JP2012216338A - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】特性を低下させることなく、隣り合う有機ＥＬ素子の間での駆動電流のリークを抑えることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、複数の有機ＥＬ素子と、複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に設けられた絶縁膜とを有し、絶縁膜は、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を有する表示装置。
【選択図】図４

Description

本開示は、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を有する表示装置およびその製造方法に関する。

有機ＥＬ素子は、基板に第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を順に積層した構成を有している。有機層の形成方法としては、例えば、蒸着マスクを用いて赤，緑および青の各色発光層を別々に蒸着する方法と、蒸着マスクを用いず、赤，緑および青の発光層を積層する方法とがある。高解像度、開口率向上が求められている表示装置では、今後、後者の方式が主流になると考えられる。

複数の発光層を積層する方式では、有機層がすべての有機ＥＬ素子に共通に設けられているので、隣り合う有機ＥＬ素子の間での正孔注入層を介した駆動電流のリークが発生する。これにより、非発光画素が、発光画素からの影響で僅かに発光してしまい、混色や効率低下の原因となっている。これに対処するため、例えば特許文献１では、有機ＥＬ素子の間の領域に、逆テーパー形の隔壁を形成したのちに、正孔注入層を成膜することにより、正孔注入層を途切れさせるようにしている。

特開２００９−４３４７号公報

しかしながら、特許文献１に記載された従来方法では、正孔注入層を成膜したのち、熱処理を行って隔壁を順テーパー形に変形させるようにしていた。これは、隔壁上に第２電極を形成する際に第２電極が途切れないようにするためであった。しかし、蒸着工程の途中で熱処理をすると特性が悪化する可能性が高くなってしまうという問題があった。

本開示の目的は、特性を低下させることなく、隣り合う有機ＥＬ素子の間での駆動電流のリークを抑えることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。

本開示による表示装置は、基板上に、複数の有機ＥＬ素子と、複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に設けられた絶縁膜とを有し、絶縁膜は、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を有するものである。

本開示の表示装置では、複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に絶縁膜が設けられており、この絶縁膜は、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を有している。よって、有機層の中でも導電性の高い層、例えば正孔注入層または正孔輸送層の溝内における厚みが、溝外における厚みよりも薄くなり、その部分の抵抗が高くなる。従って、隣り合う有機ＥＬ素子の間での駆動電流のリークが抑えられる。

本開示による表示装置の製造方法は、基板上に、複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に絶縁膜を形成する工程とを含み、絶縁膜を形成する工程において、絶縁膜の、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を設けるようにしたものである。

本開示の表示装置、または本開示の表示装置の製造方法によれば、複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に絶縁膜を設け、この絶縁膜の、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を設けるようにしたので、隣り合う有機ＥＬ素子の間での駆動電流のリークを抑えることが可能となる。また、従来のような熱処理は不要となり、特性の低下が回避される。

本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。 図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。 図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。 図３のＩＶ−ＩＶ線における断面図である。 図４に示した溝の近傍を拡大して表す断面図である。 溝の深さと、素子間領域のシート抵抗との関係を表す図である。 溝を設けた場合の隣接画素の輝度の測定結果を、溝を設けない場合と対比して表す図である。 図７に示したフローティングの場合とグランドの場合の輝度の差分を拡大して表す図である。 図１に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図９に続く工程を表す断面図である。 図１０に続く工程を表す断面図である。 図１１に続く工程を表す断面図である。 図１２に続く工程を表す断面図である。 図１３に続く工程を表す断面図である。 図１４に続く工程を表す断面図である。 本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における表示領域の溝の近傍を拡大して表す断面図である。 図１６に示した表示装置の製造方法を説明するための図である。 回転蒸着方式を説明するための図である。 ライン蒸着方式を説明するための図である。 図１８に示したライン蒸着方式を基板移動方向およびこれに垂直な方向から見た構成を表す図である。 正孔注入層および正孔輸送層の溝内における厚みの第１のシミュレーション結果を表す図である。 正孔注入層および正孔輸送層の溝内における厚みの第２のシミュレーション結果を表す図である。 正孔注入層および正孔輸送層の溝内における厚みの第３のシミュレーション結果を表す図である。 本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す平面図である。 図２４に示した溝を設けた場合の第２電極の抵抗および表示状態を説明するための図である。 図３に示した溝を設けた場合の第２電極の抵抗および表示状態を説明するための図である。 図２に示した画素駆動回路において有機ＥＬ素子に流れる電流Ｉｄｓを表す回路図である。 図２４に示した溝どうしの列方向の間隔および第２電極の厚みを異ならせて、第２電極の抵抗およびドロップ電圧を調べたシミュレーションを説明するための図である。 第２電極の列方向抵抗および行方向抵抗のシミュレーション結果を表す図である。 第２電圧のドロップ電圧のシミュレーション結果を表す図である。 本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。 図３１に示した溝の近傍を拡大して表す断面図である。 図３１に示した溝の他の形状を表す断面図である。 本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。 図３４に示した溝の近傍を拡大して表す断面図である。 図３４に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。 図３６に続く工程を表す斜視図および断面図である。 図３７に続く工程を表す断面図である。 上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。 上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す正面図および背面図である。 適用例２の外観を表す斜視図である。

以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（絶縁膜の、隣り合う有機ＥＬ素子の間の位置に溝を設けた例）
２．第２の実施の形態（有機層を形成する工程において、基板上の溝および蒸発源の位置関係を規定した例）
３．第３の実施の形態（溝を、列方向に、複数の有機ＥＬ素子の各行ごとに設けた例）
４．第４の実施の形態（溝の幅を２段階にした例）
５．第５の実施の形態（溝の底面に導電膜を設けた例）

図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、デジタル一眼レフカメラのビューファインダやヘッドマウント形ディスプレイなどに用いられる小型・高精細有機ＥＬ表示装置であり、例えば、ガラスなどの基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。

表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極１３の下層に設けられたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機発光素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）との間に接続されている。

画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。

図３は、図１に示した表示領域１１０の一部の平面構成を表したものである。基板１１上には、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが行列状に配置されている。各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一方向に長い矩形形状を有しており、短辺に平行な行方向には、異なる色の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが順に配列されている。長辺に平行な列方向には、同一色の有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）が配列されている。

隣り合う三つの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの画素１０を構成しており、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは一つの副画素を構成している。複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの行方向におけるピッチ（中心間距離）ｐは、例えば３０μｍ以下である。具体的には、一つの画素１０は例えば一辺が約１０μｍの正方形であり、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのピッチｐは例えば約３．３μｍである。

複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の素子間領域１０Ａには、絶縁膜２０が設けられている。絶縁膜２０は、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの間（または１０Ｇ，１０Ｂの間、または１０Ｂ，１０Ｒの間）の位置に、溝３０を有している。これにより、この表示装置では、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの間（または１０Ｇ，１０Ｂの間、または１０Ｂ，１０Ｒの間）での駆動電流のリークを抑えることが可能となっている。

溝３０は、例えば、列方向に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行にわたって、表示領域１１０の上端から下端まで、連続して設けられている。これにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの後述する第２電極１５が、溝３０により行方向では途切れてしまった場合でも、列方向では連続した共通電極として設けることが可能となる。溝３０の詳細については後述する。

図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線における断面構成を表したものである。基板１１上には、上述した画素駆動回路１４０等を含む駆動回路層１２が設けられている。基板１１の駆動回路層１２が設けられた面は、第１絶縁膜２１によって全面にわたって被覆されている。第１絶縁膜２１の上には、上述した複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが設けられているが、図４では有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇのみを表している。複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の素子間領域１０Ａには、第１絶縁膜２１上に第２絶縁膜２２が設けられている。第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２が、図３における絶縁膜２０を構成している。溝３０は、第２絶縁膜２２を貫通し、第１絶縁膜２１の厚み方向の一部に設けられている。

第１絶縁膜２１は、駆動回路層１２が設けられた基板１１の表面を平坦化するためのものであり、例えば、厚みが１００ｎｍないし１０００ｎｍであり、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ₂またはＳｉＯ）により構成されている。第１絶縁膜２１の構成材料をＳｉＯＮ，ＳｉＯ₂またはＳｉＯなどのシリコン系材料とすることにより、第１絶縁膜２１の厚み方向に深い溝３０をエッチングにより容易に形成することが可能となる。第１絶縁膜２１には、駆動回路層１２の画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１との接続のためのコンタクトホール２１Ａが設けられている。コンタクトホール２１Ａには導電性金属よりなるプラグ２１Ｂが設けられている。

第２絶縁膜２２は、第１電極１３と第２電極１５との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものである。第２絶縁膜２２は、素子間領域１０Ａを超えて第１電極１３の上面端部を被覆し、第１電極１３の発光領域に対応して開口部２２Ａを有している。第２絶縁膜２２は、例えば、厚みが１００ｎｍないし２００ｎｍであり、ＳｉＯＮにより構成されている。第２絶縁膜２１の構成材料をＳｉＯＮなどのシリコン系材料とすることにより、第２絶縁膜２２の厚み方向に深い溝３０をエッチングにより容易に形成することが可能となる。

有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第１絶縁膜２１の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極１３，発光層を含む有機層１４、および第２電極１５がこの順に積層されている。なお、図４では、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇのみを表しているが、有機ＥＬ素子１０Ｂも同じ構成を有している。

このような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、保護膜１６により被覆されている。更に、この保護膜１６上には、接着層１７を間にして、ガラスなどよりなる封止用基板４０が全面にわたって貼り合わされることにより封止されている。

第１電極１３は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに設けられている。第１電極１３は、例えば、厚みが１００ｎｍ程度であり、高反射率材料であるアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム（Ａｌ）を含む合金により構成されており、発光層で発生した光を第２電極１５側から取り出すようになっている（トップエミッション）。第１電極１３の厚みは、発光層で発生した光が透過されず、光取出し効率を維持することが可能な程度、例えば３０ｎｍないし２００ｎｍの範囲であることが好ましい。第１電極１３の構成材料としては、アルミニウム（Ａｌ）またはその合金のほか、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極が挙げられる。

また、第１電極２０は、上述した反射電極の下地として、厚みが２０ｎｍ程度であり、チタン（Ｔｉ），タングステン（Ｗ），銅（Ｃｕ），タンタル（Ｔａ），モリブデン（Ｍｏ）などよりなる密着層（図示せず）を有していてもよい。この密着層は、第１電極２０の厚みを薄くした場合にも反射率を高く維持するための反射補助層としての機能も有している。このような密着層を設けた場合には、第１電極２０の厚みは１５ｎｍ以上であれば足りる。

更に、第１電極３２は、密着層または反射補助層としてのチタン層と、アルミニウムまたはその合金などの上述した反射電極と、チタン層またはタンタル層との３層の積層構造を有していてもよい。あるいは、第１電極３２は、上述した反射電極と、ＩＴＯ（インジウム・スズ複合酸化物；Indium Tin Oxide），ＩＺＯ（登録商標）（インジウム・亜鉛複合酸化物），またはＳｎＯ₂などの透明電極との複合膜により構成されていてもよい。

有機層１４は、第１電極１３および第２絶縁膜２２の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。有機層１４は、例えば図５に示したように、第１電極１３の側から順に、正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを積層した構成を有している。

正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが２ｎｍないし１０ｎｍであり、化１に示したヘキサトリルアザトリフェニレンにより構成されている。

正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔注入効率を高めるためのものである。正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが３０ｎｍであり、化２に示した材料により構成されている。

発光層１４Ｃは、例えば、第１電極１３の側から順に、厚み１０ｎｍの赤色発光層、厚み１０ｎｍの発光分離層、厚み１０ｎｍの青色発光層、および厚み１０ｎｍの緑色発光層（いずれも図示せず）を順に積層した白色発光用のものである。赤色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂを介して注入された正孔の一部と、第２電極１５から電子輸送層１４Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、赤色の光を発生するものである。発光分離層は、赤色発光層への電子供給量を減らすためのものである。青色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１５から電子輸送層１４Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、青色の光を発生するものである。緑色発光層は、電界をかけることにより、第１電極１３から正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂおよび発光分離層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１５から電子輸送層１４Ｄを介して注入された電子の一部とが再結合して、緑色の光を発生するものである。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、第２絶縁膜２２の開口部２２Ａに対応した領域で発光するようになっている。

赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。

発光分離層は、例えば、化３に示した材料により構成されている。

緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。

青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種とを含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。具体的には、青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。

電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが２０ｎｍ程度であり、８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。

図４に示した第２電極１５は、有機層１４の上に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられている。第２電極は、例えば、第１電極１３の側から順に、厚みが約０．３ｎｍでありフッ化リチウム（ＬｉＦ）よりなる第１層と、厚みが３ｎｍでありカルシウム（Ｃａ）よりなる第２層と、厚みが５ｎｍでありＭｇ−Ａｇ合金よりなる第３層とを積層した構成を有している。第２電極１５は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。その理由は、有機層１４が複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられているので、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに第２電極１５と補助配線との接続をとることができないからである。

図４に示した保護膜１６は、例えば、厚みが０．５μｍないし１０μｍであり、窒化ケイ素（ＳｉＮ）により構成されている。図４に示した接着層１７は、例えば紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂により構成されている。

図４に示した封止用基板４０は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第２電極１５の側に位置しており、接着層１７と共に有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを封止するものである。封止用基板４０は、例えば、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した光に対して透明なガラスなどの材料により構成されている。

封止用基板４０には、例えば、カラーフィルタ４１およびブラックマトリクスとしての遮光膜４２が設けられている。カラーフィルタ４１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂで発生した白色光を，赤，緑または青の色光として取り出すためのものであり、赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）を有している。赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。赤色フィルタ４１Ｒ，緑色フィルタ４１Ｇおよび青色フィルタ（図示せず）は、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。

遮光膜４２は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ並びにその間の配線において反射された外光を吸収し、コントラストを改善するためのものである。遮光膜４２は、例えば黒色の着色剤を混入した光学濃度が１以上の黒色の樹脂膜、または薄膜の干渉を利用した薄膜フィルタにより構成されている。このうち黒色の樹脂膜により構成するようにすれば、安価で容易に形成することができるので好ましい。薄膜フィルタは、例えば、金属，金属窒化物あるいは金属酸化物よりなる薄膜を１層以上積層し、薄膜の干渉を利用して光を減衰させるものである。薄膜フィルタとしては、具体的には、クロムと酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ２ Ｏ３ ）とを交互に積層したものが挙げられる。

図３および図４に示した溝３０は、上述したように素子間領域１０Ａでの駆動電流のリークを抑えるものである。すなわち、有機層１４は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの共通層として設けられている。また、図５に示した正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂは、有機層１４の中でも比較的導電性が高い。そのため、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂは、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極１３の間でリークパスを形成しやすい。そのため、例えば有機ＥＬ素子１０Ｒを発光させると、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｇも発光してしまい、赤の単色の色度がずれてしまうことになる。

このような素子間領域１０Ａのリーク電流による影響は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが小さいほど顕著なものとなる。例えば、図３において、有機発光素子１０Ｒの長辺と、隣接する有機発光素子１０Ｇの長辺とに挟まれた矩形の領域１０Ａ１を流れるリーク電流Ｉ_Lを考える。この領域１０Ａ１の抵抗Ｒは、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ間の距離と、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇの長辺の長さとの比によって定まり（シート抵抗）、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大小にかかわらず同じである。また、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０ＢのＪＶ特性（Ｊは電流密度）は有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大小にかかわらず同じである。つまり、全面で１００ｎｉｔ発光させるために必要な電圧Ｖは有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大小にかかわらず同じである。よって、リーク電流Ｉ_L（＝Ｖ／Ｒ）は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大小にかかわらず同じである。一方、発光に費やされる駆動電流Ｉ₀は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの大小によって一桁以上違ってくる。従って、発光に費やされる駆動電流Ｉ₀に対するリーク電流Ｉ_Lの比は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが小さくなるほど大きくなり、画質への影響も大きくなる。

ここでは、素子間領域１０Ａに溝３０を設けることにより、図５に示したように、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１を、溝３０外における厚みｔ２の約１０分の１程度まで薄くすることが可能である。よって、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における抵抗を高くし、素子間領域１０Ａにおける駆動電流のリークを抑えることが可能となる。これにより、発光に費やされる駆動電流Ｉ₀に対するリーク電流Ｉ_Lの比が数％以下となり、リーク電流による画質への影響がほぼ視認できない程度まで抑えることが可能となる。

溝３０の幅ｗは、例えば、有機層１４の総膜厚以下、具体的には１０ｎｍないし１５０ｎｍであることが好ましい。これにより、図５に示したように、発光層１４Ｃが溝３０を跨いで連続することが可能となるので、電子輸送層１４Ｄおよび第２電極１５も溝３０上で途切れることなく連続することが可能となる。よって、第２電極１５が溝３０によって切断されてしまうことを回避することが可能となり、溝３０を列方向だけでなく行方向にも格子状に設けることが可能となる。

図６は、溝３０の深さｄと、溝３０を含めた素子間領域１０Ａのシート抵抗との関係を調べた結果を表したものである。なお、図６は、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのピッチｐが約３．３μｍである場合の測定結果である。図６から分かるように、溝３０の深さｄが深いほどリーク電流を小さくすることが可能となっている。例えば、ピッチｐが約３．３μｍの場合に隣接する素子の発光をほぼ抑えるためには、２×１２Ω□程度のシート抵抗相当値が必要であり、５００ｎｍ以上の深さｄが必要である。

ここで、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのピッチと必要な抵抗値との関係について説明する。

２つの異なるピッチで相似形の画素を考える。
それぞれ、
ピッチ：ｐ、ｐ´
発光面積：Ｓ 、Ｓ´
駆動電流：Ｉ₀、Ｉ₀´
リーク電流：Ｉ_L、Ｉ_L´
必要抵抗値：Ｒ、Ｒ ´
とする。

ある輝度での電流密度は両者で同じなので、
Ｉ₀´＝（Ｓ´ ／Ｓ）Ｉ₀
＝（ｐ´／ｐ）²Ｉ₀

必要な駆動電流Ｉ₀に対するリーク電流Ｉ_Lの比をｒ、ｒ´とすると、
ｒ´＝ｒで、
Ｉ_L＝ｒＩ₀
Ｉ_L´＝ｒＩ₀´

また、駆動電圧も両者で同一で、これをＶとする。
Ｒ´＝Ｖ／Ｉ_L´
＝（ｒＩ₀Ｒ）／（ｒＩ₀´）
＝（Ｉ₀Ｒ）／（ｐ´／ｐ）²Ｉ₀）

従って、
Ｒ´／Ｒ＝（ｐ／ｐ´）²

図７は、一つの素子を発光させ、その素子の輝度に対する隣接する素子の輝度の比を測定した結果を表したものである。なお、実際に発光させている素子は、横軸の０．５〜１付近にあり、隣接する素子は、横軸の３．５〜４付近にある。図７（Ａ）は溝を設けていない比較例１、図７（Ｂ）は溝３０の深さｄを３００ｎｍとした実施例１−１、図７（Ｃ）は溝３０の深さｄを７００ｎｍとした実施例１−２の測定結果である。また、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）において、実線は隣接する素子をフローティングとした場合、点線は隣接する素子をグランド（０Ｖ）とした場合の輝度を表し、両者の差分がリーク電流に相当する。図８は、この差分を拡大して表したものである。

図７および図８から分かるように、溝３０を設けた実施例１−１，１−２では、溝を設けていない比較例１に比べて隣接する素子の輝度比が低くなっていた。すなわち、画素間領域１０Ａに溝３０を設けることにより、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間での駆動電流のリークを抑えることが可能となることが分かった。

また、実施例１−１と実施例１−２とを比較すると、溝３０の深さｄが深いほど、隣接する素子の輝度比が低くなっていた。これは、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１が極めて薄くなり、その部分の抵抗が上がるので、溝３０の深さｄが深いほど、素子間領域１０Ａ全体の抵抗が上がることによるものであると考えられる。すなわち、溝３０の深さｄを深くするほど、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間での駆動電流のリークを抑えることが可能となることが分かった。

この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。

図９ないし図１５は、この表示装置の製造方法を工程順に表したものである。まず、図９に示したように、上述した材料よりなる基板１１の上に画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２を形成する。次いで、例えばプラズマＣＶＤ（Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition）法により、例えばＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ₂膜またはＳｉＯ膜を、例えば１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚みで形成する。続いて、このＳｉＯＮ膜，ＳｉＯ₂膜またはＳｉＯ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図９に示したように、コンタクトホール２１Ａを有する第１絶縁膜２１を形成する。そののち、同じく図９に示したように、第１絶縁膜２１のコンタクトホール２１Ａに導電性金属よりなるプラグ２１Ｂを埋め込む。

続いて、第１絶縁膜２１の上に、例えばスパッタリング法により、例えばチタン膜およびアルミニウム合金膜（図示せず）を形成する。そののち、このチタン膜およびアルミニウム合金膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図１０に示したように、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。

第１電極１３を形成したのち、第１電極１３上および第１絶縁膜２１上に、例えばＰＥＣＶＤ法により、ＳｉＯＮ膜を例えば１０ｎｍないし２００ｎｍの厚みで成膜する。このＳｉＯＮ膜を、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより所定の形状に成形し、図１１に示したように、開口部２２Ａを有する第２絶縁膜２２を形成する。

第２絶縁膜２２を形成したのち、図１２に示したように、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより、第２絶縁膜２２および第１絶縁膜２１に、溝３０を設ける。なお、第１絶縁膜２１内には、溝３０のエッチングのためのストッパー層（図示せず）を設けておくことが可能である。

溝３０を設けたのち、図１３に示したように、第１電極１３および第２絶縁膜２２の上に、例えば蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂを形成する。その際、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１は、溝３０外における厚みｔ２の約１０分の１程度まで薄くなる。よって、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における抵抗が高くなり、素子間領域１０Ａにおける駆動電流のリークが抑えられる。

続いて、図１４および図１５に示したように、例えば蒸着法により、有機層１４の発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを形成し、引き続き、例えば真空蒸着法により、第２電極１５を形成する。このとき、溝３０の幅ｗを、例えば、有機層１４の総膜厚以下、具体的には１０ｎｍないし１５０ｎｍとするようにしたので、発光層１４Ｃが溝３０を跨いで連続することが可能となる。よって、電子輸送層１４Ｄおよび第２電極１５も溝３０上で途切れることなく連続することが可能となり、第２電極１５が溝３０によって切断されてしまうことを回避することが可能となる。以上により、図３および図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、図４に示したように、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１６を形成する。

また、同じく図４に示したように、例えば、上述した材料よりなる封止用基板４０に、上述した材料よりなる遮光膜４２を形成する。続いて、封止用基板４０に赤色フィルタ４１Ｒの材料をスピンコートなどにより塗布し、フォトリソグラフィ技術によりパターニングして焼成することにより赤色フィルタ４１Ｒを形成する。続いて、赤色フィルタ４１Ｒと同様にして、青色フィルタ（図示せず）および緑色フィルタ４１Ｇを順次形成する。

そののち、同じく図４に示したように、保護膜１６の上に、接着層１７を形成し、この接着層１７を間にして封止用基板４０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。

この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１５，保護膜１６，接着層１７，カラーフィルタ４１および封止用基板４０を透過して（トップエミッション）取り出される。

ここでは、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の素子間領域１０Ａに絶縁膜２０（第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２）が設けられており、この絶縁膜２０は、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの間（または１０Ｇ，１０Ｂの間、または１０Ｂ，１０Ｒの間）の位置に、溝３０を有している。よって、有機層１４の中でも導電性の高い層、例えば正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１が、溝３０外における厚みｔ２よりも薄くなり、その部分の抵抗が高くなる。従って、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークが抑えられる。

このように本実施の形態の表示装置では、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間の素子間領域１０Ａに絶縁膜２０（第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２）を設け、この絶縁膜２０の、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇの間（または１０Ｇ，１０Ｂの間、または１０Ｂ，１０Ｒの間）の位置に、溝３０を設けるようにしたので、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークを抑えることが可能となる。また、従来のように蒸着工程の途中で逆テーパ形の隔壁を熱処理して順テーパに変更することは不要となり、特性の低下が回避される。

なお、上記実施の形態では、絶縁膜２０として第１絶縁膜２１および第２絶縁膜２２を積層するようにした場合について説明したが、第２絶縁膜２２を省略し、絶縁膜２０として第１絶縁膜２１のみを設けることも可能である。

（第２の実施の形態）
図１６は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における表示領域１１０の溝３０の近傍の断面構成を拡大して表したものである。本実施の形態では、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１が、溝３０が深くなるほど薄くなっている。これにより、本実施の形態では、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの抵抗を更に高くし、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークを更に抑えることが可能となっている。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、上記第１の実施の形態と同一の構成、作用および効果を有している。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、第１の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図９ないし図１５を参照して説明する。

まず、図９に示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の上に画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２および第１絶縁膜２１を形成する。

次いで、図１０に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第１絶縁膜２１の上に、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。

続いて、図１１に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第２絶縁膜２２を形成する。

そののち、図１２に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第２絶縁膜２２および第１絶縁膜２１に、溝３０を設ける。

溝３０を設けたのち、図１３ないし図１５に示したように、第１電極１３および第２絶縁膜２２の上に、例えば蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを形成する。

有機層１４を形成する工程では、図１７に示したように、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係が、数１を満たしていることが好ましい。このようにすることにより、図１６に示したように、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１が、溝３０が深くなるほど薄くなるようにすることが可能となる。なお、ここでの基板１１とは、基板１１自体ではなく、蒸着時における基板１１の表面、具体的には第２絶縁膜２２の表面である。

（数１）
Ｘ／Ｙ＞ｗ／ｄ
（式中、Ｘは溝３０の入口の端から蒸発源５０までのオフセット距離、Ｙは基板１１と蒸発源５０との距離、ｗは溝３０の幅、ｄは溝３０の深さをそれぞれ表す。）

なお、数１は、図１７において、ｔａｎθ＞ｔａｎα、すなわちθ＞αであることを表している。ここでθは、蒸発源５０から基板１１に引いた垂線と、蒸発源５０および溝３０の入口を結ぶ直線とのなす角度である。αは溝３０の壁面と、溝３０の入口と底面とを結ぶ直線とのなす角度である。

蒸着法としては、例えば、回転蒸着方式、またはライン蒸着方式を用いることが可能である。回転蒸着方式は、例えば図１８に示したように、セル型の蒸発源５０を用い、蒸発源５０の上方で基板１１を回転させながら成膜を行う方式である。このとき、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係が、数１を満たすように蒸発源５０を配置する。また、基板１１が一回転する期間のうちの少なくとも一部で数１を満たしていれば、上述した正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの薄膜化の効果を得ることが可能となる。

回転蒸着方式では、蒸発源の坩堝（図示せず）に材料を投入し、ヒーターにより坩堝を加熱することで材料を蒸発させる。坩堝の材質はＰＢＮ，アルミナなどのセラミクス、Ｔａなどが望ましい。蒸発した分子は、蒸発源５０の指向性（ｎ値）に従って直線的に飛行し、基板１１上に堆積する。ここでｎ値とは中心の蒸気密度Ａ０に対する任意の位置での蒸気密度Ａの比（Ａ／Ａ０）を表したものであり、ｃｏｓｎθで近似したときの値である。

ライン蒸着方式は、例えば図１９および図２０に示したように、長尺状の蒸発源５０を用い、蒸発源５０と蒸着対象となる基板１１とを矢印Ａ１１の方向に相対移動させながら成膜を行う方式である。ライン状の蒸発源５０には長手方向に沿って複数の開口５１が設けられており、各開口５１から蒸発材料が噴出される。基板移動方向Ａ１１に設けられた制限板５２により搬送方向の成膜幅５３が規定される。このとき、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係が、数１を満たすように蒸発源５０を配置する。また、基板１１が蒸発源５０を通過している期間のうちの少なくとも一部で数１を満たしていれば、上述した正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの薄膜化の効果を得ることが可能となる。

更に、有機層１４のうち正孔注入層１４Ａまたは正孔輸送層１４Ｂを形成する工程において、数１を満たしていることが好ましい。正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂは、有機層１４の中でも比較的導電性が高く、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間でリークパスを形成しやすいからである。

有機層１４を形成したのち、図１４および図１５に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第２電極１５を形成する。これにより、図３および図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、図４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１６および接着層１７を形成し、カラーフィルタ４１および遮光膜４２を設けた封止用基板４０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。

図２１は、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内の厚み分布の第１のシミュレーション結果である。シミュレーション条件としては、溝３０の幅ｗを０．４μｍ、深さｄを３．０μｍとし、溝３０の入口の端から蒸発源５０までのオフセット距離Ｘを２００ｍｍ、基板１１と蒸発源５０との距離Ｙを６００ｍｍとし、蒸発源５０の指向性ｎ値を２とした回転蒸着方式（図１８参照。）を想定した。正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０外における厚み（目標厚み）は１０ｎｍとした。

図２１から分かるように、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係は数１を満たし、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１は、溝３０の深さｄ１＝１．２μｍまでは一定の厚みであり、それ以上の深さ（図２１の点線で囲まれた部分）では溝３０が深くなるほど薄くなっていた（図２１において点線で囲まれた部分）。

図２２は、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内の厚み分布の第２のシミュレーション結果である。シミュレーション条件としては、溝３０の幅ｗを０．６μｍ、深さｄを２．０μｍとし、搬送方向成膜幅５３を２００ｍｍ、基板１１と蒸発源５０との距離Ｙを１００ｍｍとし、蒸発源５０の指向性ｎ値を１０としたライン蒸着（図１９および図２０参照。）を想定した。正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０外における厚み（目標厚み）は１０ｎｍとした。

図２２から分かるように、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係は数１を満たし、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１は、溝３０の深さｄ１＝０．６μｍまでは一定の厚みであり、それ以上の深さ（図２２において点線で囲まれた部分）では溝３０が深くなるほど薄くなっていた。

図２３は、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内の厚み分布の第３のシミュレーション結果である。シミュレーション条件としては、溝３０の幅ｗを０．６μｍ、深さｄを１．５μｍとし、溝３０の入口の端から蒸発源５０までのオフセット距離Ｘを１５０ｍｍ、基板１１と蒸発源５０との距離Ｙを５００ｍｍとし、蒸発源５０の指向性ｎ値を２とした回転蒸着（図１８参照。）を想定した。正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０外における厚み（目標厚み）は１０ｎｍとした。

図２３から分かるように、基板１１上の溝３０および蒸発源５０の位置関係は数１を満たさず、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１は、溝３０の深さが深くなっても一定の厚みとなっていた。ただし、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１は、溝３０外における厚みｔ２の約１０分の１程度まで薄くなっており、溝３０による薄膜化の効果は得られていた。

すなわち、有機層１４を成膜する工程において数１を満たすようにすれば、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１を更に薄くして抵抗を更に高くし、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークを更に抑えることが可能となることが分かった。

（第３の実施の形態）
図２４は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における表示領域の一部の平面構成を表したものである。本実施の形態は、溝３０を、列方向に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けることにより、第２電極１５の電圧降下を抑え、画質を向上させるようにしたものである。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、上記第１または第２の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。

溝３０は、例えば、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの列間の領域に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの長辺とほぼ同じ長さに設けられている。溝３０どうしの間には、列方向に間隔Ｌがあけられている。

図２５は、本実施の形態における第２電極１５の等価回路を表すと共に、この等価回路に重ねて、右上の領域ＡＷに白、それ以外の領域ＡＧにグレーを表示した場合の表示状態を表している。本実施の形態の第２電極１５の等価回路は、抵抗素子を列方向および行方向の両方に格子状に接続したものとなっている。そのため、白表示領域ＡＷの電圧降下ΔＶ１は、グレー表示領域ＡＧの電圧降下ΔＶ２にほぼ等しくなる（ΔＶ１≒ΔＶ２）。よって、むらのないグレーが表示される。

一方、図２６は、第１の実施の形態における第２電極１５の等価回路を表すと共に、この等価回路に重ねて、右上の領域ＡＷに白、それ以外の領域ＡＧにグレーを表示した場合の表示状態を表している。第１の実施の形態の第２電極１５の等価回路は、抵抗素子を列方向のみに接続したものとなっており、行方向には接続されていない。そのため、白表示領域ＡＷの電圧降下ΔＶ１は、グレー表示領域ＡＧの電圧降下ΔＶ２よりも大きくなる（ΔＶ１＞ΔＶ２）。そのため、白表示領域ＡＷの上下で有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに流れる電流Ｉｄｓ（図２７参照。）が低下し、白表示領域ＡＷに対して縦方向に暗いクロストークＣＴが発生する。このクロストークＣＴと正常なグレー表示領域ＡＧとの輝度差は約１０％である。なお、電流Ｉｄｓは、数２で与えられる。

図２８および図２９は、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌ（図２４参照。）および第２電極１５のＭｇ−Ａｇ合金層の厚みを変化させた場合の、第２電極１５の列方向の抵抗Ｒ１および行方向の抵抗Ｒ２のシミュレーション結果を表したものである。

図２９から分かるように、溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けた本実施の形態では、溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行にわたって連続して設けた第１の実施の形態に比べて、第２電極１５の行方向の抵抗Ｒ２が著しく低減されていた。すなわち、溝３０を、列方向に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けることにより、第２電極１５の行方向の抵抗Ｒ２を低くすることが可能となることが分かった。

また、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを１．０μｍとした場合と、２．４μｍとした場合とを比較すると、２．４μｍとした場合のほうが、第２電極１５の行方向の抵抗Ｒ２が高くなっていた。すなわち、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを広くしたほうが、第２電極１５の行方向の抵抗Ｒ２を低くすることが可能となることが分かった。

図３０は、図２８と同様にして溝３０どうしの列方向の間隔Ｌ（図２４参照。）および第２電極１５のＭｇ−Ａｇ合金層の厚みを変化させた場合の、ドロップ電圧のシミュレーション結果を表したものである。シミュレーション条件としては、表示領域１１０の全面の電流値を１５ｍＡとし、表示領域１１０を２５分割した２ブロック分のみ点灯することを想定した。よって、流す電流は１５ｍＡ／２５＊２＝１．２ｍＡとなる。ドロップ電圧は、電流を流した列の電圧Ｖ１と、電流を流していない列の電圧Ｖ２との差（Ｖ１−Ｖ２）である。また、図３０においては、クロストークが見た目上問題ない程度となる基準値を２０ｍＶとした。

図３０から分かるように、溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けた本実施の形態では、溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行にわたって連続して設けた第１の実施の形態に比べて、ドロップ電圧が著しく小さくなっていた。すなわち、溝３０を、列方向に、複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けることにより、ドロップ電圧を小さくし、画質低下を抑えることが可能となることが分かった。

また、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを１．０μｍとした場合、２．１５μｍとした場合、および２．４μｍとした場合を比較すると、間隔Ｌを広くしたほうがドロップ電圧が低くなっていた。溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを１．０μｍとした場合には、クロストークが基準値以下となるには、第２電極１５のＭｇ−Ａｇ合金層の厚みは４．６ｎｍ以上必要であった。一方、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを２．１５μｍとした場合、および２．４μｍとした場合には、第２電極１５のＭｇ−Ａｇ合金層の厚みを４．０ｎｍとしたときにもクロストークは基準値以下となっていた。すなわち、溝３０どうしの列方向の間隔Ｌを広くしたほうが、ドロップ電圧を小さくして画質を良くすることが可能となることが分かった。

（第４の実施の形態）
図３１は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における表示領域の一部の断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、溝３０が、第１絶縁膜２１の第１溝３１と、第２絶縁膜の第２溝３２との二段階になっていることを除いては、上記第１ないし第３の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有し、同様にして製造することができる。

第１絶縁膜２１は、第１の実施の形態と同様に、例えば、厚みが１００ｎｍないし１０００ｎｍであり、酸化窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ₂またはＳｉＯにより構成されている。

本実施の形態では、第２絶縁膜２２は、高温成膜のＳｉＯ₂により構成されていることが好ましい。その理由としては、ＳｉＯ₂の膜密度があがることにより、第１絶縁膜２１と比較してエッチング時のレートが遅くなり、庇部３２Ａが形成されるからである。ここにいう高温成膜とは、具体的には４００℃〜５００℃程度で成膜されていることである。ちなみに第１絶縁膜２１のＳｉＯ₂は、例えば２５０℃〜３５０℃で成膜されている。

第２溝３２の幅ｗ２は、第１溝３１の幅ｗ１よりも狭くなっている。換言すれば、第２溝３２の周囲には、第１溝３１の中央に向けて張り出した庇部３２Ａが設けられている。これにより、図３２に示したように、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂは第２溝３２の内部には付着しているが、第２溝３２と第１溝３１との境目で完全に切断される。よって、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークを抑えることが可能となる。また、第１の実施の形態では、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みｔ１を十分に小さくするために第２溝３２を数百μｍの深さｄに設ける必要があったが、本実施の形態では、そのような必要はなくなる。

第２溝３２の幅ｗ２は、例えば、有機層１４の総膜厚以下、具体的には１０ｎｍないし１５０ｎｍであることが好ましい。これにより、図３２に示したように、発光層１４Ｃが第２溝３２を跨いで連続することが可能となるので、電子輸送層１４Ｄおよび第２電極１５も溝３０上で途切れることなく連続することが可能となる。よって、第２電極１５が溝３０によって切断されてしまうことを回避することが可能となり、溝３０を列方向だけでなく行方向にも格子状に設けることが可能となる。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、第１の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図９ないし図１５を参照して説明する。

まず、図９に示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の上に画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２と、ＳｉＯＮまたはＳｉＯ₂よりなる第１絶縁膜２１を形成する。

次いで、図１０に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第１絶縁膜２１の上に、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。

続いて、図１１に示したように、第１の実施の形態と同様にして、例えば高温成膜のＳｉＯ₂よりなる第２絶縁膜２２を形成する。

そののち、例えばフォトリソグラフィ法およびドライエッチングにより、第２絶縁膜２２を貫通する第２溝３２を設け、更に第１絶縁膜２１に第１溝３１を設ける。

第２溝３２を設けたのち、更に、第１溝３１および第２溝３２のウェットエッチングを行う。ウェットエッチングに使用する薬液として、フッ化水素酸を用いることが好ましい。これにより、ウェットエッチング速度の速い第１絶縁膜２１では第１溝３１の幅ｗ１が広くなると同時に、ウェットエッチング速度の遅い第２絶縁膜２２では第２溝３２の幅ｗ２が第１溝３１の幅ｗ１よりも狭くなる。第２溝３２の周囲には、第１溝３１の中央に向けて張り出した庇部３２Ａが形成される。

溝３０の平面形状については、第１の実施の形態のように溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行にわたって連続して設けることも可能である。また、第３の実施の形態のように溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けることも可能である。

このように第１溝３１および第２溝３２を有する階段状の溝３０を設けたのち、図１３ないし図１５に示したように、第１または第２の実施の形態と同様にして、第１電極１３および第２絶縁膜２２の上に、例えば蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを形成する。

有機層１４を形成したのち、図１４および図１５に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第２電極１５を形成する。これにより、図３および図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、図４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１６および接着層１７を形成し、カラーフィルタ４１および遮光膜４２を設けた封止用基板４０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。

なお、上記実施の形態では、第２溝３２の側面が垂直面である場合について説明したが、第２溝３２の側面は、図３３に示したような逆テーパ形状（第２溝３２が深くなるにつれて第２溝３２の幅が広くなる）とすることも可能である。

（第５の実施の形態）
図３４は、本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における表示領域の一部の断面構成を表したものである。図３５は、図３４に示した溝３０の近傍を拡大して表したものである。本実施の形態は、溝３０の底面に導電膜６０が設けられており、この導電膜６０が所定の電位に接続されていることにより、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間での駆動電流のリークをほぼ完全に抑えるようにしたものである。また、本実施の形態では、第２絶縁膜２２を省略し、絶縁膜２０として第１絶縁膜２１のみを設けている。これらのことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第１ないし第３の実施の形態と同様の構成、作用および効果を有している。

導電膜６０は、上述したように所定の電位、例えばグランド電位または第２電極１５の電位（カソード電位）に接続されている。これにより、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂを伝搬するリーク電流は導電膜６０に短絡され、隣り合う有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ間でのリーク電流がほぼ完全に抑制される。なお、第２電極１５は、表示領域１１０の外側の領域で、図示しない補助配線に接続されている。その理由は、有機層１４が複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられているので、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂごとに第２電極１５と補助配線との接続をとることができないからである。

導電膜６０は、例えば窒化チタン（ＴｉＮ）などの導電材料により構成されている。導電膜６０は、駆動回路層１２の画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１または書き込みトランジスタＴｒ２への光の入射を遮る遮光層であることが好ましい。

溝３０の平面形状については、第１の実施の形態のように溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの複数の行にわたって連続して設けることも可能である。また、第３の実施の形態のように溝３０を複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各行ごとに設けることも可能である。

この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。なお、第１の実施の形態と製造工程が重複する部分については、図９ないし図１５を参照して説明する。

まず、図３６（Ａ）に示したように、図９に示した工程により、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の上に画素駆動回路１４０を含む駆動回路層１２を形成する。

次いで、図３６（Ｂ）に示したように、駆動回路層１２の上に層間絶縁膜６１を設け、この層間絶縁膜６１の上に、上述した材料よりなる導電膜６０を形成する。

続いて、図３６（Ｃ）に示したように、層間絶縁膜６１および導電膜６０の上に、図９に示した工程により、第１の実施の形態と同様にして、コンタクトホール２１Ａを有する第１絶縁膜２１を形成する。そののち、同じく図３６（Ｃ）に示したように、コンタクトホール２１Ａ内にプラグ２１Ｂを形成する。

第１絶縁膜２１を形成したのち、図３６（Ｄ）に示したように、図１０に示した工程により、第１の実施の形態と同様にして、第１絶縁膜２１の上に、複数の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々ごとに第１電極１３を形成する。

第１電極１３を形成したのち、図３７に示したように、フォトリソグラフィ法およびエッチングにより、第１絶縁膜２１に、溝３０を設ける。このとき、溝３０の底面が導電膜６０に到達するようにする。

溝３０を設けたのち、図３８に示したように、図１３ないし図１５に示した工程により、第１または第２の実施の形態と同様にして、第１電極１３および第２絶縁膜２２の上に、例えば蒸着法により、有機層１４の正孔注入層１４Ａ，正孔輸送層１４Ｂ，発光層１４Ｃおよび電子輸送層１４Ｄを形成する。

有機層１４を形成したのち、図１４および図１５に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第２電極１５を形成する。これにより、図３および図４に示したような有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。

続いて、図４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に上述した材料よりなる保護膜１６および接着層１７を形成し、カラーフィルタ４１および遮光膜４２を設けた封止用基板４０を貼り合わせる。以上により、図１ないし図４に示した表示装置が完成する。

（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。

（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図３９に示したようなモジュールとして、後述する適用例１，２などの電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板４０から露出した領域３１０を設け、この露出した領域３１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）３２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図４０は、上記実施の形態の表示装置が適用される撮像装置（レンズ交換式一眼レフレックスタイプのデジタルカメラ）の外観を表したものである。この撮像装置は、例えば、カメラ本体部（カメラボディ）４１１の正面右側に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）４１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部４１３を有している。カメラ本体部４１１の背面略中央にはモニタ４１４が設けられている。モニタ４１４の上部には、ビューファインダ（接眼窓）４１５が設けられている。撮影者は、ビューファインダ４１５を除くことによって、撮影レンズユニット４１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。このビューファインダ４１５は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図４１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるヘッドマウントディスプレイの外観を表したものである。このヘッドマウントディスプレイは、例えば、眼鏡形の表示部４２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部４２２を有しており、その表示部４２１は、上記実施の形態に係る表示装置により構成されている。

以上、実施の形態を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、正孔注入層１４Ａおよび正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みを薄くすることにより有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間でのリーク電流を抑えるようにした場合について説明した。しかしながら、正孔注入層１４Ａまたは正孔輸送層１４Ｂの溝３０内における厚みを薄くすれば足りる。また、有機層１４の中では正孔注入層１４Ａの導電性が特に高いので、少なくとも正孔注入層１４Ａの溝３０内における厚みを薄くすれば、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間でのリーク電流を低減することが可能である。また、正孔輸送層１４Ｂを省略した場合には、正孔注入層１４Ａの溝３０内における厚みを薄くすることによって、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの間でのリーク電流を低減することが可能である。

また、上記実施の形態では、発光層で発生した光を第２電極１５側から取り出す場合（トップエミッション）を例として説明したが、発光層で発生した光を第１電極１３側から取り出すことも可能である（ボトムエミッション）。その場合には、第１電極１３は、ＩＴＯ，ＩＺＯ（登録商標），またはＳｎＯ₂などの透明電極により構成され、第２電極１５は、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極１５は、上述した反射電極と透明電極との複合膜により構成されていてもよい。また、ボトムエミッションの場合には、カラーフィルタ４１および遮光膜４２は基板１１上、例えば駆動回路層１２と第１絶縁膜２１との間に設けることが可能である。

また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。

なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
基板上に、複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に設けられた絶縁膜とを有し、
前記絶縁膜は、隣り合う前記有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を有する
表示装置。
（２）
前記有機ＥＬ素子は、
前記複数の有機ＥＬ素子の各々ごとに設けられた第１電極と、
前記第１電極および前記絶縁膜の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に設けられ、正孔注入層または正孔輸送層、および発光層を含む有機層と、
前記有機層の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に設けられた第２電極と
を有し、
前記正孔注入層または前記正孔輸送層の前記溝内における厚みは、前記溝外における厚みよりも薄くなっている
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記正孔注入層または前記正孔輸送層の前記溝内における厚みは、前記溝が深くなるほど薄くなっている
前記（２）記載の表示装置。
（４）
前記複数の有機ＥＬ素子は一方向に長い矩形形状を有すると共に、短辺に平行な行方向および長辺に平行な列方向に配列されており、
前記溝は、前記列方向に、前記複数の有機ＥＬ素子の複数の行にわたって連続して設けられている
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
前記複数の有機ＥＬ素子は矩形形状を有すると共に、短辺に平行な行方向および長辺に平行な列方向に配列されており、
前記溝は、前記列方向に、前記複数の有機ＥＬ素子の各行ごとに設けられている
前記（１）ないし（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記複数の有機ＥＬ素子の前記行方向におけるピッチは３０μｍ以下である
前記（４）または（５）記載の表示装置。
（７）
前記絶縁膜は、前記基板および前記複数の有機ＥＬ素子の間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上の前記素子間領域に設けられた第２絶縁膜とを有し、
前記溝は、前記第１絶縁膜に設けられた第１溝と、前記第２絶縁膜に設けられ、前記第１溝に連通すると共に前記第１溝よりも幅の狭い第２溝とを有する
前記（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記溝の底面に導電膜を有し、前記導電膜は所定の電位に接続されている
前記（１）ないし（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）
前記所定の電位は、グランド電位または前記第２電極の電位である
前記（８）記載の表示装置。
（１０）
前記基板と前記複数の有機ＥＬ素子および前記絶縁膜との間に、トランジスタを含む駆動回路を備え、
前記導電膜は、前記トランジスタへの光の入射を遮る遮光層である
前記（８）または（９）記載の表示装置。
（１１）
前記発光層は白色光を発生する白色発光層であり、
前記有機ＥＬ素子は、前記白色光を赤色光，緑色光または青色光として取り出すカラーフィルタを備えた
前記（１）ないし（１０）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）
基板上に、複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記絶縁膜を形成する工程において、前記絶縁膜の、隣り合う前記有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を設ける
表示装置の製造方法。
（１３）
前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程は、
前記複数の有機ＥＬ素子の各々ごとに第１電極を形成する工程と、
前記第１電極および前記絶縁膜の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に、正孔注入層または正孔輸送層、および発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に、第２電極を形成する工程と
を含み、
前記有機層を形成する工程を、前記絶縁膜に溝を設けたのちに行う
前記（１２）記載の表示装置の製造方法。
（１４）
前記有機層を形成する工程において、数１を満たす
前記（１３）記載の表示装置の製造方法。
（数１）
Ｘ／Ｙ＞ｗ／ｄ
（式中、Ｘは前記溝の入口の端から蒸発源までのオフセット距離、Ｙは前記基板と前記蒸発源との距離、ｗは前記溝の幅、ｄは前記溝の深さをそれぞれ表す。）
（１５）
前記有機層を形成する工程において、前記蒸着法は前記基板を回転させながら成膜を行う回転蒸着方式であり、前記基板が一回転する期間のうちの少なくとも一部で数１を満たす
前記（１４）記載の表示装置の製造方法。
（１６）
前記有機層を形成する工程において、前記蒸着法は前記蒸発源と前記基板とを一方向に相対移動させながら成膜を行うライン蒸着方式であり、前記基板が前記蒸発源を通過している期間の少なくとも一部で数１を満たす
前記（１４）記載の表示装置の製造方法。
（１７）
前記有機層のうち前記正孔注入層または前記正孔輸送層を形成する工程において、数１を満たす
前記（１４）ないし（１６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、１３…第１電極、１４…有機層、１５…第２電極、１６…保護膜、１７…接着層、２１…第１絶縁膜、２２…第２絶縁膜、３０…溝、４０…封止用基板、４１…カラーフィルタ、４２…遮光膜、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。

Claims (17)

1. 基板上に、複数の有機ＥＬ素子と、前記複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に設けられた絶縁膜とを有し、
   前記絶縁膜は、隣り合う前記有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を有する
   表示装置。
2. 前記有機ＥＬ素子は、
   前記複数の有機ＥＬ素子の各々ごとに設けられた第１電極と、
   前記第１電極および前記絶縁膜の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に設けられ、正孔注入層または正孔輸送層、および発光層を含む有機層と、
   前記有機層の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に設けられた第２電極と
   を有し、
   前記正孔注入層または前記正孔輸送層の前記溝内における厚みは、前記溝外における厚みよりも薄くなっている
   請求項１記載の表示装置。
3. 前記正孔注入層または前記正孔輸送層の前記溝内における厚みは、前記溝が深くなるほど薄くなっている
   請求項２記載の表示装置。
4. 前記複数の有機ＥＬ素子は一方向に長い矩形形状を有すると共に、短辺に平行な行方向および長辺に平行な列方向に配列されており、
   前記溝は、前記列方向に、前記複数の有機ＥＬ素子の複数の行にわたって連続して設けられている
   請求項１記載の表示装置。
5. 前記複数の有機ＥＬ素子は矩形形状を有すると共に、短辺に平行な行方向および長辺に平行な列方向に配列されており、
   前記溝は、前記列方向に、前記複数の有機ＥＬ素子の各行ごとに設けられている
   請求項１記載の表示装置。
6. 前記複数の有機ＥＬ素子の前記行方向におけるピッチは３０μｍ以下である
   請求項４記載の表示装置。
7. 前記絶縁膜は、前記基板および前記複数の有機ＥＬ素子の間に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上の前記素子間領域に設けられた第２絶縁膜とを有し、
   前記溝は、前記第１絶縁膜に設けられた第１溝と、前記第２絶縁膜に設けられ、前記第１溝に連通すると共に前記第１溝よりも幅の狭い第２溝とを有する
   請求項１記載の表示装置。
8. 前記溝の底面に導電膜を有し、前記導電膜は所定の電位に接続されている
   請求項１記載の表示装置。
9. 前記所定の電位は、グランド電位または前記第２電極の電位である
   請求項８記載の表示装置。
10. 前記基板と前記複数の有機ＥＬ素子および前記絶縁膜との間に、トランジスタを含む駆動回路を備え、
    前記導電膜は、前記トランジスタへの光の入射を遮る遮光層である
    請求項８記載の表示装置。
11. 前記発光層は白色光を発生する白色発光層であり、
    前記有機ＥＬ素子は、前記白色光を赤色光，緑色光または青色光として取り出すカラーフィルタを備えた
    請求項１記載の表示装置。
12. 基板上に、複数の有機ＥＬ素子を形成する工程と、前記複数の有機ＥＬ素子の間の素子間領域に絶縁膜を形成する工程とを含み、
    前記絶縁膜を形成する工程において、前記絶縁膜の、隣り合う前記有機ＥＬ素子の間の位置に、溝を設ける
    表示装置の製造方法。
13. 前記複数の有機ＥＬ素子を形成する工程は、
    前記複数の有機ＥＬ素子の各々ごとに第１電極を形成する工程と、
    前記第１電極および前記絶縁膜の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に、正孔注入層または正孔輸送層、および発光層を含む有機層を形成する工程と、
    前記有機層の上に、前記複数の有機ＥＬ素子に共通に、第２電極を形成する工程と
    を含み、
    前記有機層を形成する工程を、前記絶縁膜に溝を設けたのちに行う
    請求項１２記載の表示装置の製造方法。
14. 前記有機層を形成する工程において、数１を満たす
    請求項１３記載の表示装置の製造方法。
    （数１）
    Ｘ／Ｙ＞ｗ／ｄ
    （式中、Ｘは前記溝の入口の端から蒸発源までのオフセット距離、Ｙは前記基板と前記蒸発源との距離、ｗは前記溝の幅、ｄは前記溝の深さをそれぞれ表す。）
15. 前記有機層を形成する工程において、前記蒸着法は前記基板を回転させながら成膜を行う回転蒸着方式であり、前記基板が一回転する期間のうちの少なくとも一部で数１を満たす
    請求項１４記載の表示装置の製造方法。
16. 前記有機層を形成する工程において、前記蒸着法は前記蒸発源と前記基板とを一方向に相対移動させながら成膜を行うライン蒸着方式であり、前記基板が前記蒸発源を通過している期間の少なくとも一部で数１を満たす
    請求項１４記載の表示装置の製造方法。
17. 前記有機層のうち前記正孔注入層または前記正孔輸送層を形成する工程において、数１を満たす
    請求項１４記載の表示装置の製造方法。

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