JP2013175495A - 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 - Google Patents
部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013175495A JP2013175495A JP2012037392A JP2012037392A JP2013175495A JP 2013175495 A JP2013175495 A JP 2013175495A JP 2012037392 A JP2012037392 A JP 2012037392A JP 2012037392 A JP2012037392 A JP 2012037392A JP 2013175495 A JP2013175495 A JP 2013175495A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- component
- hole
- chip
- chip component
- land
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/82—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
- H01L2224/04105—Bonding areas formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bonding areas on chip-scale packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/18—High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/23—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
- H01L2224/25—Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of a plurality of high density interconnect connectors
- H01L2224/251—Disposition
- H01L2224/2518—Disposition being disposed on at least two different sides of the body, e.g. dual array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73267—Layer and HDI connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/921—Connecting a surface with connectors of different types
- H01L2224/9212—Sequential connecting processes
- H01L2224/92142—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92144—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
【解決手段】ガラス材入り有機樹脂基板の空孔に、平面視が矩形形状であるチップ部品が設置された部品内蔵印刷配線板を、前記空孔の四隅を、前記チップ部品の4つの角から間隙を開けて形成し、前記空孔の四辺部分を前記空孔内に突出させ、前記空孔の底にランド開口穴を有する部品支持ランドを配置し、該部品支持ランドで前記チップ部品が保持され、前記チップ部品を上下からビルドアップ層で覆い、該ビルドアップ層の上面から前記チップ部品の電極端子の上面に達する部品電極上側接続バイアホールと、前記ビルドアップ層の下面から前記部品支持ランドに達し前記ランド開口穴を貫通して前記電極端子の下面に達する部品電極下側接続バイアホールとを金属めっきで形成する。
【選択図】図1
Description
従来技術における部品内蔵印刷配線板の製造方法は、特許文献1の技術では、銅張両面板に、所望の配線パターンとバイアホールを形成し、内蔵するチップ部品と電気接続する部品実装用パッドを有する回路基板(ベースプレートと称す)を得た。そして、ベースプレートに形成された部品実装用パッドに、所望のチップ部品の電極端子を半田付けする。内蔵部品実装パッドには、半田濡れ性向上のため銀めっきや錫めっきを施す場合もある。
特許文献2の技術では、バイアホールあるいはスルーホールで電気接続された多層の配線パターンを形成したコア基板を製造し、そのコア基板を貫通する空孔を形成し、その空孔にチップ部品を収納できるようにする。チップ部品を収納するための貫通した空孔を有するコア基板の片側に樹脂付き銅箔(RCC:Resin Coated Copper Foil)を、樹脂部分をコア基板に貼り付けて空孔の片側を塞ぐ。
特許文献3の技術では、バイアホールあるいはスルーホールで電気接続された多層の配線パターンを形成したコア基板を製造し、次に、そのコア基板の所望の部分にチップ部品を挿入する空孔を形成する。この際、ドリルを用いて長穴を加工することで空孔を形成し、長穴の加工ピッチはドリル半径超〜ドリル直径未満とし、加工した孔間には孔壁部に突起ができるように孔を形成する。
特許文献1の部品内蔵印刷配線板の技術には以下の問題があった。
特許文献2の部品内蔵印刷配線板の技術には以下の問題があった。
特許文献3の部品内蔵印刷配線板の技術には以下の問題があった。
四隅を前記チップ部品の4つの角から間隙を開け、該空孔の四辺部分を該空孔内に突出させた形に形成する工程と、前記空孔に前記チップ部品を挿入し前記部品支持ランドで前記チップ部品を保持させる工程と、前記ガラス材入り有機樹脂基板と前記チップ部品を上下からビルドアップ層で覆う工程と、前記ビルドアップ層の下面からレーザー穴あけにより、前記部品支持ランドに達し前記ランド開口穴を貫通して前記チップ部品の電極端子に達する穴を形成し該穴に金属めっきすることで部品電極下側接続バイアホールを形成する工程を有することを特徴とする部品内蔵印刷配線板の製造方法である。
<第1の実施形態>
図1(a)に、本発明の第1の実施形態の部品内蔵印刷配線板10の平面の断面図を示し、図1(b)に、その側断面図を示す。図2〜図6は、第1の実施形態の部品内蔵印刷配線板10の製造方法を説明する側断面図及び平面図である。
図1(a)に示すように、空孔31の平面視の形状は、矩形のチップ部品50の4つの角が空孔31の側壁に接触しないように、4つの四隅部分31aを、矩形形状のチップ部品50の4つの角よりも10μm以上大きく形成する。一方、空孔31の四辺部分31bは、空孔31内へ、円弧状または円弧に類似した形に突出させる。
以下で、図2から図6を参照して、本発明の第1の実施形態の部品内蔵印刷配線板10の製造方法を説明する。
先ず、部品内蔵印刷配線板10を構成するガラス材入り有機樹脂コア基板30の製造方法を説明する。
図2(a)のように、空孔31を形成する素材として、ガラス繊維あるいはガラスフィラー入りのエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等のガラス材入り有機樹脂基板1の両面に薄銅箔2aを有する両面銅張基板2を準備する。
次に、図2(b)のように、炭酸ガスレーザーやYAGレーザなどのレーザー穴あけ装置を用いて穴あけ用レーザー光を照射することで、両面銅張基板2の一方の表面に、薄銅箔2aを貫通してガラス材入り有機樹脂基板1に直径が80μmの開口をあけ、他方の側の表面の開口がそれより約30μm程度小さい直径50μmの円錐台状の壁面を有するインナーバイアホール用貫通孔3aを穿孔する。
次に、両面銅張基板2の全面に触媒核を付与し、更に、無電解銅めっき浴に浸漬することで、厚さ0.1μmから数μmの無電解銅めっき皮膜を形成する。次に、図2(c)のように、平滑剤を添加した電解銅めっき液を用い、めっき浴をよく攪拌して、両面銅張基板2の両面における銅めっき浴の流動速度を速くして電解銅めっきする。それにより、平
滑剤は、両面銅張基板2の両面への銅めっき層の成長を抑制する一方、インナーバイアホール用貫通孔3aを埋める電解銅めっきの層の成長が抑制されない。そのため、インナーバイアホール用貫通孔3aを電解銅めっきで充填したインナーバイアホール3が形成される一方、両面銅張基板2の第1の両面に形成される銅めっき層の厚さを、インナーバイアホール用貫通孔3aの半径よりも薄く形成することができる。
次に、図2(d)のように、両面銅張基板2の銅めっき層をエッチングすることで、インナーバイアホール3の表側のランドと配線パターン(図示せず)を形成する。
次に、図2(e)のように、その基板の両面に、ガラス繊維又はガラスフィラー入りの、半硬化エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などのプリプレグ21と、その外側に薄銅箔22を積層し、加熱・加圧してプリプレグ21を硬化させて硬化樹脂層21aを形成し、図3(f)のようなガラス材入り有機樹脂コア基板30を製造する。このガラス材入り有機樹脂コア基板30の板厚は、その中に内蔵する最も厚いチップ部品50の厚さと同等か、あるいは、それ以上の板厚に形成する。
次に、図3(g)のように、レーザー穴あけ装置を用いて穴あけ用レーザー光をそのガラス材入り有機樹脂コア基板30の表面からインナーバイアホール3めがけて照射して、薄銅箔22と、硬化樹脂層21aとを貫通してインナーバイアホール3に達するバイアホール用穴23aを形成する。そのバイアホール用穴23aの直径は、50〜150μm程度に形成する。
次に、その基板をデスミア液に浸漬することで、バイアホール用穴23aのデスミア処理を行った上で、無電解銅めっき液に基板を浸漬することで、そのバイアホール用穴23aの壁面に無電解銅めっき皮膜を形成する。
次に、図3(h)のように、その基板の下地の薄銅箔22に電解銅めっき装置の陰極を接続して、基板を電解銅めっき浴に浸漬し基板の全面に電解銅めっきするパネルめっき処理を行う。それにより、基板のバイアホール用穴23aを銅めっきで柱状に充填してブラインドバイアホール23を形成する。
次に、図3(i)のように、エッチングレジストパターンで基板の表面の銅めっき層を保護してエッチングし、エッチング後にエッチングレジストを剥離する。それにより、硬化樹脂層21a中の柱状のブラインドバイアホール23の表面にランド23bを形成し、また、その他の配線パターンを形成する。特に、基板の下面側の配線パターンは、チップ部品50の電極端子51が設置される位置に直径が30μmから60μmのランド開口穴23dを有する部品支持ランド23cのパターンを形成する。このランド開口穴23dの径は、後の工程13におけるレーザー穴あけ加工の際に、そのレーザー穴あけによって、ランド開口穴23dの周囲の部品支持ランド23cの銅の面も露出させられる大きさに形成する。
次に、以下で説明するように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30に空孔31を形成してチップ部品50を内蔵して更にビルドアップ層40を形成して部品内蔵印刷配線板10を製造する。
図4(j)の平面図と図4(k)の側面図のように、下面に部品支持ランド23cの配線パターンが形成されたガラス材入り有機樹脂コア基板30に、上面側から下面に向けて、炭酸ガスレーザーやYAGレーザなどのレーザーアブレーション用レーザー光Lを照射して加工することで、チップ部品50を収納する空孔31を形成する。その空孔31の外側にはコア基板30の配線基板部32を残す。図4(k)の側面図のように、その空孔31の(下面側)底面に、有機樹脂コア基板30の下面の部品支持ランド23cの内側の面(上面)を露出させる。また、部品支持ランド23cのランド開口穴23dにはレーザーアブレーション用レーザー光Lを貫通させて孔を形成する。部品支持ランド23cは、レーザーアブレーション加工で形成する空孔31の領域からはみだす形に形成されているので、そのはみ出した部分が有機樹脂コア基板30の下面に密着して有機樹脂コア基板30と一体となっている。
次に、図5(l)のように、チップ部品50を、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から空孔31に挿入し、部品支持ランド23cにチップ部品50を接触させ、部品支持ランド23cによって、下側からチップ部品50を支えさせる。
次に、図5(n)のように、チップ部品50を空孔31に保持したガラス材入り有機樹脂コア基板30の両面に、回路パターン間への埋め込み性、及び積層後の表面平滑性に優れた溶融粘度が1000pois(10000Pa・s)以下のプリプレグ40aと薄銅箔40bを組み合わせ、加熱加圧することによりプリプレグ40aを硬化させて、図6(o)のようにビルドアップ層40を形成する。
次に、図6(p)のように、レーザー穴あけ装置を用いて、ビルドアップ層40の表面から、高調波YAGレーザーやエキシマレーザーなどの紫外線レーザーや、炭酸ガスレーザーなどの赤外線レーザー等の穴あけ用レーザー光で薄銅箔40bと、硬化したプリプレグ40aとを貫通する穴あけ加工により、バイアホール用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aを形成する。
次に、その基板をデスミア液に浸漬することで、バイアホール用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aのデスミア処理を行った上で、無電解銅めっき液に基板を浸漬することで、そのバイアホール用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aの壁面に無電解銅めっき皮膜を形成する。
次に、図6(q)のように、その基板の下地の薄銅箔40bに電解銅めっき装置の陰極
を接続して、基板を電解銅めっき浴に浸漬し基板の全面に電解銅めっきするパネルめっき処理を行う。それにより、基板のバイアホール用穴41aおよび部品電極上側接続バイアホール用穴42aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aを銅めっきで柱状に充填してブラインドバイアホール41および部品電極上側接続バイアホール42と部品電極下側接続バイアホール43を形成する。
次に、図6(r)のように、エッチングレジストパターンで基板の表面の銅めっき層を保護してエッチングし、エッチング後にエッチングレジストを剥離する。それにより、ビルドアップ層40中に、バイアホール用ランド23bに達して接続する柱状のブラインドバイアホール41と、チップ部品50の電極端子51に達して接続する部品電極上側接続バイアホール42に接続する配線パターン44を形成し、部品電極下側接続バイアホール43に接続する配線パターン45を形成する。
図7と図8に第2の実施形態の部品内蔵印刷配線板の製造工程を断面図で示す。
(内層フレキシブル配線板の製造方法)
(工程1〜工程3)
第1の実施形態の工程1から工程3と同様にして、図7(a)のように、銅めっきを充填したインナーバイアホール3と銅めっき層を形成した両面銅張基板2を製造する。
次に、図7(b)のように、その両面銅張基板2の銅めっき層をエッチングすることで、インナーバイアホール3に接続する配線パターンを形成し、基板の下面側には、後にチップ部品60を設置する空孔33の下地になる部品設置用ランド3bを形成する。この部品設置用ランド3bは空孔33を形成する領域からはみ出す形に形成する。
次に、第1の実施形態と同様にして、その基板の両面に、ガラス繊維又はガラスフィラー入りの、半硬化エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などのプリプレグ21と、その外側に薄銅箔22を積層し、加熱・加圧してプリプレグ21を硬化させて、図7(c)のように、硬化樹脂層21aを形成したガラス材入り有機樹脂コア基板30を製造する。
次に、第1の実施形態の工程6〜工程9と同様にして、図7(d)のように、硬化樹脂層21a中に柱状のブラインドバイアホール23とそのバイアホール用ランド23bを形成し、基板の下面側には、チップ部品50を収納する位置に、チップ部品の電極端子51の位置に合わせて直径が30μmから60μmのランド開口穴23dを有する部品支持ランド23cのパターンを形成する。
次に、図8(e)の側面図のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から下面に向けてレーザーアブレーション用レーザー光Lを照射することで、チップ部品50を収納する位置に空孔31を形成し、チップ部品60を収納する位置に空孔33を形成する。空孔31は、下面の部品支持ランド23cに達させて、空孔31の底に部品支持ランド23cの上面を露出させる。また、部品支持ランド23cのランド開口穴23dを貫通させる。空孔33は部品設置用ランド3bに達させて、空孔33の底に部品設置用ランド3bの上面を露出させる。
次に、図8(f)のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から、チップ部品50を空孔31に挿入し、更に、チップ部品60を空孔33に挿入する。
次に、第1の実施形態の工程12〜工程16と同様にして、図8(g)のような部品内蔵印刷配線板10を製造する。すなわち、チップ部品50を空孔31に保持し、チップ部品60を空孔33に保持したガラス材入り有機樹脂コア基板30の両面に、ビルドアップ層40を形成する。
ル用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと、第2の部品電極上側接続バイアホール用穴と部品電極下側接続バイアホール用穴43aを形成する。特に、チップ部品50の電極端子51の下側のビルドアップ層40には、部品電極下側接続バイアホール用穴43aとして、部品支持ランド23cの銅の面を露出させるとともに、ランド開口穴23dを貫通して電極端子51を露出させる穴を形成する。
図9と図10に第3の実施形態の部品内蔵印刷配線板の製造工程を断面図で示す。
(内層フレキシブル配線板の製造方法)
(工程1〜工程3)
第1の実施形態の工程1から工程3と同様にして、図9(a)のように、銅めっきを充填したインナーバイアホール3と銅めっき層を形成した両面銅張基板2を製造する。
次に、図9(b)のように、その両面銅張基板2の銅めっき層をエッチングすることで、インナーバイアホール3に接続する配線パターンを形成し、基板の下面側には、後にチップ部品60を収納する空孔33を形成する位置に、チップ部品60の電極端子61の位置に合わせて直径が30μmから60μmのランド開口穴3dを有する部品端子用ランド3cのパターンを形成する。部品端子用ランド3cの形状は、第1の実施形態の図4に示す電極端子23cの形と同様な形に形成する。この部品端子用ランド3cは空孔33を形成する領域外にはみ出す形に形成する。
次に、第1の実施形態と同様にして、その基板の両面に、ガラス繊維又はガラスフィラー入りの、半硬化エポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などのプリプレグ21と、その外側に薄銅箔22を積層し、加熱・加圧してプリプレグ21を硬化させて、図7(c)のように、硬化樹脂層21aを形成したガラス材入り有機樹脂コア基板30を製造する。
次に、第1の実施形態の工程6〜工程9と同様にして、図9(d)のように、硬化樹脂層21a中に柱状のブラインドバイアホール23とそのバイアホール用ランド23bを形成し、基板の下面側には、チップ部品50を収納する位置に、チップ部品50の電極端子
51の位置に合わせて直径が30μmから60μmのランド開口穴23dを有する部品支持ランド23cのパターンを形成する。
次に、図10(e)の側面図のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から下面に向けてレーザーアブレーション用レーザー光Lを照射することで、チップ部品50を収納する位置に空孔31を形成し、チップ部品60を収納する位置に空孔33を形成する。空孔31は、下面の部品支持ランド23cに達させて、空孔31の底に部品支持ランド23cの上面を露出させる。また、部品支持ランド23cのランド開口穴23dを貫通させる。
次に、図10(f)のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から、チップ部品50を空孔31に挿入し、更に、チップ部品60を空孔33に挿入する。
次に、第1の実施形態の工程12と同様にして、チップ部品50を空孔31に保持し、チップ部品60を空孔33に保持したガラス材入り有機樹脂コア基板30の両面に、ビルドアップ層40を形成する。
次に、図10(g)のように、穴あけ用レーザー光でビルドアップ層40に穴あけ加工して、基板の上側から、バイアホール用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと第3の部品電極上側接続バイアホール用穴47aを形成し、基板の下側から、バイアホール用穴41aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aと第3の部品電極下側接続バイアホール用穴48aを形成する。
次に、第1の実施形態の工程14〜工程16と同様にして、バイアホール用穴41aと部品電極上側接続バイアホール用穴42aと第3の部品電極上側接続バイアホール用穴47aと部品電極下側接続バイアホール用穴43aと、第3の部品電極下側接続バイアホール用穴48aを銅めっきで柱状に充填して、図10(h)のように、ブラインドバイアホール41および部品電極上側接続バイアホール42と第3の部品電極上側接続バイアホール47と、部品電極下側接続バイアホール43と第3の部品電極下側接続バイアホール48を形成する。
図11と図12に第4の実施形態の部品内蔵印刷配線板の製造工程を断面図と平面図で示す。第4の実施形態が他の実施形態と異なる構成は、端子数が2を越える多くの電極端子71を有するチップ部品70を、その電極端子71を基板の下側に向けて設置して基板の配線パターンと電気接続することである。そして、その多くの電極端子71を有するチップ部品70を設置するために、それを収納する空孔31の下面に部品設置用穴あきランド23eを形成する構成が他の実施形態と異なる。
(工程1〜工程9)
第4の実施形態では、第3の実施形態の工程1から工程3と同様に基板を形成し、図11(a)の側面図と図11(b)に平面図で示した配線パターンの構成図のように配線パターンを形成する。すなわち、図11(a)のように、硬化樹脂層21a中に柱状のブラインドバイアホール23とそのバイアホール用ランド23bを形成し、基板の、後にチップ部品70を収納する空孔31を形成する位置の下面側には、チップ部品70の電極端子71の位置に合わせて、その電極端子71よりも直径が大きい部品端子クリアンス穴23fを有する部品設置用穴あきランド23eを形成する。この部品設置用穴あけランド23eは空孔31を形成する領域外にはみ出す形に形成する。
次に、図11(c)の側面図のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から下面に向けてレーザーアブレーション用レーザー光Lを照射することで、チップ部品70を収納する位置に空孔31を形成し、チップ部品60を収納する位置に空孔33を形成する。空孔31は、下面の部品設置用穴あきランド23eに達させて、空孔31の底に部
品設置用穴あきランド23eの上面を露出させる。また、部品設置用穴あきランド23eの部品端子クリアンス穴23fを貫通させる。
次に、図12(d)のように、ガラス材入り有機樹脂コア基板30の上面側から、チップ部品70を空孔31に挿入し、更に、チップ部品60を空孔33に挿入する。ここで、チップ部品70の電極端子71は部品端子クリアンス穴23fよりも小さくし、部品端子クリアンス穴23f内に、部品設置用穴あきランド23eと電極端子71が接触しないようにチップ部品70を空孔31内に設置する。
次に、第1の実施形態の工程12と同様にして、チップ部品70を空孔31に保持し、チップ部品60を空孔33に保持したガラス材入り有機樹脂コア基板30の両面に、ビルドアップ層40を形成する。
次に、図12(e)のように、穴あけ用レーザー光でビルドアップ層40に穴あけ加工して、基板の上側から、バイアホール用穴41aと第3の部品電極上側接続バイアホール用穴47aを形成し、基板の下側から、バイアホール用穴41aと第4の部品電極下側接続バイアホール用穴49aと第3の部品電極下側接続バイアホール用穴48aを形成する。
次に、第1の実施形態の工程14〜工程16と同様にして、バイアホール用穴41aと第3の部品電極上側接続バイアホール用穴47aと第4の部品電極下側接続バイアホール用穴49aと、第3の部品電極下側接続バイアホール用穴48aを銅めっきで柱状に充填
して、図12(f)のように、ブラインドバイアホール41および第3の部品電極上側接続バイアホール47と、第4の部品電極下側接続バイアホール49と第3の部品電極下側接続バイアホール48を形成する。
2・・・両面銅張基板
2a・・・薄銅箔
3・・・インナーバイアホール
3a・・・インナーバイアホール用貫通孔
3b・・・部品設置用ランド
3c・・・部品端子用ランド
3d・・・ランド開口穴
10・・・部品内蔵印刷配線板
21・・・プリプレグ
21a・・・硬化樹脂層
22・・・薄銅箔
23・・・・ブラインドバイアホール
23a・・・バイアホール用穴
23b・・・バイアホール用ランド
23c・・・部品支持ランド
23d・・・ランド開口穴
23e・・・部品設置用穴あきランド
23f・・・部品端子クリアンス穴
30・・・ガラス材入り有機樹脂コア基板
31、33・・・空孔
31a・・・四隅部分
31b・・・四辺部分
32・・・配線基板部
40・・・ビルドアップ層
40a・・・プリプレグ
40b・・・薄銅箔
41・・・ブラインドバイアホール
42・・・部品電極上側接続バイアホール
42a・・・部品電極上側接続バイアホール用穴
43・・・部品電極下側接続バイアホール
43a・・・部品電極下側接続バイアホール用穴
44・・・配線パターン
45・・・配線パターン
46・・・第2の部品電極上側接続バイアホール
47・・・第3の部品電極上側接続バイアホール
47a・・・第3の部品電極上側接続バイアホール用穴
48・・・第3の部品電極下側接続バイアホール
48a・・・第3の部品電極下側接続バイアホール用穴
49・・・第4の部品電極下側接続バイアホール
49a・・・第4の部品電極下側接続バイアホール用穴
50・・・チップ部品
51・・・電極端子
60・・・チップ部品
61・・・電極端子
70・・・チップ部品
71・・・電極端子
L・・・レーザーアブレーション用レーザー光
Claims (4)
- ガラス材入り有機樹脂基板の空孔に、平面視が矩形形状であるチップ部品が設置された部品内蔵印刷配線板であって、前記空孔の四隅を、前記チップ部品の4つの角から間隙を開けて形成し、前記空孔の四辺部分を前記空孔内に突出させ、前記空孔の底にランド開口穴を有する部品支持ランドを配置し、該部品支持ランドで前記チップ部品が保持され、前記チップ部品をビルドアップ層で上下から覆い、該ビルドアップ層の上面から前記チップ部品の電極端子の上面に達する部品電極上側接続バイアホールと、前記ビルドアップ層の下面から前記部品支持ランドに達し前記ランド開口穴を貫通して前記電極端子の下面に達する部品電極下側接続バイアホールとが金属めっきで形成されたことを特徴とする部品内蔵印刷配線板。
- 請求項1記載の部品内蔵印刷配線板であって、前記チップ部品の他の第2のチップ部品が、底面に部品設置用ランドを有する第2の空孔に設置されていることを特徴とする部品内蔵印刷配線板。
- ガラス材入り有機樹脂基板に、平面視が矩形形状であるチップ部品を収納する空孔を形成する位置の下面に、ランド開口穴を有し前記空孔の領域外にはみ出す部品支持ランドを形成する工程と、前記ガラス材入り有機樹脂基板の上面からレーザーアブレーション加工によって前記部品支持ランドを露出させる前記空孔を形成し、該空孔の四隅を前記チップ部品の4つの角から間隙を開け、該空孔の四辺部分を該空孔内に突出させた形に形成する工程と、前記空孔に前記チップ部品を挿入し前記部品支持ランドで前記チップ部品を保持させる工程と、前記ガラス材入り有機樹脂基板と前記チップ部品を上下からビルドアップ層で覆う工程と、前記ビルドアップ層の下面からレーザー穴あけにより、前記部品支持ランドに達し前記ランド開口穴を貫通して前記チップ部品の電極端子に達する穴を形成し該穴に金属めっきすることで部品電極下側接続バイアホールを形成する工程を有することを特徴とする部品内蔵印刷配線板の製造方法。
- 請求項3記載の部品内蔵印刷配線板の製造方法であって、レーザー穴あけにより、前記ビルドアップ層の上面から前記チップ部品の電極端子の上面に達する部品電極上側接続バイアホール用穴を形成する工程と、前記部品電極上側接続バイアホール用穴に金属めっきすることで部品電極上側接続バイアホールを形成する工程を有することを特徴とする部品内蔵印刷配線板の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037392A JP5955023B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012037392A JP5955023B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013175495A true JP2013175495A (ja) | 2013-09-05 |
JP5955023B2 JP5955023B2 (ja) | 2016-07-20 |
Family
ID=49268181
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012037392A Active JP5955023B2 (ja) | 2012-02-23 | 2012-02-23 | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5955023B2 (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107553A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品組込み基板及びその製造方法 |
JP2015191996A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015195304A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015198128A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015226013A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | イビデン株式会社 | プリント配線板およびその製造方法 |
JP2016004993A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 電子素子内蔵基板及びその製造方法 |
JP2018006450A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法と電子部品装置 |
JP2018022824A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法と電子部品装置 |
CN109075154A (zh) * | 2016-03-18 | 2018-12-21 | 高通股份有限公司 | 背侧钻孔嵌入式管芯衬底 |
CN111385959A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 欣兴电子股份有限公司 | 一种具有散热块的电路板及其制造方法 |
EP4203008A1 (en) * | 2021-12-23 | 2023-06-28 | Intel Corporation | Package architecture with in-glass blind and through cavities to accommodate dies |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102703776B1 (ko) | 2019-08-23 | 2024-09-04 | 삼성전기주식회사 | 전자부품 내장기판 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000063970A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composant modulaire et son procede de production |
JP2003168871A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Airex Inc | 電子部品内蔵プリント配線板 |
JP2007288109A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Cmk Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2008544510A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 回路基板構造および回路基板構造の製造方法 |
JP2009295949A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-02-23 JP JP2012037392A patent/JP5955023B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2000063970A1 (fr) * | 1999-04-16 | 2000-10-26 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Composant modulaire et son procede de production |
JP2003168871A (ja) * | 2001-12-03 | 2003-06-13 | Airex Inc | 電子部品内蔵プリント配線板 |
JP2008544510A (ja) * | 2005-06-16 | 2008-12-04 | イムベラ エレクトロニクス オサケユキチュア | 回路基板構造および回路基板構造の製造方法 |
JP2007288109A (ja) * | 2006-04-20 | 2007-11-01 | Cmk Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2009295949A (ja) * | 2008-06-04 | 2009-12-17 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014107553A (ja) * | 2012-11-29 | 2014-06-09 | Samsung Electro-Mechanics Co Ltd | 電子部品組込み基板及びその製造方法 |
JP2015191996A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015195304A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-05 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015198128A (ja) * | 2014-03-31 | 2015-11-09 | 京セラサーキットソリューションズ株式会社 | 印刷配線板およびその製造方法 |
JP2015226013A (ja) * | 2014-05-29 | 2015-12-14 | イビデン株式会社 | プリント配線板およびその製造方法 |
JP2016004993A (ja) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 電子素子内蔵基板及びその製造方法 |
CN109075154A (zh) * | 2016-03-18 | 2018-12-21 | 高通股份有限公司 | 背侧钻孔嵌入式管芯衬底 |
JP2018006450A (ja) * | 2016-06-29 | 2018-01-11 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法と電子部品装置 |
JP2018022824A (ja) * | 2016-08-05 | 2018-02-08 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品内蔵基板及びその製造方法と電子部品装置 |
CN111385959A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 欣兴电子股份有限公司 | 一种具有散热块的电路板及其制造方法 |
EP4203008A1 (en) * | 2021-12-23 | 2023-06-28 | Intel Corporation | Package architecture with in-glass blind and through cavities to accommodate dies |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5955023B2 (ja) | 2016-07-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5955023B2 (ja) | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 | |
KR100788213B1 (ko) | 전자소자 내장형 인쇄회로기판의 제조방법 | |
US9204552B2 (en) | Printed wiring board | |
US8541695B2 (en) | Wiring board and method for manufacturing the same | |
JP2009295949A (ja) | 電子部品内装型プリント基板及びその製造方法 | |
JPWO2010007704A1 (ja) | フレックスリジッド配線板及び電子デバイス | |
JP5688162B2 (ja) | 部品内蔵基板の製造方法及びこの方法を用いて製造した部品内蔵基板 | |
JP5698377B2 (ja) | 部品内蔵基板の製造方法及びこの方法を用いて製造した部品内蔵基板 | |
US9185806B2 (en) | Method for manufacturing printed wiring board and printed wiring board | |
JP2015185564A (ja) | プリント配線板及びプリント配線板の製造方法 | |
KR20160120011A (ko) | 인쇄회로기판, 그 제조방법, 및 전자부품 모듈 | |
JP2013211431A (ja) | 印刷配線板内蔵用電子部品および部品内蔵印刷配線板の製造方法 | |
JP2012216575A (ja) | 部品内蔵印刷配線板及びその製造方法 | |
JP2020145462A (ja) | 素子内蔵型印刷回路基板 | |
KR100747022B1 (ko) | 임베디드 인쇄회로기판 및 그 제작방법 | |
KR20140042604A (ko) | 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 | |
KR100714196B1 (ko) | 전기소자를 내장한 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
JP2013140955A (ja) | 部品組込み型印刷回路基板及びその製造方法 | |
KR20120040892A (ko) | 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법 | |
JP2014150091A (ja) | 配線基板およびその製造方法 | |
KR100752017B1 (ko) | 인쇄회로기판의 제조방법 | |
JP4292638B2 (ja) | 配線板の製造方法 | |
TWI511634B (zh) | 電路板製作方法 | |
KR20120046602A (ko) | 인쇄회로기판 및 그 제조방법 | |
JP4319917B2 (ja) | 部品内蔵配線板の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20140925 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20141104 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150617 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150811 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160122 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160322 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20160401 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160531 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160614 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5955023 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |