JP2013062474A5 - 配線基板及び配線基板の製造方法と半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、配線基板及び配線基板の製造方法と、配線基板に半導体チップが接続された半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

接続バンプが狭小化された半導体チップであっても信頼性よく実装できる配線基板及び配線基板の製造方法と、半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

以下の開示の一観点によれば、ガラス又はシリコンからなる基板と、前記基板の第１面側に形成され、上部の開口径が下部の開口径よりも大きく、前記下部が前記基板の厚さの途中に位置する第１ホールと、前記基板の第１面側と反対側の第２面側に形成され、上部の開口径が下部の開口径よりも小さく、前記上部が前記第１ホールの下部と連通する第２ホールと、前記基板の第１面及び前記第１ホールに形成された第１配線層と、前記基板の第２面及び前記第２ホールに形成され、前記第１配線層と接続される接続パッドと、前記基板の第１面に積層された樹脂材料からなる第１絶縁層と、前記第１絶縁層に第２配線層と第２絶縁層とが交互に積層され、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストから形成されたビルドアップ配線層とを有し、前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となる配線基板が提供される。

また、その開示の他の観点によれば、ラス又はシリコンからなる基板の第１面側に、前記基板の厚みの途中まで達し、上部の径が下部の径より大きい第１ホールを形成する工程と、前記基板の第１面上に前記第１ホールを埋め込む第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層の上に樹脂材料からなる第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に第２配線層と第２絶縁層とを交互に積層して、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストからなる多層配線層を形成する工程と、前記基板の第１面と反対面側の第２面から、前記第１配線層に前記基板が残るように前記基板の厚みを薄くする工程と、前記第１ホールに対応する部分の前記基板の第２面側に、前記第１配線層に到達するように上部の径が下部の径より小さい第２ホールを形成する工程と、前記第１配線層に接続される接続パッドを前記第２ホールに形成する工程とを有し、前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となる配線基板の製造方法が提供される。

Claims (12)

1. ガラス又はシリコンからなる基板と、
   前記基板の第１面側に形成され、上部の開口径が下部の開口径よりも大きく、前記下部が前記基板の厚さの途中に位置する第１ホールと、
   前記基板の第１面側と反対側の第２面側に形成され、上部の開口径が下部の開口径よりも小さく、前記上部が前記第１ホールの下部と連通する第２ホールと、
   前記基板の第１面及び前記第１ホールに形成された第１配線層と、
   前記基板の第２面及び前記第２ホールに形成され、前記第１配線層と接続される接続パッドと、
   前記基板の第１面に積層された樹脂材料からなる第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層に第２配線層と第２絶縁層とが交互に積層され、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストから形成されたビルドアップ配線層と
   を有し、
   前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となることを特徴とする配線基板。
2. 前記基板はシリコンからなり、
   前記基板の両面及び前記前記第１ホール及び前記第２ホールの内面に第３絶縁層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
3. 前記接続パッドは、前記第２ホールを埋め込んで形成されるか、あるいは、前記第２ホールの内面に層状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
4. 第１面及び前記第１面と反対側の第２面を備え、ガラス又はシリコンからなる基板と、
   前記基板の第１面から第２面まで貫通し、前記基板の第１面側の開口径が前記基板の第２面側の開口径よりも大きく形成されたスルーホールと、
   前記基板の第１面及び前記スルーホールに形成された第１配線層と、
   前記基板の第２面に形成され、前記第１配線層と接続される接続パッドと、
   前記基板の第１面に積層された樹脂材料からなる第１絶縁層と、
   前記第１絶縁層に第２配線層と第２絶縁層とが交互に積層され、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストから形成されたビルドアップ配線層と
   を有し、
   前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となることを特徴とする配線基板。
5. 前記基板はシリコンからなり、
   前記基板の第１面及び第２面及び前記スルーホールの内面に第３絶縁層が形成されており、
   前記基板の第２面と、前記スルーホール内に形成された前記１配線層の前記第２面側の外面と、前記スルーホールの内面に形成された前記第３絶縁層の前記第２面側の端面とが面一になっており、かつ、
   前記接続パッドは、前記第３絶縁層に形成された開口部を介して前記第１配線層に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の配線基板。
6. 請求項１乃至５のいずれかの配線基板と、
   前記接続パッドに接続された半導体チップとを有することを特徴とする半導体装置。
7. ガラス又はシリコンからなる基板の第１面側に、前記基板の厚みの途中まで達し、上部の径が下部の径より大きい第１ホールを形成する工程と、
   前記基板の第１面上に前記第１ホールを埋め込む第１配線層を形成する工程と、
   前記第１配線層の上に樹脂材料からなる第１絶縁層を形成する工程と、
   前記第１絶縁層の上に第２配線層と第２絶縁層とを交互に積層して、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストからなる多層配線層を形成する工程と、
   前記基板の第１面と反対面側の第２面から、前記第１配線層に前記基板が残るように前記基板の厚みを薄くする工程と、
   前記第１ホールに対応する部分の前記基板の第２面側に、前記第１配線層に到達するように上部の径が下部の径より小さい第２ホールを形成する工程と、
   前記第１配線層に接続される接続パッドを前記第２ホールに形成する工程とを有し、
   前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となることを特徴とする配線基板の製造方法。
8. 前記基板はシリコンからなり、
   前記基板に第１ホールを形成する工程の後に、
   前記基板の第１面及び前記第１ホールの内面に第３絶縁層を形成する工程を有し、
   前記基板に第２ホールを形成する工程の後に、
   前記基板の第２面及び前記第２ホールの側壁に、前記第２ホールの底に前記第１配線層が露出するように、第４絶縁層を形成する工程と有することを特徴とする請求項７に記載の配線基板の製造方法。
9. 前記接続パッドを形成する工程において、前記接続パッドは、前記第２ホールを埋め込んで形成されるか、あるいは、前記第２ホールの内面に沿って層状に形成されることを特徴とする請求項７又は８に記載の配線基板の製造方法。
10. ガラス又はシリコンからなる基板の第１面側に、前記基板の厚みの途中まで達し、上部の径が下部の径より小さいホールを形成する工程と、
    前記基板の第１面上に前記ホールを埋め込む第１配線層を形成する工程と、
    前記第１配線層の上に樹脂材料からなる第１絶縁層を形成する工程と、
    前記第１絶縁層の上に第２配線層と第２絶縁層とを交互に積層して、最外の前記第２絶縁層がソルダレジストからなる多層配線層を形成する工程と、
    前記基板の第１面と反対側の第２面を前記第１配線層が露出するまで加工して、前記基板の厚みを薄くする工程と、
    前記基板の第２面上に、前記第１配線層に接続される接続パッドを形成する工程と
    を有し、
    前記基板の第２面側が半導体チップの搭載面となることを特徴とする配線基板の製造方法。
11. 前記基板はシリコンからなり、
    前記ホールを形成する工程の後に、前記基板の第１面及び前記ホールの内面に第３絶縁層を形成する工程を有し、
    前記基板の厚みを薄くする工程の後に、
    前記基板の第２面に、前記第１配線層の上に開口部が配置された第４絶縁層を形成する工程を有し、
    前記接続パッドは、前記第４絶縁層の開口部を介して前記第１配線層に接続されることを特徴とする請求項１０に記載の配線基板の製造方法。
12. 請求項７乃至１１のいずれかの製造方法により前記配線基板を得る工程と、
    前記配線基板の接続パッドに半導体チップを接続する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。