JP2010283281A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の発光装置は、半導体素子構造を有する発光素子と、光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、前記発光素子から離間され、互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有する光透過部材と、を備え、前記被覆部材は、前記発光素子と前記光透過部材の離間領域において、前記発光素子の側面より前記光透過部材まで延在して、該延在部が前記離間領域を囲み、該離間領域側表面に第1の反射面を有する。
【選択図】図1
Description
(1) 半導体素子構造を有する発光素子と、光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、前記発光素子から離間され、互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有する光透過部材と、を備え、前記被覆部材は、前記発光素子と前記光透過部材の離間領域において、前記発光素子の側面より前記光透過部材まで延在して、該延在部が前記離間領域を囲み、該離間領域側表面に第1の反射面を有する発光装置。
(2) 前記離間領域は空隙であって、前記第1の反射面は、前記被覆部材と空隙との界面に設けられる上記(1)に記載の発光装置。
(3) 前記第1の反射面は、凹面である上記(1)又は(2)に記載の発光装置。
(4) 前記第1の反射面は、凸曲面を有する請求項1又は2に記載の発光装置。
(5) 前記被覆部材は、前記光透過部材の側面を包囲する第2の反射面をその表面に有する上記(1)〜(4)のいずれか1つに記載の発光装置。
(6) 前記被覆部材は、前記光透過部材の側面を被覆し、前記第2の反射面は、前記被覆部材と前記光透過部材の側面との界面に設けられる上記(5)に記載の発光装置。
(7) 前記第2の反射面は、前記光透過部材の発光面より前方に延出した被覆部材の延出部の表面に設けられている上記(5)又は(6)に記載の発光装置。
(8) 半導体素子構造を有する発光素子と、光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有し、前記発光素子の出射面に接合する光透過部材と、を備え、前記被覆部材は、前記光透過部材の外側において、前記光透過部材の側面から前記発光面より前方に延出して、該延出部が前記発光面を包囲し、該発光面側表面と、前記光透過部材の側面とに第2の反射面を有する発光装置。
(9) 前記光透過部材の側面が、前記発光素子の外側の側面より、内側に設けられている上記(8)に記載の発光装置。
(10) 前記延出部は、該開口幅が前記発光面側より狭く、該延出部の前記第2の反射面が発光面に対面するように傾斜して、該発光面の前方を一部覆っている上記(7)〜(9)のいずれか1つに記載の発光装置。
(11) 前記延出部は、該開口幅が前記発光面側より広く、該延出部の前記第2の反射面が発光面より側方の外側に設けられている上記(7)〜(9)のいずれか1つに記載の発光装置。
(12) 前記光透過部材の発光面に接合し、該接合側に対向する表面の第2の発光面を備えた透光性部材を有し、前記延出部は、前記透光性部材の側面を被覆しており、該側面に前記第2の反射面が設けられている上記(10)又は(11)に記載の発光装置。
(13) 前記光透過部材は、前記発光素子に励起される波長変換部材である上記(1)〜(12)のいずれか1つに記載の発光装置。
(14) 前記波長変換部材は板状体である上記(13)に記載の発光装置。
図1は、本発明の実施の形態1に係る発光装置の概略図であり、図1(a)は概略上面図の図1(b)のA−Aにおける概略断面図であり、図2はその光源部周辺の概略断面図である。図1,2に示す例の発光装置は、主として、発光素子10と、発光素子から出射された光を透過する光透過部材20と、発光素子、光透過部材の一部を被覆する光反射性の被覆部材40,45と、から構成されている。
発光素子10は公知のもの、具体的には半導体発光素子を利用でき、特にGaN系化合物半導体であれば、蛍光物質を効率良く励起できる短波長の可視光や紫外光が発光可能であるため好ましい。具体的な発光ピーク波長は240nm以上560nm以下、好ましくは380nm以上470nm以下である。なお、このほか、ZnSe系、InGaAs系、AlInGaP系半導体の発光素子でもよい。
半導体層による発光素子構造11は、図3に例示するように少なくとも第1導電型(n型)層2と第2導電型(p型)層4とにより構成され、更にその間に活性層3を有する構造が好ましい。また、電極構造は、一方の主面側に第1導電型(負)、第2導電型(正)の両電極6,7が設けられる同一面側電極構造が好ましいが、半導体層の各主面に対向して電極が各々設けられる対向電極構造でも良い。発光素子10の実装形態も、例えば上記同一面側電極構造では、電極形成面を実装面として、それに対向する基板1側を主な出射面とするフリップチップ実装が、その出射面と光透過部材20との光学的な接続上好ましい。この他、電極形成面側を主な出射面として、その上に光透過部材を結合する実装、フェイスアップ実装、また配線構造を備えた光透過部材にフリップチップ実装、上記対向電極構造で光透過部材と実装基板に接続すること、ができ、好ましくは発光素子と光透過部材に配線、電極を備えない実施例の実装が良い。なお、半導体層11の成長基板1は、発光素子構造を構成しない場合には除去してもよく、成長基板が除去された半導体層に、支持基板、例えば導電性基板または別の透光性部材・基板を接着した構造とすることもできる。この支持基板に光透過部材20を用いることもでき、その他、ガラス、樹脂などの光透過部材により半導体層が接着・被覆されて、支持された構造の素子でもよい。成長基板の除去は、例えば支持体、装置又はサブマウントに実装又は保持して、剥離、研磨、若しくはLLO(Laser Lift Off)で実施できる。また、発光素子10は光反射構造を有することができ、具体的には、半導体層11の互いに対向する2つの主面の内、光取り出し側(出射面側)と対向する他方の主面を光反射側(図1における下側)とし、この光反射側の半導体層内や電極などに光反射構造を設けることができる。光反射構造の例として、半導体層内に多層膜反射層が設ける構造、あるいは半導体層の上にAg、Al等の光反射性の高い金属膜や誘電体多層膜を有する電極、反射層を設けた構造がある。
発光素子10の一例として、図3の窒化物半導体の発光素子10では、成長基板1であるC面サファイア基板の上に、第1の窒化物半導体層2であるn型半導体層、活性層3である発光層、第2の窒化物半導体層4であるp型半導体層が順にエピタキシャル成長されている。そして、n型層2の一部が露出されて第1の電極7であるn型パッド電極を形成し、p型層4のほぼ全面にITO等の透光性導電層5、第2の電極6であるp型パッド電極が形成されている。さらに、保護膜8をn型、p型パッド電極6,7の表面を露出し、半導体層を被覆して設けられる。なお、n型パッド電極7は、p型同様に透光性導電層を介して形成してもよい。成長基板1は、C面サファイアの他、R面、及びA面、スピネル(MgAl2O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、Si、ZnS、ZnO、GaAs、GaNやAlN等の半導体の導電性基板がある。窒化物半導体の例としては、一般式がInxAlyGa1-x-yN(0≦x、0≦y、x+y≦1)の他、BやP、Asを混晶してもよい。また、n型、p型半導体層2,4は、単層、多層を特に限定されず、活性層3は単一(SQW)又は多重量子井戸構造(MQW)が好ましい。青色発光の素子構造11の例としては、サファイア基板上に、バッファ層などの窒化物半導体の下地層、例えば低温成長薄膜GaNとGaN層、を介して、n型半導体層として、例えばSiドープGaNのn型コンタクト層とGaN/InGaNのn型多層膜層が積層され、続いてInGaN/GaNのMQWの活性層、更にp型半導体層として、例えばMgドープのInGaN/AlGaNのp型多層膜層とMgドープGaNのp型コンタクト層が積層された構造がある。
また図1の発光装置100は、発光素子10からの光を透過する光透過部材20を備える。光透過部材20は、通過する光の少なくとも一部を波長変換可能な波長変換材料を有する光変換部材であることが好ましい。例えば実施例のように、光源からの一次光が、光透過部材20中の波長変換材料としての蛍光体を励起することで、一次光と異なった波長を持つ二次光が得られ、さらに一次光との混色により、所望の色相を有する出射光を実現できる。
被覆部材40,45は、図1に示すように、発光素子10、光透過部材20の一部を被覆する。そして、本発明においては、被覆部材が素子等から垂下され、光の漏れ経路の形成を防ぐことから、実装基板、更にはそれに設けられた配線より、被覆部材の反射率が高いことが好ましい。また、光反射材料46,47を含有する被覆部材40,45は、その基材は透光性の樹脂材料が好ましく、シリコーン樹脂組成物、変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが、エポキシ樹脂組成物、変性エポキシ樹脂組成物、アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる。また、これらの樹脂を少なくとも一種以上含むハイブリッド樹脂等、耐候性に優れた被覆部材も利用できる。さらに、ガラス、シリカゲル等の耐光性に優れた無機物を用いることもできる。また、樹脂材料を成形することで、所望の形状に成形でき、また所望領域を被覆でき、本発明では光源部の発光素子、光透過部材の表面、特にその側面を被覆して形成できる。また、その発光面側の表面も同様に所望形状とでき、図示するような平坦な面状の他、凹や凸の曲面とできる。実施の形態1では耐熱性・耐候性の観点から被覆部材としてシリコーン樹脂を使用する。
また、被覆部材40,45には、光反射性材料46,47、光変換部材の他、粘度増量剤等を適宜添加することができ、これによって所望の発光色、それら部材若しくは装置表面の色、例えば高コントラスト化の為の黒色など、また所望の指向特性を有する発光装置が得られる。同様に不要な波長をカットするフィルター材として各種着色剤を添加できる。他の部材、また導光部材、封止部材、光透過部材などの光透過性材料も同様である。
一方、図1の発光装置100において、上記の発光素子10が実装される基板50は、少なくとも表面が素子の電極と接続される配線55を形成したものが利用でき、また図4(a)に示すように外部接続用の配線(56)などが設けられても良い。基板の材料は、例として窒化アルミニウム(AlN)で構成され、単結晶、多結晶、焼結基板、他の材料としてアルミナ等のセラミック、ガラス、Si等の半金属あるいは金属基板、またそれらの積層体、複合体が使用でき、金属性、セラミックは放熱性が高いため好ましい。なお、基板50は配線が無くてもよく、例えば図3の素子で成長基板側を実装して素子の電極を装置の電極にワイヤー接続する形態、光透過部材に配線を設けて接続する形態でもでもよい。また、図示する発光装置のように、被覆部材40,45が実装基板50の上に設けられる形態の他、実装基板50の外側側面も覆う形態でもよい。また実装基板50は、少なくともその表面が高反射性材料で構成されることが好ましい。図1,2に示すように、発光素子10は、導電性接着材60により配線55上に接着されて外部と電気的に接続される。導電性接着材60は、半田、Agペースト、Auバンプなどが利用できる。
図1に示す発光装置100は、枠体51,52を有し、これらは被覆部材40,45の保持部材としても機能する。枠体51,52は、セラミックや樹脂などで形成することができる。光反射性の高いアルミナが好ましいが、表面に反射膜を形成すればこれに限らない。樹脂であれば、スクリーン印刷等を用いるほか、成形体を実装基板に接着してもよい。また、被覆部材40,45と同様に光反射性材料を用いるなどして、反射率を高くすると好ましい。また、上記添加部材同様に、枠体を目的に応じて着色してもよい。なお、この枠体は、被覆部材を充填又は成形後に、取り外すこともできる。また、枠体として、積層基板、基材などでキャビティ構造を有する装置基体など、発光素子の実装基板に一体に形成されている形態でもよい。
図1に示される例の発光装置100の製造方法の一例として以下に説明する。まず、実装基板50上または発光素子10に導電性接着材60を形成しフリップチップ実装する。この例では個片化前の基板50上で、1つの発光装置に対応する領域に1個の発光素子10を並べて実装する。次に、発光素子10の周囲に立設された第1の枠体51(発光素子10の出射面(成長基板裏面あるいはLLOで基板除去した場合であれば窒化物半導体露出面)の高さより高い)内に、光透過部材20の側面を被覆するように、ディスペンサ(液体定量吐出装置)等により、被覆部材40を構成する樹脂をポッティングする。滴下された樹脂40は、表面張力によって発光素子10の側面および第1の枠体51の内壁を這い上がり被覆し、発光素子10の出射面より第1の枠体51の上面に向かって高くなる傾斜表面が形成される。次に、第1の枠体51上に光透過部材20を載置する。そして、第1の枠体の周囲に立設された第2の枠体52(第1の枠体より高い)内に、同様に被覆部材45を構成する樹脂をポッティングする。滴下された樹脂45は、表面張力によって光透過部材20の側面および第2の枠体52の内壁を這い上がり被覆し、表面21より第2の枠体52の上面に向かって高くなる傾斜表面が形成される。最後に、樹脂40,45を硬化させた後、所定の位置でダイシングを行い、所望の大きさに切り出して発光装置100を得る。
図4は、本発明の実施の形態2に係る発光装置の概略図であり、図4(a)は概略上面図の図4(b)のA−Aにおける概略断面図であり、図4(c)はその光源部周辺の概略断面図である。図4に示す例の発光装置において、上述の実施の形態1と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
ここで、封止部材70の光取り出し側の表面は目的に応じて種々の形状に形成することができる。例えば図4(a)および(b)に点線で示すように、光取り出し側の表面を球面状(半球面状)のレンズ形状、凸曲面とすることで、光透過部材20の発光に対し効率良く外部に取り出すことができる。また、これに限らず、種々の光学素子、所望形状の光学部材とでき、凹レンズ形状、放物曲面、先端が平坦な凸形状とでき、また凹凸面として光を散乱させてもよい。
図5は、本発明の実施の形態3に係る発光装置の概略断面図である。図5に示す例の発光装置において、上述の実施の形態1と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図6は、本発明の実施の形態4に係る発光装置の概略断面図である。図6に示す例の発光装置において、上述の実施の形態1と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図7は、本発明の実施の形態5に係る発光装置を説明するための概略断面図である。図7に示す例の発光装置において、上述の実施の形態1と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
このような透光性部材71は、透光性を有して、発光素子10の出射光を光取り出し側へ導光でき、双方の部材を光学的に結合できる材質が好ましい。光透過部材、実施の形態2の封止部材70と同様の材料により、具体的には透明樹脂、ガラスにより構成することができ、例えば光透過部材20の形状に合わせた底面及び上面が四角形の錐体形状の透明樹脂を成形、加工して作製する。さらに具体的な材料としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂など透光性の熱硬化性樹脂がよく、シリコーン樹脂は耐熱性、耐光性に優れるため好ましい。また、シリコーン樹脂を使用すれば、上記フッ素系離型剤の効果が高いため好ましい。さらに、ジメチル系シリコーン樹脂であれば高温耐性など信頼性において優れ、フェニル系シリコーン樹脂であれば屈折率を高くして発光素子10からの光の取り出し効率を高めることができる。また後述の実施の形態7のように、発光素子10と光透過部材20との間に介在して双方の部材を固着する接着剤35として用いることもできる。
図8は、本発明の実施の形態6に係る発光装置を説明するための概略断面図である。図8に示す例の発光装置において、上述の実施の形態1,3と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
図9は、本発明の実施の形態7に係る発光装置を説明するための概略断面図である。図9に示す例の発光装置において、上述の実施の形態5と実質上同様の構成については、同一の符号を付して適宜説明を省略する。
以下、本発明に係る実施例について詳述する。なお、本発明は以下に示す実施例のみに限定されないことは言うまでもない。
20…光透過部材(21,23…表面、22…受光面、23A…凹凸面・凹凸構造)
30…離間領域・空隙
31…第1の反射面
32…第2の反射面
40(第1),45(第2)…被覆部材(46(第1),47(第2)…光反射性材料)
50…実装基板(51,52…枠体、55、56…配線、57、58…凹部、59…装置基体)
60…導電性接着材
70…封止部材
71…透光性部材
90…発光面
91…第2の発光面
Claims (14)
- 半導体素子構造を有する発光素子と、
光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、
前記発光素子から離間され、互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有する光透過部材と、を備え、
前記被覆部材は、前記発光素子と前記光透過部材の離間領域において、前記発光素子の側面より前記光透過部材まで延在して、該延在部が前記離間領域を囲み、該離間領域側表面に第1の反射面を有する発光装置。 - 前記離間領域は空隙であって、前記第1の反射面は、前記被覆部材と空隙との界面に設けられる請求項1に記載の発光装置。
- 前記第1の反射面は、凹面である請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記第1の反射面は、凸曲面を有する請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記光透過部材の側面を包囲する第2の反射面をその表面に有する請求項1乃至4のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記光透過部材の側面を被覆し、
前記第2の反射面は、前記被覆部材と前記光透過部材の側面との界面に設けられる請求項5に記載の発光装置。 - 前記第2の反射面は、前記光透過部材の発光面より前方に延出した被覆部材の延出部の表面に設けられている請求項5又は6に記載の発光装置。
- 半導体素子構造を有する発光素子と、
光反射性材料を含有し、前記発光素子の出射面を露出して、該側面を被覆する被覆部材と、
互いに対向する発光面と、前記発光素子の出射表面からの光を受光する受光面と、を有し、前記発光素子の出射面に接合する光透過部材と、を備え、
前記被覆部材は、前記光透過部材の外側において、前記光透過部材の側面から前記発光面より前方に延出して、該延出部が前記発光面を包囲し、該発光面側表面と、前記光透過部材の側面とに第2の反射面を有する発光装置。 - 前記光透過部材の側面が、前記発光素子の外側の側面より、内側に設けられている請求項8に記載の発光装置。
- 前記延出部は、該開口幅が前記発光面側より狭く、該延出部の前記第2の反射面が発光面に対面するように傾斜して、該発光面の前方を一部覆っている請求項7乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記延出部は、該開口幅が前記発光面側より広く、該延出部の前記第2の反射面が発光面より側方の外側に設けられている請求項7乃至9のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記光透過部材の発光面に接合し、該接合側に対向する表面の第2の発光面を備えた透光性部材を有し、
前記延出部は、前記透光性部材の側面を被覆しており、該側面に前記第2の反射面が設けられている請求項10又は11に記載の発光装置。 - 前記光透過部材は、前記発光素子に励起される波長変換部材である請求項1乃至12のいずれか1項に記載の発光装置。
- 前記波長変換部材は板状体である請求項13に記載の発光装置。
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