JP2013182648A - Substrate for suspension, suspension, suspension having device, hard disk drive, and manufacturing method of substrate for suspension - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板に関する。 The present invention relates to a suspension substrate that is not easily affected by static electricity.
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ(HDD)も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。 In recent years, due to the spread of the Internet and the like, there has been a demand for an increase in the amount of information processing of personal computers and an increase in information processing speed. Increasing information transmission speed is required.
HDDに用いられるサスペンション用基板(フレキシャ)は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。また、サスペンション用基板は、通常、金属支持基板、絶縁層および配線層がこの順に積層された基本構造を有する。 A suspension substrate (flexure) used in an HDD is usually formed at one end portion, formed at a recording / reproducing element mounting area for mounting a recording / reproducing element such as a magnetic head slider, and at the other end portion. It has an external circuit board connection area for connecting to the external circuit board, and a wiring layer for connecting the recording / reproducing element mounting area and the external circuit board connection area. The suspension substrate usually has a basic structure in which a metal support substrate, an insulating layer, and a wiring layer are laminated in this order.
例えば配線層の端子部の表面には、劣化防止や接続信頼性向上を目的として、めっき部を設けることが知られている。また、特許文献1には、めっき部を電気めっきで設ける際に給電のために設けるめっきリードの一部をエッチングにより除去する、配線回路基板の製造方法が開示されている。
For example, it is known that a plated portion is provided on the surface of the terminal portion of the wiring layer for the purpose of preventing deterioration and improving connection reliability.
配線層の一部を除去し断線部を形成すると、後述する図4に示すように、断線された配線層の端部が、カバー層から露出する場合がある。露出した端部に、例えば外部機器が接触すると、記録再生用素子等の素子に静電気が伝わり、最悪の場合、素子の静電破壊が生じる可能性がある。 When a part of the wiring layer is removed to form a disconnection portion, the end portion of the disconnected wiring layer may be exposed from the cover layer as shown in FIG. 4 described later. If, for example, an external device comes into contact with the exposed end portion, static electricity is transmitted to an element such as a recording / reproducing element, and in the worst case, electrostatic damage of the element may occur.
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を提供することを主目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, and a main object of the present invention is to provide a suspension substrate that is not easily affected by static electricity.
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に、上記配線層の断線部が形成され、上記開口部に、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。 In order to solve the above problems, in the present invention, a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and formed on the wiring layer are formed. A suspension substrate having a cover layer, wherein a disconnection portion of the wiring layer is formed in an opening portion of the metal support substrate and the insulating layer, and the opening portion is present in the disconnection portion. There is provided a suspension substrate characterized in that the cover layer having a transfer portion to which the shape of a wiring layer is transferred is formed.
本発明によれば、断線部に、転写部を有するカバー層が形成されていることから、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。 According to the present invention, since the cover layer having the transfer portion is formed in the disconnected portion, the end portion of the disconnected wiring layer is not exposed from the cover layer. Therefore, the suspension substrate can be hardly affected by static electricity.
上記発明においては、上記断線部が、めっき部を有する上記配線層の断線部であることが好ましい。 In the said invention, it is preferable that the said disconnection part is a disconnection part of the said wiring layer which has a plating part.
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。 The present invention also provides a suspension comprising the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、静電気による影響を受けにくいサスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension substrate, the suspension can be hardly affected by static electricity.
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。 The present invention also provides an element-equipped suspension comprising the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、静電気による影響を受けにくい素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element that is not easily affected by static electricity can be obtained.
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。 The present invention also provides a hard disk drive having the above-described suspension with an element.
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.
また、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する中間部材準備工程と、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する断線部形成工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。 Moreover, in this invention, it has a metal support substrate, the insulating layer formed on the said metal support substrate, the wiring layer formed on the said insulating layer, and the cover layer formed on the said wiring layer A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: an intermediate member preparing step of preparing an intermediate member in which the wiring layer is exposed in the opening of the metal support substrate and the insulating layer; and etching the wiring layer exposed in the opening A disconnection portion forming step of forming the disconnection portion, and forming the cover layer having the transfer portion to which the shape of the wiring layer existing in the disconnection portion is transferred. Provided is a method for manufacturing an industrial substrate.
本発明によれば、カバー層を形成し、その後、断線部を形成することで、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を得ることができる。 According to the present invention, by forming the cover layer and then forming the disconnection portion, the end portion of the disconnected wiring layer is not exposed from the cover layer. Therefore, a suspension substrate that is not easily affected by static electricity can be obtained.
上記発明においては、上記断線部形成工程の前に、上記配線層の一部にめっき部を形成するめっき部形成工程を有することが好ましい。 In the said invention, it is preferable to have the plating part formation process which forms a plating part in a part of said wiring layer before the said disconnection part formation process.
本発明のサスペンション用基板は、静電気による影響を受けにくいという効果を奏する。 The suspension substrate of the present invention has an effect of being hardly affected by static electricity.
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。 Hereinafter, the suspension substrate, suspension, suspension with element, hard disk drive, and manufacturing method of the suspension substrate of the present invention will be described in detail.
A.サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に、上記配線層の断線部が形成され、上記開口部に、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層が形成されていることを特徴とするものである。
A. Suspension substrate The suspension substrate of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover formed on the wiring layer. A suspension substrate having a layer, wherein the disconnection portion of the wiring layer is formed in an opening portion of the metal supporting substrate and the insulating layer, and the wiring layer existing in the disconnection portion in the opening portion The cover layer having a transfer portion to which the shape is transferred is formed.
図1は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図1(a)はサスペンション用基板の概略平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面図である。なお、図1(a)では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図1(a)に示されるサスペンション用基板100は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域101と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域102と、記録再生用素子実装領域101および外部回路基板接続領域102を電気的に接続する複数の配線層103a〜103dとを有するものである。配線層103aおよび配線層103bは一対の配線層であり、同様に、配線層103cおよび配線層103dも一対の配線層である。2つの一対の配線層は、一方が書込用配線層であり、他方が読取用配線層である。また、図1(b)に示すように、サスペンション用基板100は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3を覆うように形成されたカバー層4とを有する。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a suspension substrate of the present invention. FIG. 1A is a schematic plan view of a suspension substrate, and FIG. 1B is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. In FIG. 1A, illustration of the insulating layer and the cover layer is omitted for convenience. A
図2は、本発明における断線部を説明する概略斜視図である。また、図3(a)は図2のA−A断面図であり、図3(b)は図2のB−B断面図であり、図3(c)は図2の概略平面図である。図2に示すように、金属支持基板1および絶縁層2の開口部Xに、配線層3の断線部3xが形成されている。また、図3(a)〜(c)示すように、開口部Xに、断線部3xに存在していた配線層(断線部3xが形成される前の配線層)の形状が転写された転写部4xを有するカバー層4が形成されている。
FIG. 2 is a schematic perspective view for explaining a disconnection portion in the present invention. 3A is a cross-sectional view taken along line AA of FIG. 2, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG. 2, and FIG. 3C is a schematic plan view of FIG. . As shown in FIG. 2, a
本発明によれば、断線部に、転写部を有するカバー層が形成されていることから、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。ここで、図4に示すように、カバー層4の開口部において断線部を形成すると、断線された配線層の端部がカバー層から露出する場合がある。このような露出する端部(残渣部)は、例えば、配線層およびカバー層の間にNi等の保護金属層が存在する場合に生じやすい。その理由は保護金属層の存在によりエッチングが進行しにくくなるからである。これに対して、本発明においては、図3(c)に示すように、断線された配線層の端部がカバー層から露出しないため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板とすることができる。その結果、素子の静電破壊等を防止できるという利点がある。また、図3(b)に示すように、断線された配線層の端部は、絶縁層および金属支持基板により保護されるので、たとえ金属支持基板側から外部機器が接近しても、外部機器および配線層の接触を防止できるという利点がある。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
According to the present invention, since the cover layer having the transfer portion is formed in the disconnected portion, the end portion of the disconnected wiring layer is not exposed from the cover layer. Therefore, the suspension substrate can be hardly affected by static electricity. Here, as shown in FIG. 4, when a disconnected portion is formed in the opening of the
Hereinafter, the suspension substrate of the present invention will be described separately for the suspension substrate member and the suspension substrate configuration.
1.サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層およびカバー層を少なくとも有する。
1. First, members of the suspension substrate of the present invention will be described. The suspension substrate of the present invention has at least a metal support substrate, an insulating layer, a wiring layer, and a cover layer.
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば10μm〜20μmの範囲内である。 The metal support substrate in the present invention functions as a support for the suspension substrate. The material of the metal support substrate is preferably a metal having a spring property, and specific examples include stainless steel. Moreover, although the thickness of a metal support substrate changes with kinds of the material, it exists in the range of 10 micrometers-20 micrometers, for example.
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば5μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜18μmの範囲内であることがより好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがさらに好ましい。 The insulating layer in the present invention is formed on a metal support substrate. The material of the insulating layer is not particularly limited as long as it has insulating properties, and examples thereof include a resin. Examples of the resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, polybenzimidazole resin, acrylic resin, polyether nitrile resin, polyether sulfone resin, polyethylene terephthalate resin, polyethylene naphthalate resin, and polyvinyl chloride resin. Of these, polyimide resin is preferred. It is because it is excellent in insulation, heat resistance and chemical resistance. In addition, the material of the insulating layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the insulating layer is, for example, preferably in the range of 5 μm to 30 μm, more preferably in the range of 5 μm to 18 μm, and still more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅(Cu)が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば5μm〜18μmの範囲内であることが好ましく、5μm〜12μmの範囲内であることがより好ましい。 The wiring layer in the present invention is formed on the insulating layer. The material of the wiring layer is not particularly limited as long as it has conductivity, but for example, a metal can be cited, and copper (Cu) is particularly preferable. Moreover, the material of the wiring layer may be rolled copper or electrolytic copper. The thickness of the wiring layer is preferably in the range of 5 μm to 18 μm, for example, and more preferably in the range of 5 μm to 12 μm.
上記配線層としては、例えば書込用配線層、読取用配線層、熱アシスト用配線層、アクチュエータ素子用配線層、電源用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、グランド用配線層、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層等を挙げることができる。 Examples of the wiring layer include a writing wiring layer, a reading wiring layer, a heat assist wiring layer, an actuator element wiring layer, a power supply wiring layer, a flight height control wiring layer, a ground wiring layer, and a noise shield. Examples thereof include a wiring layer and a wiring layer for preventing crosstalk.
また、配線層の一部の表面には、めっき部が形成されていることが好ましい。めっき部を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できるからである。特に、本発明においては、配線層の端子部にめっき部が形成されていることが好ましい。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Auめっき、Niめっき、Agめっき、Cuめっき等を挙げることができる。中でも、配線層の表面側からNiめっきおよびAuめっきが形成されていることが好ましい。めっき部の厚さは、例えば0.1μm〜4μmの範囲内である。 Moreover, it is preferable that the plating part is formed in the one part surface of a wiring layer. This is because the deterioration (corrosion or the like) of the wiring layer can be prevented by providing the plating portion. In particular, in the present invention, it is preferable that a plating portion is formed in the terminal portion of the wiring layer. Although the kind of plating part is not specifically limited, For example, Au plating, Ni plating, Ag plating, Cu plating etc. can be mentioned. Especially, it is preferable that Ni plating and Au plating are formed from the surface side of the wiring layer. The thickness of the plating portion is, for example, in the range of 0.1 μm to 4 μm.
本発明のサスペンション用基板は、配線層を覆うカバー層を有していても良い。カバー層を設けることにより、配線層の劣化(腐食等)を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。配線層上のカバー層の厚さは、例えば2μm〜30μmの範囲内であることが好ましく、2μm〜10μmの範囲内であることがより好ましい。 The suspension substrate of the present invention may have a cover layer that covers the wiring layer. By providing the cover layer, deterioration (corrosion etc.) of the wiring layer can be prevented. Examples of the material for the cover layer include those described above as the material for the insulating layer, and among them, a polyimide resin is preferable. The material of the cover layer may be a photosensitive material or a non-photosensitive material. The thickness of the cover layer on the wiring layer is preferably in the range of 2 μm to 30 μm, for example, and more preferably in the range of 2 μm to 10 μm.
2.サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板および絶縁層の開口部に、配線層の断線部が形成されていることを一つの特徴とする。断線部が形成される配線層の種類は、特に限定されるものではなく、上述した任意の配線層を挙げることができる。中でも、本発明においては、断線部が、めっき部を有する配線層の断線部であることが好ましい。例えば複数の端子部でめっき線を共有させると、省スペース化を図ることができるからである。また、図5(a)に示すように、断線部3xの距離をL1とすると、L1は、例えば10μm以上であり、10μm〜300μmの範囲内であることが好ましく、20μm〜200μmの範囲内であることがより好ましい。上記範囲であれば、十分な絶縁を図りつつ、断線された配線層の端部に外部機器が接触することを防止できるからである。
2. Next, the configuration of the suspension substrate of the present invention will be described. One feature of the suspension substrate of the present invention is that a broken portion of the wiring layer is formed in the openings of the metal support substrate and the insulating layer. The kind of wiring layer in which the disconnection part is formed is not particularly limited, and may include any of the wiring layers described above. Especially, in this invention, it is preferable that a disconnection part is a disconnection part of the wiring layer which has a plating part. For example, if the plating wire is shared by a plurality of terminal portions, space can be saved. Further, as shown in FIG. 5 (a), when the distance of disconnecting
本発明における開口部は、通常、露出する配線層をエッチングし断線部を形成するための開口部である。金属支持基板の開口部と、絶縁層の開口部との位置関係は、特に限定されるものではないが、図5(a)に示すように、絶縁層2の開口部が、金属支持基板1の開口部よりも内側に形成されていることが好ましい。すなわち、開口部における絶縁層2の端部21が、開口部における金属支持基板1の端部11よりも突出していることが好ましい。配線層3と金属支持基板1との短絡を防止できるからである。
The opening in the present invention is usually an opening for etching the exposed wiring layer to form a disconnected portion. The positional relationship between the opening of the metal support substrate and the opening of the insulating layer is not particularly limited. However, as shown in FIG. It is preferable that it is formed inside the opening. That is, it is preferable that the
また、本発明においては、図5(b)に示すように、開口部における絶縁層2の端部21が、断線された配線層3の端部31よりも突出していることが好ましい。ここで、配線層3の端部31と、絶縁層2の端部21との距離L2は、特に限定されるものではないが、例えば3μm以上であることが好ましく、3μm〜50μmの範囲内であることがより好ましく、10μm〜25μmの範囲内であることがさらに好ましい。上記範囲であれば、配線層の端部と外部機器との接触をさらに防止できるからである。
Further, in the present invention, as shown in FIG. 5B, it is preferable that the
本発明においては、通常、配線層上にカバー層を形成した後に、上記開口部から露出する配線層をエッチングし断線部を形成する。そのため、カバー層には、断線部に存在していた配線層の形状が転写された転写部が形成される。カバー層は、平面視上、断線された配線層の端部と重複するように形成されていれば良く、断線部の全域に形成されていることが好ましい。また、カバー層は、平面視上、上記開口部の全体を覆うように形成されていても良い。 In the present invention, usually, after forming the cover layer on the wiring layer, the wiring layer exposed from the opening is etched to form the disconnection portion. Therefore, a transfer portion to which the shape of the wiring layer existing in the disconnection portion is transferred is formed in the cover layer. The cover layer only needs to be formed so as to overlap the end portion of the disconnected wiring layer in plan view, and is preferably formed over the entire disconnected portion. Further, the cover layer may be formed so as to cover the entire opening in a plan view.
本発明におけるカバー層は、上記開口部において、配線方向に沿って直線的に形成されていても良く、配線方向に沿って段差部を有するように形成されていても良い。前者の具体例としては、図3(b)に示すように、配線方向Dに沿って直線的(厚さ方向において変化せず)に形成されたカバー層4を挙げることができる。この場合、カバー層上部に外部接続機器を搭載するときに平行性を確保できる(例えば、記録再生用素子実装領域に断線部が必要な場合に、記録再生用素子の平行性を確保できる)という利点を有する。一方、図6(a)、(b)は、図3(a)、(b)と同様に、それぞれ図2のA−A断面およびB−B断面を示す。後者の具体例としては、図6(b)に示すように、配線方向Dに沿って段差部Uを有するように(厚さ方向において変化するように)形成されたカバー層4を挙げることができる。この場合、例えば個片のサスペンション用基板にカットするためのカットラインを、上記断線部と一致させることで、カットしやすいという利点がある。すなわち、上記断線部では、カバー層のみしか存在しないため総厚が薄く、さらに、金属支持基板からカバー層までの距離(厚さ方向の距離)が小さいため、カット時にサスペンション用基板に加わる応力が小さく、サスペンション用基板が変形しにくいという利点がある。
The cover layer in the present invention may be formed linearly along the wiring direction in the opening, or may be formed so as to have a step portion along the wiring direction. As a specific example of the former, as shown in FIG. 3B, a
また、本発明における断線部の設置位置は、特に限定されるものではなく、任意の場所を選択できる。断線部の設置位置の一例としては、例えば図7(a)に示すように、めっき線3cに設けられた断線部3xを挙げることができる。より具体的には、引き回し部3a、端子部3b、めっき線3cを有する配線層において、複数の端子部3bがめっき線3cを共有しており、そのめっき線3cに断線部3xが設けられている。この場合、めっき部を形成した後に、めっき線3cに断線部3xを形成することで、各々の配線層が独立したものとなる。なお、図7(b)に示すように、各端子部3bに接続された複数のめっき線3cが集まる集約点Pに断線部3xが設けられていても良い。端子部3bの種類は特に限定されるものではなく、例えば、カバー層側の表面および絶縁層側の表面が露出した端子部(フライングリード)であっても良く、カバー層側の表面または絶縁層側の表面が露出した端子部であっても良い。また、端子部は、例えば、外部回路基板との接続される端子部であっても良く、テスト用の電極に接続される端子部(テストパッド)であっても良い。
Moreover, the installation position of the disconnection part in this invention is not specifically limited, Arbitrary places can be selected. As an example of the installation position of the disconnection part, as shown in FIG. 7A, for example, the
断線部の設置位置の他の例としては、例えば図7(c)に示すように、端子間接続部3dに設けられた断線部3xを挙げることができる。より具体的には、引き回し部3a、端子部3b、めっき線3c、端子間接続部3dを有する配線層において、複数の端子部3bを接続する端子間接続部3dに断線部3xが設けられている。また、めっき線3cにも断線部3xが設けられている。この場合も、めっき部を形成した後に、めっき線3cおよび端子間接続部3dに断線部3xを形成することで、各々の配線層が独立したものとなる。
As another example of the installation position of the disconnection part, for example, as shown in FIG. 7C, a
B.サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
B. Suspension Next, the suspension of the present invention will be described. The suspension of the present invention includes the above-described suspension substrate and a load beam provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side.
図8は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図8に示されるサスペンション300は、上述したサスペンション用基板100と、サスペンション用基板100の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム200とを有するものである。
FIG. 8 is a schematic plan view showing an example of the suspension of the present invention. A
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、静電気による影響を受けにくいサスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension substrate, the suspension can be hardly affected by static electricity.
本発明のサスペンションは、サスペンション用基板と、ロードビームとを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「A.サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。 The suspension of the present invention includes a suspension substrate and a load beam. The suspension substrate in the present invention is the same as the content described in the above “A. Suspension substrate”, and therefore description thereof is omitted here. On the other hand, the load beam in the present invention is provided on the surface of the suspension substrate on the metal support substrate side. Although the material of the load beam is not particularly limited, for example, a metal can be used, and stainless steel is preferable.
C.素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とするものである。
C. Next, the suspension with an element of the present invention will be described. A suspension with an element of the present invention includes the above-described suspension and a recording / reproducing element disposed on the suspension.
図9は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図9に示される素子付サスペンション400は、上述したサスペンション300と、サスペンション300の記録再生用素子実装領域101に実装された記録再生用素子301と、を有するものである。
FIG. 9 is a schematic plan view showing an example of the suspension with an element of the present invention. The element-mounted
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、静電気による影響を受けにくい素子付サスペンションとすることができる。 According to the present invention, by using the above-described suspension, a suspension with an element that is not easily affected by static electricity can be obtained.
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび記録再生用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「B.サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、本発明における記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。また、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等の他の素子を有していても良い。 The suspension with an element of the present invention includes at least a suspension and a recording / reproducing element. The suspension according to the present invention is the same as the content described in “B. Suspension” above, and thus the description thereof is omitted here. Further, the recording / reproducing element in the present invention is not particularly limited, but an element having a magnetism generating element is preferable. Specifically, a magnetic head slider can be mentioned. The suspension with an element of the present invention may have other elements such as a thermal assist element and an actuator element.
D.ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
D. Next, the hard disk drive of the present invention will be described. The hard disk drive of the present invention has the above-described suspension with an element.
図10は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図10に示されるハードディスクドライブ500は、上述した素子付サスペンション400と、素子付サスペンション400がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク401と、ディスク401を回転させるスピンドルモータ402と、素子付サスペンション400の素子を移動させるアーム403およびボイスコイルモータ404と、上記の部材を密閉するケース405とを有するものである。
FIG. 10 is a schematic plan view showing an example of the hard disk drive of the present invention. A
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。 According to the present invention, a hard disk drive with higher functionality can be obtained by using the above-described suspension with an element.
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「C.素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。 The hard disk drive of the present invention has at least a suspension with an element, and usually further includes a disk, a spindle motor, an arm, and a voice coil motor. Since the suspension with an element is the same as the content described in “C. Suspension with an element”, description thereof is omitted here. As other members, the same members as those used in a general hard disk drive can be used.
E.サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層とを有するサスペンション用基板の製造方法であって、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する中間部材準備工程と、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する断線部形成工程と、を有することを特徴とするものである。
E. Next, a method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described. The suspension substrate manufacturing method of the present invention includes a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover formed on the wiring layer. An intermediate member preparing step of preparing an intermediate member in which the wiring layer is exposed in the opening of the metal support substrate and the insulating layer, and the exposure of the substrate from the opening A disconnection portion forming step of forming a disconnection portion by etching the wiring layer and forming the cover layer having a transfer portion to which the shape of the wiring layer existing in the disconnection portion is transferred. It is a feature.
図11は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図11においては、まず、金属支持基板1および絶縁層2の開口部に配線層3が露出する中間部材110を準備する(図11(a)、中間部材準備工程)。次に、開口部から露出する配線層3をエッチングすることで断線部を形成し、断線部に存在していた配線層(断線部が形成される前の配線層)の形状が転写された転写部4xを有するカバー層4を形成する(図11(b)、断線部形成工程)。これにより、サスペンション用基板が得られる。
FIG. 11 is a schematic cross-sectional view showing an example of the suspension substrate of the present invention. In FIG. 11, first, an
本発明によれば、カバー層を形成し、その後、断線部を形成することで、断線された配線層の端部がカバー層から露出しない構造となる。そのため、静電気による影響を受けにくいサスペンション用基板を得ることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、工程毎に説明する。
According to the present invention, by forming the cover layer and then forming the disconnection portion, the end portion of the disconnected wiring layer is not exposed from the cover layer. Therefore, a suspension substrate that is not easily affected by static electricity can be obtained.
Hereinafter, the method for manufacturing a suspension substrate according to the present invention will be described step by step.
1.中間部材準備工程
本発明における中間部材準備工程は、上記金属支持基板および上記絶縁層の開口部に上記配線層が露出する中間部材を準備する工程である。中間部材準備工程の具体的な方法としては、例えばサブトラクティブ法およびアディティブ法を挙げることができる。以下、これらの方法について詳細に説明する。
1. Intermediate member preparation step The intermediate member preparation step in the present invention is a step of preparing an intermediate member in which the wiring layer is exposed at the openings of the metal support substrate and the insulating layer. Specific examples of the intermediate member preparation step include a subtractive method and an additive method. Hereinafter, these methods will be described in detail.
(1)サブトラクティブ法
まず、サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程について説明する。サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程の一例としては、金属支持部材、絶縁部材および導体部材がこの順に積層された積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記導体部材をエッチングし配線層を形成する配線層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有する工程を挙げることができる。
(1) Subtractive method First, the intermediate member preparation process using the subtractive method will be described. As an example of the intermediate member preparation process using the subtractive method, a laminated member preparation process for preparing a laminated member in which a metal support member, an insulating member, and a conductor member are laminated in this order, and a wiring layer by etching the conductor member A wiring layer forming step to form, a metal supporting substrate forming step of etching the metal supporting member to form a metal supporting substrate having an opening, a cover layer forming step of forming a cover layer on the wiring layer, and the insulation And an insulating layer forming step of forming an insulating layer having an opening by etching the member.
具体的には、図12に示すように、まず、金属支持部材1A、絶縁部材2A、および導体部材3Aがこの順に積層された積層部材を準備する(図12(a))。次に、導体部材3Aに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、配線層3を形成する(図12(b))。この際、金属支持部材1Aに対して、ウェットエッチングを同時に行い、開口部を有する金属支持基板1を形成する。次に、配線層3上にカバー層4を形成し(図12(c))、絶縁部材2Aに対してウェットエッチングを行うことで開口部を有する絶縁層2を形成する(図12(d))。これにより、中間部材110が得られる。その後、開口部をレジスト5で保護した状態で、めっき部(図示せず)を形成する(図12(e))。これにより、開口部から露出する配線層3にめっき部が形成されることを防止でき、断線層の形成が容易になる。最後に、開口部から露出する配線層3に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板100が得られる(図12(f))。なお、この製造方法では、図3(a)と同様のサスペンション用基板が得られる。
以下、サブトラクティブ法を用いた中間部材準備工程について、工程ごとに説明する。
Specifically, as shown in FIG. 12, first, a laminated member in which the
Hereinafter, the intermediate member preparation process using the subtractive method will be described for each process.
(i)積層部材準備工程
積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
(I) Laminated member preparation step The laminated member preparation step is a step of preparing a laminated member having a metal supporting member, an insulating member formed on the metal supporting member, and a conductor member formed on the insulating member. It is.
サブトラクティブ法においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層部材の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して、絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。 In the subtractive method, a metal supporting board is obtained by etching the metal supporting member of the laminated member, an insulating layer is obtained by etching the insulating member of the laminated member, and the conductive member of the laminated member is etched. A wiring layer is obtained. The laminated member may be a commercially available three-layer material, or may be obtained by sequentially forming an insulating member and a conductor member on a metal support member.
(ii)配線層形成工程
配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、配線層を形成する工程である。
(Ii) Wiring layer forming step The wiring layer forming step is a step of etching the conductor member to form a wiring layer.
配線層の形成方法としては、例えば、導体部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。 Examples of the method for forming the wiring layer include a method in which a resist pattern is formed on a conductor member using a dry film resist (DFR) or the like, and the conductor member exposed from the resist pattern is wet-etched. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is Cu, an iron chloride-based etching solution or the like can be used.
(iii)金属支持基板形成工程
金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する工程である。金属支持基板形成工程および配線層形成工程は、同時に行っても良く、別個に行っても良いが、前者が好ましい。工程の簡略化を図ることができるからである。
(Iii) Metal support substrate forming step The metal support substrate forming step is a step of etching the metal support member to form a metal support substrate having an opening. The metal support substrate forming step and the wiring layer forming step may be performed simultaneously or separately, but the former is preferable. This is because the process can be simplified.
金属支持基板の形成方法としては、例えば、金属支持部材上に、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する金属支持部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。 Examples of a method for forming a metal support substrate include a method of forming a resist pattern on a metal support member using a dry film resist (DFR) or the like, and wet etching the metal support member exposed from the resist pattern. Can do. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the metal support member is stainless steel, an iron chloride-based etching solution or the like can be used. .
(iv)カバー層形成工程
カバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
(Iv) Cover layer forming step The cover layer forming step is a step of forming a cover layer on the wiring layer.
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングすることによりパターン状のカバー層を得ることができる。 The method for forming the cover layer is not particularly limited, and is preferably selected as appropriate according to the material of the cover layer. For example, when the material of the cover layer is a photosensitive material, a patterned cover layer can be obtained by exposing and developing the cover layer formed on the entire surface. When the cover layer material is a non-photosensitive material, a predetermined resist pattern is formed on the surface of the cover layer formed on the entire surface, and a portion exposed from the resist pattern is wet-etched to form a patterned cover. A layer can be obtained.
(v)絶縁層形成工程
絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成する工程である。
(V) Insulating layer forming step The insulating layer forming step is a step of etching the insulating member to form an insulating layer having an opening.
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト(DFR)等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。 Examples of the method for forming the insulating layer include a method of forming a resist pattern on the insulating member using a dry film resist (DFR) or the like, and wet etching the insulating member exposed from the resist pattern. . The type of etchant used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of insulating member. For example, when the material of the insulating member is a polyimide resin, an alkaline etchant or the like can be used.
(vi)めっき部形成工程
本発明においては、断線部形成工程の前に、配線層の一部にめっき部を形成するめっき部形成工程を有することが好ましい。
(Vi) Plating part formation process In this invention, it is preferable to have the plating part formation process which forms a plating part in a part of wiring layer before a disconnection part formation process.
めっき部は、通常、電解めっき法により形成されるものである。例えば電解Niめっき浴としては、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、電解Auめっき浴としては、シアン化金浴、酸性金浴等を挙げることができる。 The plating part is usually formed by an electrolytic plating method. For example, examples of the electrolytic Ni plating bath include a watt bath and a sulfamic acid bath. Examples of the electrolytic Au plating bath include a gold cyanide bath and an acidic gold bath.
(2)アディティブ法
次に、アディティブ法を用いた中間部材準備工程について説明する。アディティブ法を用いた中間部材準備工程の一例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持基板をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程と、上記絶縁層をエッチングし開口部を形成する絶縁層開口部形成工程とを有する工程を挙げることができる。
(2) Additive method Next, the intermediate member preparation process using the additive method will be described. As an example of the intermediate member preparing step using the additive method, a metal supporting member preparing step for preparing a metal supporting member, an insulating layer forming step for forming an insulating layer on the metal supporting member, and wiring on the insulating layer A wiring layer forming step for forming a layer; a cover layer forming step for forming a cover layer on the wiring layer; a metal supporting substrate forming step for etching the metal supporting substrate to form a metal supporting substrate having an opening; And an insulating layer opening forming step of forming the opening by etching the insulating layer.
具体的には、図13に示すように、まず金属支持部材1Aを準備する(図13(a))。次に、金属支持部材1Aの表面上に、開口部を有しないパターン状の絶縁層2を形成する(図13(b))。次に、絶縁層2上にシード層(図示せず)を形成し、そのシード層上に配線層3を形成する(図13(c))。次に、配線層3上にカバー層4を形成する(図13(d))。その後、金属支持部材1Aに対して、ウェットエッチングを行い、開口部を有する金属支持基板1を形成する(図13(e))。次に、絶縁層2に対して、ウェットエッチングを行い、開口部を形成する(図13(f))。これにより、中間部材110が得られる。その後、開口部をレジスト5で保護した状態で、めっき部(図示せず)を形成する(図13(g))。最後に、開口部から露出する配線層3に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板100が得られる(図13(h))。なお、この製造方法では、上述したサブトラクティブ法を用いた場合と同様のサスペンション用基板が得られる。
Specifically, as shown in FIG. 13, first, a
アディティブ法を用いた中間部材準備工程の他の例としては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記開口部から露出した金属支持部材上に配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上にカバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持基板をエッチングし開口部を有する金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有する工程を挙げることができる。 Other examples of the intermediate member preparing step using the additive method include a metal supporting member preparing step for preparing a metal supporting member, and an insulating layer forming step for forming an insulating layer having an opening on the metal supporting member, A wiring layer forming step of forming a wiring layer on the metal supporting member exposed from the opening; a cover layer forming step of forming a cover layer on the wiring layer; and a metal having an opening by etching the metal supporting substrate. The process which has a metal support substrate formation process which forms a support substrate can be mentioned.
具体的には、図14に示すように、まず金属支持部材1Aを準備する(図14(a))。次に、金属支持部材1Aの表面上に、開口部を有するパターン状の絶縁層2を形成する(図14(b))。次に、開口部から露出した金属支持部材1A上にシード層(図示せず)を形成し、そのシード層上に配線層3を形成する(図14(c))。次に、配線層3上にカバー層4を形成する(図14(d))。次に、めっき部を形成しない部位をレジスト5で保護した状態で、めっき部(図示せず)を形成する(図14(e))。なお、配線層3は露出していないので、配線層3を保護する必要はないが、他の部位を保護するために、レジスト5が付随的に形成される。次に、金属支持部材1Aに対して、ウェットエッチングを行い、開口部を有する金属支持基板1を形成する(図14(f))。これにより、中間部材110が得られる。最後に、開口部から露出する配線層3に対して、ウェットエッチングを行うことで、サスペンション用基板100が得られる(図14(g))。なお、この製造方法では、図6(a)と同様のサスペンション用基板が得られる。
Specifically, as shown in FIG. 14, first, a
図14に示す製造方法では、金属支持基板形成工程(図14(f))および断線部形成工程(図14(g))を連続的に行うことが好ましい。そのため、めっき部形成工程(図14(e))は、中間部材110の形成前に行うことが好ましい。一方、図15に示すように、金属支持基板形成工程(図15(e))および断線部形成工程(図15(g))を別個に行う場合には、めっき部形成工程(図15(f))を両工程の間に行っても良い。すなわち、中間部材準備工程の後に、めっき部形成工程を行っても良い。なお、アディティブ法における各工程については、基本的にサブトラクティブ法における各工程で記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
In the manufacturing method shown in FIG. 14, it is preferable to continuously perform the metal support substrate forming step (FIG. 14 (f)) and the disconnection portion forming step (FIG. 14 (g)). Therefore, it is preferable to perform the plating part forming step (FIG. 14E) before forming the
2.断線部形成工程
次に、本発明における断線部形成工程について説明する。本発明における断線部形成工程は、上記開口部から露出する上記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、上記断線部に存在していた上記配線層の形状が転写された転写部を有する上記カバー層を形成する工程である。
2. Disconnection part formation process Next, the disconnection part formation process in this invention is demonstrated. The disconnection portion forming step in the present invention includes a transfer portion in which the disconnection portion is formed by etching the wiring layer exposed from the opening, and the shape of the wiring layer existing in the disconnection portion is transferred. A step of forming the cover layer;
上記開口部から露出する配線層のエッチング方法としては、特に限定されるものではないが、例えばウェットエッチングを挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がCuである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。また、本発明においては、断線部形成工程と同時に、金属支持基板の外形加工を行っても良い。 The method for etching the wiring layer exposed from the opening is not particularly limited, and examples thereof include wet etching. The type of etching solution used for wet etching is preferably selected as appropriate according to the type of conductor member. For example, when the material of the conductor member is Cu, an iron chloride-based etching solution or the like can be used. Moreover, in this invention, you may perform the external shape process of a metal support substrate simultaneously with a disconnection part formation process.
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。 The present invention is not limited to the above embodiment. The above-described embodiment is an exemplification, and the technical idea described in the claims of the present invention has substantially the same configuration and exhibits the same function and effect regardless of the case. It is included in the technical scope of the invention.
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples.
[実施例]
まず、厚さ18μmのSUS304(金属支持部材)、厚さ10μmのポリイミド樹脂層(絶縁部材)、厚さ9μmの電解銅層(導体部材)を有する積層部材を準備した(図12(a))。次に、ドライフィルムレジストを積層部材の両面にラミネートし、レジストパターンを形成した。次に、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した(図12(b))。
[Example]
First, a laminated member having SUS304 (metal support member) having a thickness of 18 μm, a polyimide resin layer (insulating member) having a thickness of 10 μm, and an electrolytic copper layer (conductor member) having a thickness of 9 μm was prepared (FIG. 12A). . Next, a dry film resist was laminated on both surfaces of the laminated member to form a resist pattern. Next, etching was performed using a ferric chloride solution, and a resist film was removed after the etching. Thereby, a wiring layer was formed from the conductor member, and an opening was formed in the metal support member (FIG. 12B).
その後、パターニングされた配線層上に、ポリイミド前駆体溶液をダイコーターでコーティングし、所定のパターニングによりカバー層を形成した(図12(c))。次に、絶縁部材をパターニングするために、レジスト製版し、露出する部位のポリイミド樹脂をウェットエッチングし、開口部を有する絶縁層を形成した(図12(d))。次に、開口部をレジストで保護し、配線層の端子部に、電解Auめっきによりめっき部を形成した(図12(e))。最後に、塩化第二鉄液を用いて、開口部から露出する配線層のエッチングと、金属支持基板の外形加工とを行った(図12(f))。これにより、サスペンション用基板を得た。 Thereafter, a polyimide precursor solution was coated on the patterned wiring layer with a die coater, and a cover layer was formed by a predetermined patterning (FIG. 12C). Next, in order to pattern the insulating member, resist plate-making was performed, and the exposed polyimide resin was wet-etched to form an insulating layer having an opening (FIG. 12D). Next, the opening was protected with a resist, and a plated portion was formed on the terminal portion of the wiring layer by electrolytic Au plating (FIG. 12E). Finally, using the ferric chloride solution, etching of the wiring layer exposed from the opening and external processing of the metal support substrate were performed (FIG. 12 (f)). As a result, a suspension substrate was obtained.
X…開口部、1…金属支持基板、 2…絶縁層、 3…配線層、 3x…断線部、 3a…引き回し部、 3b…端子部、 3c…めっき線、 3d…端子間接続部、 4…カバー層、 4x…転写部、 5…レジスト、 21…絶縁層の端部、 31…配線層の端部、 100…サスペンション用基板、 101…記録再生用素子実装領域、 102…外部回路基板接続領域、 103…配線層、 110…中間部材
X ... opening, 1 ... metal support substrate, 2 ... insulating layer, 3 ... wiring layer, 3x ... disconnection part, 3a ... routing part, 3b ... terminal part, 3c ... plated wire, 3d ... inter-terminal connection part, 4 ...
Claims (7)
前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部に、前記配線層の断線部が形成され、
前記開口部に、前記断線部に存在していた前記配線層の形状が転写された転写部を有する前記カバー層が形成されていることを特徴とするサスペンション用基板。 A suspension substrate having a metal support substrate, an insulating layer formed on the metal support substrate, a wiring layer formed on the insulating layer, and a cover layer formed on the wiring layer,
In the opening of the metal support substrate and the insulating layer, a disconnected portion of the wiring layer is formed,
The suspension substrate, wherein the cover layer having a transfer portion to which the shape of the wiring layer existing in the disconnected portion is transferred is formed in the opening.
前記金属支持基板および前記絶縁層の開口部に前記配線層が露出する中間部材を形成する中間部材準備工程と、
前記開口部から露出する前記配線層をエッチングすることで断線部を形成し、前記断線部に存在していた前記配線層の形状が転写された転写部を有する前記カバー層を形成する断線部形成工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 A method for manufacturing a suspension substrate, comprising: a metal support substrate; an insulating layer formed on the metal support substrate; a wiring layer formed on the insulating layer; and a cover layer formed on the wiring layer. There,
An intermediate member preparing step of forming an intermediate member in which the wiring layer is exposed at the opening of the metal support substrate and the insulating layer;
Forming a disconnection portion by forming the disconnection portion by etching the wiring layer exposed from the opening, and forming the cover layer having a transfer portion to which the shape of the wiring layer existing in the disconnection portion is transferred Process,
A method for manufacturing a suspension substrate, comprising:
Priority Applications (1)
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