａ，３７ａを構成する透明導電体４０，４５のセンサ部４１，４６と、外部導体５と、の間に位置する保護カバー１２および基材フィルム３２等は誘電体として機能する。すなわち、外部導体５が保護カバー１２に接触することにより、センサ部４１，４６と外部導体５とを電極とするコンデンサが形成される。

タッチパネル装置２０の検出制御部２５の検出回路は、各センサ部４１，４６に接続され、各センサ部４１，４６と外部導体５との間の静電容量を検出することができるようになっている。そして、検出制御部２５が、各センサ部４１，４６と外部導体５との間の静電容量の変化を検出することによって、外部導体５がいずれの第１センサ部４１に対面しているか、並びに、外部導体５がいずれの第２センサ部４６に対面しているかを特定することができる。

すなわち、検出制御部２５の検出回路は、アクティブエリアＡａ１において前記一方向に並べて配列された第１透明導電体４０に含まれる多数の第１センサ部４１のうちの外部導体５と対面している第１センサ部（線状導電体）を特定することによって、前記一方向に延びる座標軸上における外部導体５の位置を特定することができる。同様に、検出制御部２５の検出回路は、アクティブエリアＡａ１において前記他方向に並べて配列された第２透明導電体４５に含まれる多数の第２センサ部４６のうちの外部導体５と対面している第２センサ部（線状導電体）を特定することによって、前記他方向に延びる座標軸上における外部導体５の位置を特定することができる。このようにして、タッチパネル装置２０（保護カバー１２）への外部導体５の接触位置を二つの方向において検出することにより、外部導体５のタッチパネル装置２０の表面への接触位置の位置座標を、タッチパネル装置２０の表面上で精度良く特定することができる。なお、投影型容量結合方式のタッチパネルにおいて接触位置を検出する様々な方法（原理）が、種々の文献に開示されており、本明細書では、これ以上の説明を省略する。

上述の製造方法にしたがって作製されたタッチパネルセンサ３０においては、センサ電極３６ａ，３７ａおよび取出配線３６ｂ，３７ｂが、一体として形成された複数の層からなる基材フィルム３２の両側に形成されている。すなわち、接着剤等を介して接合された複数枚のフィルムの接合体等を基材フィルムとして用いていない。この結果、タッチパネルセンサ３０全体としての透光率を向上させることができる。また、照明等の環境光（外光）や映像光等を反射し得る界面の数を減じることができるので、環境光の反射を抑制して表示装置１５に表示される映像のコントラストを向上させることができる。これらにより、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５の表示面１６上に配置した場合に、表示装置１５の表示画像を大きく劣化させてしまうことを防止することができる。さらに、タッチパネルセンサ３０および入出力装置１０の総厚みを減じることができる。

また、図２に示すように、第１センサ電極３６ａを構成する第１透明導電体４０の第１センサ部４１、および第２センサ電極３７ａを構成する第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、タッチパネルセンサ３０（保護カバー１２）の法線方向に沿って異なる位置に配置されている。具体的には、第２透明導電体４５の第２センサ部４６は、第１透明導電体４０の第１センサ部４１よりも保護カバー１２から基材フィルム３２の厚み分だけ離間した位置に配置されている。しかしながら、上述したように、本実施の形態における基材フィルム３２は、一体として形成された複数の層からなるフィルムとして構成されている。さらに、この基材フィルム３２は、特許文献（特開平４−２６４６１３号公報）などに開示された基材フィルムとは異なり、遠紫外線遮光機能等の特別な機能を要求されてもいない。すなわち、厚みの薄いフィルムから構成され得る。したがって、外部導体５が保護カバー１２へ接触した際に、当該外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。これにより、外部導体５の保護カバー１２への接触位置（タッチ位置）を、第１透明導電体４０の第１センサ部４１によってだけでなく、第２透明導電体４５の第２センサ部４６によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。

また本実施の形態によれば、タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側の面３２ａ上にパターニングされた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側の面３２ｂ上にパターニングされた第２透明導電体４５と、を備えている。このうち基材フィルム３２は、透明なフィルム本体３３と、フィルム本体３３の一方の側の面３３ａ上に設けられた第１アンダーコート層７１と、第１アンダーコート層７１の一方の側の面７１ａ上に設けられた第１アンカー層７３と、フィルム本体３３の他方の側の面３３ｂ上に設けられた第２アンダーコート層７６と、第２アンダーコート層７６の他方の側の面７６ｂ上に設けられた第２アンカー層７８と、を有している。

そして、フィルム本体３３、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８の光屈折率は、透明導電体４０，４５の光屈折率よりも小さくなっている。また、アンダーコート層７１，７６の光屈折率は、フィルム本体３３の光屈折率とほぼ同一か、若しくはフィルム本体３３の光屈折率よりも若干大きくなっている。これによって、薄膜干渉を生じさせることができ、このことにより、光の反射および透過スペクトルの周期的な乱れ（ハンチング）を適度に生じさせることができる。また、アンカー層７３，７８の光屈折率は、フィルム本体３３およびアンダーコート層７１，７６の光屈折率よりも小さくなっている。このため、光の反射および透過スペクトルを制御することができる。このことにより、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率と、の差を小さくすることができる。同様に、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過率と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過率と、の差を小さくすることもできる。

さらに、上述のアンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８をフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間に設けることにより、基材フィルム３２のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域を透過した光のスペクトルを、各波長域で平坦なスペクトルとすることができ、例えば、透過光をＬ＊ａ＊ｂ＊表色系で表したときのｂ＊の絶対値を１．５以下とすることができる。

また、本実施の形態によれば、図３Ａに示すように、第１透明導電体４０の第１センサ部４１はライン部４１ａと膨出部４１ｂとを有し、第２透明導電体４５の第２センサ部４６はライン部４６ａと膨出部４６ｂとを有している。各センサ部４１，４６において、膨出部４１ｂ，４６ｂにおける幅は、ライン部４１ａ，４６ａにおける幅と比較して非常に太くなっている。そして、上述したように、第１透明導電体４０に含まれる第１センサ部４１の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５に含まれる第２センサ部４６の膨出部４６ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に重ならないように配置されている。このため、第１透明導電体４０の第１センサ部４１が、接触位置の検出精度に影響を与え得る程度の広い面積で、外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間に介在することはない。この結果、外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間で、コンデンサが有効に形成されなくなることを防止することができる。

さらに、上述したように、表示装置１５の表示制御部１７とタッチパネル装置２０の検出制御部２５とは接続されている。検出制御部２５は、外部導体５が保護カバー１２上の所定の位置に接触することによって入力された情報を、表示制御部１７へ送信することができる。表示制御部１７は、検出制御部２５で読み取られた入力情報に基づいて、当該入力情報に対応した映像を表示装置１５の表示パネル１６に表示することもできる。すなわち、出力手段としての表示機能および入力手段としてのタッチ位置検出機能により、入出力装置１０の使用者（操作者）と当該入出力装置１０との間で、対話形式での情報の直接的なやりとり（例えば、使用者の表示装置１５に対する指示および表示装置１５による当該指示の実行）を実現することができる。

そして、上述したように、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５が、感光層５６ａ，５６ｂの両面同時露光プロセス（工程Ｓ３）を経て、基材フィルム３２上にパターニングされている場合、第１センサ電極３６ａを構成する第１透明導電体４０の各第１センサ部４１、および第２センサ電極３７ａを構成する第２透明導電体４５の各第２センサ部４６が互いに対して精度良く位置決めされるようになる。結果として、第１透明導電体４０の各第１センサ部４１および第２透明導電体４５の各第２センサ部４６の両方を、表示装置１５に対して精度良く位置決めすることが可能となる。この場合、外部導体５の保護カバー１２への接触位置を、表示装置１５を基準として精度良く検出することができる。この結果、表示装置１５に表示される映像情報に対応した入力を高分解能で高精度に検出することができ、これにより、入出力装置１０の使用者（操作者）と当該入出力装置１０との間での対話形式での情報交換が極めて円滑に進められるようになる。

以上のような本実施の形態によれば、感光性を有した第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂとの間に、遮光性を有した遮光導電層５４ａ，５４ｂが配置されている。したがって、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを、異なるパターンで、高精度に露光することができ、これにより、第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂを、互いに異なる所望のパターンで極めて精度良くパターニングすることができる。また、第１感光層５６ａの露光および第２感光層５６ｂの露光は、第１マスク５８ａを第１感光層５６ａ上に配置するとともに第２マスク５８ｂを第２感光層５６ｂ上に配置した状態で行われる。この場合、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して容易に精度良く位置決めすることができ、これにより、第１感光層５６ａのパターンおよび第２感光層５６ｂのパターンを互いに対して極めて精度良く位置決めすることができる。結果として、得られたタッチパネルセンサ３０の第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を所望のパターンで高精度に形成することができるとともに、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５を互いに対して高精度に位置決めすることができる。したがって、このタッチパネルセンサ３０を用いることにより、外部導体（典型的には、指）５が接近または接触した平面上の位置を精度良く検出することができる。

また、第１マスク５８ａおよび第２マスク５８ｂを互いに対して容易に位置決めすることができるとともに、第１感光層５６ａの露光および第２感光層５６ｂの露光を同時に行うことができる。したがって、タッチパネルセンサ３０を極めて効率的に製造することができ、これにより、タッチパネルセンサ３０の製造コストを大幅に低下させることができる。

さらに、基材フィルム３２に特別な機能（例えば、特定波長域の光に対する遮光機能）が要求されないことから、表示装置等に用いられている通常の、一体として形成された複数の層からなるフィルム材を基材フィルム３２として用いることができる。したがって、厚さの厚いフィルムや、接着剤等を介して接合された複数枚のフィルムの積層体等を基材フィルムとして用いる必要がない。これにより、第１透明導電体４０と第２透明導電体４５との離間間隔が短くなるので、第１透明導電体４０だけでなく、第２透明導電体４５による接触位置または接近位置の検出感度を向上させることができる。また、タッチパネルセンサ３０の透光率を向上させることができ、これにより、タッチパネルセンサ３０を表示装置１５の表示面１６ａ上に配置した場合に、表示装置１５の表示画像を大きく劣化させてしまうことを防止することができる。

さらに、上述した実施の形態において、透明導電層５２ａ，５２ｂ上に配置され透明導電層５２ａ，５２ｂとともにパターニングされた遮光導電層５４ａ，５４ｂが取出配線３６ｂ，３７ｂの一部として利用されている。具体的には、透明導電層５２ａ，５２ｂと同一のパターンにパターニングされるとともにその後一部分を除去された遮光導電層５４ａ，５４ｂからなる中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７が、パターニングされた透明導電層５２ａ，５２ｂからなる透明導電体４０，４５とともに、取出配線３６ｂ，３７ｂを形成している。

このような方法で作製された取出配線３６ｂ，３７ｂは、取出導電体４３，４８によって高い導電率（電気伝導率）を確保することができる。また、スクリーン印刷等で作製された従来の取出配線（図１２参照）とは異なり、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７は、透明導電層５２ａ，５２ｂ上に配置され、透明導電層５２ａ，５２ｂの側方まで延びていない。これにより、取出配線３６ｂ，３７ｂの線幅を大幅に小さくすることができる。さらに、上述した実施の形態によれば、スクリーン印刷等の従来の作製方法とは異なりフォトリソグラフィー技術を用いて取出導電体４３，４８が形成されているので、安定して高精度に所望のパターンの取出配線３６ｂ，３７ｂを作製することが可能となる。これにより、エレクトロマイグレーションの可能性も大幅に低下させることができる。以上のことから、本実施の形態によれば、細い線幅の取出配線３６ｂ，３７ｂを短ピッチで並べて形成することが可能となり、これにより、取出配線３６ｂ，３７ｂを配置するために必要となる領域の面積、すなわち、非アクティブエリアＡａ２の面積を格段に小さくすることができる。

さらに取出配線３６ｂ，３７ｂにおいて、取出導電体４３，４８の材料として銀合金、例えばＡＰＣ合金が用いられている。ＡＰＣ合金などの銀合金は、一般に配線材料として用いられるクロムよりも比抵抗が小さい。このため、取出導電体４３，４８の材料として銀合金を用いることにより、取出配線３７ｂの導電率を高めることができる。

また取出配線３６ｂ，３７ｂにおいて、透明導電体４０，４５と、銀合金からなる取出導電体４３，４８との間には、ＭｏＮｂ合金などからなる中間層６１，６６が介在されている。ここで、中間層６１，６６の透明導電体４０，４５に対する密着力、および中間層６１，６６の取出導電体４３，４８に対する密着力は、取出導電体４３，４８の透明導電体４０，４５に対する密着力よりも大きくなっている。このため、取出導電体４３，４８に何らかの力学的な力が作用した場合であっても、取出導電体４３，４８が中間層６１，６６から容易に剥離することはない。このことにより、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に中間層６１，６６が介在されていない場合に比べて、タッチパネル３０の機械的安定性を向上させることができる。

さらに取出配線３６ｂ，３７ｂにおいて、銀合金からなる取出導電体４３，４８の上には、耐酸化性、耐水性を有するＭｏ合金、例えばＭｏＮｂなどからなる保護層６２，６７が設けられている。これによって、取出導電体４３，４８の上に保護層６２，６７が設けられていない場合に比べて、取出導電体４３，４８の耐酸化性、耐水性を向上させることができ、このことにより、タッチパネル３０の信頼性を向上させることができる。

また、取出導電体４３，４８は、基材フィルム３２には接触しておらず、高い密着力を呈し得る中間層６１，６６にしか接合していない。このため、タッチパネルセンサ３０が使用中に変形したとしても、取出導電体４３，４８がタッチパネルセンサ３０から剥離する起点が形成されにくくすることができる。また、透明導電体４０，４５の接続部４２，４７は、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８または保護層６２，６７によって側方まで覆われておらず、基材フィルム３２と中間層６１，６６との間で側方に露出している。すなわち、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７による接続部４２，４７の変形の拘束は弱く、接続部４２，４７は、タッチパネルセンサ３０の変形時に、基材フィルム３２の変形に追従して変形し得るようになる。これらにより、取出導電体４３，４８が透明導電体４０，４５または基材フィルム３２から剥離すること、並びに、取出導電体４３，４８とともに接続部４２，４７が基材フィルム３２から剥離することを、効果的に抑制することができる。結果として、タッチパネルセンサ３０の検出機能の信頼性を大幅に向上させることができる。

さらに、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７の形成に用いられる遮光導電層５４ａ，５４ｂは、両面同時露光工程Ｓ３において遮光層として用いられる層である。このような作製方法によれば、上述したように優れた性能を有するタッチパネルセンサ３０を、極めて効率的かつ安価に作製することが可能となる。

変形例
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、変形の一例について説明する。

例えば、上述した実施の形態において、パターニングされた遮光導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程において、遮光導電層５４ａ，５４ｂのうちのアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を取り囲むアクティブエリアＡａ１近傍の領域と、に位置する部分が除去される例を示したが、これに限られない。アクティブエリアＡａ１の透明性を確保するために遮光性を有した遮光導電層５４ａ，５４ｂを除去するといった観点からすれば、除去される部分は、アクティブエリアＡａ１内に位置する部分だけとすることができる。このような例によれば、タッチパネルセンサ３０のアクティブエリアＡａ１における透明性を確保しつつ取出導電体４３，４８が配置された領域を拡大して、取出配線３６ｂ，３７ｂの導電率を高めることができる。ただし、さらなる感光層５６ｃ，５６ｄの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ３０の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、当然に、遮光導電層５４ａ，５４ｂの除去される部分を変更する場合には、上述した第３マスク５８ｃおよび第４マスク５８ｄの透過領域のパターンを変更しなければならない。

また、上述した実施の形態において、さらなる感光層５６ｃ、５６ｄを現像してパターニングする工程において、アクティブエリアＡａ１を四方から周状に取り囲む額縁状に感光層５６ｃ,５６ｄをパターニングする例を示したが、これに限られない。例えば、透明導電層５２ａ，５２ｂ（透明導電体４０，４５）上に残留すべきパターンに対応したパターンで、さらなる感光層５６ｃ、５６ｄを露光（図９Ａ参照）および現像（図９Ｂ参照）してもよい。図９Ａに示すように、このような変形例においても、遮光性を有した遮光導電性５４ａ，５４ｂが、異なる側から所定のパターンで照射される露光光源からの光を遮光する。これにより、第３感光層５６ｃおよび第４感光層５６ｄを異なるパターンで高精度に両面同時露光することができる。ただし、さらなる感光層５６ｃ，５６ｄの露光精度および現像精度のバラツキを許容可能にし、タッチパネルセンサ３０の信頼性を向上させるといった観点からは、上述した実施の形態の方が優れている。なお、図９Ａおよび図９Ｂに示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図９Ａおよび図９Ｂにおいて、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

また、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ３０の製造方法の一例を説明したが、この例に限られない。例えば、透明導電層５２ａ，５２ｂをアニール処理して、透明導電層５２ａ，５２ｂの結晶化（微結晶化）を進める工程を、透明導電層５２ａ，５２ｂのスパッタリング後に設けてもよい。

上述のように、ＩＴＯ等から形成される透明導電層５２ａ、５２ｂは、スパッタリング等による成膜時の温度を適宜調節することにより、結晶化が進められている。すなわち、透明導電層５２ａ、５２ｂをスパッタリング等により基材フィルム３２上に形成する際、基材フィルム３２の温度を１４０〜１７０℃の範囲内に保持することにより、基材フィルム３２上における透明導電層５２ａ、５２ｂの結晶化が促進されている。そして、さらに結晶化を進めるため、スパッタリング等により基材フィルム３２上に透明導電層５２ａ、５２ｂを形成した後、１４０℃程度の温度でアニール処理を施して、透明導電層をさらに結晶化（微結晶化とも呼ばれる）させることも可能である。

この透明導電層５２ａ，５２ｂをアニールする工程は、上述した透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６よりも後であってパターニングされた遮光導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１よりも前に、例えば、さらなる感光層５８ｃ，５８ｄを現像する工程Ｓ１０と遮光導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１との間に、実施されることが好ましい。例えば、遮光導電層５４ａ，５４ｂの耐薬品性が弱く、透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６において、既にパターニングされている遮光導電層５４ａ，５４ｂがエッチングされる可能性がある場合に、アニール工程を追加することは有効である。

具体的には、透明導電層５２ａ，５２ｂをパターニングする工程Ｓ６において、透明導電層５２ａ，５２ｂを、浸食性の弱いエッチング液、例えばシュウ酸でエッチングする。このとき、エッチング時の透明導電層５２ａ，５２ｂの結晶化が不完全であれば、透明導電層５２ａ，５２ｂの耐薬品性は低く、このため透明導電層５２ａ，５２ｂがエッチングされる。浸食性の弱いエッチング液を用いることにより、耐薬品性の比較的弱い材料（例えば銀合金）からなる遮光導電層５４ａ，５４ｂが、透明導電層５２ａ，５２ｂと感光層５６ａ，５６ｂとの間において横方向（すなわち、基材フィルム３２のシート面に沿った方向）に浸食されることを防止することができる。これにより、透明導電層５２ａ，５２ｂを極めて高精度にパターニングすることができるようになる。そして、遮光導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する工程Ｓ１１の前に、アニール処理によって透明導電層５２ａ，５２ｂの耐薬品性を上げておくことにより、遮光導電層５４ａ，５４ｂの一部分を除去する際に、所望の形状にパターニングされた透明導電層５２ａ，５２ｂのパターンが損なわれてしまうことを効果的に防止することができる。

さらに、上述した実施の形態において、タッチパネルセンサ３０を製造するために用いられる元材としての積層体（ブランクス）５０において、第１遮光導電層５４ａが第１透明導電層５２ａ上に形成され、第２遮光導電層５４ａが第２透明導電層５２ｂ上に形成されている例を示したがこれに限られない。第１透明導電層５２ａおよび第２透明導電層５２ｂのうちのいずれか一方の透明導電層上のみに、遮光導電層が形成されていてもよい。図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す例においては、上述した第１遮光導電層５４ａが省略されている。すなわち、元材としての積層体（ブランクス）５０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２上に配置された第１および第２透明導電体５２ａ，５２ｂと、第２透明導電体５２ｂ上に配置された第２遮光導電層５４ｂと、を含んでいる。図１０（ａ）および図１０（ｂ）は、それぞれ、図６Ｃ（ａ）および図６Ｃ（ｂ）に対応しており、第１透明導電体５２ａ上に配置された第１感光層５６ａと、第２遮光導電層５４ｂ上に配置された第２感光層５６ｂと、を両面同時露光する工程Ｓ３を示している。図１０（ａ）に示すように、所定のパターンで第１感光層５６ａを露光する露光光は、第２遮光導電層５４ｂで遮光され、第２感光層５６ｂに照射されることはなく、且つ、所定のパターンで第２感光層５６ｂを露光する露光光は、第２遮光導電層５４ｂで遮光され、第１感光層５６ａに照射されることはない。これにより、上述した実施の形態と同様に、感光層５６ａ，５６ｂを異なるパターンで高精度に両面同時露光することができる。また、上述した実施の形態と同様の透明導電体４０，４５、第２中間層６６、第２取出導電体４８および第２保護層６７を得ることができる。なお、第１透明導電層５２ａ上に遮光導電層５４ｂが形成されていないことから、図示する例では、第１透明導電体４０上に第１中間層６１、第１取出導電体４３および第１保護層６６が形成されなくなる。

さらに、上述した実施の形態において、積層体（ブランクス）５０において、基材フィルム３２の両側に透明導電層５２ａ，５２ｂおよび被覆導電層５４ａ，５４ｂがそれぞれ設けられている例を示したが、これに限られない。基材フィルム３２の一つの面上のみに透明導電層および被覆導電層が設けられているようにしてもよい。この場合、基材フィルム３２の一つの面上に、上述した実施の形態のセンサ電極３６ａ，３７ａおよび取出配線３６ｂ，３７ｂが得られるようになる。なお、この変形例において、上述した感光層を露光する工程Ｓ３では、積層体５０の一つの側のみから露光光が照射され得る。そして、この変形例において、被覆導電層は遮光性を有していない材料からも構成され得る。

さらに、上述した実施の形態において、第１透明導電体４０の第１センサ部４１はライン部４１ａと膨出部４１ｂとを有し、第２透明導電体４５の第２センサ部４６はライン部４６ａと膨出部４６ｂとを有している例を示した。また、上述した実施の形態において、膨出部４１ｂ，４６ｂが平面視略正方形形状に形成されている例を示した。しかしながら、これに限られず、一例として、膨出部４１ｂ，４６ｂが、平面視において、正方形以外の菱形等の四角形形状、さらには、多角形形状や円形状等であってもよい。また、センサ部４１，４６が、膨出部４１ｂ，４６ｂを有さず、直線状の輪郭を有するようにしてもよい。

さらに、上述した実施の形態において、第１透明導電体４０の第１センサ部４１と、第２透明導電体４５の第２センサ部４６とが、同一に構成される例を示したが、これに限られない。例えば、図１１に示すように、第２透明導電体４５の第２センサ部４６の線幅ｗ２が、保護カバー１２（観察者側面）からより近い位置に配置された第１透明導電体４０の第１センサ部４１の線幅ｗ１よりも太くなるようにしてもよい。このような例によれば、外部導体５が保護カバー１２へ接触した際に、保護カバー１２（観察者側面）から比較的に遠い位置に配置された第２透明導電体４５の第２センサ部４６と、当該外部導体５と、の間でコンデンサを安定して形成することができるようになる。また、保護カバー１２に接触する外部導体５と第１透明導電体４０の第１センサ部４１との間で形成されるコンデンサの静電容量と比較して、保護カバー１２に接触する外部導体５と第２透明導電体４５の第２センサ部４６との間で形成されるコンデンサの静電容量が低くなってしまうことを防止することができる。これにより、外部導体５の保護カバー１２への接触位置（タッチ位置）を、第１透明導電体４０の第１センサ部４１だけでなく、第２透明導電体４５の第２センサ部４６によっても、極めて感度良く正確に検出することが可能となる。なお、図１１に示す変形例において、その他の部分の構成については、上述した実施の形態と同様に構成され得る。図１１において、上述した実施の形態と同一に構成され得る部分には同一符号を付し、重複する説明を省略する。

また、上述した実施の形態における取出配線３６ｂ，３７ｂにおいて、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間に中間層６１，６６が介在される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間の密着力が十分に大きい場合、若しくは、透明導電体４０，４５と取出導電体４３，４８との間の密着力がさほど必要とされないなどの場合には、中間層６１，６６を設けずに、取出導電体４３，４８を直接に透明導電体４０，４５に密着させてもよい。

さらに、上述した実施の形態における取出配線３６ｂ，３７ｂにおいて、取出導電体４３，４８上に保護層６２，６７が設けられている例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、取出導電体４３，４８の耐酸化性、耐水性などが十分に大きい場合、若しくは、取出導電体４３，４８の耐酸化性、耐水性などがさほど必要とされないなどの場合には、取出導電体４３，４８上に保護層６２，６７を設けなくともよい。

また、上述した実施の形態における遮光導電層５４ａ，５４ｂのエッチング工程（工程Ｓ５，Ｓ１１）において、中間層６１，６６と取出導電体４３，４８と保護層６２，６７とを含む遮光導電層５４ａ，５４ｂが１種類のエッチング液によりエッチングされる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７を形成する材料に応じた２または３種類のエッチング液を用いて、段階的に中間層６１，６６、取出導電体４３，４８および保護層６２，６７をエッチングしてもよい。

なお、以上において上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。

以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこの実施例に限定されるものではない。

実施例１
本発明によるタッチパネルセンサ３０の基材フィルム３２について、フィルム本体３３、熱硬化型アクリル樹脂からなるアンダーコート層７１，７６、および二酸化珪素（ＳｉＯ_２）からなるアンカー層７３，７８の光屈折率（大気に対する屈折率）および厚みを測定した。また、本発明によるタッチパネルセンサ３０のＩＴＯからなる透明導電体４０，４５の光屈折率（実数部ｎおよび吸収項ｋ）および厚みを測定した。結果を表２に示す。なお、光屈折率の測定は、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内で光波長を５ｎｍ刻みで変化させながら行った。なお、後述するシミュレーションにおいては、大気の光屈折率（実数部ｎおよび吸収項ｋ）をｎ＝１、ｋ＝０として扱った。

表２に示すように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率は、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内においてほぼ一律に、フィルム本体３３の光屈折率よりも約０．０５だけ大きくなっていた（光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおいて０．０５２〜０．０５７、平均すると０．０５４大きくなっていた）。また、アンカー層７３，７８の光屈折率は、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内においてほぼ一律に、アンダーコート層７１，７６の光屈折率よりも約０．２５だけ小さくなっていた（光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍにおいて０．２４８〜０．２６９、平均すると０．２５４小さくなっていた）。光波長に対して、フィルム本体３３（ＰＥＴ）、アンダーコート層７１，７６およびアンカー層７３，７８の光屈折率をプロットした結果を図１３に示す。

測定された基材フィルム３２の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体４０，４５の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。以下、詳細について説明する。

（シミュレーション条件）
透明導電体４０，４５が設けられている領域に関しては、以下の層構成を仮定してシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／アンダーコート層／アンカー層／透明導電体／大気（入射側媒質）
この場合、後述するように、フィルム本体の屈折率、アンダーコート層の屈折率および厚み、アンカー層の屈折率および厚み、透明導電体の屈折率および厚みを適宜変化させながらシミュレーションを行った。なお、すべてのシミュレーションにおいて、フィルム本体および大気の厚みを無限大に設定した。また、すべてのシミュレーションにおいて、光の入射角度を０度（垂直入射）に設定した。

透明導電体４０，４５が設けられていない領域に関しては、以下の層構成を仮定してシミュレーションを行った。
フィルム本体（出射側媒質）／アンダーコート層／アンカー層／大気（入射側媒質）
その他の条件は、透明導電体４０，４５が設けられている領域に関するシミュレーションの条件と略同一であるので、詳細な説明は省略する。

（評価項目１ 反射率）
透明導電体４０，４５が設けられている領域および透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射スペクトルをシミュレーションにより求めた。結果を図１４Ａに示す。図１４Ａに示すように、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内において、光の反射スペクトルの周期的な乱れ（ハンチング）が見られた。このようなハンチングは、基材フィルム３２の各層間、および基材フィルム３２と透明導電体４０，４５との間での薄膜干渉に起因していると考えられる。

透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を図１４Ｂに示す。ここで、反射率差＝（透明導電体４０，４５が設けられていない領域における反射率）−（透明導電体４０，４５が設けられている領域における反射率）となっている。図１４Ｂに示すように、反射率差についても、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内においてハンチングが見られた。このハンチングは、図１４Ｂに示すように、長波長の領域においては反射率差のハンチングの中心線が０％線８１よりも上となっており、短波長の領域においては反射率差のハンチングの中心線が０％線８１よりも下となっていた。従って、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における反射率差の平均値は、ほぼ０％になっていると言える。

シミュレーションにより求めた反射スペクトルから、ＸＹＺ表色系における等色関数を用いて、透明導電体４０，４５が設けられている領域および透明導電体４０，４５が設けられていない領域各々について、ＸＹＺ表色系におけるＹ値を求めた。具体的な算出方法はＪＩＳ Ｚ８７０１に規定されており、ここでの詳細な説明は省略する。この際、色の表示に用いる標準の光の分光分布として、標準の光Ｃの分光分布を用いた。次に、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるＹ値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域におけるＹ値との差（以下、ΔＹ（反射））を求めた。結果、ΔＹ（反射）が０．２４２５％となっていた。

（評価項目２ 透過率）
透明導電体４０，４５が設けられている領域および透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過スペクトルをシミュレーションにより求めた。結果を図１５Ａに示す。図１５Ａに示すように、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内において、光の反射スペクトルの場合と同様に、光の透過スペクトルのハンチングが見られた。

透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過スペクトルとの差（透過率差）を図１５Ｂに示す。ここで、透過率差＝（透明導電体４０，４５が設けられていない領域における透過率）−（透明導電体４０，４５が設けられている領域における透過率）となっている。図１５Ｂに示すように、長波長の領域においては透過率差のハンチングの中心線が０％線８１よりも下となっており、短波長の領域においては透過率差のハンチングの中心線が０％線８１よりも上となっていた。従って、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における透過率差の平均値は、ほぼ０％になっていると言える。

シミュレーションにより求めた透過スペクトルから、ＸＹＺ表色系（ＪＩＳ Ｚ８７０１参照）における等色関数を用いて、透明導電体４０，４５が設けられている領域および透明導電体４０，４５が設けられていない領域各々について、ＸＹＺ表色系におけるＹ値を求めた（ＪＩＳ Ｚ８７０１参照）。この際、色の表示に用いる標準の光の分光分布として、標準の光Ｃの分光分布を用いた。次に、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるＹ値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域におけるＹ値との差（以下、ΔＹ（透過））を求めた。結果、ΔＹ（透過）は−０．１６６３％となっていた。

（評価項目３ ｂ＊）
透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるＸＹＺ表色系のＸ値、Ｙ値およびＺ値（ＪＩＳ Ｚ８７０１参照）を用いて、透明導電体４０，４５が設けられている領域について、Ｌ＊ａ＊ｂ＊表色系における色座標ｂ＊を求めた。具体的な算出方法はＪＩＳ Ｚ８７２９に規定されており、ここでの詳細な説明は省略する。結果、ｂ＊は０．４０６となっていた。

本実施例によれば、タッチパネルセンサ３０は、上記の表２に示す光屈折率および厚みを有する各層からなる基材フィルム３２と、基材フィルム３２の面３２ａ，３２ｂ上に所定のパターンで設けられた透明導電体４０，４５と、からなっている。このため、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における、反射率差および透過率差の平均値をほぼ０％とすることができた。これによって、上述のように、ΔＹ（反射）、ΔＹ（透過）およびｂ＊の絶対値の値を十分に小さくすることができた。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができた。

実施例２
アンダーコート層７１，７６の厚みを、０、５０、１００、１３０、２００、５００、７５０、１０００、２０００、３０００、４０００、５０００または１００００ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を求めた。結果の一部を図１６Ａに示す。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過スペクトルとの差（透過率差）を求めた。結果の一部を図１６Ｂに示す。

図１６Ａおよび図１６Ｂに示すように、アンダーコート層７１，７６の厚みが大きくなるにつれて、反射率差および透過率差のスペクトルにおけるハンチングの周期が短くなっていた。また、反射率差および透過率差のスペクトルにおけるハンチングの周期が短くなるにつれて、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における反射率差および透過率差の平均値が０％に近づいていくのが確認できた。すなわち、所定の厚みを有するアンダーコート層７１，７６をフィルム本体３３上に設けることにより、反射率差および透過率差のスペクトルにハンチングを生じさせ、これによって、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における反射率差および透過率差の平均値をほぼ０％にすることができる。

上述のシミュレーション結果に基づいて、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。また、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図１６Ｃに示す。

図１６Ｃに示すように、アンダーコート層７１，７６の厚みが２００〜１００００ｎｍの範囲内（若しくは２００ｎｍ以上）となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アンダーコート層７１，７６の厚みが２００〜１００００ｎｍの範囲内（若しくは２００ｎｍ以上）となっている。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

実施例３
アンダーコート層７１，７６の光屈折率を、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に、表２に示すフィルム本体３３の光屈折率に対して−０．２、−０．１、−０．０５、−０．０４、＋０．０、＋０．０１、＋０．０８、＋０．１、＋０．１２、＋０．１３または＋０．２となる値としたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を求めた。結果の一部を図１７Ａに示す。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過スペクトルとの差（透過率差）を求めた。結果の一部を図１７Ｂに示す。

図１７Ａおよび図１７Ｂに示すように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が、フィルム本体３３の光屈折率とほぼ同一か、若しくはフィルム本体３３の光屈折率よりも若干大きくなっている場合、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における反射率差および透過率差の平均値がほぼ０％になっていた。

上述のシミュレーション結果に基づいて、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。また、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図１７Ｃに示す。

図１７Ｃに示すように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に、表２に示すフィルム本体３３の光屈折率に対して−０．０５〜＋０．１３の範囲内の値となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が１％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。また、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に、表２に示すフィルム本体３３の光屈折率に対して−０．０２〜＋０．０８の範囲内の値となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に、フィルム本体３３の光屈折率に対して−０．０５〜＋０．１３の範囲内の値となっており、より好ましくは、フィルム本体３３の光屈折率に対して−０．０２〜＋０．０８の範囲内の値となっている。すなわち、アンダーコート層７１，７６の好ましい光屈折率は、光波長４００ｎｍにて１．６３〜１．８１、光波長５５０ｎｍにて１．６１〜１．７９であり、アンダーコート層７１，７６のより好ましい光屈折率は、光波長４００ｎｍにて１．６６〜１．７６、光波長５５０ｎｍにて１．６４〜１．７４である。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。
また、図１７Ｃより、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）の値が０付近となるのは、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が、フィルム本体の光屈折率に対して＋０．０４付近となっている場合（即ち光波長４００ｎｍにて光屈折率１．７２３、光波長５５０ｎｍにて光屈折率１．６９７となっている場合）であることがわかる。表２に示す特性を示すアンダーコート層７１，７６は、この結果を指標としてアンダーコート層７１，７６用の材料の選別を行うことにより得られたものである。

実施例４
アンダーコート層７１，７６の光屈折率を、表２に示す光屈折率から、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に−０．２、−０．１１、−０．１、−０．０６、＋０．０、＋０．０２、＋０．０７、＋０．１または＋０．２としたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図１８に示す。

図１８に示すように、表２に示すアンダーコート層７１，７６の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−０．１〜＋０．０７の範囲内となっている場合（すなわち、光波長４００ｎｍにて光屈折率が１．６４〜１．８１となっており、光波長４００ｎｍにて５５０ｎｍにて１．６１〜１．７８となっている場合）、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が１％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。また、表２に示すアンダーコート層７１，７６の光屈折率からの変位量が波長によらず一律で−０．０６〜＋０．０２の範囲内となっている場合（すなわち、光波長４００ｎｍにて光屈折率が１．６８〜１．７６となっており、光波長４００ｎｍにて５５０ｎｍにて１．６５〜１．７３となっている場合）、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。このように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率を適宜調整することにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

実施例５
アンダーコート層７１，７６の光屈折率を、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に１．５、１．５５、１．６、１．６１、１．６４、１．６５、１．７、１．７３、１．７５、１．７８、１．８または２．０としたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図１９に示す。
なお表２から明らかなように、アクリル樹脂などからなるアンダーコート層７１，７６における光屈折率の波長依存性は、透明導電体４０，４５における光屈折率の波長依存性に比べて小さい。従って本実施例においては、上述のように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率を、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律の値とした。

図１９に示すように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が１．６１〜１．７８の範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が１％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。また、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が１．６５〜１．７４の範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が１．６１〜１．７８の範囲内となっており、より好ましくは、アンダーコート層７１，７６の光屈折率が１．６５〜１．７４の範囲内となっている。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

次に、アンダーコート層７１，７６の光屈折率の波長依存性が、反射率差および透過率差に及ぼす影響について考察する。アンダーコート層７１，７６の光屈折率を波長に依らず１．７１４(表２に示す波長５５０ｎｍでのアンダーコート層の屈折率)にした場合の反射率差および透過率差と、上述の実施例１の場合（すなわち、アンダーコート層の光屈折率の波長依存性を考慮した場合）の反射率差および透過率差と、をあわせて図１９Ａおよび図１９Ｂに示す。

図１９Ａおよび図１９Ｂに示すように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率の波長依存性を考慮した場合の方が、アンダーコート層７１，７６の光屈折率を波長に依らず１．７１４とした場合に比べて、反射率差および透過率差のハンチングがより０％線８１の近傍で生じていた。このように、アンダーコート層７１，７６の光屈折率の波長依存性を考慮した場合の方がより好ましい結果が得られたことについては、様々な理由が考えられる。例えば、理由の１つとして、フィルム本体３３の光屈折率の波長依存性と、アンダーコート層７１，７６の光屈折率の波長依存性とがほぼ同等となっており（表２および図１３参照）、このため、反射率差および透過率差のハンチングをより０％線８１の近傍で生じさせることができたという点が考えられる。

実施例６
アンカー層７３，７８の厚みを、０、３、５、７、１０、１５、１８、２０、２８、３０、４０または５０ｎｍとしたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射スペクトルとの差（反射率差）を求めた。結果の一部を図２０Ａに示す。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の透過スペクトルと、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の透過スペクトルとの差（透過率差）を求めた。結果の一部を図２０Ｂに示す。

図２０Ａおよび図２０Ｂに示すように、アンカー層７３，７８の厚みが変化するにつれて、反射率差および透過率差のスペクトルが光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって上下にシフトするのが確認された。従って、所定の厚みを有するアンカー層７３，７８をアンダーコート層７１，７６上に設けることにより、反射率差および透過率差のスペクトルを適宜上下にシフトさせることができ、これによって、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの範囲内における反射率差および透過率差の平均値をほぼ０％にすることができる。

上述のシミュレーション結果に基づいて、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。また、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図２０Ｃに示す。

図２０Ｃに示すように、アンカー層７３，７８の厚みが３〜２８ｎｍの範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が１％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。また、アンカー層７３，７８の厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アンカー層７３，７８の厚みが３〜２８ｎｍの範囲内となっており、より好ましくは、アンカー層７３，７８の厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっている。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

実施例７
アンカー層７３，７８の光屈折率を、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律に１．３、１．３１、１．３３、１．４、１．４２、１．４６、１．５、１．５５、１．５８、１．６、１．６６、１．７または１．８としたこと以外は、実施例１と同様にして、シミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域における光の反射率および透過率の値と、透明導電体４０，４５が設けられていない領域における光の反射率および透過率の値との差（ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過））を求めた。またシミュレーションにより、透明導電体４０，４５が設けられている領域におけるｂ＊を求めた。結果を図２１に示す。
なお表２から明らかなように、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）などからなるアンカー層７３，７８における光屈折率の波長依存性は、透明導電体４０，４５における光屈折率の波長依存性に比べて小さい。従って本実施例においては、上述のように、アンカー層７３，７８の光屈折率を、光波長３８０ｎｍ〜７８０ｎｍの全域にわたって一律の値とした。

図２０に示すように、アンカー層７３，７８の光屈折率が１．３２〜１．６６の範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が１％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。また、アンカー層７３，７８の光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている場合、ΔＹ（反射）およびΔＹ（透過）が０．５％以下になるとともに、ｂ＊の絶対値が１．５以下となっていた。従って、本発明によるタッチパネルセンサ３０において、好ましくは、アンカー層７３，７８の光屈折率が１．３２〜１．６６の範囲内となっており、より好ましくは、アンカー層７３，７８の光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている。このことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。

１０ 入出力装置
１５ 表示装置
２０ タッチパネル装置
３０ タッチパネルセンサ
３２ 基材フィルム
３２ａ 面（一方の側の面）
３２ｂ 面（他方の側の面）
３３ フィルム本体
３６ａ 第１センサ電極
３６ｂ 第１取出配線
３６ｃ 検出制御部との接続端子部
３７ａ 第２センサ電極
３７ｂ 第２取出配線
３７ｃ 検出制御部との接続端子部
４０ 第１透明導電体
４１ 第１センサ部
４１ａ ライン部
４１ｂ 膨出部
４２ 第１接続部
４３ 第１取出導電体
４５ 第２透明導電体
４６ 第２センサ部
４６ａ ライン部
４６ｂ 膨出部
４７ 第２接続部
４８ 第２取出導電体
５０ 積層体（ブランクス）
５２ａ 第１透明導電層
５２ｂ 第２透明導電層
５４ａ 第１遮光導電層（第１被覆導電層）
５４ｂ 第２遮光導電層（第２被覆導電層）
５６ａ 第１感光層
５６ｂ 第２感光層
５６ｃ 第３感光層（さらなる感光層）
５６ｄ 第４感光層（さらなる感光層）
５８ａ 第１マスク（第１フォトマスク）
５８ｂ 第２マスク（第２フォトマスク）
５８ｃ 第３マスク（第３フォトマスク）
５８ｄ 第４マスク（第４フォトマスク）
６１ 第１中間層
６２ 第１保護層
６６ 第２中間層
６７ 第２保護層
７１ 第１アンダーコート層
７１ａ 面（一方の側の面）
７２ 第１高屈折率層
７２ａ 面（一方の側の面）
７３ 第１アンカー層
７６ 第２アンダーコート層
７６ｂ 面（他方の側の面）
７７ 第２高屈折率層
７７ｂ 面（他方の側の面）
７８ 第２アンカー層
８０ 中間積層体
８１ ０％線

Claims (8)

1. 基材フィルムと、
   基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第１透明導電体と、を備え、
   基材フィルムは、
   透明なフィルム本体と、
   フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、
   第１アンダーコート層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンカー層と、を有し、
   第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第１アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている
   ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
2. 前記フィルム本体がＰＥＴから形成されている
   ことを特徴とする請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
3. 前記第１アンカー層は、その厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっており、かつその光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている
   ことを特徴とする請求項１または２に記載のタッチパネルセンサ。
4. 請求項１に記載のタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
   基材フィルムと、
   基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層と、を備え、
   基材フィルムは、
   透明なフィルム本体と、
   フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、
   第１アンダーコート層の前記第１透明導電層側の面上に設けられた第１アンカー層と、を有し、
   第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第１アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている
   ことを特徴とする積層体。
5. 基材フィルムと、
   基材フィルムの一方の側の面上にパターニングされた第１透明導電体と、
   基材フィルムの他方の側の面上にパターニングされた第２透明導電体と、を備え、
   基材フィルムは、
   透明なフィルム本体と、
   フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、
   第１アンダーコート層の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンカー層と、
   フィルム本体の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンダーコート層と、
   第２アンダーコート層の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンカー層と、を有し、
   第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第２透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第２アンカー層、第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第２アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第１アンダーコート層および第２アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている
   ことを特徴とするタッチパネルセンサ。
6. 前記フィルム本体がＰＥＴから形成されている
   ことを特徴とする請求項５に記載のタッチパネルセンサ。
7. 前記第１アンカー層および前記第２アンカー層は、その厚みが８〜１８ｎｍの範囲内となっており、かつその光屈折率が１．４２〜１．５８の範囲内となっている
   ことを特徴とする請求項５または６に記載のタッチパネルセンサ。
8. 請求項５に記載のタッチパネルセンサを作製するために用いられる積層体であって、
   基材フィルムと、
   基材フィルムの一方の側の面上に設けられた第１透明導電層と、
   基材フィルムの他方の側の面上に設けられた第２透明導電層と、を備え、
   基材フィルムは、
   透明なフィルム本体と、
   フィルム本体の前記第１透明導電体側の面上に設けられた第１アンダーコート層と、
   第１アンダーコート層の前記第１透明導電層側の面上に設けられた第１アンカー層と、
   フィルム本体の前記第２透明導電体側の面上に設けられた第２アンダーコート層と、
   第２アンダーコート層の前記第２透明導電層側の面上に設けられた第２アンカー層と、を有し、
   第１透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第１アンカー層、第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第２透明導電体の光屈折率は、基材フィルムの第２アンカー層、第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも大きく、
   第１アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第１アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第２アンカー層の光屈折率は、基材フィルムの第２アンダーコート層およびフィルム本体の光屈折率よりも小さく、
   第１アンダーコート層および第２アンダーコート層は、その厚みが２００ｎｍ以上となっており、かつその光屈折率が、フィルム本体の光屈折率−０．０５〜フィルム本体の光屈折率＋０．１３の範囲内となっている
   ことを特徴とする積層体。

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